DE112007000256T5 - Verfahren zum Bonden von Messsonden und Verfahren zur Herstellung einer Messsondenkarte unter Verwendung desselben - Google Patents

Verfahren zum Bonden von Messsonden und Verfahren zur Herstellung einer Messsondenkarte unter Verwendung desselben Download PDF

Info

Publication number
DE112007000256T5
DE112007000256T5 DE112007000256T DE112007000256T DE112007000256T5 DE 112007000256 T5 DE112007000256 T5 DE 112007000256T5 DE 112007000256 T DE112007000256 T DE 112007000256T DE 112007000256 T DE112007000256 T DE 112007000256T DE 112007000256 T5 DE112007000256 T5 DE 112007000256T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer pattern
wetting layer
solder paste
wetting
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE112007000256T
Other languages
English (en)
Inventor
Ki-Joon Kim
Yong-Hwi Bucheon Jo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Soulbrain ENG Co Ltd
Original Assignee
Phicom Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Phicom Corp filed Critical Phicom Corp
Publication of DE112007000256T5 publication Critical patent/DE112007000256T5/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3452Solder masks
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/06711Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06716Elastic
    • G01R1/06727Cantilever beams
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2081Compound repelling a metal, e.g. solder
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03Metal processing
    • H05K2203/0315Oxidising metal
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007Surface contacts, e.g. bumps
    • H05K3/4015Surface contacts, e.g. bumps using auxiliary conductive elements, e.g. pieces of metal foil, metallic spheres

