DE60230592D1 - Selbstreparaturverfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung mit Lösch-/Programmierfehlerdetektion, und nichtflüchtige Speicheranordnung dafür - Google Patents
Selbstreparaturverfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung mit Lösch-/Programmierfehlerdetektion, und nichtflüchtige Speicheranordnung dafürInfo
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- G11C29/846—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability by choosing redundant lines at an output stage
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP02425319A EP1365419B1 (de) | 2002-05-21 | 2002-05-21 | Selbstreparaturverfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung mit Lösch-/Programmierfehlerdetektion, und nichtflüchtige Speicheranordnung dafür |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE60230592D1 true DE60230592D1 (de) | 2009-02-12 |
Family
ID=29286263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE60230592T Expired - Lifetime DE60230592D1 (de) | 2002-05-21 | 2002-05-21 | Selbstreparaturverfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung mit Lösch-/Programmierfehlerdetektion, und nichtflüchtige Speicheranordnung dafür |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6944072B2 (de) |
EP (1) | EP1365419B1 (de) |
JP (2) | JP2003338197A (de) |
DE (1) | DE60230592D1 (de) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050149370A1 (en) * | 2002-01-25 | 2005-07-07 | Kenneth Brown | Project mapping |
JP4133166B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2008-08-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 不揮発性半導体記憶装置 |
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-
2002
- 2002-05-21 DE DE60230592T patent/DE60230592D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-21 EP EP02425319A patent/EP1365419B1/de not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-05-15 US US10/440,043 patent/US6944072B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-20 JP JP2003142641A patent/JP2003338197A/ja not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-04-30 JP JP2010106014A patent/JP5013230B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010165456A (ja) | 2010-07-29 |
US6944072B2 (en) | 2005-09-13 |
EP1365419B1 (de) | 2008-12-31 |
JP5013230B2 (ja) | 2012-08-29 |
JP2003338197A (ja) | 2003-11-28 |
US20040008549A1 (en) | 2004-01-15 |
EP1365419A1 (de) | 2003-11-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |