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Hintergrund der Erfindung
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1. Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer
Leiterplatte, auf der ein Halbleiterelement angebracht ist, und
insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte, bei der
das Verfüllen
eines elektrisch leitfähigen
Materials in Löcher
im Substratmaterial verbessert worden ist.
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2. Beschreibung verwandter Erfindungen
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Eine
Leiterplatte ist bekannt, auf der Halbleiterelemente installiert
sind, wobei auf beiden Oberflächen
des elektrisch isolierten Substrats ausgebildete Schaltungsstrukturen
miteinander über
leitfähige Verbindungslöcher in
Durchgangslöchern
verbunden sind, die durch das Substrat ausgebildet sind. Eine solche
Leiterplatte kann als Mehrschichtplatine gebildet werden, indem
eine Mehrzahl Schaltungsstrukturen auf beiden Oberflächen über Isolierschichten
einander überlagert
werden, und ein Halbleiterbauelement wird erzeugt, indem Halbleiterelemente
auf der Mehrschichtplatine installiert werden.
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Die
US 3,318,993 beschreibt
ein Verfahren zur Herstellung eines Bündels Speicherkarten aus Papier,
Kunststoff oder anderen Materialien, die vorzugsweise flexibel sind,
mit einem isolierenden Substrat. Zuerst werden Löcher durch die Karten gestanzt.
Dann wird ein Weichlotblock über
der obersten Blankokarte des Kartenbündels mit den fluchtenden Löchern (Säulenlöcher) angeordnet.
Danach werden Kartenbündel
samt Weichlot in einen Ofen gebracht, wodurch das Weichlot schmilzt.
Das geschmolzene Weichlot fließt
durch Schwerkraft und/oder durch Druckbeaufschlagung des Weichlots in
die Löcher.
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Die
US 2004/0111882A1 beschreibt
ein Verfahren zur Herstellung einer Formplatte für eine gedruckte Leiterplatte.
Ein leitfähiges
Metallblech aus Weichlot wird auf eine Harzplatte gelegt. Ein Chip aus
dem leitfähigen
Metallblech wird durch Stanzen des leitfähigen Metallblechs gebildet.
Der durch das Stanzen bewegte Chip stanzt folglich gleichzeitig
ein Verbindungsloch in die Harzplatte. Dadurch wird das Verbindungsloch
mit dem aus dem leitfähigen
Metallblech gestanzten Chip gefüllt.
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Die
US 2003/0134509A1 beschreibt
ein Verfahren zur Herstellung eines leitfähigen Halbleiter-Wafers. Zunächst wird
ein Wafer mit Durchgangslöchern
perforiert. Der perforierte Wafer wird dann auf geschmolzenem Weichlot
angeordnet. Das ge schmolzene Weichlot wird in die Durchgangslöcher gefüllt, indem
erstens der Druck in dem Bereich, der den Wafer und das geschmolzene
Weichlot enthält, verringert
und zweitens der Druck wieder auf den Umgebungsdruck gebracht wird.
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Die 1(a) bis (f) zeigen den Stand der Technik, der
im Patentdokument 1 offenbart ist, bei dem leitfähiges Metall durch galvanische
Beschichtung in die Durchganglöcher
gefüllt
wird, die in einem isolierenden und klebenden Substrat vorgesehen sind.
Die auf einer Oberfläche
desselben über
das leitfähige
Metall ausgebildeten Schaltungsstrukturen sind elektrisch mit denen
auf der anderen Oberfläche auf
die gleiche Weise ausgebildeten verbunden.
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1(a) zeigt ein Substrat 10, das der Körper der
Leiterplatte sein soll. Das Substrat 10 ist ein Isoliermaterial,
mit dem eine Metallfolie wie eine Kupferfolie, die eine leitfähige Schicht
für die
Schaltungsstruktur bildet, durch Erwärmen und Pressen verbunden
wird. So kann beispielsweise eine Platte aus Glasgewebe mit nicht
ausgehärtetem
Harz, die mit wärmehärtendem
Harz imprägniert
ist, als das Substrat 10 verwendet werden.
