DE60222166T2 - Texturierte transparente platte mit grosser lichtdurchlässigkeit - Google Patents
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Description
- Die Erfindung betrifft das Gebiet der transparenten Antireflexplatten, die in der Lage sind, das Licht einzufangen. Die erfindungsgemäße transparente Platte umfasst auf wenigstens einer Fläche eine Texturierung, d.h. eine Vielzahl räumlicher geometrischer Muster, die in Bezug auf die allgemeine Ebene der texturierten Seite der Platte konkav oder konvex sind. Es können auch beide Seiten der Platte solche Muster aufweisen. Aufgrund ihrer Texturierung weist die Platte einen verbesserten Lichttransmissionsgrad auf. Im Rahmen der vorliegenden Patentanmeldung wird die Bezeichnung "Antireflex" benutzt, um eine Verringerung der Reflexion (und nicht notwendigerweise das vollständige Fehlen der Reflexion) anzugeben. Von der erfindungsgemäßen Platte wird eine gute Transmission des Lichtes unabhängig von der Richtung des einfallenden Lichtes sichergestellt.
- Die erfindungsgemäße Platte findet Verwendung, wenn sie in der Nähe (im Allgemeinen in weniger als 50 cm) eines Elementes angeordnet wird, das in der Lage ist, das Licht zu sammeln. Insbesondere, wenn die erfindungsgemäße Platte über der Oberfläche (beispielsweise aus Silicium) einer photoelektrischen Zelle angeordnet wird, wird von der erfindungsgemäßen Platte ein Zuwachs an Aufnahme des Lichtes von dieser Zelle sichergestellt. Obwohl es vorstellbar ist, die Siliciumoberfläche der photoelektrischen Zelle derart zu texturieren, dass deren Effizienz erhöht wird, ist bisher noch nicht bekannt, wie eine solche Oberfläche zu texturieren ist, insbesondere, wenn diese polykristallin ist. Erfindungsgemäß wird, indem vorgeschlagen wird, mindestens eine Oberfläche einer transparenten Platte zu texturieren, die über der Oberfläche der Zelle angeordnet ist, somit die einzige Lösung bereitgestellt, um den zur Zelle transmittierten Lichtstrom zu erhöhen, wenn deren Oberfläche polykristallin und insbesondere aus polykristallinem Silicium ist.
- In
US 5 994 641 werden Module gelehrt, die ausgerichtete Solarzellen umfassen und einen thermoplastischen Film mit einer Vielzahl paralleler V-förmiger Vertiefungen umfassen können. Diese Strukturen sind linear und zwischen den ausge richteten Zellen ein und desselben Moduls angeordnet. Der Film umfasst eine Vielzahl V-förmiger Vertiefungen, die von einem Paar konvergenter Flächen gebildet werden. Der Film ist auf der Seite des Reliefs mit einer das Licht reflektierenden Metallschicht bedeckt. - In
US 4 918 030 wird die Bildung von pyramidenförmigen Mustern auf der Oberfläche eines monokristallinen Siliciums, das zur Herstellung von Photovoltaikzellen vorgesehen ist, durch Ätzen gelehrt. Diese pyramidenförmigen Muster haben Seitenlängen von etwa 20 μm. Diese Flächen sind für das Einfangen des Lichtes effizienter. - In
GB 2 086 565 - Aus dem Dokument
US 675 338 ist die Verwendung einer Platte bekannt, die eine texturierte Seite und eine Diffusionsschicht zur Regulierung des sie durchstrahlenden Lichts umfasst. Die texturierte Seite erlaubt es, das Licht in Richtung der Diffusionsschicht zu steuern, wobei sie aber keine Antireflexeigenschaften besitzt. - Weiterhin ist aus dem Dokument
US 5 396 350 die Verwendung einer transparenten Platte bekannt, die auf einer Seite eine Vielzahl von Mustern umfasst, die in Bezug auf die allgemeine Ebene dieser Platte räumlich, durch einen Quer- und Längszwi schenraum voneinander getrennt und aufgrund ihrer Geometrie in der Lage sind, das Licht zu sammeln oder zu emittieren. -
FR 2 551 267 - In dem Artikel REDUCTION OF REFLECTION LÖSSES OF PV MODULES BY STRUCTURED SURFACES, Solar Energy, Bd. 53, Nr. 2, 171-176 (1994) wird eine aus Glas bestehende Antireflexbeschichtung für photoelektrische Zellen gelehrt. Es wird gelehrt, dass die einfachste Struktur eine "zufällige" ist, aber eine solche Struktur Staub aufnehmen kann. Es wird eine transparente Schicht mit V-förmiger Struktur und parallelen Linien, die sich entlang der gesamten Zelle erstrecken, vorgeschlagen.
- In der
französischen Patentanmeldung Nr. 0 008 842 - In
FR 2 792 628 - In
WO 98/23549 - In
EP 0 493 202 wird die Herstellung von lichtstreuenden Glasscheiben durch Heißwalzen gelehrt, durch welches ein Relief aus pyramidenförmigen Kratern mit sechseckiger oder quadratischer Grundfläche erzeugt wird. Das transmittierte Licht wird derart regelmäßig verteilt, dass mit bloßem Auge keine Struktur erkannt wird, wenn die Glasscheibe in einer Entfernung von unter sechs Metern beleuchtet wird. Die Muster sind in Kreise mit einem Durchmesser von 0,5 bis 1,7 mm einbeschrieben. - Die erfindungsgemäße transparente Platte umfasst gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1 auf mindestens einer Fläche eine Vielzahl räumlicher geometrischer Muster, die in Bezug auf die allgemeine Ebene der texturierten Seite der Platte konkav und/oder konvex sind. Dabei können beide Seiten der Platte solche Muster aufweisen.
- Die erfindungsgemäß texturierte transparente Platte erlaubt es, die Transmission aufgrund von zwei Prinzipien zu erhöhen. Einerseits wird die Verringerung der Reflexion auf der texturierten Seite durch Mehrfachreflexionen auf der Oberfläche, die dem Licht eine größere Anzahl von Möglichkeiten bietet, in die Platte zu gelangen, erhalten. Außerdem hat das Licht auf den Flächen der Muster kleinere Einfallswinkel für Lichtstrahlen, die auf einer planen Oberfläche große Einfallswinkel hätten. So treffen beispielsweise bei einer Pyramide mit einem halben Pyramidenwinkel von 45° die Strahlen, die mit einem Einfallswinkel von zwischen 0 und 90° auf einer planen Oberfläche ankämen mit einem Einfallswinkel von zwischen -45° und +45° auf die Oberfläche der Textur. Da von dem Bereich der großen Winkel (je mehr man sich 90° annähert) die Reflexion begünstigt wird, geht der Ersatz des Bereiches von 0 bis 90° durch den Bereich von -45° bis +45° mit einer beträchtlichen Verringerung der Reflexion einher. Weiterhin wird das reflektierte Licht nach seinem Eintritt in die Platte durch Reflexion auf den Seitenflächen der Muster eingefangen und ein größerer Teil des Lichtes durch die Platte transmittiert. Somit sind die Reflexionsverluste viel kleiner.
