DE10017746A1 - Elektronisches Bauteil mit mikroskopisch kleinen Kontaktflächen und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Elektronisches Bauteil mit mikroskopisch kleinen Kontaktflächen und Verfahren zu seiner Herstellung

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung, wobei das Bauteil mindestens eine mikroskopisch kleine Kontaktfläche (1) für eine elektronische Schaltung mit Leiterbahnen (2) auf einer Oberfläche (3) eines Substrats (4) aufweist, und wobei ferner die Kontaktfläche (1) zusätzlich ein sich räumlich erstreckendes mikroskopisch kleines Kontaktelement (5) umfaßt, das einstückig und integral mit der Kontaktfläche (2) verbunden ist.

Description

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil mit mikro­ skopisch kleinen Kontaktflächen und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Im Zuge der Miniaturisierung von IC-Gehäusen sind Gehäusever­ packungen bekannt, welche die Größe der Halbleiterchips eines Halbleitersubstrats aufweisen oder nur unwesentlich größer als die Halbleiterchips selbst sind. Diese werden CSP-Gehäuse (Chip-Size-Packages) genannt. Auf dem Halbleiterchip selbst sind mikroskopisch kleine Kontaktflächen angeordnet, die üb­ licherweise in einer zentralen Zeile oder im Randbereich des Halbleiterchips angeordnet sind, wobei mikroskopisch klein bedeutet, daß die Struktur unter einem Lichtmikroskop erkenn­ bar und meßbar ist. Eine Umverdrahtung von der Zentral- oder Randbereichsverteilung der mikroskopisch kleinen Kontaktflä­ chen auf die nach außen führenden, über der ganzen Fläche des flächenhaften Gehäuses des elektronischen Bauteils zeilen- und/oder spaltenweise verteilten Außenanschlüsse kann zwar unterschiedlich erfolgen, jedoch muß ein Dehnungsausgleich zwischen der Dehnung des Halbleiterchips und eines Zwischen­ trägers, der die Umverdrahtung und die Außenanschlüsse trägt, ermöglicht werden. Um die Herstellungskosten derartiger flä­ chenhafter Gehäuse weiter zu senken, wird die Realisierung mit großem Nutzeffekt schon auf der Waferebene angestrebt. In diesem Fall wird von einem Waferlevel-CSP-Gehäuse gesprochen.
Es gibt zahlreiche Möglichkeiten, die Umverdrahtung auf Wa­ ferebene durchzuführen und anstelle eines Zwischenträgers ein relativ dickes Dielektrikum einzusetzen, wobei die Umverdrah­ tung mittel Dünnfilmverdrahtung durchgeführt wird.
Um eine Prüfung der elektronischen Schaltungen auf dem Wafer durchzuführen, ist eine Methode bekannt, bei der auf jedem umverdrahteten Chipanschluß nacheinander eine Drahtverbindung mittels Thermokompressionsbonden als erster Bond gesetzt wird. Diese Drahtverbindung wird dann abgetrennt, und durch Galvanisieren der Drahtstummel mit federhartem Material ent­ stehen elastische Kontaktspitzen, über welche die Kontaktie­ rung zur elektrischen Prüfung und zum Burn-In vorgenommen werden kann.
Eine derartige sequentielle Herstellung von Prüfanschlüssen über galvanisch nachbehandelte Drahtstummel zur Erzeugung elastischer Kontaktspitzen aus federhartem Material ist äu­ ßerst kostenintensiv und kann nicht unmittelbar auf den mi­ kroskopisch kleinen Kontaktflächen realisiert werden, sondern erst nach einer Umverdrahtung über den Dehnungsausgleich schaffende Leiterbahnen und nach Herstellung der nach außen geführten zeilen- und spaltenweise angeordneten Anschlüsse.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein elektronisches Bauteil mit mindestens einer mikroskopisch kleinen Kontaktfläche und ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben, das die Nachteile im Stand der Technik überwindet und die gleichzeitige Her­ stellung einer Vielzahl von Kontakten ermöglicht, die geeig­ net sind, sowohl flächige Unebenheiten auszugleichen, als auch einen Dehnungsausgleich bei Temperaturwechselbelastungen eines elektronischen Bauteils zu ermöglichen.
Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Gegenstands der un­ abhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Dazu umfaßt das elektronische Bauteil eine Kontaktfläche, die zusätzlich ein sich räumlich erstreckendes mikroskopisch kleines Kontaktelement, das einstückig und integral mit der Kontaktfläche verbunden ist, aufweist.
Dieses elektronische Bauteil hat den Vorteil, daß seine Kon­ taktfläche mit dem sich räumlich erstreckenden mikroskopisch kleinen Kontaktelement gleichzeitig für einen Vielzahl von integrierten Schaltungen auf einem Wafer realisiert werden kann. Darüber hinaus hat dieses elektronische Bauteil den Vorteil, daß zu Prüfzwecken ein Prüfkopf mit entsprechend an­ geordneten Kontaktanschlußflächen auf einem Zwischenträger die sich räumlich erstreckenden mikroskopisch kleinen Kontak­ telemente gleichzeitig kontaktieren kann ohne bereits eine Bondverbindung herstellen zu müssen. Damit ist es in vorteil­ hafter Weise möglich, die elektronischen Bauteile noch vor einem Verkapseln in einem Kunststoffgehäuse direkt auf einem Wafer ohne Umverdrahtung und Zwischenträger zu prüfen.
Schließlich kann das erfindungsgemäße elektronische Bauteil mit seinen Kontaktflächen, die zusätzlich ein sich räumlich erstreckendes mikroskopisch kleines Kontaktelement tragen, alle Dehnungsunterschiede zwischen der elektronischen Schal­ tung mit Leiterbahnen auf der Oberfläche eines Substrats oder Halbleiters und dem zum Gehäuse gehörenden Zwischenträger ausgleichen. Damit werden konventionelle formflexible Kontak­ tanschlußfahnen zwischen mikroskopisch kleinen Kontaktflächen auf der Oberfläche des Substrats und Kontaktanschlußflächen auf einem Zwischenträger vermieden. Ferner hat dieses elek­ tronische Bauteil den Vorteil, daß mit den sich räumlich er­ streckenden mikroskopisch kleinen Kontaktelementen Unebenhei­ ten der Oberfläche des Substrats ausgeglichen werden können. Schließlich ist es auch möglich, Toleranzen eines Abstands zwischen der Oberfläche des Substrats und den auf der Ober­ fläche eines Zwischenträgers angeordneten Kontaktanschlußflä­ chen durch die sich räumlich erstreckenden mikroskopisch kleinen Kontaktstifte auszugleichen.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist in dem elektronischen Bauteil der Kontaktfläche gegenüberliegend ei­ ne Kontaktanschlußfläche eines Zwischenträgers mit Flachlei­ tern angeordnet. Derartige Flachleiter verteilen im Zuge ei­ ner Umverdrahtung die auf den Randbereichen der Oberfläche des Substrats angeordneten mikroskopisch kleinen Kontaktflä­ chen oder die in einer Zeile durch das Zentrum der Oberfläche des Substrats angeordneten mikroskopisch kleinen Kontaktflä­ chen auf die Gesamtfläche des elektronischen Bauteils und stellen eine Verbindung zu entsprechenden nach außen geführ­ ten elektrischen Anschlüssen des elektronischen Bauteils be­ reit. Die nach außen geführten elektrischen Anschlüsse sind beispielsweise Kontakthöcker, die in Zeilen und/oder Spalten auf dem flächenhaften Gehäuse des elektronischen Bauteils verteilt sind. In einer bevorzugten Ausführungsform der Er­ findung ist das Substrat ein Halbleiterchip oder ein Halblei­ terwafer, und die elektronische Schaltung ist mindestens eine integrierte Schaltung im oberflächennahen Bereich des Halb­ leiterchips oder des Halbleiterwafers.
