DE60216433T2 - Lothöckermetallurgieschienen für versorgungs- und massenleitungsführung - Google Patents
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Description
- STAND DER TECHNIK
- 1. GEBIET DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Mikrochipgehäuse und im Besonderen das Führen von stromführenden und Erdungsverbindungen zwischen dem Mikrochip und dem Substrat des Gehäuses bzw. der Einheit.
- 2. BESCHREIBUNG DES STANDS DER TECHNIK
- Integrierte Schaltungen, die hohe Leistungs- bzw. Stromwerte einsetzen, erfordern ein dichtes Muster bzw. eine dichte Anordnung von stromführenden und Erdungsleitungen, um den erforderlichen Strom bereitzustellen und um die erwartete Leistung zu erreichen. Im Zuge der Zunahme der Leistungsanforderungen für eine Schaltung werden mehr normale Zwischenverbindungsschichten (z.B. M5 und M6 bei P860) benötigt, um die Leistung bzw. den Strom und die Erdung zu führen, und wobei diese für die Wegführung von Signalen weniger verfügbar sind. Die Erfordernis des Führens von Strom und Erdung muss durch das Hinzufügen von mehr Zwischenverbindungsschichten adressiert werden. Die Abbildung aus
1A zeigt eine Darstellung einer Mikroplättchen- bzw. Chipoberfläche mit einem C4 Erhebungsmuster mit E/A für Signal, Strom und Erdung. Die Notwendigkeit für Erhebungen mit engeren Abständen zwischen einem Mikroplättchen bzw. Chip und einem Mikroplättchengehäuse haben das Routing (Führung) selbst und die Komplexität des Routings auf der Chipoberfläche umfassender gestaltet. Die Abbildung aus1B veranschaulicht eine Chip- bzw. Mikroplättchenoberfläche mit ABM-Erhebungen, die mit den Erdungsleitungen (Vss) und stromführenden Leitungen (Vdd) auf dem Chip verbunden sind. Bei diesem Design beträgt der Mindestabstand zwischen Erhebungen ungefähr 75 Mikron, wobei die Erhebungsdurchmesser ungefähr 75 Mikron entsprechen, mit einer Breite von mindestens 150 Mikron, um Signalleitungen effizient zu führen. - ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Vorgesehen ist gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Verfahren gemäß dem gegenständlichen Anspruch 1.
- Vorgesehen ist gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Vorrichtung gemäß dem gegenständlichen Anspruch 6.
- Bevorzugte Merkmale der Erfindung sind in den Unteransprüchen definiert.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- In den Zeichnungen zeigen:
-
1A eine Mikroplättchenoberfläche mit einem C4 Erhebungsmuster mit E/A für Signal, Strom und Masse; -
1B eine Mikroplättchenoberfläche mit ABM-Erhebungen, die mit Erdungsleitungen (Vss) und stromführenden Leitungen (Vdd) auf dem Mikroplättchen verbunden sind; -
2A das Mikroplättchen mit stromführenden und Erdungsleisten unter Verwendung einer alternativen Erhebungsmetallurgie; -
2B das Mikroplättchen mit stromführenden und Erdungsleisten und einem Randring; -
3 ABM-Leisten, die über Erdungs- und stromführenden Leitungen platziert sind, die sich in einer Metallschicht befinden und mit Leitungspassivierungsöffnungen zwischenverbunden sind; -
4A die ABM-Leiste, die mit der M7-Kuperschicht, die in der Ansicht im Vergleich zu der Abbildung aus4A um 90 Grad gedreht ist; - die
5A -5H ein Verfahren zur Erzeugung von ABM-Leisten auf dem Mikroplättchen; - die