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1(b) zeigt den Zustand, in dem Durchgangslöcher 14 im
Substrat 10 mittels Laserstrahl-Bearbeitung ausgebildet
werden. Die Durchgangslöcher 14 lassen
sich auf einfache Weise durch die Laserstrahl-Bearbeitung im Substrat 10 aus
mit Harz imprägniertem
Glasgewebe herstellen. Dank der Laserstrahl-Bearbeitung kann selbst
ein Durchgangsloch 14 mit einem Durchmesser, der kleiner
ist als 100 μm
und durch mechanisches Bohren schwer herzustellen ist, einfach und
genau gebildet werden.
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1(c) zeigt den Zustand, in dem eine Kupferfolie 30a durch
Erwärmen
und Pressen als Metallfolie mit einer Oberfläche des Substrats 10,
in dem die Durchgangslöcher 14 vorgesehen
sind, verbunden wird. Das Substrat 10 besteht aus Glasgewebe,
das mit nicht ausgehärtetem
wärmehärtendem Harz
imprägniert
ist, und das Harz schmilzt, wenn die Kupferfolie 30a erwärmt und
aufgepresst und so mit dem Substrat 10 verbunden wird,
dass es einen einstückigen
Körper
bildet. Dabei wird eine Sperrschicht 32a aus Nickel vorläufig auf
einer Oberfläche
der mit dem Substrat 10 zu verbindenden Kupferfolie 30a bereitgestellt
und die Kupferfolie 30a mit dem Substrat 10 verbunden,
wobei die Sperrschicht 32a als die mit dem Substrat 10 zu
verbindende Oberfläche
dient. Die Sperrschicht 32a verhindert, dass Weichlot in
die Kupferfolie 30a eindiffundiert, wodurch Hohlräume in der
Grenzfläche
entstehen würden,
die den Leitungswiderstand erhöhen,
wenn die Schaltungsstrukturen in einem späteren Prozess zwischen den
Schichten elektrisch verbunden werden.
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Wie
aus 1(c) zu ersehen ist, wird das Durchgangsloch 14 an
einer Seite verschlossen, wenn die Kupferfolie 30a mit
der einen Oberfläche des
Substrats 10 verbunden wird, so dass eine Ausnehmung 14a definiert
wird.
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1(d) zeigt den Zustand, in dem die galvanische
Beschichtung ausgeführt
worden ist, wozu als Spannungsversorgungsschicht die mit der einen Oberfläche des
Substrats 10 verbundene Kupferfolie 30a verwendet
wurde, um das Innere der Ausnehmung 14a mit dem leitfähigen Metall 34 zu
füllen.
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1(e) zeigt den Zustand, in dem eine Kupferfolie 30b mit
der anderen Oberfläche
des Substrats 10 durch Erwärmen und Pressen verbunden wird.
Auf der einen Oberfläche
der Kupferfolie 30b, die mit der anderen Oberfläche des
Substrats 10 verbunden wird, wird eine Sperrschicht 32b aus
Nickel vorläufig
auf die gleiche Weise wie zuvor beschrieben. Das leitfähige Metall 34 ist
ein Weichlot, da Weichlot bei Erwärmung schmilzt, wenn das leitfähige Metall 34 erwärmt und
auf die andere Oberfläche des
Substrats 10 gepresst wird, wie in 1(e) dargestellt,
um die Kupferfolie 30b mit dem leitfähigen Metall 34 zu
verschweißen.
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Da
das leitfähige
Metall 34 mit der Sperrschicht 32a durch die galvanische
Beschichtung verbunden wird, ist das leitfähige Metall 34 zuverlässig mit
der Kupferfolie 30a, die mit der einen Oberfläche des
Substrats 10 verbunden ist, elektrisch verbunden. Hinsichtlich
der anderen Oberfläche
des Substrats 10 dagegen wird die elektrische Leitung zwischen
dem leitfähigen
Metall 34 und der Kupferfolie 30b unzureichend,
wenn die Kupferfolie 30b nur mit dem Substrat 10 verbunden
ist. Da jedoch das leitfähige
Metall 34 schmilzt, wenn die Kupferfolie 30b auf das
Substrat 10 heißgepresst
wird, geht die Kupferfolie 30b eine innige Verbindung mit
dem Substrat 10 ein und wird mit dem leitfähigen Metall 34 während des
Heißpressens
der Kupferfolie 30b auf das Substrat 10 zuverlässig elektrisch
verbunden. Während das
Harz im Substrat 10 beim Verbinden der Kupferfolie 30b mit
dem Substrat 10 im nicht ausgehärteten Zustand ist, wird das
Harz durch Erwärmen
des Harzes auf den Schmelzpunkt, gefolgt von Abkühlen auf den Härtepunkt
vollständig
ausgehärtet,
um das Substrat 10 mit der Kupferfolie 30b zu
einem einteiligen Körper
zu verbinden. Selbst wenn im vorangegangenen Prozess der Laserstrahl-Bearbeitung
Risse im Harz des Substrats entstehen, werden diese durch den Prozess
der integralen Schmelzverbindung der Kupferfolie 30b mit
dem Substrat 10 "ausgebessert".