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Verfahren zum Bonden von Messsonden oder Prüfspitzen, umfassend:
Bilden von Schwellenschichtmustern („bump layer pattern") auf Anschlüssen eines mehrschichtigen Substrats;
Bilden eines ersten Benetzungsschichtmusters und eines Nicht-Benetzungsschichtmusters auf den Schwellenschichtmustern, wobei das erste Benetzungsschichtmuster eine Benetzbarkeit im Hinblick auf die Lötpaste aufweist und das Nicht-Benetzungsschichtmuster keine Benetzbarkeit im Hinblick auf die Lötpaste aufweist;
Bilden der Lötpaste auf dem ersten Benetzungsschichtmuster und dem Nicht-Benetzungsschichtmuster;
Bonden der Messsonden, die mit einem Gegenstand Kontakt herstellen, an die Lötpaste; und Zurückfließen der Lötpaste auf dem Nicht-Benetzungsschichtmuster in Richtung einer Oberfläche des ersten Benetzungsschichtmusters, um eine Haftschicht auf dem ersten Benetzungsschichtmuster zu bilden.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Beispielausführungsformen der vorliegenden Erfindung beziehen sich auf ein Verfahren zum Bonden von Messsonden bzw. Prüfspitzen sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Messsondenkarte unter Verwendung desselben. Noch spezieller beziehen sich Beispiele von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung auf ein Verfahren zum Bonden von Messsonden, die direkt Kontakt mit einem Gegenstand, an ein mehrschichtiges Substrat, herstellen sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Messsondenkarte unter Verwendung des Verfahrens zum Bonden der Messsonden.
  • Hintergrund des Standes der Technik
  • Im Allgemeinen testet eine Messsondenkarte die elektrischen Kapazitäten eines Chips auf einem Halbleitersubstrat. Die Messsondenkarte stellt Kontakt mit Feldern beziehungsweise Blöcken des Chips her. Die Messsondenkarte führt den Bereichen beziehungsweise Blöcken dann ein elektrisches Signal zu. Die Messsondenkarte detektiert ein elektrisches Antwortsignal der Bereiche beziehungsweise Blöcke, um zu bestimmen, ob die Abläufe des Chips normal sind oder nicht.
  • Da eine Halbleitervorrichtung hochgradig integriert vorliegt, wurde das Schaltungsmuster der Halbleitervorrichtung verfeinert. Somit ist es erforderlich, die Messsondenkarte mit einer Größe herzustellen, die der Größe des winzigen Schaltungsmusters der Halbleitervorrichtung entspricht.
  • Im Allgemeinen kann die Messsondenkarte hergestellt werden, indem eine Vielzahl von Messsonden auf ein Schwellenschichtmuster („bump layer pattern") auf einem mehrschichtigen Substrat unter Verwendung einer Lötpaste gebondet wer den. Die Lötpaste kann durch Siebdruckverfahren unter Verwendung einer Schablonenmaske aufgebracht werden. Gemäß dem Siebdruckverfahren wird auf der Schablonenmaske durch ein Laserverfahren, ein Ätzverfahren, ein Elektroplattierungsverfahren etc. ein Muster gebildet. Die Lötpaste tritt durch das Muster auf die Schablonenmaske, um die Lötpaste aufzubringen. Beispiele eines herkömmlichen Verfahrens zum Bilden einer Messsondenkarte sind in der koreanischen offengelegten Patentveröffentlichung Nr. 2005-109331 , Nr. 2004-88947 etc. offenbart.
  • Wenn hier der Abstand eines Schwellenschichtmusters klein ist, kann die Fläche des Schwellenschichtmusters auf dem die Lötpaste aufgebracht wird, klein sein. Demgemäß kann Lötpaste fehlen, so dass die Bonding-Festigkeit zwischen der Messsonde und dem Schwellenschichtmuster geschwächt werden kann. Um eine ausreichende Menge an Lötpaste auf dem Schwellenschichtmuster mit besonders kleinem oder feinem Abstand aufzubringen, ist es erforderlich, die Dicke der Schablonenmaske mit dem feinen Muster zu vergrößern. Da jedoch das Muster eine kleine Dimension aufweist und die Schablonenmaske ebenfalls eine große Dicke hat, kann die Lötpaste nicht effektiv durch die dicke Schablonenmaske treten. Folglich, obwohl die Schablonenmaske mit einer großen Dicke bereitgestellt wird, kann es nach wie vor an Lötpaste fehlen. Weiterhin kann sich die Lötpaste, die eine große Höhe aufweist, aufgrund der Schwerkraft der Messsonde verteilen bzw. zerfließen. Die verteilte Lötpaste kann einen elektrischen Kurzschluss zwischen aneinander angrenzenden beziehungsweise anstoßenden Schwellenschichtmustern hervorrufen.
  • Daher kann gemäß dem herkömmlichen Verfahren keine ausreichende Menge an Lötpaste, die zum Bonden der Messsonde erforderlich ist, auf das Schwellenschichtmuster aufgebracht werden. Im Gegensatz hierzu können die angrenzenden Schwellenschichtmuster, obwohl eine ausreichende Menge an Lötpaste auf das Schwellenschichtmuster aufgebracht werden kann, durch die aufgrund der Schwerkraft der Messsonde verteilte Lötpaste miteinander elektrisch verbunden werden.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Technisches Problem
  • Beispielausführungsformen der vorliegenden Erfindung liefern ein Verfahren zum Bonden von Messsonden bzw. Prüfspitzen, das dazu in der Lage, ist einen elektrischen Kurzschluss zwischen Schwellenschichtmustern, hervorgerufen durch die Lötpaste, zusammen mit der Lötpaste, die in ausreichender Weise aufgebracht ist, zu verhindern.
  • Beispielausführungsformen der vorliegenden Erfindung liefern ebenfalls ein Verfahren zur Herstellung einer Messsondenkarte unter Verwendung des oben erwähnten Verfahrens.
  • Technische Lösung
  • In einem Verfahren zum Bonden von Messsonden gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung werden Schwellenschichtmuster auf Anschlüssen eines mehrschichtigen Substrats gebildet. Ein erstes Benetzungsschichtmuster mit einer Benetzbarkeit im Hinblick auf die Lötpaste und ein Nicht-Benetzungsschichtmuster ohne Benetzbarkeit im Hinblick auf die Lötpaste werden auf den Schwellenschichtmustern gebildet. Die Lötpaste wird auf der ersten Benetzungsschicht und dem Nicht-Benetzungsschichtmuster gebildet. Die Messsonden, die mit einem Gegenstand Kontakt herstellen, werden auf der Lötpaste gebondet. Die Lötpaste auf dem Nicht-Benetzungsschichtmuster fließt entlang der Oberfläche des ersten Benetzungsschichtmusters zurück, um eine Haftschicht auf dem ersten Benetzungsschichtmuster zu bilden.
  • Gemäß einer Beispielausführungsform kann weiterhin ein zweites Benetzungsschichtmuster auf den Messsonden, die auf der Lötpaste gebondet sind, gebildet werden.
  • Gemäß einer weiteren Beispielausführungsform kann das Bilden des ersten Benetzungsschichtmusters und des Nicht-Benetzungsschichtmusters das Bilden des Nicht-Benetzungsschichtmusters auf einer ersten Region der Schwellenschichtmuster umfassen, sowie Bilden des ersten Benetzungsschichtmusters auf einer zweiten Region des Nicht-Benetzungsschichtmusters, das einer Region von der Gesamtregion entspricht, ausgenommen der ersten Region.
  • Gemäß einer weiteren Beispielausführungsform kann das Bilden des ersten Benetzungsschichtmusters und des Nicht-Benetzungsschichtmusters umfassen: Bilden des Nicht-Benetzungsschichtmusters auf der gesamten Oberfläche der Schwellenschichtmuster und partielles Bilden des ersten Benetzungsschichtmusters auf dem Nicht-Benetzungsschichtmuster.
  • Gemäß noch einer weiteren Beispielausführungsform kann das Nicht-Benetzungsschichtmuster ein Oxidschichtmuster umfassen.