- Die Oberfläche der Muster umfasst derart mindestens zwei Punkte, dass die zwei zur allgemeinen Ebene der texturierten Seite der Platte senkrechten Ebenen nicht parallel zueinander verlaufen und derart, dass jede von ihnen eine der zwei Geraden enthält, die senkrecht zu dieser Oberfläche stehen und durch einen der zwei Punkte gehen, d.h. sie sich schneiden. Diese zwei Ebenen können beispielsweise zueinander senkrecht stehen. Vorzugsweise können sich diese zwei Punkte beide in einem ebenen Bereich der Oberfläche des Musters befinden. In
1 ist gezeigt, was unter diesen Punkten und Ebenen zu verstehen ist. In1 ist ein Muster1 mit der Form einer regelmäßigen Pyramide mit quadratischer Grundfläche, die sich in Bezug auf die allgemeine Ebene2 der texturierten Seite der Platte erhebt, gezeigt. Dabei wird im Rahmen der vorliegenden Patentanmeldung mit "regelmäßiger Pyramide" eine Pyramide bezeichnet, deren sämtliche Seitenflächen eben und identisch sind. Es ist zu sehen, dass die Pyramide derart mindestens zwei Punkte3 und4 umfasst, dass die Ebenen5 und6 , die senkrecht zur allgemeinen Ebene2 der texturierten Seite der Platte verlaufen und welche die Gerade7 bzw.8 enthalten, die normal zur Oberfläche der Muster in den Punkten3 und4 stehen, nicht zueinander parallel sind. Im Fall einer solchen regelmäßigen Pyramide mit quadratischer Grundfläche stehen diese zwei Ebenen5 und6 auch zueinander senkrecht. - So betrifft die Erfindung auch eine Einheit nach Patentanspruch 15, wobei die Platte auf wenigstens einer Seite mit einer Vielzahl geometrischer Muster, die in Bezug auf die allgemeine Ebene dieser Seite erhaben sind, texturiert ist, die texturierte Seite auf der Seite des Lichteinfalls (d.h. auf der Seite zur Lichtquelle) angeordnet ist und die Oberfläche der Muster derart jeweils wenigstens zwei Punkte umfasst, dass zwei einander schneidende Ebenen vorhanden sind, die jeweils einen dieser zwei Punkte enthalten und folgende zwei Bedingungen miteinander vereinigen:
- a) diese Ebenen stehen beide senkrecht zur allgemeinen Ebene der texturierten Seite der Platte und
- b) diese Ebenen enthalten jeweils eine der zwei Geraden, die senkrecht zu dieser Oberfläche stehen und durch einen dieser zwei Punkte gehen.
- Diese Bedingungen werden von einem kegelförmigen oder pyramidenförmigen Muster zwangsläufig erfüllt. Diese Bedingungen werden nicht erfüllt im Fall der geradlinigen V-förmigen Muster des Standes der Technik.
- Vorzugsweise befinden sich die Punkte, durch welche die einander schneidenden Ebenen gehen, auf ebenen Flächen, beispielsweise ebenen Seitenflächen einer Pyramide. Ein Kegel weist keine ebene Oberfläche auf. Im Allgemeinen enden die Muster in einer Spitze, wie es der Fall bei einem Kegel oder einer Pyramide ist, d.h. der Punkt des Musters, der am weitesten von der allgemeinen Ebene der Platte entfernt ist, ist der Scheitelpunkt einer Spitze.
- Die Oberfläche dieser Muster kann derart mindestens drei Punkte enthalten, dass die verschiedenen Ebenen, die senkrecht zur allgemeinen Ebene der texturierten Seite der Platte stehen, nicht zueinander parallel verlaufen, und derart, dass jede von ihnen eine der drei Geraden enthält, die senkrecht zu dieser Oberfläche stehen und durch einen dieser drei Punkte gehen. Vorzugsweise können sich diese drei Punkte beide in einem ebenen Bereich der Oberfläche des Musters befinden. Das ist insbesondere dann der Fall, wenn das Muster eine regelmäßige Pyramide ist, deren Grundfläche (die in der allgemeinen Ebene der texturierten Seite der Platte eingeschlossen ist) ein gleichseitiges Dreieck ist.
- Die Muster sind in der allgemeinen Ebene der texturierten Seite der Platte mit einer Grundfläche enthalten, die in einen Kreis einbeschrieben sein kann, dessen Durchmesser im Allgemeinen weniger als 10 mm und sogar weniger als 7 mm beträgt. Vorzugsweise besitzt der kleinste Kreis, der die Grundfläche eines der Muster ent halten kann, einen Durchmesser von höchstens 5 mm, insbesondere von 0,001 bis 5 mm, und beispielsweise von 1 bis 5 mm.
- Die allgemeine Ebene der texturierten Seite der Platte ist die Ebene, welche die Punkte der texturierten Seite, die nicht zu den Mustern gehören (sich zwischen den Mustern befinden), oder die Punkte der texturierten Seite am Rand der Muster (insbesondere die Verbindungspunkte verbundener Muster) enthält.
- Im Allgemeinen ist der Punkt des Musters, der am weitesten von der allgemeinen Ebene der texturierten Seite der Platte entfernt ist, von dieser Ebene mit einem Abstand von 0,1D bis 2D entfernt, wobei D den Durchmesser des kleinsten Kreises, der in der allgemeinen Ebene der texturierten Seite der Platte enthalten ist und die Grundfläche des Musters enthalten kann, bedeutet.
- Die Muster können beispielsweise die Form eines Kegels oder einer Pyramide mit mehreckiger wie dreieckiger, quadratischer, rechteckiger, sechseckiger oder achteckiger Grundfläche haben, wobei diese Muster konvex, d.h. in Bezug auf die allgemeine Ebene der texturierten Seite der Platte erhaben, oder konkav, d.h. in der Masse der Platte vertieft, sein können.
- In dem Fall, in welchem die Muster die Form eines Kegels oder einer Pyramide haben, ist es bevorzugt, dass jeder halbe Kegel- oder Pyramidenwinkel weniger als 70° und vorzugsweise weniger als 60°, beispielsweise 25 bis 50°, beträgt. Ein besonders geeigneter Wert ist 45°, insbesondere, wenn sich die texturierte Oberfläche mit der Luft in Berührung befindet, da dieser Wert die zwei Eigenschaften "Antireflex" und "Einfangen des Lichtes" gut in sich vereinigt.
- Im Fall eines Kegels ist der halbe Kegelwinkel, der ungleich Null ist, der Winkel zwischen einerseits der zu der Platte senkrechten Geraden, die durch die Spitze des Kegels geht, und andererseits der Mantelfläche des Kegels. Im Fall einer Pyramide ist der halbe Pyramidenwinkel, der ungleich Null ist, der Winkel zwischen einerseits der zu der Platte senkrecht stehenden Geraden, die durch die Spitze der Pyra mide geht, und andererseits der Winkelhalbierenden durch die Spitze einer Seitenfläche der Pyramide. Der Halbwinkel α an der Spitze ist in
2 für ein kegelförmiges und ein pyramidenförmiges Muster mit dreieckiger oder quadratischer Grundfläche gezeigt. Diese Winkelwerte gelten unabhängig davon, ob der Winkel oder die Pyramide konkav oder konvex ist. Wenn die Pyramide als Grundfläche ein regelmäßiges Polygon hat (ein Polygon, dessen sämtliche Seiten ein und dieselbe Länge haben), gibt es nur einen einzigen Wert des Halbwinkels an der Spitze. Wenn die Pyramide als Grundfläche ein unregelmäßiges Polygon wie ein Rechteck hat, gibt es mehrere halbe Pyramidenwinkel, wobei in diesem Fall versucht wird, dass alle Halbwinkel an der Spitze die weiter oben angegebenen Werte haben. - Vorzugsweise befinden sich die Muster so nah wie möglich aneinander, und ihre Grundflächen sind beispielsweise mit weniger als 1 mm und vorzugsweise mit weniger als 0,5 mm voneinander entfernt.
