DE60230592D1 - Selbstreparaturverfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung mit Lösch-/Programmierfehlerdetektion, und nichtflüchtige Speicheranordnung dafür - Google Patents

Selbstreparaturverfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung mit Lösch-/Programmierfehlerdetektion, und nichtflüchtige Speicheranordnung dafür

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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050149370A1 (en) * 2002-01-25 2005-07-07 Kenneth Brown Project mapping
JP4133166B2 (ja) * 2002-09-25 2008-08-13 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性半導体記憶装置
JP4130634B2 (ja) * 2004-01-20 2008-08-06 松下電器産業株式会社 半導体装置
US7177189B2 (en) * 2004-03-01 2007-02-13 Intel Corporation Memory defect detection and self-repair technique
JP4642018B2 (ja) * 2004-04-21 2011-03-02 スパンション エルエルシー 不揮発性半導体装置および不揮発性半導体装置の消去動作不良自動救済方法
EP1624463A1 (de) 2004-07-14 2006-02-08 STMicroelectronics S.r.l. Ein programmierbarer Speicher mit verbesserter Redundanz-Struktur
US7275190B2 (en) 2004-11-08 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Memory block quality identification in a memory device
JP4879571B2 (ja) * 2005-12-09 2012-02-22 凸版印刷株式会社 半導体メモリ
JP4879572B2 (ja) * 2005-12-09 2012-02-22 凸版印刷株式会社 半導体メモリ
US7260004B2 (en) * 2006-01-12 2007-08-21 International Busniess Machines Corporation Method and apparatus for increasing yield in a memory circuit
US7304893B1 (en) * 2006-06-30 2007-12-04 Sandisk Corporation Method of partial page fail bit detection in flash memory devices
US8054691B2 (en) 2009-06-26 2011-11-08 Sandisk Technologies Inc. Detecting the completion of programming for non-volatile storage
US9043661B2 (en) 2012-05-30 2015-05-26 Micron Technology, Inc. Memories and methods for performing column repair
US9007817B2 (en) 2013-05-06 2015-04-14 Qualcomm Incorporated Pre-charging bitlines in a static random access memory (SRAM) prior to data access for reducing leakage power, and related systems and methods
US9442675B2 (en) 2013-05-08 2016-09-13 Qualcomm Incorporated Redirecting data from a defective data entry in memory to a redundant data entry prior to data access, and related systems and methods
CN104681097B (zh) * 2013-11-27 2017-11-21 北京兆易创新科技股份有限公司 一种非易失性存储器的修复方法
US10141065B1 (en) 2017-08-29 2018-11-27 Cypress Semiconductor Corporation Row redundancy with distributed sectors
CN117727356B (zh) * 2024-02-18 2024-05-07 悦芯科技股份有限公司 一种基于测试设备的存储芯片的修复方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4471472A (en) * 1982-02-05 1984-09-11 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor memory utilizing an improved redundant circuitry configuration
US5268870A (en) * 1988-06-08 1993-12-07 Eliyahou Harari Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor
DE69033438T2 (de) * 1989-04-13 2000-07-06 Sandisk Corp., Santa Clara Austausch von fehlerhaften Speicherzellen einer EEprommatritze
US5361227A (en) * 1991-12-19 1994-11-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same
JPH07235197A (ja) * 1994-02-18 1995-09-05 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPH0729392A (ja) * 1993-06-24 1995-01-31 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリおよびそれを使用した半導体ディスク装置
JP3566349B2 (ja) * 1993-09-30 2004-09-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置およびそのテスト方法
FR2716566B1 (fr) * 1994-02-23 1996-04-19 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de sélection d'éléments de mémoire redondants et mémoire "Flash Eeprom" comportant ledit circuit.
JP3076195B2 (ja) * 1994-04-27 2000-08-14 日本電気株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US5438546A (en) 1994-06-02 1995-08-01 Intel Corporation Programmable redundancy scheme suitable for single-bit state and multibit state nonvolatile memories
JPH07334999A (ja) * 1994-06-07 1995-12-22 Hitachi Ltd 不揮発性半導体記憶装置及びデータプロセッサ
DE69426818T2 (de) 1994-06-10 2001-10-18 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Fehlertolerantes Speichergerät, insbesondere des Typs "flash EEPROM"
JPH087597A (ja) * 1994-06-24 1996-01-12 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US5513144A (en) * 1995-02-13 1996-04-30 Micron Technology, Inc. On-chip memory redundancy circuitry for programmable non-volatile memories, and methods for programming same
US5559742A (en) * 1995-02-23 1996-09-24 Micron Technology, Inc. Flash memory having transistor redundancy
EP0797145B1 (de) * 1996-03-22 2002-06-12 STMicroelectronics S.r.l. Sektoriziertes elektrisch löschbares und programmierbares nichtflüchtiges Speichergerät mit Redundanz
JP3361018B2 (ja) * 1996-11-11 2003-01-07 株式会社東芝 半導体記憶装置
US5928370A (en) * 1997-02-05 1999-07-27 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for verifying erasure of memory blocks within a non-volatile memory structure
JP2000057795A (ja) * 1998-08-07 2000-02-25 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ
JP3625383B2 (ja) * 1998-08-25 2005-03-02 シャープ株式会社 不揮発性半導体メモリ装置
TW439293B (en) * 1999-03-18 2001-06-07 Toshiba Corp Nonvolatile semiconductor memory
JP2001052495A (ja) 1999-06-03 2001-02-23 Toshiba Corp 半導体メモリ
DE69937559T2 (de) * 1999-09-10 2008-10-23 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Nicht-flüchtige Speicher mit Erkennung von Kurzschlüssen zwischen Wortleitungen
EP1126372B1 (de) * 2000-02-14 2005-05-18 STMicroelectronics S.r.l. Nichtflüchtige Speicheranordnung mit konfigurierbarer Zeilenredundanz
JP2002074978A (ja) * 2000-08-29 2002-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不揮発性半導体記憶装置
US6459628B1 (en) * 2001-04-02 2002-10-01 Advanced Micro Devices, Inc. System and method to facilitate stabilization of reference voltage signals in memory devices
JP2003036692A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不揮発性半導体記憶装置
US6498752B1 (en) * 2001-08-27 2002-12-24 Aplus Flash Technology, Inc. Three step write process used for a nonvolatile NOR type EEPROM memory
JP3708906B2 (ja) * 2002-06-24 2005-10-19 株式会社東芝 メモリシステム

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