  • In einem Verfahren zur Herstellung einer Messsondenkarte gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein mehrschichtiges Substrat hergestellt. Schwellenschichtmuster werden auf Anschlüssen des mehrschichtigen Substrats gebildet. Ein erstes Benetzungsschichtmuster mit einer Benetzbarkeit im Hinblick auf die Lötpaste und ein Nicht-Benetzungsschichtmuster ohne Benetzbarkeit im Hinblick auf die Lötpaste werden auf den Schwellenschichtmustern gebildet. Die Lötpaste wird auf dem ersten Benetzungsschichtmuster und dem Nicht-Benetzungsschichtmuster gebildet. Die Messsonden, die mit einem Gegenstand Kontakt herstellen, werden auf der Lötpaste gebondet. Die Lötpaste auf dem Nicht-Benetzungsschichtmuster fließt entlang einer Oberfläche des ersten Benetzungsschichtmusters zurück, um eine Haftschicht auf dem ersten Benetzungsschichtmuster zu bilden, wobei die Messsonden auf dem mehrschichtigen Substrat gebondet werden. Das mehrschichtige Substrat, auf dem die Messsonden gebondet werden, wird mit einer gedruckten Schaltkarte bzw. Platine zusammengebaut, um das mehrschichtige Substrat mit der gedruckten Schaltkarte elektrisch zu verbinden.
  • Vorteilhafte Effekte
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Lötpaste auf dem ersten Benetzungsschichtmuster und dem Nicht-Benetzungsschichtmuster gebildet. Somit kann eine ausreichende Menge der Lötpaste, die zum Bonden der Messsonden erforderlich ist, ohne elektrischen Kurzschluss zwischen angrenzenden Schwellenschichtmustern bereitgestellt werden. Weiterhin fließt die Lötpaste entlang der Oberfläche des ersten Benetzungsschichtmusters, basierend auf einem Unterschied zwischen dem Benetzungsgrad des ersten Benetzungsschichtmusters und des Nicht-Benetzungsschichtmusters, zurück, so dass die Messsonden unter Verwendung der Lötpaste fest gebondet werden können.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die obigen und andere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden mit Bezug auf die nachfolgende detaillierte Beschreibung unter Berücksichtigung der beigefügten Zeichnungen ohne weiteres offensichtlich, worin:
  • die 1 bis 6 Querschnittsansichten sind, die ein Verfahren zum Bonden von Messsonden gemäß einer ersten Beispielausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen;
  • die 7 bis 12 Querschnittsansichten sind, die ein Verfahren zum Bonden von Messsonden gemäß einer zweiten Beispielausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen;
  • 13 eine Querschnittsansicht darstellt, die eine Messsondenkarte gemäß einer dritten Beispielausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht; und
  • 14 ein Flussdiagramm darstellt, das ein Verfahren zur Herstellung der Messsondenkarte in 13 veranschaulicht.
  • Beste Ausführungsform zur Durchführung der Erfindung
  • Es sollte verstanden werden, dass die Beispielausführungsformen der vorliegenden Erfindung, die nachfolgend beschrieben sind, auf viele Arten modifiziert werden können, ohne von den hier offenbarten erfindungsgemäßen Prinzipien abzuweichen und der Umfang der vorliegenden Erfindung ist daher nicht auf diese besonderen nachfolgenden Ausführungsformen beschränkt. Diese Ausführungsformen werden bereitgestellt, so dass diese Offenbarung vollständig und komplett ist und vollständig das Konzept der Erfindung für den Fachmann im Stand der Technik beispielhaft und nicht begrenzend zur Verfügung stellt.
  • Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung in Einzelheiten anhand der beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • Ausführungsform 1
  • Die 1 bis 6 sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Bonden von Messsonden bzw. Prüfspitzen gemäß der ersten Beispielausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen.
  • Mit Bezug auf 1 wird ein erster Photoresistfilm (nicht gezeigt) auf einem mehrschichtigen Substrat (110) gebildet, auf dem Schaltmuster gebildet sind. Der erste Photoresistfilm ist freiliegend, um ein erstes Photoresistmuster (nicht gezeigt) zu bilden, um eine Schwellenschicht zu bilden. Hier werden Anschlüsse (nicht gezeigt) auf dem mehrschichtigen Substrat (110) durch das erste Photoresistmuster freigelegt. Die Schwellenschicht (nicht gezeigt) wird auf dem ersten Photoresistmuster gebildet, um die Anschlüsse abzudecken. Beispielsweise umfasst die Schwellenschicht eine Metallschicht, wie eine Nickelschicht. Weiterhin kann die Schwellenschicht durch ein Elektroplattierverfahren, ein chemisches Dampfabscheidungs-(CVD)Verfahren etc. gebildet werden.
  • Die Schwellenschicht wird dann teilweise durch ein chemisch-mechanisches Polier-(CMP, chemical mechanical polishing)Verfahren, ein Zurückätzverfahren etc. entfernt, bis die Oberfläche des ersten Photoresistmusters freiliegt, um ein Schwellenschichtmuster 120 zu bilden. Das Schwellenschichtmuster 120 stellt Kontakt mit den Anschlüssen her. Beispielsweise weist das Schwellenschichtmuster 120 eine rechteckige Form mit einer kurzen Achse und einer langen Achse auf. Weiterhin kann die lange Achse viel länger sein als die kurze Achse.
  • Mit Bezug auf 2 wird ein zweiter Photoresistfilm (nicht gezeigt) auf dem ersten Photoresistmuster und dem Schwellenschichtmuster 120 gebildet. Der zweite Photoresistfilm wird freigelegt, um ein zweites Photoresistmuster (nicht gezeigt) zu bilden, um eine erste Benetzungsschicht zu bilden. Hier wird eine erste Region des Schwellenschichtmusters 120 durch das zweite Photoresistmuster freigelegt. Eine erste Benetzungsschicht (nicht gezeigt) wird auf dem zweiten Photoresistmuster gebildet, um die erste Region des Schwellenschichtmusters 120 zu bedecken. Hier weist die erste Benetzungsschicht eine hohe Benetzbarkeit im Hinblick auf die Lötpaste 150 auf, was später veranschaulicht wird. Somit kann die Lötpaste 150 auf der ersten Benetzungsschicht ohne weiteres verteilt werden. Weiterhin weist die erste Benetzungsschicht keine Oxidationsreaktivität auf. Somit kann die erste Benetzungsschicht nicht oxidiert werden. Beispielsweise umfasst die erste Benetzungsschicht eine Metallschicht, wie eine Goldschicht, mit Benetzbarkeit und Nichtoxidationsreaktivität. Alternativ kann die erste Benetzungsschicht eine Doppelschichtstruktur umfassen, die eine erste Metallschicht mit Benetzbarkeit und eine zweite Metallschicht mit Nichtoxidationsreaktivität aufweist. Hier kann ein Beispiel der ersten Metallschicht eine Kupferschicht umfassen und ein Beispiel der zweiten Metallschicht kann eine Goldschicht umfassen. Weiterhin kann die erste Benetzungsschicht durch ein Elektroplattierungsverfahren, ein CVD-Verfahren etc. gebildet werden.
  • Die erste Benetzungsschicht wird dann durch ein CMP-Verfahren, ein Zurückätzverfahren etc. entfernt, bis die Oberfläche des zweiten Photoresistmusters freiliegt, um ein erstes Benetzungsschichtmuster 130 zu bilden. Das erste Benetzungsschichtmuster 130 wird nur auf der ersten Region des Schwellenschichtmusters 120 aufgebracht. Das erste Photoresistmuster und das zweite Photoresistmuster werden dann durch ein Veraschungsverfahren und/oder ein Abziehverfahren entfernt.
  • Mit Bezug auf 3 wird ein Nicht-Benetzungsschichtmuster 140 auf einer zweiten Region des Schwellenschichtmusters 120 gebildet, das der verbliebenen Region des Schwellenschichtmusters 120 außer der ersten Region entspricht. Hier weist dann das Nicht-Benetzungsschichtmuster 140 eine geringe Benetzbarkeit im Hinblick auf die Lötpaste 150 auf. Somit kann die Lötpaste 150 auf dem Nicht-Benetzungsschichtmuster 140 nicht ohne weiteres verteilt werden. In dieser Beispielausführungsform kann ein Beispiel des Nicht-Benetzungsschichtmusters 140 eine Oxidschicht umfassen. Die Oxidschicht kann durch thermisches Oxidieren des Schwellenschichtmusters 120 gebildet werden. Das thermische Oxidationsverfahren kann durch Erhitzen des Schwellenschichtmusters 120 und durch Einsetzen eines Quellgases auf das erhitzte Schwellenschichtmusters 120 durchgeführt werden. Alternativ kann die Oxidschicht durch Nassoxidieren des Schwellenschichtmusters 120 gebildet werden. Das Nass-Oxidationsverfahren kann durch Einsetzen einer Oxidationslösung für das Schwellenschichtmuster 120 durchgeführt werden. Da das erste Benetzungsschichtmuster 130 Nichtoxidationsreaktivität aufweist, kann das Nicht-Benetzungsschichtmuster 140 nicht auf dem ersten Benetzungsschichtmuster 130 gebildet werden.