Aufgrund der erfindungsgemäßen Ausbildung des elektronischen Bauteils mit Kontaktflächen, die ein sich räumlich erstrek­ kendes mikroskopisch kleines Kontaktelement, das einstückig und integral mit der Kontaktfläche verbunden ist, aufweisen, ist es vorteilhaft möglich, sämtliche Kontaktflächen eines Halbleiterchips mit derartigen Kontaktelementen auszustatten und/oder einen gesamten Halbleiterwafer mit einer Vielzahl von elektronischen Schaltungen und einer Vielzahl von Kon­ taktflächen mit diesen Kontaktelementen gleichzeitig in einem Herstellungsverfahren zu bestücken und somit die Kontaktele­ mente nicht nur zum Dehnungsausgleich oder zum Ausgleich von Unebenheiten beim Umverdrahten zu elektronischen Außenan­ schlüssen einzusetzen, sondern die Kontaktelemente zu nutzen, um noch vor einem Verkapseln der elektronischen Bauteile mit Gehäusen und noch vor einem Trennen eines Halbleiterwafers zu einzelnen elektronischen Bauteilen die Funktion der elektro­ nischen Schaltung zu überprüfen.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die elektronische Schaltung mit Leiterbahnen eine Viel­ zahl von Kontaktflächen auf, die jeweils an einem Ende der Leiterbahnen angeordnet sind. Diese Leiterbahnen, die sich auf der Oberfläche des Substrats befinden, dienen der Verbin­ dung zwischen Kontaktflächen und den Elektroden der aktiven und passiven Bauelemente der elektronischen Schaltung im oberflächennahen Bereich des Substrats und haben nicht die Aufgabe wie die Flachleiter auf einem Zwischenträger, eine Umverdrahtung zu realisieren.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung besitzt das Kontaktelement neben einer plastischen Verformbarkeit, die für jedes Metall gegeben ist, auch eine elastische Ver­ formbarkeit, so daß eine vorteilhafte Federsteifigkeit des Kontaktstiftes zur Verfügung steht.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist das Kontaktelement unter einem Raumwinkel, der von der orthogonalen Ausrichtung abweicht, vorgeformt. Eine derartige geneigte Ausrichtung des Kontaktelementes gegenüber der Kon­ taktfläche hat den Vorteil, daß ein elastisches Anpassen an Unebenheiten der Oberfläche des Substrats und ein plastischer Dehnungsausgleich erleichtert werden, da die mikroskopisch kleinen Kontaktelemente bereits unter einem entsprechenden Raumwinkel vorgeformt sind.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist das Kontaktelement unter einem Raumwinkel, der von der orthogonalen Ausrichtung abweicht, vorgebogen. In dieser be­ vorzugten Ausführungsform erstreckt sich das mikroskopisch kleine Kontaktelement zunächst in orthogonaler Richtung und wird mit einem Werkzeug plastisch verformt, so daß es sich bleibend verbiegt und in dieser vorgebogenen Form den unter­ schiedlichen weiteren Anforderungen an das elektronische Bau­ teil zur Verfügung steht.
Die Länge des Kontaktelementes kann an die unterschiedlich­ sten Anforderungen, die an das elektronische Bauteil ge­ stellt werden, angepaßt werden. Somit ist vorzugsweise die Länge des Kontaktelementes um mindestens 5% größer als die größte Verwölbung der Oberfläche des Substrats, womit vor­ teilhaft sichergestellt wird, daß auch die größte Verwölbung der Oberfläche des Substrats von dem Kontaktstift ausgegli­ chen werden kann. Ferner kann die Länge des Kontaktelementes um mindestens 5% größer als die größte Entfernung zwischen Kontaktfläche und Kontaktanschlußfläche sein, um sicherzu­ stellen, daß das Kontaktelement auch die größte Entfernung zwischen der Kontaktfläche und einer gegenüberliegenden Kon­ taktanschlußfläche, vorzugsweise eines Zwischenträgers oder eines Prüfkopfes, zuverlässig überbrückt.
Schließlich kann die Länge des Kontaktelementes um mindestens 5% größer als die größte Längendifferenz in bezug auf den zentral gelegenen neutralen Punkt des Substrats bei größtmög­ licher Temperaturwechselbelastung sein. Bei dieser bevorzug­ ten Ausführungsform wird zusätzlich sichergestellt, daß bei allen Temperaturwechselbelastungen die Länge des Kontaktele­ mentes ausreicht, um einen Dehnungsausgleich für die unter­ schiedlichen Außenabmessungen des Substrats und der Tempera­ turwechselbelastung zu gewährleisten.
Ferner kann die Länge des Kontaktelementes um mindestens 5% größer als die größte Längendifferenz zwischen Substrat und Zwischenträger bezogen auf den zentral gelegenen neutralen Punkt des Substrats bei größtmöglicher Temperaturwechselbela­ stung sein. Damit wird vorteilhafterweise auch ein Dehnungs­ ausgleich unter Berücksichtigung der unterschiedlichen ther­ mischen Ausdehnung von Substratmaterial und Zwischenträgerma­ terial durch die angepaßte Länge des Kontaktelementes ermög­ licht.
Vorzugsweise sind die Kontaktfläche und das Kontaktelement aus einer gleichen Metall-Legierung hergestellt. Diese Aus­ führungsform hat den Vorteil, daß keinerlei Diffusionssperr­ schichten zur Vermeidung von Elektromigration und anderen Ma­ terialwanderungen an dem Übergang zwischen Kontaktfläche und Kontaktelement vorzusehen sind. Jedoch ist diese Ausführungs­ form nicht für alle üblichen Kontaktflächenmaterialien durch­ führbar.
Deshalb ist bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung die Kontaktfläche aus einer Aluminiumlegierung, während das Kontaktelement aus einer Goldlegierung herge­ stellt ist. Diese Kombination hat den Vorteil, daß sie ein hochwertiges, nicht oxidierendes Kontaktelement zur Verfügung stellt, das außerdem den Vorzug hat, daß sein freies Ende mit einer Kontaktanschlußfläche aus einer Aluminiumlegierung in­ termetallische Verbindungen unter isothermischer Erstarrung eingehen kann und somit der Kontaktstift mit der weiterfüh­ renden Umverdrahtung verbunden werden kann.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Kontaktflächen aus einer Aluminiumlegierung und das Kontaktelement ist aus einer Kupferlegierung. Dieses hat den Vorteil, daß zur Weiterverbindung des Kontaktstiftes mit der Umverdrahtung eines Zwischenträgers herkömmliche Verbindungs­ technologien, die mit Kupferlegierungen arbeiten, unmittelbar eingesetzt werden können.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die mikroskopisch kleinen Kontaktelemente als mikroskopisch klei­ ne Kontaktstifte ausgebildet. Diese Kontaktstifte sind vor­ zugsweise pilzförmig und tragen einen abgerundeten pilzhut­ förmigen Kontaktkopf. Die Kontaktstifte werden vorzugsweise mit besonders angepaßten Verfahrensschritten der Planartech­ nologie gleichzeitig auf einem Halbleiterwafer mit den Kon­ taktflächen als integrales einstückiges Element angeordnet.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist der Kontaktstift einen Durchmesser auf, der kleiner oder gleich der Hälfte der kürzesten Längenabmessung der Kon­ taktfläche ist. Die Kontaktfläche kann dabei rechteckförmig, kreisförmig oder elliptisch ausgebildet sein, und die Be­ schränkung des Durchmessers des Kontaktstiftes auf die bevor­ zugte Größe kleiner oder gleich der Hälfte der kürzesten Län­ genabmessung der Kontaktfläche dient vorteilhafterweise dazu, den sich räumlich erstreckenden mikroskopisch kleinen Kon­ taktstift über eine größere Kontaktanschlußfläche eine aus­ reichende Haftung auf der Oberfläche des Substrats zu vermit­ teln, damit elastische Verbiegungen und plastische Verformun­ gen des mikroskopisch kleinen Kontaktstiftes möglich werden, ohne daß sich das einstückig integrale Bauelement aus Kon­ taktfläche und Kontaktstift von der Oberfläche des Substrats abhebt oder sogar von den sich anschließenden Leiterbahnen abreißt.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weist der Kon­ taktstift an seinem von der Kontaktfläche entfernten Ende ei­ nen Kontaktkopf auf. Damit erhält der Kontaktstift als inte­ graler Bestandteil der Kontaktfläche eine pilzförmige Ausge­ staltung. Diese pilzförmige Ausgestaltung hat den Vorteil, daß ein Gleiten gegenüber den Kontaktanschlußflächen eines Zwischenträgers erleichtert wird, und daß für feste Verbin­ dungen zwischen der Umverdrahtung eines Zwischenträgers und den Kontaktstiften das Material des Kontaktkopfes an die Ma­ terialeigenschaften der Kontaktanschlußfläche mit welcher der Kontaktkopf verbunden ist, angepaßt werden kann.