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1(f) zeigt den Zustand, in dem Schaltungsstrukturen 36 auf
gegenüberliegenden
Oberflächen
des Substrats 10 durch Ätzen
der Kupferfolien 30a, 30b und der damit verbundenen
Sperrschichten 32a, 32b ausgebildet werden. Die
auf beiden Oberflächen
des Substrats ausgebildeten Schaltungsstrukturen 36 sind über das
als leitfähige
Abschnitte geformte leitfähige
Metall 34 elektrisch miteinander verbunden. Das in 1(f) dargestellte Substrat bildet also eine Leiterplatte 38,
bei der die auf den beiden Oberflächen des Substrats ausgebildeten
Schaltungsstrukturen 36 über leitfähige Abschnitte elektrisch
miteinander verbunden sind.
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2 zeigt
detailliert einen in Patentdokument 1 offenbarten Prozess
zum Verfüllen
der Ausnehmungen 14a mit dem leitfähigen Metall 34 durch Beschichten
wie in 1(d) dargestellt ist. Es ist
zu beachten, dass in 2 das Substrat 10 ein
Silikonsubstrat mit einer Dicke im Bereich von 200 bis 250 μm ist, in
dem die Durchgangsbohrungen 14 mit einem Durchmesser von
60 μm und
einer Teilung von 100 bis 200 μm
ausgebildet sind.
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In
diesem Fall erfolgt die galvanische Beschichtung unter Verwendung
der Kupferfolie 30b, die mit einer Oberfläche des
Substrats 10 verbunden ist, als Spannungsversorgungsschicht.
Eine Anodenplatte 40 aus dem zu verfüllenden Metall ist an einer Seite
der anderen Oberfläche
des Substrats 10 in einer etwas vom Substrat 10 entfernten
Position angeordnet, und die galvanische Beschichtung wird in einem
geeigneten Tank (nicht dargestellt) zur galvanischen Beschichtung
durch das hinreichend bekannte Verfahren ausgeführt. Da die Kupferfolie 30a mit
der einen Oberfläche
des Substrats 10 verbunden ist, wird eine der gegenüberliegenden Öffnungen
des Durchgangslochs 14 durch die Kupferfolie 30a,
die die Spannungsversorgungsschicht ist, verschlossen. Da andererseits
die andere Öffnung
der Öffnungen der
Durchgangsbohrungen 14 frei und die Anodenplatte des Füllmetalls
in einer Position in geringem Abstand zum Substrat 10 angeordnet
ist, wird das leitfähige
Metall 34 auf der Kupferfolie 30a im Innern der
Durchgangsbohrungen 14 im Zuge des galvanischen Beschichtungsprozesses
abgeschieden, wodurch das leitfähige
Metall im Innern der Durchgangsbohrungen 14 aufwächst, so
dass das Innere der Durchgangsbohrungen 14 perfekt mit
dem leitfähigen
Metall gefüllt
wird.
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Bei
einer solchen galvanischen Beschichtung, bei der die Kupferfolie 30a als
Spannungsversorgungsschicht für
die Beschichtung dient, kann das Innere der Durchgangsbohrung 14 selbst
dann leicht mit dem leitfähigen
Metall 34 gefüllt
werden, wenn die Durchgangsbohrung einen kleinen Durchmesser hat. Dabei
kann während
der Ausführung
der galvanischen Beschichtung unter Verwendung der Kupferfolie 30a als
Spannungsversorgungsschicht für
die Beschichtung die frei liegende Oberfläche der Kupferfolie 30a insgesamt
mit einem Beschichtungs-Schutzfilm bedeckt werden, damit die Dicke
der Kupferfolie 30a nicht durch die Beschichtung bei der
Bildung des leitfähigen
Metalls zunimmt. Eine galvanische Beschichtung zum Füllen der
Ausnehmung 14a ist eine Beschichtung mit Weichlot, so dass
die Ausnehmung 14a mit Weichlot gefüllt ist.