  • Mit Bezug auf 4 wird die Lötpaste 150 auf dem ersten Benetzungsschichtmuster 130 und dem Nicht-Benetzungsschichtmuster 140 gebildet. In dieser Beispielausführungsform kann die Lötpaste 150 unter Verwendung einer Schablonenmaske gebildet werden. Da die Lötpaste 150 auf dem ersten Benetzungsschichtmuster 130 und dem Nicht-Benetzungsschichtmuster 140 gebildet wird und das Schwellenschichtmuster 120, auf dem das erste Benetzungsschichtmuster 130 und das Nicht-Benetzungsschichtmuster 140 gebildet werden, eine lange rechtwinklige Form aufweist, kann die beschichtete Fläche der Lötpaste 150 sich relativ ausweiten. Demgemäß kann eine ausreichende Menge der Lötpaste 150 gebildet werden. Weiterhin ist es nicht erforderlich, die Dicke der Schablonenmaske zu vergrößern, um die Menge der Lötpaste 150 zu erhöhen. Da die Schablonenmaske mit einer dünnen Dicke erhältlich ist, kann eine ausreichende Menge an Lötpaste 150 ohne weiteres durch die dünne Schablonenmaske hindurchtreten.
  • Mit Bezug auf 5 wird eine Messsonde 160, die mit einem Gegenstand direkten Kontakt herstellt, auf die Lötpaste 150 gebondet. In dieser Beispielausführungsform kann die Messsonde 160 eine Messsonde vom Trägertyp aufweisen. Die Messsonde 160 umfasst einen Trägerstab 162, eine Spitze 164 und ein zweites Benetzungsschichtmuster 166.
  • Der Trägerstab 162 hat ein erstes Ende, befestigt auf der Lötpaste 150, um im wesentlichen parallel mit dem mehrschichtigen Substrat 110 angeordnet zu sein. Hier kann der Trägerstab 162 mit der gesamten Lötpaste 150 auf dem ersten Benetzungsschichtmuster 130 und dem Nicht-Benetzungsschichtmuster 140 verbunden sein. Alternativ kann der Trägerstab 162 nur mit der Lötpaste 150 auf dem ersten Benetzungsschichtmuster 130 befestigt sein. Die Spitze 162 steht von einem zweiten Ende des Trägerstabs 162 entgegengesetzt zum ersten Ende hervor. Das zweite Benetzungsschichtmuster 166 wird auf einer Oberfläche des Trägerstabs 162 gebildet, wo die Lötpaste 150 gebondet ist. In dieser Beispielausführungsform kann das zweite Benetzungsschichtmuster 166 entsprechend dem ersten Benetzungsschichtmuster 130 angeordnet sein. Das zweite Benetzungsschichtmuster 166 weist Benetzbarkeit und Nichtoxidationsreaktivität im wesentlichen ähnlich zu derjenigen des ersten Benetzungsschichtmusters 130 auf.
  • Mit Bezug auf 6 wird das mehrschichtige Substrat 110, auf dem die Messsonde 160 gebondet wird, auf eine Temperatur erhitzt, damit die Lötpaste 150 zurückfließen kann. Da das erste Benetzungsschichtmuster 130 eine Benetzbarkeit aufweist, die größer ist als diejenige des Nicht-Benetzungsschichtmusters 140, fließt die Lötpaste 150 aufgrund der Oberflächenspannung der Lötpaste 150 auf dem Nicht-Benetzungsschichtmuster 140 zurück in Richtung der Oberfläche des ersten Benetzungsschichtmusters 130. Da weiterhin das zweite Benetzungsschichtmuster 166 auf der Lötpaste 150 vorliegt, die dem ersten Benetzungsschichtmuster 130 entspricht, kann die Lötpaste 150 auf dem Nicht-Benetzungsschichtmuster 140 noch einfacher in Richtung der Oberfläche des ersten Benetzungsschichtmusters 130 zurückfließen. Die Lötpaste 150, die zwischen dem ersten Benetzungsschichtmuster 130 und dem zweiten Benetzungsschichtmuster 166 zurückfließt, wird ausgehärtet, um eine Haftschicht 170 zu bilden. Weiterhin wird eine Ausfüllung entlang der Kanten des ersten Benetzungsschichtmusters 130 und des zweiten Benetzungsschichtmusters 166 gebildet. Wenn hier die Ausfüllung an den Kanten des ersten Benetzungsschichtmusters 130 nicht bei der Haftschicht 170 erfolgt, kann die Haftschicht 170 eine Fläche aufweisen, die im Wesentlichen dieselbe ist, wie die des ersten Benetzungsschichtmusters 130. Somit wird eine ausreichende Menge der Lötpaste 150 zum Bilden der Haftschicht 170 verwendet, so dass die Haftschicht 170 die Messsonde 160 fest sichern kann.
  • Gemäß dieser Beispielausführungsform kann die Lötpaste 150 keinen elektrischen Kurzschluss zwischen angrenzenden Schwellenschichtmustern 120 mit einem winzigen Abstand hervorrufen. Weiterhin kann die Messsonde 160 an das Schwellenschichtmuster 120 fest gesichert werden.
  • Ausführungsform 2
  • Die 7 bis 12 sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Bonden von Messsonden bzw. Prüfspitzen gemäß einer zweiten Beispielausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen.
  • Mit Bezug auf 7 wird ein erster Photoresistfilm (nicht gezeigt) auf einem mehrschichtigen Substrat 210 gebildet, auf dem Schaltkreismuster gebildet werden. Der erste Photoresistfilm wird freigelegt, um ein erstes Photoresistmuster (nicht gezeigt) zu bilden, um eine Schwellenschicht („Bump Layer") zu bilden. Hier werden die Anschlüsse (nicht gezeigt) auf dem mehrschichtigen Substrat 210 durch das erste Photoresistmuster freigelegt. Die Schwellenschicht (nicht gezeigt) wird auf dem ersten Photoresistmuster gebildet, um die Anschlüsse zu bedecken. Beispielsweise umfasst die Schwellenschicht eine Metallschicht, wie eine Nickelschicht. Weiterhin kann die Schwellenschicht durch ein Elektroplattierverfahren, ein chemisches Dampfabscheidungsverfahren (CVD-Verfahren) etc. gebildet werden.
  • Die Schwellenschicht wird dann teilweise durch ein chemisch-mechanisches Polierverfahren (CMP), ein Zurückätzverfahren etc. entfernt, bis die Oberfläche des ersten Photoresistmusters freiliegt, um ein Schwellenschichtmuster 220 zu bilden. Das Schwellenschichtmuster 220 stellt mit den Anschlüssen Kontakt her. Das erste Photoresistmuster wird dann durch ein Veraschungsverfahren und/oder ein Abziehverfahren entfernt.
  • Mit Bezug auf 8 wird ein Nicht-Benetzungsschichtmuster 230 auf dem Schwellenschichtmuster 220 gebildet. Hier weist das Nicht-Benetzungsschichtmuster 230 eine geringe Benetzbarkeit im Hinblick auf die Lötpaste 250 auf. Somit kann die Lötpaste 250 auf dem Nicht-Benetzungsschichtmuster 230 nicht ohne weiteres verteilt werden. In dieser Beispielausführungsform kann ein Beispiel des Nicht-Benetzungsschichtmusters 230 eine Oxidschicht umfassen. Die Oxidschicht kann durch thermisches Oxidieren oder Nass-Oxidieren des Schwellenschichtmusters 220 gebildet werden.
  • Mit Bezug auf 9 wird ein zweiter Photoresistfilm (nicht gezeigt) auf dem mehrschichtigen Substrat 210 und dem Nicht-Benetzungsschichtmuster 230 gebildet. Der zweite Photoresistfilm wird freigelegt, um ein zweites Photoresistmuster (nicht gezeigt) zu bilden, um eine erste Benetzungsschicht zu bilden. Hier wird eine erste Region des Nicht-Benetzungsschichtmusters 230 durch das zweite Photoresistmuster freigelegt. Die erste Region des Nicht-Benetzungsschichtmusters 230 wird unter Verwendung des zweiten Photoresistmusters als Ätzmaske geätzt, um das Schwellenschichtmuster 220 teilweise freizulegen. In dieser beispielhaften Ausführungsform kann die erste Region des Nicht-Benetzungsschichtmusters 230 durch ein Nassätzverfahren geätzt werden.