- Besonders bevorzugt sind die Muster miteinander verbunden. Muster werden als miteinander verbunden bezeichnet, wenn sie sich an wenigstens einem Teil ihrer Oberfläche berühren. Kegel können miteinander verbunden sein, wenn die Kreise, die ihre Grundfläche bilden, sich berühren. Es ist bevorzugt, dass die Muster miteinander verbunden sind, da so die Oberfläche der Platte texturierter und der Lichttransmissionsgrad weiter verbessert ist. Bestimmte Muster erlauben keine vollständige Verbindung zwischen ihnen. Dies ist insbesondere der Fall, wenn das Muster ein Kegel ist, da, selbst wenn sich die Kreise der Grundflächen der Kegel berühren, eine gewisse Fläche zwischen den Kreisen bleibt, die nicht zu den Mustern gehört. Unter einer vollständigen Verbindung ist zu verstehen, dass der Umfang der Grundfläche eines Musters auch ein vollständiger Bestandteil der Umfänge seiner benachbarten Muster ist. Bestimmte Muster können derart vollständig miteinander verbunden sein, dass die Gesamtheit der Oberfläche der Platte Bestandteil mindestens eines Musters ist. Insbesondere können Pyramiden mit quadratischer, rechteckiger oder sechseckiger Grundfläche vollständig miteinander verbunden sein, wenn sie identisch sind. Bei quadratischen (siehe
3 ) oder rechteckigen Grundflächen ist es weiterhin günstig, dass die Grundflächen ausgerichtet sind, damit die Muster vollständig miteinander verbunden sind. Im Fall sechseckiger Grundflächen ist es günstig, dass diese Grundflächen eine Wabenstruktur bilden. - In
3 ist eine texturierte Platte gezeigt, die auf der Oberfläche eine Einheit aus konkaven Mustern aufweist, die ausgerichtet und vollständig miteinander verbunden sind und die Form einer Pyramide mit quadratischer Grundfläche haben. - Die Muster können teilweise konkav und teilweise konvex sein; ein Beispiel dafür ist in
4 gegeben. - Vorzugsweise besteht das Wesentliche der Masse (d.h. wenigstens 98 Gew.-%) und sogar die Gesamtheit der Platte aus (einem) Material(ien), das (die) die bestmögliche Transparenz aufweist (aufweisen) und vorzugsweise eine lineare Absorption von unter 0,01 mm-1 in dem für die Verwendung nützlichen Teil des Spektrums hat (haben), wobei im Allgemeinen das Spektrum von 380 bis 1 200 nm reicht. Das ist insbesondere dann der Fall, wenn die Platte aus einem solchen Material gebildet und gegebenenfalls mit einer oder mehreren dünnen Schichten vom Typ lichtstreuende, gegen bestimmte Wellenlängen sperrende, schmutzabweisende oder leitfähige Schicht, wie weiter unten näher beschrieben wird, versehen ist. Vorzugsweise ist diese lineare Absorption umso schwächer, je größer die Materialdicke ist, um einen Lichttransmissionsgrad beizubehalten, der so hoch wie möglich ist.
- Im Fall der Verwendung eines Glases, das an der Zusammensetzung der Platte beteiligt ist, wird vorzugsweise ein Extraklarglas, d.h. ein Glas, das eine lineare Absorption von unter 0,008 mm-1 in einem Wellenlängenspektrum von 380 bis 1 200 nm aufweist, verwendet. So weist, wenn die Platte ein Glas umfasst, dieses vorzugsweise eine lineare Absorption von unter 0,008 mm-1 in einem Wellenlängenspektrum von 380 bis 1 200 nm auf. Die Masse der Platte kann im Wesentlichen (d.h. zu mindestens 98 Gew.-%) und sogar vollständig von einem solchen Glas gebildet werden. Das ist insbesondere dann der Fall, wenn die Platte von einem solchen Glas gebildet und gegebenenfalls mit einer oder mehreren dünnen Schichten vom Typ lichtstreuende, gegen bestimmte Wellenlängen sperrende, schmutzabwei sende oder leitfähige Schicht, wie weiter unten näher beschrieben wird, versehen wird.
- Die Gesamtdicke der erfindungsgemäßen Platte kann 0,5 bis 10 mm betragen. Wenn sie als Schutzplatte für eine photoelektrische Zelle verwendet wird, beträgt die Gesamtdicke der Platte vorzugsweise 2 bis 6 mm.
- Die erfindungsgemäße Platte kann mit einer Antireflexbeschichtung versehen sein, die auf der Seite der texturierten Fläche und/oder auf der Seite der nicht texturierten Fläche angeordnet ist. Eine derartige Antireflexbeschichtung kann beispielsweise eine solche sein, wie sie in der Patentanmeldung
PCT/FR01/01735 - Die erfindungsgemäße texturierte Platte findet zahlreiche Verwendungen, insbesondere in Kombination mit einem Element, das in der Lage ist, das Licht zu sammeln. Dabei ist wenigstens eine texturierte Seite der erfindungsgemäßen Platte auf der Seite zur Lichtquelle angeordnet. So kann in der erfindungsgemäßen Einheit der Abstand zwischen der texturierten transparenten Platte und dem Element, das in der Lage ist, das Licht zu sammeln, auch gegebenenfalls weniger als 15 cm, selbst weniger als 3 cm, 0 bis 10 mm, und sogar 0 bis 5 mm betragen.
- Photoelektrische Zellen sind, wenn sie nicht mit einer transparenten Platte bedeckt sind, verschiedenen Angriffen aus der Umgebung (beispielsweise Staub, korrosive Atmosphäre und Witterungseinflüsse) ausgesetzt. Die erfindungsgemäße Platte kann auf der Oberfläche (im Allgemeinen aus monokristallinem oder polykristallinem Silicium oder aus mit einer Antireflexschicht wie einer aus Siliciumnitrid beschichtetem Silicium) einer solchen Zelle derart direkt angeordnet oder befestigt werden, dass sie einerseits vor äußeren Angriffen geschützt wird und andererseits derart, dass von der das Licht sammelnden Oberfläche eine größere Lichtmenge hindurchgelassen wird. Insbesondere kann die erfindungsgemäße Platte auf einer photoelektrischen Zelle, die ein Substrat aus polykristallinem Silicium umfasst, angeordnet werden. Die das Licht sammelnde Oberfläche der Zelle kann auch texturiert sein, beispielsweise mit konkaven Pyramiden, d.h. die in der Oberfläche des Siliciums vertieft sind, insbesondere, wenn es sich um monokristallines Silicium handelt. Die erfindungsgemäße Platte kann auch auf der Zelle über eine Schicht aus Ethylen-Vinylacetat-Copolymer (EVA), Polyvinylbutyral (PVB), Polyurethan (PU) oder einem beliebigen geeigneten Polymer befestigt werden. Dabei erlaubt es das Vorhandensein dieses Polymers, die Platte auf der Zelle zu befestigen und außerdem die Anwesenheit von Luft zwischen der Platte und der Zelle zu verhindern. Die Zelle kann auf ihrer Oberfläche eine im Allgemeinen aus Siliciumnitrid bestehende Antireflexschicht umfassen.
- Die erfindungsgemäße Platte kann auch in dem Weg des Lichtes von einem Sonnenkollektor angeordnet werden. Ein Sonnenkollektor hat die Aufgabe, das Licht für Heizzwecke zu sammeln. In diesem Fall wird das Element, das das Licht sammelt (im Allgemeinen mit einer schwarzen Farbe) und in Wärme umwandelt, in Bezug auf den Weg des Lichtes hinter der erfindungsgemäßen Platte angeordnet. Der Abstand zwischen der Platte und der Sammelfläche für das Licht kann im Allgemeinen weniger als 15 cm und vorzugsweise weniger als 3 cm betragen.
- Je nach der vorgesehenen Verwendung ist es möglich, auf der am besten geeigneten Seite der Platte wenigstens eine Schicht aufzubringen, die dieser eine spezielle Eigenschaft verleiht. Insbesondere kann eine Schicht aufgebracht werden, die als Sperrschicht gegen bestimmte Wellenlängen, beispielsweise im Ultraviolett, dient. Es kann auch auf der Platte, vorzugsweise wenigstens auf der direkt an der Umgebungsluft befindlichen Seite, eine schmutzabweisende Schicht wie eine TiO2-Schicht, insbesondere eine Schicht, die Gegenstand der Patentanmeldung
EP 1 087 916 ist, oder eine schmutzabweisende Schicht aus SiO2, Si-Carbidoxid, Si-Nitridoxid oder Si-Carbidnitridoxid, wie inWO 01/32578 - Die Texturierung wird durch Walzen (englisch "cast") erzeugt. Im Fall der Texturierung einer Glasoberfläche ist das Walzverfahren besonders geeignet. In diesem Verfahren wird die Texturierung auf die plane Oberfläche eines Glases aufgebracht, das auf eine Temperatur erhitzt worden ist, bei welcher es möglich ist, seine Oberfläche mittels eines festen Gegenstandes wie einer Metallwalze, die auf ihrer Oberfläche die umgekehrte Form der zu bildenden Texturierung besitzt, zu verformen.
- Je nach Form der vorgesehenen Texturierung kann dieses Verfahren nicht zwangsweise zu perfekten geometrischen Formen führen. Insbesondere bei Pyramiden können die Spitze und die Kanten der Pyramide abgerundet sein.
- Zu der Texturierung, die von den Mustern auf einer Seite der Platte gebildet wird, kann auch auf der anderen Seite der Platte eine von einer rauen Schicht erzeugte Texturierung hinzukommen. Eine solche mit einer rauen Schicht versehene Platte ist aufgrund der Tatsache, dass die Platte das Licht besonders gut transmittiert, für den Schutz einer photoelektrischen Zelle besonders geeignet. Bei dieser Verwendung ist die raue Schicht auf der Seite der photoelektrischen Zelle (Synonym für Solarzelle) angeordnet. Diese raue Schicht kann beispielsweise eine leitfähige transparente Schicht auf der Basis von (einem) Metalloxid(en) sein, wobei die Schicht eine RMS-Rautiefe von mindestens 3 nm und insbesondere von mindestens 5 nm und/oder eine mittlere Größe der Muster dieser Rauigkeit von mindestens 50 nm aufweist. Dieser Typ einer leitfähigen Schicht ist unter der englischen Abkürzung T.C.O. für "Transparent Conductive Oxide" bekannt. Sie wird auf den Gebieten der Solarzellen und der Elektronik in breitem Umfang verwendet.
- Die R.M.S-Rautiefe bedeutet die Rautiefe "Root Mean Square". Dabei handelt es sich um eine Messung, die darin besteht, den quadratischen Mittelwert der Rautiefe zu messen. Diese R.M.S-Rautiefe quantifiziert somit konkret die mittlere Höhe der Rauigkeitsspitzen in Bezug auf eine mittlere Höhe.
- Die leitfähige Schicht hat einen bekannten chemischen Charakter, sie ist vom Typ dotiertes Metalloxid. Andererseits hat sie die Besonderheit, dass sie sehr rau ist.
- Vorzugsweise ist diese Rauhigkeit in dem Sinne zufällig, dass sie keine Muster mit einer genauen Geometrie aufweist. Außerdem ist sie je nach der Größe der gemessenen Oberfläche verteilt. Diese spezielle Rauhigkeit erlaubt den Grenzflächen zwischen der Schicht und den Materialien, die sie umgeben, eine verstärkte Streuung des einfallenden Lichtes, die dieses "zwingt" einen viel längeren Weg durch die Solarzelle zu verfolgen. Die leitfähige Schicht kann durch Kathodenzerstäubung oder Pyrolyse, insbesondere Gasphasenabscheidung, aufgebracht werden. Sie kann aus insbesondere mit Fluor oder Antimon dotiertem Zinnoxid, insbesondere mit Aluminium dotierten Zinkoxid und insbesondere mit Zinn dotiertem Indiumoxid ausgewählt werden. Eine solche Schicht ist besonders geeignet, wenn sie auf ein Glassubstrat aufgebracht wird, was in diesem Fall bedeutet, dass die Seite der Platte, die derjenigen gegenüberliegt, welche die erfindungsgemäße Texturierung aufweist, diejenige eines Glassubstrates ist. Zwischen dem Glassubstrat und der leitfähigen Schicht kann mindestens eine Schicht mit Barrierefunktion gegen die Spezies, die in der Lage sind, aus dem Glas zu diffundieren, insbesondere Alkaliionen, angeordnet werden, wobei die Barriereschicht auf der Basis von Siliciumoxid, -carbidoxid, -nitridoxid oder -nitrid sein kann und insbesondere durch Pyrolyse oder Kathodenabscheidung aufgebracht wird. Der Flächenwiderstand der leitfähigen Schicht beträgt im Allgemeinen höchstens 30 oder 20 Ω/☐ und insbesondere höchstens 15 Ω/☐. Die Dicke der leitfähigen Schicht beträgt im Allgemeinen höchstens 700 nm, insbesondere höchstens 650 nm, und vorzugsweise 400 bis 600 nm. Die Seite des Glassubstrates, auf welcher gegebenenfalls indirekt die leitfähige Schicht aufgebracht wird, kann eine R.M.S-Rautiefe von mindestens 1 000 nm und insbesondere von 1 000 bis 5 000 nm und/oder eine derartige Rautiefe aufweisen, dass die mittlere Größe der Muster mindestens 5 μm und insbesondere 5 bis 100 μm beträgt. Die Rauhigkeit der Seite des Glassubstrates, auf welcher gegebenenfalls indirekt die leitfähige Schicht angeordnet wird, kann ungleichmäßig/zufällig sein. Die Seite des Glassubstrates, auf welcher gegebenenfalls indirekt die leitfähige Schicht angeordnet wird, kann eine Rauhigkeit aufweisen, die eine Streuung des transmittierten Lichtes nach vorn bewirkt, wobei das Substrat insbesondere einen globalen Lichttransmissionsgrad von mindestens 70 bis 75%, davon einen Streulichttransmissionsgrad von mindestens 40 bis 45%, aufweist.
