JP3229187B2

JP3229187B2 - 太陽電池

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Publication number: JP3229187B2
Application number: JP00968496A
Authority: JP
Inventors: 邦夫上村
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1996-01-24
Filing date: 1996-01-24
Publication date: 2001-11-12
Anticipated expiration: 2016-01-24
Also published as: JPH09205221A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、太陽光を受光して
発電する太陽電池に関する。

【０００２】

【従来の技術】太陽光を受光して発電する太陽電池の一
例を図８に示す。この太陽電池４０は、Ｐ型シリコン基
板４１を有しており、その表面部分に、Ｎ型不純物拡散
層４１ａが設けられている。Ｐ型シリコン基板４１は、
Ｎ型不純物拡散層４１ａとのＰ−Ｎ接合によって、表面
に太陽光が照射されることによって発電するようになっ
ている。Ｎ型不純物拡散層４１ａが設けられたＰ型シリ
コン基板４１の表面は平坦になっており、その表面上に
表面電極４２が設けられている。

【０００３】表面電極４２は金属によって櫛形に形成さ
れており、Ｎ型不純物拡散層４１ａの側部上に設けられ
た直線部分４２ａと、その直線部分４２ａから直交状態
で側方に延出する複数の直交部分４２ｂとを有してい
る。表面電極４２の各直交部分４２ｂは、間隔が比較的
大きくなるように幅寸法を小さくされて、Ｐ型シリコン
基板４１の表面に、直線部分４２ａが設けられた側部か
ら他方の側部にわたって延びている。表面電極４２に
は、直線部分４２ａを除いて、接着剤層４４を介して、
ガラス板４５が積層されている。

【０００４】Ｐ型シリコン基板４１の裏面部分には、Ｐ
型不純物拡散層４１ｂが設けられており、このＰ型不純
物拡散層４１ｂの裏面全体に、裏面電極４６が設けられ
ている。

【０００５】このような太陽電池４０では、ガラス板４
５から入射する太陽光が、Ｐ型シリコン基板４１内に入
射することにより、発電されて、表面電極４２および裏
面電極４６の間に電圧が発生する。

【０００６】Ｐ型シリコン基板４１の表面に設けられる
表面電極４２は、通常、金属によって構成されているた
めに、ガラス板４５から入射して各直交部分４２ｂに照
射される太陽光を、Ｐ型シリコン基板４１内に入射させ
ることなく反射させる。このために、表面電極４２の各
直交部分４２ｂは、Ｎ型不純物拡散層４１ａ内にて多く
の電子が収集するように、幅方向寸法を小さくして、Ｎ
型不純物拡散層４１ａの表面に占める面積をできるだけ
小さくするとともに、電気抵抗が小さくなるように、厚
く構成されている。通常、表面電極４２の各直交部分４
２ｂの厚さは、Ｐ型シリコン基板４１の厚さが５０〜２
００μｍであるのに対して、５〜１０μｍになってい
る。

【０００７】照射される太陽光をさらに効率よくシリコ
ン基板内に入射させるようにした太陽電池を図９に示
す。この太陽電池５０は、Ｐ型シリコン基板５１の表面
部分に、Ｎ型不純物拡散層５１ａが設けられており、こ
れにより、ＰＮ接合が形成されている。また、Ｐ型シリ
コン基板５１の裏面部分には、Ｐ型不純物拡散層５１ｂ
が設けられており、このＰ型不純物拡散層５１ｂに裏面
電極５６が設けられている。Ｐ型シリコン基板５１の表
面に設けられたＮ型不純物拡散層５１ａの表面は、四角
錐状の凹部と凸部とが縦方向および横方向に交互に形成
された凹凸状になっている。

【０００８】Ｎ型不純物拡散層５１ａの表面には、幅方
向に沿ってストライプ状に延びる一対の電極設置台部５
１ｃが、適当な間隔をあけて平行に設けられている。な
お、図９は、太陽電池の一例を示しており、電極設置台
部５１ｃは、一対である必要はなく、また、幅方向の全
体にわたっている必要もない。各電極設置台部５１ｃ
は、図１０に示すように、凹凸状になったＰ型シリコン
基板５１の表面における各凸部の頂部のレベルよりも若
干高いレベルにおいて平坦に形成されており、各電極設
置台部５１ｃには、長板状の表面電極５２が、Ｎ型不純
物拡散層５１ａに接触した状態で、それぞれ、各電極設
置台部５１ｃのほぼ全長にわたって設けられている。

【０００９】Ｐ型シリコン基板５１の表面には、接着剤
層５４を介して、ガラス板５５が積層されており、各表
面電極５２も、接着剤層５４およびガラス板５５に覆わ
れた状態になっている。

【００１０】このような長板状の表面電極５２は、表面
が所定の凹凸状に形成されるとともに各電極設置台部５
１ｃが形成されたＰ型シリコン基板（ウエーハ）５１に
対して、次のようにして形成される。表面部分にＮ型不
純物拡散層５１ａが設けられたＰ型シリコン基板５１に
対して、図１１に示すように、厚さ１０μｍ程度のフォ
トレジスト２０を一様に塗布し、そのフォトレジスト２
０に、表面電極５２の形状に対応したストライプ状にパ
ターニングする。フォトレジスト２０に対するパターニ
ングは、ストライプパターンが設けられたガラスマスク
をフォトレジスト２０に密着させて、ガラスマスクを露
光して現像することにより行われる。これにより、フォ
トレジスト２０には、電極設置台部５１ｃ上にストライ
プ状の凹部２１が形成される。

【００１１】次に、所定のストライプ状の凹部２１が形
成されたフォトレジスト２０を有するＰ型シリコン基板
５１の表面に対して、電極材料を一様に蒸着する。電極
材料は、フォトレジスト２０の凹部２１内に進入して、
表面電極５２を形成する。その後、Ｐ型シリコン基板５
１の表面からフォトレジスト２０を、溶剤によって除去
する。これにより、フォトレジスト２０上に蒸着された
電極材料は、レジストとともに除去され、フォトレジス
ト２０のストライプ状の凹部２１内の電極材料だけが残
り、表面電極５２が形成される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】このようにして形成さ
れる金属製の表面電極５２も、その表面に照射される太
陽光を、Ｐ型シリコン基板５１内に入射させることなく
反射させる。しかも、図１０に示すように、各表面電極
５２の表面は、Ｐ型シリコン基板５１よりも高いレベル
になっているために、各表面電極５２の表面に照射され
て反射される太陽光が、電極設置台部５１ｃに隣接する
Ｐ型シリコン基板５１の表面から内部に入射する効率が
きわめて悪いという問題がある。

【００１３】電極設置台部５１上に占める表面電極５２
の面積を小さくすることにより、Ｐ型シリコン基板５１
内に入射する太陽光の光量は増加するが、この場合に
は、表面電極５２の電気抵抗を小さくするために、厚み
を大きくして断面積を大きくしなければならない。しか
し、このように、表面電極５２の厚みを大きくすると、
表面電極５２の表面がＰ型シリコン基板５１の表面から
大きく突出した状態になる。その結果、表面電極５２を
形成するために、Ｐ型シリコン基板５１上に設けられる
フォトレジスト２０を厚く積層しなければならず、その
ために、多量のフォトレジストを使用しなければならな
い。

【００１４】また、表面電極５２が設けられる電極設置
台部５１ｃは、通常、Ｐ型シリコン基板５１の凹凸状に
なった表面の凸部と同程度のレベルになっている。表面
電極５２を形成するためには、Ｐ型シリコン基板５１に
フォトレジスト２０を塗布されるが、フォトレジスト２
０の量が少ないと、図１１に二点鎖線で示すように、Ｐ
型シリコン基板５１の表面の凹凸によって、フォトレジ
スト２０の表面が波打った状態になり、電極設置台部５
１ｃ上のフォトレジスト２０が薄くなるおそれがある。
このように、電極設置台部５１ｃ上に所定の厚さのフォ
トレジスト２０を積層するためにも、多量のフォトレジ
スト２０が必要になる。

【００１５】さらに、Ｐ型シリコン基板５１に接着剤層
５４によってガラス板５５を接着する際に、表面電極５
２がＰ型シリコン基板５１の表面から突出した状態にな
っているために、各表面電極５２の表面とガラス板５５
との間隙が小さくなり、接着剤層５４が薄くなる。図１
０に示すように、Ｐ型シリコン基板５１における凹部の
最も低いレベルの部分とガラス板５５との間が、接着剤
層５４が最も厚くなり、その厚さＴ₁となるのに対し
て、接着剤層５４は、表面電極５２とガラス板５５との
間にて最も薄くなり、その厚さはＴ₄となる。この接着
剤層５４が最も薄い厚さＴ₄は、Ｐ型シリコン基板５１
の凸部における最も高いレベルの部分とガラス板５５と
の間における接着剤層５４の厚さＴ₂よりも著しく小さ
くなっている。このために、その接着剤層５４が薄くな
った部分において、接着剤が十分に硬化しなかったり、
使用上の環境によっては、その部分にてガラス板５５が
剥離するおそれがある。

【００１６】本発明は、このような問題を解決するもの
であり、その目的は、半導体基板内に太陽光を効率よく
入射させることができ、従って、発電効率を著しく向上
させることができる太陽電池を提供することにある。本
発明の他の目的は、小型であって、容易に製造でき、し
かも、半導体基板に対して接着されるガラス板が剥離す
ることを抑制し得る太陽電池を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、表面部分から太陽光が入射することにより発電する
半導体基板を有する太陽電池であって、太陽光が入射さ
れる半導体基板の表面部分が凹凸状になっており、その
表面部分に、ストライプ状に窪んだ電極設置凹部が設け
られているとともに、電極設置凹部に、凹凸状になった
表面部分から突出しないように表面電極が設けられてお
り、前記表面電極は幅方向寸法よりも厚さ方向の寸法が
大きくなった断面縦長に構成されていることを特徴とす
る。

【００１８】請求項２に記載の太陽電池は、前記表面電
極の表面は、照射される太陽光を、ストライプ状の電極
設置凹部における半導体基板の内側面に対して効率的に
入射させるべく、その内側面に対向するように傾斜した
傾斜面を有する。

【００１９】請求項３に記載の太陽電池は、前記電極設
置凹部は、半導体基板の表面を異方性エッチングするこ
とにより凹凸状に形成する際に、表面凹凸部のパターニ
ングとは異なった形状にパターニングしたマスキングを
行って同時に形成される。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面に基づいて詳細に説明する。

【００２１】図１は、本発明の太陽電池の実施の形態の
一例を示す斜視図である。この太陽電池１０は、半導体
基板としてＰ型シリコン基板１１を使用したシリコン太
陽電池である。Ｐ型シリコン基板１１は、太陽光が照射
される表面部分に、Ｎ型不純物拡散層１１ａが設けられ
ており、従って、その内部にＰＮ接合が形成されてい
る。またＰ型シリコン基板１１の裏面部分には、Ｐ型不
純物拡散層１１ｂが設けられている。

【００２２】Ｎ型不純物拡散層１１ａが設けられたＰ型
シリコン基板１１の表面は、四角錐形状の凹部と同様の
四角錐形状の凸部とが、縦方向および横方向にそれぞれ
交互に形成された凹凸状になっている。

【００２３】図２は、そのシリコン太陽電池１０の表面
部分の拡大断面図である。図１および図２に示すよう
に、Ｎ型不純物拡散層１１ａが設けられたＰ型シリコン
基板１１の表面には、幅方向に沿って延びる一対のスト
ライプ状になった電極設置凹部１１ｃが、適当な間隔を
あけて平行に設けられている。なお、図１は、太陽電池
の一部を示しており、電極設置凹部１１ｃは、一対であ
る必要はなく、また、必ずしも太陽電池の全面にわたっ
て設ける必要もない。他の例でも同様である。各電極設
置凹部１１ｃの下面は、凹凸状になったＰ型シリコン基
板１１の表面における各凹部の最も低い部分とほぼ等し
いレベルにおいて平坦に形成されている。また、各電極
設置凹部１１ｃの相互に対向する内側面は、Ｐ型シリコ
ン基板１１の表面における凹凸と同様の傾斜状態になっ
ている。

【００２４】各電極設置凹部１１ｃ上には、長板状の表
面電極１２が、Ｎ型不純物拡散層１１ａに接触した状態
で、それぞれ、各電極設置凹部１１ｃのほぼ全長にわた
って設けられている。

【００２５】各表面電極１２は、例えば金属によって、
幅方向寸法よりも厚さ方向の寸法が大きくなった断面縦
長の直方体状に構成されており、その上面は、平坦にな
っている。そして、各電極１２の上面は、凹凸状になっ
たＰ型シリコン基板１１の表面の各凸部における最も高
い部分よりも低いレベルに設定されている。

【００２６】Ｎ型不純物拡散層１１ａが設けられたＰ型
シリコン基板１１の凹凸状になった表面には、接着剤層
１４を介して、ガラス板１５が設けられている。従っ
て、Ｐ型シリコン基板１１の凹凸状になった表面および
各表面電極１２は、接着剤層１４およびガラス板１５に
よって覆われている。

【００２７】Ｐ型シリコン基板１１の裏面には、シリコ
ン酸化膜１１ｄを介して裏面電極１６が設けられてい
る。シリコン酸化膜１１ｄは、Ｐ型シリコン基板１１の
Ｐ型不純物拡散層１１ｂの一部と裏面電極１６の一部と
を、直接接触させた状態になっている。

【００２８】このような構成のシリコン太陽電池１０
は、ガラス板１５に入射される太陽光が、Ｎ型不純物拡
散層１１ａの表面に照射されることにより、Ｎ型不純物
拡散層１１ａを通って、Ｐ型シリコン基板１１内に入射
する。しかし、金属製の各表面電極１２の表面に照射さ
れた太陽光は、各表面電極１２によって反射されるため
に、Ｐ型シリコン基板１１内には、直接、入射されな
い。しかし、図３に示すように、各表面電極１２の表面
は、平坦になっており、しかも、凹凸状になったＰ型シ
リコン基板１１の表面の凸部における最も高い部分より
も低いレベルになっているために、各表面電極１２の表
面における角部によって乱反射された太陽光が、電極設
置凹部１１ｃにおける傾斜した内側面（Ｐ型シリコン基
板１１の傾斜した表面）に、効率よく入射される。従っ
て、各表面電極１２の表面にて反射されてＰ型シリコン
基板１１内に入射する太陽光の光量が増加し、シリコン
太陽電池１０の出力が増加する。

【００２９】また、シリコン太陽電池１０における接着
剤層１４の厚さは、図３に示すように、Ｐ型シリコン基
板１１の表面における凹部の最も低いレベルの部分にお
いて最大になり、その厚さがＴ₁であるのに対して、Ｐ
型シリコン基板１１の表面における凸部の最も高いレベ
ルの部分において最小になり、その厚さはＴ₂となる。
各表面電極１２の上面は、Ｐ型シリコン基板１１の表面
における凸部の最も高い部分よりも低いレベルになって
いるために、各表面電極１２に被覆される接着剤層１４
の厚さＴ₃は、最小の厚さＴ₂よりも大きくなる。従っ
て、接着剤層１４がＰ型シリコン基板１１から剥離しな
いような接着剤層１４の最小の厚さＴ₂を、環境試験等
によって設定すれば、各表面電極１２は、その最小の厚
さＴ₂よりも厚くなった接着剤層１４によって被覆され
ることになる。その結果、ガラス板１５の剥離を防止す
るために、また、各表面電極１２を保護するために、各
表面電極１２を被覆する接着剤層１４の厚さを、特別に
大きくする必要がなく、接着剤層１４を全体にわたって
薄くすることができる。これにより、シリコン太陽電池
１０を小型化および軽量化することができる。

【００３０】このような構成のシリコン太陽電池１０の
表面電極１２は次のように製造される。まず、図４
（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン基板（ウエーハ）１
１の表面にシリコン酸化膜１１ｅを形成する。そして、
図４（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜１１ｅ上にフ
ォトレジスト２０を積層する。次に、図４（ｃ）および
（ｄ）に示すように、Ｐ型シリコン基板１１の表面の凹
凸形状に対応した平面形状、および、各電極設置凹部１
１ｃに対応した平面形状に、フォトレジスト２０をパタ
ーンニングする。この場合、図４（ｄ）に示すように、
表面電極１２が設けられる電極設置凹部１１ｃに対応し
た部分では、フォトレジスト２０はストライプ状にパタ
ーニングされない。

【００３１】フォトレジスト２０のパターニングは、所
定の形状が書き込まれたガラスマスクをフォトレジスト
２０に密着した状態で配置して、ガラスマスクを露光し
て、現像することにより行われる。これにより、フォト
レジスト２０は、不要部分が除去されて、所定形状にパ
ターニングされる。