Der Kontaktkopf des Kontaktstiftes kann aus der gleichen Me­ tall-Legierung wie der Kontaktstift hergestellt sein und kann für die unterschiedlichen Anwendungsfälle zusätzlich entweder eine Beschichtung aus Nickel und/oder Gold oder eine lötbare Metall-Legierungsbeschichtung aufweisen, oder der gesamte Kontaktkopf kann eventuell aus Lot bestehen. Diese Ausfüh­ rungsform des Kontaktkopfes, insbesondere die optimale Mate­ rialwahl des Kontaktkopfes, hängt von dem Aufbau des Gehäuses des elektronischen Bauteils ab. Wird für die Umverdrahtung lediglich ein Druckkontakt gefordert, wird sicherlich eine reib- und oxidationsfeste Beschichtung aus Nickel oder Gold des Kontaktkopfes von Vorteil sein. Ist jedoch eine Bondver­ bindung erforderlich, so hängt diese im wesentlichen von den eutektischen Schmelzen, die zwischen den Materialkombinatio­ nen aus Kontaktkopf und weiterführender Umverdrahtung gebil­ det werden können, ab. Wird schließlich eine Lötverbindung vorzugsweise für den Kontaktkopf angestrebt, wenn auch Außen­ anschlüsse wie Kontakthöcker aus Lötbällen herzustellen sind, so kann vorteilhafterweise mit einem einzigen Burn-In-Prozeß sowohl die Verbindung der Umverdrahtung zu den äußeren Kon­ takthöckern als auch die interne Lötverbindung zwischen Kon­ taktkopf und Umverdrahtung für ein elektronisches Bauteil hergestellt werden.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die mikroskopisch kleinen Kontaktelemente als mikrosko­ pisch kleine Kontaktfedern ausgebildet, die eine blattfeder­ artige Gestalt aufweisen, wobei ein Ende der Kontaktfeder mit den Kontaktflächen des Substrats oder des Halbleiterchips in­ tegral verbunden ist, und das andere Ende sich räumlich von der Kontaktfläche aus erstreckt. Die Breite der Kontaktfeder zum freien Ende hin ist vorzugsweise derart verjüngt, daß ei­ ne nahezu quadratische Kontaktfläche der Kontaktblattfeder räumlich versetzt über der Verbindung zu der Kontaktfläche des Substrats oder Halbleiterchips angeordnet ist.
Die Kontaktfedern werden vorzugsweise durch synchrone Verfah­ rensschritte für alle Kontaktfedern eines Wafers gleichzeitig durch multiples Bonden oder Diffusionslöten aus einer struk­ turierten Metallfolie hergestellt, wobei an vorbereiteten Sollbruchstellen in den Strukturen der Metallfolie beim Abhe­ ben der Metallfolie von den gebondeten oder diffusionsgelöte­ ten Stellen sich die räumlich erstreckenden elastischen Kon­ taktfedern mit ihren freistehenden Kontaktflächenenden aus­ bilden.
Vorzugsweise erstreckt sich die Kontaktfeder mit ihrem freien Ende in einem Raumwinkel α, der kleiner ist als die Orthogo­ nale zu der Kontaktfläche. Eine derartige zur Kontaktfläche abgewinkelte Kontaktfeder hat den Vorteil, daß ihre freiste­ henden Enden Oberflächenunebenheiten zwischen einem Meßkopf mit multiplen Kontaktanschlußflächen zum Messen der Funktion des Halbleiterchips leichter durch elastische Verformung aus­ geglichen werden können und beim Verpacken des Halbleiter­ chips der Kontakt zu den multiplen Kontaktanschlußflächen ei­ nes Zwischenträgers leichter herstellbar ist, da Oberflä­ chenunebenheiten zwischen Halbleiterchip und Zwischenträger ausgeglichen werden können.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung entspricht die Breite der Kontaktblattfedern der Breite der Kontaktflächen auf einem Substrat oder Halbleiterchip. Dieses hat den Vorteil, daß beim Bonden die gesamte Kontaktfläche auf dem Halbleiterchip für das einstückige integrale Verbin­ den von Kontaktfläche und Kontaktfeder zur Verfügung steht und damit eine intensive, in mikroskopischer Größenordnung großflächige stabile Verbindung aufgebaut werden kann.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Kontaktfeder an ihrem freien Ende mit Gold und/oder mit einer Nickelbeschichtung versehen. Dabei dient die Nic­ kelbeschichtung als diffusionshemmende Schicht zwischen dem Material der Kontaktfeder und der Goldbeschichtung, um si­ cherzustellen, daß das Kontaktfedermaterial nicht durchdif­ fundiert bis zum Material der Kontaktfläche auf dem Halblei­ terchip.
Vorzugsweise ist die Metallfolie aus einem elastischen Mate­ rial wie einer Federbronze oder einer Kupferlegierung, so daß beim Abziehen der Metallfolie von dem Substrat oder einem Halbleiterwafer unmittelbar blattfederartige Kontaktfedern entstehen. In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann jedoch auch eine weichgeglühte Folie aus Fe­ derbronze verwendet werden, die dann nach dem Abheben der Restfolie von dem Substrat oder einem Halbleiterwafer durch eine Temperbehandlung des Wafers oder des Halbleiterchips ih­ re Federsteifigkeit erreicht.
Vorzugsweise wird eine Metallfolie aus federelastischem Mate­ rial eingesetzt, die selektiv vorzugsweise mittels Laser­ strahl im Bereich der größten Verbiegung der Kontaktfeder weichgeglüht ist, um in vorteilhafter Weise ein Abreißen der Kontaktfeder von der Kontaktfläche des Substrats zu verhin­ dern oder ein Beschädigen der Kontaktanschlußfläche zu ver­ meiden, dadurch, daß geringe Biegekräfte auf die Verbindung zwischen Kontaktfederende und Kontaktfläche einwirken müssen. Auch in diesem Fall wird durch ein nachträgliches Tempern die Federsteifigkeit der Kontaktfeder nach dem Bonden einge­ stellt.
Ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit mindestens einer mikroskopisch kleinen Kontaktfläche für eine elektronische Schaltung mit Leiterbahnen auf einer Ober­ fläche eines Substrats, wobei die Kontaktfläche zusätzlich ein sich räumlich erstreckendes mikroskopisch kleines Kontak­ telement, das einstückig und integral mit der Kontaktfläche verbunden ist, aufweist, umfaßt folgende Verfahrensschritte:
  • a) Strukturieren einer leitenden Schicht auf einer Oberflä­ che eines Substrates zu Leiterbahnen und mikroskopisch kleinen Kontaktflächen,
  • b) Aufbringen einer Passivierungsschicht auf die struktu­ rierte leitende Schicht,
  • c) Öffnen von Kontaktfenstern in der Passivierungsschicht zum freilegen der Kontaktflächen,
  • d) Aufbringen einer geschlossenen leitenden Schicht zum Verbinden der Kontaktflächen,
  • e) Aufbringen einer Maskierungsschicht auf die geschlossene leitende Schicht
  • f) Strukturieren der Maskierungsschicht mit Durchgangsöff­ nungen zu den Kontaktflächen
  • g) Auffüllen der Durchgangsöffnungen mit leitendem Material
  • h) Entfernen der Maskierungsschicht
  • i) Entfernen der geschlossenen leitenden Schicht.
Mit diesen erfindungsgemäßen Verfahrensschritten ist es mög­ lich, unmittelbar auf den mikroskopisch kleinen Kontaktflä­ chen zusätzlich sich räumlich erstreckende mikroskopisch kleine Kontaktstifte und/oder Kontaktfedern als Kontaktele­ mente, die einstückig und integral mit den Kontaktflächen verbunden sind, herzustellen. Dieses Verfahren hat darüber hinaus den Vorteil, daß durch Variation der Dicke der Maskie­ rungsschicht beim Aufbringen auf die geschlossene leitende Schicht die Länge für alle Kontaktelemente gleichzeitig vari­ iert werden kann. Je dicker die Maskierungsschicht aufge­ bracht wird, um so länger werden die sich bildenden Kontakte­ lemente, da die Durchgangsöffnungen, die schließlich mit lei­ tendem Material aufgefüllt werden und die Kontaktelemente formen, eine Länge aufweisen, die sich nach der Dicke der Maskierungsschicht richtet.
Die Maskierungsschicht selbst ist ein wesentliches Hilfsmit­ tel, um einstückig und integral mit der Kontaktfläche verbun­ dene Kontaktelemente herzustellen, und wird in einem ab­ schließenden Verfahrensschritt wieder entfernt. Auch das Auf­ bringen einer geschlossenen leitenden Schicht, nachdem be­ reits Leiterbahnen auf der Oberfläche des Substrats struktu­ riert wurden, dient lediglich einem Kurzschluß aller mikro­ skopisch kleinen Kontaktflächen, um beispielsweise eine elek­ trogalvanische Metallabscheidung von der geschlossenen lei­ tenden Schicht aus durch die Durchgangsöffnungen hindurch zu ermöglichen. Nach einem galvanischen Abscheiden von leitendem Material unter Auffüllen der Durchgangsöffnungen und nach ei­ nem Entfernen der Maskierungsschicht kann auch der Kurzschluß zwischen den Kontaktflächen durch Entfernen der geschlossenen leitenden Schicht aufgehoben werden.
Das Strukturieren einer leitenden Schicht erfolgt vorzugswei­ se mittels Photolithographie. Das Aufbringen einer Passivie­ rungsschicht, vorzugsweise aus Si3N4 wird mittels Sputter­ technik durchgeführt. Das Öffnen von Fenstern zu den Kontakt­ flächen kann wieder mittels Photolithographie erfolgen. Das Aufbringen einer geschlossen leitenden Schicht kann mittels Aufdampftechnik, Sputtertechnik oder Abscheidetechnik vor­ zugsweise erfolgen. Sowohl das Strukturieren einer leitenden Schicht, das Aufbringen einer Passivierungsschicht, das Öff­ nen von Fenstern zu den Kontaktflächen und auch das anschlie­ ßende Aufbringen einer geschlossenen leitenden Schicht kann für eine Vielzahl elektronischer Bauteile gleichzeitig und direkt auf einem Substrat oder Halbleiterwafer erfolgen, um damit die Voraussetzung zur gleichzeitigen Schaffung einer Vielzahl von Kontaktelementen auf einer Vielzahl von Kontakt­ flächen zu bilden.