- Beispiele
- Eine erfindungsgemäße Platte kann aus einem von Saint-Gobain Glass vertriebenen extraklaren Flachglas der Marke Diamant mit einer linearen Absorption von unter 8·10-3 mm-1 im Wellenlängenspektrum von 380 bis 1 200 nm und mit einer Dicke von 4 mm hergestellt werden, wobei auf dieser Platte durch Walzen bei ihrer Verformungstemperatur eine konkave Texturierung erzeugt wird, die sich aus einer Anordnung von miteinander verbundenen Pyramiden mit quadratischer Grundfläche und mit den Abmessungen 0,5 mm Seitenlänge für die Grundfläche und mit einem halben Pyramidenwinkel von 45° zusammensetzt, wobei die Gesamtdicke der Platte nach der Texturierung 4 mm bleibt. Diese Platte kann über ein Harz auf der aus polykristallinem Silicium bestehenden Oberfläche einer photoelektrischen Zelle befestigt werden, wobei diese Oberfläche mit einer 75 nm dicken Siliciumnitridschicht überzogen ist. Indem die texturierte Oberfläche unter den Bedingungen der Norm ASTM 892/87, wobei das Spektrum AM 1.5 verwendet und der Einfallswinkel verändert wird, beleuchtet wird, kann der Lichttransmissionsgrad gemessen werden. In der Tabelle sind die, insbesondere im Vergleich mit einer Platte mit demselben Charakter und nicht texturiert (die zwei Seiten sind plan) und mit einer Gesamtdicke von gleich derjenigen der texturierten Platte, durch Berechnung erhaltenen Ergebnisse zusammengefasst. Ein Einfallswinkel von 0° entspricht der Richtung des Lichtes senkrecht zur allgemeinen Ebene der texturierten Seite der Platte.
Einfallswinkel (°) Muster 0 10 20 30 40 50 60 70 80 keine Texturierung (plane Oberfläche) 85,1 85,1 85 84,9 84,5 83,3 80,6 73,6 55,15 Vorhandensein von Pyramiden 90,0 91,0 91,9 89 88,5 88,2 86,2 84,1 77,0
Claims (21)
- Platte aus einem Walzglas, dessen lineare Absorption weniger als 0,008 mm-1 in einem Spektrum von 380 bis 1 200 nm beträgt, welche auf wenigstens einer Seite mit einer Vielzahl geometrischer Muster, die in Bezug auf die allgemeine Ebene dieser Seite räumlich sind, während des Walzens texturiert worden ist, wobei die Oberfläche dieser Muster jeweils derart mindestens zwei Punkte umfasst, dass zwei einander schneidende Ebenen vorhanden sind, die jeweils einen der zwei Punkte enthalten und die zwei folgenden Bedingungen in sich vereinigen: – diese Ebenen verlaufen beide senkrecht zur allgemeinen Ebene der texturierten Seite der Platte und – diese Ebenen enthalten jeweils eine der zwei Geraden, die senkrecht zu dieser Oberfläche stehen und durch einen dieser zwei Punkte gehen.
- Platte nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Muster Pyramiden mit einem halben Pyramidenwinkel, der ungleich Null ist, sind.
- Platte nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Grundfläche der Pyramiden polygonal ist.
- Platte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Muster Kegel mit einem halben Kegelwinkel, der ungleich Null ist, sind.
- Platte nach einem der sie betreffenden vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass jeder halbe Winkel an der Spitze kleiner als 70° ist.
- Platte nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass jeder halbe Winkel an der Spitze kleiner als 60° ist.
- Platte nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass jeder halbe Winkel an der Spitze 25 bis 50° beträgt.
- Platte nach einem der sie betreffenden vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der kleinste Kreis, der die Grundfläche der Muster enthalten kann, in einen Kreis mit einem Durchmesser von höchstens 5 mm einbeschrieben ist.
- Platte nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass der kleinste Kreis, der die Grundfläche der Muster enthalten kann, in einen Kreis mit einem Durchmesser von 1 bis 5 mm einbeschrieben ist.
- Platte nach einem der sie betreffenden vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Punkt des Musters, der am weitesten von der allgemeinen Ebene der texturierten Seite der Platte entfernt ist, von dieser Ebene mit einem Abstand von 0,1D bis 2D entfernt ist, wobei D den Durchmesser des kleinsten Kreises bedeutet, der in der allgemeinen Ebene der texturierten Seite der Platte enthalten ist und die Grundfläche des Musters enthalten kann.
- Platte nach einem der sie betreffenden vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie miteinander verbundene Muster umfasst.
- Platte nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass sie vollständig miteinander verbundene Muster umfasst.
- Verwendung einer Platte nach einem der sie betreffenden vorhergehenden Ansprüche zur Erhöhung der Lichtsammlung einer photoelektrischen Zelle.
- Verwendung nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Zelle ein Substrat aus polykristallinem Silicium umfasst.
- Einheit, die eine texturierte transparente Platte aus Walzglas nach einem der Ansprüche 1 bis 12 und ein Element, das in der Lage ist, das Licht zu sammeln, umfasst, wobei der Abstand zwischen dieser Platte und diesem Element weniger als 15 cm beträgt und die texturierte Seite den Lichttransmissionsgrad der Platte erhöht und auf der Seite der Lichteinstrahlung angeordnet ist.
- Einheit nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand zwischen der Platte und dem Element weniger als 3 cm beträgt.
- Einheit nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand zwischen der Platte und dem Element 0 bis 10 mm beträgt.
- Einheit nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand zwischen der Platte und dem Element 0 bis 5 mm beträgt.
- Einheit nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das Element eine photoelektrische Zelle ist.
- Einheit nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die photoelektrische Zelle ein Substrat aus polykristallinem Silicium umfasst.
- Einheit nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass sie ein Sonnenkollektor ist.
