DE60316054D1 - Halbleiterspeicheranordnung und elektronisches Informationsgerät mit dessen Verwendung - Google Patents

Halbleiterspeicheranordnung und elektronisches Informationsgerät mit dessen Verwendung

Info

Publication number
DE60316054D1
DE60316054D1 DE60316054T DE60316054T DE60316054D1 DE 60316054 D1 DE60316054 D1 DE 60316054D1 DE 60316054 T DE60316054 T DE 60316054T DE 60316054 T DE60316054 T DE 60316054T DE 60316054 D1 DE60316054 D1 DE 60316054D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor memory
electronic information
memory device
information device
electronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60316054T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60316054T2 (de
Inventor
Kaname Yamano
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE60316054D1 publication Critical patent/DE60316054D1/de
Publication of DE60316054T2 publication Critical patent/DE60316054T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/84Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/84Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability
    • G11C29/842Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability by introducing a delay in a signal path
DE60316054T 2002-01-31 2003-01-30 Halbleiterspeicheranordnung und elektronisches Informationsgerät mit dessen Verwendung Expired - Lifetime DE60316054T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002024667A JP4111486B2 (ja) 2002-01-31 2002-01-31 半導体記憶装置および電子情報機器
JP2002024667 2002-01-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60316054D1 true DE60316054D1 (de) 2007-10-18
DE60316054T2 DE60316054T2 (de) 2008-05-29

Family

ID=19192286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60316054T Expired - Lifetime DE60316054T2 (de) 2002-01-31 2003-01-30 Halbleiterspeicheranordnung und elektronisches Informationsgerät mit dessen Verwendung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6831869B2 (de)
EP (1) EP1333447B1 (de)
JP (1) JP4111486B2 (de)
KR (1) KR100661346B1 (de)
CN (1) CN100561596C (de)
DE (1) DE60316054T2 (de)
SG (1) SG102705A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4038731B2 (ja) * 2004-06-18 2008-01-30 セイコーエプソン株式会社 強誘電体記憶装置、電子機器
US7814195B2 (en) * 2004-09-10 2010-10-12 Sony Corporation Method for data synchronization with mobile wireless devices
US7405986B2 (en) * 2005-09-29 2008-07-29 Infineon Technologies Ag Redundant wordline deactivation scheme
JP2012203977A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその制御方法並びにその情報処理システム
FR3033076B1 (fr) * 2015-02-23 2017-12-22 St Microelectronics Rousset Memoire non volatile ayant un decodeur de ligne a polarite variable

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US26967A (en) * 1860-01-31 Ventilator
DE69023181T2 (de) * 1989-08-04 1996-04-18 Fujitsu Ltd Halbleiterspeichergerät mit Redundanz.
JPH04159696A (ja) * 1990-10-22 1992-06-02 Mitsubishi Electric Corp 不揮発性半導体記憶装置
JPH04214300A (ja) * 1990-12-12 1992-08-05 Mitsubishi Electric Corp 不揮発性半導体記憶装置
JPH065093A (ja) * 1992-06-23 1994-01-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置の冗長回路
JP3526894B2 (ja) * 1993-01-12 2004-05-17 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性半導体記憶装置
JP3020077B2 (ja) * 1993-03-03 2000-03-15 株式会社日立製作所 半導体メモリ
JP3774500B2 (ja) * 1995-05-12 2006-05-17 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
EP0766175B1 (de) * 1995-08-09 2002-07-17 Infineon Technologies AG Integrierter Halbleiterspeicher mit Redundanzspeicherzellen
EP0798642B1 (de) * 1996-03-29 2001-11-07 STMicroelectronics S.r.l. Redundanzverwaltungsverfahren und -architektur, insbesondere für nicht-flüchtige Speicher
KR100248868B1 (ko) * 1996-12-14 2000-03-15 윤종용 플래시 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 그 장치의 동작 모드 제어 방법
JP3796319B2 (ja) * 1997-03-24 2006-07-12 株式会社日立製作所 ダイナミック型ram
JP3411186B2 (ja) * 1997-06-06 2003-05-26 シャープ株式会社 不揮発性半導体記憶装置
JP2000048567A (ja) * 1998-05-22 2000-02-18 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置
JP2000260199A (ja) * 1999-03-04 2000-09-22 Nec Corp 半導体記憶装置
JP2000293998A (ja) * 1999-04-07 2000-10-20 Nec Corp 半導体記憶装置
JP2001184890A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
SG102705A1 (en) 2004-03-26
KR20030066374A (ko) 2003-08-09
US20030142563A1 (en) 2003-07-31
CN100561596C (zh) 2009-11-18
DE60316054T2 (de) 2008-05-29
EP1333447B1 (de) 2007-09-05
KR100661346B1 (ko) 2006-12-27
EP1333447A2 (de) 2003-08-06
JP2003228991A (ja) 2003-08-15
CN1435846A (zh) 2003-08-13
EP1333447A3 (de) 2005-07-20
US6831869B2 (en) 2004-12-14
JP4111486B2 (ja) 2008-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60306039D1 (de) Speicherzelle und Speichervorrichtung
AU2003294352A8 (en) Magnetic memory element and memory device including same
DE60328764D1 (de) Halbleiterspeicherelement und integrierter Halbleiterschaltkreis
DE602004022353D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung, diese verwendende elektronische Karte und elektronische Vorrichtung
DE60315910D1 (de) Beleuchtungseinrichtung, Flüssigkristallvorrichtung, und elektronisches Gerät
DE60043326D1 (de) Halbleiterspeicheranordnung und elektronisches Gerät
DE60300477D1 (de) Nichtflüchtige Speichervorrichtung mit vertikalen Nanoröhren
DK1519770T3 (da) Elektroporesisk indretning og indsprøjtningsapparat
DE60227145D1 (de) Informationsspeichergerät mit Halbleitersonde
DE60335933D1 (de) Polymere Verbindung und ihre Verwendung in einer Elektrolumineszenzvorrichtung
DE60332302D1 (de) Bildlesevorrichtung und Bilderzeugungsgerät
DE60317988D1 (de) Eingabegerät mit Hinweisvorrichtung
DE60320799D1 (de) Halbleitervorrichtung mit halbleiterchip
DE60304240D1 (de) Elektronisches Gerät
DE60316462D1 (de) Speicherkarte mit mehreren Speicherchips und einem Umschalter
DE602004018432D1 (de) Speicherschaltung, Anzeigevorrichtung und elektronische Schaltung jede unter Verwendung dessen
DE60300844D1 (de) Elektronisches Gerät
DE502004003009D1 (de) IC-Chip mit Nanowire-Bauelemente und Nanowire-Attrappen
DE602004016599D1 (de) Abweichungsdetektionsvorrichtung und informationsgerät mit verwendung derselben
DE60304229D1 (de) Pinselabflacher und mit Pinselabflacher ausgerüstete Zeichenvorrichtung
DE60223894T8 (de) Halbleiterspeicheranordnung und Informationsgerät
DE60215556D1 (de) Magnetisches aufzeichnungsmittel und magnetisches speichergerät
DE60300360D1 (de) Informationsspeichervorrichtung
DE60316647D1 (de) Halbleiterspeichereinrichtung und Prüfungsverfahren
DE60221607D1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher und Informationsgerät

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition