CN112466967B - 一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供的选择性发射极太阳能电池的制备方法，包括：在半导体基片表面的第一区域以及第二区域形成具有若干凸起的绒面，其中，凸起在半导体基片厚度方向上的截面形状为梯形或类梯形形状；对凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，以及形成仅覆盖第一区域的第一氧化层；利用第一氧化层为掩膜再次蚀刻半导体基片表面，以将位于第二区域的凸起蚀刻形成金字塔结构，并将第二区域上的第一掺杂层经蚀刻形成掺杂浓度小于第一掺杂层的第二掺杂层。此外，本发明实施例还提供一种选择性发射极太阳能电池。本发明实施例提供的选择性发射极太阳能电池及其制备方法，减小选择性发射极太阳能电池在应用时的复合损失。

Description

一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明实施例涉及光伏新能源领域，特别涉及一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法。
背景技术
随着光伏产业的不断发展，组件对于高效电池的需求量越来越大，尤其是对高开压电池片的需求，在高效电池的工业化生产中，选择性发射极太阳能电池被广泛的应用。选择性发射极太阳能电池的结构特征为在金属栅线接触区域形成高掺杂深扩区，在非接触区域形成低掺杂浅扩区，通过对发射区选择性掺杂，在栅线接触区和非接触区域实现不同的扩散效果，从而实现降低串联电阻，提升电池效率。
目前，在选择性发射极太阳能电池的制造过程中，对半导体基片的栅线接触区和非接触区进行扩散以形成不同的扩散效果的掺杂层之前，常对半导体基片表面的栅线接触区和非接触区蚀刻形成具有若干金字塔结构的绒面作为陷光结构，以提升陷光作用；此时，对半导体基片的栅线接触区和非接触区进行扩散以形成不同的扩散效果的掺杂层时，由于栅线接触区的掺杂元素的掺杂浓度较高，且掺杂元素容易在金字塔结构缺陷处(即金字塔结构的尖处)剧集，进而使得选择性发射极太阳能电池在应用时造成较大的复合损失。
因此，亟需提供一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法，减小选择性发射极太阳能电池在应用时的复合损失。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种选择性发射极太阳能电池及其制备方法，减小选择性发射极太阳能电池在应用时的复合损失。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种选择性发射极太阳能电池的制备方法，包括：蚀刻半导体基片表面的第一区域以及第二区域，在半导体基片表面的第一区域以及第二区域形成具有若干凸起的绒面，其中，凸起在半导体基片厚度方向上的截面形状为梯形或类梯形形状；对凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，以及形成仅覆盖第一区域的第一氧化层，其中，第一掺杂层包括有P型掺杂元素或者N型掺杂元素；利用第一氧化层为掩膜再次蚀刻半导体基片表面，以将位于第二区域的凸起蚀刻形成金字塔结构，并将第二区域上的第一掺杂层经蚀刻形成掺杂浓度小于第一掺杂层的第二掺杂层；去除第一氧化层以保留第一区域的第一掺杂层，选择性发射极结构包括第一区域的第一掺杂层和第二区域的第二掺杂层。
此外，本发明实施例还提供一种选择性发射极太阳能电池，包括半导体基片；半导体基片设有选择性发射极，以及选择性发射极与半导体基片的其他部分形成PN结结构；其中，半导体基片表面具有第一区域以及第二区域，第一区域包括若干凸起，凸起在半导体基片厚度方向上的截面形状为梯形或类梯形形状，凸起的至少部分区域为掺杂有P型掺杂元素或者N型掺杂元素的第一掺杂层；第二区域包括若干金字塔结构，若干金字塔结构的至少部分区域为掺杂有P型掺杂元素或者N型掺杂元素的第二掺杂层；第一掺杂层的掺杂浓度大于第二掺杂层的掺杂浓度，第一掺杂层和第二掺杂层组成选择性发射极。
相对于相关技术而言，本发明实施例提供的选择性发射极太阳能电池及其制备方法，通过第一区域包括若干凸起，凸起的至少部分区域为掺杂有P型掺杂元素或者N型掺杂元素的第一掺杂层，凸起在半导体基片厚度方向上的截面形状为梯形或类梯形形状，使得凸起没有缺陷处，进而避免了掺杂元素在凸起内聚集，减小选择性发射极太阳能电池在应用时的复合损失，还通过第二区域包括若干金字塔结构，若干金字塔结构的至少部分区域为掺杂有P型掺杂元素或者N型掺杂元素的第二掺杂层，进而增加第二区域的陷光作用，提升选择性发射极的短路电流。
另外，上述选择性发射极太阳能电池的制备方法中，对凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，以及形成仅覆盖第一区域的第一氧化层，具体包括：对凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，形成覆盖绒面的第二氧化层；在第二氧化层上形成仅覆盖第一区域的掩蔽层；以掩蔽层为掩膜蚀刻第二氧化层至露出半导体基片，使第二氧化层经蚀刻形成仅覆盖第一区域的第一氧化层；去除掩蔽层。
另外，上述选择性发射极太阳能电池的制备方法中，第二氧化层在半导体基片厚度方向上的厚度尺寸为50nm-150nm。通过第二氧化层在半导体基片厚度方向上的厚度尺寸为50nm-150nm，减少第二氧化层被蚀刻的时间，进而降低选择性发射极太阳能电池的制造时间。
另外，上述选择性发射极太阳能电池的制备方法中，蚀刻半导体基片表面的第一区域以及第二区域，具体包括：将半导体基片放置在温度为65℃-85℃的第一制绒液中，蚀刻半导体基片表面的第一区域以及第二区域，其中，第一制绒液包括制绒添加剂、双氧水以及氢氧化钾。通过将半导体基片放置在温度为65℃-85℃的第一制绒液中，蚀刻半导体基片表面的第一区域以及第二区域，其中，第一制绒液包括制绒添加剂、双氧水以及氢氧化钾，减缓蚀刻半导体基片表面的第一区域以及第二区域的蚀刻速率，以在半导体基片表面的第一区域以及第二区域形成具有若干凸起的绒面。
另外，上述选择性发射极太阳能电池的制备方法中，第一制绒液中的制绒添加剂、双氧水以及氢氧化钾的体积比为2：8：3。
另外，上述选择性发射极太阳能电池的制备方法中，利用第一氧化层为掩膜再次蚀刻半导体基片表面，具体包括：将半导体基片放置在温度为75℃-85℃的第二制绒液中，利用第一氧化层为掩膜再次蚀刻半导体基片表面，其中，第二制绒液包括制绒添加剂以及氢氧化钾。通过将半导体基片放置在温度为75℃-85℃的第二制绒液中，利用第一氧化层为掩膜再次蚀刻半导体基片表面，其中，第二制绒液包括制绒添加剂以及氢氧化钾，增加半导体基片表面第二区域的刻蚀速率，进一步降低选择性发射极太阳能电池的制造时间。
另外，上述选择性发射极太阳能电池的制备方法中，第二制绒液中的制绒添加剂以及氢氧化钾的体积比为1：3。
另外，上述选择性发射极太阳能电池中，第一掺杂层的方阻为60Ω/sq-120Ω/sq。
另外，上述选择性发射极太阳能电池中，第二掺杂层的方阻大于150Ω/sq。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为本发明实施例一提供的选择性发射极太阳能电池的制备方法的流程图；
图2-图3为本发明实施例一提供的蚀刻半导体基片表面的第一区域以及第二区域对应的剖面图；
