DE69016156T2

DE69016156T2 - Pastenmischung auf der Basis von Kupfer.

Info

Publication number: DE69016156T2
Application number: DE69016156T
Authority: DE
Inventors: Masashi Echigo; Susumu Okada; Shuji Saeki; Masami Sakuraba; Masatoshi Suehiro
Original assignee: Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd; Dowa Mining Co Ltd
Current assignee: Dowa Holdings Co Ltd; DKS Co Ltd
Priority date: 1989-10-27
Filing date: 1990-07-09
Publication date: 1995-07-20
Anticipated expiration: 2010-07-10
Also published as: JPH03141502A; US5035837A; EP0425073B1; DE69016156D1; EP0425073A1; JP2788510B2

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft Zusammensetzungen von Kupferpasten und insbesondere Zusammensetzungen von Kupferpasten, die sich für ein Einbrennen bei niedrigen Temperaturen von 550 bis 750 ºC eignen.
Kupferpasten können auf Keramik oder anderen feuerfesten Substraten eingebrannt werden, so daß ein "Dickschicht"-Leiter gebildet wird. Kupferpasten für das Einbrennen bei niedrigen Temperaturen werden offenbart in Japanese Patent Provisional Publication No. SHO-62- 110202, dem U.S. Patent No. 4,521,329 und EP-A-O 131778 entsprechen, die ein Leiterelement betreffen. Das beschriebene Leiterelement wird hergestellt, indem eine Paste angeteigt wird, die ein organisches Medium mit einem organischen Harz enthält, und diese Zusammensetzung auf ein keramisches Substrat eingebrannt wird, so daß das organische Harz pyrolysiert wird und die leitende Kupferschicht zurückbleibt. Die Paste setzt sich aus metallischem Kupfer, das mit einem Kupferoxidbelag überzogen ist, Kupferoxidpartikeln und einem anorganischen Bindemittel folgendermaßen zusammen: (a) mindestens 0,2 Masse% Sauerstoff in Form des Kupferoxidbelags, (b) Kupferoxidpartikeln in einer Menge von maximal 15 Masse% des metallischen Kupfers, (c) ein anorganisches Bindemittel, das die Kupferoxidpartikeln (d) enthält, wobei das Masseverhältnis der Kupferoxidpartikeln (d) zum Kupferoxidbelag 0 bis 0,5 und das Verhältnis der Gesamtsumme des Kupferoxids in Form von Partikeln und Belag zur Masse des oxidüberzogenen Kupfermetalls 0 bis 15 Masseteile gegenüber 100 Masseteilen des mit dem Oxidbelag überzogenen metallischen Kupfers beträgt. Die Veröffentlichungen beschreiben den Sauerstoff in dem Oxidbelag des metallischen Kupfers und den Sauerstoff in den Kupferoxidpartikeln als Sauerstoffquelle für die Pyrolyse oder Verbrennung des Harzes in dem organischen Medium der Paste.
Die Verwendung von Kupferoxid in Kupferpasten ist allgemein bekannt. Für das Einbrennen bei hohen Temperaturen (850 bis etwa 1000 ºC) ist eine Unterscheidung von Kupfer(I)- und Kupfer(II)-oxid nicht erforderlich, denn beide gehen gleichermaßen chemische Bindungen mit den Keramiksubstraten ein. Aus diesem Grunde spielte das Mischungsverhältnis von Kupfer(I)- und Kupfer(II)-oxid bei den herkömmlichen Verfahren keine Rolle. Was jedoch das im folgenden zu beschreibende Einbrennen bei niedrigen Temperaturen anbetrifft, so hat sich herausgestellt, daß Kupfer(I)-oxid hinsichtlich der Lötbarkeit, der anfänglichen Haftkraft sowie der Haftung nach Alterung eine andere Wirkung als Kupfer(II)-oxid aufweist.
Hierbei ist anzumerken, daß der Sauerstoff im Kupferpulver eher in Form von Kupfer(I)-oxid als in Form von Kupfer(II)-oxid vorliegt und daß das Kupfer(I)-oxid nicht unmittelbar als Oxydationsmittel zur Verbrennung des organischen Mediums beiträgt und den Sinterungsgrad verringert, wenn es übermäßig vorhanden ist. Deshalb bewirken die bisherigen Kupferpasten, bei denen Kupferpulver mit einem Sauerstoffgehalt von mindestens 0,2 Masse% eingesetzt wird, keine ausreichende Sinterung beim Einbrennen mit niedrigen Temperaturen. Dadurch hat das Produkt eine geringe Lötbeständigkeit, und insbesondere seine Haftkraft nach Alterung ist signifikant herabgesetzt.
Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf derartige Probleme bei den bekannten Verfahren ausgearbeitet. Das Ziel besteht darin, Zusammensetzungen für Kupferpasten anzubieten, die nach Einbrennen bei niedrigen Temperaturen einen hohen Sinterungsgrad, gute Lötbarkeit, hohe Anfangshaftkraft sowie gute Haftung nach Alterung aufweisen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Zusammensetzung von Kupferpasten vorgesehen, die etwa 95 bis etwa 70 Masse% anorganische Bestandteile und etwa 5 bis etwa 30 Masse% organische Trägersubstanzen enthalten, wobei die anorganischen Bestandteile einen pulverisierten feuerfesten Stoff und Kupferpulver unter Einbeziehung von Kupfer(I)- und Kupfer(II)-oxidpulver in solchen Mengen umfassen, daß etwa 10 bis etwa 15 Masseteile Kupfer(I)- oxidpulver, etwa 12 bis etwa 17 Masseteile Kupfer(II)-oxidpulver und etwa 7 bis etwa 12 Masseteile feuerfestes Pulver auf jeweils 100 Masseteile Kupferpulver kommen.
Bei einer bevorzugten Ausführung betragen die durchschnittliche Korngröße des Kupferpulvers etwa 0,5 bis etwa 3 um und der Sauerstoffgehalt des Kupferpulvers etwa 0,05 bis etwa 0,15 Masse%.
Die vorliegende Erfindung umfaßt außerdem ein Verfahren zur Herstellung eines Dickschichtleiters auf einem Substrat, demzufolge auf das Substrat eine Paste aufgebracht wird, die Kupferpulver, ein Bindemittel, ein Lösungsmittel sowie einen pulverisierten feuerfesten Werkstoff enthält, wobei das Kupferpulver etwa 10 bis etwa 15 Masseteile Kupfer(I)-oxidpulver und etwa 12 bis etwa 17 Masseteile Kupfer(II)-oxidpulver je 100 Masseteile Kupferpulver beinhaltet und das Einbrennen bei einer Temperatur erfolgt, die ausreicht, um das Lösungsmittel und das Bindemittel aus dem Kupferpulver und dem pulverisierten feuerfesten Stoff zu entfernen und das im feuerfesten Stoff gebundene Kupferpulver auf das Substrat zu kleben.
Wie im folgenden beschrieben wird, läßt sich Kupferpulver mit einem ausreichenden Sauerstoffgehalt gewinnen, indem beispielsweise Kupfer(I)-oxid mit Hydrazin und anschließend mit Hydrogen reduziert wird.
Aus den nachfolgend zu beschreibenden Gründen liegt die durchschnittliche Korngröße des Kupfer(I)-oxidpulvers günstigerweise zwischen etwa 0,5 und etwa 5 um. Insbesondere ist eine Spanne von etwa 0,5 bis etwa 2 um wünschenswert.
Es besteht keine Notwendigkeit, die durchschnittliche Korngröße des Kupfer(II)-oxidpulvers einzugrenzen. Dennoch sollte sie am besten zwischen etwa 0,5 und etwa 5 um liegen.
