JP3957461B2 - 太陽電池セルおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、太陽電池セルおよびその製造方法に関し、特にアルミニウムからなる裏面電極を備えた太陽電池セルおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の一般的な太陽電池セルの構造を図1に示す。図1(a)は正面断面図、図1(b)は表面側(受光面側)から見た平面図、図1(c)は裏面側から見た平面図である。
【0003】
従来の例えばpn接合型太陽電池セル100では、図1(a)に示すように、例えば厚さ300〜400μm程度のSi単結晶または多結晶のp型半導体基板1の表面側に、n型活性不純物を熱拡散等により浅く拡散させてn+ 層2を形成し、これにより基板1の表面近くにpn接合部20を形成している。そして、n+ 層2の上には、太陽光の表面反射を軽減するための反射防止膜3と、太陽光により発電した電流を外部に取り出すための表面電極7を形成している。
【0004】
p型半導体基板1の表面側には、図1(b)に示すように、上述した表面電極7とその表面電極7から櫛歯状に延びた集電電極8とを銀ペーストの焼成により設けている。
【0005】
p型半導体基板1の裏面側には、図1(c)に示すように、スクリーン印刷法等によりアルミニウムペーストを塗布し、それを700〜800℃で焼成することにより、p型の半導体不純物を多量に含む層(BSF:Back Surface Field)であるp+ 層4を形成するとともに、アルミニウムからなる裏面電極5を形成している。裏面電極5は、ほぼ裏面全面に形成しており、その裏面電極5に接するように、接続用裏面電極6を銀ペーストの焼成により設けている。
【0006】
接続用裏面電極6と表面電極7、および集電電極8の表面には、銀の酸化を防止して接続性を良くするためにハンダ9を被覆している。
【0007】
このような、p+ 層4を設けたBSF層を有する構造の太陽電池セルでは、裏面近傍にpp+ 層の障壁が形成され、p型半導体基板1内で生成された少数キャリアのうち、裏面電極5に向かうものが反射され、裏面電極5部分で再結合しなくなって、pn接合部20に到達するものが増加し、光電流を増加させる。さらに、pp+ 層間のエネルギー差が開放電圧の増大をもたらす。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、太陽電池セルは低コスト化が求められており、これに伴って半導体基板の薄型化が要求されている。ところが、図1に示したような太陽電池セル100では、図2に示すように、裏面にアルミニウムペーストを印刷し、焼成してアルミニウム層からなる裏面電極51を形成するので、半導体基板11と裏面電極51の熱膨張率の違いにより、半導体基板11に反り12が発生し、この現象は特に基板が薄い場合や大面積の場合に顕著にあらわれるという問題があった。半導体基板11に反り12が発生すると、製造工程で搬送ミスや、装置エラーの原因となる。
【0009】
このような反り12を軽減させるための方法として、特開平8−274356号公報で提案されている構造の太陽電池が知られている。この太陽電池では、裏面電極を櫛歯状もしくは格子状にして、反りを軽減するようにしている。しかし、この構造では、裏面にBSF層が形成されない部分ができる。したがって、BSF層が形成されない部分での少数キャリアの表面再結合のため、特性の低下を招くという問題がある。このBSF層が形成されない部分を、酸化膜等によりパッシベーションし、表面再結合を減らすことも提案されているが、製造プロセスが複雑になり、高コストになるという問題がある。
【0010】
一方、図3に示すように、太陽電池セル101の裏面に塗布するアルミニウムペースト52の厚みを薄くすることにより、反りを軽減させることは可能であるが、焼成の際、太陽電池セルの裏面周辺にアルミニウム粒13が発生するという問題があった。
【0011】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、半導体基板の反りを解消するとともに、特性の低下を解消し、さらに低コスト化を図った太陽電池セルおよびその製造方法を提供するものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体基板と、その半導体基板の裏面全体に形成されたアルミニウムからなる裏面電極と、半導体基板の裏面電極接合面に形成されたBSF層を備えた太陽電池セルを製造するための太陽電池セルの製造方法であって、
半導体基板の平坦な裏面全体にアルミニウムペーストを塗布し、その上から再度厚くしたい裏面電極の部分にアルミニウムペーストを塗布した後、焼成することにより、半導体基板の平坦な裏面に2種以上の厚みの裏面電極と共にBSF層を形成する工程を含んでなる太陽電池セルの製造方法である。
【0013】
本発明によれば、裏面電極が2種以上の厚みで形成されているので、半導体基板と裏面電極の熱膨張率の違いによる半導体基板の反りが防止される。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明において、半導体基板としては、主としてシリコン系のIV族半導体が適用されるが、これに限定されるものではなく、アルミニウムからなる裏面電極を形成する半導体基板であればどのような半導体基板であってもよい。
【0015】
裏面電極は、2種以上の厚みで形成されていればよく、どのような方法で形成されていてもよい。この裏面電極の形成方法としては、スクリーン印刷法、蒸着法、スパッタ法等の各種の成膜法を適用することができる。ただし、コストの面からは、スクリーン印刷法を適用することが望ましい。スクリーン印刷法を適用した場合には、裏面電極の形成の際、半導体基板の裏面にアルミニウムペーストを塗布して焼成するときにBSF層の形成も同時に行うことができ、工程の短縮化を図ることができる。
【0016】
裏面電極は、薄い部分と厚い部分の2段階の厚みで形成してもよく、その場合には、薄い部分と厚い部分を交互に形成することが望ましい。より好ましくは、裏面電極を薄い部分と厚い部分の2段階の厚みで形成した場合には、裏面電極の厚い部分を格子状に形成することが望ましい。この場合、裏面電極の厚い部分をストライプ状に形成してもよい。また、裏面電極の厚い部分を半導体基板の外周の部分として形成してもよい。
【0017】
上記太陽電池セルの製造に際しては、半導体基板の裏面全体に公知のアルミニウムペーストを塗布し、その上から再度厚くしたい裏面電極の部分に同じアルミニウムペーストを塗布した後、焼成することにより、半導体基板の裏面に2種以上の厚みで裏面電極を形成することができる。
【0018】
また、半導体基板の厚くしたい裏面電極の部分にアルミニウムペーストを塗布するとともに、薄くしたい裏面電極の部分についてはその塗布したアルミニウムペーストの広がりを利用して形成した後、焼成することにより、半導体基板の裏面に2種以上の厚みで裏面電極を形成することもできる。この製法を適用する場合、アルミニウムペーストの粘度を適度に設定しておくとともに、例えば、厚くしたい裏面電極の部分を格子状に形成する場合であれば、格子のピッチを通常より狭くする等、格子のピッチを適切に設定しておくことが必要である。
【0019】
例えば、このように厚い裏面電極の部分を格子状に形成する場合であれば、薄くしたい裏面電極の部分を0.5mm以下の幅とし、面内は幅およびピッチが0.2〜0.5mmの格子状のスクリーンマスクを用い、粘度約80pa・sのアルミニウムペーストを使用して、厚くしたい裏面電極の部分を印刷し、薄くしたい裏面電極の部分は、印刷した厚くしたい部分が自然に広がることを利用して形成する。これにより、周囲と格子状の部分が厚く、その他の部分が薄い裏面電極を容易に形成することができる。
【0020】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。なお、これによって本発明が限定されるものではない。
【0021】
図4は本発明による太陽電池セルの第1実施形態を示す説明図である。この図は断面状態を示している。
この図において、1はp型半導体基板、2は半導体基板1の表面側(受光面側)に形成されたn型不純物を有するn層、3は反射防止膜、4は半導体基板1の裏面側に形成されたp+ 層、53はアルミニウムからなる裏面電極、6は銀からなる裏面電極接続部、7は銀からなる表面電極、9は電極を被覆するハンダである。
【0022】
裏面電極接続部6および表面電極7は、発生した電流を取り出すためのものである。ハンダ9は、裏面電極接続部6と表面電極7の銀の酸化を防止して接続性を良好にするために、裏面電極接続部6と表面電極7を被覆しているが、なくてもよい。
【0023】
半導体基板1には、単結晶または多結晶シリコンのどちらを用いてもよい。本実施形態では、厚さ約300μmで、125mm角のp型多結晶シリコン基板を用いた。
【0024】
p型半導体基板1の表面側のn+ 層2は、n型となるリン等のドーパントを含んだ溶液を塗布した後、熱処理することにより形成している。
反射防止膜3は、太陽光の表面反射率を軽減するためのものであり、SiO2 、TiO2 、SiN等を用いて、常圧CVDまたはプラズマCVDにより形成している。
【0025】
基板1の裏面側には、アルミニウムペーストを、スクリーン印刷により、2種以上の厚みで塗布し、700〜800℃で焼成することで、裏面全体にp+ 層4を形成するとともに、Alからなる裏面電極53を形成している。
【0026】
この裏面電極53の厚みの薄い部分が反りを低減し、さらに裏面全体にBSF層を形成するため、厚みの薄い部分のない太陽電池セルと比較して、特性の低下がない。
【0027】
なお、半導体基板1にはp型のものを用いたが、n型のものを用いることも可能である。その場合には、半導体基板1の表面側にp型不純物を有するp層を形成し、裏面側にn+ 層を形成する。
【0028】
図5は本発明による太陽電池セルの第2実施形態を示す説明図である。この図も第1実施形態と同様に断面状態を示している。
本実施形態では、太陽電池セル102aの裏面電極54を、厚みの薄い部分(薄い電極部)と厚い部分(厚い電極部)との2段階の厚みで形成し、さらに、薄い電極部と厚い電極部を交互に形成した構成となっている。これにより第1実施形態よりもさらに反りを低減する効果が増す。
【0029】
図6(a)および図6(b)は本発明による太陽電池セルの第3実施形態を示す説明図である。図6(b)は太陽電池セルの裏面側を示す平面図であり、図6(a)は図6(b)のVI-VI断面を示している。
【0030】
本実施形態の太陽電池セル102bでは、図に示すように、裏面電極55を、薄い電極部55aと、その薄い電極部55aから格子状に盛り上がった厚い電極部55bとで構成している。これにより、面内のかたよりがなくなり、反りを均一に抑制することができる。
【0031】
図7(a)および図7(b)は本発明による太陽電池セルの第4実施形態を示す説明図である。図7(b)は太陽電池セルの裏面側を示す平面図であり、図7(a)は図7(b)のVII-VII断面を示している。
【0032】
本実施形態の太陽電池セル102cでは、図に示すように、裏面電極56を、薄い電極部56aと、その薄い電極部56aからストライプ状に盛り上がった厚い電極部56bとで構成している。この場合、反りの方向が予測できるため、セルプロセスでの対応策が容易に考えられる。
【0033】
図7(a)に示すように、半導体基板1の厚みに片寄りがある場合、反りにくい厚い辺15とストライプ状の厚い電極部56bとが平行になるように、アルミニウムペーストを印刷することで、反りを効果的に抑制することができる。
【0034】
図8(a)および図8(b)は本発明による太陽電池セルの第5実施形態を示す説明図である。図8(b)は太陽電池セルの裏面側を示す平面図であり、図8(a)は図8(b)のVIII-VIII断面を示している。
【0035】
本実施形態の太陽電池セル102dでは、図に示すように、裏面電極57を、薄い電極部57aと、その薄い電極部57aから特定部分だけ盛り上げた厚い電極部57bとで構成している。厚い電極部57bは、裏面電極接続部6の周辺部と半導体基板1の周辺部である。この盛り上がりは、少なくとも半導体基板1の周辺部で盛り上がっていればよい。これにより、Al粒の発生を抑えることができる。
【0036】
上述の第1実施形態〜第5実施形態において、裏面電極接続部6が形成される部分の裏面電極の形状は、平面状で、かつ厚い電極部と同じ高さで形成している。裏面電極接続部6へ流れる電流は横方向になるため、その周囲の抵抗が小さくなるように、裏面電極接続部6と重なる部分の裏面電極の厚みは厚いほうがよい。
【0037】
図9(a)〜図9(d)は上述の第1実施形態〜第5実施形態の裏面電極を形成するための製造方法を示す説明図である。
まず、図9(a)に示すように、p型多結晶シリコン基板である半導体基板1の表面側に、n型となるリン等のドーパントを含んだ溶液を塗布した後、約900℃で熱処理することにより拡散し、n+ 層2を形成する。n+ 層2はPOC13等による気相拡散法を用いてもよい。これにより、半導体基板1の表面近くにpn接合を形成する。
【0038】
次に、太陽電池セル102bの表面の反射を低減するために、常圧CVDまたはプラズマCVDにより、SiO2 、TiO2 、SiN等からなる反射防止膜3を形成する。
【0039】
次に、図9(b)に示すように、スクリーン印刷により、公知のアルミニウムペーストを用いて、薄い電極部59となる部分を印刷し、次に、図9(c)に示すように、もう一度その上から、同じアルミニウムペーストを用いて、厚い電極部60となる部分を格子状に印刷する。そして、700〜800℃で焼成することで、半導体基板1の裏面全体にp+ 層4およびAlからなる裏面電極を形成する。
【0040】
次に、図9(d)に示すように、発生した電流を外部へ取り出すために、表面と裏面に、銀ペーストをスクリーン印刷法等により塗布し、600〜700℃で焼成することで、表面電極7と裏面電極接続部6を形成する。そして、電極の酸化を防ぎ、接続性を良くするために、これらの表面電極7と裏面電極接続部6をハンダ9で被覆する。
【0041】
図10は第1実施形態〜第5実施形態の裏面電極の形成に際し、裏面電極を容易に形成するための製造方法を示す説明図である。
まず、図9(a)と同様の半導体基板1に、同じ材料を用いて、n+ 層2と反射防止膜3を形成する(図10(a)参照)。
【0042】
次に、図10(b)に示すように、スクリーン印刷により、公知のアルミニウムペーストを用いて、厚い電極部61となる部分のみを格子状に印刷する。そして、図10(c)に示すように、薄い電極部62となる部分は、厚い電極部61の部分が自然に広がることを利用して形成する。この場合、アルミニウムペーストの粘度を適切に調整しておく。このようにすれば、製造工程を増やすことなく、より安価に本発明の太陽電池セル102bを製造することができる。
【0043】
その後、図9(d)と同様に、表面電極7と裏面電極接続部6を形成し、ハンダ9で被覆する(図10(d)参照)。
【0044】
本実施形態では、好ましくは、裏面電極パターンのアルミニウムペーストが抜ける領域(薄い電極部62となる部分)を0.5mm以下の幅とし、面内は幅およびピッチが0.2〜0.5mmの格子状のスクリーンマスクを用い、粘度約80pa・sのアルミニウムペーストを使用して、厚い電極部61となる部分を印刷する。これにより、周囲と格子状の部分が厚く、その他の部分が薄い裏面電極を容易に形成することができる。
【0045】
図11は本発明の太陽電池セルと比較例1〜3の太陽電池セルとの比較を示す説明図である。これらの太陽電池セルには、全て厚さ約300μmで、125μm角のp型多結晶シリコン基板を用いた。また、受光面側の構造は、全て図6に示した構造とした。
【0046】
比較した本発明の太陽電池セルは、図6で示した裏面電極構造の太陽電池セルを図10で示した製造方法で製造したものである。すなわち、図6の薄い電極部55aの幅と厚い電極部55bの幅を0.2mmとし、スクリーン印刷により、約1.2gのアルミニウムペーストを、厚い電極部55bの部分にのみ印刷し、薄い電極部55aの部分は、厚い電極部55bの部分の広がりを利用して、裏面電極を形成したものである。
【0047】
比較例1および比較例2の太陽電池セルは、図1で示した従来の裏面電極構造のものである。すなわち、比較例1の太陽電池セルは裏面電極を厚く形成したものであり、スクリーン印刷により、約2.0gのアルミニウムペーストを、裏面全体に均一に印刷して、裏面電極を形成したものである。また、比較例2の太陽電池セルは裏面電極を薄く形成したものであり、スクリーン印刷により、約1.2gのアルミニウムペーストを、裏面全体に均一に印刷して、裏面電極を形成したものである。
【0048】
比較例3の太陽電池セルは、図6で示した格子状の裏面電極パターンで、薄い電極部55aの部分がない構造の太陽電池セルである。すなわち、厚い電極部55bの幅を1.0mm、ピッチを5.0mmとし、スクリーン印刷により、約1.2gのアルミニウムペーストを、厚い電極部55bの部分にのみ印刷して、裏面電極を形成したものである。
【0049】
比較項目は、短絡電流Isc〔mA/cm2 〕、開放電圧Voc〔mV〕、曲線因子FF、変換効率η〔%〕、反り〔mm〕、印刷重量〔g〕とした。反りは図2で示した反り12の高さである。
【0050】
この比較でわかるように、本発明の太陽電池セルと比較例1とを比較した場合、本発明の太陽電池セルのほうが反りが少ない。また、本発明の太陽電池セルと比較例2とを比較した場合、反りは同程度であるが、比較例2では、アルミニウム粒が発生している。
【0051】
本発明の太陽電池セルと比較例3とを比較した場合、比較例3のほうが反りが少ないが、比較例3では、従来の項で述べたように、裏面にBSF層が形成されない部分があるので、BSF層が形成されない部分での少数キャリアの表面再結合のため、特性の低下がある。したがって、これらの点を考慮した場合、本発明の太陽電池セルであれば、特性を低下させずに、反りを低減させることができる。
【0052】
【発明の効果】
本発明によれば、製造工程を増やすことなく、特性を低下させずに、反りを低減させることができる。さらに、印刷重量を従来比約60%に低減してもアルミニウム粒の発生がないため、アルミニウムペーストの材料費の低減が可能となり、より低コストの太陽電池セルとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の一般的な太陽電池セルの構造を示す説明図である。
【図2】従来の一般的な太陽電池セルの反りの状態を示す説明図である。
【図3】従来の一般的な太陽電池セルの反りを軽減させる構造を示す説明図である。
【図4】本発明による太陽電池セルの第1実施形態を示す説明図である。
【図5】本発明による太陽電池セルの第2実施形態を示す説明図である。
【図6】本発明による太陽電池セルの第3実施形態を示す説明図である。
【図7】本発明による太陽電池セルの第4実施形態を示す説明図である。
【図8】本発明による太陽電池セルの第5実施形態を示す説明図である。
【図9】第1実施形態〜第5実施形態の裏面電極を形成するための製造方法を示す説明図である。
【図10】第1実施形態〜第5実施形態の裏面電極を容易に形成するための製造方法を示す説明図である。
【図11】本発明の太陽電池セルと比較例1〜3の太陽電池セルとの比較を示す説明図である。
【符号の説明】
1 p型半導体基板
2 n層
3 反射防止膜
4 p+ 層
6 裏面電極接続部
7 表面電極
9 ハンダ
53,54,55,56,57 裏面電極
55a,56a,57a,59,62 薄い電極部
55b,56b,57b,60,61 厚い電極部
102,102a,102b,102c,102d 太陽電池セル
Claims (4)
- 半導体基板と、その半導体基板の裏面全体に形成されたアルミニウムからなる裏面電極と、半導体基板の裏面電極接合面に形成されたBSF層を備えた太陽電池セルを製造するための太陽電池セルの製造方法であって、
半導体基板の平坦な裏面全体にアルミニウムペーストを塗布し、その上から再度厚くしたい裏面電極の部分にアルミニウムペーストを塗布した後、焼成することにより、半導体基板の平坦な裏面に2種以上の厚みの裏面電極と共にBSF層を形成する工程を含んでなる太陽電池セルの製造方法。 - 半導体基板と、その半導体基板の裏面全体に形成されたアルミニウムからなる裏面電極と、半導体基板の裏面電極接合面に形成されたBSF層を備えた太陽電池セルを製造するための太陽電池セルの製造方法であって、
半導体基板の平坦な裏面の厚くしたい裏面電極の部分にアルミニウムペーストを塗布するとともに、薄くしたい裏面電極の部分についてはその塗布したアルミニウムペーストの広がりを利用して形成した後、焼成することにより、半導体基板の平坦な裏面に2種以上の厚みの裏面電極と共にBSF層を形成する工程を含んでなる太陽電池セルの製造方法。 - 請求項1または2記載の製造方法によって製造された太陽電池セルであって、
裏面電極が薄い部分と厚い部分の2段階の厚みで形成されるとともに、裏面電極の厚い部分が格子状に形成されてなる太陽電池セル。 - 請求項1または2記載の製造方法によって製造された太陽電池セルであって、
裏面電極が薄い部分と厚い部分の2段階の厚みで形成されるとともに、裏面電極の厚い部分が半導体基板の外周の部分である太陽電池セル。
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