图4为本发明实施例一提供的对凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，形成覆盖绒面的第二氧化层对应的剖面图；
图5为图4中A的局部放大图；
图6为本发明实施例一提供的在第二氧化层上形成仅覆盖第一区域的掩蔽层对应的剖面图；
图7为本发明实施例一提供的以掩蔽层为掩膜蚀刻第二氧化层至露出半导体基片对应的剖面图；
图8为本发明实施例一提供的去除掩蔽层对应的剖面图；
图9为本发明实施例一提供的利用第一氧化层为掩膜再次蚀刻半导体基片表面对应的剖面图；
图10为本发明实施例一提供的去除第一氧化层以保留第一区域的第一掺杂层对应的剖面图；
图11为本发明实施例一提供的生长钝化氧化层、镀减反射薄膜及在第一区域丝网印刷栅线对应的剖面图；
图12为本发明实施例一提供的烧结印刷后的栅线对应的剖面图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
本发明实施一涉及一种选择性发射极太阳能电池的制备方法，其包括：在半导体基片表面的第一区域以及第二区域形成具有若干凸起的绒面，其中，凸起在半导体基片厚度方向上的截面形状为梯形或类梯形形状；对凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，以及形成仅覆盖第一区域的第一氧化层；利用第一氧化层为掩膜再次蚀刻半导体基片表面，以将位于第二区域的凸起蚀刻形成金字塔结构，并将第二区域上的第一掺杂层经蚀刻形成掺杂浓度小于第一掺杂层的第二掺杂层。通过第一区域包括若干凸起，凸起的至少部分区域为掺杂有P型掺杂元素或者N型掺杂元素的第一掺杂层，凸起在半导体基片厚度方向上的截面形状为梯形或类梯形形状，使得凸起没有缺陷处，进而避免了掺杂元素在凸起内聚集，减小选择性发射极太阳能电池在应用时的复合损失。
下面对本实施方式的细节进行具体的说明，以下内容仅为方便理解提供的实现细节，并非实施本方案的必须。
参见图1，本发明实施一涉及的选择性发射极太阳能电池的制备方法，包括步骤：
S101：蚀刻半导体基片表面的第一区域以及第二区域。
进一步参见图2与图3，第一区域111为选择性发射极(Selective Emitter；简称：SE)太阳能电池在金属栅线接触区域将要形成的高掺杂深扩区，第二区域112为SE太阳能电池在非接触区域将要形成的低掺杂浅扩区。本步骤将半导体基片11放置在温度为65℃-85℃(摄氏度)的第一制绒液中，蚀刻半导体基片11表面的第一区域111以及第二区域112。
具体的，在本实施例中，半导体基片11为N型半导体(即电子型半导体)，将半导体基片11放置在温度为70℃的第一制绒液中，以对半导体基片11表面进行蚀刻。第一制绒液包括制绒添加剂、双氧水以及氢氧化钾，利用氢氧化钾与半导体基片11表面第一区域111以及第二区域112的硅发生化学反应，以蚀刻半导体基片11表面的第一区域111以及第二区域112；制绒添加剂包括IPA(IPA：异丙醇)，利用制绒添加剂改善第一制绒液与半导体基片11表面的润湿性，且制绒添加剂对氢氧化钾中氢氧离子从氢氧化钾溶液向半导体基片11表面的输运过程具有缓冲作用，使得大批量蚀刻半导体基片11表面时，溶液中氢氧化钾的含量具有较宽的工艺范围，有利于提高产品工艺加工质量的稳定性；向第一制绒液中添加双氧水，可降低氢氧化钾与位于半导体基片11表面第一区域111以及第二区域112的硅的反应速率，以在半导体基片11表面的第一区域111以及第二区域112形成具有若干凸起113的绒面114，且凸起113在半导体基片11厚度方向上(即图示X方向)的截面形状为梯形。
进一步的，上述第一制绒液的制绒添加剂、双氧水以及氢氧化钾的体积比为2：8：3；进而确保在7min-10min(min：分钟)内，在半导体基片11表面的第一区域111以及第二区域112形成具有若干凸起113的绒面114，且凸起113在半导体基片11厚度方向上的截面形状为梯形。