Der Erweichungspunkt des Glaspulvers befindet sich aus nachfolgend zu beschreibenden Gründen vorzugsweise im Bereich von etwa 300 bis etwa 600 ºC. Insbesondere ist ein Erweichungspunkt zwischen etwa 300 und etwa 550 ºC vorzuziehen. Es bestehen keine vorrangigen Gründe, die durchschnittliche Korngröße des Glaspulvers festzulegen. Sie liegt jedoch günstigerweise in einem Bereich von etwa 1 bis etwa 10 um.
Bei der organischen Trägersubstanz kann es sich um jede der üblicherweise verwendeten organischen Trägersubstanzen handeln. Kennzeichnenderweise besteht sie aus einem Lösungsmittel und einem Harz. Aus nachfolgend zu beschreibenden Gründen enthält sie im günstigsten Fall etwa maximal 10 Masseteile Harz je 100 Masseteile der organischen Trägersubstanz. Zu den geeigneten Harzen gehören Ethyloellulose, Acrylharze, Methacrylharze, Terpenharze und Mischungen davon. Geeignete Lösungsmittel sind u. a. Terpineol, C&sub1;&sub0;- bis C&sub1;&sub8;-Alkohole sowie Mischungen davon. Zusätzlich kann die organische Trägersubstanz wahlweise Weichmacher wie Dibutylphthalat enthalten.
Den obengenannten Bestandteilen zugesetzte Additive können maximal 5 Masseteile anorganische Oxide sein, insbesondere Metalloxide wie Vanadiumoxid, Bleioxid, Antimonoxid und Mischungen davon, je 100 Masseteile des Kupferpulvers. Weiterhin können wahlweise oberflächenaktive Stoffe wie ein Dispersionsmittel zur Aufrechterhaltung der Pastenstabilität sowie ein Dickungsmittel zugesetzt werden.
Die Paste wird in einem typischen Verfahren zubereitet, indem die erforderlichen Mengen der Bestandteile mit einer beliebigen, für Pasten bestimmten Mischvorrichtung wie einem Universalmixer vermischt werden, bis sie eine Paste bilden. Anschließend erfolgt eine kontinuierliche Homogenisierung der Zusammensetzung, beispielsweise in einer Dreiwalzenmühle.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Dickschichtschaltkreises aus vorbereiteter Paste sieht vor, die Paste in einem zweckmäßigen Muster mittels einer Siebdruckmaschine auf ein feuerfestes Substrat (häufig aus Tonerde hergestellt) zu drucken und anschließend das bedruckte Substrat zu trocknen und in einem Förderbandofen, der mit N&sub2; oder einem anderen Inertgas gefüllt ist, etwa 40 bis etwa 60 min lang zu brennen. Die Spitzentemperatur beträgt etwa 550 bis etwa 750 ºC und vorzugsweise etwa 580 bis etwa 650 ºC. Die Aufenthaltsdauer des bedruckten Substrats in der Höchsttemperatur liegt zwischen etwa 5 und etwa 10 min.
Beim Einbrennen mit niedrigen Temperaturen sollte der Erhöhung des Sinterungsgrades sowie einer verbesserten Verdampfung der organischen Trägersubstanz genügend Aufmerksamkeit gewidmet werden. Um dieses Ziel zu erreichen, sollte der Sauerstoffgehalt im Kupferpulver in einem angemessenen Rahmen gehalten werden. Überschreitet der Sauerstoffgehalt im Kupferpulver 0,15 Masse%, wird die Sinterung mangelhaft und demzufolge die Lotbenetzbarkeit herabgesetzt. Die Haftkraft nach Alterung wird signifikant vermindert. Andererseits ist es schwierig und unpraktisch, Kupferpulver mit einem Sauerstoffgehalt unter 0,05 Masse% zuzubereiten.