6A und6B eine Mikroplättchen-Substrat-Einheit600 ; -
5A das Mikroplättchen, das stromführende und Erdungsleitungen in einer Metallschicht aufweist; -
5B das Mikroplättchen mit einer über der Metallschicht abgeschiedenen dielektrischen Schicht; -
5C das Mikroplättchen mit einer über der dielektrischen Schicht abgeschiedenen Passivierungsschicht; -
5D das Mikroplättchen mit durch die dielektrische Schicht und die Passivierungsschicht geätzten Passivierungsöffnungen; -
5E das Mikroplättchen mit ausgekleideten Passivierungsöffnungen; -
5F das Mikroplättchen mit einer mit Muster versehenen Photoresist-Schicht; -
5G das Mikroplättchen, wobei die Muster mit Kupfer gefüllt sind; und -
5H das Mikroplättchen mit stromführenden Leisten, Erdungsleisten und einer Erhebung mit einer alternativen Erhebungsmetallurgie. - GENAUE BESCHREIBUNG DER VORLIEGENDEN ERFINDUNG
- Offenbart werden eine Struktur und ein Verfahren zur Bereitstellung von stromführenden und Erdungsleisten, die in einer Anordnung von E/A-Signalerhebungen auf einer Mikroplättchen- bzw. Chipoberfläche zentriert sind. In einem Ausführungsbeispiel können die E/A-Signalerhebungen und die stromführenden und Erdungsleisten in Form von Kupfererhebungen gegeben sein. Die Struktur und das Verfahren kann ein effizientes Mittel bereitstellen, um Strom und Masse zwischen einem Mikrochip (Mikroplättchen) und einem Substrat zu verbinden. Die Struktur und das Verfahren können eine Erhebungsmetallurgie einsetzen, die sich von Lötmittel unterscheidet (d.h. eine alternative Erhebungsmetallurgie bzw. ABM als englische Abkürzung von Alternate Bump Metallurgy). Somit können sich die stromführenden und Erdungsstrukturen auf dem Mikroplättchen befinden, wobei sie umgeben werden von den E/A-Signalerhebungen (Signalerhebungen), die in einer geordneten Anordnung positioniert sind. Eine weitere Folge ist es, dass die stromführenden und Erdungsstrukturen aus der gleichen Metallschicht hergestellt werden können wie die Signalerhebungen. Diese Struktur und dieses Verfahren ermöglichen die Platzierung von mehr stromführenden und Erdungsleitungen innerhalb der Zwischenverbindungs-Metallschichten, da kleinere Zwischenabstände verwendet werden können.
- In einem Ausführungsbeispiel können die Signalerhebungen auf dem Mikroplättchen während dem Zusammenbau mit entsprechenden Lötanschlussflächen auf einem Substrat zusammengeführt werden, wie etwa einer Mikroplättcheneinheit. Die Chipeinheit kann eine Mehrzahl von Lötanschlussflächen aufweisen, die sich in Kontakt mit den stromführenden und Erdungsleitungen auf dem Chip sowie mit den Signalerhebungen befinden. Alternativ können die Lötanschlussflächen einen ausreichend großen Bereich abdecken, so dass die ganze Oberfläche einer oder mehrerer der stromführenden Leisten und/oder Erdungsleisten berührt wird.
- In der folgenden Beschreibung sind zahlreiche besondere Einzelheiten ausgeführt, wie zum Beispiel besondere Materialien, Ausrüstungen und Verfahren, um ein umfassendes Verständnis der vorliegenden Erfindung zu vermitteln. In anderen Fällen wurde auf die nähere Ausführung allgemein bekannter Computerzusammenbautechniken und Vorrichtungen bzw. Maschinen verzichtet, um die vorliegende Erfindung nicht unnötig zu verschleiern.
- Die Abbildungen der
2A und2B veranschaulichen das Mikroplättchen202 bzw. den Chip mit stromführenden und Erdungsleisten204 unter Verwendung der alternativen Erhebungsmetallurgie (ABM). In einem Ausführungsbeispiel gemäß der Abbildung aus2A werden die Signalerhebungen206 in einem angeordneten Muster mit darin positionierten stromführenden und Erdungsleisten204 platziert. In einem alternativen Ausführungsbeispiel gemäß der Abbildung aus2B wird eine zusätzliche Reihe von Leisten an der Peripherie der Signalerhebungen platziert, das heißt am Rand des Wafers. Der Zweck der Randleisten ist es, einen verbesserten Abschluss bereitzustellen, wenn das Mikroplättchen an einem Substrat angebracht wird, wie zum Beispiel einer Kunststoffeinheit bzw. einem Kunststoffgehäuse. In einem Ausführungsbeispiel können die stromführenden und Erdungsleisten204 in der Form von Rechtecken ausgebildet und von dem oberen Metall durch einen dielektrischen und einen Passivierungsüberzug getrennt werden. Die stromführenden und Erdungsleisten können in der Folge mit einer dünnen Schicht eines Niedertemperatur-Lötmittels überzogen werden, um deren elektrischen Kontakt mit den zusammenpassenden Lötanschlussflächen oder Leisten an dem zusammenpassenden Substrat zu verbessern. - Die Abbildung aus
3 zeigt eine Darstellung eines Bereichs des Mikroplättchens302 mitstromführenden304 und304' und Erdungs-ABM-Leisten303 , die über den Erdungsleitungen312 und312' und den stromführenden Leitungen314 und314' platziert sind, die in einer Metallschicht des Mikroplättchens302 existieren und elektrisch zwischenverbunden sind mit den ausgekleideten Passivierungsöffnungen (in den Passivierungs- und dielektrischen Schichten)310 und310' . Die ABM-Leisten304 ,304' und303 können ungefähr 75 Mikron breit sei und Zwischenabstände von ungefähr 75 auf dem Mikroplättchen302 aufweisen. Die ausgekleideten Passivierungsöffnungen310 und310' können durch einen Bereich gebildet werden, der ungefähr quadratisch ist, wobei jede Seite jeweils eine Länge von ungefähr fünf Mikron aufweist. Eine ausreichende Anzahl von ausgekleideten Passivierungsöffnungen310 und310' zwischen den ABM-Leisten304 ,304' und303 und der Metalloberfläche kann gebildet werden, um die ABM-Leisten304 ,304' und303 mit den entsprechenden stromführenden Leitungen314 und314' sowie den Erdungsleitungen312 und312' zwischenzuverbinden. - Die Abbildung aus
3 veranschaulicht ferner eine geringeren verfügbaren Abstand308 beim Einsatz von ABM-Leisten (Leisten)304 und304' im Vergleich zu dem, der beim Einsatz von Erhebungen (1B oben) möglich ist, um stromführende und Erdungsleitungen mit einer Schaltkreisanordnung außerhalb des Mikroplättchens bzw. des Chips302 zu verbinden. Die ABM-Leisten304 und304' eignen sich besser für die Stromführung, da sie die Leistung gleichmäßiger bzw. einheitlicher über das Mikroplättchen302 verteilen können. In Bezug auf ABM-Erhebungen (1B oben) können die darunter liegenden stromführenden Leitungen in der letzten Metallschicht nur unter einer Erhebung auftreten, und die Erhebungsbreite ist durch Verfahrensbeschränkungen auf ungefähr 150 μm begrenzt. In erneutem Bezug auf die Abbildung aus3 können in Verbindung mit den ABM-Leisten304 und304' die Passivierungsöffnungen310 an jeder Position entlang der Leiste304 und304' auftreten, so dass die stromführenden und Erdungsleitungen (Vdd/Vss)312 ,312' ,314 und314' praktisch so häufig wie gewünscht platziert werden können, wie etwa alle 30 Mikron. Das Vorhandensein von mehr stromführenden und Erdungsleitungen312 ,312' ,314 und314' , die mit enger aneinander liegenden Zwischenabständen angeordnet sind, verbessert die Leistungszufuhr, indem der Widerstandsabfall reduziert wird sowie durch eine niedrigere Induktivität. Das Ergebnis ist eine verbesserte Leistung. - Die Abbildungen der
4A und4B veranschaulichen Seitenansichten von ABM-Erdungsleisten402 mit Zwischenverbindungen (ausgekleidete Passivierungsöffnungen)404 mit der M7-Schicht406 . In einem Ausführungsbeispiel verlaufen die Zwischenverbindungen durch eine dielektrische Si3N4-Schicht408 und eine Polyimid-Passivierungsschicht410 . Die Abbildungen der4A und4B zeigen die ABM-Erdungsleiste402 , die mit einer Kupfer-Erdungsleitung411 verbunden ist, hergestellt aus der M7-Schicht406 , während eine benachbarte stromführende ABM-Leiste412 durch die Si3N4-408 und Polyimid-Schichten410 von der Erdungsleitung411 getrennt ist. - Die Abbildungen der
5A bis5H veranschaulichen ein Verfahren zur Herstellung der ABM-Leisten auf dem Mikroplättchen. Die Abbildung aus5A veranschaulicht eine fertige metallische Zwischenverbindungsschicht501 , wie etwa M7 (abgeschieden mit einer mit Muster versehenen dielektrischen Schicht), auf dem Mikroplättchen500 , das eine Kombination aus stromführenden Leitungen502 und502' und Erdungsleitungen504 und504' aufweisen kann. Wie dies in der Abbildung aus5B dargestellt ist, wird eine Schicht eines dielektrischen Materials506 , wie etwa Siliziumnitrid (Si3N4) oder Siliziumkarbid SiC über die Oberfläche des Mikroplättchens500 abgeschieden, das die geätzte M7-Schicht501 aufweist. Die Abbildung aus5C veranschaulicht die Abscheidung einer Passivierungsschicht508 . In einem Ausführungsbeispiel kann es sich bei der Passivierungsschicht um ein Material wie etwa Polyimid oder Siliziumdioxid handeln, und sie wird abdeckend abgeschieden durch Besputtern, Spinnen, CVD oder Walzen, so dass sie den dielektrischen Überzug506 überzieht. Nach dem Auftragender Passivierungsschicht kann die Oberfläche mit einem Photoresist (nicht abgebildet) mit Muster versehen werden. Die Abbildung aus5D veranschaulicht die Passivierungsöffnungen510 und510' in der Passivierungsschicht508 und der dielektrischen Schicht506 , wobei Bereiche der metallischen stromführenden Leitungen502 und502' , der Erdungsleitungen504 und504' in M7501 exponiert werden. Die Öffnungen510 und510' können erzeugt werden, indem zuerst ein Muster mit Photoresist (nicht abgebildet) erzeugt wird, und wobei danach durch die Passivierungsschicht506 und die dielektrische Schicht504 geätzt wird, um die Leitungen502 ,502' ,504 und504' bei M7501 zu exponieren bzw. frei zu legen. Die Abbildung aus5E zeigt eine Darstellung der ausgekleideten Passivierungsöffnungen512 und512' , die mit einem leitfähigen Metall oder einer Metalllegierung ausgekleidet sin. In einem Ausführungsbeispiel weisen die Passivierungsöffnungen512 und512' eine doppelte Schicht (nicht abgebildet) auf, das durch Besputtern mit Titan und danach mit Kupfer ausgekleidet wird. Die Abbildung aus5F veranschaulicht ein mit Muster versehenes Photoresist514 , aufgetragen über einen Passivierungsüberzug506 . Die Abbildung aus5G veranschaulicht die Ergebnisse eines Elektroplattierungsverfahrens zum Füllen der Öffnungen in dem Photoresist-Muster514 mit Kupfer516 . Die Abbildung aus5H veranschaulicht einen Querschnitt des Mikroplättchens500 , wobei das Photoresist mit einem Lösemittel entfernt worden ist, und mit einer Mehrzahl von ABM-Leisten518 und518' in Verbindung mit einer Kupfer-Signalerhebung520 , die mit den Leitungen502 ,502' ,504 und504' in M7501 zwischenverbunden bleibt. - Die Abbildungen der
6A und6B veranschaulichen eine Mikroplättchen-Substrat-Einheit600 . Ein Montageverfahren, wie etwa das vorstehend in Bezug auf die Abbildungen der5A bis5H beschriebene Ausführungsbeispiel, kann das Mikroplättchen602 an dem Substrat604 anbringen. Das Substrat604 kann jede zusammenpassende Komponente darstellen, um das Mikroplättchen602 mit einer externen Schaltkreisanordnung zu verbinden, wie etwa einem Gehäuse oder einer gedruckten Leiterplatte, wobei das Substrat604 berührende Erdungsbereiche606 und606' und stromführende Bereiche608 aus Lötmittel609 und609' aufweisen kann, die mit den Erdungsleistenbereichen610 und610' sowie den stromführenden Leistenbereichen512 auf dem Mikroplättchen602 zusammenpassen. Das Lötmittel609 und609' kann ein Niedertemperatur-Lötmittel darstellen, wie etwa Bleizinn oder Silberzinn, das auf die darunter liegenden Oberflächen aus Kupfer (nicht abgebildet) aufgetragen wird. Ein Vorteil der Bereitstellung äquivalenter, zusammenpassender Lötbereiche609 und609' auf dem Substrat604 mit zusammenpassenden stromführenden Leisten aus Kupfer610 und610' sowie Erdungsleisten612 auf dem Mikroplättchen602 ist es, dass eine Rate der Wärmeübertragung von dem Mikroplättchen602 erhöht werden kann, während das Mikroplättchen bzw. der Chip Operationen in einem Computer ausführt. - Danach wird ein Heizzyklus ausgeführt, indem die Mikroplättchen-Substrat-Einheit in einen Schmelzofen gegeben wird, der das Lötmittel erhitzt, bis es wie eine Flüssigkeit fließt. Nach dem Schmelzvorgang werden die Kupfererhebungen elektrisch und mechanisch mit den Lötanschlussflächen verbunden, und die stromführenden/Erdungsleisten des Mikroplättchens werden elektrisch und mechanisch mit den zusammenpassenden stromführenden/Erdungsstreifen oder -anschlussflächen auf dem Substrat verbunden.
- Während der Produktion kann ein Substrat, wie etwa ein Kunststoffgehäuse oder eine gedruckte Leiterplatte, die später mit dem Mikroplättchen zusammenpasst, durch eine Lötvorrichtung geführt werden, wobei eine Seite einem Lötvorgang ausgesetzt wird, um hunderte von Anschlüssen an jedes der Substrate zu löten. Der Einsatz von Schwall-Lötvorrichtungen bzw. Anschwemm-Lötvorrichtungen zu diesem Zweck ist allgemein bekannt. Diese Vorrichtungen bzw. Maschinen weisen Fördereinrichtungen auf, die Platten über ein Schmelzbad von Lötmittel führen, das gerührt wird, um gegen die Unterseiten der Platten anzuschwemmen bzw. zu schwappen. Vor dem Schwall-Löten ist eine Lötmaskierungsoperation erforderlich, um Abschnitte des Gehäusesubstrats vor einem Kontakt mit heißem geschmolzenem Lötmittel zu schützen. Die Lötmaske wird als ein Überzug oder mehrere Überzüge unter Verwendung allgemein bekannter Techniken aufgetragen, wie etwa Besputtern, Sprühen oder Siebdruck, wie etwa über ein Stahlsieb. Wenn die Lötmaske mit einem Maschensieb aufgetragen wird, kann ein Muster in dem Sieb Öffnungen in der Lötmaske bereitstellen, die später in Verbindung mit dem Lötvorgang gefüllt werden. Nach dem Härten der Lötemaske wird das Anschwemm-Löten ausgeführt, um die in der Maske offenen Bereiche zu füllen. Die gehärtete Lötmaske bleibt auf dem fertig gestellten Substrat, wobei ein guter dielektrischer Überzug der zu schützenden Schaltungsleitungen bereitgestellt wird.
Claims (9)
- Verfahren, das folgendes umfasst: das Abscheiden einer dielektrischen Schicht (
506 ,408 ) über eine obere Metallschicht (501 ,406 ) eines Mikroplättchens einer integrierten Schaltung (500 ,302 ,602 ) mit einer oder mehreren stromführenden Leitungen (502 ,502' ,312 ,312' ) und einer oder mehreren Erdungsleitungen (504 ,504' ,314 ,314' ,411 ), die sich in eine erste Richtung erstrecken; das Abscheiden einer Passivierungsschicht (508 ,410 ) auf die dielektrische Schicht (506 ,408 ); das Erzeugen einer oder mehrerer Passivierungsöffnungen (510 ,510' ,310 ,310' ,404 ) in der dielektrischen Schicht (506 ,408 ) und er Passivierungsschicht (508 ,410 ), so dass ein Abschnitt mindestens einer der stromführenden Leitungen (502 ,502' ,312 ,312' ) und der Erdungsleitungen (504 ,504' ,314 ,314' ,411 ) frei liegt; das Auskleiden der Passivierungsöffnungen (510 ,510' ,310 ,310' ,404 ) mit einem leitfähigen Material; und das Bilden einer Mehrzahl elektrisch leitfähiger Erhebungsleisten (516 ,303 -304 ,204 ,402 ,412 ), die sich in eine zweite Richtung erstrecken, die senkrecht zu der ersten Richtung auf der oberen Oberfläche der Passivierungsschicht (508 ,410 ) ist, wobei mindestens eine der Mehrzahl elektrisch leitfähiger Leisten (516 ,303 -304 ,204 ,402 ,412 ) sich in mindestens eine der Passivierungsöffnungen (510 ,510' ,310 ,310' ,404 ) erstreckt, die mit dem leitfähigen Material ausgekleidet sind, so dass ein elektrischer Kontakt mit mindestens einer der stromführenden Leitungen (502 ,502' ,312 ,312' ) und der Erdungsleitungen (504 ,504' ,314 ,314' ,411 ) hergestellt wird. - Verfahren nach Anspruch 1, wobei dieses ferner folgendes umfasst: das Platzieren einer Anordnung von Lötanschlussflächen (
606 ,606' ,608 ) auf einem Substrat (604 ); und das Verbinden des Mikroplättchens (602 ) mit dem Substrat (604 ), so dass die Anordnung der Lötanschlussflächen (606 ,606' ,608 ) mit der Mehrzahl elektrisch leitfähiger leisten (610 ,610' ,612 ,612' ) auf dem Mikroplättchen (602 ) zusammenpasst. - Verfahren nach Anspruch 2, wobei mindestens eine der elektrisch leitfähigen Leisten (
516 ,303 -304 ,610 ,610' ,612 ,612' ,204 ,402 ,412 ) eine Stromverbindung aufweist. - Verfahren nach Anspruch 2, wobei mindestens eine der elektrisch leitfähigen Leisten (
516 ,303 -304 ,610 ,610' ,612 ,612' ,204 ,402 ,412 ) eine Erdungsverbindung aufweist. - Verfahren nach Anspruch 2, wobei dieses ferner das Bilden zusätzlicher leitfähiger Erhebungsleisten (
204 ) an der Peripherie um das Mikroplättchen umfasst. - Vorrichtung, die folgendes umfasst: ein Mikroplättchen (
500 ,302 ,602 ) mit einer oberen Metallschicht (501 ,406 ), wobei die obere Metallschicht (501 ,406 ) eine oder mehrere stromführende Leitungen (502 ,502' ,312 ,312' ) und eine oder mehrere Erdungsleitungen (504 ,504' ,314 ,314' ,411 ) aufweist, die sich in eine erste Richtung erstrecken; eine dielektrische Schicht (506 ,408 ), die auf die obere Metallschicht (501 ,406 ) abgeschieden worden ist; eine Passivierungsschicht (508 ,410 ), die auf die dielektrische Schicht (506 ,408 ) abgeschieden worden ist; wobei die Passivierungsschicht (508 ,410 ) und die dielektrische Schicht (506 ,408 ) darin ausgebildete Öffnungen (510 ,510' ,310 ,310' ,404 ) aufweisen, so dass ein Abschnitt mindestens einer der stromführenden Leitungen und der Erdungsleitungen (502 ,502' ,504 ,504' ,312 ,312' ,314 ,314' ,411 ) frei liegt, wobei die Öffnungen (510 ,510' ,310 ,310' ,404 ) mit einem leitfähigen Material ausgekleidet sind; und eine Mehrzahl elektrisch leitfähiger Erhebungsleisten (516 ,303 -304 ,204 ,402 ,412 ), die auf die Passivierungsschicht (508 ,410 ) abgeschieden worden sind, so dass sie sich in eine zweite Richtung erstrecken, die senkrecht zu der ersten Richtung ist, wobei sich mindestens eine der Mehrzahl elektrisch leitfähiger Leisten (516 ,303 -304 ,204 ,402 ,412 ) in mindestens eine der Öffnungen (510 ,510' ,310 ,310' ,404 ) erstreckt, die mit dem leitfähigen Material ausgekleidet sind, so dass ein elektrischer Kontakt mit mindestens einer der stromführenden Leitungen und der Erdungsleitungen (502 ,502' ,504 ,504' ,312 ,312' ,314 ,314' ,411 ) hergestellt wird. - Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei jede der elektrisch leitfähiger Leisten (
516 ,303 -304 ,610 ,610' ,612 ,612' ,204 ,402 ,412 ) aus Kupfer besteht. - Vorrichtung nach Anspruch 6, mindestens eine der elektrisch leitfähiger Leisten (
516 ,303 -304 ,610 ,610' ,612 ,612' ,204 ,402 ,412 ) eine Stromverbindung aufweist. - Vorrichtung nach Anspruch 6, mindestens eine der elektrisch leitfähiger Leisten (
516 ,303 -304 ,610 ,610' ,612 ,612' ,204 ,402 ,412 ) eine Erdungsverbindung aufweist.
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