DE60215983T2 - Lichtaussendende Vorrichtung mit Strom-Regelung - Google Patents

Lichtaussendende Vorrichtung mit Strom-Regelung Download PDF

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Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein OLED(Organische Leuchtdiode)-Bedienfeld, in dem eine organisches Licht emittierende Vorrichtung (OLED), die auf einem Substrat ausgebildet wird, zwischen dem Substrat und einem Abdeckelement umschlossen wird. Die vorliegende Erfindung bezieht sich auch auf ein OLED-Modul, bei dem eine IC (integrierte Schaltung) auf dem OLED-Bedienfeld montiert wird. Man beachte, dass in dieser Beschreibung das OLED-Bedienfeld und das OLED-Modul allgemein Lichtemissionsvorrichtungen genannt werden. Die vorliegende Erfindung bezieht sich ferner auf eine elektronische Vorrichtung, welche die Lichtemissionsvorrichtung verwendet.
  • 2. Beschreibung der zugehörigen Technik
  • Eine OLED emittiert selbst Licht und weist deshalb eine hohe Sichtbarkeit auf. Die OLED benötigt keine Hintergrundbeleuchtung, die für eine Flüssigkristallanzeige-Vorrichtung (LCD) erforderlich ist, was für die Reduzierung der Stärke einer Lichtemissionsvorrichtung geeignet ist. Die OLED weist auch keine Einschränkung bei dem Betrachtungswinkel auf. Deshalb hat eine Lichtemissionsvorrichtung, die eine OLED verwendet neuerdings als Anzeigevorrichtung Beachtung gefunden, die eine CRT (Kathodenstrahlröhre) oder eine LCD ersetzt.
  • Die OLED beinhaltet eine Schicht, die eine organische Verbindung enthält, in der eine Lumineszenz erzielt wird (organisches Licht emittierender Werkstoff)(nachfolgend als organisches Licht emittierende Schicht bezeichnet), die durch Anwenden eines elektrischen Felds (Elektrolumineszenz) erzeugt wird, eine Anodenschicht und eine Kathodenschicht. Eine Lichtemission existiert bei dem Zurückkehren von einem Singulett-Anregungszustand (Fluoreszenz) zu einem Ausgangszustand und bei dem Zurückkehren von einem Triplett- Anregungszustand (Phosphoreszenz) zu einem Ausgangszustand als Lumineszenz in der organischen Verbindung. Die Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann eine oder beide der oben beschriebenen Lichtemissionen verwenden.
  • Man beachte, dass in dieser Beschreibung all die Schichten, die zwischen einer Anode und einer Kathode der OLED vorhanden sind, als organisches Licht emittierenden Schichten definiert sind. Die organisches Licht emittierenden Schichten beinhalten insbesondere eine Licht emittierende Schicht, eine Lochinjektionsschicht, eine Elektroneninjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Elektronentransportschicht und Ähnliches. Die OLED weist üblicherweise eine Struktur auf, in der eine Anode/eine Licht emittierende Schicht/eine Kathode in dieser Anordnung laminiert werden. Neben dieser Struktur kann die OLED eine Struktur aufweisen, in der eine Anode/eine Lochinjektionsschicht/eine Licht emittierende Schicht/eine Kathode in dieser Anordnung laminiert werden oder eine Struktur, in der eine Anode/ein Lochinjektionsschicht/eine Licht emittierende Schicht/eine Elektronentransportschicht/eine Kathode in dieser Anordnung laminiert werden.
  • Bei der Umsetzung einer Lichtemissionsvorrichtung in die Praxis, liegt derzeit ein ernsthaftes Problem in der Abnahme der Leuchtdichte der OLED, die durch eine Verschlechterung des organisches Licht emittierenden Werkstoffs begleitet wird, der in der Licht emittierenden Schicht enthalten ist.
  • Der organisches Licht emittierende Werkstoff in der organisches Licht emittierenden Schicht wird leicht durch Feuchtigkeit, Sauerstoff, Licht und Wärme beeinflusst, und die Verschlechterung des organisches Licht emittierenden Werkstoffs wird durch diese Substanzen begünstigt. Insbesondere wird die Geschwindigkeit der Verschlechterung der organisches Licht emittierenden Schicht beeinflusst durch eine Struktur einer Vorrichtung für das Ansteuern der Lichtemissionsvorrichtung, eine Eigenschaft des organisches Licht emittierenden Werkstoffs, der die organisches Licht emittierende Schicht bildet, einen Werkstoff für eine Elektrode, Bedingungen in einem Fertigungsverfahren, ein Verfahren der Ansteuerung der Lichtemissionsvorrichtung und Ähnliches.
  • Selbst wenn eine konstante Spannung von einem Paar Elektroden an die organisches Licht emittierende Schicht angelegt wird, verringert sich die Leuchtdichte der OLED infolge der Verschlechterung der organisches Licht emittierenden Schicht. Wenn die Leuchtdichte der OLED verringert wird, dann wird eine Abbildung, die auf der Lichtemissionsvorrichtung angezeigt wird, undeutlich. Man beachte, dass in dieser Beschreibung eine Spannung, die von einem Paar Elektroden an die organisches Licht emittierende Schicht angelegt wird, als OLED-Steuerspannung (Vel) definiert wird.
  • Ferner fällt in einem Farbdisplay-Modus, in dem drei Arten von OLEDs verwendet werden, die R (rot), G (grün) und B (blau) entsprechen, der organisches Licht emittierende Werkstoff, der die organisches Licht emittierende Schicht bildet, in Abhängigkeit von der Farbe der OLED unterschiedlich aus. Wenn sich die organisches Licht emittierenden Schichten der OLEDs gemäß den entsprechenden Farben mit unterschiedlichen Geschwindigkeiten verschlechtern, fällt die Leuchtdichte der OLED in Abhängigkeit von der Farbe nach Ablauf einer Frist unterschiedlich aus. Deshalb kann keine Abbildung bei der Lichtemissionsvorrichtung angezeigt werden, die eine gewünschte Farbe aufweist.
  • Außerdem weist die Leuchtdichte der OLED in Abhängigkeit von der Eigenschaft eine hohe Temperatur auf, und deshalb ergab sich ein Problem dadurch, dass sich die Leuchtdichte eines Displays und ein Farbton gemäß der Temperatur bei einer konstanten Steuerspannung verändern.
  • EP 0923067 A1 legt eine Display-Vorrichtung offen, die mit einer strombetriebenen Lichtemissionsvorrichtung und einer Ansteuerungsvorrichtung zur Steuerung eines Steuerstroms ausgerüstet ist, der für jedes Pixel durch die Lichtemissionsvorrichtung fließt. Spannungsjustierungseinheiten justieren eine Spannung von einer Stromquelle von den Stromquelleneinheiten oder einem Datensignal von der Signaldraht-Ansteuerungseinheit so, dass eine Strommenge, die in einer solchen Weise durch Lichtemissionsvorrichtung, dass sobald ein Datensignal einer vorbestimmten Spannung über die Signaldrähte an die Ansteuerungsvorrichtung angelegt wird oder eine Menge emittierten Lichts nahe an einen vorbestimmten Bezugswert heran kommt.
  • GB 2106299 A legt eine Gleichstrom-Elektrolumineszenz-Display-Vorrichtung offen, die eine Vielzahl von einzelnen Display-Segmenten aufweist. Das Display weist eine Einrichtung auf, die eine elektrische Eigenschaft, z. B. einen Strom eines der maßgeblichen Display-Segmente überwacht und die variable Stromversorgung steuert, um die öffentliche Netzspannung für alle Segmente in Übereinstimmung damit so zu steuern, dass zum Beispiel den Alterungseinwirkungen entgegengewirkt wird, indem die Spannung und somit die Helligkeit stabilisiert wird.
  • Übersicht über die Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung wurde mit Blick auf das Obige gemacht, und ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine Lichtemissionsvorrichtung bereitzustellen, in der eine Änderung der Leuchtdichte einer OLED unterdrückt wird und ein gewünschtes Farbdisplay stabil betrieben werden kann, selbst wenn eine organisches Licht emittierende Schicht etwas verschlechtert wird, oder wenn sich eine Umgebungstemperatur verändert.
  • Die Erfindung wird in den Hauptansprüchen 1 und 3 offen gelegt. Bevorzugte Eigenschaften werden in den Unteransprüchen aufgezeigt.
  • Zwischen einer Lichtemission mit einer konstanten OLED-Steuerspannung und einer Lichtemission mit einem konstanten Strom, der durch die OLED fließt, lenkt der vorliegende Erfinder die Aufmerksamkeit auf die Tatsache, dass eine Reduzierung der Leuchtdichte der OLED infolge einer Verschlechterung in der letzteren kleiner wird. Man beachte, dass der Strom, der durch die OLED fließt, in dieser Beschreibung als OLED-Steuerstrom (lel) bezeichnet wird.
  • 2 zeigt eine Veränderung bei der Leuchtdichte der OLED zwischen einem Fall, in dem die OLED-Steuerspannung konstant ist und einem Fall, in dem der OLED-Steuerstrom konstant ist. Wie in 2 gezeigt, wird die Veränderung der Leuchtdichte der OLED infolge der Verschlechterung bei der OLED mit dem konstanten OLED-Steuerstrom geringer. Das ist so, weil nicht nur eine Neigung eines geraden Lichtstrahls L-I klein wird, sondern auch weil eine Kurve I-V sich selbst zu der unteren Seite bewegt, sobald die OLED sich verschlechtert (siehe 18A und 18B).
  • Deshalb hat der vorliegende Erfinder eine Lichtemissionsvorrichtung mit einer einfachen Struktur entwickelt, bei der eine OLED-Steuerspannung so korrigiert werden kann, dass ein OLED-Steuerstrom immer konstant gehalten wird, selbst wenn sich der OLED-Steuerstrom infolge einer Verschlechterung oder Ähnlichem verändert.
  • In der vorliegenden Erfindung wird, neben einem Pixelabschnitt für das Anzeigen einer Abbildung, insbesondere ein Pixelabschnitt zur Messung des OLED-Steuerstroms bei der Lichtemissionsvorrichtung bereitgestellt. Es wird bevorzugt, dass der Monitor-Pixelabschnitt einige Abbildungen anzeigen kann, um wirkungsvoll als Displayabschnitt verwendet zu werden. Es ist jedoch nicht wesentlich, dass der Monitor-Pixelabschnitt eine Abbildungsanzeige durchführen kann. Um eindeutig zwischen den oben beschriebenen zwei Pixelabschnitten zu unterscheiden, wird in dieser Beschreibung durchgängig der Pixelabschnitt, in dem eine Abbildungsanzeige gewünscht wird, Display-Pixelabschnitt (erster Pixelabschnitt) genannt, und der Pixelabschnitt, in dem die Messung des OLED-Steuerstroms gewünscht wird, wird Monitor-Pixelabschnitt (zweiter Pixelabschnitt) genannt.
  • Der Display-Pixelabschnitt und der Monitor-Pixelabschnitt weisen bezüglich ihrer jeweiligen Pixel dieselben Strukturen auf und können mit denselben Schaltplänen beschrieben werden. Mit Blick auf die OLEDs eines Pixels des Display-Pixelabschnitts (nachstehend als Displaypixel oder erstes Pixel bezeichnet) und eines Pixels des Monitor-Pixelabschnitts (nachstehend als Monitorpixel oder zweites Pixel bezeichnet), werden die OLED-Steuerspannungen zu dem Zeitpunkt, bei dem die Leuchtdichte maximal wird, durch eine variable Stromversorgung gesteuert und beide Spannungen werden vorzugsweise bei äquivalenten Werten aufrechterhalten.
  • Man beachte, dass die variable Stromversorgung eine Stromversorgung bezeichnet, bei der einer Schaltung oder einem Element eine Spannung zugeführt wird, die in dieser Beschreibung nicht konstant sondern variabel ist.
  • Ferner beinhaltet die Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung eine erste Einrichtung zur Messung des OLED-Steuerstroms der OLED des Monitor-Pixelabschnitts (nachstehend als Monitor-OLED oder zweite OLED bezeichnet), eine zweite Einrichtung, um basierend auf dem gemessenen Wert eine Spannung zu berechnen, die an die OLED angelegt wird und eine dritte Einrichtung zur eigentlichen Steuerung des Spannungswerts.
  • Man beachte, dass die zweite Einrichtung eine Einrichtung für das Vergleichen des gemessenen Stromwerts und eines Bezugswerts sein kann, und die dritte Einrichtung kann eine Einrichtung sein zur Steuerung der variablen Stromversorgung, um einen Unterschied zwischen dem gemessenen Wert und dem Bezugswert zu verringern und um die OLED- Steuerspannungen der OLED des Display-Pixels (nachstehend als Display-OLED oder erste OLED bezeichnet) und der Monitor-OLED in dem Fall zu korrigieren, in dem der Unterschied existiert.
  • In den Monitor-Pixelabschnitt wird ein Videosignal von einem System eingegeben, das sich von dem System des Videosignals unterscheidet, das in den Display-Pixelabschnitt eingegeben werden soll. Beide Signale sind jedoch in dem Punkt dieselben, dass die Signale jeweils Gradationsinformationen beinhalten, und nur das System einer Abbildung, die angezeigt werden soll, unterscheidet zwischen den Signalen. Das Videosignal, das in den Display-Pixelabschnitt eingegeben werden soll, wird nachstehend als Display-Videosignal bezeichnet und das Videosignal, das in den Monitor-Pixelabschnitt eingegeben werden soll, wird als Monitor-Videosignal bezeichnet.
  • Sobald die OLED-Steuerspannung der Monitor-OLED gemessen wird, wird gemäß dem Monitor-Videosignal eine Abbildung für den Monitor (nachstehend als Monitorabbildung bezeichnet) in dem Monitor-Pixelabschnitt angezeigt. Die Monitorabbildung kann entweder eine statische Abbildung oder eine dynamische Abbildung sein. Ferner kann dieselbe Gradation bei allen Pixeln angezeigt werden. Darüber hinaus ist es wünschenswert, dass die Monitorabbildung, in der ein durchschnittlicher Zeitwert zwischen den OLED-Steuerströmen der Display-OLED und der Monitor-OLED im Wesentlichen derselbe ist, so angezeigt wird, dass der Grad der Verschlechterung zwischen der Display-OLED und der Monitor-OLED derselbe wird.
  • Man beachte, dass der Bezugswert des Stroms nicht zu jeder Zeit als derselbe Wert festgelegt werden muss. Es wird eine Vielzahl von Monitorabbildungen mit unterschiedlichen Bezugsstromwerten bereitgestellt, und die Monitorabbildung kann für jeden Monitor ausgewählt werden. Natürlich können verschiedene Arten von Monitorabbildungen mit demselben Bezugsstromwert bereitgestellt werden.
  • Mit der oben beschriebenen Struktur kann bei der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung die Reduzierung der Leuchtdichte der OLED selbst bei der Verschlechterung der organisches Licht emittierenden Schicht unterdrückt werden. Als ein Ergebnis kann eine deutliche Abbildung angezeigt werden.
  • Ferner können in dem Farbdisplay-Modus, in dem drei Arten von OLEDs verwendet werden, die R (rot), G (grün) und B (blau) entsprechen, Monitor-Pixelabschnitte vorhanden sein, die den jeweiligen Farben entsprechen, und der OLED-Steuerstrom kann für jede OLED jeder Farbe gemessen werden, um dadurch die OLED-Steuerspannung zu korrigieren. Mit dieser Struktur wird verhindert, dass das Leuchtdichte-Gleichgewicht inmitten der jeweiligen Farben verloren geht, und eine gewünschte Farbe kann selbst dann angezeigt werden, wenn die organisches Licht emittierenden Schichten der OLEDs sich mit unterschiedlichen Geschwindigkeiten gemäß den entsprechenden Farben verschlechtern.
  • Ferner wird eine Temperatur der organisches Licht emittierenden Schicht durch eine Außentemperatur, Wärme, die durch das OLED-Bedienfeld selbst erzeugt wird, oder Ähnliches beeinflusst. Sobald die OLED mit einer konstanten Spannung angesteuert wird, verändert sich der Wert des fließenden Stroms im Allgemeinen gemäß der Temperatur. 3 zeigt eine Veränderung einer Strom-Spannung-Kennlinie der OLED, während die Temperatur der organisches Licht emittierenden Schicht sich verändert. Während die Spannung konstant ist, wird der OLED-Steuerstrom größer, falls die Temperatur der organisches Licht emittierenden Schicht höher wird. Weil das Verhältnis zwischen OLED-Steuerstrom und Leuchtdichte der OLED im Wesentlichen proportional ist, wird die Leuchtdichte der OLED höher, da der OLED-Steuerstrom größer wird. In 2 zeigt die Leuchtdichte bei konstanter Spannung einen vertikalen Zeitabschnitt von ca. 24 Stunden. Das liegt daran, dass eine Temperaturdifferenz zwischen Tag und Nacht widergespiegelt wird. Bei der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann der OLED-Steuerstrom durch die Korrektur der OLED-Steuerspannung jedoch immer konstant gehalten werden, selbst wenn sich die Temperatur der organisches Licht emittierenden Schicht verändert. Deshalb kann eine konstante Leuchtdichte erzielt werden, ohne dass sie von der Temperaturveränderung beeinflusst wird, und der Anstieg des Stromverbrauchs mit der Temperaturerhöhung kann ebenfalls verhindert werden.
  • Darüber hinaus weicht im Allgemeinen ein Veränderungsgrad des OLED-Steuerstroms, abhängig von der Art des organisches Licht emittierenden Werkstoffs, in der Temperaturveränderung ab. Deshalb können bei dem Farbdisplay die Leuchtdichten der OLEDs der jeweiligen Farben gemäß der Temperatur getrennt verändert werden. Bei der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann die konstante Leuchtdichte jedoch erzielt werden, ohne von der Temperaturveränderung beeinflusst zu werden. Deshalb wird verhindert, dass das Gleichgewicht der Leuchtdichte inmitten der jeweiligen Farben verloren geht, und eine gewünschte Farbe kann angezeigt werden.
  • Im Übrigen ist die vorliegende Erfindung besonders wirkungsvoll für eine Licht emittierende Aktivmatrix-Vorrichtung mit Digitalzeit-Gradationsansteuerung, und sie ist ebenso wirkungsvoll für eine Licht emittierende Aktivmatrix-Vorrichtung mit analoger Gradationsansteuerung. Ferner kann die vorliegende Erfindung auf eine passive Lichtemissionsvorrichtung angewendet werden.