  • Eine erste Benetzungsschicht (nicht gezeigt) wird auf dem zweiten Photoresistmuster gebildet, um das freiliegende Schwellenschichtmuster 220 zu bedecken. Hier weist die erste Benetzungsschicht eine hohe Benetzbarkeit im Hinblick auf die Lötpaste 250 auf. Somit kann die Lötpaste 250 auf der ersten Benetzungsschicht ohne weiteres verteilt werden. Weiterhin weist die erste Benetzungsschicht Nichtoxidationsreaktivität auf. Somit kann die erste Benetzungsschicht nicht oxidiert werden. Beispielsweise umfasst die erste Benetzungsschicht eine Metallschicht, wie eine Goldschicht, mit Benetzbarkeit und Nichtoxidationsreaktivität. Alternativ kann die erste Benetzungsschicht eine Doppelschichtstruktur umfassen, die eine erste Metallschicht mit Benetzbarkeit und eine zweite Metallschicht mit Nichtoxidationsreaktivität aufweist. Hier kann ein Beispiel der ersten Metallschicht eine Kupferschicht umfassen und ein Beispiel der zweiten Metallschicht kann eine Goldschicht umfassen. Weiterhin kann die erste Benetzungsschicht durch ein Elektroplattierverfahren, ein CVD-Verfahren etc. gebildet werden.
  • Die erste Benetzungsschicht wird dann durch ein CMP-Verfahren, ein Rückätzverfahren etc. entfernt, bis die Oberfläche des zweiten Photoresistmusters freiliegt, um ein erstes Benetzungsschichtmuster 240 zu bilden. Das erste Benetzungsschichtmuster 240 wird teilweise nur auf dem Schwellenschichtmuster 220 angeordnet. Das zweite Photoresistmuster wird dann durch ein Veraschungsverfahren und/oder ein Abziehverfahren entfernt.
  • Mit Bezug auf die 10 bis 12 wird die Lötpaste 250 auf dem ersten Benetzungsschichtmuster 240 und dem Nicht-Benetzungsschichtmuster 230 gebildet. Eine Messsonde 260, die mit einem Gegenstand direkten Kontakt herstellt, wird auf der Lötpaste 250 gebondet. Die Lötpaste 250 fließt zurück, damit die Lötpaste 250 sich auf dem Nicht-Benetzungsschichtmuster 240 in Richtung der Oberfläche des ersten Benetzungsschichtmusters 230 bewegen kann und hierdurch eine Haftschicht 270 zwischen dem ersten Benetzungsschichtmuster 230 und dem zweiten Benetzungsschichtmuster 266 bildet.
  • Hierbei sind die Verfahren in den 10 bis 12 im Wesentlichen dieselben wie in den 4 bis 6. Somit werden hier jegliche weitere veranschaulichende Erläuterungen im Hinblick auf die Verfahren in den 10 bis 12 aus Gründen der Kürze weggelassen.
  • Ausführungsform 3
  • 13 ist eine Querschnittsansicht, die eine Messsondenkarte gemäß einer dritten Beispielausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
  • Mit Bezug auf 13 umfasst eine Messsondenkarte 300 in dieser Beispielausführungsform eine gedruckte Schaltkarte bzw. Platine (PCB, printed circuit board) 310, ein mehrschichtiges Substrat 320, eine Messsonde 330, einen Interfacestift 340, eine obere Trägerplatte 350, eine untere Trägerplatte und ein Befestigungsteil 370.
  • Die PCB 310 weist eine Öffnung in Verbindung mit einer Schaltung des mehrschichtigen Substrats 320 und einer Schaltung des PCB 310 auf. Das mehrschichtige Substrat 320 ist angeordnet, um von einer unteren Fläche des PCB 310 räumlich getrennt zu sein. Weiterhin ist das mehrschichtige Substrat 320 im Wesentlichen parallel zum PCB 310 angeordnet. Die Messsonde 330 ist mit einer unteren Fläche des mehrschichtigen Substrats 320 elektrisch verbunden.
  • Der Interfacestift 340 wird in die Öffnung des PCB 310 eingeführt. Der Interfacestift 340 weist elastisches Material auf. Weiterhin ist der Interfacestift 340 mit dem PCB 310 und dem mehrschichtigen Substrat 320 elektrisch verbunden. In dieser Beispielausführungsform kann der Interfacestift 340 einen Springstift aufweisen. Der Interfacestift 340 kann elastisches Material aufweisen, das im Springstift vor gesehen ist. Daher kann der Springstift ein Intervall zwischen dem PCB 310 und dem mehrschichtigen Substrat 320 einstellen.
  • Die obere Trägerplatte 350 ist auf einer oberen Fläche des PCB 310 angeordnet. Die untere Trägerplatte 360 ist auf einer unteren Fläche des mehrschichtigen Substrats 320 angeordnet. Der Befestigungsteil 370 sichert die obere Trägerplatte 350 und die untere Trägerplatte 360 mit dem PCB 310 beziehungsweise dem mehrschichtigen Substrat 320, um hierdurch das PCB 310 und das mehrschichtige Substrat 320 voneinander zu trennen.
  • Weiterhin sind die Messsonde 330, die Schaltung des mehrschichtigen Substrats 320, der Interfacestift 340 und die Schaltung des PCB 310 elektrisch miteinander verbunden.
  • 14 ist ein Flussdiagramm, welches ein Verfahren zur Herstellung der Messsondenkarte in 13 veranschaulicht.
  • Mit Bezug auf 14 wird in Schritt S410 das mehrschichtige Substrat 320 mit der Schaltung hergestellt.
  • In Schritt S420 wird die Messsonde 330 auf das mehrschichtige Substrat 320 gebondet. Hier wird die Messsonde 330 auf Anschlüssen des mehrschichtigen Substrats 320 angeordnet.
  • Verfahren zum Bonden der Messsonde 330 können in einer Art und Weise durchgeführt werden, die im Wesentlichen dieselben sind, wie mit Bezug auf die 1 bis 6 veranschaulicht. Somit werden weitere Veranschaulichungen im Hinblick auf die Verfahren zum Bonden der Messsonde 330 aus Gründen der Kürze weggelassen.
  • In Schritt S430 wird der Interfacestift 340 in die Öffnung des PCB 310 eingeführt. Das mehrschichtige Substrat 320, auf welchem die Messsonde 330 gebondet wird, ist unter der PCB 310 mit dem Interfacestift 340 angeordnet, um das mehrschichtige Substrat 320 mit dem Interfacestift 340 elektrisch zu verbinden. Die obere Trägerplatte 350 ist auf der oberen Fläche der PCB 310 angeordnet. Die untere Trägerplatte 360 wird dann auf der unteren Fläche des mehrschichtigen Substrats 320 angeordnet. Das Befestigungsteil 370 befestigt die obere Trägerplatte 350 und die untere Trägerplatte 360 an der PCB 310 beziehungsweise dem mehrschichtigen Substrat 320, um hierdurch die PCB 310 und das mehrschichtige Substrat 320 voneinander zu trennen.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Lötpaste auf dem ersten Benetzungsschichtmuster und dem Nicht-Benetzungsschichtmuster auf dem Schwellenschichtmuster gebildet. Somit kann eine ausreichende Menge an Lötpaste, die zum Bonden der Messsonde erforderlich ist, ohne elektrischen Kurzschluss zwischen den angrenzenden Schwellenschichtmustern bereitgestellt werden.
  • Weiterhin fließt die Lötpaste entlang der Oberfläche des ersten Benetzungsschichtmusters zurück, um die Haftschicht mit einer starken Bindungsfestigkeit zu bilden. Folglich kann die Messsondenkarte für exaktes Testen einer Halbleitervorrichtung, die eine winzige Dimension aufweist, hergestellt werden.
  • Zusammenfassung
  • In einem Verfahren zur Herstellung gebondeter Messsonden oder Prüfspitzen werden Schwellenschichtmuster auf Anschlüssen eines mehrschichtigen Substrats gebildet. Ein erstes Benetzungsschichtmuster mit einer Benetzbarkeit im Hinblick auf eine Lötpaste und ein Nicht-Benetzungsschichtmuster ohne Benetzbarkeit im Hinblick auf die Lötpaste werden auf den Schwellenschichtmustern gebildet. Die Lötpaste wird auf dem ersten Benetzungsschichtmuster und dem Nicht-Benetzungsschichtmuster gebildet. Die Messsonden, die mit einem Gegenstand Kontakt herstellen, werden auf der Lötpaste gebondet. Die Lötpaste auf dem Nicht-Benetzungsschichtmuster fließt entlang einer Oberfläche des ersten Benetzungsschichtmusters zurück, um eine Haftschicht auf dem ersten Benetzungsschichtmuster zu bilden. Somit kann eine ausreichende Menge an Lötpaste, die zum Bonden der Messsonden erforderlich ist, bereitgestellt werden, um die Messsonden fest zu bonden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - KR 2005-109331 [0004]
    • - KR 2004-88947 [0004]

Claims (9)

  1. Verfahren zum Bonden von Messsonden oder Prüfspitzen, umfassend: Bilden von Schwellenschichtmustern („bump layer pattern") auf Anschlüssen eines mehrschichtigen Substrats; Bilden eines ersten Benetzungsschichtmusters und eines Nicht-Benetzungsschichtmusters auf den Schwellenschichtmustern, wobei das erste Benetzungsschichtmuster eine Benetzbarkeit im Hinblick auf die Lötpaste aufweist und das Nicht-Benetzungsschichtmuster keine Benetzbarkeit im Hinblick auf die Lötpaste aufweist; Bilden der Lötpaste auf dem ersten Benetzungsschichtmuster und dem Nicht-Benetzungsschichtmuster; Bonden der Messsonden, die mit einem Gegenstand Kontakt herstellen, an die Lötpaste; und Zurückfließen der Lötpaste auf dem Nicht-Benetzungsschichtmuster in Richtung einer Oberfläche des ersten Benetzungsschichtmusters, um eine Haftschicht auf dem ersten Benetzungsschichtmuster zu bilden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, das weiterhin aufweist: Bilden eines zweiten Benetzungsschichtmusters auf einer Oberfläche der Messsonden, an die die Lötpaste gebondet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Messsonden mit der Lötpaste auf dem ersten Benetzungsschichtmuster gebondet werden.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, worin das Bilden des ersten Benetzungsschichtmusters und des Nicht-Benetzungsschichtmusters umfasst: Bilden des Nicht-Benetzungsschichtmusters auf einer ersten Region des Schwellenschichtmuster; und Bilden des ersten Benetzungsschichtmusters auf einer zweiten Region des dann Benetzungsschichtmusters, das einer Region von der Gesamtregion entspricht, ausgenommen die erste Region.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bilden des ersten Benetzungsschichtmusters und des Nicht-Benetzungsschichtmusters aufweist: Bilden des Nicht-Benetzungsschichtmusters auf der gesamten Oberfläche der Schwellenschichtmuster und teilweise Bilden des ersten Benetzungsschichtmusters auf dem Nicht-Benetzungsschichtmuster.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Nicht-Benetzungsschichtmuster ein Oxidschichtmuster aufweist.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Nicht-Benetzungsschichtmuster durch thermisches Oxidieren des Schwellenschichtmusters gebildet wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Nicht-Benetzungsschichtmuster durch Nassoxidieren des Schwellenschichtmusters gebildet wird.
  9. Verfahren zur Herstellung einer Messsondenkarte, umfassend: Herstellen eines mehrschichtigen Substrats; Bonden der Messsonden auf dem mehrschichtigen Substrat und Zusammenbauen des mehrschichtigen Substrats mit einer gedruckten Schalttafel bzw. Platine, um den Messsonden zu ermöglichen, mit der gedruckten Schalttafel elektrisch verbunden zu sein, wobei das Bonden der Messsonden an das mehrschichtige Substrat umfasst: Bilden von Schwellenschichtmustern auf Anschlüssen des mehrschichtigen Substrats; Bilden eines ersten Benetzungsschichtmusters und eines Nicht-Benetzungsschichtmusters auf den Schwellenschichtmustern, wobei das erste Benetzungsschichtmuster eine Benetzbarkeit im Hinblick auf die Lötpaste aufweist, und das Nicht-Benetzungsschichtmuster keine Benetzbarkeit im Hinblick auf die Lötpaste aufweist; Bilden der Lötpaste auf dem ersten Benetzungsschichtmuster und dem Nicht-Benetzungsschichtmuster; Bonden der Messsonden, die mit einem Gegenstand Kontakt herstellen, an die Lötpaste; und Zurückfließen der Lötpaste auf dem Nicht-Benetzungsschichtmuster in Richtung einer Oberfläche des ersten Benetzungsschichtmusters, um eine Haftschicht auf dem ersten Benetzungsschichtmuster zu bilden.
DE112007000256T 2006-04-17 2007-03-19 Verfahren zum Bonden von Messsonden und Verfahren zur Herstellung einer Messsondenkarte unter Verwendung desselben Withdrawn DE112007000256T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2006-0034597 2006-04-17
KR1020060034597A KR100716434B1 (ko) 2006-04-17 2006-04-17 프로브 본딩 방법 및 프로브 카드 제조 방법
PCT/KR2007/001322 WO2007119930A1 (en) 2006-04-17 2007-03-19 Method of bonding probes and method of manufacturing a probe card using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112007000256T5 true DE112007000256T5 (de) 2008-12-11

