WO2007060742A1 - 印刷マスク並びに太陽電池セル、フラットパネルディスプレイおよびチップコンデンサ - Google Patents

印刷マスク並びに太陽電池セル、フラットパネルディスプレイおよびチップコンデンサ Download PDF

Info

Publication number
WO2007060742A1
WO2007060742A1 PCT/JP2005/021781 JP2005021781W WO2007060742A1 WO 2007060742 A1 WO2007060742 A1 WO 2007060742A1 JP 2005021781 W JP2005021781 W JP 2005021781W WO 2007060742 A1 WO2007060742 A1 WO 2007060742A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
mask
electrode
printing
pattern
printing mask
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/021781
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Mitsunori Nakatani
Keizo Makino
Hisashi Tominaga
Original Assignee
Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha filed Critical Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
Priority to CN200580014018.6A priority Critical patent/CN101076452B/zh
Priority to EP05809635.5A priority patent/EP1955863B1/en
Priority to JP2006515508A priority patent/JPWO2007060742A1/ja
Priority to PCT/JP2005/021781 priority patent/WO2007060742A1/ja
Priority to US10/591,145 priority patent/US7906366B2/en
Publication of WO2007060742A1 publication Critical patent/WO2007060742A1/ja
Priority to HK08101968.8A priority patent/HK1112883A1/xx

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41CPROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
    • B41C1/00Forme preparation
    • B41C1/14Forme preparation for stencil-printing or silk-screen printing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M3/00Printing processes to produce particular kinds of printed work, e.g. patterns
    • B41M3/006Patterns of chemical products used for a specific purpose, e.g. pesticides, perfumes, adhesive patterns; use of microencapsulated material; Printing on smoking articles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1216Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by screen printing or stencil printing
    • H05K3/1225Screens or stencils; Holders therefor
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24777Edge feature

Definitions

  • the present invention relates to a print mask for forming a print pattern on a print object using a screen printing method.
  • the present invention also relates to solar cells, flat panel displays, and chip capacitors in which electrodes are formed using this printing mask.
  • the screen printing method is used to form electrodes for solar cells and electrodes for display devices such as liquid crystal display devices, plasma displays, and organic EL (ElectroLuminescence) displays.
  • the screen printing method is an electrode part cache (opening) that is printed on the object to be printed, and in the other part, a print mask with the emulsion embedded in the mesh is placed at a predetermined distance from the object to be printed.
  • a paste containing is supplied onto the printing mask. After that, the paste is extended on the printing mask with a squeegee, and only the mesh portion of the extended paste is supplied onto the print target.
  • the electrode is formed by firing the best supplied onto the object to be printed at a predetermined temperature corresponding to the electrode material.
  • emulsion thickness the thickness of the emulsion
  • smoothness of the emulsion ensured
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 4189545
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 11-245534
  • a back silver electrode is formed on the back surface (p-type silicon substrate side) of a semiconductor layer portion in which a pn junction is formed parallel to the substrate surface on a p-type silicon substrate.
  • a back aluminum electrode pattern is formed with a space between the back aluminum electrode pattern and a part of the back aluminum electrode pattern so as to overlap with a part of the back aluminum electrode pattern. It has a structure.
  • the emulsion thickness protruding to the printing target side of a normal printing mask currently used is about 14 m.
  • the bulge average film thickness at the edge of the back aluminum electrode pattern is It will be about 8 m thicker than the average film thickness at the center. This is about 6 m thick even if a printing mask with an emulsion thickness of 5 / zm described in Patent Document 1 is used.
  • the average film thickness at the edge is greater than 5 m than the average film thickness at the center of the back aluminum electrode pattern, it is then placed between the back aluminum electrode patterns and part of the back aluminum electrode pattern.
  • the bulge at the edge portion in the back aluminum electrode pattern on the back surface (p-type silicon substrate side) of the solar battery cell can be suppressed.
  • a fine pattern such as a letter shape, a chevron, a waveform, and a circle on the outline of the coating pattern of the printing mask.
  • the present invention has been made in view of the above, and for applying an electrode by a screen printing method.
  • the purpose is to obtain a print mask in which the difference between the average film thickness at the edge and the average film thickness at the center of the print pattern formed with this print mask is 5 m or less.
  • printing that can easily produce a pattern to be formed on the contour of the coating pattern so that the difference between the average film thickness at the edge of the printing pattern and the average film thickness at the center is 5 ⁇ m or less.
  • the object is also to obtain a mask. Furthermore, it aims at obtaining the photovoltaic cell, flat panel display, and chip capacitor which have the electrode manufactured using these printing masks.
  • the printing mask according to the present invention is configured so that the region corresponding to the electrode pattern formed on the print target of the mesh stretched on the mask frame is opened.
  • the mask portion has a protruding portion formed so as to protrude from the mesh on the side of the mesh facing the object to be printed.
  • the thickness of the protrusion is such that when the electrode pattern is formed with the printing mask, the difference in average film thickness between the edge of the electrode pattern and the other part is 5 ⁇ m or less. It is characterized by being.
  • the rising thickness at the edge portion of the electrode pattern printed with the printing mask can be suppressed. More specifically, the difference between the average film thickness at the edge portion of the electrode pattern and the average film thickness at the center portion can be 5 m or less.
  • the overlapping electrode pattern is formed on the edge portion of the electrode pattern that has already been formed. This prevents the cut off at the bulge and makes it easier to print after the formation process of the electrode pattern on the overlapping side, which has the effect of improving the yield of non-defective products.
  • since only the printing mask needs to be changed it is possible to manufacture a high-quality product at a low cost without having to change the conventional manufacturing process.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a printing mask according to the present invention.
  • FIG. 2-1 shows an example of the pattern of the printing mask for forming the back aluminum electrode.
  • Fig. 2-2 is a plan view showing an example of a pattern of a printing mask for forming a back silver electrode.
  • Fig. 2-3 is a plan view showing an example of a pattern of a printing mask for forming a surface silver electrode.
  • FIG. 3-1 is a top view of a solar battery cell having an electrode formed using a printing mask according to the present invention.
  • Fig. 3-2 is a back view of the solar cell of Fig. 3-1.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 3-2.
  • Fig. 5-1 is a cross-sectional view showing an example of the procedure of a method for manufacturing a solar cell (part 1).
  • FIG. 5-2 is a cross-sectional view showing an example of the procedure of the method for manufacturing a solar battery cell (part 2).
  • FIG. 5-3 is a cross-sectional view showing an example of the procedure of the method for manufacturing the solar battery cell (part 3).
  • FIG. 5-4 is a cross-sectional view showing an example of the procedure of the method for manufacturing a solar battery cell (part 4).
  • FIG. 5-5 is a sectional view showing an example of the procedure of the method for manufacturing the solar battery cell (part 5).
  • FIG. 5-6 is a cross-sectional view showing an example of the procedure of the method for manufacturing the solar battery cell (part 6).
  • FIG. 5-7 is a sectional view showing an example of the procedure of the method for manufacturing the solar battery cell (part 7).
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a conventional printing mask.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of a solar battery cell formed using a conventional printing mask.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the electrodes of the solar battery cell are formed using a conventional printing mask.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a state of an edge portion and a central portion of an electrode pattern.
  • FIG. 10 is a graph showing a change in the aluminum thickness difference with respect to the emulsion thickness of the protruding portion of the printing mask.
  • FIG. 11 is a diagram showing the relationship between the conditions of the substrate mask when measuring the substrate cracking rate and the substrate cracking rate in the thickness of each substrate.
  • FIG. 12 is a plan view schematically showing a structure of a printing mask according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13-1 is a diagram showing a plan view of a printing mask for forming a pattern for a back aluminum electrode of a solar battery cell.
  • FIG. 13-2 is a diagram showing a plan view of a printing mask for forming a pattern for a back silver electrode of a solar battery cell.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a printing mask according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a view schematically showing a cross section of an electrode pattern formed using the printing mask according to the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a printing mask that is effective in the present invention
  • FIG. 2-1 is a plan view showing an example of a printing mask pattern for forming a back aluminum electrode
  • Fig. 2-2 is a plan view showing an example of a print mask pattern for forming a back silver electrode
  • Fig. 2-3 is a plan view showing an example of a print mask pattern for forming a front silver electrode
  • Fig. 3-1 is a top view of a solar cell having an electrode formed using a printing mask that is effective in the present invention
  • Fig. 3-2 is a diagram of the solar cell of Fig. 3-1.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • FIGS. 5-1 to 5-7 are cross-sectional views showing an example of the procedure of the solar cell manufacturing method.
  • 6 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a conventional print mask
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of a solar battery cell formed using the conventional print mask
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a state in which the electrode of the solar battery cell is formed using the printing mask of FIG. 9, and
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing the state of the edge portion and the center portion of the electrode pattern
  • Fig. 10 is a graph showing the change in the aluminum thickness difference with respect to the emulsion thickness of the protrusions on the printing mask
  • this printing mask 1 has a mesh opening at a portion other than the electrode pattern forming position of the mesh 2 made of a mesh-woven material stretched on the mask frame 5. Is sealed with a resin such as a polymer emulsion containing a photosensitizer.
  • a resin such as a polymer emulsion containing a photosensitizer.
  • the portion of the mesh 2 that is blocked by the grease is referred to as a mask portion 3
  • the portion corresponding to the formation position of the electrode pattern that is not blocked by the grease is the opening portion 4 (the opening in the claims, Corresponding to the open area).
  • the mask portion 3 is formed by forming a resin so that the surface force of the mask portion 3 protrudes at least inside the mesh 2 and on the side facing the printing target of the mesh 2.
  • the former is referred to as the embedded portion 3b
  • the latter is referred to as the protruding portion 3a.
  • the thickness tl of the embedded portion 3b is the same as the thickness of the mesh 2 to be used.
  • the thickness of the protruding portion 3a (hereinafter referred to as emulsion thickness) t2 is less than 5 m, more preferably 3 m. It is formed as follows.
  • the structure of such a printing mask 1 is the back silver electrode (Fig. 2-2) and the front silver electrode (Fig. 2-3 ).
  • the printing mask of the present invention is particularly effective when forming an electrode having a large area of lm m 2 or more by screen printing.
  • Such a printing mask 1 is manufactured by the following method. First, a high-viscosity liquid emulsion containing a photosensitive agent is applied to mesh 2 and dried. At this time, the polymer emulsion containing the photosensitive agent is applied so that the single-sided force of the mesh 2 protrudes by a predetermined thickness due to the outward force. After that, exposure to a pattern of a desired size (for example, each electrode pattern shown in FIGS. 2-1 to 2-3) is performed by photolithography, development, and drying. As a result, the print mask 1 shown in FIG. 1 having the embedded portion 3 inside the mesh 2 other than the electrode pattern formation position and the protruding portion 3a outside the print target side of the mesh 2 is completed.
  • a pattern of a desired size for example, each electrode pattern shown in FIGS. 2-1 to 2-3
  • this method of manufacturing the printing mask 1 is an example, and other methods may be used as long as the mask portion 3 having a protrusion 3a with a thickness of less than 5 m can be manufactured! / ⁇ .
  • a high-viscosity liquid emulsion containing a light-sensitive agent is applied to the squeegee contact surface side of mesh 2 (upper side in Fig. 1) so that it does not penetrate mesh 2, and is then dried. Expose, develop and dry a pattern of the desired size (eg, each electrode pattern shown in Figure 2-1 to Figure 2-3). As a result, the electrode pattern formation position in mesh 2 The embedded portion 3b is formed at a position other than the position.
  • a high-viscosity liquid emulsion containing a photosensitive agent is applied to the printing target side of Mesh 2 (the lower side in Fig. 1) and dried. Expose, develop and dry. As a result, the protrusion 3a is formed at a position other than the electrode pattern forming position outside the printing object side of the mesh 2, and the printing mask 1 shown in FIG. 1 is completed.
  • the characteristics of this print mask will be described by taking as an example a solar battery cell in which an electrode is formed using this print mask 1 and a solar battery cell in which an electrode is formed using a conventional print mask.
  • the solar cell 20 includes a p-type silicon substrate 22 as a semiconductor substrate, and an n-type diffusion layer 23 in which the conductivity type of the surface of the p-type silicon substrate 22 is reversed.
  • P + layer also referred to as a BSF (Back Surface Field) layer 29 containing high concentration impurities, a semiconductor layer portion 21 having a powerful photoelectric conversion function, and incident light provided on the light receiving surface of the semiconductor layer portion 21
  • the surface silver bus electrode 26 provided almost perpendicular to the surface silver grid electrode 25 in order to take out the generated electricity, and the semiconductor layer portion 21 for the purpose of taking out the electricity generated in the semiconductor layer portion 21 and reflecting incident light Back surface provided on almost the entire back surface (surface facing the light receiving surface) Comprises an electrode 27, a back silver electrode 28 to collect the electricity generated in the back aluminum electrode 27.
  • the surface silver grid electrode 25 and the surface silver bus electrode 26 are collectively referred to as the surface silver electrode.
  • the sunlight is from the light-receiving surface side of solar cell 20 to the pn junction surface of semiconductor layer portion 21 (the junction surface between the p-type silicon substrate and the n-type diffusion layer).
  • the pn junction surface of semiconductor layer portion 21 the junction surface between the p-type silicon substrate and the n-type diffusion layer.
  • the generated electrons move toward the n-type diffusion layer 23, and the holes move toward the p + layer 29.
  • electrons are excessive in the n-type diffusion layer 23, and holes are excessive in the p + layer 29.
  • photovoltaic power is generated.
  • This photovoltaic power is generated in the direction in which the pn junction is forward-biased, the front silver bus electrode 26 connected to the n-type diffusion layer 23 becomes the negative pole, and the back silver electrode 28 connected to the p + layer 29 becomes the positive pole.
  • a current flows through an external circuit (not shown).
  • a method for producing such a solar battery cell 20 will be described.
  • a p-type silicon substrate 22 with surface treatment is prepared.
  • an n-type diffusion layer 23a whose conductivity type is inverted by thermally diffusing phosphorus is formed on the surface of the p-type silicon substrate 22.
  • phosphorus oxychloride (POC1) is used as a diffusion source of phosphorus.
  • the p-type silicon substrate 22 is left so that the n-type diffusion layer 23 is left only on one main surface.
  • the surface of 22 is etched and the resist is removed using an organic solvent.
  • an antireflection film 24 made of a silicon oxide film, a silicon nitride film, an oxide titanium film, or the like is formed on the surface of the n-type diffusion layer 23 by plasma CVD (Chemical Vapor Deposition).
  • the film is formed with a uniform thickness by a film formation method such as the) method.
  • the back aluminum is formed by screen printing. Electrode pattern 27a is formed.
  • the aluminum paste is applied on the back surface of the silicon substrate 22 according to the printing pattern (opening 4).
  • a back silver electrode pattern 28a is further formed on the back surface by screen printing as shown in FIGS. 5-6.
  • the silver paste is attached according to the printing pattern (opening 4) on the p-type silicon substrate 22 to which the back aluminum electrode pattern 27a is attached.
  • the back silver electrode pattern 28a is dried, the front and back sides are reversed, and the silver paste is deposited on the antireflection film 24 by screen printing as shown in FIGS. 5-7 and dried. At this time, the silver paste is attached onto the antireflection film 24 using the printing mask shown in FIG. Thus, the surface silver grid electrode pattern 25a and the surface silver bus electrode pattern 26a are selectively formed on the antireflection film 24.
  • the front and back electrode patterns including the front silver grid electrode pattern 25a, the front silver bus electrode pattern 26a, the back aluminum electrode pattern 27a, and the back silver electrode pattern 28a are simultaneously applied at about 700 ° C to 900 ° C for about several minutes. Bake.
  • the antireflection film 24 is melted by the glass material contained in the front silver paste constituting the front silver grid electrode pattern 25a and the front silver bus electrode pattern 26a.
  • Strength of silver material in strike 3 ⁇ 4-type silicon substrate 22 contacts with silicon in n-type diffusion layer 23 and resolidifies. This ensures conduction between the surface silver electrodes (surface silver grid electrode 25, surface silver bus electrode 26) and the n-type diffusion layer 23 of silicon.
  • the back aluminum electrode 27 is formed by this baking process, and the back aluminum electrode pattern 27a also reacts with the silicon in the p-type silicon substrate 22 to form a gap between the P-type silicon substrate 22 and the back aluminum electrode 27.