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DE10206717B4 (de) † | 2002-02-18 | 2014-03-13 | Webasto Ag | Glasdeckel mit Splitterschutzfolie |
US7710031B2 (en) * | 2002-08-13 | 2010-05-04 | Zeon Corporation | Lens array sheet |
JP2005055481A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-03-03 | Toyota Industries Corp | 光学素子、面状照明装置及び表示装置 |
NL1023737C2 (nl) * | 2003-06-24 | 2004-12-28 | Klaus Herbert Gunter Wenger | Lichtverdelende optische folie. |
US6954315B2 (en) * | 2003-08-01 | 2005-10-11 | Illinois Tool Works Inc. | Night vision and audio signal reduction system |
NL1025191C2 (nl) * | 2004-01-08 | 2005-07-11 | Agrotechnology And Food Innova | Afdekking voor een zonnestraling gebruikend object. |
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FR2870007B1 (fr) * | 2004-05-10 | 2006-07-14 | Saint Gobain | Feuille transparente texturee a motifs pyramidaux inclines |
DE102005027737B4 (de) * | 2005-06-16 | 2013-03-28 | Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh | Verwendung einer transparenten Scheibe mit einer dreidimensionalen Oberflächenstruktur als Deckscheibe für Bauelemente zur Nutzung des Sonnenlichts |
DE102005027799B4 (de) * | 2005-06-16 | 2007-09-27 | Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer transparenten Scheibe mit einer Oberflächenstruktur und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens |
US8816191B2 (en) * | 2005-11-29 | 2014-08-26 | Banpil Photonics, Inc. | High efficiency photovoltaic cells and manufacturing thereof |
CN101025518A (zh) * | 2006-02-25 | 2007-08-29 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 光学片 |
US20070215197A1 (en) * | 2006-03-18 | 2007-09-20 | Benyamin Buller | Elongated photovoltaic cells in casings |
US7952110B2 (en) * | 2006-06-12 | 2011-05-31 | 3M Innovative Properties Company | LED device with re-emitting semiconductor construction and converging optical element |
WO2007146861A1 (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | 3M Innovative Properties Company | Led device with re-emitting semiconductor construction and converging optical element |
US20070284565A1 (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Led device with re-emitting semiconductor construction and optical element |
US7902542B2 (en) | 2006-06-14 | 2011-03-08 | 3M Innovative Properties Company | Adapted LED device with re-emitting semiconductor construction |
JP2008003234A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Fujifilm Corp | 光学シート及びその製造方法 |
US20090266415A1 (en) * | 2006-06-27 | 2009-10-29 | Liquidia Technologies , Inc. | Nanostructures and materials for photovoltaic devices |
US8153887B2 (en) * | 2006-09-11 | 2012-04-10 | Silicon China (HK) Ltd. | Method and structure for hydrogenation of silicon substrates with shaped covers |
US8084684B2 (en) | 2006-10-09 | 2011-12-27 | Solexel, Inc. | Three-dimensional thin-film solar cells |
US20080264477A1 (en) * | 2006-10-09 | 2008-10-30 | Soltaix, Inc. | Methods for manufacturing three-dimensional thin-film solar cells |
FR2908406B1 (fr) | 2006-11-14 | 2012-08-24 | Saint Gobain | Couche poreuse, son procede de fabrication et ses applications. |
US20100190654A1 (en) * | 2006-12-05 | 2010-07-29 | Liquidia Technologies , Inc. | Nanoarrays and methods and materials for fabricating same |
US7666508B2 (en) * | 2007-05-22 | 2010-02-23 | Corning Incorporated | Glass article having a laser melted surface |
US20080308146A1 (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
CN101373230A (zh) * | 2007-08-20 | 2009-02-25 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 液晶显示装置及其棱镜片 |
US8143514B2 (en) * | 2007-09-11 | 2012-03-27 | Silicon China (Hk) Limited | Method and structure for hydrogenation of silicon substrates with shaped covers |
US8283560B2 (en) * | 2007-11-05 | 2012-10-09 | SolarExcel B.V. | Photovoltaic device |
EP2188846A1 (de) * | 2007-11-16 | 2010-05-26 | Nanogate Advanced Materials GmbH | Solarzelle mit optischen verstärkungsstrukturen |
CN101960615B (zh) * | 2008-02-29 | 2012-11-21 | 阿科玛股份有限公司 | 高效光伏模块 |
EP2263261A1 (de) * | 2008-03-10 | 2010-12-22 | Photon BV | Photovoltaische lichteinfangsvorrichtung |
JP2009229581A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Hikari Energy Kenkyusho:Kk | 集光装置 |
JP5174900B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2013-04-03 | 三菱電機株式会社 | 薄膜光電変換装置およびその製造方法 |
TWI365305B (en) * | 2008-06-20 | 2012-06-01 | Coretronic Corp | Backlight module |
EP2139048A1 (de) | 2008-06-23 | 2009-12-30 | Photon BV | Photovoltaische Vorrichtung mit verbesserter Spektralreaktion |
EP2141809B1 (de) | 2008-07-03 | 2019-08-21 | Somfy Activites Sa | Elektrogerät vom Typ Endgerät für Gebäude, das mindestens eine elektrische Komponente enthält |
FR2933554B1 (fr) * | 2008-07-03 | 2012-08-31 | Somfy Sas | Interrupteur electronique de commande d'un appareil domotique |
KR100881282B1 (ko) * | 2008-07-04 | 2009-02-03 | 주식회사 에스엔케이솔라시스템즈 | 태양광 발전시스템용 지지판넬 |
US20100024805A1 (en) * | 2008-07-29 | 2010-02-04 | Genie Lens Technologies, Llc | Solar panels for concentrating, capturing, and transmitting solar energy in conversion systems |
DE102008035575B4 (de) * | 2008-07-30 | 2016-08-11 | Soitec Solar Gmbh | Photovoltaik-Vorrichtung zur direkten Umwandlung von Sonnenenergie in elektrische Energie enthaltend eine zweistufige aus mehreren Elementen bestehende Konzentratoroptik |
FR2934588B1 (fr) * | 2008-07-30 | 2011-07-22 | Fives Stein | Procede et dispositif de realisation d'une structure sur l'une des faces d'un ruban de verre |
JP5694935B2 (ja) | 2008-09-01 | 2015-04-01 | サン−ゴバン グラス フランス | ガラスを得るための方法及び得られたガラス |
MY160251A (en) * | 2008-11-26 | 2017-02-28 | Solexel Inc | Truncated pyramid -structures for see-through solar cells |
EP2360735A1 (de) * | 2008-11-27 | 2011-08-24 | Nippon Carbide Industries Co., Inc. | Optische schicht für ein lichtadaptives sonnenenergieerzeugungsmodul, lichtadaptives sonnenenergieerzeugungsmodul und lichtadaptives sonnenenergieerzeugungspaneel |
WO2010078473A2 (en) | 2009-01-05 | 2010-07-08 | Gustafson Vincent K | Solar energy utilization systems and methods |
US8048250B2 (en) * | 2009-01-16 | 2011-11-01 | Genie Lens Technologies, Llc | Method of manufacturing photovoltaic (PV) enhancement films |
US7904871B2 (en) * | 2009-01-16 | 2011-03-08 | Genie Lens Technologies, Llc | Computer-implemented method of optimizing refraction and TIR structures to enhance path lengths in PV devices |
US7968790B2 (en) * | 2009-01-16 | 2011-06-28 | Genie Lens Technologies, Llc | Photovoltaic (PV) enhancement films for enhancing optical path lengths and for trapping reflected light |
US8338693B2 (en) * | 2009-01-16 | 2012-12-25 | Genie Lens Technology, LLC | Solar arrays and other photovoltaic (PV) devices using PV enhancement films for trapping light |
FR2941447B1 (fr) * | 2009-01-23 | 2012-04-06 | Saint Gobain | Substrat en verre transparent et procede de fabrication d'un tel substrat. |
FR2941941B1 (fr) * | 2009-02-11 | 2011-02-18 | Saint Gobain | Fabrication de verre plat texture au flottage |
FR2942623B1 (fr) | 2009-02-27 | 2012-05-25 | Saint Gobain | Feuille de verre |
TWI402993B (zh) * | 2009-03-04 | 2013-07-21 | Ind Tech Res Inst | 光電轉換元件與製造方法 |
EP2417635B1 (de) | 2009-04-08 | 2012-11-28 | Solarexcel B.V. | Verfahren zur Herstellung einer Abdeckplatte für eine Photovoltaikanordnung |
WO2010115953A2 (en) | 2009-04-08 | 2010-10-14 | Photon B.V. | Method for producing a textured plate for a photovoltaic device |
JP4870826B2 (ja) | 2009-04-27 | 2012-02-08 | 株式会社エンプラス | 発光装置、面光源装置、及び表示装置 |
FR2946335B1 (fr) | 2009-06-05 | 2011-09-02 | Saint Gobain | Procede de depot de couche mince et produit obtenu. |
JP5165115B2 (ja) * | 2009-07-14 | 2013-03-21 | 三菱電機株式会社 | 基板の粗面化方法、光起電力装置の製造方法、光起電力装置 |
FR2948230B1 (fr) * | 2009-07-16 | 2011-10-21 | Saint Gobain | Plaque transparente texturee et procede de fabrication d'une telle plaque |
MX2012004141A (es) | 2009-10-08 | 2012-09-07 | Solarexcel B V | Estructura optica con un apice plano. |
FR2951157A1 (fr) | 2009-10-12 | 2011-04-15 | Saint Gobain | Fritte de verre |
US8558106B2 (en) * | 2009-10-20 | 2013-10-15 | Industrial Technology Research Institute | Solar cell device and method for fabricating the same |
US8941001B1 (en) * | 2009-11-17 | 2015-01-27 | Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. | Transparent layer with anti-reflective texture |
FR2955101B1 (fr) | 2010-01-11 | 2012-03-23 | Saint Gobain | Materiau photocatalytique et vitrage ou cellule photovoltaique comprenant ce materiau |
KR20110088172A (ko) * | 2010-01-28 | 2011-08-03 | 삼성전자주식회사 | 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법 |
KR101084985B1 (ko) * | 2010-03-15 | 2011-11-21 | 한국철강 주식회사 | 플렉서블 기판을 포함하는 광기전력 장치 및 이의 제조 방법 |
IT1399376B1 (it) * | 2010-04-12 | 2013-04-16 | Milano Politecnico | Cella fotovoltaica, in particolare per applicazioni architettoniche integrate, e metodo di fabbricazione di tale cella. |
TWI395806B (zh) | 2010-04-14 | 2013-05-11 | Ind Tech Res Inst | 封裝材料 |
KR101194243B1 (ko) * | 2010-04-20 | 2012-10-29 | 한국철강 주식회사 | 탠덤형 광기전력 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20130096161A (ko) | 2010-04-28 | 2013-08-29 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 중합체 코팅용 나노실리카-기반 프라이머를 포함하는 물품 및 방법 |
BR112012027060A2 (pt) | 2010-04-28 | 2016-07-19 | 3M Innovative Properties Co | material à base de silicone |
US8525019B2 (en) | 2010-07-01 | 2013-09-03 | Primestar Solar, Inc. | Thin film article and method for forming a reduced conductive area in transparent conductive films for photovoltaic modules |
CN103052504B (zh) * | 2010-08-31 | 2014-12-10 | 美国圣戈班性能塑料公司 | 带图案的保护膜 |
US20120070691A1 (en) * | 2010-09-20 | 2012-03-22 | Raytheon Company | Radio frequency transparent vapor barrier |
KR20170137207A (ko) | 2010-10-06 | 2017-12-12 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 나노실리카계 코팅 및 배리어층을 갖는 반사방지 물품 |
US9893223B2 (en) | 2010-11-16 | 2018-02-13 | Suncore Photovoltaics, Inc. | Solar electricity generation system |
WO2012082709A1 (en) * | 2010-12-13 | 2012-06-21 | Cardinal Fg Company | System and method for producing patterned heat-strengthened glass |
KR20120077330A (ko) * | 2010-12-30 | 2012-07-10 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 패턴드 유리기판 투과율 측정장치 |
FR2971519A1 (fr) | 2011-02-16 | 2012-08-17 | Saint Gobain | Procede d’obtention d’un materiau photocatalytique |
US20120282437A1 (en) * | 2011-05-04 | 2012-11-08 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Film for photovoltaic devices |
US20120291840A1 (en) * | 2011-05-18 | 2012-11-22 | Glenn Eric Kohnke | Patterned textured glass compatible with laser scribing |
TWI453927B (zh) | 2011-06-29 | 2014-09-21 | Ind Tech Res Inst | 多重反射結構以及光電元件 |
FR2978772B1 (fr) | 2011-08-01 | 2013-08-02 | Saint Gobain | Photobioreacteur muni d'un empilement de couches minces selectif. |
FR2979910B1 (fr) | 2011-09-13 | 2014-01-03 | Saint Gobain | Materiau photocatalytique et vitrage ou cellule photovoltaique comprenant ce materiau |
WO2013061099A1 (en) * | 2011-10-27 | 2013-05-02 | Christophoros Diakopoulos | Photovoltaic panels of high productivity in energy |
TWI443846B (zh) * | 2011-11-01 | 2014-07-01 | Ind Tech Res Inst | 透明導電層結構 |
FR2982257A1 (fr) | 2011-11-09 | 2013-05-10 | Saint Gobain | Feuille de verre |
US20130118548A1 (en) * | 2011-11-11 | 2013-05-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Apparatus and methods for enhancing photovoltaic efficiency |
EP2594149A1 (de) * | 2011-11-18 | 2013-05-22 | Fabrica Nacional De Moneda Y Timbre - Real Casa De La Moneda | Objekt mit einem Oberflächenbereich zur Anzeige einer Vielzahl von Bildern |
KR101441359B1 (ko) * | 2012-01-16 | 2014-09-23 | 코닝정밀소재 주식회사 | 광전지용 커버유리의 투과율 측정장치 |
BE1020735A3 (fr) | 2012-05-29 | 2014-04-01 | Agc Glass Europe | Substrat verrier texture a proprietes optiques ameliorees pour dispositif optoelectronique. |
CN103840018A (zh) * | 2012-11-26 | 2014-06-04 | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 | 防眩光双玻光伏组件 |
KR101947187B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2019-02-12 | 주식회사 케이씨씨 | 고 투과율 무늬유리 |
US9188723B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-11-17 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Patterns on glass for increased light transmission and/or light trapping |
KR101525924B1 (ko) * | 2013-10-08 | 2015-06-04 | 에버테크노 주식회사 | 태양위치 추적장치 및 방법 |
US9923111B2 (en) * | 2013-11-13 | 2018-03-20 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Illumination and radiative cooling |