需要说明的是，在其他实施例中，也可改变第一制绒液的成分，如：采用氢氧化钠代替氢氧化钾。可以理解的是，可通过调整第一制绒液中各个成分之间的体积比，进而调整蚀刻半导体基片表面的蚀刻速率，因此，当调整第一制绒液中各个成分之间的体积比时，可相应调整半导体基片放置在第一制绒液中的时间及第一制绒液的温度，以在半导体基片表面的第一区域以及第二区域蚀刻形成具有若干凸起的绒面；半导体基片设有背离表面的底面，经蚀刻形成的凸起在半导体基片厚度方向上的截面形状为梯形或类梯形形状；其中，在半导体基片厚度方向上的截面形状为类梯形形状的凸起，在远离底面的方向上，凸起的横截面形状逐渐减小，由于在蚀刻半导体基片表面时，在半导体基片表面上各处的蚀刻速率有存在部分差异，进而导致经蚀刻后形成凸起的在半导体基片厚度方向上的厚度尺寸存在部分差异，使得凸起在半导体基片厚度方向上的截面形状为类梯形形状。在一个例子中，凸起在半导体基片厚度方向上的截面形状为类梯形形状，凸起的在远离半导体基片底面的上表面为曲面。在另一个例子中，凸起在半导体基片厚度方向上的截面形状为类梯形形状，凸起的在远离半导体基片底面的上表面为平面，凸起的在半导体基片厚度方向上的厚度尺寸逐渐增大或逐渐减小。
S102：对凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，形成覆盖绒面的第二氧化层。
进一步参见图4与图5，对凸起113的至少部分区域采用高温扩散或离子注入的方式对凸起113的至少部分区域进行掺杂P型掺杂元素，以形成第一掺杂层115，使得第一掺杂层115的方阻大于60Ω/sq(方块电阻)小于120Ω/sq，掺杂元素的掺杂的深度0.8um-1.5um(um：微米)之间，掺杂元素的掺杂浓度为每平方厘米包括3×1020-5×1020个掺杂元素；可以理解的是，由于在对凸起113的至少部分区域进行掺杂时，掺杂P型掺杂元素从凸起113的外表面向凸起113内部进行扩散，因此，靠近凸起113表面的部分区域(即图示113a)掺杂元素的掺杂浓度较高，位于凸起113内部的部分区域(即图示113b)掺杂元素的掺杂浓度较低。
具体的，在本实施例中，掺杂元素为硼，选用高温扩散的方式对凸起113的至少部分区域掺杂硼，在掺杂硼的过程中，需先沉积硼原子，再对半导体基片11以及沉积后硼原子升高温，使得半导体基片11的硅原子的热运动加剧，以使某些硅原子获得足够高的能量而离开晶格位置、留下空位，同时将硼原子通过放电室电离成硼离子，进而将硼离子注入半导体基片11内，以实现对半导体基片11的凸起113的至少部分区域掺杂硼元素。在第一掺杂层115与半导体基片11其他部分相接触形成PN结结构。
在上述掺杂过程中，需采用薄层层析技术，以将硼元素覆盖在半导体基片11表面，此时，覆盖在半导体基片11表面的部分硼原子与半导体基片11发生化学反应，进而生成在半导体基片厚度方向上的厚度尺寸为70nm(nm：纳米)的硼硅玻璃，硼硅玻璃化学性质与氧化硅相似，因此，采用硼硅玻璃作为覆盖绒面的第二氧化层116。在对凸起113的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层115，同时形成覆盖绒面的第二氧化层116。
需要说明的是，在其他可变更的实施例中，也可在对凸起的至少部分区域进行扩散处理之后，再采用化学气相沉积或其他方式在半导体基片表面形成覆盖绒面的第二氧化层。第二氧化层在半导体基片厚度方向上的厚度尺寸为50nm-150nm。
此外，采用高温扩散的方式对凸起113的至少部分区域掺杂硼时，不易在半导体基片表面形成更大的损伤，同时也可满足SE太阳能电池在栅线接触区域要形成高掺杂浓度的要求。值得注意的是，在其他可变更的实施例中，当步骤S101中的半导体基片为P型半导体时，步骤S102中的掺杂元素需为掺杂N型掺杂元素。