  • Außerdem kann der Monitor-Pixelabschnitt bei einer Anzeige von Icons, Logos, Mustern, Anzeigevorrichtungen und Ähnlichem verwendet werden, und das kann Verluste eiminieren. Zusätzlich verwendet der Monitor dieselbe Art Pixel, wodurch die Verschlechterung der Pixel-OLED mit höherer Auflösung aufgefangen werden kann. Deshalb kann die Leuchtdichtenkorrektur mit Leichtigkeit und Genauigkeit durchgeführt werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • In den beiliegenden Zeichnungen gilt Folgendes:
  • 1 ist ein Blockdiagramm einer Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung;
  • 2 zeigt eine Veränderung der Leuchtdichte infolge einer Verschlechterung bei der Ansteuerung mit konstantem Strom oder der Ansteuerung mit konstanter Spannung;
  • 3 zeigt eine Stromveränderung gemäß einer Temperatur einer organisches Licht emittierenden Schicht;
  • 4 ist ein Pixel-Schaltbild der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung;
  • 5 zeigt eine Spannungsveränderung gemäß einer Korrektur;
  • 6 ist ein Blockdiagramm einer Korrekturschaltung;
  • 7 zeigt eine Beziehung zwischen einem Abweichungsstrom und einer Korrekturspannung;
  • 8 ist ein Pixel-Schaltbild einer Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung;
  • 9 ist ein Diagramm, das ein Verfahren zur Ansteuerung der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 10A und 10B sind Blockdiagramme von Treiberschaltungen;
  • 11A bis 11C zeigen ein Aussehen der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung;
  • 12 zeigt ein Aussehen der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung;
  • 13A bis 13D zeigen ein Herstellungsverfahren der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung;
  • 14A bis 14C zeigen das Herstellungsverfahren der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung;
  • 15A und 15B zeigen das Herstellungsverfahren der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung;
  • 16A und 16B zeigen ein Herstellungsverfahren der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung;
  • 17A bis 17H zeigen eine elektronische Anlage, die die Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung verwendet; und
  • 18A und 18B zeigen Veränderungen der Spannungs-Strom-Kennlinie und eine Strom-Leuchtdichte-Kennlinie einer OLED infolge einer Verschlechterung.
  • Ausführliche Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Nachstehend wird die Struktur der vorliegenden Erfindung beschrieben.
  • 1 ist ein Blockdiagramm der Struktur eines OLED-Bedienfelds der vorliegenden Erfindung. Bezugszeichen 101 bezeichnet einen Display-Pixelabschnitt, in dem eine Vielzahl von Displaypixeln 102 in einer Matrix ausgebildet wird. Bezugszeichen 103 bezeichnet einen Monitor-Pixelabschnitt, in dem eine Vielzahl von Monitorpixeln 104 in einer Matrix ausgebildet wird. Ferner bezeichnen die Bezugszeichen 105 und 106 jeweils einen Source-Leitungstreiber und einen Gate-Leitungstreiber.
  • Der Display-Pixelabschnitt 101 und der Monitor-Pixelabschnitt 103 können auf demselben Substrat oder auf verschiedenen Substraten ausgebildet werden. Man beachte, dass obwohl der Source-Leitungstreiber 105 und der Gate-Leitungstreiber 106 in 1 auf dem Substrat ausgebildet werden, auf dem der Display-Pixelabschnitt 101 und der Monitor-Pixelabschnitt 103 ausgebildet werden, die vorliegende Erfindung nicht auf diese Struktur beschränkt ist. Der Source-Leitungstreiber 105 und der Gate-Leitungstreiber 106 können auf dem Substrat ausgebildet werden, das sich von dem für den Display-Pixelabschnitt 101 und den Monitor-Pixelabschnitt 103 unterscheidet, und sie können durch einen Anschluss wie eine FPC (flexible Leiterplatte) mit dem Display-Pixelabschnitt 101 und dem Monitor-Pixelabschnitt 103 verbunden werden. Ferner sind in 1 ein Source-Leitungstreiber 105 und ein Gate-Leitungstreiber 106 vorhanden, aber die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese Struktur beschränkt. Die Anzahl der Source-Leitungstreiber 105 und die Anzahl der Gate-Leitungstreiber 106 kann durch einen Konstrukteur beliebig festgelegt werden.
  • Ferner sind in 1 in dem Display-Pixelabschnitt 101 Source-Leitungen S1 bis Sx, Stromleitungen V1 bis Vx und Gate-Leitungen G1 bis Gy vorhanden. Dann sind in dem Monitor-Pixelabschnitt 103 eine Source-Leitung S(x+1), eine Stromleitung V(x+1) und die Gate-Leitungen G1 bis Gy vorhanden. Die Anzahl der Source-Leitungen und die Anzahl der Stromleitungen sind nicht immer dieselbe. Ferner können zusätzlich zu diesen Leitungen anders geartete Leitungen vorhanden sein. In 1 wird auch ein Beispiel gezeigt, in dem nur Pixel in dem Monitor-Pixelabschnitt 103 von einer Leitung vorhanden sind, die die Source-Leitung S(x+1) aufweist. Die Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung ist jedoch nicht auf diese Struktur beschränkt. Pixel von mehreren Leitungen, die eine Vielzahl von Source-Leitungen aufweisen, können in dem Monitor-Pixelabschnitt 103 vorhanden sein. Die Anzahl der Pixel, die in dem Monitor-Pixelabschnitt 103 vorhanden sind, kann in geeigneter Weise von einem Konstrukteur gewählt werden.
  • In den jeweiligen Displaypixeln 102 sind Display-OLEDs 107 vorhanden. In den jeweiligen Monitorpixeln 104 sind ferner Monitor-OLEDs 108 vorhanden. Die Display-OLED 107 und die Monitor-OLED 108 weisen jeweils eine Anode und eine Kathode auf. In dem Fall, in dem die Anode als Pixelelektrode (erste Elektrode) verwendet wird, wird in dieser Beschreibung die Kathode als gegenüberliegende Elektrode (zweite Elektrode) bezeichnet, während in dem Fall, in dem die Kathode als Pixelelektrode verwendet wird, die Anode als gegenüberliegende Elektrode bezeichnet wird.
  • Die Pixelelektrode jeder Display-OLED 107 wird durch einen TFT oder eine Vielzahl von TFTs mit einer der Stromleitungen V1 bis Vx verbunden. Die Stromleitungen V1 bis Vx werden alle mit einer variablen Display-Stromversorgung 109 verbunden. Die gegenüberliegenden Elektroden der Display-OLEDs 107 werden alle mit der variablen Display-Stromversorgung 109 verbunden. Man beachte, dass die gegenüberliegenden Elektroden der Display-OLEDs 107 durch ein Bauteil oder eine Vielzahl von Bauteilen mit der variablen Display-Stromversorgung 109 verbunden werden können.
  • Andererseits wird die Pixelelektrode jeder Monitor-OLED 108 durch einen TFT oder eine Vielzahl von TFTs mit der Stromleitung V(x+1) verbunden. Die Stromleitung V(x+1) wird durch ein Amperemeter 111 mit einer variablen Monitor-Stromversorgung 110 verbunden. Die gegenüberliegenden Elektroden der Monitor-OLEDs 108 werden alle mit der variablen Monitor-Stromversorgung 110 verbunden. Man beachte, dass die gegenüberliegenden Elektroden der Monitor-OLEDs 108 durch ein Bauteil oder eine Vielzahl von Bauteilen mit der variablen Monitor-Stromversorgung 110 verbunden werden können.
  • Man beachte, dass in 1 die variable Display-Stromversorgung 109 und die variable Monitor-Stromversorgung 110 so verbunden werden, dass die Stromleitungsseite bei einem hohen Potential (Vdd) aufrechterhalten wird, während die gegenüberliegende Elektrodenseite bei einem niedrigen Potential (Vss) aufrechterhalten wird. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf diese Struktur beschränkt, und die variable Display-Stromversorgung 109 und die variable Monitor-Stromversorgung 110 können so verbunden werden, dass der Stromfluss durch die Display-OLED 107 und die Monitor-OLED 108 eine Durchlassvorspannung aufweist.
  • Ferner befindet sich eine Position, an der das Amperemeter 111 vorhanden ist, nicht notwendigerweise zwischen der variablen Monitor-Stromversorgung 110 und den Stromleitungen. Die Position kann sich zwischen der variablen Monitor-Stromversorgung 110 und den gegenüberliegenden Elektroden befinden.
  • Bezugszeichen 112 bezeichnet eine Korrekturschaltung, die die variable Display-Stromversorgung 109 und die variable Monitor-Stromversorgung 110, basierend auf einem Stromwert (gemessenen Wert), der mit dem Amperemeter 111 gemessen wird, steuert. Insbesondere steuert die Korrekturschaltung 112 die Spannung, die den gegenüberliegenden Elektroden der Display-OLEDs 107 und den Stromleitungen V1 bis Vx von der variablen Display-Stromversorgung 109 zugeführt wird, und die die Spannung, die den gegenüberliegenden Elektroden der Monitor-OLEDs 108 und der Stromleitung V(x+1) von der variablen Monitor-Stromversorgung 110 zugeführt wird.
  • Im Übrigen können das Amperemeter 111, die variable Display-Stromversorgung 109, die variable Monitor-Stromversorgung 110 und die Korrekturschaltung 112 auf dem Substrat ausgebildet werden, das sich von dem Substrat unterscheidet, auf dem der Display-Pixelabschnitt 101 und der Monitor-Pixelabschnitt 103 ausgebildet werden, und sie können durch einen Anschluss oder Ähnliches mit dem Display-Pixelabschnitt 101 und dem Monitor-Pixelabschnitt 103 verbunden werden. Wenn möglich können die oben beschriebenen Komponenten auf demselben Substrat wie der Display-Pixelabschnitt 101 und der Monitor-Pixelabschnitt 103 ausgebildet werden.
  • Ferner können in einem Farbdisplay-Modus eine variable Display-Stromversorgung, ein variable Monitor-Stromversorgung, eine Korrekturschaltung und ein Amperemeter für jede Farbe vorhanden sein, und eine OLED-Steuerspannung kann in der OLED jeder Farbe korrigiert werden. Man beachte, dass zu diesem Zeitpunkt die Korrekturschaltung für jede Farbe vorhanden sein kann, oder die gemeinsame Korrekturschaltung kann für die OLEDs mehrerer Farben vorhanden sein.
  • 4 zeigt die ausführliche Struktur des Monitorpixels 104. Man beachte, dass das Displaypixel 102 dieselbe Vorrichtung-Verbindungsstruktur aufweist wie das Monitorpixel 104.
  • Das Monitorpixel 104 in 4 weist die Source-Leitung S(x+1), die Gate-Leitung Gj (j = 1 bis y), die Stromleitung V(x+1), einen Schalt-TFT 120, einen Ansteuerungs-TFT 121, einen Kondensator 122 und die Monitor-OLED 108 auf. Die in 4 gezeigte Pixelstruktur ist nur ein Beispiel und die Anzahl der Leitungen und Bauteile des Pixels, dessen Art und Verbindung sind nicht auf diejenigen beschränkt, die in der Struktur in 4 gezeigt werden. Die Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann eine beliebige Struktur annehmen, vorausgesetzt dass die OLED-Steuerspannung der OLED durch eine variable Stromversorgung für jedes Pixel gesteuert werden kann.
  • In 4 wird eine Gate-Elektrode des Schalt-TFTs 120 mit der Gate-Leitung Gj verbunden. Einer von einem Source-Bereich und einem Drain-Bereich des Schalt-TFTs 120 wird mit der Source-Leitung S(x+1) verbunden, und der Andere wird mit der Gate-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs 121 verbunden. Dann wird einer von einem Source-Bereich und einem Drain-Bereich des Ansteuerungs-TFTs 121 mit der Stromleitung V(x+1) verbunden, und der Andere wird mit der Pixelelektrode der Monitor-OLED 108 verbunden. Der Kondensator 122 wird zwischen der Gate-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs 121 und der Stromleitung V(x+1) ausgebildet.
  • In dem in 4 gezeigten Monitorpixel 104 wird das Potential der Gate-Leitung Gj durch den Gate-Leitungstreiber 106 gesteuert, und die Source-Leitung S(x+1) wird durch den Source-Leitungstreiber 105 mit einem Monitor-Videosignal eingegeben. Sobald der Schalt-TFT 120 eingeschaltet wird, wird die Monitor-Videosignal-Eingabe, die in die Source-Leitung S(x+1) eingegeben ist, durch den Schalt-TFT 120 in die Gate-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs 121 eingegeben. Wenn der Ansteuerungs-TFT 121 gemäß dem Monitor-Videosignal eingeschaltet wird, dann wird die OLED-Steuerspannung durch die variable Monitor-Stromversorgung 110 zwischen der Pixelelektrode und der gegenüberliegenden Elektrode der Monitor-OLED 108 angelegt. Dadurch emittiert die Monitor-OLED 108 Licht.
  • Während die Monitor-OLED 108 Licht emittiert, wird mit dem Amperemeter 111 ein Strom gemessen. Der gemessene Wert wird in Form von Daten an die Korrekturschaltung 112 gesendet. Die Zeitspanne für die Messung des Stroms weicht abhängig von einer Leistung des Amperemeters 111 ab, und die Zeitspanne muss die Länge aufweisen, die gleich groß oder größer ist als die der Zeitspanne, während der die Messung durchgeführt werden kann. Ferner wird mit dem Amperemeter 111 der Durchschnittswert oder der Maximalwert des Stroms, der in der Mess-Zeitspanne fließt, lesbar gemacht.
  • In der Korrekturschaltung 112 wird ein gemessener Wert des Stroms mit einem festgelegten Stromwert (Bezugswert) verglichen. In dem Fall, in dem es einen Unterschied zwischen dem gemessenen Wert und dem Bezugswert gibt, steuert die Korrekturschaltung 112 dann die variable Monitor-Stromversorgung 110 und die variable Display-Stromversorgung 109 und korrigiert die Spannung zwischen der Stromleitung V(x+1) und der gegenüberliegenden Elektrode der Monitor-OLED 108 und die Spannung zwischen den Stromleitungen V1 bis Vx und den gegenüberliegenden Elektroden der Display-OLEDs 107. Dadurch werden die OLED-Steuerspannungen in der Display-OLED 107 und der Monitor-OLED 108 korrigiert, und es fließt ein OLED-Steuerstrom mit einer gewünschten Stärke.
  • Man beachte, dass die OLED-Steuerspannung korrigiert werden kann, indem das Potential auf der Stromleitungsseite gesteuert wird, oder sie kann korrigiert werden, indem das Potential auf der Seite der gegenüberliegenden Elektrode gesteuert wird. Ferner kann die OLED-Steuerspannung korrigiert werden, indem sowohl das Potential auf der Stromleitungsseite als auch das Potential auf der Seite der gegenüberliegenden Elektrode gesteuert wird.
  • 5 zeigt eine Veränderung der OLED-Steuerspannung der OLED jeder Farbe in dem Fall, in dem das Potential auf der Stromleitungsseite in einer Farblicht-Emissionsvorrichtung gesteuert wird. In 5 bezeichnet Vr die OLED-Steuerspannung vor der Korrektur in einem Display-OLED (R) für R, und Vr0 bezeichnet die OLED-Steuerspannung nach der Korrektur. In ähnlicher Weise bezeichnet Vg die OLED-Steuerspannung vor der Korrektur in einem Display-OLED (G) für G, und Vg0 bezeichnet die OLED-Steuerspannung nach der Korrektur. Vb bezeichnet die OLED-Steuerspannung vor der Korrektur in einem Display-OLED (B) für B, und Vb0 bezeichnet die OLED-Steuerspannung nach der Korrektur.
  • Im Fall von 5 werden die Potentiale der gegenüberliegenden Elektroden (gegenüberliegende Potentiale) in allen Display-OLEDs auf demselben Niveau festgelegt. Der OLED-Steuerstrom wird für jede Display-OLED jeder Farbe gemessen, und das Potential der Stromleitung (Stromversorgungspotential) wird durch die variable Display-Stromversorgung gesteuert, wobei die OLED-Steuerspannung korrigiert wird.
  • Im Übrigen werden in 1 zwei variable Stromversorgungen verwendet, nämlich die variable Display-Stromversorgung, die dem Display-Pixelabschnitt entspricht, und die variable Monitor-Stromversorgung, die dem Monitor-Pixelabschnitt entspricht, aber die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese Struktur beschränkt. Eine variable Stromversorgung kann an die Stelle der variablen Display-Stromversorgung und der variablen Monitor-Stromversorgung gesetzt werden.
  • In der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung mit der oben beschriebenen Struktur kann dieselbe Leuchtdichte-Veränderung erzielt werden wie die, die erzielt wird, sobald der OLED-Steuerstrom in 2 konstant gemacht wird.
  • Nach der vorliegenden Erfindung mit der oben beschriebenen Struktur kann die Reduzierung der Leuchtdichte der OLED unterdrückt werden, selbst wenn die organisches Licht emittierende Schicht sich verschlechtert. Als ein Ergebnis kann eine deutliche Abbildung angezeigt werden. In dem Fall der Lichtemissionsvorrichtung mit dem Farbdisplay, in dem die OLEDs verwendet werden, die den jeweiligen Farben entsprechen, wird ferner verhindert, dass das Leuchtdichte-Gleichgewicht inmitten der jeweiligen Farben verloren geht, und es kann eine gewünschte Farbe angezeigt werden, selbst wenn die organisches Licht emittierenden Schichten der OLEDs sich gemäß den entsprechenden Farben mit unterschiedlichen Geschwindigkeiten verschlechtern.
  • Ferner kann die Veränderung der Leuchtdichte der OLED unterdrückt werden, selbst wenn die Temperatur der organisches Licht emittierenden Schicht durch die Außentemperatur, die Wärme, die durch das OLED-Bedienfeld selbst erzeugt wird, oder Ähnliches beeinflusst wird. Außerdem kann ein Anstieg des Stromverbrauchs mit der Temperaturerhöhung verhindert werden. In dem Fall der Lichtemissionsvorrichtung mit dem Farbdisplay kann ferner die Veränderung der Leuchtdichte der OLED jeder Farbe unterdrückt werden, ohne durch die Temperaturveränderung beeinflusst zu werden. Deshalb wird verhindert, dass das Gleichgewicht der Leuchtdichte inmitten der jeweiligen Farben verloren geht, und eine gewünschte Farbe kann angezeigt werden.
  • Ausführungsformen
  • Nachstehend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben
  • [Ausführungsform 1]
  • In dieser Ausführungsform wird die ausführliche Struktur einer Korrekturschaltung einer Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung beschrieben.
  • 6 ist ein Blockdiagramm der Struktur der Korrekturschaltung in dieser Ausführungsform. Eine Korrekturschaltung 203 beinhaltet eine A/D-Wandler-Schaltung 204, einen Speicher für einen gemessenen Wert 205, eine Berechnungsschaltung 206, einen Speicher für einen Bezugswert 207 und einen Controller 208.