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Gemäß der
JP-A 10-275966 wird
ein Anschlussstift in ein Durchgangloch eingeführt, das mit einer Leiteranordnung
einer gedruckten Platine verbunden ist, die über den Anschlussstift mit
einem Kontaktflecken eines gepaarten Substrats verbunden ist. Der
Anschlussstift besteht aus einem Material, das bei der Temperatur,
bei der der Anschlussstift mit dem gepaarten Anschlussflecken heißbondiert
wird, nicht schmilzt, und hat einen Bondierungskopf, der einen mit
dem gepaarten Kontaktflecken zu verbindenden Abschnitt bildet und
dessen Durchmesser größer ist
als die Öffnung
des Durchgangslochs sowie einen Schenkel mit einer solchen Größe, dass
er in das Innere des Durchgangslochs eingeführt werden kann. Der Schenkel
wird mit dem Durchgangsloch durch ein leitfähiges Material wie Weichlot,
das in das Durchgangsloch eingebracht worden ist, verbunden.
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Wie
in der oben beschriebenen
JP-A 2003-332705 dargelegt ist die galvanische
Beschichtung als ein Verfahren zum Verfüllen des Durchgangslochs der
Leiterplatte mit leitfähigem
Material insbesondere dann problematisch, wenn der Innendurchmesser
des Durchgangslochs klein ist, weil das Aufwachsen des leitfähigen Materials
im Durchgangsloch langwierig ist, die Aufwachsgeschwindigkeit des
leitfähigen
Materials im mittleren Bereich des Durchgangslochs gering ist, während sie
im Bereich der Wandoberfläche
und des Umfangsbereichs in der Nähe
desselben relativ hoch ist, so dass nicht mit einem gleichmäßigen Aufwachsen
des leitfähigen
Materials gerechnet werden kann, und Luftblasen im leitfähigen Material
während
der Abscheidung des Metalls bei der galvanischen Beschichtung auftreten und
Hohlräume
darin bilden können,
die ein dichtes Aufwachsen des leitfähigen Materials beeinträchtigen.
Um solche Probleme zu lösen,
kann z. B. die Beschichtungslösung
im Galvaniktank gerührt
werden. Ein zufrieden stellendes Ergebnis ist jedoch nicht erzielt
worden.
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Eine
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines
Verfahrens zur Herstellung eines Halbleitersubstrats, mit dem es
möglich
ist, das Innere eines Durchgangslochs gleichmäßig und rasch mit leitfähigem Material
zu füllen,
wenn das Durchgangsloch des Substrats mit leitfähigem Material verfüllt wird.
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Um
die oben genannte Aufgabe zu lösen, wird
gemäß der vorliegenden
Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats
bereitgestellt, das die folgenden Schritte aufweist: Ausbilden von
Durchgangslöchern
in einem Substrat, Aufbringen von geschmolzenem Weichlot auf einer Oberfläche des
Substrats und Pressen des Weichlots mittels einer Presse auf das
Substrat, wobei eine Erwärmung
stattfindet, um das Weichlot zu schmelzen, mit dem die Durchgangslöcher im
Substrat zu füllen sind.
Dadurch ist es möglich,
das Weichlot, bei dem es sich um ein leitfähiges Material handelt, bei
niedrigen Kosten in die Durchgangslöcher des Halbleitersubstrats
zu füllen,
und die Fülloperation
des leitfähigen
Materials in die Durchgangslöcher
des Substrats in kürzerer
Zeit auszuführen.
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Um
die Benetzung der Wand des Durchgangslochs im Substrat mit dem Weichlot
zu unterstützen,
wird vorläufig
ein Mittel zur Verbesserung des Benetzungsvermögens auf das Durchgangsloch im
Substrat aufgebracht. In diesem Fall wird als Mittel zur Verbesserung
des Benetzungsvermögens
ein Flussmittel mit relativ geringer Viskosität verwendet. Durch eine solche
Behandlung zur Verbesserung des Benetzungsvermögens zwischen der Wandoberfläche des
Durchgangslochs im Substrat und dem Weichlot ist es möglich, das
leitfähige
Material in kurzer Zeit dicht in das Durchgangsloch des Halbleitersubstrats
zu füllen.
