DE613356C - Modulationsverfahren - Google Patents
ModulationsverfahrenInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L27/00—Modulated-carrier systems
- H04L27/10—Frequency-modulated carrier systems, i.e. using frequency-shift keying
- H04L27/12—Modulator circuits; Transmitter circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
Bei der Modulation einer. Hochfrequenz durch Niederfrequenz mit Elektronen- oder
Ionenröhren tritt bekanntlich eine Schwankung der mittleren Anodenstrpmauf nähme der
Modulationsröhre im Takt der modulierenden Niederfrequenz ein. Diese Anodenstromschwankungen
werden, z. B. bei Telephonic modulation, bei der die Frequenz der Modulationsspannung
einen gewissen Wert nicht unterschreitet, durch Siebmittel in der Anodenstromzuführung
beruhigt bzw. aus Kondensatoren gedeckt, die parallel zur Anodenstromquelle liegen. Wenn es sich aber um
die Modulation mit extnemtiefen Frequenzen handelt, wie sie z. B. bei manchen Arten der
Telegraphic und insbesondere bei der telegraphiemäßigen Modulation von Eernsehimpulsen
auftreten, so entsteht die Schwierigkeit, daß eine Modulationsfrequenz auftreten
kann, die gleich der Eigenfrequenz der Siebmittel in der Anodenstromzuführung bzw.
gleich der Eigenschwingung des Kreises aus Maschdneninduktivität und parallel geschaltetem
Kondensator ist. In dieser Frequenz vermag aber die Anodenstromquelle bekanntlich
keinen Strom zu liefern. Für die betreffende Frequenz der Modulationsspannung
tritt also keine Modulation der Hochfrequenz ein.
Die vorliegende Erfindimg gibt einige Verfahren an, um diesem Übelstande abzuhelfen.
Abb. ι zeigt beispielsweise eine Gegentaktmodulationsstufe,
der an der Spule a-b die zu modulierende Hochfrequenz zugeführt wird,
während an den Klemmen c-d die Modulationsspannung liegt. Bei geeigneter Einstellung
der Gittervorspannung Eg findet in den Gegentaktröhren R1, R2 eine Modulation statt,
und an den Ausgangsklemmen e-f tritt die modulierte Hochfrequenz auf. Die Anodenstromquelle
-j A liefert nun erfindungs-
geanäß über die beiden getrennten SiebkettenS/C1
und. SIQ2 den Anodenstrom für
die Röhren/?1 und R2. Die Eigenfrequenz
der Siebkette SK1 möge, unter Berücksichtigung
aller übrigen Induktivitäten und Kapazitäten der Anodenstromquelle, ω1 sein. Die
Eigenfrequenz von S^2 soll dagegen ω2 sein.
Enthält nun die Modulationsspannung Schwingungen von der Frequenz ω1 oder ω2, so wird
die Hochfrequenz jeweils nur in R2 oder R1
moduliert. . Es tritt zwar eine Verminderung des Modulationsgrades für die Frequenzen ω1
und ω2 ein, aber keine Auslöschung. Um den Modulationsgrad gleichmäßiger zu machen,
wäre noch eine Bevorzugung dieser beiden Frequenzen im Modulationsverstärker möglich.
Der Grundsatz der Abb. 1 ist ebenso wie auf Gegentaktstufen auch auf parallel
geschaltete Rohre anwendbar.
Abb. 2 zeigt im Prinzip eine Ausführung der Erfindung für ein Einzelrohr R, in dem
moduliert wird. Die Anodenspannungsberuhigung SK möge bei geöffnetem Kontakts die
Eigenfrequenz ω1 haben und bei geschlossenem Kontakt ω2. Der Kontakt möge in dem
Beispiel der Abbildimg durch ein Resonanzrelais/? für die Frequenz ω1 betätigt werden,
wobei das Relais durch einen abgezweigten Teil der Modulationsspannung erregt wird.
Tritt in der Modulationsspannung nun die Frequenz ω1 auf, so wird das Anodensieb
auf die Eigenschwingung ω2 umgestellt, und ω1 kann aufmoduliert werden. Allgemein besteht
hier der Grundsatz, die Eigenfrequenz des Anodenspeisestromkreises beim Auftreten
dieser Frequenz in der Modulationsspannung selbsttätig auf eine andere Eigenfrequenz
umzustellen.
Claims (2)
1. Modulationsverfahren, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von
mindestens zwei Modulationsröhren in Gegentakt- oder Parallelschaltung die Anodenspeisekreise
für mindestens zwei Röhren verschiedene Eigenfrequenzen haben.
2. Modulationsverfahren, dadurch gekennzeichnet, daß die Eigenfrequenz des
Anodenspeisekreises einer Modulationsstufe go
durch eine von der Modulationsspannung betätigte Steuerung derart verändert wird,
daß bei einer bestimmten Modulationsfrequenz immer eine von dieser abweichende Eigenfrequenz des Anodenspeisekreises
besteht.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEK132013D DE613356C (de) | Modulationsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEK132013D DE613356C (de) | Modulationsverfahren |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE613356C true DE613356C (de) | 1935-05-17 |
Family
ID=7247501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEK132013D Expired DE613356C (de) | Modulationsverfahren |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE613356C (de) |
-
0
- DE DEK132013D patent/DE613356C/de not_active Expired
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