S103：在第二氧化层上形成仅覆盖第一区域的掩蔽层。
进一步参见图6，通过采用印刷或3D打印的方式在第二氧化层116上形成仅覆盖第一区域111的掩蔽层117，该掩蔽层117溶于碱性溶液且不溶于酸性溶液，且其在半导体基片11厚度方向上的厚度尺寸大于40nm，在本实施例中，掩蔽层117的材料为石蜡。
S104：以掩蔽层为掩膜蚀刻第二氧化层至露出半导体基片。
进一步参见图6与图7，将带有掩蔽层117的半导体基片11通过酸性溶液，去除第二区域112的第二氧化层116，进而将第二氧化层116蚀刻形成仅覆盖第一区域111的第一氧化层118。
在本实施例中，酸性溶液的主要成分为氢氟酸，由于掩蔽层117不溶于酸，因此，掩蔽层117隔绝了酸性溶液与位于掩蔽层117下的第二氧化层116的接触，使得位于掩蔽层117下的第二氧化层116不会溶于氢氟酸溶液，以使第二氧化层116蚀刻形成仅覆盖第一区域111的第一氧化层118。由于第二氧化层116易溶于氢氟酸溶液，为了避免覆盖第一区域111的第二氧化层116溶于氢氟酸溶液，将带有掩蔽层117的半导体基片11快速通过氢氟酸溶液。
S105：去除掩蔽层。
进一步参见图7与图8，将带有掩蔽层117以及第一氧化层118的半导体基片11通过碱性溶液去除掩蔽层117。在本实施例中，碱性溶液的主要成分为氢氧化钠。
S106：利用第一氧化层为掩膜再次蚀刻半导体基片表面。
进一步参见图9与图10，本步骤将半导体基片11放置在温度为75℃-85℃的第二制绒液中，蚀刻半导体基片11表面的第二区域112。
具体的，在本实施例中，将半导体基片11放置在温度为80℃的第二制绒液中，第二制绒液包括制绒添加剂以及氢氧化钾。由于第一区域111上覆盖有第一氧化层118，第二制绒液在对半导体基片11进行蚀刻时，蚀刻第一氧化层118的蚀刻速率远小于蚀刻第二区域112内凸起113的蚀刻速率，进而本步骤在蚀刻半导体基片11表面时，第二区域112内的凸起113蚀刻完毕后，还未蚀刻完第一氧化层118，从而避免了第二制绒液对第一区域111内凸起113的蚀刻。
进一步的，第二制绒液中制绒添加剂以及氢氧化钾的体积比1：3，蚀刻时间为100S-300S(S：秒)。需要说明的是，可通过更改第二制绒液中制绒添加剂以及氢氧化钾的体积比，进而更改增加或减少蚀刻时间，可以理解的是，由于在蚀刻过程中，第二区域内的凸起与氢氧化钾发生化学反应，使得第二区域内的凸起被蚀刻，因此，在制绒添加剂质量一定的情况下，增加氢氧化钾的质量，可增加蚀刻速率，进而减少蚀刻时间。
同时参见图5，第二区域112内的凸起113被蚀刻形成金字塔结构119时，由于靠近凸起113表面的部分区域(即图示113a)掺杂元素的掺杂浓度较高，位于凸起113内部的部分区域(即图示113b)掺杂元素的掺杂浓度较低，而在蚀刻第二区域112内的凸起113时，靠近凸起113表面的部分区域被蚀刻掉之后，只剩下掺杂浓度较低的位于凸起113内部的部分区域，因此，第二区域112内的凸起113被蚀刻后形成金字塔结构119时，金字塔结构119的掺杂浓度低于蚀刻前第二区域112内的凸起113的掺杂浓度，使得第二区域112上的第一掺杂层115经蚀刻形成掺杂浓度小于第一区域111第一掺杂层115掺杂浓度的第二掺杂层120。第一区域111的第一掺杂层115和第二区域112的第二掺杂层120组成选择性发射极结构。
此时，第二掺杂层120的方阻电阻大于150Ω/sq，掺杂元素的掺杂深度小于0.7um，掺杂元素的掺杂浓度为每平方厘米包括5×1018-2×1019个掺杂元素。由于第二区域112的金字塔结构119经过二次蚀刻，第二区域112的金字塔结构119更小且分布更均匀，进而提升了金字塔结构119的陷光效果，提升SE太阳能电池短路电流以及转换效率。
S107：去除第一氧化层以保留第一区域的第一掺杂层。
进一步参见图9与图10，将带有第一氧化层118的半导体基片11通过酸性溶液，去除第一氧化层118，以使得半导体基片11表面的第一区域111包括若干凸起113，凸起113在半导体基片11厚度方向上的截面形状为梯形，凸起113的至少部分区域为掺杂有硼元素的第一掺杂层115；第二区域112包括若干金字塔结构119，若干金字塔结构119的至少部分区域为掺杂有硼元素的第二掺杂层120；第一掺杂层115的掺杂浓度大于第二掺杂层120的掺杂浓度，第一掺杂层115和第二掺杂层120组成选择性发射极。
在本实施例中，酸性溶液的主要成分为氢氟酸，为了避免半导体基片11与氢氟酸发生化学反应，在去除第一氧化层118时将半导体基片11快速通过氢氟酸溶液。
S108：生长钝化氧化层。
参见图11，为了提升SE太阳能电池的开路电压，采用等离子增强化学气相沉积或其他的方式在对半导体基片11的第一区域111以及第二区域112上生长出钝化氧化层121，其中，钝化氧化层121的厚度尺寸不低于120nm；此外，由于凸起113在半导体基片11厚度方向上的截面形状为梯形或类梯形形状，凸起113复合损失较小，更易钝化。
S109：镀减反射薄膜。
继续参见图11，具体的说：为了降低SE太阳能电池对太阳光的反射，提升SE太阳能电池的电流，对半导体基片11的第一区域111以及第二区域112镀减反射薄膜122；在本实施例中减反射薄膜122的厚度尺寸为75nm-90nm。
S110：在第一区域丝网印刷栅线。
继续参见图11，具体的说：对第一区域111进行丝网印刷以在第一区域111的若干凸起113的表面留有含有银或铝的浆料123。
S111：烧结印刷后的栅线。
参见图12，具体的说：将步骤S110中含有银或铝的浆料123烘干至固化之后，进行烧结。由于凸起113在半导体基片11厚度方向上为梯形，在烧结过程中，凸起113与金属接触的面积较大，有利于形成良好的金属接触124，形成SE太阳能电池的电阻更小，从而提升SE太阳能电池的填充因子，进一步提升SE太阳能电池的效率。
相对比相关技术而言，相关技术在第一区域(即高掺杂区)设有金字塔结构，由于金字塔结构尖处在进行丝网印刷栅线时，金字塔结构与浆料接触较差，且对印刷后的栅线烧结时，浆料中的金属向半导体基片延展，会对金字塔结构造成损伤，使得SE太阳能电池的复合损失增大，降低钝化效果，导致电池效率低。
本发明实施例二涉及一种选择性发射极(SE)太阳能电池，请继续参考图10，选择性发射极太阳能电池为通过上述实施例一选择性发射极太阳能电池的制备方法得到的太阳能电池。
具体的，SE太阳能电池包括半导体基片11；半导体基片11设有选择性发射极，以及选择性发射极与半导体基片11的其他部分形成PN结结构；其中，半导体基片11表面具有第一区域111以及第二区域112，第一区域111包括若干凸起113，凸起113在半导体基片11厚度方向上的截面形状为梯形或类梯形形状，凸起113的至少部分区域为掺杂有P型掺杂元素或者N型掺杂元素的第一掺杂层115；第二区域112包括若干金字塔结构119，若干金字塔结构119的至少部分区域为掺杂有P型掺杂元素或者N型掺杂元素的第二掺杂层120；第一掺杂层115的掺杂浓度大于第二掺杂层120的掺杂浓度，第一掺杂层115和第二掺杂层120组成选择性发射极。
由于凸起113在半导体基片11厚度方向上的截面形状为梯形或类梯形形状，使得凸起113没有缺陷处，进而避免了掺杂元素在凸起113内聚集，减小选择性发射极太阳能电池在应用时的复合损失，还通过第二区域112包括若干金字塔结构119，若干金字塔结构119的至少部分区域为掺杂有P型掺杂元素或者N型掺杂元素的第二掺杂层120，进而增加第二区域112的陷光作用，提升选择性发射极的短路电流。