Family

ID=38270251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112007000256T Withdrawn DE112007000256T5 (de) 2006-04-17 2007-03-19 Verfahren zum Bonden von Messsonden und Verfahren zur Herstellung einer Messsondenkarte unter Verwendung desselben

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7886957B2 (de)
JP (1) JP5297200B2 (de)
KR (1) KR100716434B1 (de)
CN (1) CN100592487C (de)
DE (1) DE112007000256T5 (de)
TW (1) TWI323786B (de)
WO (1) WO2007119930A1 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010197257A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Kyocera Corp プローブカード及びプローブカードの製造方法
KR101127117B1 (ko) 2010-06-11 2012-03-22 성균관대학교산학협력단 프로브 유닛 및 이를 제조하는 방법
AT516750B1 (de) * 2014-12-18 2016-08-15 Zizala Lichtsysteme Gmbh Verfahren zur Voidreduktion in Lötstellen
US10119994B2 (en) 2014-12-23 2018-11-06 Semcns Co., Ltd. Probe card having lead part for removing excessive solder
KR101748583B1 (ko) 2015-08-04 2017-06-21 크루셜머신즈 주식회사 프로브핀 본딩 장치
WO2017142741A1 (en) * 2016-02-19 2017-08-24 Alpha Assembly Solutions Inc. Rf shield with selectively integrated solder
TWI603088B (zh) * 2016-07-25 2017-10-21 Mpi Inc Probe module with cantilever MEMS probe and its manufacturing method
US11454650B2 (en) * 2018-07-18 2022-09-27 Nidec-Read Corporation Probe, inspection jig, inspection device, and method for manufacturing probe

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040088947A (ko) 2003-04-14 2004-10-20 원철호 프로브 니들, 프로브 니들의 제조 방법 및 프로브 카드
KR20050109331A (ko) 2004-05-13 2005-11-21 매그나칩 반도체 유한회사 프로브 카드