  • Ein Stromwert (gemessener Wert), der mit einem Amperemeter 201 gemessen wird, wird in die A/D-Wandler-Schaltung 204 der Korrekturschaltung 203 eingegeben. In der A/D-Wandler-Schaltung 204 wird ein analog gemessener Wert in einen digitalen umgewandelt. Digitale Daten des umgewandelten gemessenen Wertes werden in den Speicher für einen gemessenen Wert 205 eingegeben, um festgehalten zu werden.
  • Andererseits werden digitale Daten des Bezugswerts eines OLED-Steuerstroms in dem Speicher für einen Bezugswert 207 festgehalten. In der Berechnungsschaltung 206 werden die digitalen Daten des gemessenen Wertes, die in dem Speicher für einen gemessenen Wert 205 festgehalten werden, und die digitalen Daten des Bezugswertes, die in dem Speicher für einen Bezugswert 207 festgehalten werden, ausgelesen, um verglichen zu werden.
  • Gemäß dem Vergleich zwischen den digitalen Daten des gemessenen Wertes und den digitalen Daten des Bezugswertes, werden dann eine variable Monitor-Stromversorgung 202 und eine variable Display-Stromversorgung 209 gesteuert, um den Wert des Stroms, der tatsächlich durch das Amperemeter 201 fließt, dem Bezugswert anzunähern. Insbesondere werden die variable Monitor-Stromversorgung 202 und die variable Display-Stromversorgung 209 gesteuert, wobei die Spannung zwischen den Stromleitungen V1 bis Vx und den gegenüberliegenden Elektroden der Display-OLEDs und die Spannung zwischen der Stromleitung V(x+1) und der gegenüberliegenden Elektrode der Monitor-OLED korrigiert werden. Als ein Ergebnis werden die Steuerspannungen in dem Display-OLED und dem Monitor-OLED korrigiert, und deshalb fließt der OLED-Steuerstrom mit einer gewünschten Stärke.
  • Wenn angenommen wird, dass der Stromunterschied zwischen dem gemessenen Wert und dem Bezugswert ein Abweichungsstrom ist, und dass die Spannung für den Veränderungsumfang gemäß der Korrektur zwischen den Stromleitungen V1 bis Vx und den gegenüberliegenden Elektroden eine Korrekturspannung ist, wird die Beziehung zwischen dem Abweichungsstrom und der Korrekturspannung zum Beispiel in 7 dargestellt. In 7 wird die Korrekturspannung immer zu der Zeit um eine konstante Größe verändert, sobald der Abweichungsstrom um eine konstante Größe verändert wird.
  • Man beachte, dass die Beziehung zwischen dem Abweichungsstrom und der Korrekturspannung nicht unbedingt mit der in 7 gezeigten grafischen Darstellung übereinstimmen muss. Es ist lediglich notwendig, dass der Abweichungsstrom und die Korrekturspannung eine solche Beziehung aufweisen, dass der Wert des Stroms, der tatsächlich durch das Amperemeter fließt, sich dem Bezugswert annähert. Die Beziehung zwischen dem Abweichungsstrom und der Korrekturspannung kann zum Beispiel eine Linearität aufweisen. Außerdem kann der Abweichungsstrom proportional zu dem zweiten Strom der Korrekturspannung sein.
  • Man beachte, dass die Struktur der Korrekturschaltung, die in dieser Ausführungsform gezeigt wird, nur ein Beispiel ist, und die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese Struktur beschränkt. Es ist lediglich notwendig, dass die Korrekturschaltung, die in der vorliegende Erfindung verwendet wird, die Einrichtung zur Messung des gemessenen Werts und des Bezugswerts und die Einrichtung zur Durchführung einer Berechnungsbearbeitung aufweist, die auf dem mittels dem Amperemeter gemessenen Wert und auf dem Korrigieren der OLED-Steuerspannung basiert. Der Spannungswert der variablen Monitor-Stromversorgung und der Spannungswert der variablen Display-Stromversorgung müssen nicht unbedingt dieselbe Struktur aufweisen. Es kann lediglich notwendig sein, dass ein Berechnungsbearbeitungs-Verfahren für den Zeitpunkt vorgeschrieben ist, bei dem der Abweichungsstrom einen Wert erreicht, der größer oder gleich einem bestimmten festgelegten Wert ist, anstelle eine Korrektur unter Verwendung des Strombezugswerts durchzuführen, der in dem Speicher gespeichert ist.
  • [Ausführungsform 2]
  • In dieser Ausführungsform wird die Struktur eines Monitorpixels beschrieben, das sich von dem in 4 in der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung unterscheidet.
  • 8 zeigt die Struktur des Monitorpixels in dieser Ausführungsform. In einem Monitor-Pixelabschnitt der Lichtemissionsvorrichtung in dieser Ausführungsform werden Monitorpixel 300 in einer Matrix bereitgestellt. Das Monitorpixel 300 weist eine Source-Leitung 301, eine erste Gate-Leitung 302, eine zweite Gate-Leitung 303, eine Stromleitung 304, ein Schalt-TFT 305, ein Ansteuerungs-TFT 306, ein Lösch-TFT 309 und eine Monitor-OLED 307 auf.
  • Eine Gate-Elektrode des Schalt-TFTs 305 wird mit der ersten Gate-Leitung 302 verbunden. Einer von einem Source-Bereich und einem Drain-Bereich des Schalt-TFTs 305 wird mit der Source-Leitung 301 verbunden, und der Andere wird mit der Gate-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs 306 verbunden.
  • Eine Gate-Elektrode des Lösch-TFTs 309 wird mit der zweiten Gate-Leitung 303 verbunden. Einer von einem Source-Bereich und einem Drain-Bereich des Lösch-TFTs 309 wird mit der Stromleitung 304 verbunden, und der Andere wird mit der Gate-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs 306 verbunden.
  • Ein Source-Bereich des Ansteuerungs-TFTs 306 wird mit der Stromleitung 304 verbunden, und ein Drain-Bereich des Ansteuerungs-TFTs 306 wird mit einer Pixelelektrode der Monitor-OLED 307 verbunden. Ein Kondensator 308 wird zwischen der Gate-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs 306 und der Stromleitung 304 ausgebildet.
  • Die Stromleitung 304 wird durch ein Amperemeter 310 mit einer variablen Monitor-Stromversorgung 311 verbunden. Ferner werden alle gegenüberliegenden Elektroden der Monitor-OLEDs 307 mit der variablen Monitor-Stromversorgung 311 verbunden. Man beachte, dass in 8 die variable Monitor-Stromversorgung 311 so angeschlossen ist, dass die Stromleitungsseite bei einem hohen Potential (Vdd) aufrechterhalten wird und die gegenüberliegende Elektrodenseite bei einem niedrigen Potential (Vss) aufrechterhalten wird. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf diese Struktur beschränkt. Es kann lediglich notwendig sein, dass die variable Monitor-Stromversorgung 311 so angeschlossen ist, dass der Strom, der durch die Monitor-OLED 307 fließt, eine Durchlassvorspannung aufweist.
  • Das Amperemeter 310 muss nicht unbedingt zwischen der variablen Monitor-Stromversorgung 311 und der Stromleitung 304 angeordnet sein, und es kann zwischen der variablen Monitor-Stromversorgung 311 und der gegenüberliegenden Elektrode angeordnet sein.
  • Bezugszeichen 312 bezeichnet eine Korrekturschaltung, welche die Spannung steuert, die, basierend auf dem Stromwert (gemessenen Wert), der in Amperemeter 310 gemessen wird, von der variablen Monitor-Stromversorgung 311 der gegenüberliegenden Elektrode und der Stromleitung 304 zugeführt wird.
  • Man beachte, dass das Amperemeter 310, die variable Monitor-Stromversorgung 311 und die Korrekturschaltung 312 auf dem Substrat ausgebildet werden können, das sich von dem Substrat unterscheidet, auf dem der Monitor-Pixelabschnitt ausgebildet wird, und sie können durch einen Anschluss oder Ähnliches mit dem Monitor-Pixelabschnitt verbunden werden. Wenn möglich, sollten die oben beschriebenen Bauteile auf demselben Substrat wie der Monitor-Pixelabschnitt ausgebildet werden.
  • Ferner können in einem Farbdisplay-Modus eine variable Monitor-Stromversorgung, ein Amperemeter und eine Korrekturschaltung für jede Farbe vorhanden sein, und eine OLED-Steuerspannung kann in der OLED jeder Farbe korrigiert werden. Man beachte, dass zu diesem Zeitpunkt die Korrekturschaltung für jede Farbe vorhanden sein kann, oder die gemeinsame Korrekturschaltung kann für die OLEDs mehrerer Farben vorhanden sein.
  • In dem in 8 gezeigten Monitorpixel werden die Potentiale der ersten Gate-Leitung 302 und der zweiten Gate-Leitung 303 durch verschiedene Gate-Leitungstreiber gesteuert. Die Source-Leitung 301 wird durch einen Source-Leitungstreiber mit einem Monitor-Videosignal eingegeben.
  • Sobald der Schalt-TFT 305 eingeschaltet wird, wird die Monitor-Videosignal-Eingabe für die Source-Leitung 301 durch den Schalt-TFT 305 in die Gate-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs 306 eingegeben. Sobald der Ansteuerungs-TFT 306 gemäß dem Monitor-Videosignal eingeschaltet wird, dann wird die OLED-Steuerspannung durch die variable Monitor-Stromversorgung 311 zwischen der Pixelelektrode und der der gegenüberliegenden Elektrode der Monitor-OLED 307 angelegt. Dadurch emittiert die Monitor-OLED 307 Licht.
  • Sobald der Lösch-TFT 309 eingeschaltet wird, nähert sich der Potentialunterschied zwischen dem Source-Bereich und der Gate-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs 306 null, und der Ansteuerungs-TFT 306 wird ausgeschaltet. Deshalb emittiert die Monitor-OLED 307 kein Licht.
  • Während die Monitor-OLED 307 Licht emittiert, wird bei der vorliegenden Erfindung in dem Amperemeter 310 ein Strom gemessen. Der gemessene Wert wird in Form von Daten an die Korrekturschaltung 312 gesendet.
  • In der Korrekturschaltung 312 werden der gemessene Stromwert und ein festgelegter Stromwert (Bezugswert) verglichen. In dem Fall, in dem es einen Unterschied zwischen dem gemessenen Wert und dem Bezugswert gibt, wird dann die variable Monitor-Stromversorgung 311 gesteuert, um die Spannung zwischen der Stromleitung 304 und der gegenüberliegenden Elektrode zu korrigieren. Dadurch wird die OLED-Steuerspannung in der Monitor-OLED 307 des Monitorpixels 300 korrigiert, und es fließt ein OLED-Steuerstrom mit einer gewünschten Stärke.
  • Man beachte, dass die OLED-Steuerspannung korrigiert werden kann, indem das Potential auf der Stromleitungsseite gesteuert wird, oder sie kann korrigiert werden, indem das Potential auf der Seite der gegenüberliegenden Elektrode gesteuert wird. Außerdem kann die OLED-Steuerspannung korrigiert werden kann, indem sowohl das Potential auf der Stromleitungsseite als auch das Potential auf der Seite der gegenüberliegenden Elektrode gesteuert wird.
  • Ferner ist eine Abbildung für den Monitor vorzugsweise eine Abbildung, in der so viele Monitor-OLEDs der Pixel wie möglich in dem Pixelabschnitt Licht emittieren. Selbst wenn es einen Fehler in dem mit dem Amperemeter gemessenen Stromwert gibt, wird das Verhältnis des Fehlers in dem gemessenen Stromwert zu dem gesamten gemessenen Wert kleiner, da sowohl der gemessene Wert als auch der Bezugswert größer werden. Bei der Monitorabbil dung wird die Gradation mit demselben Niveau erzeugt wie das Mittel der Pixel, um den Fortschritt der Verschlechterung gleichmäßig zu gestalten.
  • Man beachte, dass obwohl in dieser Ausführungsform die Struktur des Monitorpixels beschrieben wird, ein Displaypixel ebenfalls dieselbe Struktur aufweist. In dem Fall des Displaypixels wird die Stromleitung jedoch nicht mit dem Amperemeter verbunden, und eine gegenüberliegende Elektrode einer Display-OLED wird nicht mit der variablen Monitor-Stromversorgung verbunden sondern mit einer variablen Display-Stromversorgung.
  • Die Struktur des in dieser Ausführungsform gezeigten Pixels ist nur ein Beispiel, und die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese Struktur beschränkt. Man beachte, dass diese Ausführungsform implementiert werden kann, indem sie frei mit Ausführungsform 1 kombiniert wird.
  • [Ausführungsform 3]
  • In dieser Ausführungsform wird eine Monitorabbildung, die in dem Monitorpixelabschnitt angezeigt wird, beschrieben, indem eine Korrektur eines Stroms in der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung durchgeführt wird.
  • Bei der vorliegenden Erfindung kann die Korrektur des Stroms jederzeit durchgeführt werden, oder sie kann zu einem Zeitpunkt durchgeführt werden, der im Voraus durch Festlegen vorbestimmt wird. Ein Anwender kann die Korrektur des Stroms beliebig durchführen.
  • Der Display-Pixelabschnitt und der Monitor-Pixelabschnitt werden in der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung getrennt angeordnet. Deshalb wird ein Display nicht eingeschränkt.
  • Ein Strombezugswert wird zu dem Zeitpunkt, bei dem die Monitorabbildung angezeigt wird, in der Korrekturschaltung gespeichert. Deshalb kann die Korrektur durchgeführt werden, ohne Behinderung und Beeinflussung der Abbildungsanzeige auf einem Bildschirm.
  • Ferner können Monitorabbildungen verwendet werden, die unterschiedliche Strombezugswerte aufweisen. In diesem Fall wird ebenfalls ein Videosignal in die Korrekturschaltung eingegeben, und der Bezugswert wird in einer Berechnungsschaltung oder Ähnlichem berechnet. In dem Fall, in dem keine Monitorabbildung verwendet wird, ist es nicht notwendig ein Monitor-Videosignal zu verwenden, und die Abbildung, die angezeigt werden soll, verändert sich natürlich nicht gegenüber der Absicht eines Anwenders.
  • Die Monitorabbildung während einer Stromüberwachung wird so erzeugt, dass sie die folgende Bedingung erfüllt.
  • Figure 00220001
  • In Formel 1 bezeichnet das Symbol n die Gesamtzahl der Gradationen eines Videosignals. Das Symbol k bezeichnet die Anzahl der Gradationen und nimmt einen Wert von 0 bis n an. Das Symbol mk bezeichnet die Pixelanzahl mit der Anzahl der Gradationen von k in der in dem Monitor-Pixelabschnitt. Man beachte, dass in dem Fall der Lichtemissionsvorrichtung mit dem Farbdisplay die Formel 1 auf alle Pixel angewendet wird, die der jeweiligen Farbe entsprechen.
  • Diese Ausführungsform kann implementiert werden kann, indem sie frei mit Ausführungsform 1 oder 2 kombiniert wird.
  • [Ausführungsform 4]
  • In dieser Ausführungsform wird mit Bezug auf 9 ein Ansteuerungsverfahren der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung in 1 und 4 beschrieben. Man beachte, dass in 9 eine horizontale Achse die Zeit bezeichnet, und eine vertikale Achse bezeichnet die Position eines Displaypixels, das mit einer Gate-Leitung verbunden ist. In dieser Ausführungsform wird ein Ansteuerungsverfahren des Display-Pixelabschnitts beschrieben. Es kann jedoch durch Verwenden desselben Ansteuerungsverfahrens eine Anzeige des Monitor-Pixelabschnitts durchgeführt werden.
  • Sobald eine Schreibperiode Ta begonnen wird, wird zunächst das Stromversorgungspotential der Stromleitungen V1 bis Vx auf demselben Niveau aufrechterhalten wie das Potential der gegenüberliegenden Elektrode der Display-OLED 107. Dann wird der Schalt-TFT 120 jedes Displaypixels, das mit der Gate-Leitung G1 (Displaypixel der ersten Leitung) verbunden ist, gemäß einer Anwahlsignalausgabe von dem Gate-Leitungstreiber 106 angeschaltet.
  • Dann wird ein Videosignal aus digitalen Daten (nachstehend als digitales Videosignal bezeichnet) des ersten Bits, das in jede Source-Leitung (S1 bis Sx) durch den Source-Leitungstreiber 105 eingegeben wird, durch den Ansteuerungs-TFT 121 in die Gate-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs 121 eingegeben.
  • Dann wird als Nächstes der Schalt-TFT 120 jedes Displaypixels der ersten Leitung ausgeschaltet. In ähnlicher Weise wie bei den Displaypixeln der ersten Leitung, wird der Schalt-TFT 120 jedes Displaypixels der zweiten Leitung, die mit der Gate-Leitung G2 verbunden wird, durch das Auswahlsignal eingeschaltet. Als Nächstes wird das digitale Videosignal des ersten Bits von jeder Source-Leitung (S1 bis Sx) durch den Schalt-TFT 120 jedes Displaypixels der zweiten Leitung in die Gate-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs 121 eingegeben.
  • Dann werden die digitalen Videosignale des ersten Bits in die Displaypixel aller Leitungen geordnet eingegeben. Die Periode, während der die digitalen Videosignale des ersten Bits in die Displaypixel aller Leitungen eingegeben werden, ist eine Schreibperiode Ta1. Man beachte, dass in dieser Ausführungsform, der Umstand dass das digitale Videosignal in das Pixel eingegeben wird bedeutet, dass das digitale Videosignal durch den Schalt-TFT 120 in die Gate-Elektrode des Ansteuerungs-TFT 121 eingegeben wird.
  • Die Schreibperiode Ta1 wird abgeschlossen, und dann wird eine Anzeigeperiode Tr1 gestartet. In der Anzeigeperiode Tr1, wird das Stromversorgungspotential der Stromleitung zu dem Potential, das einen Potentialunterschied mit einem solchen Ausmaß zu der gegenüberliegenden Elektrode aufweist, das die OLED Licht emittiert, sobald das Stromversorgungspotential an die Pixelelektrode der OLED angelegt wird.
  • In dem Fall, in dem das digitale Videosignal die Information „0" aufweist, befindet sich der Ansteuerungs-TFT 121 in dieser Ausführungsform in einem ausgeschalteten Zustand. Deshalb wird das Stromversorgungspotential nicht an die Pixelelektrode der Display-OLED 107 angelegt. Als ein Ergebnis emittiert die Display-OLED 107 des Display-Pixels, das mit dem digitalen Videosignal eingegeben wird, das die Information „0" aufweist, kein Licht.