  • a p + layer 29 is formed on the substrate.
  • the thickness t3 of the protruding portion 3a of the mask portion 3 is 5 m or more.
  • solar cells 20 having the structure shown in FIG. 7 are manufactured. End up. That is, the film thickness 1S of the edge part 31 of the back aluminum electrode 27 becomes thicker than the average film thickness of the other part (center part), and the swell occurs. Then, when the back silver electrode 28 is formed on the back aluminum electrode 27 on which such a swell has occurred, the cross section of the back silver electrode 28 is easily cut off, and a blurred portion 32 is generated. When the faint portion 32 is present in this manner, the resistance becomes high and the cell resistance is greatly deteriorated.
  • FIG. 8 is a diagram schematically showing a state in which the front silver electrode is formed after the back aluminum electrode and the back silver electrode are formed using the conventional printing mask as shown in FIG.
  • the back surface of the solar battery cell 20 that has been dried by applying the back aluminum electrode pattern and the back silver electrode pattern to the back surface is reversed, and the back surface of the solar battery cell 20 is placed on the printing stage 41.
  • the printing stage 41 is provided with a vacuum hole 42.
  • a vacuum pump not shown to exhaust the air in the vacuum hole 42, a printing object (solar cell) placed on the printing stage 41 is provided. It has the function of holding and fixing the cell 20).
  • the printing mask 1 On the photovoltaic cell 20 (p-type silicon substrate) fixed on the printing stage 41, the printing mask 1 is arranged at a predetermined interval in a state of being aligned with the photovoltaic cell 20. Is done.
  • the silver paste 25b for forming the front silver grid electrode 25 and the front silver bus electrode 26 is thinly spread on the surface of the squeegee 43 side of the printing mask 1, and the squeegee 43 is pressed against the printing mask 1 in the figure.
  • By sliding in the direction of the arrow of The first 25b is extruded toward the solar battery cell 20, and a desired pattern is printed.
  • a silicon substrate for a solar cell is very thin, 0.1 to 0.3 mm, and is cracked, missing, or blocked. For this reason, when printing as shown in Fig. 8, the vacuum pressure of the printing stage 41 can be lowered to near the lowest value that can hold the photovoltaic cell 20 fixed, or the pressing force of the squeegee 43 can be printed. We are making an effort to lower it to near the lowest limit.
  • the edge portion 31 of the back aluminum electrode 27 is raised as in the conventional solar battery cell 20 shown in FIG. 7, the vacuum pressure of the printing stage 41 during front electrode printing in FIG. If the height is not increased, the solar battery cell 20 (p-type silicon substrate) slides from the printing stage 41 during printing, and the printing pattern is misaligned. As a result, the solar battery cell 20 composed of a thin silicon substrate may break.
  • dmean the value of dmax-dmean is the aluminum thickness difference.
  • the emulsion thickness t2 of the protrusion 3a is set to 5 ⁇ m or less, the aluminum thickness difference becomes 5 ⁇ m or less, and the printing stage 41 vacuum-sucks the pressing force of the squeegee 43 and the solar battery cell 20. Even if the vacuum pressure is applied to the solar battery cell 20, it is almost 70MPa of local stress, so that the situation that the thin silicon substrate breaks is almost eliminated.
  • Fig. 11 shows the result of comparing the cracking rate of the substrate when forming the surface silver electrode pattern.
  • a conventional printing mask having an emulsion thickness t2 of the protrusion 3a of the mask portion 3 of 14 ⁇ m, a mesh number of 400, and a wire diameter of 23 / zm was used.
  • the average aluminum film thickness dmean is 29 m
  • the average film thickness dm ax of the edge 31 is 37 ⁇ m
  • the aluminum thickness difference dmax-dmean was 8 ⁇ m.
  • an emulsion thickness t2 of the protruding portion 3a of the mask portion 3 is 3 ⁇ m, the number of meshes is 400, and the wire diameter is 23 m.
  • the average aluminum film thickness dmean is 27 ⁇ m
  • the average film thickness dmax of the edge 31 is 32 ⁇ m
  • the aluminum thickness difference is 5 ⁇ m. m.
  • the crack rate was 1% when the substrate thickness was 200 m. 1S Overall, the crack rate related to the thickness of the substrate was extremely low. .
  • the thickness of the protruding portion 3a on the printing target side of the printing mask is set to be smaller than 5 ⁇ m, more preferably 3 m or less, so that the edge portion of the electrode pattern
  • the difference between the average film thickness and the average film thickness at the center can be made 5 m or less.
  • the first electrode pattern and a portion including at least the edge portion of the first electrode pattern are overlaid.
  • the difference between the average film thickness of the edge portion of the first electrode pattern and the average film thickness of the other portions should be 5 ⁇ m or less.
  • the second electrode pattern formed on the first electrode pattern has an effect of suppressing the occurrence of a blurred portion.
  • a device having an electrode formed using this printing mask 1 since a device having an electrode formed using this printing mask 1 only changes the mask structure and mask pattern, it has been conventionally used and is inexpensive by using a manufacturing method (manufacturing equipment). High quality products can be manufactured at a high yield rate.
  • the rising amount at the edge 31 of the back aluminum electrode 27 is as small as 5 m or less, and the defective product rate is reduced. It's a little tricky to make.
  • FIG. 12 is a plan view schematically showing the structure of the printing mask according to the second embodiment of the present invention.
  • This printing mask is used when forming the printed pattern of the back aluminum electrode 27 of the solar battery cell 20 shown in FIG. 3-2.
  • a linear mask portion 3 corresponding to the formation position of the back silver electrode 28 is formed by a resin such as an emulsion, as in FIG. 2-1. That is, the opening 4 for forming the pattern of the back aluminum electrode 27 (hereinafter also referred to as a back aluminum electrode pattern formation region, which also corresponds to the opening and the opening region in the claims) and the back aluminum electrode pattern formation region.
  • the other back aluminum electrode pattern forming region adjacent to is disposed at a predetermined distance.
  • a peripheral pattern portion 3c having a predetermined width is formed with a resin such as an emulsion at the peripheral portion of the back aluminum electrode pattern formation region (opening 4). More specifically, along the outer periphery of the back aluminum electrode pattern formation region (opening 4) at a position away from the outer periphery of the back aluminum electrode pattern formation region (opening 4) by a predetermined distance. Thus, the peripheral pattern portion 3c is formed by a resin having a predetermined width L. In the example of FIG. 12, grease is formed in a frame shape at the periphery of the back aluminum electrode pattern formation region.
  • the formation position of the resin formed on the peripheral edge portion may be between the position of the raised portion formed on the edge 31 of the back aluminum electrode pattern 27a and the end of the back aluminum electrode pattern formation region.
  • the type of electrode material paste used size of metal particles used, shape (there are flat particles in addition to spheres), paste viscosity) and printing mask
  • the number of brushes is appropriately changed according to the wire diameter.
  • the aluminum paste contains aluminum particles having a particle size of 1 to 15 m, and has a viscosity of 30 to LOOPa's as measured by a B-type rotor viscometer.
  • a mesh 2 of the printing mask 1 When using a mesh with a mesh power of 150 to 400 and a wire diameter of 3 to 45 ⁇ m, the edge (edge) of the back aluminum electrode pattern formation area (opening 4) is 0.1 mm. It is desirable to arrange a line pattern with a line width L of 0.2 mm or less in a frame shape within the range of 0.5 mm or more.
  • the silver paste contains silver particles having a particle size of 1 ⁇ m or less, and B-type rotor viscometer measurement is performed.
  • the viscosity is 40 to 150? & '5
  • the mesh 2 of the printing mask 1 is a mesh with 250 to 500 meshes and a wire diameter of 18 to 30 ⁇ m.
  • a line pattern with a line width L of 0.1 to 0.2 mm is solved within 0.1 mm or more and 0.5 mm from the edge (edge) of the silver electrode pattern formation region (opening). Can be imaged.
  • Such a printing mask is manufactured, for example, by the following method. First, a high-viscosity liquid polymer emulsion containing a photosensitive agent is applied to the mesh 2 and dried. At this time, the polymer emulsion containing the photosensitive agent is applied so that the single-sided force of the mesh 2 also projects outwardly by a predetermined thickness. Thereafter, a pattern having a desired size (for example, each electrode pattern shown in FIG. 12) is exposed, developed and dried by photolithography. As a result, the mesh 2 other than the electrode pattern formation position has the embedded portion 3 and the peripheral pattern portion 3c at a position where the outer peripheral force of the electrode pattern formation region (opening 4) also enters inside by a predetermined distance.
  • a high-viscosity liquid polymer emulsion containing a photosensitive agent is applied to the mesh 2 and dried. At this time, the polymer emulsion containing the photosensitive agent is applied so that the single-sided force of the mesh 2 also projects outwardly by
  • the printing mask shown in Fig. 12 is completed.
  • This printing mask manufacturing method is merely an example, and the embedded portion 3 is provided in addition to the electrode pattern formation position, and the outer peripheral force of the electrode pattern formation region (opening 4) is located at a position within the predetermined distance.
  • the one having the peripheral pattern portion 3c can be produced, it may be produced by other methods! / ⁇ .
  • a high-viscosity liquid polymer emulsion containing a photosensitive agent is applied to the squeegee contact surface side of the mesh so that it does not penetrate the mesh and is dried.
  • the pattern shown in FIG. 12 is exposed, developed, and dried. Thereby, the embedded portion 3b of the mask portion 3 is formed.
  • the embedded portion (peripheral pattern portion 3c) is also formed at a position that is inside by a predetermined distance.
  • the side force of the mesh to be printed is also the same as the embedding part 3b including the peripheral pattern part 3c by photolithography, after coating a liquid polymer emulsion containing a high-viscosity liquid with high viscosity and drying it. Expose, develop and dry a pattern of size. Thereby, the protrusion part 3a of the mask part 3 is formed.
  • the emulsion thickness t2 of the protrusion 3a can be set to an arbitrary thickness.
  • FIG. 13-1 to FIG. 13-2 are plan views showing other examples of the printing mask that is useful for the present invention.
  • These print masks shown in Fig. 13-1 to Fig. 13-2 are print masks for forming electrode patterns formed on the back side of the solar battery cells, and unlike Fig. 12, they are current collector electrodes. This shows a case where the line is formed on a straight spot.
  • Fig. 13-1 shows a plan view of a print mask for forming a pattern for a back aluminum electrode of a solar cell
  • Fig. 13-2 shows a plan view of a print mask for forming a pattern for a back silver electrode of a solar cell. Is shown. As shown in FIG.
  • the boundary force with the back aluminum electrode pattern formation region (opening 4) of the mask part 4 is also inside by a predetermined distance, and the peripheral pattern part 3c having a predetermined width is formed of resin. Is done.
  • the back silver electrode pattern shown in Fig. 13-2 has no line pattern on the back silver electrode pattern formation area (opening 4) because no other electrode pattern is formed on the back silver electrode pattern. (Peripheral pattern part 3c) is formed! Note that the size of the opening 4 is not less than the region surrounded by the peripheral pattern portion 3c in FIG. 13-1.
  • the printing mask in which the line pattern is formed on the peripheral portion of the electrode pattern forming region of the second embodiment can be applied to all printing masks. In other words, it can be applied to the conventional printing mask, or to the printing mask described in the first embodiment.
  • the printing mask according to the second embodiment is applied to the fact that the minute pattern formed on the mesh cannot be resolved by the paste flow, and the raised portion formed at the end of the electrode pattern. A minute line pattern is placed at a position corresponding to, and the amount of swell is suppressed. And with this printing mask, as in the case of the first embodiment, the electrode The difference between the average film thickness at the edge of the turn and the average film thickness at the center can be 5 m or less.
  • the solar battery cell 20 in which the occurrence of the blurring portion 32 is prevented is manufactured. Can do.
  • the line pattern is provided in the peripheral portion of the electrode pattern formation region (opening 4) of the print mask, so that when the electrode pattern is formed using this print mask, the electrode Swelling at the edge of the pattern can be suppressed.
  • the line pattern (peripheral pattern portion 3c) formed on the peripheral portion of the electrode pattern formation region (opening 4) of the printing mask is simple. This also has the effect of facilitating the manufacture of
  • FIG. 14 is a sectional view schematically showing the structure of the printing mask according to the third embodiment of the present invention.
  • This printing mask 1 has a mesh opening made of a material such as mesh-woven stainless steel stretched on a mask frame 5 and a mesh opening in a portion other than the electrode pattern formation position of resin, such as a polymer emulsion containing a photosensitive agent. Formed by closing with.
  • the mask portion 3 of this embodiment 3 has an opening portion 4 (opening in claims) by a predetermined length from the end portion of the protruding portion 3a of the end portion force of the embedded portion 3b formed inside the mesh.
  • the embedded portion 3b has a thickness tl equal to the thickness of the mesh 2 to be used, and the emulsion thickness t4 of the protruding portion 3a.
  • the structure of the printing mask 1 is not limited to the back aluminum electrode (Fig. 2-1) used in the manufacture of solar cells, but also to the back silver electrode (Fig. 2). — 2) and can also be applied to the printing mask 1 that forms the front silver electrode ( Figure 2-3), where the end of the protrusion 3a is about 0.3 mm longer than the end of the embedded portion 3b. It is configured to be inside.
  • a high-viscosity liquid polymer emulsion containing a photosensitive agent is applied to the squeegee contact surface side of the mesh 2 so as not to penetrate the mesh 2 and dried.
  • Rhino Expose develop and dry the pattern (eg, the pattern shown in Fig. 2-1 to Fig. 2-3).
  • the embedded portion 3b of the mask portion 3 is formed.
  • a high-viscosity liquid polymer emulsion containing a photosensitive agent is applied to the outside of the mesh 2 from the printing target side and dried, and then a predetermined size larger than the desired size (embedded portion 3b above) is obtained by photolithography.
  • Expose, develop, and dry a pattern with the outer edge of the outer edge positioned on the inside.
  • the protruding portion 3a of the mask portion 3 is formed, and the printing mask 1 shown in FIG. 14 is completed.
  • FIG. 15 is a diagram schematically showing a cross section of an electrode pattern formed using this printing mask.
  • the surface silver electrode pattern 25a (26a) is formed on the semiconductor layer portion 21 using the printing mask 1 in which the end portion of the protruding portion 3a is formed inside the end portion of the embedded portion 3b, the surface silver electrode is formed. Swelling at the edge of the pattern 25a (26a) is suppressed. This is because the embedding part 3b (corresponding to the edge part of the electrode pattern) in the mesh 2 where the protruding part 3a is not formed has an emulsion thickness of 0 m, and the film thickness in this part becomes small. It is.
  • the distance between the end of the protruding portion 3a and the end of the embedded portion 3b must be wider than the distance at which the bulge of the edge portion of the formed electrode pattern is formed, and is about 0.3 mm. It becomes.
  • the swell at the edge portion of the electrode pattern formed by the printing mask 1 can be suppressed.
  • another electrode pattern is formed on top of this swell, it is possible to prevent the occurrence of an electrode fading portion in which the electrode pattern on the side to be superposed is stretched due to the swell.
  • a display arranged in a matrix that performs display by switching light of a self-luminous element or other light source power The electrodes of a flat panel display such as a liquid crystal display, an organic EL display and a plasma display having a device, a circuit for driving each display device, and electrodes of a predetermined pattern connected to the circuit are stacked in multiple layers.
  • the printing mask described above can be used.
  • the above-described printing mask can be used when forming the internal electrodes.
  • the printing mask according to the present invention is useful for the screen printing method, and particularly suitable for forming a plurality of electrodes so as to overlap each other.

Abstract

 スクリーン印刷法で電極を塗布するための印刷マスクで形成された印刷パターンのエッジ部における平均膜厚と中央部における平均膜厚との差が5μm以下となる印刷マスクを得ること。  マスク枠5に張設されたメッシュ2の印刷対象に形成する電極パターンに対応した領域を開口部4とし、それ以外の領域に樹脂を埋め込んでマスク部3とした印刷マスク1において、マスク部3は、メッシュ2の印刷対象に対向する側にメッシュ2よりも突出して形成された突出部3aを有し、突出部3aの厚さは、印刷マスク1で電極パターンを形成したときに、電極パターンの端部とそれ以外の部分での平均膜厚の差が5μm以下となる厚さである。

Description

明 細 書
印刷マスク並びに太陽電池セル、フラットパネルディスプレイおよびチップ コンデンサ
技術分野
[0001] この発明は、スクリーン印刷方法を用いて印刷対象物に印刷パターンを形成するた めの印刷マスクに関するものである。また、この印刷マスクを用いて電極を形成した 太陽電池セル、フラットパネルディスプレイおよびチップコンデンサにも関するもので ある。
背景技術
[0002] スクリーン印刷法は、太陽電池の電極形成や、液晶表示装置、プラズマディスプレ ィ、有機 EL (ElectroLuminescence)ディスプレイなどの表示装置の電極形成に用い られる。スクリーン印刷法は、印刷対象に印刷する電極部分カ ッシュ(開口)となつ ており、他の部分はメッシュに乳剤が埋め込まれた印刷マスクを印刷対象に所定の 距離を置いて配置し、電極材料を含むペーストを印刷マスクの上に供給する。その 後、スキージでペーストを印刷マスク上に延ばし、延ばされたペーストのうちメッシュの 部分のみペーストが印刷対象上に供給される。そして、印刷対象上に供給されたべ 一ストを電極材料に応じた所定の温度で焼成することによって、電極が形成される。
[0003] このスクリーン印刷法で使用される印刷マスクとして、従来、メッシュのスキージ側か ら乳剤を塗着し、その後に印刷対象側カゝら乳剤を塗着することによって、印刷対象側 に突出した乳剤の膜厚 (以下、乳剤厚という)を 5 mにするとともに、その平滑性を 確保した印刷マスクが提案されている (たとえば、特許文献 1参照)。
[0004] また、従来、ペーストを印刷対象上に塗布する際に、印刷マスクのメッシュ部分の端 部付近の塗布されたペーストの平均膜厚力 塗布されたペーストの他の部分の平均 膜厚よりも大きくなる傾向があった。そこで、これを緩和するために、塗布パターンの 端部に向力うにつれて印刷マスク力 押し出されるペーストの量が段階的に少なくな るように、コの字状、山形、波形、円形などの微細パターンを印刷マスクの塗布パター ンの輪郭部に形成した印刷マスクを用いてスクリーン印刷を行う方法が提案されて ヽ る (たとえば、特許文献 2参照)。
[0005] 特許文献 1 :特開平 4 189545号公報
特許文献 2:特開平 11― 245534号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] ところで、一般的な太陽電池セルは、たとえば p型のシリコン基板に pn接合が基板 面に平行に形成された半導体層部の裏面 (p型シリコン基板側)に、裏銀電極を形成 するための間隔を直線状にあけて裏アルミ電極パターンが形成され、これらの裏アル ミ電極パターンの間と裏アルミ電極パターンの一部に重なるように集電のための裏銀 電極が形成される構造を有して 、る。
[0007] 現在使用されている通常の印刷マスクの印刷対象側に突出した乳剤厚は 14 m 前後である。このような印刷マスクを用いて、上記太陽電池セルの裏面 (p型シリコン 基板側)に裏アルミ電極パターンを塗布する場合には、裏アルミ電極パターンのエツ ジ部の盛り上がり平均膜厚は、それ以外の中央部の平均膜厚よりも 8 m程度厚くな つてしまう。これは、特許文献 1に記載の乳剤厚が 5 /z mの印刷マスクを用いたとして も 6 m程度厚くなる。一般的に、裏アルミ電極パターンの中央部の平均膜厚よりも エッジ部の盛り上がり平均膜厚が 5 mよりも大きくなると、その後に裏アルミ電極バタ ーン間と裏アルミ電極パターンの一部に重ねて形成する裏銀電極パターンが途切れ てしまうという問題点があった。なお、このような問題点は、スクリーン印刷法を用いて 電極パターンを形成する太陽電池セルのほかに、液晶表示装置や有機 EL表示装 置、プラズマディスプレイ装置などのフラットパネルディスプレイや、チップコンデンサ に電極パターンを形成する際にも生じて 、た。
[0008] また、特許文献 2に記載のスクリーン印刷方法では、たとえば上記太陽電池セルの 裏面 (p型シリコン基板側)の裏アルミ電極パターンにおけるエッジ部での盛り上がり を抑制することはできるが、コの字状、山形、波形、円形などの微細パターンを印刷 マスクの塗布パターンの輪郭部に形成する手間が力かってしまうという問題点があつ た。
[0009] この発明は上記に鑑みてなされたもので、スクリーン印刷法で電極を塗布するため の印刷マスクで形成された印刷パターンのエッジ部における平均膜厚と中央部にお ける平均膜厚との差が 5 m以下となる印刷マスクを得ることを目的とする。また、印 刷パターンのエッジ部における平均膜厚と中央部における平均膜厚との差が 5 μ m 以下となるように、塗布パターンの輪郭部に形成するパターンを容易に作製すること ができる印刷マスクを得ることも目的とする。さらに、これらの印刷マスクを用いて製造 された電極を有する太陽電池セル、フラットパネルディスプレイおよびチップコンデン サを得ることも目的とする。
課題を解決するための手段
[0010] 上記目的を達成するため、この発明に力かる印刷マスクは、マスク枠に張設された メッシュの印刷対象に形成する電極パターンに対応した領域が開口されるように、そ れ以外の領域に榭脂を埋め込んでマスク部を形成した印刷マスクにぉ 、て、前記マ スク部は、前記メッシュの前記印刷対象に対向する側に前記メッシュよりも突出して形 成された突出部を有し、前記突出部の厚さは、当該印刷マスクで電極パターンを形 成したときに、前記電極パターンの端部とそれ以外の部分での平均膜厚の差が 5 μ m以下となる厚さであることを特徴とする。
発明の効果
[0011] この発明によれば、この印刷マスクで印刷した電極パターンのエッジ部における盛 り上がり厚を抑制できる。より具体的には、電極パターンのエッジ部における平均膜 厚と中央部における平均膜厚との差が 5 m以下とすることができる。その結果、複 数の電極を重ねて印刷するデバイスの製造において、ある電極パターンにさらに他 の電極パターンを形成する場合に、重ねる側の電極パターンが、既に形成された電 極パターンのエッジ部の盛り上がり部で途切れることを防ぎ、重ねる側の電極パター ンの形成工程以降での印刷が容易になるため、製造での良品率が向上するという効 果を有する。また、印刷マスクのみを変更すればよいため、従来の製造工程を変更 する必要がなぐ安価に良質な製品を製造することができるという効果も有する。 図面の簡単な説明
[0012] [図 1]図 1は、この発明による印刷マスクの構成を模式的に示す断面図である。
[図 2-1]図 2— 1は、裏アルミ電極を形成するための印刷マスクのパターンの一例を示 す平面図である。
[図 2-2]図 2— 2は、裏銀電極を形成するための印刷マスクのパターンの一例を示す 平面図である。
[図 2-3]図 2— 3は、表銀電極を形成するための印刷マスクのパターンの一例を示す 平面図である。
[図 3-1]図 3— 1は、この発明による印刷マスクを用いて形成された電極を有する太陽 電池セルの上面図である。
[図 3-2]図 3— 2は、図 3— 1の太陽電池セルの裏面図である。
[図 4]図 4は、図 3— 2の A— A断面図である。
[図 5-1]図 5— 1は、太陽電池セルの製造方法の手順の一例を示す断面図である(そ の 1)。
[図 5-2]図 5— 2は、太陽電池セルの製造方法の手順の一例を示す断面図である(そ の 2)。
[図 5-3]図 5— 3は、太陽電池セルの製造方法の手順の一例を示す断面図である(そ の 3)。
[図 5-4]図 5— 4は、太陽電池セルの製造方法の手順の一例を示す断面図である(そ の 4)。
[図 5-5]図 5— 5は、太陽電池セルの製造方法の手順の一例を示す断面図である(そ の 5)。
[図 5-6]図 5— 6は、太陽電池セルの製造方法の手順の一例を示す断面図である(そ の 6)。
[図 5-7]図 5— 7は、太陽電池セルの製造方法の手順の一例を示す断面図である(そ の 7)。
[図 6]図 6は、従来の印刷マスクの構成を模式的に示す断面図である。
[図 7]図 7は、従来の印刷マスクを用いて形成した太陽電池セルの断面図である。
[図 8]図 8は、従来の印刷マスクを用いて太陽電池セルの電極を形成する状態を模式 的に示す断面図である。
[図 9]図 9は、電極パターンのエッジ部と中央部の状態を模式的に示す断面図である [図 10]図 10は、印刷マスクの突出部の乳剤厚に対するアルミ厚差異の変化を示すグ ラフである。
[図 11]図 11は、基板割れ率を測定する際の基板マスクの条件と、各基板の厚さにお ける基板割れ率の関係を示す図である。
[図 12]図 12は、この発明による印刷マスクの実施の形態 2の構造を模式的に示す平 面図である。
[図 13- 1]図 13— 1は、太陽電池セルの裏アルミ電極用パターン形成用の印刷マスク の平面図を示す図である。
[図 13-2]図 13— 2は、太陽電池セルの裏銀電極用パターン形成用の印刷マスクの 平面図を示す図である。
[図 14]図 14は、この発明による印刷マスクの実施の形態 3の構造を模式的に示す断 面図である。
[図 15]図 15は、この発明による印刷マスクを用いて形成された電極パターンの断面 を模式的に示す図である。
符号の説明
1 印居 IJマスク
2 メッシュ
3 マスク部
3a 突出部
3b 埋め込み部
3c 周縁パターン部
4 開口部
5 マスク枠
20 太陽電池セル
21 半導体層部
22 p型シリコン基板
23 n型拡散層 24 反射防止膜
25 表銀グリッド電極
26 表銀バス電極
27 裏アルミ電極
28 裏銀電極
29 p+層
41 印刷ステージ
42 真空穴
43 スキージ
発明を実施するための最良の形態
[0014] 以下に添付図面を参照して、この発明に力かる印刷マスク並びに太陽電池セル、 フラットパネルディスプレイおよびチップコンデンサの好適な実施の形態を詳細に説 明する。なお、これらの実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
[0015] 実施の形態 1.
図 1は、この発明に力かる印刷マスクの構成を模式的に示す断面図であり、図 2— 1 は、裏アルミ電極を形成するための印刷マスクのパターンの一例を示す平面図であり 、図 2— 2は、裏銀電極を形成するための印刷マスクのパターンの一例を示す平面図 であり、図 2— 3は、表銀電極を形成するための印刷マスクのパターンの一例を示す 平面図であり、図 3— 1は、この発明に力かる印刷マスクを用いて形成された電極を 有する太陽電池セルの上面図であり、図 3— 2は、図 3— 1の太陽電池セルの裏面図 であり、図 4は、図 3— 2の A— A断面図であり、図 5— 1〜図 5— 7は、太陽電池セル の製造方法の手順の一例を示す断面図である。また、図 6は、従来の印刷マスクの 構成を模式的に示す断面図であり、図 7は、従来の印刷マスクを用いて形成した太 陽電池セルの断面図であり、図 8は、従来の印刷マスクを用いて太陽電池セルの電 極を形成する状態を模式的に示す断面図であり、図 9は、電極パターンのエッジ部と 中央部の状態を模式的に示す断面図であり、図 10は、印刷マスクの突出部の乳剤 厚に対するアルミ厚差異の変化を示すグラフであり、図 11は、基板割れ率を測定す る際の基板マスクの条件と各基板の厚さにおける基板割れ率の関係を示す図である [0016] この印刷マスク 1は、図 1に示されるように、マスク枠 5に張設された網織りしたステン レスなどの材質でできたメッシュ 2の電極パターンの形成位置以外の部位のメッシュ 開口を、感光剤入り高分子乳剤などの樹脂で塞ぐことによって形成される。メッシュ 2 の榭脂で塞がれた部分を以下では、マスク部 3といい、榭脂で塞がれない電極バタ ーンの形成位置に対応する部分を開口部 4 (請求の範囲における開口、開口領域に 対応する)という。マスク部 3は、その形成位置において、少なくともメッシュ 2の内部と 、メッシュ 2の印刷対象に対向する側の面力 突出するように榭脂を形成することで構 成される。以下では、前者を埋め込み部 3bといい、後者を突出部 3aという。ここで、 埋め込み部 3bの厚さ tlは、使用するメッシュ 2の厚さと同じである力 突出部 3aの厚 さ(以下、乳剤厚という) t2は、 5 mよりも薄く、より好ましくは 3 m以下に形成され ることを特徴とする。このような印刷マスク 1の構造は、太陽電池セルの製造において 使用される裏アルミ電極(図 2— 1)のほかに、裏銀電極(図 2— 2)、表銀電極(図 2— 3)にも適用することができる。また、この発明の印刷マスクは、スクリーン印刷法で lm m2以上の大面積部を有する電極形成時に対して特に有効である。
[0017] このような印刷マスク 1は、つぎに示されるような方法によって製造される。まず、メッ シュ 2に粘度の高 、液状の感光剤入り高分子乳剤を塗布して乾燥させる。このとき、 感光剤入り高分子乳剤は、メッシュ 2の片面力も外部に向力つて所定の厚さだけ突出 するように塗布される。その後、写真製版技術で所望のサイズのパターン (たとえば、 図 2—1〜図 2— 3に示される各電極パターン)に露光、現像し、乾燥させる。これによ り、電極パターン形成位置以外のメッシュ 2の内部には埋め込み部 3を有し、メッシュ 2の印刷対象側外部には突出部 3aを有する図 1に示される印刷マスク 1が完成する。 なお、この印刷マスク 1の製造方法は一例であり、突出部 3aの厚さが 5 mよりも薄い マスク部 3を有するものを製造することができれば、他の方法で製造したものでもよ!/ヽ 。たとえば、メッシュ 2のスキージ接触面側(図 1中の上側)に、粘度の高い液状の感 光剤入り高分子乳剤を、メッシュ 2を貫通しないように塗布して乾燥させた後、写真製 版技術で所望のサイズのパターン (たとえば、図 2— 1〜図 2— 3に示される各電極パ ターン)に露光、現像し、乾燥させる。これにより、メッシュ 2内の電極パターン形成位 置以外の位置に埋め込み部 3bが形成される。その後、メッシュ 2の印刷対象側(図 1 中の下側)に、粘度の高い液状の感光剤入り高分子乳剤を塗布して乾燥させた後、 写真製版技術で上記と同一のサイズのパターンに露光、現像し、乾燥させる。これに よって、メッシュ 2の印刷対象側外部の電極パターン形成位置以外の位置に突出部 3aが形成され、図 1に示される印刷マスク 1が完成する。
[0018] つぎに、この印刷マスク 1を用いて電極を形成した太陽電池セルと、従来の印刷マ スクを用いて電極を形成した太陽電池セルを例に挙げて、この印刷マスクの特徴に ついて説明する。太陽電池セル 20は、図 3—1〜図 4に示されるように、半導体基板 としての p型シリコン基板 22と、この p型シリコン基板 22の表面の導電型が反転した n 型拡散層 23と、高濃度不純物を含んだ p +層(BSF (Back Surface Field)層ともいう ) 29と、力もなる光電変換機能を有する半導体層部 21と、この半導体層部 21の受光 面に設けられ入射光の反射を防止する反射防止膜 24と、この半導体層部 21で発電 された電気を局所的に集電するために受光面に設けられる表銀グリッド電極 25と、 表銀グリッド電極 25で集電された電気を取り出すために表銀グリッド電極 25にほぼ 直交して設けられる表銀バス電極 26と、半導体層部 21で発電された電気の取り出し と入射光の反射を目的として半導体層部 21の裏面 (受光面と対向する面)のほぼ全 面に設けられた裏アルミ電極 27と、この裏アルミ電極 27に生じた電気を集電する裏 銀電極 28と、を備える。なお、表銀グリッド電極 25と表銀バス電極 26をまとめて表銀 電極という。
[0019] このように構成された太陽電池セル 20では、太陽光が太陽電池セル 20の受光面 側から半導体層部 21の pn接合面 (p型シリコン基板と n型拡散層との接合面)に照射 されると、ホールと電子が生成する。 pn接合部の電界によって、生成した電子は n型 拡散層 23に向力つて移動し、ホールは p+層 29に向力つて移動する。これにより、 n 型拡散層 23に電子が過剰となり、 p+層 29にホールが過剰となる結果、光起電力が 発生する。この光起電力は pn接合を順方向にバイアスする向きに生じ、 n型拡散層 2 3に接続した表銀バス電極 26がマイナス極となり、 p +層 29に接続した裏銀電極 28 がプラス極となって、図示しない外部回路に電流が流れる。
[0020] つぎに、このような太陽電池セル 20の製造方法の一例について説明する。まず、 図 5— 1に示されるように、表面処理を施した p型シリコン基板 22を用意する。ついで 、図 5— 2に示されるように、リンを熱的に拡散させることによって導電型を反転させた n型拡散層 23aを p型シリコン基板 22の表面に形成する。通常、リンの拡散源として、 ォキシ塩化リン(POC1 )が用いられる。
3
[0021] ついで、 p型シリコン基板 22の一主面をレジストで保護した後、図 5— 3に示されるよ うに、一主面のみに n型拡散層 23を残すように、 p型シリコン基板 22の表面をエッチ ングし、レジストを有機溶剤などを用いて除去する。その後、図 5— 4に示されるように 、 n型拡散層 23の表面に、シリコン酸ィ匕膜やシリコン窒化膜、酸ィ匕チタン膜などから なる反射防止膜 24をプラズマ CVD (Chemical Vapor Deposition)法などの成膜法 によって、一様な厚みで形成する。
[0022] ついで、図 5— 5に示されるように、 p型シリコン基板 22の n型拡散層 23が形成され ている面に対向する面(以下、裏面という)に、スクリーン印刷法で裏アルミ電極パタ ーン 27aを形成する。このとき、図 2—1に示される印刷マスクを用いてアルミペースト 力 ¾型シリコン基板 22の裏面上に、印刷パターン(開口部 4)にしたがって付着される 。裏アルミ電極パターン 27aを乾燥した後、図 5— 6に示されるように、スクリーン印刷 法で裏面にさらに裏銀電極パターン 28aを形成する。このとき、図 2— 2に示される印 刷マスクを用いて銀ペーストが、裏アルミ電極パターン 27aが付着された p型シリコン 基板 22上に、印刷パターン(開口部 4)にしたがって付着される。
[0023] 裏銀電極パターン 28aを乾燥させた後、表裏を反転させて、図 5— 7に示されるよう に、銀ペーストをスクリーン印刷法で、反射防止膜 24上に付着させ、乾燥させる。こ のとき、図 2— 3に示される印刷マスクを用いて、銀ペーストが、反射防止膜 24上に付 着される。これにより、反射防止膜 24上に表銀グリッド電極パターン 25aと表銀バス 電極パターン 26aが選択的に形成される。
[0024] そして、表銀グリッド電極パターン 25a、表銀バス電極パターン 26a、裏アルミ電極 パターン 27aおよび裏銀電極パターン 28aを含む表裏電極パターンを、同時に 700 °C〜900°C程度で数分間程度焼成する。この焼成により、 p型シリコン基板 22の表側 では、表銀グリッド電極パターン 25aと表銀バス電極パターン 26aを構成する表銀ぺ 一スト中に含まれるガラス材料によって反射防止膜 24が溶融して 、る間に、銀ぺー スト中の銀材料力 ¾型シリコン基板 22上部の n型拡散層 23中のシリコンと接触して再 凝固する。これにより、表銀電極 (表銀グリッド電極 25、表銀バス電極 26)とシリコンの n型拡散層 23との間の導通が確保される。また、この焼成工程により、裏アルミ電極 2 7が形成されるとともに、裏アルミ電極パターン 27aも p型シリコン基板 22中のシリコン と反応して、 P型シリコン基板 22と裏アルミ電極 27との間に p +層 29が形成される。 以上により、表銀グリッド電極 25、表銀バス電極 26、裏アルミ電極 27および裏銀電 極 28が形成され、図 3— 1〜図 4に示される構造を有する太陽電池セル 20が製造さ れる。
[0025] ところで、従来の印刷マスクは、図 6に示されるように、マスク部 3の突出部 3aの厚さ t3が 5 m以上となっている。このような印刷マスク 1を用いて、上述した図 5—1〜図 5— 7に示される手順で太陽電池セルを製造した場合、図 7に示されるような構造の 太陽電池セル 20が製造されてしまう。つまり、裏アルミ電極 27のエッジ部 31の膜厚 1S 他の部分(中央部分)の平均膜厚よりも厚くなり、盛り上がりが生じてしまう。そして 、このような盛り上がりが生じた裏アルミ電極 27の上に、裏銀電極 28を形成すると、 裏銀電極 28の断面が途切れやすくなり、かすれ部 32が生じる。このようにかすれ部 3 2が存在すると、高抵抗となってしまい、セル抵抗が大きく劣化してしまう。
[0026] 図 8は、図 6のような従来の印刷マスクを用いて裏アルミ電極と裏銀電極を形成した 後に、表銀電極を形成する状態を模式的に示す図である。この図 8では、裏面に裏 アルミ電極パターンと裏銀電極パターンを塗布して乾燥させた太陽電池セル 20の表 裏を反転させて、太陽電池セル 20の裏面を印刷ステージ 41に載置した状態を示し ている。印刷ステージ 41には、真空穴 42が設けられており、図示しない真空ポンプ を用いて、真空穴 42中の空気を排気することによって、印刷ステージ 41上に載置さ れた印刷対象 (太陽電池セル 20)を保持して固定する機能を有して 、る。
[0027] 印刷ステージ 41上に固定された太陽電池セル 20 (p型シリコン基板)上には、印刷 マスク 1が太陽電池セル 20に対して位置合わせされた状態で所定の間隔をあけて配 置される。この印刷マスク 1のスキージ 43側の面上に表銀グリッド電極 25と表銀バス 電極 26を形成するための銀ペースト 25bを薄く広げておき、スキージ 43を印刷マスク 1に押し当てて、図中の矢印方向に摺動させることによって、開口部 4を通して銀ぺ 一スト 25bが太陽電池セル 20側に押出され、所望のパターンが印刷される。
[0028] 一般的に、太陽電池用のシリコン基板は 0. 1〜0. 3mmと非常に薄ぐ割れたり欠 けたりしゃすい。このため、図 8のように印刷する際に、印刷ステージ 41の真空圧を、 太陽電池セル 20を固定保持することができる最下限値近くまでに下げたり、スキージ 43の押し当てる力を印刷可能な最下限値近くまで下げたりする努力をしている。
[0029] し力し、図 7に示される従来の太陽電池セル 20のように、裏アルミ電極 27のエッジ 部 31が盛り上がっていると、図 8の表電極印刷時の印刷ステージ 41の真空圧を高く しなければ、印刷中に太陽電池セル 20 (p型シリコン基板)が印刷ステージ 41から滑 つてしまい、印刷パターンの位置ズレを起こしてしまう。その結果、薄いシリコン基板 で構成される太陽電池セル 20が割れてしまうこともあった。
[0030] また、図 7に示されるように、裏アルミ電極 27のエッジ部 31が盛り上がっていると、 その上に裏銀電極 28を印刷する際に、裏銀電極パターンを印刷する箇所の段差が 大きくなり、裏銀電極 28が印刷かすれを起こし、かすれ部 32が生じる。この裏銀電極 かすれ部 32を抑制するには、裏銀電極 28の印刷時のスキージ 43の押し当てる力を 高くしなければならない。しかし、その結果、薄いシリコン基板で構成される太陽電池 セル 20の破損を招 、てしまうこともあった。
[0031] これらの問題点は、図 7の裏アルミ電極 27のように、エッジ部 31がその他の部分の 平均膜厚に比して盛り上がっていると、印刷ステージ 41で真空吸着する場合や、ス キージ 43で押し当てる場合に、盛り上がつているエッジ部 31に応力が力かることによ る。一般的な太陽電池セル 20の場合には、 lOOMPa以上の応力が局所的にかかる と、割れてしまうことが知られている。
[0032] そこで、太陽電池セル 20に lOOMPa以上の応力が力からないようにするための条 件として、形成された電極パターンのエッジ部とその他の部分の平均膜厚との差に注 目した。図 10に示されるように、電極パターン(裏アルミ電極パターン 27a)のエッジ 部 31の領域 Rでの平均膜厚を dmaxとし、エッジ部 31を除く領域 Rでの平均膜厚を
E C
dmeanとする。また、ここで dmax— dmeanの値をアルミ厚差異とする。
[0033] 図 10に示されるように、乳剤厚を 0〜30 mまでの間で変化させた場合に、突出部 3aの乳剤厚とアルミ厚差異との間には相関関係があり、突出部 3aの乳剤厚を短くす るほど、電極パターンにおけるアルミ厚差異も減少することが見出された。また、実験 により、裏銀電極 28のかすれ部 32の発生を抑制する条件として、アルミ厚差異が 5 m以下であることが求められた。これらにより、印刷マスク 1のマスク部 3の突出部 3 aの乳剤厚 t2を 5 mよりも薄くすることが望ましいことが分力つた。このように、突出部 3aの乳剤厚 t2を 5 μ m以下とすることで、アルミ厚差異が 5 μ m以下となり、スキージ 43の押し当てる力や太陽電池セル 20を印刷ステージ 41が真空吸着する際の真空 圧が太陽電池セル 20にかかったとしても、約 70MPaの局所的な応力であるので、 薄いシリコン基板が割れるような状況となることはほとんどなくなる。
[0034] ここで、マスク部 3の突出部 3aの乳剤厚 t2を 14 mとした従来の印刷マスクを用い た場合と、乳剤厚 t2を 3 mとしたこの実施の形態 1の印刷マスクを用いた場合の、 表銀電極パターン形成時の基板の割れ率を比較した結果が、図 11に示されて!/ヽる。
[0035] 従来の印刷マスクとして、マスク部 3の突出部 3aの乳剤厚 t2が 14 μ mで、メッシュ 数 400、線径 23 /z mのものを用いた。従来の印刷マスクを用いて、裏アルミ電極 27 を形成した場合のアルミ平均膜厚 dmeanは 29 mであり、エッジ部 31の平均膜厚 dm axは 37 μ mであり、アルミ厚差異 dmax—dmeanは 8 μ mであった。この条件でシリコ ン基板に表銀電極 25, 26を印刷すると、基板厚が厚い場合には割れ率は少ないが 、基板厚が薄くなるにしたがって、割れ率が高くなり、基板厚 240 mでは 5%の割れ 率を示し、基板厚 200 mでは 10%の割れ率を示した。