Die durchschnittliche Korngröße des Kupferpulvers mit dem obengenannten Sauerstoffgehalt sollte im Bereich von etwa 0,5 bis etwa 3 um liegen. Liegt die Größe über 3 um, erfolgt eine ungenügende Sinterung, und liegt sie unter 0,5 um, wird die Verarbeitung des Pulvers zu einer Paste erschwert, und die organische Trägersubstanz verdampft nicht ausreichend.
Kupfer(I)-oxid besitzt eine starke Affinität gegenüber Kupfer. Deshalb fungiert Kupfer(I)-oxid als Sinterungsmittel, verbleibt nach dem Sintern im Bereich der gesinterten Partikeln und verhindert das Eindringen des Lots, teilweise reagiert es mit dem Substrat und bildet chemische Verbindungen, die die Haftkraft verbessern. Um diese Wirkungen sicherzustellen, müssen mindestens etwa 10 Masseteile Kupfer(I)-oxidpulver auf jeweils 100 Masseteile Kupferpulver zugegeben werden. Werden jedoch mehr als etwa 15 Masseteile Kupfer(I)- oxidpulver beigemischt, wird die Lotbenetzbarkeit verringert und die Haftkraft nach Alterung herabgesetzt.
Ist die durchschnittliche Korngröße des Kupfer(I)-oxidpulvers zu grob, werden die oben beschriebenen Wirkungen nicht erzielt. Daher sollte die durchschnittliche Korngröße des Kupfer(I)-oxidpulvers auf maximal etwa 5 um und vorzugsweise auf maximal etwa 2 um begrenzt werden.
Kupfer(II)-oxid stellt beim Einbrennungsprozeß der organischen Trägersubstanz Sauerstoff zur Verfügung und wird dadurch reduziert. Auf diese Weise unterstützt das Kupfer(II)-oxid die Verbrennung der organischen Trägersubstanz. Aus diesem Grund bewirkt die Zugabe von mindestens 12 Masseteilen Kupfer(II)-oxidpulver auf jeweils 100 Masseteile Kupferpulver eine ausreichende Pyrolyse der organischen Trägersubstanz während des Einbrennens. Werden etwa 17 oder mehr Masseteile Kupfer(II)-oxidpulver zugesetzt, wird das Sintern der Kupferpartikeln behindert.
Das Glaspulver oder andere pulverisierte feuerfeste Stoffe dienen zur Benetzung der Oberfläche des Substrats und erleichtern durch Flüssigphasensinterung das Sintern des Kupferpulvers. Daher sollten etwa 7 bis etwa 12 Masseteile Glaspulver oder andere pulverisierte feuerfeste Stoffe jeweils 100 Masseteilen Kupferpulver zugegeben werden. Um eine angemessene Benetzbarkeit zu erzielen, sollte ein Glaspulver mit einem Erweichungspunkt von maximal etwa 600 ºC und vorzugsweise maximal etwa 550 ºC gewählt werden.
Die Menge der organischen Trägersubstanz im Vergleich zu den übrigen anorganischen Bestandteilen hängt von den Eigenschaften der eingesetzten Substanz ab. Um eine vollständige Verdampfung der organischen Trägersubstanz zu sichern, sollte die Menge der Bestandteile der organischen Trägersubstanz etwa 5 bis etwa 30 Masseteile gegenüber etwa 95 bis etwa 70 Masseteilen der übrigen anorganischen Bestandteile betragen. Um die Vorteile der vorliegenden Erfindung hinsichtlich der verbesserten Benetzbarkeit in vollem Umfang zu nutzen und die vollständige Verdampfung der organischen Trägersubstanz sicherzustellen, beträgt die Menge des Harzes günstigerweise maximal etwa 10 Masseteile gegenüber 100 Masseteilen der organischen Trägersubstanz.
Im folgenden wird die vorliegende Erfindung anhand bevorzugter erfindungsgemäßer Ausführungen erläutert. Hierbei ist anzumerken, daß die vorliegende Erfindung keinesfalls auf diese Ausführungen beschränkt ist.