  • In dem Fall, in dem das digitale Videosignal die Information „1" aufweist, befindet sich der Ansteuerungs-TFT 121 im Gegensatz dazu einem eingeschalteten Zustand. Deshalb wird das Stromversorgungspotential an die Pixelelektrode der Display-OLED 107 angelegt. Als ein Ergebnis emittiert die Display-OLED 107 des Display-Pixels, das mit dem digitalen Videosignal eingegeben wird, das die Information „1" aufweist, Licht.
  • Wie oben beschrieben, ist die Display-OLED 107 in der Anzeigeperiode Tr1 in einem Emissionszustand oder in einem Nicht-Emissionszustand, und alle Displaypixel führen die Anzeige durch. Die Periode, in dem die Displaypixel die Anzeige durchführen wird eine Anzeigeperiode Tr genannt. Insbesondere wird die Anzeigeperiode, die durch die digitalen Videosignale des ersten Bits beginnt, die in die Displaypixel eingegeben werden, wird Anzeigeperiode Tr1 genannt.
  • Die Anzeigeperiode Tr1 wird abgeschlossen, und dann wird eine Schreibperiode Ta2 begonnen. Das Stromversorgungspotential der Stromleitung wird wieder zu dem Potential der gegenüberliegenden Elektrode der OLED. In ähnlicher Weise wie in dem Fall der Schreibperiode Ta1 werden alle Gate-Leitungen geordnet ausgewählt, und die digitalen Videosignale des zweiten Bits werden in alle Displaypixel eingegeben. Die Periode, während dessen die digitalen Videosignale des zweiten Bits in die Displaypixel aller Leitungen eingegeben werden, wird die Schreibperiode Ta2 genannt.
  • Die Schreibperiode Ta2 wird abgeschlossen, und dann wird eine Anzeigeperiode Tr2 begonnen. Das Stromversorgungspotential der Stromleitung wird das Potential, das einen Potentialunterschied mit einem solchen Ausmaß zu der gegenüberliegenden Elektrode aufweist, das die OLED Licht emittiert, sobald das Stromversorgungspotential an die Pixelelektrode der OLED angelegt wird. Dann führen alle Displaypixel die Anzeige durch.
  • Der oben beschriebene Arbeitsablauf wird mehrmals durchgeführt, bis die digitalen Videosignale von n-th Bit in die Displaypixel eingegeben sind und die Schreibperiode Ta und die Anzeigeperiode Tr abwechselnd auftreten. Sobald alle Anzeigeperioden (Tr1 bis Trn) abgeschlossen werden, kann eine Abbildung angezeigt werden. In dieser Beschreibung wird eine Periode für die Anzeige einer Abbildung eine Einzelbildperiode (F) genannt. Die Einzelbildperiode wird abgeschlossen und dann wird die nächste Einzelbildperiode begonnen. Dann tritt die Schreibperiode Ta1 wieder auf, und der oben beschriebene Arbeitsablauf wird wiederholt.
  • In der üblichen Lichtemissionsvorrichtung ist es wünschenswert, dass 60 oder mehr Einzelbildperioden pro Sekunde bereitgestellt werden. Wenn die Anzahl der pro Sekunde angezeigten Einzelbilder weniger als 60 beträgt, kann ein Flimmern einer Abbildung optisch auffällig werden.
  • In dieser Ausführungsform ist es notwendig, dass die Summe der Längen aller Schreibperioden kürzer ist als die eine Einzelbildperiode und auch, dass das Verhältnis der Längen der Anzeigeperioden folgendermaßen aussieht:
    Tr1 : Tr2 : Tr3 : ... : Tr(n – 1) : Trn = 20 : 21 : 22 : ... : 2(n-2) : 2(n-1). Die Kombination der obigen Anzeigeperioden ermöglicht die Anzeige einer gewünschten Gradation inmitten 2" Gradationen.
  • Die Gesamtsumme der Längen der Anzeigeperioden während der die Display-OLED Licht in einer Einzelbildperiode emittiert, ist gefunden, wobei die Gradation, die durch das Displaypixel in der betreffenden Einzelbildperiode angezeigt wird, bestimmt wird. In dem Fall von n = 8 wird zum Beispiel angenommen, das die Leuchtdichte in dem Fall, in dem das Displaypixel Licht emittiert, in allen Anzeigeperioden 100% beträgt. Sobald das Displaypixel Licht in Tr1 und Tr2 emittiert, kann eine Leuchtdichte von 1% vorgewiesen werden. Sobald Tr3, Tr5 und Tr8 ausgewählt werden, kann eine Leuchtdichte von 60% vorgewiesen werden.
  • Die Anzeigeperioden Tr1 bis Trn können ferner in einer beliebigen Anordnung aufgetreten sein. Die Anzeigeperioden können zum Beispiel in der Anordnung Tr1, Tr3, Tr5, Tr2, ... in der einen Einzelbildperiode aufgetreten sein.
  • Man beachte, dass obwohl die Höhe des Stromversorgungspotentials der Stromleitung sich zwischen den Schreibperioden und den Anzeigeperioden verändert, die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt ist. Sowohl das Stromversorgungspotential als auch das Potential der gegenüberliegenden Elektrode können immer den Potentialunterschied mit einem solchen Ausmaß aufweisen, dass die Display-OLED Licht emittiert, sobald das Stromversorgungspotential an die Pixelelektrode der Display-OLED angelegt wird. In diesem Fall kann die Display-OLED so angefertigt werden, dass sie auch in den Schreibperioden Licht emittiert. Deshalb wird die Gradation, die durch das Displaypixel in der betreffenden Einzelbildperiode angezeigt wird, basierend auf der Gesamtsumme der Längen der Schreibperioden und der Anzeigeperioden, während der die Display-OLED Licht in der einen Einzelbildperiode emittiert, festgelegt. Man beachte, dass in diesem Fall das Verhältnis der Summe der Längen der Schreibperioden und der Anzeigeperioden, die den digitalen Videosignalen der jeweiligen Bits entsprechen, folgendermaßen aussehen muss:
    (Ta1 + Tr1) : (Tr2 + Tr2) : (Ta3 + Tr3) : ... : (Ta(n – 1) + Tr(n – 1)) : (Tan + Trn) = 20 : 21 : 22 : ... : 2(n-2) : 2(n-1).
  • Man beachte, dass das in dieser Ausführungsform gezeigte Ansteuerungsverfahren nur ein Beispiel ist, und das Ansteuerungsverfahren der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung in 1 und 4 ist nicht auf das Ansteuerungsverfahren in dieser Ausführungsform beschränkt. Die Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung, die in 1 und 4 gezeigt wird, kann die Anzeige mit analogen Videosignalen durchführen.
  • Man beachte, dass diese Ausführungsform implementiert werden kann, indem sie frei mit Ausführungsform 1 oder 3 kombiniert wird.
  • [Ausführungsform 5]
  • In dieser Ausführungsform wird eine ausführliche Struktur eines Source-Leitungstreibers und eines Gate-Leitungstreibers erläutert, die für die Ansteuerung eines Pixelabschnitts einer Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung verwendet werden.
  • Die Blockdarstellung einer Lichtemissionsvorrichtung dieser Ausführungsform wird in 10A und 10B gezeigt. 10A zeigt einen Source-Signalleitungstreiber 601, der ein Schieberegister 602, ein Auffangregister (A) 603 und ein Auffangregister (B) 604 aufweist.
  • Ein Taktsignal CLK und ein Startimpuls SP werden in das Schieberegister 602 in dem Source-Signalleitungstreiber 601 eingegeben. Das Schieberegister 602 erzeugt geordnete Zeitsteuersignale, die auf dem Taktsignal CLK und dem Startimpuls SP basieren, und führt die Zeitsteuersignale nacheinander durch den (nicht dargestellten) Puffer und Ähnliches der Schaltung der nachfolgenden Stufe zu.
  • Man beachte, dass die Zeitsteuersignale, die von der Schieberegister-Schaltung 602 ausgegeben werden, durch einen Puffer und Ähnliches trennverstärkt werden können. Die Belastungskapazität (Parasitärkapazität) einer Leitung, auf die die Taktsignale angewendet werden, wird groß, weil viele der Schaltungen und Bauteile mit der Leitung verbunden werden. Der Puffer wird ausgebildet, um eine Unschärfe in dem Anstieg und Absinken des Zeitsteuersignals zu verhindern, das infolge der grollen Belastungskapazität erzeugt wird. Zusätzlich muss der Puffer nicht immer vorhanden sein.
  • Das Zeitsteuersignal, das durch einen Puffer verstärkt wird in das Auffangregister (A) 603 eingegeben. Das Auffangregister (A) 603 weist eine Vielzahl von Auffangregisterstufen für das Bearbeiten der digitalen Videosignale auf. Das Auffangregister (A) 603 speichert das digitale Videosignal ein und erhält es aufrecht, das von außerhalb des Source-Signalleitungstreibers 601 eingegeben wird, sobald es eingegeben ist.
  • Man beachte, dass das digitale Videosignal auch geordnet in die Vielzahl der Auffangregisterstufen des Auffangregisters (A) 603 eingegeben werden kann, indem das digitale Videosignal in das Auffangregister (A) 603 eingespeichert wird. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf diese Struktur beschränkt. Die Vielzahl der Auffangregisterstufen des Auffangregisters (A) 603 können in eine bestimmte Anzahl von Gruppen aufgeteilt werden, und das digitale Videosignal kann in die jeweiligen Gruppen gleichzeitig parallel eingegeben werden, wodurch eine unterteilte Ansteuerung durchgeführt wird. Wenn die Auffangregister in Gruppen von je vier Stufen aufgeteilt werden, wird das zum Beispiel als unterteilte Ansteuerung mit 4 Abteilungen bezeichnet.
  • Die Periode, während der das digitale Videosignal vollständig in alle Auffangregisterstufen des Auffangregisters (A) 603 eingespeichert wird, wird als Leitungsperiode bezeichnet. In der Praxis gibt es Fälle, in denen die Leitungsperiode die Hinzufügung einer horizontalen Wiederkehrperiode zu der obigen Leitungsperiode beinhaltet.
  • Die Eine-Leitung-Periode wird abgeschlossen, das Auffangregistersignal wird in das Auffangregister (B) 604 eingegeben. Zu dem Zeitpunkt, bei dem das digitale Videosignal in das Auffangregister (A) 603 eingespeichert wird, werden alle zusammen abgesendet, um in allen Stufen des Auffangregisters (B) 604 eingespeichert zu werden.
  • Nachdem das Senden des digitalen Videosignals zu dem Auffangregister (B) 604 abgeschlossen ist, wird es in dem Auffangregister (A) 603 bearbeitet, um das digitale Videosignal gemäß dem Taktsignal des Schieberegisters 602 einzuspeichern.
  • In der zweiten geordneten Eine-Leitung-Periode, wird das digitale Videosignal, das in dem Auffangregister (B) 604 eingespeichert wird, in die Source-Signalleitung eingegeben.
  • 10B ist eine Blockdarstellung, das die Struktur des Gate-Leitungstreibers zeigt.
  • Der Gate-Leitungstreiber 605 weist ein Schieberegister 606 und einen Puffer 607 auf. Je nach Sachlage wird die Pegelverschiebung bereitgestellt.
  • In dem Adressen-Gate-Leitungstreiber 605 wird das Taktsignal von dem Schieberegister 606 in den Puffer 607 und dann in die entsprechende Gate-Leitung eingegeben. Die Gate-Elektroden der TFTs für eine Pixelleitung werden mit den Gate-Leitungen verbunden, und alle TFTs der einen Pixelleitung müssen gleichzeitig in einen eingeschalteten Zustand versetzt werden. Deshalb wird für den Puffer eine Schaltung verwendet, die den Fluss eines großen elektrischen Stroms bewältigen kann.
  • Ferner kann der Source-Signaltreiber insbesondere durch den Pixelabschnitt für das Display und den Pixelabschnitt für den Monitor bereitgestellt werden.
  • Die in dieser Ausführungsform gezeigte Treiberschaltung ist lediglich ein Beispiel. Man beachte, dass Ausführungsform 5 in Kombination mit den Ausführungsformen 1 bis 4 implementiert werden kann.
  • [Ausführungsform 6]
  • In dieser Ausführungsform wird das Aussehen der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf 11A bis 11C beschrieben.
  • 11A ist eine Draufsicht der Lichtemissionsvorrichtung, 11B ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie A-A' von 11A, und 11C ist eine Querschnittansicht entlang einer Linie B-B' von 11A.
  • Ein Dichtungselement 4009 wird so angeordnet, dass es einen Display-Pixelabschnitt 4002, einen Monitor-Pixelabschnitt 4070, einen Source-Leitungstreiber 4003 und einen Gate-Leitungstreiber 4004 umgibt, die auf einem Substrat 4001 vorhanden sind. Ferner wird ein Dichtungswerkstoff 4008 in dem Display-Pixelabschnitt 4002, dem Monitor-Pixelabschnitt 4070, dem Source-Leitungstreiber 4003 und dem Gate-Leitungstreiber 4004 angeordnet. Deshalb werden der Display-Pixelabschnitt 4002, der Monitor-Pixelabschnitt 4070, der Source-Leitungstreiber 4003 und der Gate-Leitungstreiber 4004 durch das Substrat 4001, das Dichtungselement 4009 und den Dichtungswerkstoff 4008 zusammen mit einem Füllstoff 4210 versiegelt.
  • Ferner weisen der Display-Pixelabschnitt 4002, der Monitor-Pixelabschnitt 4070, der Source-Leitungstreiber 4003 und der Gate-Leitungstreiber 4004, die auf dem Substrat 4001 angeordnet werden, eine Vielzahl von TFTs auf. In 11B werden ein Treiber-TFT (Hier werden ein n-Kanal-TFT und ein p-Kanal-TFT in der Darstellung gezeigt.) 4201, der in dem Source-Leitungstreiber 4003 enthalten ist, und ein Ansteuerungs-TFT (TFT zur Steuerung des Stroms für die OLED) 4202, der in dem Display-Pixelabschnitt 4002 enthalten ist, die auf einer Basisschicht 4010 ausgebildet werden, in üblicher Weise gezeigt.
  • In dieser Ausführungsform wird der p-Kanal-TFT oder der n-Kanal-TFT, die durch ein bekanntes Verfahren hergestellt werden, als Treiber-TFT 4201 verwendet, und der p-Kanal-TFT, der durch ein bekanntes Verfahren hergestellt wird, wird als Ansteuerungs-TFT 4202 verwendet. Ferner wird der Display-Pixelabschnitt 4002 mit einem (nicht gezeigten) Speicherkondensator ausgerüstet, der mit einer Gate-Elektrode des Ansteuerungs-TFTs 4202 verbunden ist.
  • Eine isolierende Zwischenschicht (anpassende Schicht) 4301 wird auf dem Treiber-TFT 4201 und dem Ansteuerungs-TFT 4202 ausgebildet, und eine Pixelelektrode (Anode) 4203, die elektrisch mit einem Drain des Ansteuerungs-TFTs 4202 verbunden ist, wird darauf ausgebildet. Eine transparente leitfähige Schicht, die eine große Austrittsarbeit aufweist, wird als Pixelelektrode 4203 verwendet. Ein Verbundstoff aus Indiumoxid und Zinnoxid, ein Verbundstoff aus Indiumoxid und Zinkoxid, Zinkoxid, Zinnoxid oder Indiumoxid können als transparente leitfähige Schicht verwendet werden. Die obige transparente leitfähige Schicht, der Gallium hinzugefügt wird, kann ebenfalls verwendet werden.
  • Dann wird eine isolierende Schicht 4302 auf der Pixelelektrode 4203 ausgebildet, und die isolierende Schicht 4302 wird mit einem Öffnungsabschnitt auf der Pixelelektrode 4203 ausgebildet. In diesem Öffnungsabschnitt wird eine organisches Licht emittierende Schicht 4204 auf der Pixelelektrode 4203 ausgebildet. Ein bekannter organisches Licht emittierender Werkstoff oder anorganisches Licht emittierender Werkstoff kann als organisches Licht emittierende Schicht 4204 verwendet werden. Ferner gibt es einen (monomeren) Werkstoff mit niedrigem Molekulargewicht und einen (polymeren) Werkstoff mit hohem Molekulargewicht als organisches Licht emittierenden Werkstoffe, und beide Werkstoffe können verwendet werden.
  • Eine bekannte Bedampfungstechnik oder Anwendungstechnik kann als Verfahren für die Ausbildung der organisches Licht emittierende Schicht 4204 verwendet werden. Ferner kann die Struktur der organisches Licht emittierende Schicht eine Laminatstruktur annehmen oder eine Einschichtstruktur, indem eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Licht emittierende Schicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht frei kombiniert werden.
  • Eine Kathode 4205, die aus einer leitfähigen Folie gefertigt ist, die eine leicht abschirmende Eigenschaft aufweist (üblicherweise eine leitfähige Folie, die Aluminium, Kupfer oder Silber als ihr Hauptbestandteil aufweist, oder eine Laminatfolie aus der obigen leitfähigen Folie und einer weiteren leitfähigen Folie), wird auf der organisches Licht emittierenden Schicht 4204 ausgebildet. Ferner ist es wünschenswert, dass Feuchtigkeit und Sauerstoff, die an einer Schnittstelle der Kathode 4205 und der organisches Licht emittierenden Schicht 4204 existieren, so weit wie möglich entfernt werden. Deshalb ist eine solche Vorrichtung notwendig, dass die organisches Licht emittierende Schicht 4204 in einer Stickstoff- oder Edelgasatmosphäre ausgebildet wird, und dann wird die Kathode 4205 ausgebildet, ohne dass sie Sauerstoff und Feuchtigkeit ausgesetzt wird. In dieser Ausführungsform wird die oben beschriebene Folienabscheidung durch Verwendung einer Mehrkammer-Folienausbildungsvorrichtung (vom Cluster-Tool-Typ) ermöglicht. Zusätzlich wird eine vorgegebene Spannung an die Kathode 4205 angelegt.
  • Wie oben beschrieben, wird eine Display-OLED 4303, die aus der Pixelelektrode (Anode) 4203, der organisches Licht emittierenden Schicht 4204 und der Kathode 4205 besteht, ausgebildet. Ferner wird eine Schutzfolie 4209 auf der isolierenden Folie 4302 so ausgebil det, dass die Display-OLED 4303 umhüllt ist. Die Schutzfolie 4209 ist wirksam bei der Vermeidung des Durchdringens von Sauerstoff, Feuchtigkeit und Ähnlichem durch die Display-OLED 4303.