进一步的，第一掺杂层115的方阻大于60Ω/sq小于120Ω/sq，掺杂元素的掺杂的深度0.8um-1.5um(um：微米)之间，掺杂元素的掺杂浓度为每平方厘米包括3×1020-5×1020个掺杂元素；第二掺杂层120的方阻电阻大于150Ω/sq，掺杂元素的掺杂深度小于0.7um，掺杂元素的掺杂浓度为每平方厘米包括5×1018-2×1019个掺杂元素。由于第二区域112的金字塔结构119经过二次蚀刻，第二区域112的金字塔结构119更小且分布更均匀，进而提升了金字塔结构119的陷光效果，提升SE太阳能电池短路电流以及转换效率。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (6)

1.一种选择性发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
蚀刻半导体基片表面的第一区域以及第二区域，在所述半导体基片表面的第一区域以及第二区域形成具有若干凸起的绒面，其中，所述凸起在所述半导体基片厚度方向上的截面形状为梯形或类梯形形状；
对所述凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，以及形成仅覆盖所述第一区域的第一氧化层，其中，所述第一掺杂层包括有P型掺杂元素或者N型掺杂元素，所述第一氧化层为硼硅玻璃；
利用所述第一氧化层为掩膜再次蚀刻所述半导体基片表面，以将位于所述第二区域的凸起蚀刻形成金字塔结构，并将所述第二区域上的第一掺杂层经蚀刻形成掺杂浓度小于所述第一掺杂层的第二掺杂层；
去除所述第一氧化层以保留所述第一区域的第一掺杂层，所述选择性发射极结构包括所述第一区域的第一掺杂层和所述第二区域的第二掺杂层；
其中，所述利用所述第一氧化层为掩膜再次蚀刻所述半导体基片表面，包括：将所述半导体基片放置在温度为75℃-85℃的第二制绒液中，利用所述第一氧化层为掩膜再次蚀刻所述半导体基片表面，其中，所述第二制绒液包括制绒添加剂以及氢氧化钾。
2.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对所述凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，以及形成仅覆盖所述第一区域的第一氧化层，具体包括：
对所述凸起的至少部分区域进行扩散处理以形成第一掺杂层，形成覆盖所述绒面的第二氧化层；
在所述第二氧化层上形成仅覆盖所述第一区域的掩蔽层；
以所述掩蔽层为掩膜蚀刻所述第二氧化层至露出所述半导体基片，使所述第二氧化层经蚀刻形成仅覆盖所述第一区域的第一氧化层；
去除所述掩蔽层。
3.根据权利要求2所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第二氧化层在所述半导体基片厚度方向上的厚度尺寸为50nm-150nm。
4.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述蚀刻半导体基片表面的第一区域以及第二区域，具体包括：将所述半导体基片放置在温度为65℃-85℃的第一制绒液中，蚀刻所述半导体基片表面的第一区域以及第二区域，其中，所述第一制绒液包括制绒添加剂、双氧水以及氢氧化钾。
5.根据权利要求4所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一制绒液中的制绒添加剂、双氧水以及氢氧化钾的体积比为2：8：3。
6.根据权利要求1所述的选择性发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第二制绒液中的制绒添加剂以及氢氧化钾的体积比为1：3。
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