Für ein späteres galvanisches Auffüllen einer Durchgangsöff­ nung zu einem Kontaktstift wird vorzugsweise eine geschlosse­ ne leitende Schicht aus einer Kupferlegierung hergestellt. Für eine stromlose Abscheidung des Kontaktelementmaterials auf der Oberfläche der Kontaktflächen in den Durchgangsöff­ nungen der Maskierungsschicht kann in einer anderen bevorzug­ ten Ausführungsform der Erfindung auf das Aufbringen einer geschlossenen leitenden Schicht verzichtet werden, da ein Kurzschluß aller Kontaktflächen bei stromloser Metallabschei­ dung nicht erforderlich ist. Jedoch sind stromlose Abscheide­ verfahren oftmals nicht selektiv genug, so daß gleichzeitig mit dem Auffüllen der Durchgangsöffnungen eine relativ dicke abgeschiedene leitende Schicht auf der Maskierungsschicht entstehen kann.
Die Maskierungsschicht selbst wird vorzugsweise mittels Auf­ schleudern, Aufsprühen oder mittels einer Tauchtechnik aufge­ bracht. Für die Bildung von Durchgangsöffnungen kann die Mas­ kierungsschicht bei einer bevorzugten Durchführungsform der Erfindung aus einem photoempfindlichen Dielektrikum bestehen, wie vorzugsweise aus einem zähviskosen Photolack, dessen Vis­ kosität je nach erforderlicher Länge des Kontaktelementes und somit entsprechend erforderlicher Dicke der Maskierungs­ schicht den Anforderungen für das elektronische Bauteil ange­ paßt werden kann. Zur selektiven Vorhärtung des photoempfind­ lichen Dielektrikums wird vorzugsweise die Maskierungsschicht über eine an den Positionen der Kontaktelemente bzw. der zu entwickelnden Durchgangsöffnungen geschwärzten Maske abge­ deckt und der verbleibende Rest der Maskierungsschicht aus photoempfindlichem Dielektrikum belichtet.
Bei einem nachfolgenden Entwicklungsschritt wird der nicht belichtete Bereich der photoempfindlichen Dielektrikums­ schicht herausgelöst, so daß Durchgangsöffnungen bis zu der geschlossenen leitenden Schicht im Bereich der Kontaktflächen auf der Oberfläche des Substrats beim Entwickeln entstehen. Derartige Durchgangsöffnungen können aber auch vorzugsweise in einer Harzschicht mittels Laserabtragstechnik, Ionen­ strahlsputtern oder Plasmaätzen hergestellt werden, insbeson­ dere wenn die erforderliche Länge der Kontaktelemente die be­ lichtbare Dicke von photoempfindlichen Dielektrika über­ schreitet. Der Vorteil von Harzschichten in Verbindung mit Laserabtragstechnik, Ionenstrahlsputtern oder Plasmaätzen liegt darin, daß diese Maskierungsschicht aus Harz in jeder gewünschten Dicke aufbringbar und mit Durchgangsöffnungen herstellbar ist.
Nach dem Einbringen der Durchgangsöffnungen in die Maskie­ rungsschicht werden vorzugsweise die Durchgangsöffnungen mit leitendem Material mittels galvanischer Abscheidung aufge­ füllt. Dazu wird in einem entsprechenden Galvanikbad die ge­ schlossen leitende Schicht auf Kathodenpotential gelegt und eine Elektrode aus dem Material der zu bildenden Kontaktele­ mente mit dem Anodenpotential verbunden, so daß über Metall­ ionenaustausch das Anodenmaterial abgetragen wird und auf Kontaktflächen in den Durchgangsöffnungen ein Kontaktelement aus Metall wächst.
Mit Entfernen der Maskierungsschicht entsteht an der Position jeder aufgefüllten Durchgangsöffnung ein sich räumlich er­ streckendes mikroskopisch kleines Kontaktelement, das ein­ stückig und integral mit der darunterliegenden Kontaktfläche verbunden ist. Das Entfernen der geschlossenen leitenden Schicht kann mittels Ätztechnik erst erfolgen, wenn vorher die Maskierungsschicht vollständig entfernt wurde.
Nach dem Entfernen der Maskierungsschicht und der geschlosse­ nen leitenden Schicht kann sich das Kontaktelement mit seinem freien Ende frei bewegen, wobei es sich elastisch und pla­ stisch unter Ändern seines Raumwinkels verbiegen kann, so daß es in vorteilhafter Weise möglich ist, mit dem sich räumlich erstreckenden Kontaktelement unterschiedliche Abstände und Unebenheiten zu überbrücken und unterschiedliche Dehnungen auszugleichen.
Darüber hinaus ist es mit dem oben angegebenen Verfahren mög­ lich, nach dem Auffüllen der Durchgangsöffnungen eine Weiter­ abscheidung auf der Maskierungsschicht durchzuführen, um ei­ nen pilzkopfartigen Überwuchs an der Spitze des Kontaktele­ mentes zu erzeugen, so daß sich vorzugsweise mittels galvani­ scher Abscheidung ein Kontaktkopf ausbildet. Dieser Kontakt­ kopf kann zusätzlich durch Abscheidung vorzugsweise einer ed­ leren Kontaktoberflächenbeschichtung aus vorzugsweise einer Nickel- und/oder Goldschicht veredelt werden.
Ein Entfernen der Maskierungsschicht ist ohne weiteres auch noch nach Ausbilden eines Kontaktkopfes möglich, indem die Maskierungsschicht in geeigneten Lösungsmitteln aufgelöst wird. Ein anderes bevorzugtes Verfahren zur Auflösung der Maskierungsschicht ist die Veraschung mittels Plasmatechnolo­ gie.
Ein Wafer, dessen Kontaktflächen mit derartig sich räumlich erstreckenden Kontaktelementen ausgestattet ist, kann unmit­ telbar noch vor einem Trennen in einzelne Halbleiterchips oder in einzelne elektronische Bauteile auf dem Wafer-Niveau geprüft werden, indem mittels eines Prüfkopfes ein Zwischen­ träger mit Kontaktanschlußflächen auf die Kontaktelemente ei­ ner integrierten Schaltung eines einzelnen elektronischen Bauteils zur Überprüfung der Funktionsfähigkeit der elektro­ nischen Schaltung des elektronischen Bauteils gedrückt wird. Derartige Prüfköpfe mit einer entsprechenden Anzahl von Kon­ taktanschlußflächen auf einem Zwischenträgermaterial verein­ fachen die bisher übliche Funktionsprüfung vor, während und nach dem Burn-In.
Darüber hinaus können die mikroskopisch kleinen sich räumlich erstreckenden Kontaktelemente auf dem Wafer verwendet werden, um mit einem großflächigen Zwischenträger zur Umverdrahtung der Kontaktflächen mit aus einem Gehäuse heraustretenden An­ schlüssen verbunden zu werden. Der Zwischenträger kann dabei die gleichen Abmessungen wie der Wafer aufweisen und gegen­ über jeder Kontaktfläche auf der Oberfläche des Wafers eine Kontaktanschlußfläche aufweisen, die über Flachleiter mit den nach außen geführten Anschlüssen des elektronischen Bauteils in Verbindung steht.
Um ein sicheres gleichzeitiges Verlöten oder Ultraschallbon­ den der Vielzahl von Kontaktelementen mit den Kontaktan­ schlußflächen des Zwischenträgers zu erreichen, werden vor­ zugsweise die Zwischenräume zwischen den Kontaktelementen mittels Sprühtechnik oder Spritzgußtechnik vergossen, und, falls erforderlich, werden anschließend die Kontaktköpfe nach dem Vergießen der Zwischenräume freigelegt, so daß mit diesen Verfahrensschritten die Position der Kontaktköpfe gegenüber den Kontaktanschlußflächen des Zwischenträgers stabilisiert sind. Mit einem entsprechenden Anpreßdruck und einer thermi­ schen Behandlung oder einer entsprechenden reibtechnischen Erwärmung durch Ultraschall kann anschließend entweder eine Lötverbindung mittels eines Kontaktkopfs aus Lot oder eine Verbindung mittels Ultraschallbonden aller Kontaktköpfe eines Wafers gleichzeitig mit den Kontaktanschlußflächen eines Zwi­ schenträgers erfolgen.
Durch Auswahl entsprechend elastischer und plastisch verform­ barer Spritzgußmassen in den Zwischenräumen zwischen den Kon­ taktelementen können Unebenheiten der Oberfläche des Sub­ strats und der Oberfläche des Zwischenträgers ausgeglichen werden, und eine Gehäusetechnologie auf Waferniveau verwirk­ licht werden, so daß mit dem gleichzeitigen Zerteilen des Wa­ fers mit dem angeschlossenen Zwischenträger mit Umverdrahtung und Außenanschlüssen in rationeller Weise der Wafer mit sei­ ner Vielzahl von integrierten Schaltungen in elektronische Bauteile vereinzelt werden kann.
Bei der bevorzugten Durchführung des Verfahrens werden die strukturierte leitende Schicht, die Kontaktelemente und die Kontaktköpfe aus einem Material hergestellt, was für die ein­ zelnen Anwendungsfälle bereits oben diskutiert wurde.
Ein weiteres Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit mindestens einer mikroskopisch kleinen Kontakt­ fläche für eine elektronische Schaltung mit Leiterbahnen auf einer Oberfläche eines Substrats, wobei die Kontaktfläche zu­ sätzlich ein sich räumlich erstreckendes mikroskopisch klei­ nes Kontaktelement, das einstückig und integral mit der Kon­ taktfläche verbunden ist, aufweist, umfaßt folgende Verfah­ rensschritte:
  • a) Strukturieren einer Metallfolie, vorzugsweise aus einer Kupferlegierung, mit Mustern, wobei die Struktur eine Vielzahl von freigeätzten Umrissen von Kontaktfedern aufweist, die mit einer Sollbruchstelle mit der Metall­ folie verbunden sind, wobei das freiliegende Ende der Kontaktfederumrisse in Größe, Anordnung und Position den Kontaktflächen eines Substrats entspricht,
  • b) Justieren und Aufpressen der strukturierten Metallfolie auf ein Substrat mit einer Vielzahl von Kontaktflächen, wobei die freiliegenden Enden der Kontaktfederumrisse auf die Kontaktflächen gepreßt werden,
  • c) Aufheizen der Metallfolie und des Substrats zum Bonden der freiliegenden Enden der Kontaktfederumrisse mit den Kontaktflächen,
  • d) Abkühlen und Abziehen der Metallfolie unter Zurücklas­ sung räumlich sich erstreckender gebondeter Kontaktfe­ dern auf jeder der Kontaktflächen.
Mit diesem Verfahren entstehen in vorteilhafter Weise mikro­ skopisch kleine Kontaktfedern, die sich räumlich von Kontakt­ flächen auf einem Substrat erstrecken, wobei die Kontaktfe­ dern einstückig und integral mit den Kontaktflächen verbunden sind. Dabei ist das gleichzeitige Bilden von Kontaktfedern zahlenmäßig nicht begrenzt, so daß eine Vielzahl von Kontakt­ federn gleichzeitig mit diesem Verfahren in vorteilhafter Weise gebildet werden können.
Die Kontaktfedern auf den Kontaktflächen haben den Vorteil, daß sie die Kontaktflächen räumlich verlängern, so daß an­ schließende Komponenten, beispielsweise eines Gehäuses eines elektronischen Bauteils, auf diese federnden Anschlüsse auf­ gesetzt oder an die freiliegenden Enden der Kontaktfedern an­ gelötet oder mit ihnen gebondet werden können. Durch die Fe­ derwirkung dieser Kontaktfedern können Unebenheiten in der Ebene der Kontaktflächen und Unebenheiten in der Ebene von Kontaktanschlußflächen eines sich anschließenden Zwischenträ­ gers eines Gehäuses ausgeglichen werden.
Darüber hinaus ist es möglich, unmittelbar nach dem Herstel­ len der integrierten Schaltungen auf einem Halbleiterwafer diese Schaltungen mit ihren vielfachen Kontaktflächen durch einen Prüfkopf mit entsprechend angeordneten Kontaktanschluß­ flächen zu prüfen, der einfach auf die freien Enden der Kon­ taktfedern mit seinen Kontaktanschlußflächen aufgesetzt wird und dann die Funktionsfähigkeit jedes einzelnen integrierten Schaltkreises prüfen kann. Bei dieser Prüfung gleichen die Kontaktfedern Abstandsunterschiede zwischen dem Prüfkopf und dem Substrat aus und sorgen dafür, daß ein federnder Reibkon­ takt mit den Kontaktanschlußflächen des Prüfkopfes aufgebaut werden kann.
Das Strukturieren einer Metallfolie mit Kontaktfederumrissen wird vorzugsweise durch eine Ätztechnik durchgeführt. Dazu wird die Metallfolie in den nicht zu ätzenden Bereichen mit einer Schutzschicht abgedeckt. Dieses Abdecken kann mittels Photolacktechnik, Siebdrucktechnik oder Schablonenmaskie­ rungstechnik erfolgen.
In einer anderen bevorzugten Durchführung der Strukturierung werden die Umrisse der Kontaktfedern in die Metallfolie mit­ tels Laserabtragstechnik eingebracht. Auch Trockenätzverfah­ ren wie das Plasmaätzen sind zum Einbringen der Kontaktfeder­ umrisse in eine Metallfolie geeignet.
In einer bevorzugten Durchführung des Verfahrens werden die freiliegenden Enden der Kontaktfederumrisse vor dem Aufpres­ sen auf die Kontaktflächen eines Substrats mit einer Nickel- und/oder einer Goldschicht beschichtet. Diese Beschichtung hat den Vorteil, daß insbesondere die Goldschicht mit den Kontaktflächen vorzugsweise aus einer Aluminiumlegierung un­ ter isothermischer Erstarrung intermetallische Phasen bildet, die eine hohe Temperaturfestigkeit der Verbindung gewährlei­ sten.
In einer weiteren bevorzugten Durchführung des Verfahrens werden im Bereich der Sollbruchstellen die Kontaktfederumris­ se mit einer lötbaren Metallegierung beschichtet. Diese se­ lektive Metallbeschichtung hat den Vorteil, daß nach Abriß der Sollbruchstellen die sich bildenden Kontaktanschlußflä­ chen eine Lotbeschichtung aufweisen, die für ein Verbinden mit sich anschließenden Kontaktanschlußflächen geeignet ist.
In einer weiteren bevorzugten Durchführung des Verfahrens wird als Metallfolie ein federelastisches Material mit einer Dicke zwischen 30 und 100 µm eingesetzt, das zusätzlich mit einer Zinnschicht versehen wird. Dieses hat den Vorteil, daß nach dem Strukturieren der Metallfolie die Kontaktfederumris­ se bereits mit einer Zinnschicht versehen sind, die eine Löt­ verbindung mit den Kontaktflächen ermöglicht.
In einer weiteren bevorzugten Durchführungsform der Erfindung werden die Kontaktfederumrisse vor dem Aufpressen der Metall­ folie auf die Kontaktflächen in vorbestimmten Bereichen, vor­ zugsweise in ihrem mittleren Bereich, weichgeglüht. Dieses Verfahren hat den Vorteil, daß beim nachfolgenden Abziehen der Metallfolie von dem Substrat die Kraft auf die Kontakt­ fläche minimiert wird und das Umbiegen der Kontaktfeder in eine räumliche Erstreckung ihres freien Endes die Kontaktflä­ chen und die Verbindung zwischen Kontaktflächen und Kontakt­ federn nur minimal belastet. Das Weichglühen der Metallfolie aus federelastischem Material im mittleren Bereich der Kon­ taktfederumrisse kann vorzugsweise durch ein Laserscannen über die entsprechenden Bereiche erfolgen.
In einer weiteren bevorzugten Durchführungsform des Verfah­ rens wird als Metallfolie ein weiches Material wie eine wei­ che Kupferlegierung eingesetzt, wobei nach dem Abziehen der Metallfolie die zurückbleibenden, sich räumlich erstreckenden Kontaktstrukturen auf gewünschte Federeigenschaften der Kon­ taktfedern getempert werden. Bei dieser Verfahrensvariante entsteht die eigentliche Federkraft erst, nachdem das Verbin­ den mit der Kontaktfläche und/oder die Formgebung der Kon­ taktfeder abgeschlossen sind. Bei dieser Verfahrensvariante wird die Verbindung zwischen Kontaktfeder und Kontaktfläche bei der Formgebung am geringsten belastet.
Die Erfindung wird anhand von Ausführungsbeispielen mit den beigefügten Zeichnungen näher erläutert.
Fig. 1 zeigt eine teilweise quergeschnittene perspektivi­ sche Ansicht einer ersten Ausführungsform der Er­ findung mit einem sich räumlich von einer Kontakt­ fläche aus orthogonal erstreckenden Kontaktstift.
Fig. 2 zeigt eine teilweise quergeschnittene perspektivi­ sche Ansicht einer zweiten Ausführungsform der Er­ findung mit einem unter einem Raumwinkel, der von der orthogonalen Ausrichtung abweicht, vorgeformten Kontaktstift.
Fig. 3 bis 9 zeigen bevorzugte Verfahrensschritte einer Durchführung eines Verfahrens der Erfindung anhand von Querschnitten durch ein elektronisches Bauteil.
Fig. 10 zeigt einen Querschnitt durch eine bevorzugte Aus­ führungsform eines elektronischen Bauteils nach ei­ nem Vergießen der Zwischenräume zwischen einer Vielzahl von Kontaktstiften.
Fig. 11 zeigt einen Querschnitt durch eine bevorzugte Aus­ führungsform eines elektronischen Bauteils nach ei­ nem Freilegen der Kontaktköpfe.
Fig. 12 zeigt eine Draufsicht auf eine mit Kontaktfederum­ rissen strukturierte Metallfolie.
Fig. 13 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt der Fig. 12.
Fig. 14 zeigt eine perspektivische Teilansicht einer Anord­ nung einer Vielzahl von mikroskopisch kleinen Kon­ taktfedern nach einem Abziehen der Metallfolie.
Fig. 15 zeigt eine teilweise quergeschnittene perspektivi­ sche Ansicht einer mikroskopisch kleinen Kontaktfe­ der, die einstückig und integral mit einer Kontakt­ fläche verbunden ist.
Fig. 1 zeigt eine teilweise quergeschnittene perspektivische Ansicht einer ersten Ausführungsform der Erfindung mit einem sich räumlich von einer Kontaktfläche 1 aus orthogonal er­ streckenden Kontaktelementes 5 in Form eines Kontaktstiftes 16. Dieser sich räumlich erstreckende Kontaktstift 16 hat ei­ ne mikroskopisch kleine Länge und weist in dieser Ausfüh­ rungsform einen Kontaktkopf 8 auf. Die mikroskopisch kleine Kontaktfläche 1 ist Teil einer elektronischen Schaltung mit Leiterbahnen 2 auf einer Oberfläche 3 eines Substrates 4. Die Leiterbahnen 2 und die Kontaktfläche 1 bestehen in dieser Ausführungsform aus einer Aluminiumlegierung, während der Kontaktstift 16 eine Kupferlegierung aufweist, die auch den Kontaktkopf 8 bildet, wobei die Oberfläche des Kontaktkopfes 8 mit einer Nickel- und einer Gold-Beschichtung veredelt ist.
Derartige elektronische Bauteile haben den Vorteil, daß über die Länge der Kontaktstifte 16 Unebenheiten der Oberfläche 3 des Substrats 4 ausgeglichen werden können, indem sich der Kontaktstift 16 durch Verbiegen unter plastischer und elasti­ scher den Unebenheiten angleichen kann. Dies ist besonders vorteilhaft, wenn der Kontaktstift 16 dazu dienen soll, die Funktion eines elektronischen Bauteils auf einem Wafer zu prüfen, bevor der Wafer zu einzelnen, eine integrierte Schal­ tung aufweisenden elektronischen Bauteilen oder Halbleiter­ chips mittels einer Trenntechnik vereinzelt wird. Dazu kann ein Prüfkopf, der Kontaktanschlußflächen aufweist, die von einem Zwischenträger gehalten werden und räumlich gegenüber den Kontaktflächen angeordnet sind, auf die Kontaktköpfe 8 der Kontaktstifte 16 gedrückt werden, wobei durch den Andruck die Unebenheiten des Substrats 4 und des Zwischenträgers und damit die unterschiedlichen Abstände zwischen beiden ausge­ glichen werden.
Fig. 2 zeigt eine teilweise quergeschnittene perspektivische Ansicht einer zweiten Ausführungsform der Erfindung mit einem unter einem Raumwinkel α, der von der orthogonalen Ausrich­ tung abweicht, vorgeformten Kontaktelement 5. Dieser stiftar­ tige Kontakt auf der Kontaktfläche 1 schräg zur Substratober­ fläche erlaubt eine toleranzunkritische Kontaktierung zu Prüfzwecken sowohl im Scheibenformat als auch im Bauelemente­ format. Diese Ausführungsform der Erfindung ist deshalb to­ leranzunkritisch, weil die Schrägstellung des Kontaktstiftes 16 und seine Abweichung von der orthogonalen Ausrichtung eine gewisse Federwirkung erlaubt und damit Höhendifferenzen aus­ geglichen werden können.
Darüber hinaus ist auch besonders vorteilhaft die bei Druck­ ausübung ausgelöste Lateralbewegung des schräg angeordneten Kontaktstiftes 16 der Fig. 2, die durch Freireiben des Kon­ taktpunktes auf einer nicht gezeigten gegenüberliegenden Kon­ taktanschlußfläche eines Zwischenträgers zu einer zuverlässi­ gen Kontaktgabe beiträgt.
Neben der reinen Prüftechnik in bezug auf die Funktionsfähig­ keit eines einzelnen elektronischen Bauteils kann der Kon­ taktstift 16 der Fig. 1 oder Fig. 2 auch verwendet werden, um die Kontaktfläche 1 mit einer Kontaktanschlußfläche eines Zwischenträgers, der eine Umverdrahtung zu Außenanschlüssen des Gehäuses trägt, zu verbinden. Der Zwischenträger ist da­ bei ein Bestandteil eines Gehäuses für ein Verpacken der elektronischen Bauteile. Auf diesem Zwischenträger wird über Flachleiter eine Umverdrahtung von den Kontaktanschlußflächen zu auf der gesamten Fläche des Zwischenträgers verteilten Au­ ßenanschlüssen vorgenommen. Um beim Verbinden des Kontakt­ stiftes 16 mit einer nicht gezeigten Kontaktanschlußfläche eines Zwischenträgers den Kontaktstift 16 in seiner Lage zu stabilisieren, kann der Zwischenraum zwischen einer Vielzahl von Kontaktstiften 16 durch eine elastische Vergußmasse 13 vorzugsweise aus Silicon aufgefüllt werden, wie es beispiels­ weise Fig. 10 im Querschnitt zeigt.
Die Fig. 3 bis 9 zeigen bevorzugte Verfahrensschritte ei­ ner Durchführung eines Verfahrens der Erfindung anhand von Querschnitten durch ein elektronisches Bauteil.
In Fig. 3 ist auf der Oberfläche 3 eines Substrats 4 eine strukturierte Metallschicht mit Passivierungsschicht 15 und freiliegenden Kontaktflächen 1 aufgebracht. Diese Strukturie­ rung der Metallschicht und das Freilegen der Kontaktflächen 1 kann vorzugsweise durch Photolacktechnologie einer geschlos­ senen leitenden Schicht bzw. einer geschlossenen Passivie­ rungsschicht 15 aus Si3N4 erfolgen. Auf diese Passivierungs­ schicht 15 mit freiliegenden Kontaktflächen 1 wird, wie es Fig. 4 zeigt, eine geschlossene leitende Schicht 10 aufge­ bracht, die alle Kontaktflächen 1 kurzschließt.
Nach dem Aufbringen der geschlossenen leitenden Schicht wird eine Maskierungsschicht 11 auf die geschlossen leitende Schicht 10 mittels Aufschleudern, Aufsprühen oder mittels Tauchtechnik aufgebracht. Als Maskierungsschicht 11, die in Fig. 5 gezeigt wird, wird in dieser Durchführungsform des Verfahrens ein photoempfindliches Dielektrikum aufgebracht. Über das Dielektrikum wird eine Photomaske 14 gelegt, wie es in Fig. 6 zu sehen ist. Unter einem Raumwinkel α wird unter paralleler Lichteinstrahlung das photoelektrische Dielektri­ kum in den Bereichen belichtet, in denen die Photomaske 14 nicht geschwärzt ist, so daß diese Bereiche des photoempfind­ lichen Dielektrikums vorvernetzt werden und beim anschließen­ den Entwicklungsvorgang bleiben die vorvernetzten belichteten Bereiche stehen, während Durchgangsöffnungen 12 von der Ober­ fläche der Maskierungsschicht 11 bis zu der geschlossen lei­ tenden Schicht 10 beim anschließenden Entwicklungsprozeß des photoempfindlichen Dielektrikums gebildet werden.
Wie Fig. 7 zeigt, werden die Durchgangsöffnungen 12 mittels galvanischer Abscheidung mit Metall aufgefüllt, so daß ein sich räumlich erstreckendes mikroskopisch kleines Kontaktele­ ment 5, das einstückig und integral mit der Kontaktfläche 1 verbunden ist, entsteht. In der Ausführungsform, wie sie Fig. 7 zeigt, ist die geschlossen leitende Schicht 10 aus ei­ ner Kupferlegierung und ein galvanisch abgeschiedener Kon­ taktstift 30 mit seinem Kontaktkopf 8 aus einer angepaßten Kupferlegierung, wobei nach der Ausbildung des Kontaktkopfes 8 dieser durch Beschichten mit einer Nickel- und einer Gold- Beschichtung, die ebenfalls galvanisch abgeschieden wird, veredelt wird.
Nach der galvanischen Herstellung von Kontaktstift (16) und Kontaktkopf (8) wird die Maskierungsschicht (11) entfernt, und es verbleibt eine Struktur, wie sie im Querschnitt in Fig. 8 gezeigt wird. Die dünne geschlossene leitende Schicht 10 wird anschließend kurz geätzt, so daß die in Fig. 9 ge­ zeigte Struktur mit freistehenden mikroskopisch kleinen Kon­ taktstiften 16, die einstückig und integral mit entsprechen­ den Kontaktflächen 1 verbunden sind, übrigbleiben. Diese Kon­ taktstifte 16 können auf einer gesamte Waferoberfläche gleichzeitig hergestellt werden und stehen somit zur Kontak­ tierung mit einem Prüfkopf zur Verfügung, um die Funktionsfä­ higkeit der elektronischen Bauteile vor dem Vereinzeln des Substrats 4 zu elektronischen Bauteilen zu testen.
Anschließend können die Kontaktstifte 16 mit ihren Köpfen 8 in eine Vergußmasse vorzugsweise aus Silicon eingeschlossen werden, um die Kontaktstifte 16 zu stabilisieren und zu stüt­ zen, wie es in Fig. 10 gezeigt wird. Bei dem Vergießen kön­ nen jedoch, wie es Fig. 10 zeigt, die Kontaktköpfe 8 von der Vergußmasse bedeckt sein, so daß in einem weiteren Schritt vorzugsweise durch Laserabtrag die Kontaktköpfe 8 freigelegt werden, wie es in Fig. 11 gezeigt ist. Die Kontaktköpfe 8 können dann entweder in einem Lötschwallbad mit einer lötba­ ren Beschichtung überzogen werden, oder sie können mit ihren veredelten Beschichtungen aus Nickel und/oder aus Gold zum Ultraschallbonden verwendet werden.
Eine Lotbeschichtung der Kontaktköpfe 8 wird vorzugsweise da­ zu verwendet, um die Kontaktköpfe 8 mit Kontaktanschlußflä­ chen eines Zwischenträgers, der die Umverdrahtung trägt, auf äußere auf einer Fläche verteilte elektrische Anschlüsse zu ermöglichen. Die elektrischen Anschlüsse sind üblicherweise aus Lötbällen gebildete Kontakthöcker, die in Zeilen und/oder Spalten auf einer Seite des Gehäuses herausragen, während das Gehäuse auf der anderen Seite den Halbleiterchip trägt. Das Verbinden des Zwischenträgers mit Umverdrahtung mit den Kon­ taktköpfen 8 kann auch für eine Vielzahl von Kontaktköpfen 8 auf einem Wafer durchgeführt werden und das Vereinzeln dieses Zusammenbaus zu elektronischen Bauteilen kann danach statt­ finden.
Fig. 12 zeigt eine Draufsicht auf eine mit Kontaktfederum­ rissen 25 strukturierten Metallfolie 21. Diese Metallfolie hat in dieser Ausführungsform die Größe eines Halbleiterwa­ fers mit beispielsweise 32 Halbleiterchips. Die Metallfolie 21 ist zwischen 30 und 100 µm dick und weist eine Vielzahl von Kontaktfederumrissen 25 auf, deren Anzahl den Kontaktflä­ chen auf dem Halbleiterwafer entsprechen. Die Kontaktfederum­ risse 25 werden in die Metallfolie 21 eingeätzt oder mit ei­ nem Laserstrahl in die Metallfolie 21 eingeschnitten.
Fig. 13 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt der Fig. 12. Dieser Ausschnitt soll nur prinzipiell die Struktur der Kon­ taktfederumrisse 25 zeigen. Ein derartiger Umriß umfaßt ein freiliegendes Ende 24, einen mittleren Bereich 26 und eine Sollbruchstelle 23, mit der der Kontaktfederumriß 25 mit der Metallfolie 21 verbunden ist. Der mittlere Bereich 26 des Kontaktfederumrisses verjüngt sich zur Sollbruchstelle hin, so daß der Querschnitt, mit dem Kontaktfederumrisse an der Metallfolie 21 hängen, äußerst gering ist und leicht abreiß­ bar wird.
Fig. 14 zeigt eine perspektivische Teilansicht einer Anord­ nung einer Vielzahl von mikroskopisch kleinen Kontaktfedern 17 nach einem Abziehen der Metallfolie 21, die in Fig. 12 gezeigt wird. Deutlich erkennbar ist, daß nun die Kontaktfe­ derumrisse 25, wie sie in Fig. 13 gezeigt werden, nun zu ei­ ner Kontaktfläche mit einem fest auf der Substratoberfläche verbundenen ersten Kontaktfederende 19 und einem freien zwei­ ten Kontaktfederende 20 umgeformt sind. Dazu wurden die Kon­ taktfederumrisse 25 der Fig. 13 mit ihren freiliegenden En­ den 24 auf die Kontaktflächen eines Substrats gebondet oder gelötet, und anschließend beim Abreißen der Metallfolie 21 zu Kontaktfedern gebogen.
Fig. 15 zeigt eine teilweise quergeschnittene perspektivi­ sche Ansicht einer mikroskopisch kleinen Kontaktfeder 17, die einstückig und integral mit der Kontaktfläche 1 verbunden ist. Die Kontaktfeder dieses Ausführungsbeispiels hat die Form einer Blattfeder, die zum freien Ende hin verjüngt ist und mit diesem freien Ende an einem Zwischenträger mit Kon­ taktanschlußflächen einer Umverdrahtung angeschlossen werden kann oder einen Prüfkopf kontaktieren kann, der entsprechend angeordnete Kontaktanschlußflächen aufweist.

Claims (51)

1. Elektronisches Bauteil mit mindestens einer mikrosko­ pisch kleinen Kontaktfläche (1) für eine elektronische Schaltung mit Leiterbahnen (2) auf einer Oberfläche (3) eines Substrats (4), dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfläche (1) zusätzlich ein sich räumlich er­ streckendes mikroskopisch kleines Kontaktelement (5), das einstückig und integral mit der Kontaktfläche (1) verbunden ist, aufweist.
2. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfläche (1) gegenüber einer Kontaktanschluß­ fläche eines Zwischenträgers mit Flachleitern angeordnet ist.
3. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (4) ein Halbleiterchip (6) oder ein Halb­ leiterwafer (7) und die elektronische Schaltung minde­ stens eine integrierte Schaltung im oberflächennahen Be­ reich des Halbleiterchips (6) oder des Halbleiterwafers (7) ist.
4. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die elektronische Schaltung mit Leiterbahnen (2) eine Vielzahl von Kontaktflächen (1), die jeweils an einem der Enden der Leiterbahnen (2) angeordnet sind, auf­ weist.
5. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktelement (5) elastisch verformbar ist.
6. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktelement (5) unter einem Raumwinkel, der von der orthogonalen Ausrichtung abweicht, vorgeformt ist.
7. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktelement (5) in einem Raumwinkel, der von der orthogonalen Ausrichtung abweicht, vorgebogen ist.
8. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge des Kontaktelementes (5) um mindestens 5% grö­ ßer als die größte Verwölbung der Oberfläche (3) des Substrats (4) ist.
9. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge des Kontaktelementes (5) um mindestens 5% grö­ ßer als die größte Entfernung zwischen Kontaktfläche (1) und Kontaktanschlußfläche ist.
10. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge des Kontaktelementes (5) um mindestens 5% grö­ ßer als die größte Längendifferenz in Bezug auf den zen­ tral gelegenen neutralen Punkt des Substrats (4) bei größtmöglicher Temperaturwechselbelastung ist.
11. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 2 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge des Kontaktelementes (5) um mindestens 5% grö­ ßer als die größte Längendifferenz zwischen Substrat (4) und Zwischenträger bezogen auf den zentral gelegenen neutralen Punkt des Substrats (4) bei größtmöglicher Temperaturwechselbelastung ist.
12. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfläche (1) und das Kontaktelement (5) aus ei­ ner gleichen Metall-Legierung hergestellt sind.
13. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfläche (1) aus einer Aluminiumlegierung und das Kontaktelement (5) aus einer Goldlegierung herge­ stellt sind.
14. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfläche (1) aus einer Aluminiumlegierung und das Kontaktelement (5) aus einer Kupferlegierung herge­ stellt sind.
15. Elektronisches Bauteil nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktelement (5) als Kontaktstift (16) ausgebildet ist.
16. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktstift (16) einen Durchmesser aufweist, der kleiner gleich der Hälfte der kürzesten Längenabmessung der Kontaktfläche (1) ist.
17. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 11 oder Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktstift (16) an seinem von der Kontaktfläche (1) entfernten Ende einen Kontaktkopf (8) aufweist.
18. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktkopf (8) eine Nickel- und/oder Gold- Beschichtung aufweist.
19. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktkopf (8) eine Beschichtung aus einer lötbaren Metall-Legierung aufweist.
20. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontaktkopf (8) aus Lot besteht.
21. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktelement (5) als Kontaktfeder (17) ausgebildet ist.
22. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfeder (17) als Kontaktblattfeder (18) ausge­ bildet ist, wobei ein Kontaktblattfederende (19) mit der Kontaktfläche (1) verbunden ist und sich das freie Kon­ taktfederende (20) räumlich erstreckt.
23. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfeder (17) sich räumlich in einem Raumwinkel α, der kleiner ist als die Orthogonale von der Kontakt­ fläche (1), aus erstreckt.
24. Elektronisches Bauteil nach Anspruch 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der Kontaktblattfeder (18) der Breite der Kontaktfläche (1) entspricht.
25. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 22 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktblattfeder (18) an ihrem freien Blattfederen­ de (20) verjüngt ist und einen quadratischen Querschnitt aufweist.
26. Elektronisches Bauteil nach einem der Ansprüche 21 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfeder (17) an ihrem freien Ende mit Gold und/oder einer Nickelbeschichtung versehen ist.
27. Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit mindestens einer mikroskopisch kleinen Kontaktfläche (1) für eine elektronische Schaltung mit Leiterbahnen (2) auf einer Oberfläche (3) eines Substrats (4) wobei die Kontaktfläche (1) zusätzlich ein sich räumlich er­ streckendes mikroskopisch kleines Kontaktelement (5), das einstückig und integral mit der Kontaktfläche (1) verbunden ist, aufweist und das Verfahren folgende Ver­ fahrensschritte umfaßt:
  • a) Strukturieren einer leitenden Schicht (9) auf einer Oberfläche (3) eines Substrats (4) zu Leiterbahnen (2) und mikroskopisch kleinen Kontaktflächen,
  • b) Aufbringen einer Passivierungsschicht (15) auf die strukturierte leitende Schicht(9),
  • c) Öffnen von Kontaktfenstern in der Passivierungs­ schicht (15) zum Freilegen der Kontaktflächen,
  • d) Aufbringen einer geschlossenen leitenden Schicht (10) zum Verbinden der Kontaktflächen,
  • e) Aufbringen einer Maskierungsschicht (11) auf die geschlossene leitende Schicht (10),
  • f) Strukturieren der Maskierungsschicht (11) mit Durchgangsöffnungen (12) zu der geschlossen leiten­ den Schicht im Bereich der Kontaktflächen (1),
  • g) Auffüllen der Durchgangsöffnungen (12) mit leiten­ dem Material,
  • h) Entfernen der Maskierungsschicht (11),
  • i) Entfernen der geschlossen leitenden Schicht (10).
28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß das Strukturieren einer leitenden Schicht (9) und das Öffnen der Kontaktfenster in der Passivierungsschicht mittels Photolithographieverfahren erfolgt.
29. Verfahren nach Anspruch 27 oder 28, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen einer geschlossen leitenden Schicht (10) mittels Aufdampftechnik, Sputtertechnik oder Abscheide­ technik erfolgt.
30. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß als geschlossen leitende Schicht (10) eine Kupferlegie­ rungsschicht aufgebracht wird.
31. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 bis 30, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen einer Maskierungsschicht (11) auf die ge­ schlossen leitende Schicht (10) mittels Aufschleudern, Aufsprühen oder mittels Tauchtechnik erfolgt.
32. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 bis 31, dadurch gekennzeichnet, daß als Maskierungsschicht (11) ein photoempfindliches Die­ lektrikum aufgebracht wird.
33. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 bis 32, dadurch gekennzeichnet, daß das Strukturieren der Maskierungsschicht (11) mit Durch­ gangsöffnungen (12) mittels Photolithographie erfolgt.
34. Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung eines räumlich abgewinkelten Kontaktele­ mentes (5) die Maskierungsschicht (11) aus einem pho­ toempfindlichen Dielektrikum unter einem räumlichen Win­ kel zur Kontaktfläche (1) belichtet wird.
35. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 bis 31, dadurch gekennzeichnet, daß als Maskierungsschicht (11) eine Harzschicht aufgebracht wird.
36. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 bis 34, dadurch gekennzeichnet, daß die Maskierungsschicht (11) mittels Laserabtragstechnik, Ionenstrahlsputtern oder Plasmaätzen mit Durchgangsöff­ nungen (12) zu den Kontaktflächen (1) versehen wird.
37. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 bis 36, dadurch gekennzeichnet, daß das Auffüllen der Durchgangsöffnungen (12) mit leitendem Material mittels galvanischer Abscheidung erfolgt.
38. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 bis 36, dadurch gekennzeichnet, daß das Auffüllen der Durchgangsöffnungen (12) mittels stromloser Abscheidetechnik erfolgt.
39. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 bis 38, dadurch gekennzeichnet, daß das Entfernen der geschlossenen leitenden Schicht (10) mittels Ätztechnik erfolgt.
40. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 bis 39, dadurch gekennzeichnet, daß ein Ausbilden von Kontaktköpfen (8) mittels galvanischer Abscheidung oder stromlos erfolgt.
41. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 bis 40, dadurch gekennzeichnet, daß die Räume zwischen den Kontaktelementen (5) vergossen werden.
42. Verfahren nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, daß das Vergießen der Räume zwischen den Kontaktelementen (5) mittels Sprühtechnik oder Spritzgußtechnik erfolgt.
43. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 bis 42, dadurch gekennzeichnet, daß Kontaktköpfe nach einem Vergießen der Zwischenräume (13) zwischen den Kontaktelementen (5) freigelegt werden.
44. Verfahren nach Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, daß das Freilegen von Kontaktköpfen mittels Laserabtrag­ stechnik erfolgt.
45. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 bis 44, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktköpfe (8) mit Nickel und/oder Gold beschich­ tet werden.
46. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Bauteils mit mindestens einer mikroskopisch kleinen Kontaktfläche (1) für eine elektronische Schaltung mit Leiterbahnen (2) auf einer Oberfläche (3) eines Substrats (4), wobei die Kontaktfläche (1) zusätzlich ein sich räumlich er­ streckendes mikroskopisch kleines Kontaktelement (5), das einstückig und integral mit der Kontaktfläche (1) verbunden ist, aufweist und das Verfahren folgende Ver­ fahrensschritte aufweist:
  • a) Strukturieren einer Metallfolie (21) vorzugsweise aus einer Kupferlegierung mit Mustern (22), wobei die Struktur eine Vielzahl von freigelegten Umris­ sen von Kontaktfedern (17) aufweist, die mit einer Sollbruchstelle (23) mit der Metallfolie (21) ver­ bunden sind, wobei das freiliegende Ende (24) des Kontaktfederumrisses (25) in Größe, Anordnung und Position den Kontaktflächen (1) eines Substrats (4) entspricht,
  • b) Justieren und Aufpressen der strukturierten Metall­ folie (21) auf ein Substrat (4) mit einer Vielzahl von Kontaktflächen (1), wobei die freiliegenden En­ den (24) der Kontaktfederumrisse (25) auf die Kon­ taktflächen (1) gepreßt werden,
  • c) Aufheizen der Metallfolie (21) und des Substrats (4) zum Bonden der freiliegenden Enden (24) der Kontaktfederumrisse (25) mit den Kontaktflächen (1)
  • d) Abkühlen und Abziehen der Metallfolie (21) unter Zurücklassung räumlich sich erstreckender gebonde­ ter oder gelöteter Kontaktfedern (21) auf jeder der Kontaktflächen (1).
47. Verfahren nach Anspruch 46, dadurch gekennzeichnet, daß die freiliegenden Enden (24) der Kontaktfederumrisse (25) vor dem Aufpressen auf die Kontaktflächen (1) eines Substrats (4) mit einer Nickel- und/oder einer Gold­ schicht beschichtet werden.
48. Verfahren nach Anspruch 46 oder 47, dadurch gekennzeichnet, daß im Bereich der Sollbruchstellen (23) die Kontaktfederum­ risse (25) mit einer lötbaren Metall-Legierung beschich­ tet werden.
49. Verfahren nach einem der Ansprüche 46 bis 48, dadurch gekennzeichnet, daß als Metallfolie (21) ein federelastisches Material einer Dicke zwischen 30 und 100 µm eingesetzt wird, das mit einer lötbaren Zinnschicht versehen wird.
50. Verfahren nach einem der Ansprüche 46 bis 49, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktfederumrisse (25) vor dem Aufpressen der Me­ tallfolie (21) in vorbestimmten Bereichen, vorzugsweise in ihrem mittleren Bereich (26), weichgeglüht werden.
51. Verfahren nach einem der Ansprüche 46 bis 50, dadurch gekennzeichnet, daß eine weiche Metallfolie eingesetzt wird und nach dem Ab­ ziehen der Metallfolie (21) die zurückbleibenden sich räumlich erstreckenden Kontaktstrukturen auf gewünschte Federeigenschaft der Kontaktfedern (17) getempert wer­ den.
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