【００３２】このようにして、フォトレジスト２０がパ
ターニングされると、Ｐ型シリコン基板１１の表面上の
シリコン酸化膜１１ｅを、エッチング液によってエッチ
ングする。この場合、フォトレジスト２０が積層された
シリコン酸化膜１１ｅ部分は、エッチング液によって除
去されず、フォトレジスト２０によって覆われていない
部分のみが除去される。そして、フォトレジスト２０
を、例えば溶剤によって除去すると、図４（ｅ）および
（ｆ）に示すように、シリコン酸化膜１１ｅは、フォト
レジスト２０がパターニングされた形状と同様の形状に
パターニングされる。

【００３３】その後、シリコン酸化膜１１ｅによって覆
われていないＰ型シリコン基板１１部分を、アルカリエ
ッチング液によってエッチングする。この場合、Ｐ型シ
リコン基板１１の結晶方位によって、エッチング速度に
異方性があり、図４（ｇ）および（ｈ）に示すように、
Ｐ型シリコン基板１１の表面は、四角錐形状の凹部およ
び凸部が縦方向および横方向に連続した形状にエッチン
グされるとともに、表面電極１２が設けられるストライ
プ状の電極設置凹部１１ｃが形成される。その後、シリ
コン酸化膜１１ｅが除去される。

【００３４】このような状態になると、Ｐ型シリコン基
板１１にＮ型不純物が拡散されて、Ｐ型シリコン基板１
１の表面に沿ってＮ型不純物拡散層１１ａが形成され
る。

【００３５】次に、図５（ａ）に示すように、Ｎ型不純
物拡散層１１ａが形成されたＰ型シリコン基板１１の表
面に、フォトレジスト２０が積層される。フォトレジス
ト２０は、Ｐ型シリコン基板１１の凹凸状になった表面
が、薄く覆われるような厚さに積層される。これによ
り、電極設置凹部１１ｃ上には、フォトレジスト２０が
厚く積層された状態になる。

【００３６】次いで、Ｐ型シリコン基板１１の電極設置
凹部１１ｃに積層されたフォトレジスト２０部分を、形
成すべき表面電極１２に対応したストライプ状にパター
ニングする。この場合のパターニングも、所定のパター
ンが設けられたガラスマスクをフォトレジスト２０に密
着させて、ガラスマスクを露光し、フォトレジスト２０
を現像することによって行われる。これにより、図５
（ｂ）に示すように、電極設置凹部１１ｃ上のフォトレ
ジスト２０部分には、ストライプ状の凹部２１が形成さ
れる。電極設置凹部１１ｃ上に形成されるストライプ状
の凹部２１は、電極設置凹部１１ｃ上にフォトレジスト
２０が厚く積層されているために、フォトレジスト２０
の表面から深く形成されている。

【００３７】その後、その凹部２１内に電極材料の金属
を、所定の高さに蒸着する。その後、溶剤によって、Ｐ
型シリコン基板１０に積層されたフォトレジスト２０を
除去する。これにより、電極設置凹部１１ｃ上に、上下
方向に延びるストライプ状の表面電極１２が形成され
る。電極設置凹部１１ｃ上に形成される表面電極１２
は、Ｐ型シリコン基板１１の表面を覆うフォトレジスト
２０に設けられた凹部２１内に形成されるために、Ｐ型
シリコン基板１１の表面における凸部の最も高い部分よ
りも低いレベルにすることができる。

【００３８】なお、各表面電極１２は、上面が平坦にな
っている必要はなく、図６に示すように、幅方向の中央
部が先鋭的に突出した状態になるように、一対の傾斜面
を有するような形状であってもよい。また、一対の傾斜
面を設けずに、片側のみを傾斜させる構造としてもよ
い。

【００３９】このように各表面電極１２の表面が、幅方
向の中央部が突出するように一対の傾斜面を有する構成
では、各電極設置凹部１１ｃのそれぞれの内側面に各傾
斜面が対向した状態になり、ガラス板１５を通って入射
する太陽光は、各表面電極１２のそれぞれの傾斜面によ
って反射されて、電極設置凹部１１ｃの内側面からＰ型
シリコン基板１１内に、一層、効率よく入射する。従っ
て、シリコン太陽電池１０の太陽光に対する発電効率
は、さらに向上する。

【００４０】このように、表面に一対の傾斜面が設けら
れた表面電極１２を形成する場合には、図７に示すよう
に、電極設置凹部１１ｃを形成する際に、その幅方向中
央部の上方に対応するエッチング前のＰ型シリコン基板
１１表面上にも、シリコン酸化膜１１ｅが幅寸法が比較
的小さなストライプ状に残るように、パターニングして
おく。このような状態で、エッチングすると、Ｐ型シリ
コン基板１１の結晶方位のエッチング速度の異方性によ
って、電極設置凹部１１ｃの下面は、異なる方向に傾斜
した一対の傾斜面が連続して設けられた凹凸状に形成さ
れる。

【００４１】このように、下面が凹凸状になった電極設
置凹部１１ｃが形成されると、表面が平坦になった表面
電極１２を形成する場合と同様に、フォトレジスト２０
がＰ型シリコン基板２０の表面に積層されて、電極設置
凹部１１ｃ上に凹部２１が形成され、その凹部２１内
に、電極材料の金属が蒸着される。この場合、複数の傾
斜面が連続した電極設置凹部１１ｃの下面上には、その
電極設置凹部１１ｃの下面の形状に対応した状態で金属
が蒸着されるために、形成される表面電極１２の表面
は、一対の傾斜面が突き合わされて幅方向の中央部が上
方に突出した状態に形成される。このようにして、一対
の傾斜面を有する表面電極１２が形成され、その後、フ
ォトレジスト２０が溶剤によって除去される。

【００４２】

【発明の効果】本発明の太陽電池は、このように、半導
体基板の凹凸状になった表面部分に、電極設置凹部が設
けられて、その凹部に表面電極が設けられているため
に、表面電極によって反射される太陽光が効率よく半導
体基板内に入射され、発電効率が著しく向上する。電極
設置凹部は、半導体基板の凹凸状の表面を形成する際に
同時に形成されるために、製造が容易である。しかも、
表面電極は、半導体基板の表面から突出していないため
に、半導体基板の表面をガラス板によって覆う際に、ガ
ラス板を接着する接着剤層を、表面電極を覆うために特
別に厚くしなくても、ガラス板が剥離するおそれがな
い、また、接着剤層を特別に厚くする必要がないため
に、太陽電池は小型化される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の太陽電池の実施の形態の一例を示す一
部破断斜視図である。

【図２】その太陽電池の要部の断面図である。

【図３】その太陽電池の動作説明のために要部を拡大し
て示す断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｈ）は、それぞれ、その太陽電池の
シリコン基板の表面部を凹凸状に形成する工程を示す要
部の断面図である。

【図５】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、その太陽電
池のシリコン基板に表面電極を設ける工程を示す要部の
断面図である。

【図６】本発明の太陽電池の実施の形態の他の例を示す
要部の断面図である。

【図７】その太陽電池のシリコン基板の表面部を凹凸状
に形成する工程を示す要部の断面図である。

【図８】従来の太陽電池の一例を示す一部破断斜視図で
ある。

【図９】従来の太陽電池の他の例を示す一部破断斜視図
である。

【図１０】その太陽電池の動作説明のために要部を拡大
して示す断面図である。

【図１１】その太陽電池の表面電極の製造工程における
要部の拡大断面図である。

【符号の説明】

１０太陽電池１１Ｐ型シリコン基板１１ａＮ型不純物拡散層１１ｃ電極設置凹部１２表面電極１４接着剤層１５ガラス板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】表面部分から太陽光が入射することによ
り発電する半導体基板を有する太陽電池であって、太陽光が入射される半導体基板の表面部分が凹凸状にな
っており、その表面部分に、ストライプ状に窪んだ電極
設置凹部が設けられているとともに、電極設置凹部に、
凹凸状になった表面部分から突出しないように表面電極
が設けられており、前記表面電極は幅方向寸法よりも厚
さ方向の寸法が大きくなった断面縦長に構成されている
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】前記表面電極の表面は、照射される太陽光
を、ストライプ状の電極設置凹部における半導体基板の
内側面に対して効率的に入射させるべく、その内側面に
対向するように傾斜した傾斜面を有する請求項１に記載
の太陽電池。
【請求項３】前記電極設置凹部は、半導体基板の表面
を異方性エッチングすることにより凹凸状に形成する際
に、表面凹凸部のパターニングとは異なった形状にパタ
ーニングしたマスキングを行って同時に形成される請求
項１に記載の太陽電池。