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Wenn
das Weichlot mit der Presse auf das Halbleitersubstrat gepresst
wird, wird das Weichlot von der gegenüberliegenden Seite des Substrats
angesaugt. Durch eine derartige Saugwirkung von der gegenüberliegenden
Seite kann der von der Presse aufgebrachte Druck verstärkt werden,
um die zum Füllen
des leitfähigen
Materials in das Durchgangsloch von einer zur anderen Oberfläche des
Substrats erforderliche Zeit zu verkürzen.
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Die
Pressoperation des Weichlots auf das Substrat durch die Presse erfolgt
in einer Unterdruckumgebung. Durch Ausführen der Pressoperation in
einer solchen Unterdruckumgebung nimmt die Oberflächenspannung
des Weichlots beim Füllen des
Weichlots in das Durchgangsloch des Halbleitersubstrats ab, wodurch
das leitfähige
Material dicht in einer kürzeren
Zeit in das Durchgangsloch des Substrats gefüllt werden kann.
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Kurzbeschreibung der Zeichnungen
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Die
vorliegende Erfindung wird nachstehend ausführlicher unter Bezugnahme auf
die beiliegenden Zeichnungen beschrieben; es zeigen:
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1(a), 1(b), 1(c), 1(d), 1(e) und 1(f) nacheinander
Prozesse im Stand der Technik zur Herstellung einer Leiterplatte;
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2 einen
Prozess zum Verfüllen
des Durchgangslochs durch die galvanische Beschichtung gemäß dem Stand
der Technik; und
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3 ein
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats, das einen Prozess
zum Verfüllen des
Durchgangslochs mit einer Presse gemäß der vorliegenden Erfindung
enthält.
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Beschreibung der bevorzugten
Ausführungsform
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In 3 besteht
das Halbleitersubstrat 10 vorzugsweise aus einem Isoliermaterial
wie z. B. einem Keramikmaterial und ist z. B. ein Silikonsubstrat. Es
kann ein harzhaltiges Isoliersubstrat wie ein Glasepoxydsubstrat
verwendet werden. In einem solchen Fall wird ein Substrat mit hoher
Wärmebeständigkeit
verwendet. Dies begründet
sich daraus, dass der Schmelzpunkt eines Zinn-/Silberweichlots 260°C beträgt.
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Das
Silikonsubstrat 10 hat z. B. eine Dicke im Bereich von
200 bis 250 μm
und ist mit einer Reihe Durchganglöcher 14 mit einem
Durchmesser von 60 μm
versehen, die mit einer Teilung im Bereich von 100 bis 200 μm angeordnet
sind. Obwohl der Prozess zur Ausbildung der Durchgangslöcher 14 nicht dargestellt
ist, werden sie durch Laserstrahlbearbeitung oder Präzisionsbohren
auf die gleiche Weise wie im Stand der Technik hergestellt.
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Vor
dem anschließenden
Pressprozess wird das Durchgangsloch 14 des Silikonsubstrats 10 mit einem
Flussmittel zum Bilden eines Films bedeckt, der das Benetzungsvermögen zwischen
der Wand des Durchgangslochs 14 und dem Weichlot verbessert.
Das vorzugsweise verwendete Flussmittel hat eine möglichst
niedrige Viskosität.
Um die Benetzung des das Substrat 10 bildenden Silikonmaterials
zu unterstützen,
wird vorzugsweise ein dünner
Kupferfilm 14a vorläufig
auf der Wandoberfläche
des Durchgangslochs 14 durch Sputtern oder Beschichten
ausgebildet.
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Danach
wird ein plattenartiges Weichlot 42 auf einer Oberfläche des
Silikonsubstrats 10 angebracht. Das Weichlot 42 ist
vorzugsweise Zinn-/Silberlot mit einem relativ hohen Schmelzpunkt
von ca. 260°C.
Alternativ kann ein Zinn-/Blei-Weichlot mit hohem Bleianteil verwendet
werden. Die Größe des plattenartigen
Weichlots 42 ist so zu wählen, dass es eine solche Fläche hat,
dass es eine Zone des Silikonsubstrats 10 mit einer Reihe
Durchgangslöcher 14 (z.
B. eine Fläche
von 10 mm2) abdeckt und ein Volumen, das
größer ist
als das Gesamtvolumen sämtlicher
zu verfüllender
Durchgangslöcher 14.
