DE613356C - Modulationsverfahren - Google Patents

Modulationsverfahren

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DE613356C
DE613356C DEK132013D DEK0132013D DE613356C DE 613356 C DE613356 C DE 613356C DE K132013 D DEK132013 D DE K132013D DE K0132013 D DEK0132013 D DE K0132013D DE 613356 C DE613356 C DE 613356C
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modulation
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00Modulated-carrier systems
    • H04L27/10Frequency-modulated carrier systems, i.e. using frequency-shift keying
    • H04L27/12Modulator circuits; Transmitter circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

Bei der Modulation einer. Hochfrequenz durch Niederfrequenz mit Elektronen- oder Ionenröhren tritt bekanntlich eine Schwankung der mittleren Anodenstrpmauf nähme der Modulationsröhre im Takt der modulierenden Niederfrequenz ein. Diese Anodenstromschwankungen werden, z. B. bei Telephonic modulation, bei der die Frequenz der Modulationsspannung einen gewissen Wert nicht unterschreitet, durch Siebmittel in der Anodenstromzuführung beruhigt bzw. aus Kondensatoren gedeckt, die parallel zur Anodenstromquelle liegen. Wenn es sich aber um die Modulation mit extnemtiefen Frequenzen handelt, wie sie z. B. bei manchen Arten der Telegraphic und insbesondere bei der telegraphiemäßigen Modulation von Eernsehimpulsen auftreten, so entsteht die Schwierigkeit, daß eine Modulationsfrequenz auftreten kann, die gleich der Eigenfrequenz der Siebmittel in der Anodenstromzuführung bzw. gleich der Eigenschwingung des Kreises aus Maschdneninduktivität und parallel geschaltetem Kondensator ist. In dieser Frequenz vermag aber die Anodenstromquelle bekanntlich keinen Strom zu liefern. Für die betreffende Frequenz der Modulationsspannung tritt also keine Modulation der Hochfrequenz ein.
Die vorliegende Erfindimg gibt einige Verfahren an, um diesem Übelstande abzuhelfen. Abb. ι zeigt beispielsweise eine Gegentaktmodulationsstufe, der an der Spule a-b die zu modulierende Hochfrequenz zugeführt wird, während an den Klemmen c-d die Modulationsspannung liegt. Bei geeigneter Einstellung der Gittervorspannung Eg findet in den Gegentaktröhren R1, R2 eine Modulation statt, und an den Ausgangsklemmen e-f tritt die modulierte Hochfrequenz auf. Die Anodenstromquelle -j A liefert nun erfindungs-
geanäß über die beiden getrennten SiebkettenS/C1 und. SIQ2 den Anodenstrom für die Röhren/?1 und R2. Die Eigenfrequenz der Siebkette SK1 möge, unter Berücksichtigung aller übrigen Induktivitäten und Kapazitäten der Anodenstromquelle, ω1 sein. Die Eigenfrequenz von S^2 soll dagegen ω2 sein.
Enthält nun die Modulationsspannung Schwingungen von der Frequenz ω1 oder ω2, so wird die Hochfrequenz jeweils nur in R2 oder R1 moduliert. . Es tritt zwar eine Verminderung des Modulationsgrades für die Frequenzen ω1 und ω2 ein, aber keine Auslöschung. Um den Modulationsgrad gleichmäßiger zu machen, wäre noch eine Bevorzugung dieser beiden Frequenzen im Modulationsverstärker möglich. Der Grundsatz der Abb. 1 ist ebenso wie auf Gegentaktstufen auch auf parallel geschaltete Rohre anwendbar.
Abb. 2 zeigt im Prinzip eine Ausführung der Erfindung für ein Einzelrohr R, in dem moduliert wird. Die Anodenspannungsberuhigung SK möge bei geöffnetem Kontakts die Eigenfrequenz ω1 haben und bei geschlossenem Kontakt ω2. Der Kontakt möge in dem Beispiel der Abbildimg durch ein Resonanzrelais/? für die Frequenz ω1 betätigt werden, wobei das Relais durch einen abgezweigten Teil der Modulationsspannung erregt wird.
Tritt in der Modulationsspannung nun die Frequenz ω1 auf, so wird das Anodensieb auf die Eigenschwingung ω2 umgestellt, und ω1 kann aufmoduliert werden. Allgemein besteht hier der Grundsatz, die Eigenfrequenz des Anodenspeisestromkreises beim Auftreten dieser Frequenz in der Modulationsspannung selbsttätig auf eine andere Eigenfrequenz umzustellen.

Claims (2)

80 Patentansprüche:
1. Modulationsverfahren, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von mindestens zwei Modulationsröhren in Gegentakt- oder Parallelschaltung die Anodenspeisekreise für mindestens zwei Röhren verschiedene Eigenfrequenzen haben.
2. Modulationsverfahren, dadurch gekennzeichnet, daß die Eigenfrequenz des Anodenspeisekreises einer Modulationsstufe go durch eine von der Modulationsspannung betätigte Steuerung derart verändert wird, daß bei einer bestimmten Modulationsfrequenz immer eine von dieser abweichende Eigenfrequenz des Anodenspeisekreises besteht.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DEK132013D Modulationsverfahren Expired DE613356C (de)

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