[0036] 一方、この実施の形態 1の印刷マスクとして、マスク部 3の突出部 3aの乳剤厚 t2が 3 μ mで、メッシュ数 400、線径 23 mのものを用いた。この印刷マスクを用いて、裏ァ ルミ電極 27を形成した場合のアルミ平均膜厚 dmeanは 27 μ mであり、エッジ部 31の 平均膜厚 dmaxは 32 μ mであり、アルミ厚差異は 5 μ mであった。このとき、シリコン基 板の表銀電極を印刷する場合に、基板厚が 200 mのときに割れ率が 1%であった 1S 総じて、基板厚の厚さに関係なぐ割れ率は極めて低力つた。
[0037] この実施の形態 1によれば、印刷マスクの印刷対象側の突出部 3aの厚さを 5 μ m りも小さぐより望ましくは 3 m以下とすることで、電極パターンのエッジ部における平 均膜厚と中央部における平均膜厚との差を 5 m以下とすることができる。特に、第 1 の電極パターンとこの第 1の電極パターンの少なくともエッジ部を含む一部にオーバ 一ラップさせて第 2の電極パターンを形成する場合には、第 1の電極パターンのエツ ジ部の平均膜厚と他の部分の平均膜厚との差を 5 μ m以下にすることで、第 1の電極 パターン上に形成される第 2の電極パターンのかすれ部の発生を抑えることができる という効果を有する。
[0038] また、この印刷マスク 1を用いて形成した電極を有するデバイスは、マスク構造やマ スクパターンを変更するだけであるので、従来用いられて 、た製法 (製造設備)を用 いて、安価に良質な製品を高い良品率で製造することができる。特に、この印刷マス ク 1を用いて形成した電極を有する太陽電池セル 20では、裏アルミ電極 27のエッジ 部 31での盛り上がり量が 5 m以下と小さくなり、不良品率が下がるために安価に製 造することがでさるよう〖こなる。
[0039] 実施の形態 2.
図 12は、この発明にかかる印刷マスクの実施の形態 2の構造を模式的に示す平面 図である。この印刷マスクは、図 3— 2に示される太陽電池セル 20の裏アルミ電極 27 の印刷パターンを形成する際に用いられるものである。この印刷マスクは、図 2—1と 同様に裏銀電極 28の形成位置に対応した直線状のマスク部 3が、乳剤などの榭脂 で形成される。つまり、裏アルミ電極 27のパターンを形成する開口部 4 (以下、裏アル ミ電極パターン形成領域ともいう。また、請求の範囲における開口、開口領域に対応 する。 )とこの裏アルミ電極パターン形成領域に隣接する他の裏アルミ電極パターン 形成領域とは、所定の距離を置いて配置される。そして、裏アルミ電極パターン形成 領域(開口部 4)の周縁部には、所定の幅を有する周縁パターン部 3cが乳剤などの 榭脂で形成される。より具体的には、裏アルミ電極パターン形成領域(開口部 4)の外 周から内部に向かって所定の距離だけ離れた位置に、裏アルミ電極パターン形成領 域(開口部 4)の外周に沿って、所定の幅 Lを有する榭脂によって周縁パターン部 3c が形成される。図 12の例では、裏アルミ電極パターン形成領域の周縁部に、額縁状 に榭脂が形成される。この周縁部に形成される榭脂の形成位置は、裏アルミ電極パ ターン 27aのエッジ部 31に形成される盛り上がり部の位置と裏アルミ電極パターン形 成領域の端部との間であればよぐ使用する電極材料のペーストの種類 (使用する金 属粒サイズ、形状 (球以外にも扁平粒も存在)、ペースト粘度)および印刷マスクのメ ッシュ数ゃ線径によって適宜変更される。
[0040] たとえば、アルミペーストが、粒径 1〜15 mのアルミ粒子を含み、 B型ロータ粘度 計測定で粘度が 30〜: LOOPa' sであるペーストであり、印刷マスク 1のメッシュ 2として 、メッシュ数力 S150〜400であり、線径カ 3〜45 μ mであるメッシュを用いる場合に は、裏アルミ電極パターン形成領域(開口部 4)の端部(エッジ部)カゝら 0. 1mm以上 0 . 5mm以内の範囲に、線幅 Lが 0. 2mm以下のラインパターンを額縁状に配置する のが望ましい。
[0041] また、同じ金属含有ペーストでも微細な細線パターン形成用の銀ペーストを用いる 場合には、たとえば、銀ペーストが、粒径 1 μ m以下の銀粒子を含み、 B型ロータ粘 度計測定で粘度が40〜150?& ' 5でぁるぺーストでぁり、印刷マスク 1のメッシュ 2とし て、メッシュ数が 250〜500であり、線径が 18〜30 μ mであるメッシュを用いる場合 には、銀電極パターン形成領域(開口部)の端部(エッジ部)から 0. 1mm以上 0. 5m m以内の内部に、線幅 Lが 0. 1〜0. 2mmのラインパターンを解像することができる。
[0042] このような印刷マスクは、たとえば、以下の方法によって製造される。まず、メッシュ 2 に粘度の高い液状の感光剤入り高分子乳剤を塗布して乾燥させる。このとき、感光 剤入り高分子乳剤は、メッシュ 2の片面力も外部に向力つて所定の厚さだけ突出する ように塗布される。その後、写真製版技術で所望のサイズのパターン (たとえば、図 1 2に示される各電極パターン)に露光、現像し、乾燥させる。これにより、電極パターン 形成位置以外のメッシュ 2には、埋め込み部 3を有するとともに、電極パターン形成領 域(開口部 4)の外周力も所定の距離だけ内部に入った位置に周縁パターン部 3cを 有する図 12に示される印刷マスクが完成する。なお、この印刷マスクの製造方法は 一例であり、電極パターン形成位置以外に埋め込み部 3を有するとともに、電極パタ ーン形成領域 (開口部 4)の外周力も所定の距離だけ内部に入った位置に周縁バタ ーン部 3cを有するものを製造することができれば、他の方法で製造したものでもよ!/ヽ 。たとえば、メッシュのスキージ接触面側に、粘度の高い液状の感光剤入り高分子乳 剤を、メッシュを貫通しないように塗布して乾燥させた後、写真製版技術で所望のサ ィズのパターン (たとえば、図 12に示されるパターン)に露光、現像し、乾燥させる。こ れにより、マスク部 3の埋め込み部 3bが形成される。また、図 12に示される電極パタ ーン形成領域(開口部 4)の外周力 所定の距離だけ内部に入った位置にも埋め込 み部 (周縁パターン部 3c)が形成される。その後、メッシュの印刷対象側力も外部に 向かって、粘度の高い液状の感光剤入り高分子乳剤を塗布して乾燥させた後、写真 製版技術で上記周縁パターン部 3cを含む埋め込み部 3b、と同一のサイズのパター ンに露光、現像し、乾燥させる。これにより、マスク部 3の突出部 3aが形成される。こ のとき、突出部 3aの乳剤厚 t2は、任意の厚さにすることができる。以上によって、電 極パターン形成位置の周縁部にラインパターン (周縁パターン部 3c)が形成された印 刷マスクが完成する。
[0043] 図 13— 1〜図 13— 2は、この発明に力かる印刷マスクの他の例を示す平面図であ る。これらの図 13— 1〜図 13— 2に示される印刷マスクは、太陽電池セルの裏側に 形成する電極パターン形成用の印刷マスクであり、図 12とは異なり、集電電極である 裏銀電極が直線状ではなぐスポット上に形成される場合を示している。図 13— 1は 、太陽電池セルの裏アルミ電極用パターン形成用の印刷マスクの平面図を示し、図 1 3— 2は、太陽電池セルの裏銀電極用パターン形成用の印刷マスクの平面図を示し ている。この図 13— 1に示されるように、マスク部 4の裏アルミ電極パターン形成領域 (開口部 4)との境界力も所定の距離だけ内側に、所定の幅を有する周縁パターン部 3cが樹脂で形成される。なお、図 13— 2に示される裏銀電極パターンは、裏銀電極 パターン上にさらに他の電極パターンが形成されないため、裏銀電極パターン形成 領域(開口部 4)の周縁部には、ラインパターン (周縁パターン部 3c)が形成されて!、 ない。なお、この開口部 4の大きさは、図 13—1で周縁パターン部 3cで囲まれる領域 以上となっている。
[0044] なお、この実施の形態 2の電極パターン形成領域の周縁部にラインパターンを形成 した印刷マスクは、印刷マスク全般に適用することができる。つまり、従来の印刷マス クに適用してもょ 、し、実施の形態 1で説明した印刷マスクに適用してもょ 、。
[0045] この実施の形態 2による印刷マスクは、メッシュに形成された微小なパターンはぺー スト流動により解像できな ヽことを応用し、電極パターンの端部に形成される盛り上が り部に対応する位置に、微小なラインパターンを配置して、その盛り上がり量を抑制さ せている。そして、この印刷マスクによっても、実施の形態 1の場合と同様に、電極パ ターンのエッジ部における平均膜厚と中央部での平均膜厚との差を、 5 m以下とす ることができる。これにより、たとえば、図 4に示されるような構造の太陽電池セルで裏 アルミ電極パターン上に裏銀電極パターンを形成する場合に、かすれ部 32の発生を 防止した太陽電池セル 20を製造することができる。
[0046] この実施の形態 2によれば、印刷マスクの電極パターン形成領域(開口部 4)の周縁 部にラインパターンを設けることで、この印刷マスクを用いて電極パターンを形成した 際に、電極パターンのエッジ部における盛り上がりを抑えることができる。その結果、 この盛り上がりに重ねて他の電極パターンを形成する場合に、重ねる電極パターン でのかすれ部 32の発生を防止することができる。また、特許文献 2に記載の印刷マス クの場合に比して、印刷マスクの電極パターン形成領域(開口部 4)の周縁部に形成 するラインパターン (周縁パターン部 3c)は単純なので、印刷マスクの製造が容易に なるという効果も有する。
[0047] 実施の形態 3.
図 14は、この発明にかかる印刷マスクの実施の形態 3の構造を模式的に示す断面 図である。この印刷マスク 1は、マスク枠 5に張設された網織りしたステンレスなどの材 質でできたメッシュ 2の電極パターンの形成位置以外の部位のメッシュ開口を、感光 剤入り高分子乳剤などの樹脂で塞ぐことによって形成される。ここで、この実施の形 態 3のマスク部 3は、メッシュ内部に形成される埋め込み部 3bの端部力 突出部 3aの 端部よりも所定の長さだけ開口部 4 (請求の範囲における開口、開口領域に対応する M則にはみ出して形成されることを特徴とする。なお、埋め込み部 3bの厚さ tlは、使 用するメッシュ 2の厚さと同じである力 突出部 3aの乳剤厚 t4は、任意の厚さとするこ とができる。このような印刷マスク 1の構造は、太陽電池セルの製造において使用され る裏アルミ電極(図 2— 1)のほかに、裏銀電極(図 2— 2)、表銀電極(図 2— 3)を形 成する印刷マスク 1にも適用することができる。なお、突出部 3aの端部は、埋め込み 部 3bの端部よりも 0. 3mmほど内側となるように構成される。
[0048] つぎに、このような印刷マスクの製造方法の一例について説明する。この印刷マス ク 1は、メッシュ 2のスキージ接触面側に、粘度の高い液状の感光剤入り高分子乳剤 を、メッシュ 2を貫通しないように塗布して乾燥させた後、写真製版技術で所望のサイ ズのパターン (たとえば、図 2—1〜図 2— 3に示されるパターン)に露光、現像し、乾 燥させる。これにより、マスク部 3の埋め込み部 3bが形成される。その後、メッシュ 2の 印刷対象側から外側に、粘度の高い液状の感光剤入り高分子乳剤を塗布して乾燥 させた後、写真製版技術で所望 (上記の埋め込み部 3b)のサイズよりも所定の長さだ け外周部の端部が内側に位置するパターンに露光、現像し、乾燥させる。これによつ て、マスク部 3の突出部 3aが形成され、図 14に示される印刷マスク 1が完成する。
[0049] 図 15は、この印刷マスクを用いて形成された電極パターンの断面を模式的に示す 図である。突出部 3aの端部が埋め込み部 3bの端部よりも内側に形成された印刷マス ク 1を用 ヽて半導体層部 21上に表銀電極パターン 25a (26a)を形成すると、表銀電 極パターン 25a (26a)のエッジ部における盛り上がりが抑制される。これは、突出部 3 aが形成されていないメッシュ 2内の埋め込み部 3b (電極パターンのエッジ部に相当 する)では、乳剤厚が 0 mであるので、この部分での膜厚が小さくなるためである。 なお、突出部 3aの端部と埋め込み部 3bの端部との間の距離は、形成された電極パ ターンのエッジ部の盛り上がりが形成される距離よりも広く取る必要があり、 0. 3mm 程度となる。
[0050] この実施の形態 3によれば、印刷マスク 1で形成される電極パターンのエッジ部に おける盛り上がりを抑制することができる。その結果、この盛り上がりに重ねて他の電 極パターンを形成する場合に、盛り上がりの影響によって重ねる側の電極パターンが 弓 Iき伸ばされる電極かすれ部の発生を防止することができる。
[0051] なお、上述した実施の形態では、太陽電池セルの場合を例に挙げて説明したが、 自発光素子または他の光源力 の光の切替えによって表示を行うマトリックス状に配 置された表示素子と、個々の表示素子を駆動する回路と、この回路に接続された所 定のパターンの電極と、を有する液晶ディスプレイ、有機 ELディスプレイおよびプラ ズマディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの電極を多重に積み重ねる場合に 、上述した印刷マスクを用いることができる。また、所定のパターンに内部電極を形成 した誘電体シートを複数積層させてなるチップコンデンサにお 、て、内部電極を形成 する場合に上述した印刷マスクを用いることができる。
産業上の利用可能性 以上のように、本発明に力かる印刷マスクは、スクリーン印刷法に有用であり、特に 、複数の電極を重なるように形成する場合に適している。

Claims

請求の範囲
[1] マスク枠に張設されたメッシュの印刷対象に形成する電極パターンに対応した領域 が開口されるように、それ以外の領域に榭脂を埋め込んでマスク部を形成した印刷マ スクにおいて、
前記マスク部は、前記メッシュの前記印刷対象に対向する側に前記メッシュよりも突 出して形成された突出部を有し、前記突出部の厚さは、当該印刷マスクで電極バタ ーンを形成したときに、前記電極パターンの端部とそれ以外の部分での平均膜厚の 差が 5 μ m以下となる厚さであることを特徴とする印刷マスク。
[2] 前記突出部の厚さは、 5 μ mよりも小さいことを特徴とする請求項 1に記載の印刷マ スク。
[3] マスク枠に張設されたメッシュの印刷対象に形成する電極パターンに対応した領域 が開口されるように、それ以外の領域に榭脂を埋め込んでマスク部とした印刷マスク において、
前記メッシュ内の開口領域の周縁に沿って、所定の幅の榭脂を形成した周縁パタ 一ン部を有することを特徴とする印刷マスク。
[4] 前記周縁パターン部は、印刷マスクで電極パターンを形成したときに前記電極パタ 一ンの端部に形成される盛り上がり部の前記端部からの位置までの範囲に形成され ることを特徴とする請求項 3に記載の印刷マスク。
[5] 前記周縁パターン部は、前記開口領域の周縁部から前記開口領域側の 0. lmm 以上 0. 5mm以内の範囲に、 0. 2mm以下の線幅で形成されることを特徴とする請 求項 3に記載の印刷マスク。
[6] 前記マスク部は、前記メッシュの前記印刷対象に対向する側に前記メッシュよりも突 出して形成された突出部を有し、前記突出部の厚さは 3 m以下であることを特徴と する請求項 3に記載の印刷マスク。
[7] マスク枠に張設されたメッシュの印刷対象に形成する電極パターンに対応した領域 が開口されるように、それ以外の領域に榭脂を埋め込んでマスク部とした印刷マスク において、
前記マスク部は、 前記メッシュの前記印刷対象に対向する側に前記メッシュよりも突出して形成され た突出部と、
前記メッシュ内に形成された埋め込み部と、
からなり、前記埋め込み部の端部は、前記突出部の端部よりも、開口領域側に位置 することを特徴とする印刷マスク。
[8] 前記埋め込み部の端部は、前記突出部の端部よりも、 0. 3mm以上前記開口領域 側に位置することを特徴とする請求項 7に記載の印刷マスク。
[9] 半導体基板に pn接合が基板面と平行に形成された半導体層部と、
前記半導体層部の表面に所定の形状に形成される表銀電極と、
前記半導体層部の裏面に前記半導体層部の一部が露出されるように形成される裏 アルミ電極と、
前記裏アルミ電極によって覆われて 、な 、前記半導体層部の露出部分と、この露 出部分に隣接して配置される前記裏アルミ電極の一部を覆うように形成される裏銀電 極と、
を備える太陽電池セルにぉ 、て、
前記裏アルミ電極は、請求項 1, 3, 7のいずれか 1つに記載の印刷マスクを用いて 形成された電極であることを特徴とする太陽電池セル。
[10] 自発光素子または他の光源からの光の切替えによって表示を行うマトリックス上に 配置された表示素子と、個々の前記表示素子を駆動する回路と、この回路に接続さ れた所定のパターンの電極と、を有する表示用パネルを供えるフラットパネルデイス プレイにおいて、
前記電極は、請求項 1, 3, 7のいずれか 1つに記載の印刷マスクを用いて形成され た電極であることを特徴とするフラットパネルディスプレイ。
[11] 両面に電極パターンを形成した誘電体シートを複数積層してなるチップコンデンサ において、
前記電極パターンは、請求項 1, 3, 7のいずれか 1つに記載の印刷マスクを用いて 形成された電極であることを特徴とするチップコンデンサ。
PCT/JP2005/021781 2005-11-28 2005-11-28 印刷マスク並びに太陽電池セル、フラットパネルディスプレイおよびチップコンデンサ WO2007060742A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200580014018.6A CN101076452B (zh) 2005-11-28 2005-11-28 印刷掩模以及太阳能电池单元
EP05809635.5A EP1955863B1 (en) 2005-11-28 2005-11-28 Printing mask
JP2006515508A JPWO2007060742A1 (ja) 2005-11-28 2005-11-28 印刷マスクおよび太陽電池セル
PCT/JP2005/021781 WO2007060742A1 (ja) 2005-11-28 2005-11-28 印刷マスク並びに太陽電池セル、フラットパネルディスプレイおよびチップコンデンサ
US10/591,145 US7906366B2 (en) 2005-11-28 2005-11-28 Printing mask and solar cell
HK08101968.8A HK1112883A1 (en) 2005-11-28 2008-02-22 Pringting mask and solar cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2005/021781 WO2007060742A1 (ja) 2005-11-28 2005-11-28 印刷マスク並びに太陽電池セル、フラットパネルディスプレイおよびチップコンデンサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007060742A1 true WO2007060742A1 (ja) 2007-05-31

Family

ID=38066984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/021781 WO2007060742A1 (ja) 2005-11-28 2005-11-28 印刷マスク並びに太陽電池セル、フラットパネルディスプレイおよびチップコンデンサ

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7906366B2 (ja)
EP (1) EP1955863B1 (ja)
JP (1) JPWO2007060742A1 (ja)
CN (1) CN101076452B (ja)
HK (1) HK1112883A1 (ja)
WO (1) WO2007060742A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009030409A2 (de) * 2007-08-29 2009-03-12 Manz Automation Ag Verfahren zum herstellen einer solarzelle
WO2009059584A1 (de) * 2007-11-05 2009-05-14 Koenen Gmbh Sieb für den technischen siebdruck
JP2011061109A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子
CN102029776A (zh) * 2010-10-26 2011-04-27 宁波升日太阳能电源有限公司 一种用于印刷硅太阳能电池电极的网板
JP2013086315A (ja) * 2011-10-15 2013-05-13 Tokai Seiki Kk スクリーン印刷機用スクリーン版
JP2013116586A (ja) * 2011-12-02 2013-06-13 Micro-Tec Co Ltd スクリーン製版
WO2013094033A1 (ja) * 2011-12-21 2013-06-27 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法
JP2015063003A (ja) * 2013-09-24 2015-04-09 日本電気株式会社 スクリーン印刷用マスク、その製造方法及びはんだペースト印刷方法

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
CA2495726A1 (en) 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
CN101150150B (zh) * 2006-09-22 2010-05-12 无锡尚德太阳能电力有限公司 太阳电池导电电极的生成方法
DE102009024877A1 (de) * 2009-06-09 2010-12-23 Nb Technologies Gmbh Siebdruckform
KR101206250B1 (ko) * 2009-10-13 2012-11-28 주식회사 엘지화학 식각 마스크 패턴 형성용 페이스트 및 이의 스크린 인쇄법을 이용한 실리콘 태양전지의 제조방법
US8633873B2 (en) 2009-11-12 2014-01-21 Ignis Innovation Inc. Stable fast programming scheme for displays
CN101820021B (zh) * 2009-12-25 2012-11-28 欧贝黎新能源科技股份有限公司 一种晶体硅太阳电池用镂空印刷模版的设计方法
DE102010049312B4 (de) 2010-10-22 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Konversionsplättchens und Konversionsplättchen
DE102011003287A1 (de) * 2011-01-27 2012-08-02 Christian Koenen Gmbh Druckschablone zum Aufbringen eines Druckmusters auf ein Substrat und Verfahren zum Herstellen einer Druckschablone
US9606607B2 (en) 2011-05-17 2017-03-28 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US8901579B2 (en) 2011-08-03 2014-12-02 Ignis Innovation Inc. Organic light emitting diode and method of manufacturing
US9130093B2 (en) * 2011-08-31 2015-09-08 Alta Devices, Inc. Method and apparatus for assembling photovoltaic cells
US9385169B2 (en) * 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
WO2014140992A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Ignis Innovation Inc. Dynamic adjustment of touch resolutions on an amoled display
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
US10997901B2 (en) 2014-02-28 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Display system
US10176752B2 (en) 2014-03-24 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. Integrated gate driver
CN104269464B (zh) * 2014-09-29 2017-02-15 天威新能源控股有限公司 一种新型太阳电池超细电极的制备方法
CA2872563A1 (en) 2014-11-28 2016-05-28 Ignis Innovation Inc. High pixel density array architecture
CN105098100B (zh) * 2015-06-24 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示器件及其制备方法、显示面板和显示装置
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
CA2909813A1 (en) 2015-10-26 2017-04-26 Ignis Innovation Inc High ppi pattern orientation
ITUA20162095A1 (it) * 2016-03-30 2016-06-30 Fabrizio Chiara Procedimento di ricopertura di una superficie fotovoltaica e superficie fotovoltaica realizzata mediante un tale procedimento.
JP2018029145A (ja) * 2016-08-19 2018-02-22 株式会社コベルコ科研 スクリーン印刷版
DE102017222059A1 (de) 2016-12-06 2018-06-07 Ignis Innovation Inc. Pixelschaltungen zur Minderung von Hysterese
US10933679B2 (en) * 2017-03-27 2021-03-02 Taiyo Yuden Co., Ltd. Screen printing plate and manufacturing method of electronic component
US10714018B2 (en) 2017-05-17 2020-07-14 Ignis Innovation Inc. System and method for loading image correction data for displays
US11025899B2 (en) 2017-08-11 2021-06-01 Ignis Innovation Inc. Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line
EP4016655A1 (de) * 2020-12-17 2022-06-22 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und anlage zum herstellen von elektronischen baugruppen mit einer druckvorrichtung

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4324815A (en) 1978-01-24 1982-04-13 Mitani Electronics Industry Corp. Screen-printing mask and method
JPH03136308A (ja) * 1989-10-23 1991-06-11 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサ
JPH04189545A (ja) 1990-11-26 1992-07-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd スクリーン印刷版及びスクリーン印刷版の乳剤塗着方法
JPH068662A (ja) * 1992-06-29 1994-01-18 Tokin Corp 印刷スクリーンの製造方法
JPH0615976A (ja) * 1992-06-30 1994-01-25 Tokin Corp 印刷スクリーン及びその製造方法
JPH06143855A (ja) * 1992-11-06 1994-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd スクリーン印刷版およびその製造方法
JPH0781263A (ja) * 1993-09-14 1995-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd スクリーン印刷版
JPH0858259A (ja) * 1994-08-19 1996-03-05 Taiyo Yuden Co Ltd スクリーン印刷用版
JPH09258194A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Yazaki Corp 液晶素子の製造方法
JPH10315649A (ja) * 1997-05-22 1998-12-02 Toppan Printing Co Ltd スクリーン印刷用スクリーン版
JPH10335267A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH11245534A (ja) 1998-03-02 1999-09-14 Ricoh Co Ltd スクリーン塗布方法
JP2001018356A (ja) * 1999-07-07 2001-01-23 Anekkusu Kk 粘着剤の印刷方法及び印刷に用いるプレート版
JP2004345205A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Murata Mfg Co Ltd スクリーン印刷用版の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54112403U (ja) * 1978-01-24 1979-08-07
US5178685A (en) 1991-06-11 1993-01-12 Mobil Solar Energy Corporation Method for forming solar cell contacts and interconnecting solar cells
JP2000147781A (ja) * 1998-11-06 2000-05-26 Ngk Insulators Ltd スクリーンマスク及びその製造方法並びに配線基板
CN1318228C (zh) * 2002-09-24 2007-05-30 松下电器产业株式会社 印刷用版、电路基板以及对电路基板的印刷方法
JP3968000B2 (ja) * 2002-11-26 2007-08-29 京セラ株式会社 太陽電池素子の形成方法

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4324815A (en) 1978-01-24 1982-04-13 Mitani Electronics Industry Corp. Screen-printing mask and method
JPH03136308A (ja) * 1989-10-23 1991-06-11 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサ
JPH04189545A (ja) 1990-11-26 1992-07-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd スクリーン印刷版及びスクリーン印刷版の乳剤塗着方法
JPH068662A (ja) * 1992-06-29 1994-01-18 Tokin Corp 印刷スクリーンの製造方法
JPH0615976A (ja) * 1992-06-30 1994-01-25 Tokin Corp 印刷スクリーン及びその製造方法
JPH06143855A (ja) * 1992-11-06 1994-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd スクリーン印刷版およびその製造方法
JPH0781263A (ja) * 1993-09-14 1995-03-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd スクリーン印刷版
JPH0858259A (ja) * 1994-08-19 1996-03-05 Taiyo Yuden Co Ltd スクリーン印刷用版
JPH09258194A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Yazaki Corp 液晶素子の製造方法
JPH10315649A (ja) * 1997-05-22 1998-12-02 Toppan Printing Co Ltd スクリーン印刷用スクリーン版
JPH10335267A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH11245534A (ja) 1998-03-02 1999-09-14 Ricoh Co Ltd スクリーン塗布方法
JP2001018356A (ja) * 1999-07-07 2001-01-23 Anekkusu Kk 粘着剤の印刷方法及び印刷に用いるプレート版
JP2004345205A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Murata Mfg Co Ltd スクリーン印刷用版の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1955863A4

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009030409A2 (de) * 2007-08-29 2009-03-12 Manz Automation Ag Verfahren zum herstellen einer solarzelle
WO2009030409A3 (de) * 2007-08-29 2009-09-24 Manz Automation Ag Verfahren zum herstellen einer solarzelle
WO2009059584A1 (de) * 2007-11-05 2009-05-14 Koenen Gmbh Sieb für den technischen siebdruck
DE102007052679B4 (de) * 2007-11-05 2014-12-24 Koenen Gmbh Sieb für den technischen Siebdruck
JP2011061109A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子
CN102029776A (zh) * 2010-10-26 2011-04-27 宁波升日太阳能电源有限公司 一种用于印刷硅太阳能电池电极的网板
JP2013086315A (ja) * 2011-10-15 2013-05-13 Tokai Seiki Kk スクリーン印刷機用スクリーン版
JP2013116586A (ja) * 2011-12-02 2013-06-13 Micro-Tec Co Ltd スクリーン製版
WO2013094033A1 (ja) * 2011-12-21 2013-06-27 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法
JPWO2013094033A1 (ja) * 2011-12-21 2015-04-27 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法
JP2015063003A (ja) * 2013-09-24 2015-04-09 日本電気株式会社 スクリーン印刷用マスク、その製造方法及びはんだペースト印刷方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101076452B (zh) 2011-05-04
HK1112883A1 (en) 2008-09-19
JPWO2007060742A1 (ja) 2009-05-07
EP1955863A8 (en) 2009-03-04
EP1955863A1 (en) 2008-08-13
CN101076452A (zh) 2007-11-21
EP1955863A4 (en) 2009-09-23
US7906366B2 (en) 2011-03-15
EP1955863B1 (en) 2013-06-26
US20080230118A1 (en) 2008-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007060742A1 (ja) 印刷マスク並びに太陽電池セル、フラットパネルディスプレイおよびチップコンデンサ
KR101570881B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
KR20190055716A (ko) 이질 접합 태양 전지 및 그 제조 방법
JP5759639B2 (ja) 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法
WO2009008945A2 (en) Method for cleaning a solar cell surface opening made with a solar etch paste
JPWO2005109524A1 (ja) 太陽電池及びその製造方法
CN102077358B (zh) 光电动势装置及其制造方法
JP3957461B2 (ja) 太陽電池セルおよびその製造方法
KR20110129469A (ko) 이면 전극형 태양 전지 셀, 배선 시트, 배선 시트가 부착된 태양 전지 셀, 태양 전지 모듈, 배선 시트가 부착된 태양 전지 셀의 제조 방법, 및 태양 전지 모듈의 제조 방법
US7867809B2 (en) One-step diffusion method for fabricating a differential doped solar cell
WO2007083606A1 (ja) 印刷用マスクおよびこれを用いた太陽電池の製造方法
KR101283053B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
WO2020090423A1 (ja) 太陽電池の製造方法、太陽電池、および太陽電池モジュール
JP2001044470A (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法並びに集光型太陽電池モジュール
JPH06318724A (ja) 電極及び光起電力素子
JP2011009615A (ja) 太陽電池の製造方法
TW201431101A (zh) 太陽能電池、其模組及其製造方法
JP4620748B2 (ja) 色素増感型太陽電池
JP2019169599A (ja) 太陽電池の製造方法、および、太陽電池
JP5336086B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法
US8354281B2 (en) Method of manufacturing back-surface electrode type solar cell
JP2010161178A (ja) 太陽電池とその製造方法
WO2022052534A1 (zh) 一种太阳能电池及其制作方法
JP7183245B2 (ja) 太陽電池の製造方法
TW201442260A (zh) 太陽能電池及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006515508

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005809635

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10591145

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200580014018.6

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005809635

Country of ref document: EP