Beispiel

Um Leitersockel herzustellen, wurden Pasten mit den in Tabelle 1 veranschaulichten Zusammensetzungen in einem zweckmäßigen Muster mittels einer Siebdmckmaschine auf keramische Substrate mit 96 % Tonerde gedruckt und dann bei 120 ºC 10 min lang getrocknet. Die bedruckten Substrate wurden anschließend in einer Stickstoffatmosphäre unter folgenden Bedingungen gebrannt -- Spitzeneinbrenntemperatur: 600 ºC; Spitzentemperaturdauer: 10 min; Dauer des Heiz-Kühl-Zyklus: 60 min; und O&sub2;-Konzentration im Brennbereich: 5 ppm. Die auf diese Weise hergestellten Leitersockel wurden auf Lotbenetzbarkeit, Anfangshaftkraft und Haftkraft nach Alterung hin untersucht. Die Untersuchungsergebnisse sind in Tabelle 3 dargestellt. Tabelle 2 beschreibt die Eigenschaften der in Tabelle 1 aufgelisteten Stoffe.

A. Lotbenetzbarkeit

Prüfstücke, auf die ein Flußmittel (Tamura Kaken XA-100) aufgetragen worden war, wurden 5 ± 0,5 s lang in ein Lötbad von 230 ± 5 ºC getaucht und danach herausgenommen. Die durchschnittliche lotbenetzte Fläche von zehn Leitersockeln (jeweils mit den Abmessungen 2 mm x 2 mm) wurde ausgemessen. Prüfstücke mit einer benetzten Fläche von mindestens 90 % wurden als gut eingestuft und Prüfstücke mit einem Anteil unter 90 % als schlecht.

B. Anfängliche Haftkraft

Prüfstücke, auf die das obengenannte Flußmittel aufgetragen worden war, wurden 5 ± 0 5 s lang in ein Lötbad von 230 ± 5 ºC getaucht. Anschließend wurden verzinnte Kupferdrähte mit einem Durchmesser von 0,65 mm auf die in der Abbildung dargestellte Weise mittels eines Lötkolbens auf acht Leitersockeln mit den Abmessungen von 2 mm x 2 mm befestigt. ln der Abbildung bedeutet 1 das Substrat, 2 den Leitersockel, 3 den Kupferdraht und 4 das Lot.
Der aufgelötete Kupferdraht 3 wurde mittels eines Zugprüfgerätes in einer zum Substrat 1 senkrecht gelegenen Richtung (in der Richtung des Pfeils) mit einer Geschwindigkeit von 1 mm/s gezogen, um die Kraft zu messen, die zur Abtrennung des Leitersockels 2 vom Substrat 1 erforderlich ist. Ein Prüfstück wurde als gut eingestuft, wenn der Durchschnitt der acht Leitersockelmessungen mindestens 3 kg und der Minimalwert mindestens 2,5 kg betrug.