  • Bezugszeichen 4005a bezeichnet eine Verdrahtung, die eingezogen wird, um mit der Stromleitung verbunden zu sein, und die Verdrahtung 4005a wird elektrisch mit einem Source-Bereich des Ansteuerungs-TFTs 4202 verbunden. Die eingezogene Verdrahtung 4005a läuft zwischen dem Dichtungselement 4009 und dem Substrat 4001 hindurch und wird durch eine anisotrope leitfähige Folie 4300 elektrisch an eine FPC-Verdrahtung 4301 einer FPC 4006 angeschlossen.
  • Ein Glaswerkstoff, ein Metallwerkstoff (üblicherweise Edelstahlwerkstoff), ein Keramikwerkstoff oder ein Kunststoffwerkstoff (einschließlich einer Kunststofffolie) kann als Dichtungswerkstoff 4008 verwendet werden. Als Kunststoffwerkstoff kann eine FRP(Fiberglasangereicherte Kunststoff)-Platte, eine PVF(Polyvinylfluorid)-Folie, eine Mylarfolie, eine Polyesterfolie oder eine Acrylharzfolie verwendet werden. Ferner kann auch eine dünne Schicht mit einer Struktur, in der eine Aluminiumfolie mit der PVF-Folie oder der Mylar-Folie eingelegt ist, verwendet werden.
  • In dem Fall, in dem das Licht von der Display-OLED in Richtung der Abdeckelementseite emittiert wird, muss das Abdeckelement jedoch transparent sein. in diesem Fall wird eine transparente Substanz wie eine Glasplatte, eine Kunststoffplatte, eine Polyesterfolie oder eine Acrylfolie verwendet.
  • Ferner kann zusätzlich zu einem Edelgas wie Stickstoff oder Argon ein ultraviolett aushärtbarer Kunststoff oder ein duroplastischer Kunststoff als Füllstoff 4210 verwendet werden, so dass PVC (Polyvinylchlorid), Acryl, Polyimid, Epoxydharz, Silikonharz, PVB (Polyvinylbutylaldehyd) oder EVA (Ethylenvinylazetat) verwendet werden kann. In dieser Ausführungsform wird Stickstoff als Füllstoff verwendet.
  • Darüber hinaus ist ein konkaver Abschnitt 4007 an der Fläche des Dichtungswerkstoffs 4008 auf der Seite des Substrats 4001 vorhanden, und eine hygroskopische Substanz oder eine Substanz, die Sauerstoff absorbieren kann 4207, wird darin geordnet eingerichtet, damit der Füllstoff 4210 der hygroskopischen Substanz (vorzugsweise Bariumoxid) oder der Substanz, die Sauerstoff absorbieren kann, ausgesetzt wird. Dann wird die hygroskopische Substanz oder die Substanz, die Sauerstoff absorbieren kann 4207, durch ein Abdeckungselement für den konkaven Abschnitt 4208 so in dem konkaven Abschnitt 4007 gehalten, dass die hygroskopische Substanz oder die Substanz, die Sauerstoff absorbieren kann 4207, nicht verstreut wird. Man beachte, dass das Abdeckungselement für den konkaven Abschnitt 4208 eine feine Maschenform aufweist und eine Struktur aufweist, in die Luft und Feuchtigkeit eindringen, während die hygroskopische Substanz oder die Substanz, die Sauerstoff absorbieren kann 4207, nicht durchdrungen wird. Die Verschlechterung der Display-OLED kann durch das Bereitstellen der hygroskopischen Substanz oder der Substanz, die Sauerstoff absorbieren kann 4207, unterdrückt werden.
  • Die Pixelelektrode 4203 wird wie in 11C gezeigt ausgebildet, und gleichzeitig wird eine leitfähige Folie 4203a so ausgebildet, dass sie die eingezogene Verdrahtung 4005a berührt.
  • Ferner weist die anisotrope leitfähige Folie 4300 einen leitfähigen Füllstoff 4300a auf. Die leitfähige Folie 4203a auf dem Substrat 4001 und die FPC-Verdrahtung 4301 auf der FPC 4006 werden elektrisch durch den leitfähigen Füllstoff 4300a miteinander verbunden, indem das Substrat 4001 und die FPC 4006 mit Wärme gepresst werden.
  • Im Übrigen kann das Licht, das von dem Monitor-Pixelabschnitt emittiert wird in das Substrat 4001 oder das Abdeckungselement 4208 eindringen oder nicht. In dem Fall, in dem das Licht in das Substrat 4001 oder das Abdeckungselement 4208 eindringt, kann die Abbildung, die in dem Monitor-Pixelabschnitt angezeigt wird, wirksam genutzt werden, um etwas darzustellen.
  • Das Amperemeter, die variable Stromversorgung und die Korrekturschaltung der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung werden auf einem (nicht gezeigten) Substrat, das sich von dem Substrat 4001 unterscheidet, ausgebildet und durch die FPC 4006 elektrisch mit der Stromleitung und der Kathode 4205 verbunden, die auf dem Substrat 4001 ausgebildet werden.
  • Man beachte, dass diese Ausführungsform implementiert werden kann, indem sie frei mit den Ausführungsformen 1 bis 5 kombiniert wird.
  • [Ausführungsform 7]
  • In dieser Ausführungsform wird ein Beispiel beschrieben, in dem das Amperemeter, die variable Stromversorgung und die Korrekturschaltung der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung auf einem Substrat ausgebildet werden, das sich von dem Substrat unterscheidet, auf dem der Display-Pixelabschnitt ausgebildet wird, und sie werden durch eine Einrichtung, wie ein Drahtbondverfahren oder ein COG(Chip-auf-Glas)-Verfahren, mit den Verdrahtungen auf dem Substrat verbunden, auf dem der Display-Pixelabschnitt ausgebildet wird.
  • 12 ist ein Diagramm eines Aussehens einer Lichtemissionsvorrichtung dieser Ausführungsform. Ein Dichtungselement 5009 wird so bereitgestellt, dass es einen Display-Pixelabschntt 5002, einen Monitor-Pixelabschnitt 5070, einen Source-Leitungstreiber 5003 und einen Gate-Leitungstreiber 5004 umschließt, die sich auf einem Substrat 5001 befinden. Ferner befindet sich ein Dichtungswerkstoff 5008 auf dem Display-Pixelabschntt 5002, dem Monitor-Pixelabschnitt 5070, dem Source-Leitungstreiber 5003 und dem Gate-Leitungstreiber 5004. Deshalb werden der Display-Pixelabschntt 5002, der Monitor-Pixelabschnitt 5070, der Source-Leitungstreiber 5003 und der Gate-Leitungstreiber 5004 durch das Substrat 5001, das Dichtungselement 5009 und den Dichtungswerkstoff 5008 zusammen mit einem (nicht gezeigten) Füllstoff versiegelt.
  • Ein konkaver Abschnitt 5007 befindet sich auf der Fläche des Dichtungswerkstoffs 5008 auf der Seite des Substrats 5001, und eine hygroskopische Substanz, oder eine Substanz, die Sauerstoff absorbieren kann, wird darin angeordnet.
  • Eine Verdrahtung (eingezogene Verdrahtung), die auf dem Substrat 5001 eingezogen wird, läuft zwischen dem Dichtungselement 5009 und dem Substrat 5001 hindurch und durch eine FPC 5006 mit einer externen Schaltung oder einem externen Bauteil der Lichtemissionsvorrichtung verbunden.
  • Das Amperemeter, die variable Stromversorgung und die Korrekturschaltung der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung werden auf einem (nicht gezeigten) Substrat (nachstehend als Chip bezeichnet) 5020 ausgebildet, das sich von dem Substrat 5001 unterscheidet. Der Chip 5020 wird auf dem Substrat 5001 durch eine Einrichtung wie das COG(Chip-auf-Glas)-Verfahren befestigt und elektrisch verbunden mit der Stromleitung und einer (nicht gezeigten) Kathode, die auf dem Substrat 5001 ausgebildet werden.
  • In dieser Ausführungsform wird der Chip 5020, auf dem das Amperemeter, die variable Stromversorgung und die Korrekturschaltung ausgebildet werden, durch das Drahtbondverfahren, das COG-Verfahren oder Ähnliches auf dem Substrat 5001 befestigt. Deshalb kann die Lichtemissionsvorrichtung basierend auf einem Substrat strukturiert werden, und deshalb wird die Vorrichtung selbst kompakt gefertigt, und die mechanische Belastbarkeit wird ebenfalls verbessert.
  • Man beachte, dass ein bekanntes Verfahren bezüglich eines Verfahrens zur Verbindung des Chips auf dem Substrat angewendet werden kann. Ferner können andere Schaltungen und Bauteile als das Amperemeter, die variable Stromversorgung und die Korrekturschaltung auf dem Substrat 5001 befestigt werden.
  • Diese Ausführungsform kann implementiert werden, indem sie frei mit den Ausführungsformen 1 bis 6 kombiniert wird.
  • [Ausführungsform 8]
  • Bei der vorliegenden Erfindung kann ein externer Lichtemissionsmengen-Wirkungsgrad erheblich verbessert werden, indem ein organischer Werkstoff verwendet wird, durch den Phosphoreszenz von einem Triplett-Exziton verwendet werden kann, um Licht zu emittieren. Als ein Ergebnis kann der Stromverbrauch der OLED reduziert werden, die Lebensdauer der OLED kann erhöht werden, und das Gewicht der OLED kann verringert werden.
  • Das Folgende ist ein Bericht, in dem der Lichtemissionsmengen-Wirkungsgrad verbessert wird, indem ein Triplett-Exziton verwendet wird (T. Tsutsui, C. Adachi, S. Saito, Fotochemische Verfahren in geordneten Molekularsystemen, Hrsg. K. Honda (Elsevier, Wissenschaftliche Veröffentlichung, Tokyo, 1991) S. 437).
  • Die Molekularformel eines organisches Licht emittierenden Werkstoffs (Kumarin-Pigment), von dem durch den obigen Artikel berichtet wird, wird folgendermaßen dargestellt: (Chemische Formel 1)
    Figure 00350001
    • (M. A. Baldo, D. F. O. Brien, Y. You, A. Shoustikov, S. Sibley, M. E. Thomson, S. R. Forrest, Nature 395 (1998) S. 151)
  • Die Molekularformel eines organisches Licht emittierenden Werkstoffs (Pt-Komplex), von dem durch den obigen Artikel berichtet wird, wird folgendermaßen dargestellt: (Chemische Formel 2)
    Figure 00350002
    • (M. A. Baldo, S. Lamansky, P. E. Burrows, M. E. Thomson, S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 75 (1999) S. 4)
    • (T. Tsutsui, M.-J. Yang, M. Yahiro, K. Nakamura, T. Watanabe, T. Tsuji, Y. Fukada, T. Wakimoto, S. Mayaguchi. Jpn. Appl. Phys. 38 (12B) (1999) LI502)
  • Die Molekularformel eines organisches Licht emittierenden Werkstoffs (Ir-Komplex), von dem durch den obigen Artikel berichtet wird, wird folgendermaßen dargestellt:
  • (Chemische Formel 3)
    Figure 00360001
  • Wenn Phosphoreszenz von einem Triplett-Exziton praktisch umgesetzt werden kann, kann, wie oben beschrieben, im Prinzip der Lichtemissionsmengen-Wirkungsgrad realisiert werden, der drei- bis viermal so hoch ist wie in dem Fall, in dem Fluoreszenz von einem Singlett-Exziton verwendet wird.
  • Die Struktur nach dieser Ausführungsform kann in Kombination mit beliebigen Strukturen der Ausführungsformen 1 bis 7 frei implementiert werden.
  • [Ausführungsform 9]
  • Als Nächstes wird mit Bezug auf 13 bis 16 ein Verfahren zur Ausbildung der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung beschrieben. Hier wird das Verfahren ausführlich schrittweise beschrieben, in dem gleichzeitig auf demselben Substrat der Schalt-TFT und der Ansteuerungs-TFT des Pixelabschnitts sowie die TFTs eines Ansteuerungsabschnitts, die vorhanden sind, um den Pixelabschnitt zu umschließen, ausgebildet werden.
  • Diese Ausführungsform verwendet ein Substrat 900 aus einem Glas wie Barium-Borsilikatglas oder Aluminium-Borsilikatglas, was durch das Glas #7059 oder das Glas #1737 der Corning Co. repräsentiert wird. Es gibt keine Einschränkung für das Substrat 900, vorausgesetzt es weist eine Lichtübertragungseigenschaft auf, und es kann ein Quarzsubstrat verwendet werden. Es kann ferner ein Kunststoffsubstrat verwendet werden, das eine Wärmewiderstandsfähigkeit aufweist, die ihm ermöglicht, der Behandlungstemperatur dieser Ausführungsform zu widerstehen.
  • Unter Bezug auf 13(A) wird als Nächstes eine Grundfolie 901 auf dem Substrat 900 ausgebildet, die eine Isolierschicht umfasst, wie eine Siliziumoxidfolie, eine Siliziumnitridfolie oder eine Siliziumoxinitridfolie. In dieser Ausführungsform weist die Grundfolie 901 eine zweischichtige Struktur auf. Es kann jedoch eine Struktur verwendet werden, in der eine einzelne Schicht oder zwei oder mehr Schichten auf der Isolierfolie laminiert werden. Als erste Schicht der Grundfolie 901 wird eine Siliziumoxinitridfolie 901a ausgebildet, die eine Stärke von 10 bis 200 nm (vorzugsweise von 50 bis 100 nm) beibehält, die auf einem Plasma-CVD-Verfahren unter Verwendung von SiH4, NH3 und N2O als Reaktionsgase beruht. In dieser Ausführungsform wird die Siliziumoxinitridfolie 901a (die ein Zusammensetzungsverhältnis von Si = 32%, O = 27%, N = 24%, H = 17% aufweist) ausgebildet, die eine Stärke von 50 nm beibehält. Als zweite Schicht der Grundfolie 901 wird eine Siliziumoxinitridfolie 901b ausgebildet, die eine Stärke von 50 bis 200 nm (vorzugsweise von 100 bis 150 nm) beibehält, die auf einem Plasma-CVD-Verfahren unter Verwendung von SiH4 und N2O als Reaktionsgase beruht. In dieser Ausführungsform wird die Siliziumoxinitridfolie 901b (die ein Zusammensetzungsverhältnis von Si = 32%, O = 59%, N = 7%, H = 2% aufweist) ausgebildet, die eine Stärke von 100 nm beibehält.
  • Dann werden Halbleiterschichten 902 bis 905 auf der Grundfolie 901 ausgebildet. Die Halbleiterschichten 902 bis 905 werden ausgebildet, indem eine Halbleiterfolie durch eine bekannte Einrichtung (Zerstäubungsverfahren, LPCVD-Verfahren, oder Plasma-CVD-Verfahren) ausgebildet wird, die eine amorphe Struktur aufweist, gefolgt von einer bekannten Kristallisationsverarbeitung (Laserkristallisations-Verfahren, Wärmekristallisations-Verfahren oder Wärmekristallisations-Verfahren unter Verwendung eines Katalysators wie Nickel), und einer Strukturierung der kristallinen Halbleiterfolie, wodurch eine gewünschte Form erzielt wird. Die Halbleiterschichten 902 bis 905 werden mit einer Stärke von 25 bis 80 nm (vorzugsweise 30 bis 60 nm) ausgebildet. Obwohl es keine Beschränkung bei dem Werkstoff für die kristalline Halbleiterfolie gibt, wird vorzugsweise eine Silizium- oder ein Silizium-Germanium-Legierung (SixGe1-x(X = 0,0001 bis 0,02)) verwendet. In dieser Ausführungsform wird die amorphe Siliziumfolie auf dem Plasma-CVD-Verfahren beruhend so ausgebildet, dass sie eine Stärke von 55 nm beibehält, und dann wird eine Lösung, die Nickel enthält, auf der amorphen Siliziumfolie aufgenommen. Die amorphe Siliziumfolie wird dehydriert (500°C, eine Stunde), wärmekristallisiert (550°C, 4 Stunden) und ferner einem Laser-Glühen unterzogen, um die Kristallisation zu verbessern und dadurch eine kristalline Siliziumfolie auszubilden. Die kristalline Siliziumfolie wird durch ein fotolithografisches Verfahren strukturiert, um die Halbleiterschichten 902 bis 905 auszubilden.
  • Die ausgebildeten Halbleiterschichten 902 bis 905 können ferner mit einem Spurengehalt eines Fremdbestandteils (Bor oder Phosphor) dotiert werden, um den Schwellenwert des TFTs zu steuern.
  • Bei dem Ausbilden der kristallinen Halbleiterfolie mittels des Laser-Kristallisations-Verfahrens kann ferner ein Impuls-Oszillations-Excimer-Laser oder ein Excimer-Laser, der permanent Licht emittiert, verwendet werden oder ein YAG-Laser oder ein YVO4-Laser. Wenn diese Laser verwendet werden sollen, ist es wünschenswert, dass ein Laserstrahl, der von einem Laser-Oszillator emittiert wird, durch ein optisches System in einer Linie so gebündelt wird, dass er auf die Halbleiterfolie trifft. Die Bedingungen für die Kristallisation werden durch eine Person, die das Verfahren ausführt, in geeigneter Form ausgewählt. Wenn der Excimer-Laser verwendet wird, wird die Impuls-Oszillations-Frequenz bei 300 Hz festgelegt, und die Laser-Energiedichte wird bei 100 bis 400 mJ/cm2 (üblicherweise von 200 bis 300 mJ/cm2) festgelegt. Wenn der YAG-Laser verwendet wird, wird die Impuls-Oszillations-Frequenz bei 30 bis 300 kHz unter Verwendung der Sekundäroberschwingungen festgelegt, und die Laser-Energiedichte wird bei 300 bis 600 mJ/cm2 (üblicherweise von 350 bis 500 mJ/cm2) festgelegt. Die gesamte Oberfläche des Substrats wird mit dem Laserstrahl bestrahlt, der in einer Linie einer Breite von 100 bis 1000 μm, zum Beispiel 400 μm, gebündelt wird, und das Überdeckungsverhältnis des linearen Strahls wird zu diesem Augenblick bei 50 bis 90% festgelegt.
  • Dann wird eine Gate-Isolierfolie 906 ausgebildet, um die Halbleiterschichten 902 bis 905 zu bedecken. Die Gate-Isolierfolie 906 wird durch das Plasma-CVD-Verfahren oder das Zerstäubungsverfahren aus einer Isolierfolie ausgebildet, die Silizium enthält und eine Stärke von 40 bis 150 nm beibehält. In dieser Ausführungsform wird die Gate-Isolierfolie durch das Plasma-CVD-Verfahren aus einer Siliziumoxinitridfolie (die ein Zusammensetzungsverhältnis von Si = 32%, O = 59%, N = 7%, H = 2% aufweist) ausgebildet, die eine Stärke von 110 nm beibehält. Die Gate-Isolierfolie ist nicht auf die Siliziumoxinitridfolie beschränkt, sondern sie kann eine Struktur aufweisen, auf die eine einzelne Schicht oder mehrere Schichten einer Isolierfolie laminiert werden, die Silizium enthält.
  • Wenn die Siliziumoxidfolie ausgebildet werden soll, werden TEOS (Tetraethylorthosilikat) und O2 durch das Plasma-CVD-Verfahren vermischt und reagieren miteinander unter einem Reaktionsdruck von 40 Pa, einer Substrattemperatur von 300 bis 400°C, bei einer Frequenz von 13,56 MHz und einer elektrischen Entladungs-Leistungsdichte von 0,5 bis 0,8 W/cm2. Die so ausgebildete Siliziumoxidfolie wird dann bei 400 bis 500°C wärmegehärtet, um dabei die Gate-Isolierfolie zu erzielen, die gute Eigenschaften aufweist.
  • Dann wird eine wärmebeständige leitfähige Schicht 907 auf der Gate-Isolierfolie 906 ausgebildet, die eine Stärke von 200 bis 400 nm (vorzugsweise 250 bis 350 nm) beibehält, um die Gate-Elektrode auszubilden. Die wärmebeständige leitfähige Schicht 907 kann als einzelne Schicht ausgebildet werden, oder sie kann, falls erforderlich, in einer Struktur von laminierten Schichten aus mehreren Schichten, wie z. B. zwei oder drei Schichten, ausgebildet werden. Die wärmebeständige leitfähige Schicht enthält ein Element, das aus Ta, Ti und W ausgewählt wird, oder sie enthält eine Legierung aus einem der obigen Elemente oder eine Legierung aus einer Kombination der obigen Elemente. Die wärmebeständige leitfähige Schicht wird durch das Zerstäubungsverfahren oder das CVD-Verfahren ausgebildet und sollte Fremdbestandteile in einer verminderten Konzentration enthalten, um den Widerstand zu verringern, und sie sollte insbesondre Sauerstoff in einer Konzentration von nicht mehr als 30 ppm enthalten. In dieser Ausführungsform wird die W-Folie ausgebildet, die eine Stärke von 300 nm beibehält. Die W-Folie kann unter Verwendung von W als Vorgabe durch das Zerstäubungsverfahren ausgebildet werden, oder sie kann unter Verwendung von Wolframhexafluorid (WF6) durch das Heiss-CVD-Verfahren ausgebildet werden. In beiden Fällen ist es notwendig den Widerstand so zu verringern, dass sie als Gate-Elektrode verwendet werden kann. Es ist deshalb wünschenswert, dass die W-Folie einen spezifischen Widerstand von nicht mehr als 20 μΩcm aufweist. Der Widerstand der W-Folie kann durch Vergröberung der kristallinen Partikel verringert werden. Wenn W viele Fremdanteile wie Sauerstoff enthält, wird die Kristallisation beeinträchtigt und der Widerstand erhöht sich. Wenn das Zerstäubungsverfahren verwendet wird, wird eine W-Vorgabe, die eine Reinheit von 99,9999% aufweist, verwendet, und die W-Folie wird ausgebildet während ein ausreichendes Maß an Aufmerksamkeit darauf gelegt wird, dass die Fremdanteile von der Gasphase während der Ausbildung der Folie nicht eindringen, um den spezifischen Widerstand von 9 bis 20 μΩcm zu verwirklichen.
  • Andererseits kann die Ta-Folie, die als wärmebeständige leitfähige Schicht 907 verwendet wird, in ähnlicher Weise durch das Zerstäubungsverfahren ausgebildet werden. Die Ta-Folie wird unter Verwendung von Ar als Zerstäubungsgas ausgebildet. Ferner macht es das Hinzufügen geeigneter Mengen von Xe und Kr in das Gas während der Zerstäubung möglich, die interne Spannung der Folie, die ausgebildet wird, herabzusetzen und zu verhindern, dass die Folie abblättert. Die Ta-Folie der α-Phase weist einen spezifischen Widerstand von ca. 20 μΩcm auf und kann als Gate-Elektrode verwendet werden, aber die Ta-Folie der β-Phase weist einen spezifischen Widerstand von ca. 180 μΩcm auf und ist nicht für die Verwendung als Gate-Elektrode geeignet. Die TaN-Folie weist eine kristalline Struktur auf, die nahe bei der α-Phase liegt. Wenn eine TaN-Folie unter der Ta-Folie ausgebildet wird, wird deshalb die Ta-Folie der α-Phase leicht ausgebildet. Obwohl nicht im Diagramm dargestellt, ist ferner die Ausbildung der Siliziumfolie, die mit Phosphor (P) dotiert wird und eine Stärke von ca. 2 bis ca. 20 nm beibehält, unter der wärmebeständigen leitfähigen Schicht 907, wirkungsvoll bei der Herstellung der Vorrichtung. Das hilft die sehr gute Verbundwirkung der leitfähigen Folie, die darauf ausgebildet wird, zu verbessern, Oxidation zu verhindern und zu verhindern, dass Spurengehalte von Alkalimetallelementen, die in der wärmebeständigen leitfähigen Schicht 907 enthalten sind, in der Gate-Isolierfolie 906 der ersten Form verstreut werden. In jedem Fall ist es wünschenswert, dass die wärmebeständige leitfähige Schicht 907 einen spezifischen Widerstand über einem Bereich von 10 bis 50 μΩcm aufweist.
  • Als Nächstes wird eine Maske 908 durch einen Fotolack ausgebildet, der auf der fotolithografischen Technologie beruht. Dann wird eine erste Ätzung ausgeführt. Diese Ausführungsform verwendet eine ICP-Ätzungsvorrichtung, verwendet Cl2 und CF4 als Ätzgase und bildet ein Plasma mit einer elektrischen HF-(13,56 MHz)-Leistung von 3,2 W/cm2 unter einem Druck von 1 Pa aus. Die elektrische HF-(13,56 MHz)-Leistung von 224 mW/cm2 wird auch der Seite des Substrats zugeführt (Abtaststadium) zugeführt, wobei eine im Wesentlichen negative Selbst-Vorspannung angelegt wird. Unter dieser Bedingung wird die W-Folie mit einer Rate von ca. 100 nm/min geätzt. Die erste Ätzbehandlung wird ausgeführt, indem die Zeit geschätzt wird, in der die W-Folie nur auf dieser Ätzrate beruhend geätzt wird, und sie wird über einen Zeitraum durchgeführt, der 20% größer ist als die geschätzte Ätzzeit.
  • Die leitfähigen Schichten 909 bis 912, die eine erste kegelartige Form aufweisen, werden durch die erste Ätzbehandlung ausgebildet. Die leitfähigen Schichten 909 bis 912 sind kegelförmig mit einem Winkel von 15 bis 30°. Um das Ätzen auszuführen ohne Rückstände zu hinterlassen, wird eine Überätzung durchgeführt, indem die Ätzzeit um ca. 10 bis 20% erhöht wird. Das Auswahlverhältnis der Siliziumoxinitridfolie (Gate-Isolierfolie 906) zu der W-Folie beträgt 2 bis 4 (üblicherweise 3). Infolge der Überätzung wird deshalb die Fläche, wo die Siliziumoxinitridfolie freigelegt wird, um ca. 20 bis ca. 50 nm geätzt (13(B)).
  • Dann wird eine erste Dotierungsbehandlung ausgeführt, um der Halbleiterschicht ein Fremdanteilelement eines ersten Typs mit elektrischem Leitvermögen hinzuzufügen. Hier wird ein Schritt durchgeführt, um ein Fremdanteilelement zur Übermittlung des n-Typs hinzuzufügen. Eine Maske 908, die die leitfähige Schicht einer ersten Form ausbildet, wird verlassen, und ein Fremdanteilelement wird durch ein Ionendotierungsverfahren hinzugefügt, um den n-Typ in einer selbstausrichtenden Weise zu den leitfähigen Schichten 909 bis 912, die eine erste kegelartige Form als Masken aufweisen, zu übermitteln. Die Dosis wird bei 1 × 1013 bis 5 × 1014 Atome/cm2 so festgelegt, dass das Fremdanteilelement zur Übermittlung des n-Typs die darunterliegende Halbleiterschicht, die durch den kegelförmigen Abschnitt eindringt, und die Gate-Isolierfolie 906 an den Enden der Gate-Elektrode erreicht, und die Beschleunigungsspannung wird so gewählt, dass sie in dem Bereich von 80 bis 160 keV liegt. Als Fremdanteilelement zur Übermittlung des n-Typs wird hier ein Element verwendet, das zur Gruppe 15 gehört, üblicherweise Phosphor (P) oder Arsen (As). Hier wird Phosphor (P) verwendet. Infolge des Ionendotierungsverfahrens wird den ersten Fremdanteilbereichen 914 bis 917 über einen Konzentrationsbereich von 1 × 1020 bis 1 × 1021 Atome/cm3 ein Fremdanteilelement zur Übermittlung des n-Typs hinzugefügt (13(C)).
  • In diesem Schritt drehen sich die Fremdanteile, abhängig von den Dotierungsbedingungen, nach unten zu der unteren Seite der leitfähigen Schichten 909 bis 912 der ersten Form, und es kommt häufig vor, dass sich die ersten Fremdanteilbereiche 914 bis 917 auf den leitfähigen Schichten 909 bis 912 der ersten Form überdecken.
  • Als Nächstes wird, wie in 13(D) gezeigt, die zweite Ätzbehandlung durchgeführt. Die Ätzbehandlung wird ebenfalls unter Verwendung der ICP-Ätzungsvorrichtung durchgeführt, die ein Gasgemisch aus CF4 und Cl2 als Ätzgas verwendet, und die eine elektrische HF-Leistung von 3,2 W/cm2 (13,56 MHz), eine Vorspannungsleistung von 45 mW/cm2 (13,56 MHz) unter einem Druck von 1,0 Pa verwendet. Unter dieser Bedingung werden die leitfähigen Schichten 918 bis 921 einer zweiten Form ausgebildet. Deren Endabschnitte sind kegelförmig, und die Stärke nimmt allmählich von den Enden zu Innenseite hin zu. Das Maß der isotropen Ätzung erhöht sich, verglichen mit der ersten Ätzbehandlung, in Proportion zu einer Abnahme der Vorspannung, die an die Seite des Substrats angelegt wird, und der Winkel der kegelförmigen Abschnitte wird 30 bis 60°. Die Maske 908 wird durch Ätzen am Rand geerdet, um eine Maske 922 auszubilden. In dem Schritt von 13(D) wird die Oberfläche der Gate-Isolierfolie 906 um ca. 40 nm geätzt.
  • Dann wird, unter der Bedingung einer erhöhten Beschleunigungsspannung durch Verringerung der Dosis, die kleiner sein soll als die der ersten Dotierungsbehandlung, die Dotierung mit einem Fremdanteilelement zur Übermittlung des n-Typs ausgeführt. Die Beschleunigungsspannung wird zum Beispiel bei 70 bis 120 keV festgelegt, die Dosis wird bei 1 × 1013/cm2 festgelegt, wodurch erste Fremdanteilbereiche 924 bis 927 ausgebildet werden, die eine erhöhte Fremdanteilkonzentration aufweisen, und zweite Fremdanteilbereiche 928 bis 931, die die ersten Fremdanteilbereiche 924 bis 927 berühren. In diesem Schritt kann sich der Fremdanteil nach unten zu der unteren Seite der leitfähigen Schichten 918 bis 921 der zweiten Form drehen und die zweiten Fremdanteilbereiche 928 bis 931 können sich auf den leitfähigen Schichten 918 bis 921 der zweiten Form überdecken. Die Fremdanteilkonzentration in den zweiten Fremdanteilbereichen liegt bei 1 × 1016 bis 1 × 1018 Atome/cm3 (14(A)).
  • Bezüglich 14(B) werden die Fremdanteilbereiche 933 (933a, 933b) und 934 (934a, 934b) vom leitenden Typ gegenüber dem einen leitenden Typ in den Halbleiterschichten 902, 905 ausgebildet, die die p-Kanal TFTs ausbilden. In diesem Fall wird ebenfalls ein Fremdanteilelement zur Übermittlung des p-Typs, unter Verwendung der leitfähige Schichten 918, 921 der zweiten Form als Masken, hinzugefügt, um Fremdanteilbereiche in einer selbstausrichtenden Weise auszubilden. Zu diesem Zeitpunkt werden die Halbleiterschichten 903 und 904, die die n-Kanal TFTs ausbilden, vollständig an ihren Flächen bedeckt, indem eine Maske 932 aus einem Fotolack ausgebildet wird. Hier werden die Fremdanteilbereiche 933 und 934 durch das Ionendotierungsverfahren unter Verwendung von Diboran (B2H6) ausgebildet. Das Fremdanteilelement zur Übermittlung des p-Typs wird bei einer Konzentration von 2 × 1020 bis 2 × 1021 Atome/cm3 zu den Fremdanteilbereichen 933 und 934 hinzugefügt.
  • Genau betrachtet können die Fremdanteilbereiche 933, 934 jedoch in zwei Bereiche aufgeteilt werden, die ein Fremdanteilelement enthalten, das den n-Typ übermittelt. Dritte Fremdanteilbereiche 933a und 934a enthalten das Fremdanteilelement, das den n-Typ mit einer Konzentration von 1 × 1020 bis 1 × 1021 Atome/cm3 übermittelt, und vierte Fremdanteilbereiche 933b und 934b enthalten das Fremdanteilelement, das den n-Typ mit einer Konzentration von 1 × 1017 bis 1 × 1020 Atome/cm3 übermittelt. In den Fremdanteilbereichen 933b und 934b ist das Fremdanteilelement zur Übermittlung des p-Typs jedoch in einer Konzentration von mindestens 1 × 1019 Atome/cm3 enthalten, und in den dritten Fremdan teilbereichen 933a und 934a ist das Fremdanteilelement zur Übermittlung des p-Typs in einer Konzentration enthalten, die 1,5 bis 3 mal so hoch ist wie die Konzentration des Fremdanteilelement zur Übermittlung des n-Typs. Deshalb fungieren die dritten Fremdanteilbereiche als Source-Bereiche und Drain-Bereiche der p-Kanal-TFTs, ohne ein Problem zu verursachen.
  • Bezüglich 14(C) wird als Nächstes eine erste Isolierzwischenfolie 937 auf den leitfähige Schichten 918 bis 921 der zweiten Form und auf der Gate-Isolierfolie 906 ausgebildet. Die erste Isolierzwischenfolie 937 kann aus einer Siliziumoxidfolie, einer Siliziumoxinitridfolie, einer Siliziumnitridfolie oder einer laminierten Folie oder einer Kombination daraus ausgebildet werden. In jedem Fall wird die erste Isolierzwischenfolie 937 aus einem anorganischen Isolierwerkstoff ausgebildet. Die erste Isolierzwischenfolie 937 weist eine Stärke von 100 bis 200 nm auf. Wenn die Siliziumoxidfolie als erste Isolierzwischenfolie 937 verwendet wird, werden TEOS und O2 durch das Plasma-CVD-Verfahren gemischt und reagieren unter einem Druck von 40 Pa bei einer Substrattemperatur von 300 bis 400°C miteinander, während sich elektrische Energie bei einer hohen Frequenz (13,56 MHz) und einer Leistungsdichte von 0,5 bis 0,8 W/cm2 entlädt. Wenn die Siliziumoxinitridfolie als erste Isolierzwischenfolie 937 verwendet wird, kann die Siliziumoxinitridfolie durch das Plasma-CVD-Verfahren aus SiH4, N2O und NH3 oder aus SiH4 und N2O ausgebildet werden. Die Bedingungen für die Ausbildung liegen in diesem Fall bei einem Reaktionsdruck von 20 bis 200 Pa, einer Substrattemperatur von 300 bis 400°C einer Hochfrequenz(60 MHz)-Leistungsdichte von 0,1 bis 1,0 W/cm2. Als erste Isolierzwischenfolie 937 kann eine hydrierte Siliziumoxinitridfolie verwendet werden, die unter Verwendung von SiH4, N2O und H2 ausgebildet wird. Die Siliziumnitridfolie kann ebenfalls in ähnlicher Weise unter Verwendung von SiH4 und NH3 durch das Plasma-CVD-Verfahren ausgebildet werden.
  • Dann wird ein Schritt zur Aktivierung der Fremdanteilelemente, die den n-Typ und den p-Typ übermitteln, mit ihren jeweiligen Konzentrationen durchgeführt. Dieser Schritt wird unter Verwendung eines Glühofens durch ein Thermoglühverfahren durchgeführt. Es kann ferner ein Laserglühverfahren oder ein schnelles Thermoglühverfahren (RTA-Verfahren) verwendet werden. Das Thermoglühverfahren wird in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt, die Sauerstoff in einer Konzentration von maximal 1 ppm und vorzugsweise maximal 0,1 bei 400 bis 700°C und üblicherweise bei 500 bis 600 °C enthält. In dieser Ausführungsform wird die Wärmebehandlung 4 Stunden lang bei 550°C durchgeführt. Wenn ein Kunststoffsubstrat als Substrat 501 verwendet wird, das eine niedrige Wärmebeständigkeitstemperatur aufweist, ist es wünschenswert, das Laserglühverfahren zu verwenden.
  • Auf den Schritt der Aktivierung folgt das Austauschen des Atmosphärengases, und die Wärmebehandlung wird in einer Atmosphäre, die 3 bis 100% Wasserstoff bei 300 bis 450°C enthält, 1 bis 12 Stunden lang durchgeführt, um die Halbleiterschicht zu hydrieren. Dieser Schritt dient dazu, die Schlenkerbindungen von 1016 bis 1018/cm3 in der Halbleiterschicht mit Wasserstoff, der thermisch angeregt wird, zu beenden. Als weiteres Mittel der Hydrierung kann (unter Verwendung von Wasserstoff, der durch das Plasma angeregt wird) die Plasma-Hydrierung ausgeführt werden. In jedem Fall ist es wünschenswert, dass die Defektdichte in den Halbleiterschichten 902 bis 905 auf maximal 1016/cm3 herunter gedrückt wird. Zu diesem Zweck kann Wasserstoff in einer Menge von 0,01 bis 0,1 Atomprozent hinzugefügt werden.
  • Dann wird eine zweite Isolierzwischenfolie 939 aus einem organischen Isolierwerkstoff ausgebildet, die eine durchschnittliche Stärke von 1,0 bis 2,0 μm beibehält. Als organischer Harzwerkstoff kann Polyimid, Acrylharz, Polyamid, Polyimidamid, BCB (Benzocyclobuten) verwendet werden. Wenn zum Beispiel ein Polyimid des Typs verwendet wird, das wärmepolymerisiert wird, nachdem es auf das Substrat aufgetragen wurde, wird die zweite Isolierzwischenfolie durch Brennen in einem sauberen Ofen bei 300°C ausgebildet. Wenn ein Acrylharz verwendet wird, wird eines mit zwei Abschirmungen verwendet. Der Hauptwerkstoff und ein Härter werden nämlich gemischt, unter Verwendung einer Schleuder auf die gesamte Fläche des Substrats aufgetragen, unter Verwendung einer heißen Platte bei 80°C 60 Sekunden lang vorerhitzt und in einem sauberen Ofen bei 250°C 60 Minuten lang gebrannt, um die zweite Isolierzwischenfolie auszubilden.
  • Deshalb wird die zweite Isolierzwischenfolie 939 unter Verwendung eines organischen Isolierwerkstoffs mit einer guten und planierten Oberfläche ausgebildet. Ferner weist der organische Harzwerkstoff im Allgemeinen eine niedrige Dielektrizitätskonstante auf und verringert die Parasitärkapazität. Der organische Harzwerkstoff ist jedoch hygroskopisch und ist nicht als Schutzfolie geeignet. Es ist deshalb wünschenswert, dass die zweite Isolierzwischenfolie in Kombination mit der Siliziumoxidfolie, Siliziumoxinitridfolie oder der Siliziumnitridfolie verwendet wird, die als erste Isolierzwischenfolie 937 ausgebildet wird.
  • Danach wird die Fotolackmaske eines vorbestimmten Musters ausgebildet, und es werden Kontaktbohrungen in den Halbleiterschichten ausgebildet, um die Fremdanteilbereiche zu erreichen, die als Source-Bereiche oder Drain-Bereiche dienen. Die Kontaktbohrungen werden durch Trockenätzung ausgebildet. In diesem Fall wird ein Gasgemisch aus CF4, O2 und He als Ätzgas verwendet, um zunächst die zweite Isolierzwischenfolie 939 aus dem organischen Harzwerkstoff zu ätzen. Danach werden CF4 und O2 als Ätzgas verwendet, um die erste Isolierzwischenfolie 937 zu ätzen. Um das Auswahlverhältnis bezüglich der Halbleiterschicht weiter zu verbessern, wird CHF3 als Ätzgas verwendet, um die Gate-Isolierfolie 906 der dritten Form zu ätzen, wodurch die Kontaktbohrungen ausgebildet werden.
  • Hier wird die leitfähige Metallfolie durch Kathodenzerstäubung und Vakuumbedampfung ausgebildet und unter Verwendung einer Maske strukturiert und dann geätzt, um Source-Leitungen 940 bis 943 und Drain-Leitungen 944 bis 946 auszubilden. Obwohl in dieser Ausführungsform nicht als Diagramm dargestellt, wird die Leitung durch ein Laminat aus einer 50 nm starken Ti-Folie und einer 500 nm starken Legierungsfolie (Legierungsfolie aus Al und Ti) ausgebildet.
  • Dann wird darauf eine transparente leitfähige Folie, die eine Stärke von 80 bis 120 nm beibehält, ausgebildet und strukturiert, um eine Pixelelektrode 947 auszubilden (15(A)). Dafür wird die Pixelelektrode 947 unter Verwendung einer Indium-Zinnoxidfolie (ITO) als transparente Elektrode oder transparente leitfähige Folie, die durch Mischen von 2 bis 20% Zinkoxid (ZnO) in Indiumoxid erzielt wird, ausgebildet.
  • Ferner wird die Pixelelektrode 947 ausgebildet während sie mit der Drain-Leitung 946, die mit dem Drain-Bereich des Ansteuerungs-TFTs elektrisch verbunden ist, in Berührung ist und sie überdeckt.
  • Als Nächstes wird eine dritte Isolierzwischenfolie 949, die an der Position eine Öffnung aufweist, die mit der Pixelelektrode 947 zusammentrifft, wie in 15(B) gezeigt ausgebildet. Die dritte Isolierzwischenfolie 949 ist isolierfähig und funktioniert als Wall, um die organisches Licht emittierenden Schichten angrenzender Pixel voneinander zu trennen. In dieser Ausführungsform wird ein Fotolack verwendet, um die dritte Isolierzwischenfolie 949 auszubilden.
  • In dieser Ausführungsform weist die dritte Isolierzwischenfolie 949 eine Stärke von 1 μm auf, und die Öffnung wird so geformt, dass sie eine sogenannte umgekehrte kegelartige Form aufweist, in der sich die Breite in Richtung der Pixelelektrode 947 erhöht. Das wird erreicht, indem die Fotolackfolie, mit Ausnahme des Abschnitt, wo die Öffnung ausgebildet werden soll, mit einer Maske bedeckt wird, die Folie durch Bestrahlung mit UV-Licht belichtet wird und dann der belichtete Abschnitt unter Verwendung eines Entwicklers entfernt wird.
  • Die dritte Isolierzwischenfolie 949, die wie in dieser Ausführungsform umgekehrt kegelförmig ist, trennt organisches Licht emittierende Schichten angrenzender Pixel voneinander, sobald die organisches Licht emittierende Schichten in einem späteren Schritt ausgebildet werden. Daher kann ein Brechen oder Abblättern der organisches Licht emittierenden Schichten verhindert werden, selbst wenn die organisches Licht emittierenden Schichten die dritte Isolierzwischenfolie 949 unterschiedliche Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen.
  • Obwohl in dieser Ausführungsform eine Fotolackfolie für die dritte Isolierzwischenfolie verwendet wird, kann in einigen Fällen eine Polyimid-, Polyamid-, Acryl-, BCB(Benzocyclobuten)- oder eine Siliziumoxid-Folie verwendet werden. Die dritte Isolierzwischenfolie 949 kann organisch oder anorganisch sein, solange der Werkstoff isolierfähig ist.
  • Die organisches Licht emittierende Schicht 950 wird mittels Bedampfung ausgebildet. Eine Kathode (MgAg-Elektrode) 951 und eine Schutzelektrode 952 werden ebenfalls mittels Bedampfung ausgebildet. Es ist wünschenswert, dass eine Wärmebehandlung bei der Pixelelektrode 947 ausgeführt wird, um Feuchtigkeit vollständig von der Elektrode zu entfernen, bevor die organisches Licht emittierende Schicht 950 und die Kathode 951 ausgebildet werden. Obwohl die OLED-Kathode in dieser Ausführungsform eine MgAg-Elektrode ist, können stattdessen bekannte Werkstoffe verwendet werden.
  • Die organisches Licht emittierende Schicht 950 kann aus einem bekannten Werkstoff ausgebildet werden. In dieser Ausführungsform weist die organisches Licht emittierende Schicht eine Zweischichtstruktur auf, die aus einer Lochtransportschicht und einer Licht emittierenden Schicht besteht. Die organisches Licht emittierende Schicht kann zusätzlich eine Lochinjektionsschicht, eine Elektroneninjektionsschicht oder eine Elektronentransport schicht aufweisen. Es wurden verschiedene Kombinationen aus diesen Schichten berichtet, und es kann eine beliebige davon verwendet werden.
  • In dieser Ausführungsform wird für die Lochtransportschicht durch Bedampfung Polyphenylenvinyl abgeschieden. Die organisches Licht emittierende Schicht wird durch Bedampfung von Polyvinylcarbazol mit einer Molekularverteilung von 30 bis 40% von PBD, das heißt ein 1, 2, 3, 4-Oxadiazolderivat, und durch Dotierung der sich ergebenden Folie mit ca. 1% Kumarin als Leuchtzentrum für die grüne Farbe erzielt.
  • Die Schutzelektrode 952 kann die organisches Licht emittierende Schicht 950 allein vor Feuchtigkeit und Sauerstoff schützen, aber das Hinzufügen einer Schutzfolie 953 ist wünschenswerter. Die Schutzfolie 953 in dieser Ausführungsform ist eine Siliziumnitridfolie mit einer Stärke von 300 nm. Die Schutzelektrode 952 und die Schutzfolie können aufeinanderfolgend ausgebildet werden, ohne dass das Substrat der Luft ausgesetzt wird.
  • Die Schutzelektrode 952 verhindert auch die Degradation der Kathode 951. Üblicherweise wird für die Schutzelektrode eine Metallfolie verwendet, die Aluminium als Hauptbestandteil enthält. Andere Werkstoffe können natürlich auch verwendet werden. Die organisches Licht emittierende Schicht 950 und die Kathode 951 sind sehr empfindlich gegen Feuchtigkeit. Deshalb ist es wünschenswert, sie und die Schutzelektrode 952 aufeinanderfolgend auszubilden, ohne dass das Substrat der Luft ausgesetzt wird, um sie vor der Außenluft zu schützen.
  • Die organisches Licht emittierende Schicht 950 ist 10 bis 400 nm (üblicherweise 60 bis 150 nm) stark. Die Kathode 951 ist 80 bis 200 nm (üblicherweise 100 bis 150 nm) stark.
  • So fertiggestellt wird eine Lichtemissionsvorrichtung wie in 15B gezeigt strukturiert. Ein Abschnitt 954, wo die Pixelelektrode 947 die organisches Licht emittierende Schicht 950 und die Kathode 951 einander überdecken, entspricht der OLED.
  • Ein p-Kanal-TFT 960 und ein n-Kanal-TFT 961 sind TFTs der Treiberschaltung und bilden einen CMOS. Ein Schalt-TFT 962 und ein Ansteuerungs-TFT 963 sind TFTs des Pixelabschnitts. Die TFTs der Treiberschaltung und die TFTs des Pixelabschnitts können auf demselben Substrat ausgebildet werden.
  • In dem Fall einer Lichtemissionsvorrichtung, die eine OLED verwendet, kann deren Treiberschaltung durch eine Stromversorgung betrieben werden, die eine Spannung von 5 bis 6V, meistens 10V, aufweist. Deshalb ist die Degradation der TFTs durch heiße Elektronen kein ernstes Problem. Es wird auch eine kleinere Gate-Kapazität für die TFTs bevorzugt, da die Treiberschaltung mit hoher Geschwindigkeit arbeiten muss. In einer Treiberschaltung einer Lichtemissionsvorrichtung, die wie in dieser Ausführungsform eine OLED verwendet, überdecken dementsprechend der zweite Fremdanteilbereich 929 und der vierte Fremdanteilbereich 933b der Halbleiterschichten der TFTs jeweils die Gate-Elektrode 918 und die Gate-Elektrode 919 vorzugsweise nicht.
  • Das Verfahren zur Herstellung der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung ist nicht auf das eine in dieser Ausführungsform beschriebene begrenzt. Die Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann mittels eines bekannten Verfahrens hergestellt werden.
  • Diese Ausführungsform kann frei mit den Ausführungsformen 1 bis 8 kombiniert werden.
  • [Ausführungsform 10]
  • In dieser Ausführungsform wird ein Verfahren zur Herstellung der Lichtemissionsvorrichtung beschrieben, das sich von dem in Ausführungsform 9 beschriebenen unterscheidet. Der Ablauf bis zur Ausbildung der zweiten Isolierzwischenfolie 939 ist derselbe wie in Ausführungsform 5. Wie in 16A gezeigt, wird nachdem die zweite Isolierzwischenfolie 939 ausgebildet ist, eine Passivierungsfolie 981 so ausgebildet, dass sie mit der zweiten Isolierzwischenfolie 939 in Berührung ist.
  • Die Passivierungsfolie 981 ist wirkungsvoll bei der Vermeidung von Feuchtigkeit, die ab dem Eindringen der organisches Licht emittierenden Schicht 950 durch die Pixelelektrode 947 oder die dritte Isolierzwischenfolie 949 in der zweiten Isolierzwischenfolie 939 enthalten ist. In dem Fall, in dem die zweite Isolierzwischenfolie 982 einen organischen Harzwerkstoff beinhaltet, ist es besonders wirkungsvoll die Passivierungsfolie 981 bereitzustellen, da der organische Harzwerkstoff eine große Menge Feuchtigkeit enthält.
  • In dieser Ausführungsform wird eine Siliziumnitridfolie als Passivierungsfolie 981 verwendet.
  • Danach wird eine Fotolackmaske ausgebildet, die ein vorbestimmtes Muster aufweist, und es werden Kontaktbohrungen in den jeweiligen Halbleiterschichten ausgebildet, welche die Fremdanteilbereiche erreichen, die Source-Bereiche oder Drain-Bereiche sind. Die Kontaktbohrungen werden durch ein Trockenätzungsverfahren ausgebildet. In diesem Fall wird zuerst die zweite Isolierzwischenfolie 939, die aus einem organischen Harzwerkstoff besteht, unter Verwendung eines Gasgemischs aus CF4, O2 und He als Ätzgas geätzt. Danach wird die erste Isolierzwischenfolie 937 mit CF4 und O2 als Ätzgas geätzt. Um das Auswahlverhältnis mit der Halbleiterschicht weiter zu erhöhen, wird das Ätzgas in CHF3 geändert, um die Gate-Isolierfolie 906 der dritten Form zu ätzen, wobei die Kontaktbohrungen ausgebildet werden können.
  • Dann wird eine leitfähige Metallfolie durch ein Kathodenzerstäubungs- oder ein Vakuumbedampfungsverfahren ausgebildet, das Strukturieren wird mit einer Maske durchgeführt, und danach wird das Ätzen durchgeführt. Dadurch werden die Source-Leitungen 940 bis 943 und die Drain-Leitungen 944 bis 946 ausgebildet. Obwohl nicht gezeigt, werden in dieser Ausführungsform die Leitungen aus einer Laminierfolie einer 50 nm starken Ti-Folie und einer 500 nm starken Legierungsfolie (Legierungsfolie aus Al und Ti) ausgebildet.
  • Dann wird darauf eine transparente leitfähige Folie mit einer Stärke von 80 bis 120 nm ausgebildet, und die Pixelelektrode 947 wird durch Strukturieren ausgebildet (16A). Man beachte, dass in dieser Ausführungsform eine Indium-Zinnoxidfolie (ITO) oder eine transparente leitfähige Folie, in der Indiumoxid mit 2 bis 20% Zinkoxid (ZnO) gemischt wird, für eine transparente Elektrode verwendet wird.
  • Ferner wird die Pixelelektrode 947 so ausgebildet, dass sie die Drain-Leitung 946 berührt und überdeckt. Dadurch wird die elektrische Verbindung zwischen der Pixelelektrode 947 und dem Drain-Bereich des Ansteuerungs-TFTs ausgebildet.
  • Als Nächstes wird, wie in 16(B) gezeigt, die dritte Isolierzwischenfolie 982 ausgebildet, die an der Position eine Öffnung aufweist, die der Pixelelektrode 947 entspricht. In dieser Ausführungsform werden während des Ausbildens des Öffnungsabschnitts unter Verwendung eines Nassätzverfahrens Seitenwände, die eine kegelartige Form aufweisen, ausgebildet. Anders als in dem Fall, der in Ausführungsform 5 gezeigt wird, wird die organisches Licht emittierende Schicht, die auf der dritten Isolierzwischenfolie 982 ausgebildet wird, nicht getrennt. Deshalb wird die Verschlechterung der organisches Licht emittierenden Schicht, die von einem Ablaufschritt stammt, zu einem deutlichen Problem, wenn die Seitenwände des Öffnungsabschnitts nicht ausreichend sanft sind, was Aufmerksamkeit erfordert.
  • Man beachte, dass obwohl in dieser Ausführungsform eine aus Siliziumoxid gefertigte Folie als dritte Isolierzwischenfolie 982 verwendet wird, abhängig von den Umständen, eine organische Harzfolie, wie Polyimid, Polyamid, Acryl oder BCB (Benzocyclobuten) ebenfalls verwendet werden kann.
  • Dann ist es wünschenswert, dass bevor die organisches Licht emittierenden Schicht 950 auf der dritten Isolierzwischenfolie 982 ausgebildet wird, eine Plasmabearbeitung unter Verwendung von Argon bei der dritten Isolierzwischenfolie 982 durchgeführt wird, um die Oberfläche der dritten Isolierzwischenfolie 982 abzuschließen. Mit der obigen Struktur kann verhindert werden, dass Feuchtigkeit in die organisches Licht emittierende Schicht 950 von der dritten Isolierzwischenfolie 982 eindringt.
  • Als Nächstes wird die organisches Licht emittierende Schicht 950 durch ein Bedampfungsverfahren ausgebildet, und ferner werden die Kathode (MgAg-Elektrode) 951 und die Schutzelektrode 952 durch das Bedampfungsverfahren ausgebildet. Zu diesem Zeitpunkt ist es wünschenswert, dass eine Wärmebehandlung bei der Pixelelektrode 947 durchgeführt wird, um Feuchtigkeit vollständig von der Elektrode zu entfernen, bevor die organisches Licht emittierende Schicht 950 und die Kathode 951 ausgebildet werden. Man beachte, dass in dieser Ausführungsform die MgAg-Elektrode als Kathode der OLED verwendet wird, aber andere bekannte Werkstoffe können ebenfalls verwendet werden.
  • Man beachte, dass ein bekannter Werkstoff für die organisches Licht emittierende Schicht 950 verwendet werden kann. In dieser Ausführungsform nimmt die organisches Licht emittierende Schicht eine Zweischichtstruktur an, die aus einer Lochtransportschicht und einer Licht emittierenden Schicht besteht. Es kann jedoch einen Fall geben, in dem eine beliebige Lochinjektionsschicht, eine Elektroneninjektionsschicht und eine Elektronentransportschicht in der organisches Licht emittierenden Schicht enthalten ist. Wie oben beschrieben, wurden verschiedene Beispiele von Kombinationen berichtet, und es kann eine beliebige Struktur davon verwendet werden.
  • In dieser Ausführungsform wird für die Ausbildung der Lochtransportschicht durch das Bedampfungsverfahren Polyphenylenvinyl ausgebildet. Ferner wird für die Ausbildung der organisches Licht emittierende Schicht Polyvinylcarbazol, verteilt mit PBD von einem 1, 2, 3, 4-Oxadiazolderivat mit 30 bis 40% Molekülen, durch das Bedampfungsverfahren ausgebildet, und ca. 1% Kumarin 6 wird als Emissionszentrum der grünen Farbe hinzugefügt.
  • Ferner kann die organisches Licht emittierende Schicht 950 in der Schutzelektrode 952 vor Feuchtigkeit und Sauerstoff geschützt werden, aber das Bereitstellen der Schutzfolie 953 wäre wünschenswerter. In dieser Ausführungsform wird eine Siliziumnitridfolie mit einer Stärke von 300 nm als Schutzfolie 953 bereitgestellt. Die Schutzfolie kann nach der Ausbildung der Schutzelektrode 952 fortlaufend ausgebildet werden, ohne einer Atmosphäre ausgesetzt zu sein.
  • Darüber hinaus wird die Schutzelektrode 952 zur Vermeidung der Verschlechterung der Kathode 951 bereitgestellt und wird verkörpert durch eine Metallfolie, die Aluminium als ihr Hauptbestandteil enthält. Natürlich können auch andere Werkstoffe verwendet werden. Da die organisches Licht emittierende Schicht 950 und die Kathode 951 äußerst leicht durch Feuchtigkeit beeinträchtigt werden, ist es ferner wünschenswert, dass die Ausbildung bis zum Ende der Ausbildung der Schutzelektrode 952 fortlaufend durchgeführt wird, ohne dass sie einer Atmosphäre ausgesetzt wird, um dadurch die organisches Licht emittierende Schicht gegenüber einer Außenatmosphäre zu schützen.
  • Man beachte, dass die Stärke der organisches Licht emittierenden Schicht 950 10 bis 400 nm (üblicherweise 60 bis 150 nm) und die Stärke der Kathode 951 80 bis 200 nm (üblicherweise 100 bis 150 nm) betragen kann.
  • Somit wird die Lichtemissionsvorrichtung mit der in 16B gezeigten Struktur vervollständigt. Man beachte, dass der Abschnitt 954, wo die Pixelelektrode 947, die organisches Licht emittierende Schicht 950 und die Kathode 951 einander überdecken, der OLED entsprechen.
  • Der p-Kanal-TFT 960 und der n-Kanal-TFT 961 sind die TFTs der Trieberschaltung und bilden einen CMOS aus. Der Schalt-TFT 962 und der Ansteuerungs-TFT 963 sind die TFTs des Pixelabschnitts. Die TFTs der Trieberschaltung und die TFTs des Pixelabschnitts können auf demselben Substrat ausgebildet werden.
  • Das Herstellungsverfahren der Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung ist nicht auf das in dieser Ausführungsform beschriebene Herstellungsverfahren beschränkt. Die Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann durch ein bekanntes Verfahren hergestellt werden.
  • Man beachte, dass diese Ausführungsform implementiert werden kann, indem sie frei mit den Ausführungsformen 1 bis 9 kombiniert wird.
  • [Ausführungsform 11]
  • Die Lichtemissionsvorrichtung ist eine vom selbstemittierenden Typ und weist deshalb, verglichen mit der Flüssigkristallanzeige-Vorrichtung, eine hervorragende Erkennbarkeit der angezeigten Abbildung an einem hellen Ort auf. Darüber hinaus weist die Lichtemissionsvorrichtung einen breiteren Betrachtungswinkel auf. Dementsprechend kann die Lichtemissionsvorrichtung bei einem Displayabschnitt in verschiedenen elektronischen Vorrichtungen angewendet werden.
  • Solche elektronischen Vorrichtungen, die eine Lichtemissionsvorrichtung der vorliegenden Erfindung verwenden, beinhalten eine Videokamera, eine Digitalkamera, ein Brillen-Display (Kopfbefestigungs-Display), ein Navigationssystem, eine Tonwiedergabevorrichtung (eine KFZ-Audioausrüstung und eine Audioanlage), einen notizblockgroßen PC, einen Spielcomputer, ein tragbares Informations-Endgerät (einen Mobilcomputer, ein Mobiltelefon, einen tragbaren Spielcomputer, ein elektronisches Buch oder Ähnliches), ein Bildwiedergabegerät einschließlich eines Aufzeichnungsmediums (insbesondere ein Gerät, das ein Aufzeichnungsmedium wie eine DVD und so weiter wiedergeben kann, und ein Display für das Anzeigen des wiedergegebenen Bildes) oder Ähnliches. Insbesondere ist die Verwendung der Lichtemissionsvorrichtung in dem Fall des tragbaren Informations-Endgerätes wünschenswert, da das tragbare Informations-Endgerät, das wahrscheinlich aus einer geneigten Richtung betrachtet wird, oft einen großen Betrachtungswinkel aufweisen muss. 17A bis 17H zeigen jeweils verschiedene spezifische Beispiele solcher elektronischen Vorrichtungen.
  • 17A stellt eine organisches Licht emittierende Display-Vorrichtung dar, die ein Gehäuse 2001, eine Trägerplatte 2002, einen Display-Abschnitt 2003, einen Lautsprecherabschnitt 2004, einen Videoeingangsanschluss 2005 oder Ähnliches beinhaltet. Die vorliegende Erfindung ist auf den Display-Abschnitt 2003 anwendbar. Die Lichtemissionsvorrichtung ist eine selbstemittierende Vorrichtung und benötigt deshalb keine Hintergrundbeleuchtung. Deshalb kann deren Display-Abschnitt eine Stärke aufweisen, die dünner ist als die der Flüssigkristallanzeige-Vorrichtung. Die organisches Licht emittierende Display-Vorrichtung beinhaltet alles von der Display-Vorrichtung für das Anzeigen von Informationen, wie bei einem PC, einem TV-Rundfunk-Empfänger und einem Werbe-Display.
  • 17B stellt eine digitale Fotokamera dar, die einen Hauptkörper 2101, einen Display-Abschnitt 2102, einen Bildempfangsabschnitt 2103, eine Bedientaste 2104, einen externen Verbindungsanschluss 2105, einen Verschluss 2106 oder Ähnliches beinhaltet. Die Lichtemissionsvorrichtung nach der vorliegenden Erfindung kann als Display-Abschnitt 2102 verwendet werden.
  • 17C stellt einen Laptop-Computer dar, der einen Hauptkörper 2201, ein Gehäuse 2202, einen Display-Abschnitt 2203, eine Tastatur 2204, einen externen Verbindungsanschluss 2205, eine Maus 2206 oder Ähnliches beinhaltet. Die Lichtemissionsvorrichtung nach der vorliegenden Erfindung kann als Display-Abschnitt 2203 verwendet werden.
  • 17D stellt einen mobilen Computer dar, der einen Hauptkörper 2301, einen Display-Abschnitt 2302, einen Schalter 2303, eine Bedientaste 2304, einen Infrarotanschluss 2305 oder Ähnliches beinhaltet. Die Lichtemissionsvorrichtung nach der vorliegenden Erfindung kann als Display-Abschnitt 2302 verwendet werden.
  • 17E stellt ein Bildwiedergabegerät einschließlich eines Aufzeichnungsmediums (insbesondere ein DVD-Wiedergabegerät) dar, das einen Hauptkörper 2401, ein Gehäuse 2402, einen Display-Abschnitt A 2403, einen weiteren Display-Abschnitt B 2404, einen Leseabschnitt für ein Aufzeichnungsmedium (DVD oder Ähnliches) 2405, eine Bedientaste 2406, einen Lautsprecherabschnitt 2407 oder Ähnliches beinhaltet. Der Display-Abschnitt A 2403 wird hauptsächlich für die Anzeige von Bildinformationen verwendet, während der Display-Abschnitt B 2404 hauptsächlich für die Anzeige von Zeicheninformationen verwendet wird. Die Lichtemissionsvorrichtung nach der vorliegenden Erfindung kann für diese Display- Abschnitte A und B verwendet werden. Das Bildwiedergabegerät einschließlich eines Aufzeichnungsmediums beinhaltet ferner einen Spielcomputer oder Ähnliches.
  • 17F stellt ein Brillen-Display (Kopfbefestigungs-Display) dar, das einen Hauptkörper 2501, einen Display-Abschnitt 2502 und einen Armabschnitt 2503 beinhaltet. Die Lichtemissionsvorrichtung nach der vorliegenden Erfindung kann als Display-Abschnitt 2502 verwendet werden.
  • 17G stellt eine Videokamera dar, die einen Hauptkörper 2601, einen Display-Abschnitt 2602, ein Gehäuse 2603, einen externen Verbindungsanschluss 2604, einen ferngesteuerten Empfangsabschnitt 2605, einen Bildempfangsabschnitt 2606, eine Batterie 2607, einen Toneingabeabschnitt 2608, eine Bedientaste 2609 oder Ähnliches beinhaltet. Die Lichtemissionsvorrichtung nach der vorliegenden Erfindung kann als Display-Abschnitt 2602 verwendet werden.
  • 17H stellt ein Mobiltelefon dar, das einen Hauptkörper 2701, ein Gehäuse 2702, einen Display-Abschnitt 2703, einen Toneingabeabschnitt 2704, einen Tonausgabeabschnitt 2705, eine Bedientaste 2706, einen externen Verbindungsanschluss 2707, eine Antenne 2708 oder Ähnliches beinhaltet. Die Lichtemissionsvorrichtung nach der vorliegenden Erfindung kann als Display-Abschnitt 2703 verwendet werden. Man beachte, dass der Display-Abschnitt 2703 den Stromverbrauch eines tragbaren Telefons reduzieren kann, indem er weiße Zeichen auf einem schwarzem Hintergrund anzeigt.
  • Sobald die hellere Leuchtdichte des Lichts, das von dem organisches Licht emittierenden Werkstoff emittiert wird, in Zukunft verfügbar wird, wird die Lichtemissionsvorrichtung nach der vorliegenden Erfindung auf einen Frontprojektor oder einen Rückprojektor anwendbar sein, in dem Licht, das Ausgabebildinformationen beinhaltet, mittels Linsen oder Ähnlichem vergrößert wird, um projiziert zu werden.
  • Die zuvor erwähnten elektronischen Geräte sollen eher zur Anzeige von Informationen verwendet werden, die über einen Telekommunikationsweg, wie Internet ein CSTV (Kabelfernsehsystem) verbreitet werden, und sie sollen insbesondere wahrscheinlich bewegte Bildinformationen anzeigen. Die Lichtemissionsvorrichtung ist für das Anzeigen bewegter Bilder geeignet, da der organisches Licht emittierende Werkstoff eine hohe Ansprechgeschwindigkeit aufweisen kann.
  • Ein Abschnitt der Lichtemissionsvorrichtung, der Licht emittiert, verbraucht Strom, daher ist es wünschenswert, Informationen in einer solchen Weise anzuzeigen, dass der Licht emittierende Abschnitt darin so klein wie möglich wird. Wenn die Lichtemissionsvorrichtung bei einem Displayabschnitt angewendet wird, der hauptsächlich Zeicheninformationen anzeigt, ist es dementsprechend wünschenswert, bei z. B. einem Displayabschnitt eines tragbaren Informationsendgeräts und insbesondere eines tragbaren Telefons oder eines Tonwiedergabegeräts die Lichtemissionsvorrichtung so anzusteuern, dass die Zeicheninformationen durch einen Licht emittierenden Abschnitt ausgebildet werden, während ein Nicht-Emissionsabschnitt dem Hintergrund entspricht.
  • Wie zuvor dargelegt, kann die vorliegende Erfindung in verschiedener Weise auf einen breiten Bereich elektronischer Vorrichtungen auf allen Gebieten angewendet werden. Das elektronische Gerät in dieser Ausführungsform kann erreicht werden, indem eine Lichtemissionsvorrichtung verwendet wird, die den Aufbau aufweist, in dem die Strukturen in den Ausführungsformen 1 bis 10 frei kombiniert werden.
  • Nach der vorliegenden Erfindung wird die Reduzierung der Leuchtdichte der OLED unterdrückt, selbst wenn sich die organisches Licht emittierende Schicht verschlechtert, mit der Struktur, die im praktischen Gebrauch leicht umgesetzt werden kann, wodurch als ein Ergebnis ein deutliches Bild angezeigt werden kann. In dem Fall der Lichtemissionsvorrichtung mit dem Farbdisplay, in dem OLEDs verwendet werden, die den jeweiligen Farben entsprechen, kann ferner verhindert werden, dass das Leuchtdichtegleichgewicht zwischen den jeweiligen Farben verloren geht, und es kann eine gewünschte Farbe weiterhin angezeigt werden, selbst wenn sich die organisches Licht emittierenden Schichten der OLEDs gemäß den entsprechenden Farben mit unterschiedlichen Geschwindigkeiten verschlechtern.
  • Ferner kann die Veränderung der Leuchtdichte der OLED unterdrückt werden, selbst wenn die Temperatur der organisches Licht emittierenden Schicht durch die Außentemperatur, die Wärme, die durch das OLED-Bedienfeld selbst erzeugt wird, oder Ähnliches beeinflusst wird. Auch die Stromverbrauchzunahme mit dem Anstieg der Temperatur kann verhindert werden. In dem Fall der Lichtemissionsvorrichtung mit dem Farbdisplay kann die Verände rung der Leuchtdichte der OLED jeder Farbe unterdrückt werden, ohne von der Temperaturveränderung beeinflusst zu werden. Deshalb wird verhindert, dass das Leuchtdichtegleichgewicht zwischen den jeweiligen Farben verloren geht, und es kann eine gewünschte Farbe angezeigt werden.

Claims (12)

  1. Lichtemissionsvorrichtung, die eine Vielzahl von Einrichtungen umfasst, wobei jede der Einrichtungen umfasst: einen ersten Pixel-Abschnitt (101) mit einem ersten OLED (107); einen zweiten Pixelabschnitt (103) mit einem zweiten OLED (108); eine Messeinrichtung (111, 201, 310) zum Messen eines Stroms, der in dem zweiten OLED (108) fließt; eine Vergleichseinrichtung zum Vergleichen des gemessenen Stromwertes und eines Bezugs-Stromwertes; und eine Korrektureinrichtung (112, 203, 312) zum Korrigieren einer an das erste und das zweite OLED (107, 108) angelegten Spannung auf Basis einer Differenz zwischen dem gemessenen Stromwert und dem Bezugs-Stromwert; dadurch gekennzeichnet, dass jede der Vielzahl von Einrichtungen so eingerichtet ist, dass sie eine andere einer Vielzahl entsprechender Farben emittiert.
  2. Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Korrektureinrichtung (112, 203, 312) so eingerichtet ist, dass sie eine an das erste OLED (107) angelegte Spannung auf dem gleichen Pegel hält wie die an das zweite OLED (108) angelegte Spannung.
  3. Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 und 2, wobei ein zweites Substrat, auf dem die Messeinrichtung (111, 201, 310), die Vergleichseinrichtung oder die Korrektureinrichtung (112, 203, 312) ausgebildet sind, an einem ersten Substrat angebracht ist, auf dem das erste und das zweite OLED (107, 108) ausgebildet werden.
  4. Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 und 2, wobei ein zweites Substrat, auf dem die Messeinrichtung (111, 201, 310), die Vergleichseinrichtung oder die Korrektureinrichtung (112, 203, 312) ausgebildet ist, an einem ersten Substrat angebracht sind, auf dem das erste und das zweite OLED (107, 108) mit einem COG-Verfahren ausgebildet werden.
  5. Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 und 2, wobei ein zweites Substrat, auf dem die Messeinrichtung (111, 201, 310), die Vergleichseinrichtung oder die Korrektureinrichtung (112, 203, 312) ausgebildet ist, an einem ersten Substrat angebracht sind, auf dem das erste und das zweite OLED (107, 108) mit einem Drahtbondverfahren ausgebildet werden.
  6. Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 und 2, wobei ein Zeitraum, während dem das erste OLED (107) und das zweite OLED (108) Licht emittieren, mit einem digitalen Videosignal gesteuert wird, um Abstufungen anzuzeigen.
  7. Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 und 2, wobei die Lichtemissionsvorrichtung in eine elektronische Vorrichtung integriert ist, die aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einer Videokamera, einer digitalen Kamera, einem Brillen-Display, einem Navigationssystem, einer Tonwiedergabevorrichtung, einem notizblockgroßen Personal Computer, einem Spielautomaten, einem tragbaren Informations-Endgerät und einer Bildwiedergabevorrichtung einschließlich eines Aufzeichnungsmediums besteht.
  8. Lichtemissionsvorrichtung, die eine Vielzahl von Einrichtungen umfasst, wobei jede der Einrichtungen umfasst: einen ersten Pixel-Abschnitt (101), der mit einer Vielzahl erster Pixel (102) versehen ist, die jeweils ein erstes OLED (107) aufweisen; einen zweitel Pixel-Abschnitt (103), der mit einer Vielzahl zweiter Pixel (104) versehen ist, die jeweils ein zweites OLED (108) aufweisen; eine Messeinrichtung (111, 201, 310) zum Messen eines Gesamtstroms, der in allen zweiten OLED (108) fließt; eine Vergleichseinrichtung zum Vergleichen des gemessenen Stromwertes und eines Bezugs-Stromwertes; und eine Korrektureinrichtung (112, 203, 312) zum Korrigieren einer an alle zweiten OLED (108) angelegten Spannung, um eine Differenz zwischen dem Wert des Gesamtstroms, der zu allen zweiten OLED (108) fließt, und dem Bezugs-Stromwert auf Basis der Differenz zwischen dem gemessenen Stromwert und dem Bezugs-Stromwert zu reduzieren, wobei die Korrektureinrichtung (112, 203, 312) so eingerichtet ist, dass sie eine an das erste OLED (107) angelegte Spannung auf dem gleichen Pegel hält wie die an ein zweites OLED (108) angelegte Spannung, dadurch gekennzeichnet, dass jede der Vielzahl von Einrichtungen so eingerichtet ist, dass sie eine andere einer Vielzahl entsprechender Farben emittiert.
  9. Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Korrektureinrichtung (112, 203, 312) so eingerichtet ist, dass sie die an die zweiten OLED (108) angelegte Spannung mit einer konstanten Größe immer dann ändert, wenn die Differenz zwischen dem gemessenen Stromwert und dem Bezugs-Stromwert mit einer konstanten Breite geändert wird.
  10. Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 8, wobei jede der Vielzahl von Einrichtungen des Weiteren eine Einrichtung umfasst, die ein spezifisches Bild auf dem zweiten Pixelabschnitt (103) anzeigt, wenn der Gesamtstrom, der in allen den zweiten OLED (108) fließt, gemessen wird.
  11. Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 8, wobei sich der Bezugs-Stromwert in Abhängigkeit von einem auf dem zweiten Pixelabschnitt (103) angezeigten Bild un terscheidet, wenn der Gesamtstrom, der in allen den zweiten OLED (108) fließt, gemessen wird.
  12. Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 8, wobei jedes der ersten Pixel (102) wenigstens einen TFT umfasst, der so eingerichtet ist, dass er eine Lichtemission des ersten OLED steuert, und wobei jedes der zweiten Pixel wenigstens einen TFT (120, 121, 305, 306, 309) umfasst, der so eingerichtet ist, dass er Lichtemission des zweiten OLED (108) steuert.
DE60215983T 2001-01-29 2002-01-28 Lichtaussendende Vorrichtung mit Strom-Regelung Expired - Lifetime DE60215983T2 (de)

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