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Damit
das Weichlot 42 im anschließenden Pressprozess in kürzerer Zeit
schmilzt, wird das Silikonsubstrat 10 vorzugsweise selbst
vorläufig
auf ca. 150°C
erwärmt,
wenn das plattenartige Weichlot 42 auf dem Silikonsubstrat 10 angebracht
ist. Dadurch wird vor dem anschließenden Pressprozess das Weichlot 42 auf
eine Temperatur nahe 150°C,
der Temperatur des Silikonsubstrats 10, erwärmt.
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Das
plattenartige Weichlot 42 wird von der Presse 40 von
einer Oberfläche
des Silikonsubstrats 10 aus, auf der das plattenartige
Weichlot 42 angeordnet ist, aufgepresst und erwärmt. Die
Presse 40 wird vorläufig
auf eine Temperatur über
dem Schmelzpunkt des Weichlots 42 erwärmt (wenn das Weichlot 42 ein
Zinn-/Silberlot ist, beträgt
der Schmelzpunkt 260°C).
Nachdem das plattenartige Weichlot 42 von der Presse 40 aufgepresst
worden ist, wird folglich Wärme
der Presse an das plattenartige Weichlot 42 übertragen,
um es zu schmelzen. Bei Einsetzen des Schmelzens des Weichlots 42 wird die
Presse 40 unter Krafteinwirkung zu der einen Oberfläche des
Silikonsubstrats 10 bewegt, um das geschmolzene und fluidisierte
Weichlot 42a in die Durchgangslöcher 14 des Silikonsubstrats 10 zu pressen.
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Um
das plattenartige Weichlot 42 rascher zu erwärmen, können zusätzlich zur
Erwärmung
der Presse 40 selbst weitere Heizmittel wie ein elektrisches
Heizgerät
um das plattenartige Weichlot 42 herum bereitgestellt werden.
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Da
der Film 14a zur Verbesserung der Benetzung durch das Lot
vorläufig
auf der Wandoberfläche
des Durchgangslochs 14 im Silikonsubstrat 10 aufgebracht
wird, wird der nachteilige Effekt der Oberflächenspannung des Lots abgeschwächt, wenn das
fluidisierte Weichlot 42a in das Durchgangsloch 14 fließt, wodurch
das Lot auf vorteilhafte Weise in innigem Kontakt mit der Wandoberfläche des
Durchgangslochs kommt.
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Ein
geeignetes Sauggerät
(nicht dargestellt) ist zum Ansaugen des fluidisierten Weichlots 42a von der
anderen Oberflächenseite
des Silikonsubstrats 10 bereitgestellt, um das Fließen des
Weichlots 42a in das Durchgangsloch 14 zu unterstützen, wenn
das plattenartige Weichlot 42 von der Presse 40 von
der einen Oberflächenseite
des Silikonsubstrats 10 her aufgepresst wird, wodurch die
Bewegung des fluidisierten Weichlots 42a im Durchgangsloch 14 beschleunigt
wird. Alternativ können
die Geräte
einschließlich
der Presse 40 bei einem verringerten Druck betrieben werden.
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Wenn
das Durchgangsloch 14 des Silikonsubstrats 10 mit
dem Weichlot 42a gefüllt
ist, wird die Presse 40 vom Silikonsubstrat 10 wegbewegt,
und das auf der Oberfläche
des Silikonsubstrats 10 anhaftende restliche Weichlot wird
entfernt. Damit ist die Operation beendet.
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Die
vorliegende Erfindung ist oben auf Basis ihrer bevorzugten Ausführungsform
anhand der beiliegenden Zeichnungen beschrieben worden. Die vorliegende
Erfindung ist jedoch nicht auf die obige Ausführungsform beschränkt, sondern
umfasst verschiedene Änderungen
und Modifikationen, ohne vom Gültigkeitsbereich
der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
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Wie
oben beschrieben werden gemäß der vorliegenden
Erfindung Durchgangslöcher
in einem Halbleitersubstrat ausgebildet und ein Weichlot auf einer
Oberfläche
desselben angeordnet, das erwärmt
und geschmolzen wird, um das Durchgangsloch im Substrat damit zu
füllen,
wodurch es möglich ist,
die Durchgangslöcher
gleichmäßig und
rasch mit dem leitfähigen
Material zu füllen,
was in einem dichten Verbindungsloch resultiert.