EP3129724A2 (de) * | 2014-04-02 | 2017-02-15 | Nebula Energy Inc. | Sonnenstrahlungskonzentratoren, verfahren zur konzentration der sonneneinstrahlung und sonnenstrahlungskonzentrentrierende prismenlinsen |
CN105470328B (zh) * | 2014-09-05 | 2018-01-09 | 严世杰 | 独立光陷阱型光伏玻璃 |
EP3018263B1 (de) * | 2014-11-06 | 2020-07-08 | POLYWORLD SYSTEMS S.r.l. | Platte zur herstellung von dachanordnungen |
GB2533097A (en) * | 2014-12-08 | 2016-06-15 | Crystal Clear Jewellery Ltd | Creating optical effects |
TWM500903U (zh) * | 2015-02-13 | 2015-05-11 | Benq Materials Corp | 調光薄膜 |
CN104716214B (zh) * | 2015-03-18 | 2017-03-01 | 日芯光伏科技有限公司 | 一种高倍聚光光伏发电模组接收器的散热玻璃底板及其制备方法 |
FR3035397A1 (fr) | 2015-04-23 | 2016-10-28 | Saint Gobain | Verre texture pour serre |
US20170345954A1 (en) * | 2016-05-31 | 2017-11-30 | Solarcity Corporation | Colored photovoltaic modules |
US10937915B2 (en) | 2016-10-28 | 2021-03-02 | Tesla, Inc. | Obscuring, color matching, and camouflaging solar panels |
US10560049B2 (en) | 2017-03-01 | 2020-02-11 | Tesla, Inc. | System and method for packaging photovoltaic roof tiles |
US10381973B2 (en) | 2017-05-17 | 2019-08-13 | Tesla, Inc. | Uniformly and directionally colored photovoltaic modules |
US10985688B2 (en) | 2017-06-05 | 2021-04-20 | Tesla, Inc. | Sidelap interconnect for photovoltaic roofing modules |
US10734938B2 (en) | 2017-07-21 | 2020-08-04 | Tesla, Inc. | Packaging for solar roof tiles |
US10857764B2 (en) | 2017-07-25 | 2020-12-08 | Tesla, Inc. | Method for improving adhesion between glass cover and encapsulant for solar roof tiles |
US10978990B2 (en) | 2017-09-28 | 2021-04-13 | Tesla, Inc. | Glass cover with optical-filtering coating for managing color of a solar roof tile |
US10454409B2 (en) | 2018-02-02 | 2019-10-22 | Tesla, Inc. | Non-flat solar roof tiles |
US10862420B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-12-08 | Tesla, Inc. | Inter-tile support for solar roof tiles |
US11190128B2 (en) | 2018-02-27 | 2021-11-30 | Tesla, Inc. | Parallel-connected solar roof tile modules |
US11431279B2 (en) | 2018-07-02 | 2022-08-30 | Tesla, Inc. | Solar roof tile with a uniform appearance |
EP3599649B1 (de) * | 2018-07-27 | 2021-10-06 | (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. | Solarmodul mit strukturierter deckplatte und optischer interferenzschicht |
US11245354B2 (en) | 2018-07-31 | 2022-02-08 | Tesla, Inc. | Solar roof tile spacer with embedded circuitry |
US11082005B2 (en) | 2018-07-31 | 2021-08-03 | Tesla, Inc. | External electrical contact for solar roof tiles |
US11245355B2 (en) | 2018-09-04 | 2022-02-08 | Tesla, Inc. | Solar roof tile module |
US11581843B2 (en) | 2018-09-14 | 2023-02-14 | Tesla, Inc. | Solar roof tile free of back encapsulant layer |
CN109742163A (zh) * | 2019-01-25 | 2019-05-10 | 武汉宇恩防伪技术有限公司 | 一种具有抗反射层的太阳能电池薄膜结构 |
USD945952S1 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-15 | Louis Fredrick Kiefer, III | Solar tower |
US11327205B2 (en) | 2019-07-29 | 2022-05-10 | Viavi Solutions Inc. | Encapsulated diffuser |
US11431280B2 (en) | 2019-08-06 | 2022-08-30 | Tesla, Inc. | System and method for improving color appearance of solar roofs |
EP4186102A1 (de) | 2020-07-22 | 2023-05-31 | Saint-Gobain Glass France | Fotovoltaisches paneel |
CN112466967B (zh) * | 2020-11-23 | 2023-08-22 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4249520A (en) * | 1978-12-26 | 1981-02-10 | Orillion Alfred G | Pyramidal energy collector system |
GB2066565B (en) * | 1979-12-28 | 1984-11-07 | Solarex Corp | Structured solar cell and method of making same |
GB8623214D0 (en) * | 1986-09-26 | 1986-10-29 | Pilkington Brothers Plc | Glass compositions |
JPH04119673A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池用基板及びその製造方法並びにプレス成形用金型 |
FR2670774B1 (fr) * | 1990-12-21 | 1993-09-10 | Saint Gobain Vitrage Int | Vitrage diffusant. |
US5220462A (en) * | 1991-11-15 | 1993-06-15 | Feldman Jr Karl T | Diode glazing with radiant energy trapping |
US5359691A (en) * | 1992-10-08 | 1994-10-25 | Briteview Technologies | Backlighting system with a multi-reflection light injection system and using microprisms |
JPH07114025A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-05-02 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
US5396350A (en) * | 1993-11-05 | 1995-03-07 | Alliedsignal Inc. | Backlighting apparatus employing an array of microprisms |
JPH07220512A (ja) * | 1994-01-27 | 1995-08-18 | Tokai Rika Co Ltd | 照明用レンズ |
JPH07218707A (ja) * | 1994-02-04 | 1995-08-18 | Sekisui Chem Co Ltd | 光拡散板 |
JPH07270603A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Enplas Corp | 光制御部材 |
JPH08271888A (ja) * | 1995-03-29 | 1996-10-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液晶表示装置用調光シート |
JPH08327807A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Pioneer Electron Corp | 面状光源装置 |
JP3229187B2 (ja) * | 1996-01-24 | 2001-11-12 | シャープ株式会社 | 太陽電池 |
JP3458879B2 (ja) * | 1996-03-28 | 2003-10-20 | 東芝ライテック株式会社 | 無電極放電ランプ、無電極放電ランプ点灯装置および照明装置 |
JP3727714B2 (ja) * | 1996-04-30 | 2005-12-14 | 株式会社東芝 | 太陽電池 |
AU9580898A (en) * | 1998-04-24 | 1999-11-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Optical components with self-adhering diffuser |
JP3589590B2 (ja) * | 1998-08-31 | 2004-11-17 | シャープ株式会社 | 太陽電池セル及びその製造方法 |
JP2000330210A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-11-30 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 透過型スクリーン |
JP2000284107A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 光拡散部材及び転写フィルム |
JP4459323B2 (ja) * | 1999-05-06 | 2010-04-28 | 大日本印刷株式会社 | 太陽電池用フィルムおよびそのフィルムを用いた太陽電池モジュール |
US6177627B1 (en) * | 1999-06-21 | 2001-01-23 | Ace-Able Engineering Co., Inc. | Solar cell array with multiple rows of cells and collapsible reflectors |
EP1127984A4 (de) * | 1999-08-30 | 2004-12-15 | Matsushita Shokai Co Ltd | Ebene lichtabgebene vorrichtung und lichtabgebener führer |
JP2001274449A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Hitachi Ltd | 集光型太陽光発電装置 |
US6958868B1 (en) * | 2004-03-29 | 2005-10-25 | John George Pender | Motion-free tracking solar concentrator |
-
2001
- 2001-11-28 FR FR0115352A patent/FR2832811B1/fr not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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