C. Haftkraft nach Alterung

Auf die gleiche Weise wie bei der Prüfung der anfänglichen Haftkraft wurden Kupferdrähte an den auf den Substraten angebrachten Leitersockeln befestigt. Anschließend wurden die Substrate 250 h lang einer Temperatur von 150 ºC ausgesetzt, wonach die Haftkraft der einzelnen Verbindungen auf die gleiche Weise wie bei der anfänglichen Haftkraft gemessen wurde. Ein Prüfstück wurde als gut eingestuft, wenn der Durchschnittswert bei den acht Leitersockelmessungen mindestens 2,5 kg und der Minimalwert mindestens 2 kg betrug.
Die Abbildung zeigt eine Querschnittsdarstellung zur Veranschaulichung des Verfahrens zur Messung der Haftkraft. Tabelle 1 Masseteile Prüfstück Kupferpulver Kupfer(I)-oxidpulver Kupfer(II)-oxidpulver Glaspulver Sb&sub2;O&sub3;-Pulver organischer Träger anorganische Bestandteile/organischer Träger Tabelle 2 Kupferpulver Kupfer(I)-oxidpulver Kupfer(II)-oxidpulver Glaspulver organischer Träger mittlere Korngröße um, Sauerstoffgehalt Masse% (Dowa Kogyo) Dowa Kogyo CS-100, mittlere Korngröße 1 um Nisshin Kagaku CB-250, mittlere Korngröße 3 um Nippon Denki Garasu , Erweichungspunkt ºC 5 Masseteile Ethylcellulose (Hercules N-100) gelöst in 95 Masseteilen Terpineol 10 Masseteile Ethylcellulose (Hercules N-45) gelöst in 80 Masseteilen Terpineol und 10 Masseteilen Dibutylphthalat Tabelle 3 Lotbenetzbarkeit (%) Anfängliche Haftkraft (kg/4 mm²) Haftkraft nach Alterung (kg/4 mm²) Prüfstück Fläche Bewertung Durchschnitt Minimum Bewertung Durchschnitt Minimum Bewertung gut schlecht
Tabelle 3 zeigt deutlich die folgenden Punkte:
1. Die Ausführungen 1 bis 10 beinhalteten Kupferpulver mit einer mittleren Korngröße und mit einem Sauerstoffgehalt innerhalb der erfindungsgemäßen Spannen. Angemessene Mengen an Kupfer(I)-oxidpulver, Kupfer(II)-oxidpulver und Glaspulver wurden gemischt, und das Verhältnis zwischen anorganischen Bestandteilen und organischen Trägersubstanzen war zweckdienlich. Dementsprechend wurde die organische Trägersubstanz vollständig verdampft und war die Sinterung ausreichend. Das Ergebnis bestand darin, daß die Lotbenetzbarkeit zufriedenstellend und die anfängliche Haftkraft sowie die Haftkraft nach Alterung hoch ausfielen. Alle Werte dieser Merkmale wurden als gut und besser beurteilt.
2. Im Fall der Kontrolle 1 (K1) lag das Mischungsverhältnis des Kupfer(I)-oxids niedriger als die untere erfindungsgemäße Grenze. Demzufolge waren die anfängliche Haftkraft sowie die Haftkraft nach Alterung gering und verfehlten die Beurteilung als gut.
3. Im Fall der Kontrolle 2 (K2) lag das Mischungsverhältnis des Kupfer(II)-oxids niedriger als die untere erfindungsgemäße Grenze; die organische Trägersubstanz verdampfte unzureichend, und das Prüfstück bestand nicht die Prüfung der Lotbenetzbarkeit. Als Folge waren sowohl die anfängliche Haftkraft als auch die Haftkraft nach Alterung gering und verfehlten beide die Beurteilung als gut.
4. Im Fall der Kontrolle 3 (K3) wurde kein Kupfer(II)-oxidpulver untergemischt. Deshalb verdampfte die organische Trägersubstanz nicht, und die Lotbenetzbarkeit lag äußerst niedrig und verfehlte die Beurteilung als gut. Als Folge lagen auch die anfängliche Haftkraft sowie die Haftkraft nach Alterung ziemlich niedrig und verfehlten die Beurteilung als gut.
5. Im Fall der Kontrolle 4 (K4) wurde kein Kupfer(I)-oxid untergemischt. Als Folge lagen sowohl die anfängliche Haftkraft als auch die Haftkraft nach Alterung äußerst niedrig und bestanden die Prüfung nicht.
6. Im Fall der Kontrolle 5 (K5) lag das Mischungsverhältnis des Kupfer(I)-oxids über der oberen erfindungsgemäßen Grenze. Als Folge konnten weder die Lotbenetzbarkeit noch die Haftkraft nach Alterung als gut eingestuft werden.
Die erfindungsgemäßen Kupferpastenzusammensetzungen lassen sich außer für Dickschichtschaltkreise auch als Elektrodenwerkstoff für keramische Teile wie verschiedenartige Kondensatoren verwenden.
Somit wurde nachgewiesen, daß äußerst zweckdienliche Zusammensetzungen von Kupferpasten mit befriedigender Lotbenetzbarkeit und hoher Anfangshaftkraft sowie Haftkraft nach Alterung angeboten werden können, wenn ein Kupferpulver mit einem Sauerstoffgehalt und einer mittleren Korngröße innerhalb der jeweiligen erfindungsgemäßen Grenzen verwendet wird und wenn die Mischungsverhältnisse von Kupfer(I)-oxidpulver zu Kupfer(II)-oxidpulver, von Glaspulver zu Kupferpulver sowie das Verhältnis von organischen Trägersubstanzen zu den anorganischen Bestandteilen innerhalb der jeweiligen erfindungsgemäßen Grenzen eingehalten werden.

Claims

1. Zusammensetzung einer Kupferpaste, die 95 bis 70 Masse% anorganische Bestandteile und 5 bis 30 Masse% organische Trägersubstanzen enthält, wobei die anorganischen Bestandteile einen pulverisierten feuerfesten Stoff sowie Kupferpulver unter Einbeziehung von Kupfer(I)- und Kupfer(II)-oxidpulver in solchen Mengen enthalten sind, daß 10 bis 15 Masseteile Kupfer(I)-oxidpulver, 12 bis 17 Masseteile Kupfer(II)-oxidpulver und 7 bis 12 Masseteile feuerfestes Pulver auf jeweils 100 Masseteile Kupferpulver kommen.

2. Zusammensetzung einer Kupferpaste nach Anspruch 1, bei der die mittlere Korngröße des Kupferpulvers 0,5 bis 3 um und der Sauerstoffgehalt 0,05 bis 0,15 Masse% betragen.

3. Zusammensetzung einer Kupferpaste nach Anspruch 2, bei der sich die Korngröße des Kupferpulvers zwischen 0,5 und 5 um bewegt.

4. Zusammensetzung einer Kupferpaste nach Anspruch 3, bei der sich die Korngröße des Kupferpulvers zwischen 0,5 und 2 um bewegt.

5. Zusammensetzung einer Kupferpaste nach den Ansprüchen 2 bis 4, bei der weiterhin maximal 5 Masseteile eines anorganischen Oxids je 100 Masseteile Kupferpulver enthalten sind.

6. Zusammensetzung einer Kupferpaste nach Anspruch 5, bei der es sich bei dem anorganischen Oxid um Vanadiumoxid, Bleioxid, Antimonoxid oder Mischungen davon handelt.

7. Zusammensetzung einer Kupferpaste nach allen voranstehenden Ansprüchen, bei der die organischen Trägersubstanzen ein Lösungsmittel und ein Harz enthalten.

8. Zusammensetzung einer Kupferpaste nach Anspruch 7, bei der es sich bei dem Lösungsmittel um Terpineol, C&sub1;&sub0;- bis C&sub1;&sub8;-Alkohole oder Mischungen davon handelt.

9. Zusammensetzung einer Kupferpaste nach den Ansprüchen 7 oder 8, bei der die organischen Trägersubstanzen weiterhin einen Weichmacher enthalten.

10. Zusammensetzung einer Kupferpaste nach Anspruch 9, bei der es sich bei dem Weichmacher um Dibutylphthalat handelt.

11. Zusammensetzung einer Kupferpaste nach den Ansprüchen 7 bis 10, bei der es sich bei dem Harz um Celluloseharz, Acrylharz, Methacrylharz, Terpenharz oder Mischungen davon handelt.

12. Zusammensetzung einer Kupferpaste nach den Ansprüchen 7 bis 11, bei der die organischen Trägersubstanzen maximal 10 Masse% Harz enthalten.

13. Zusammensetzung einer Kupferpaste nach allen voranstehenden Ansprüchen, bei der es sich bei dem pulverisierten feuerfesten Stoff um Glas handelt.

14. Zusammensetzung einer Kupferpaste nach Anspruch 13, bei der das Glaspulver einen Erweichungspunkt zwischen 300 und 600 ºC aufweist.

15. Verfahren zur Herstellung eines Dickschichtleiters auf einem Substrat, wobei auf das Substrat eine Paste aufgebracht wird, die Kupferpulver, ein Bindemittel, ein Lösungsmittel und einen pulverisierten feuerfesten Stoff enthält, wobei das Kupferpulver 10 bis 15 Masseteile Kupfer(I)-oxidpulver und 12 bis 17 Masseteile Kupfer(II)-oxidpulver auf jeweils 100 Masseteile Kupferpulver enthält und wobei die Einbrenntemperatur ausreicht, um das Lösungsmittel und das Bindemittel aus dem Kupferpulver zu entfernen und das im feuerfesten Werkstoff gebundene Kupferpulver auf das Substrat zu kleben.

16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei die Einbrenntemperatur 550 bis 750 ºC beträgt.