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5261593A (en) * 1992-08-19 1993-11-16 Sheldahl, Inc. Direct application of unpackaged integrated circuit to flexible printed circuit
US5346118A (en) * 1993-09-28 1994-09-13 At&T Bell Laboratories Surface mount solder assembly of leadless integrated circuit packages to substrates
US5983493A (en) * 1993-11-16 1999-11-16 Formfactor, Inc. Method of temporarily, then permanently, connecting to a semiconductor device
US5455390A (en) * 1994-02-01 1995-10-03 Tessera, Inc. Microelectronics unit mounting with multiple lead bonding
US5447264A (en) 1994-07-01 1995-09-05 Mcnc Recessed via apparatus for testing, burn-in, and/or programming of integrated circuit chips, and for placing solder bumps thereon
DE19542043A1 (de) * 1995-01-31 1996-08-01 Hewlett Packard Co Bleifreie Niedertemperaturlegierung und Verfahren zur Bildung einer mechanisch überlegenen Verbindung unter Verwendung dieser Legierung
JPH0982760A (ja) * 1995-07-07 1997-03-28 Toshiba Corp 半導体装置、半導体素子およびその半田接続部検査方法
US5742483A (en) * 1996-04-10 1998-04-21 International Business Machines Corporation Method for producing circuit board assemblies using surface mount components with finely spaced leads
JPH10294318A (ja) * 1997-04-18 1998-11-04 Toshiba Corp 電子部品
US5937320A (en) 1998-04-08 1999-08-10 International Business Machines Corporation Barrier layers for electroplated SnPb eutectic solder joints
EP1099247B1 (de) 1998-07-15 2004-03-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Methode um lötzinn auf eine anordnung zu übertragen und/oder die anordnung zu testen
US6552555B1 (en) * 1998-11-19 2003-04-22 Custom One Design, Inc. Integrated circuit testing apparatus
JP3294811B2 (ja) * 1999-01-22 2002-06-24 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置及びその製造方法
US6351133B1 (en) * 1999-03-31 2002-02-26 Adoamtest Corp. Packaging and interconnection of contact structure
JP2001135664A (ja) 1999-11-08 2001-05-18 Sony Corp 半導体装置の製造方法
KR20010104147A (ko) * 2000-05-13 2001-11-24 윤종광 반도체용 멀티플 라인 그리드와 그의 제조 방법 및 그를이용하여 피시비 보드 상에 반도체 칩을 실장하는 방법
TW577152B (en) 2000-12-18 2004-02-21 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device
US6635511B2 (en) * 2001-01-18 2003-10-21 Agilent Technologies, Inc. Integrated ball grid array-pin grid array-flex circuit interposing probe assembly
KR100869013B1 (ko) * 2001-02-08 2008-11-17 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 집적회로장치 및 그 제조방법
JP2002286758A (ja) * 2001-03-28 2002-10-03 Yamaha Corp プローブユニットおよびその製造方法
US6593545B1 (en) * 2001-08-13 2003-07-15 Amkor Technology, Inc. Laser defined pads for flip chip on leadframe package fabrication method
JP4498132B2 (ja) * 2002-06-28 2010-07-07 キヤノン株式会社 プローブアレイの製造方法
US20080105355A1 (en) * 2003-12-31 2008-05-08 Microfabrica Inc. Probe Arrays and Method for Making
WO2006014894A2 (en) * 2004-07-28 2006-02-09 Sv Probe Pte Ltd. Method and apparatus for producing co-planar bonding pads on a substrate
US7456092B2 (en) * 2004-10-07 2008-11-25 Palo Alto Research Center Incorporated Self-releasing spring structures and methods

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040088947A (ko) 2003-04-14 2004-10-20 원철호 프로브 니들, 프로브 니들의 제조 방법 및 프로브 카드
KR20050109331A (ko) 2004-05-13 2005-11-21 매그나칩 반도체 유한회사 프로브 카드

Also Published As

Publication number Publication date
TW200741214A (en) 2007-11-01
JP2009522573A (ja) 2009-06-11
US20080290139A1 (en) 2008-11-27
US7886957B2 (en) 2011-02-15
CN101366108A (zh) 2009-02-11
KR100716434B1 (ko) 2007-05-10
CN100592487C (zh) 2010-02-24
TWI323786B (en) 2010-04-21
JP5297200B2 (ja) 2013-09-25
WO2007119930A1 (en) 2007-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69534543T2 (de) Halbleiteranordnung, Montagesubstrat für die Halbleiteranordnung und Verfahren zum Ersetzen der Halbleiteranordnung
DE112007000256T5 (de) Verfahren zum Bonden von Messsonden und Verfahren zur Herstellung einer Messsondenkarte unter Verwendung desselben
DE19781558B4 (de) Schaltungskomponente für ein IC-Gehäuse und Verfahren zu deren Herstellung
DE69635083T2 (de) Herstellung von verbindungen und ansatzstücken unter verwendung eines opfersubstrats
DE69915299T2 (de) Methode um lötzinn auf eine anordnung zu übertragen und/oder die anordnung zu testen
DE69133558T2 (de) Halbleiterchipanordnung und Verfahren zu Ihrer Herstellung
DE69535629T2 (de) Montage von elektronischen komponenten auf einer leiterplatte
DE69834561T2 (de) Halbleiteranordnung und herstellungsverfahren dafür
DE60035667T2 (de) Kontaktor mit Kontaktelement auf der LSI-Schaltungsseite, Kontaktelement auf der Testplattinenseite zum Testen von Halbleitergeräten und Herstellungsverfahren dafür
DE19636735B4 (de) Mehrschichtiges Schaltungssubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69113187T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektronische Dünnschichtanordnung.
DE10037216A1 (de) Anschlußstruktur sowie Verfahren zur Herstellung von Anschlußelementen und Verfahren zur Erzeugung einer Anschlußstruktur
DE4134617A1 (de) Verbindungsvorrichtung mit in gleicher ebene liegenden kontakthoeckern und das verfahren zur herstellung einer derartigen vorrichtung
DE10250636A1 (de) Übertragungsverkapselung auf Waferebene
DE10151125A1 (de) Anschlussstruktur und zugehöriges Herstellungsverfahren sowie die Anschlussstruktur verwendende Prüfanschlussanordnung
DE112005003667T5 (de) Elektrische Prüfsonde
DE112007000937T5 (de) Sondenlamelle und elektrische Verbindungsvorrichtung
DE69620273T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Abstandshaltern auf einer elektrischen Leiterplatte
DE112007001350T5 (de) Verfahren zur Herstellung einer Sonde vom Ausleger-Typ und Verfahren zur Herstellung einer Sondenkarte unter Verwendung derselben
DE102007060510A1 (de) Leiterplatten-Herstellungsverfahren, Leiterplatte und elektronische Anordnung
DE10261460A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE69723801T2 (de) Herstellungsverfahren einer Kontaktgitter-Halbleiterpackung
DE102018212272A1 (de) Keramischer Schaltungsträger und Elektronikeinheit
DE112009001736T5 (de) Verfahren zum Herstellen eines komponenteneingebetteten Moduls
DE102006060533A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer ersten Schicht mit einer elektrischen Leitung und Anordnung mit einer Kontaktschicht

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee