DE60132460T2 - Sensoreinheit, insbesondere für Fingerabdrucksensoren - Google Patents

Sensoreinheit, insbesondere für Fingerabdrucksensoren Download PDF

Info

Publication number
DE60132460T2
DE60132460T2 DE60132460T DE60132460T DE60132460T2 DE 60132460 T2 DE60132460 T2 DE 60132460T2 DE 60132460 T DE60132460 T DE 60132460T DE 60132460 T DE60132460 T DE 60132460T DE 60132460 T2 DE60132460 T2 DE 60132460T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sensor
substrate
sensor chip
finger
electrically conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60132460T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60132460D1 (de
Inventor
Mathiassen Svein
Ovidiu Vermesan
Jon Nysather
Bjørn Erik SEEBERG
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idex Biometrics ASA
Original Assignee
Idex ASA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idex ASA filed Critical Idex ASA
Publication of DE60132460D1 publication Critical patent/DE60132460D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60132460T2 publication Critical patent/DE60132460T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/1335—Combining adjacent partial images (e.g. slices) to create a composite input or reference pattern; Tracking a sweeping finger movement
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1306—Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16235—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15321—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Miniatursensorchip zum Messen von Strukturen in einer Oberfläche, insbesondere zum Messen von Strukturen in einer Fingeroberfläche.
  • Fingerabdrucksensoren auf der Basis einer kapazitiven Kopplung eines AC-Signals von der Fingeroberfläche mit Matrix-Sensorelementen sind z. B. aus der WO 98/58 342 gut bekannt.
  • Die US-Patente 5 963 679 und 6 069 970 beschreiben ähnliche Sensoren auf der Grundlage verschiedener Messprinzipien und mit zweidimensionalen Sensormatrizes.
  • Für spezialisierte Anwendungen, z. B. um in Mobiltelefonen oder einem Lap-Top-PC befestigt zu werden, ist es jedoch wichtig, die Sensoren so klein wie möglich herzustellen. Solche Miniatursensoren werden auch kostengünstig sein, wenn sie unter Verwendung von Herstellungsverfahren gefertigt werden, die für eine Massenproduktion geeignet sind.
  • Die Herstellung von integrierten Schaltkreisen aus Silizium ist ein Verfahren, das auf diese Weise eine Miniaturisierung mit niedrigen Produktionskosten kombiniert. Die US-Patente 5 963 679 und 6 069 970 wie auch Shigematsu et al. in „A 15 × 15 mm2 Single-Chip Fingerprint Sensor and identifier using Pixel-Parallel Processing", 1999 IEEE International Solid state Circuits Conference, TA 7.5, (1999) und Inglis et al in „A robust, 1,8 V 250 μW Direct-Contact 500 dpi Fingerprint Sensor", 1998 IEEE International Solid state Circuits Conference, SA 17.7, (1998) beschreiben derartige kapazitive Fingerabdrucksensoren, bei denen die Hauptaufgabe darin besteht, die kapazitiven Sensorelemente mit Verstärker- und elektronischen Schaltkreisen für eine Signalbehandlung in einem Einzelschaltkreis aus Silizium oder einem anderen Halbleitermaterial zu integrieren. Zusätzlich zu dem hohen Grad an Miniaturisierung sieht dieses Konzept Vorteile in Bezug auf die Signalqualität vor, da die Verstärkerelektronik nahe an den kapazitätsempfindlichen Elementen in der Sensormatrix positioniert werden können. Die Empfindlichkeit gegenüber Rauschen und parasitären kapazitiven Kopplungen kann daher auf ein Minimum reduziert werden. Der Anspruch 1 ist gegenüber diesem Stand der Technik abgegrenzt.
  • Der Nachteil in Bezug auf solche „integrierte" Sensoren ist jedoch der, dass solche Halbleiterschaltkreise für einen direkten Kontakt mit der Umgebung nicht geeignet sind und daher mit einem Gehäuse versehen sein müssen, das die Schaltkreise vor Feuchtigkeit, Verschleiß, Korrosion, chemischen Stoffen, elektronischem Rauschen, mechanischen Einflüssen, elektrischen Sonnenlichtentladungen etc. schützt. Das US-Patent 5 862 248 sieht eine mögliche Lösung für dieses Problem vor, bei der der Schaltkreis auf solch eine Weise umschlossen ist, dass zugelassen wird, dass der Finger durch eine Öffnung in der Oberseite des Gehäuses mit der empfindlichen Oberfläche des Sensors direkt in Kontakt gelangen kann.
  • In vielen Fällen wird diese Lösung nicht ausreichend sein, um die erforderliche Zuverlässigkeit bereitzustellen. Die Materialien (Metall, Nichtleiter), die auf der Oberfläche der integrierten Schaltkreise verwendet werden, sind üblicherweise nicht ausreichend zuverlässig, um dem Einfluss der äußeren Umgebung und einem Kontakt mit dem Finger über eine längere Zeitspanne standzuhalten, und daher wird auch diese Lösung zu Zuverlässigkeitsproblemen führen. Die Probleme können reduziert werden, indem zusätzliche Schichten aus Metall und Nichtleitern auf der Chip oberfläche hinzugefügt werden, wie in dem US-Patent 6 069 970 beschrieben. Solche Schichten werden jedoch im Allgemeinen die Produktionskosten erhöhen und Kompatibilitätsprobleme mit dem Halbleiterverfahren (in Bezug auf die Verarbeitungstemperatur, schwankende Abmessungen auf Grund von Temperaturdifferenzen etc.) mit sich bringen.
  • Ein weiteres Problem mit dem in dem US-Patent 5 862 248 beschriebenen Gehäuse besteht darin, dass die Öffnung, die nach unten zu der Oberfläche des Schaltkreises führt, eine Differenz in der Höhe zwischen der empfindlichen Oberfläche des Sensors und der Gehäusefläche im Allgemeinen vorsieht, was beim Gebrauch unvorteilhaft ist. Gleichzeitig kann das Verfahren nicht standardmäßige und kostspielige Packungsverfahren zum Befestigen und Koppeln mit dem Sensorschaltkreis erfordern.
  • Die US-Patente 5 963 679 und 6 069 970 wie auch die Artikel, auf die oben stehend Bezug genommen wurde, beruhen alle auf dem Prinzip einer zweidimensionalen Matrix. Ein Nachteil besteht darin, dass die Sensoren zu kostspielig für eine Anzahl von Anwendungen sein werden, da sie eine Siliziumfläche mit einer Größe im Bereich von 12·12 mm benötigen, um eine Abbildung des gesamten Fingerabdrucks vorsehen zu können. Der Herstellungspreis für die integrierten Schaltkreise ist ungefähr proportional mit der Siliziumfläche, sodass eine Reduktion dieser Fläche Kosten sparen wird.
  • Das Problem mit einer solchen Siliziumfläche kann bis zu einem gewissen Grad mit sogenannten „Liniensensoren" oder Scannern ( WO 98/58 342 ), die aus einer oder mehreren Linien („eindimensionale” Matrix) von Sensorelementen bestehen, vermieden werden. Die Idee besteht darin, dass solche Sensoren eine Abbildung eines über dem Sensor bewegten Fingers bereitstellen können. Durch Abtasten des Signals von den Sensorelementen in gewählten Zeitintervallen und Messen der Geschwindigkeit des Fingers kann die Struktur des Fingerabdrucks bestimmt werden. Daher kann der integrierte Schaltkreis, der so lang sein muss wie die Breite des Fingerabdrucks, viel schmaler sein und daher eine weit kleinere Fläche aufweisen als der entsprechende Sensor, der auf einer zweidimensionalen Matrix beruht. Die Erfahrung in der Produktion zeigt allerdings, dass solche langen, schmalen Siliziumschaltkreise schwierig zu handhaben sind und daher einen gewissen Anteil an Bruch bei der Herstellung aufweisen, während. sie gleichzeitig schwächer sind, wenn sie äußeren Einflüssen wie z. B. der Kraft von einer Fingeroberfläche ausgesetzt sind.
  • Es ist das Ziel der vorliegenden Erfindung, eine kostengünstige Miniatursensorlösung sicherzustellen, die das technische Risiko bei einem Einfluss der äußeren Umgebung auf den Sensor eliminiert, was ohne die Verwendung einer spezialisierten oder nicht standardmäßigen Verpackungstechnologie realisiert werden kann, was die Notwendigkeit eines integrierten elektronischen Schaltkreises mit derselben Größe wie der Fingerabdruck, den man abbilden will, eliminiert, und wobei der Schaltkreis nicht so lang sein muss wie die Fingerbreite. Dieses Ziel wird durch Verwendung eines Sensorchips erreicht, der in dem unabhängigen Anspruch 1 beschrieben ist.
  • Die Erfindung betrifft daher ein Substrat, das eine Grenzfläche gegen die Finger eines Benutzers bildet, mit einem Halbleiterschaltkreis an der entgegengesetzten Seite des Substrats integriert ist und eine Verstärkungs- und Signalbehandlungselektronik zum Lesen der Signale von dem Finger umfasst. Das Prinzip beruht auf einer Positionierung des bildgebenden Sensorelements an der oberen Seite des Substrats, und dass sie durch sogenannte Kontaktlöcher mit der Abfrageelektronik auf der entgegengesetzten Seite des Substrats gekoppelt sind. Die Abfrageelektronik ist vor zugsweise ein „nackter" (unverpackter) integrierter Siliziumschaltkreis (ASIC), der unter Verwendung einer gut bekannten Technologie auf der Rückseite des Substrats befestigt ist.
  • Keramische Substrate mit kundenspezifischen Kontaktlöchern sind im Handel sowohl als keramische Platten mit gebohrten oder metallgefüllten Löchern als auch als sogenannte LTCC (Low Temperature Cofired Ceramic = Niedertemperatur-Einbrand-Keramik)-Strukturen erhältlich. Die Kosten pro Fläche für solche keramischen Substrate sind derzeit deutlich niedriger als die Produktionskosten für Siliziumschaltkreise. Eine solche Hybridlösung wird daher einen sehr kompakten Sensor mit niedrigeren Produktionskosten als für einen integrierten Sensor, der mit herkömmlichen Verpackungstypen aus Kunststoff oder Keramik kombiniert ist, vorsehen.
  • Indem man Leiter von den Positionen der Sensorelemente entweder an der Vorder- oder der Rückseite des Substrats zu den Abfrage-Eingangs-Kontakten führt, stellt man die Fläche des Abfrageschaltkreises unabhängig von der Sensorform her. Es ist daher möglich, einen Abfrageschaltkreis mit einer beliebigen Form und Größe zu verwenden. Dies wird die Produktionskosten deutlich reduzieren. Zusätzlich zu einem solchen Kosteneffekt besitzt die Kombination aus Substrat und Halbleiterschaltkreis den Vorteil, dass sie viel von der technologischen Unsicherheit in Bezug auf äußere Einflüsse eliminiert, da das Substrat an sich einen Schutz vor vielen der oben erwähnten Einflüsse bereitstellen wird, und dass sie eine größere Flexibilität bei der Wahl der Materialien, die in direktem Kontakt mit dem Finger stehen sollen, bezüglich Verschleiß, Zuverlässigkeit, Feuchtigkeitsaufnahme etc. besitzt.
  • Die vorliegende Lösung lässt auch eine elegante Implementierung von Metallelektroden und ähnlichen Strukturen an der Vorderseite des Substrats zu, um Funktionalität und sichere, erhöhte Signalqualität hinzuzufügen, wie z. B. eine Modulationselektrode (zum Koppeln einer AC-Spannung in den Finger) und eine Aktivierungszelle zum Detektieren des Vorhandenseins eines Fingers. Solche Metallelektroden werden auch eine wichtige Funktion dabei erfüllen, den Strom in Bezug auf die elektronischen Entladungen z. B. von einem Finger wegzuleiten.
  • Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf die Verwendung von keramischen Substraten beschränkt. Es ist auch möglich, dieselbe Struktur auf der Basis von Substraten aus Glas, Materialien auf Kunststoffbasis, z. B. Leiterplatten und Silizium, zu realisieren, sofern sie elektrisch isoliert ist, um eine Isolierung zwischen den elektrischen Leitern durch oder an dem Substrat vorzusehen.
  • Durch Verwenden von Siliziumsubstraten kann man auch einfache, aktive Komponenten wie z. B. Transistoren, Dioden und Widerstände in Erwägung ziehen, um z. B. Vorverstärker und andere Komponenten entweder an der Vorder- oder der Rückseite des Substrats direkt in dem Substrat zu realisieren. Im letzteren Fall kann es auch von Vorteil sein, Siliziumverfahren zu verwenden, die deutlich weniger kostspielig pro Fläche sind als typische Verfahren, die zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen verwendet werden wie z. B. CMOS oder BiCMOS. Solch eine Lösung mit einem „aktiven" Siliziumsubstrat besitzt gemeinsame Merkmale mit einigen der oben erwähnten Patente, in denen der Sensor auf einem integrierten Schaltkreis beruht. Allerdings unterscheidet sich das vorgeschlagene Konzept von diesen Patenten in der Verwendung von Kontaktlöchern durch das Siliziumsubstrat, um die Signale von den Elementen zu einem Signalbehandlungsschaltkreis an der Rückseite des Substrats zu leiten.
  • Die vorliegende Erfindung wird in größerem Detail unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben, die die Erfindung beispielhaft veranschaulichen.
  • 1 zeigt einen Querschnitt einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung (schematisch).
  • 2 zeigt einen Querschnitt einer alternativen, vereinfachten Ausführungsform der Erfindung (schematisch).
  • 3 zeigt einen Aufriss der Verteilung von Sensorpunkten gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung.
  • 4 zeigt eine kombinierte Modulationselektrode und Aktivierungszelle zum Positionieren auf einem Sensorchip gemäß der Erfindung.
  • 5 zeigt eine Variante der in 2 veranschaulichten alternativen Ausführungsform.
  • 6 zeigt eine mögliche Ausführungsform der Sensoranordnung, wenn sie in Anwendungen für eine Navigation/Maus verwendet wird.
  • Wie aus den 1 und 2 ersichtlich, besteht der Sensorchip gemäß der Erfindung vorzugsweise aus einem nackten (unverpackten) Siliziumchip 1, der mit einem keramischen Substrat 2 integriert ist, welches die Grenzfläche gegen die Finger des Benutzers bildet. Das Prinzip beruht darauf, dass die bildgebenden Sensorelemente 3 an der Vorderseite des Substrats positioniert sind, und dass sie durch sogenannte Kontaktlöcher 4 mit der Ab frageelektronik an der Rückseite des Substrats gekoppelt sind. Wie oben erwähnt, wird das Substrat 2 vorzugsweise aus einem keramischen Material hergestellt sein, es sind aber auch andere Lösungen, z. B. Glas, Materialien auf Kunststoffbasis (z. B. Platinen/Glasfaserschichtstoffe) und Silizium, vorstellbar.
  • Die vorliegende kombinierte Lösung (Substrat 2 und nackter Chip 1) kann industriell integriert werden, indem der Siliziumchip in die Rückseite des Substrats befestigt wird und unter Verwendung einer gut bekannten Technologie hier mit den Leitungsanschlüssen gekoppelt ist. Eine sehr kompakte Lösung wird durch Verwendung der sogenannten Flip-Chip-Technologie, z. B. mit sogenannten Lötkontakthügeln 5, erhalten. Eine andere Lösung kann darin bestehen, den Chip an das Substrat zu kleben und eine elektrische Kopplung mit dem Substrat durch sogenanntes Drahtbonden zu erhalten. Es sind auch Verfahren vorstellbar, in denen der Siliziumschaltkreis auf eine geeignete Weise, um einen elektrischen Kontakt zu erhalten, zu dem Substrat gerichtet beschichtet wird. Im Fall des Siliziumsubstrats ist es auch möglich, dass der separate elektronische Schaltkreis nicht notwendig ist, da viele der erforderlichen Komponenten direkt in die Rückseite des Substrats integriert sind.
  • Für einen elektrischen Kontakt von Eingangs- oder Ausgangsschnittstellen des Sensorchips und um die Komponente auf einem darunter liegenden Komponententräger zu befestigen, kann die Unterseite des Substrats mit sogenannten BGA(Ball Grid Array)-Kugeln 13 versehen sein, was ebenfalls eine Standardtechnologie darstellt.
  • Um die erforderliche Funktionalität für das auf der Kapazität beruhende Messprinzip vorzusehen, ist das Substrat mit einer Anzahl von Schichten wie z. B. in 1 offenbart, versehen. Die Fig. beschreibt eine mögliche Lösung und stellt keine Einschränkung in Bezug auf andere Kombinationen von Schichten dar.
  • Die vorgesehenen Schichten an dem Substrat, die in den 1 und 2 gezeigt sind, zeigen Beispiele für den Aufbau des Substrats und werden nachfolgend beschrieben. Ein geschichteter Aufbau mit einem dünnen Film oder einem dicken Film an einem keramischen oder anderen Arten von Substraten ist eine gut bekannte Technologie, mit Ausnahme der Funktionalität der einzelnen Schichten und der Kombination derselben, die durch die vorliegende Erfindung abgedeckt sind, insbesondere in Bezug auf Fingerabdrucksensoren als eine Variante des in der internationalen Patentanmeldung Nr. PCT/NO98/00 182 beschriebenen Sensors, der eine im Wesentlichen lineare Sensoranordnung 11 umfasst, wie in 3 gezeigt. 3 zeigt auch sekundäre Sensorgruppen 12, die unter anderem für Geschwindigkeitsmessungen an einem relativ zu dem Sensor bewegten Finger verwendet werden können, wie in der oben erwähnten Patentanmeldung beschrieben. Ein linienförmiger Sensor besitzt den großen Vorteil, dass er viel weniger Platz und besondere Kanäle benötigt als ein zweidimensionaler Sensor mit derselben Auflösung, sodass er mit niedrigeren Kosten hergestellt werden kann.
  • In 1 bildet die erste Metallschicht 6 die bildgebenden Sensorelemente 3 und Leitungsanschlüsse 6 von den Elementen zu den Kontaktlöchern 4 durch das Substrat 2 zu den darunter liegenden „Lötkontakthügeln" 5 über einen kopfüber direkt montierten ASIC 1. Wie erwähnt, können die Sensorelemente, wie in 3 beschrieben, als eine Variante der patentierten Lösung in dem norwegischen Patent Nr. 304 766 (das der PCT/NO98/00 182 entspricht) angeordnet sein. Die erste dielektrische Schicht 7 in 1 dient als eine Isolierschicht zwischen den Leitungsanschlüssen in der ersten Metallschicht und der Erdungsebene der zweiten elektrisch leitenden Schicht 8. Diese Schicht 7 kann die gesamte Substratoberfläche abdecken. Die Schicht bildet auch einen Teil der gesamten dielektrischen Dicke (Isolierung) zwischen dem Finger und dem Sensorelement. Um die geometrische Auflösung zu bewahren, darf die Schicht im Bereich direkt über den Sensorpunkten nicht zu dick sein. In diesem Bereich ist die dielektrische Dicke vorzugsweise so groß oder kleiner als die Distanz zwischen den Sensorpunktzentren. Gleichzeitig muss sie ausreichend dick sein, um (zusammen mit der nächsten dielektrischen Schicht und weiterer Elektronik zum Schutz vor elektrostatischer Entladung) eine elektrische Leitung (bei elektrostatischen Entladungen) von der Sensoroberfläche zu den Sensorelementen zu verhindern.
  • In Abhängigkeit von der Dicke der ersten dielektrischen Schicht 7 und der Geometrie der Leitungsanschlüsse wird eine parasitäre Kapazität zwischen den Leitungsanschlüssen und der Erdungsebene entstehen, die zu einer Reduktion des gesamten Messsignals beitragen wird. Um den Einfluss solch einer parasitären Impedanz zu reduzieren, muss die Schicht eine bestimmte Dicke aufweisen.
  • Eine Variante der vorgeschlagenen Geometrie kann gebildet werden, indem die dielektrische Schicht 7 mit einer variierenden Dicke vorgesehen wird, sodass die Dicke am kleinsten im Bereich direkt über den Sensorelementen und dicker zwischen den Leitungsanschlüssen in der elektrisch leitenden Schicht 6 und der Erdungsebene 8 ist.
  • In dem Fall, in dem das Substrat aus Silizium hergestellt ist, ist es möglich, die Messkapazität durch eine in Sperrrichtung geschaltete Diode zu ersetzen oder zu ergänzen. Durch Ändern der Spannung über dieser Diode ist es möglich, die Kapazität der Diode zu ändern, sodass die Empfindlichkeit des Sensors unter Verwendung der voreingestellten Spannung über der Diode gesteuert werden kann. Es ist möglich, die Diode aus einem Basis-Emitter in einem bipolaren Transistor, der Teil eines Vorverstärkers ist, zu bilden.
  • Die zweite Metallschicht 8 bildet eine Erdungsebene oder eine Ebene mit einem anderen vorbestimmten Potential, die die Leitungsanschlüsse etc. gegen ein Rauschen und gegen ein direktes Koppeln des AC-Signals von dem Finger oder von der Modulationselektrode 10 abschirmt. Die Erdungsschicht 8 ist vorzugsweise derart gebildet, dass sie alle Leitungsanschlüsse an der darunter liegenden ersten Metallschicht 6 abdeckt, muss jedoch Fenster über den Sensorelementen 3 aufweisen. Die Öffnungen in der Erdungsebene 8 über den Sensorelementen 3 tragen dazu bei, das elektrische Feld durch einen „Linsen"-Effekt und somit die kapazitive Kopplung zwischen dem Finger und den Sensorelementen zu formen. Die Konstruktion des Sensorelements 3 und der Öffnung in der zweiten Metallschicht kann optimiert werden, um die Signalstärke zu maximieren, ohne die geometrische Auflösung zu reduzieren.
  • Eine Variante der vorgeschlagenen Geometrie kann erhalten werden, indem Kontaktlöcher weiter durch die erste und die zweite Metallschicht 6, 8 über dem Sensorelement 3 hergestellt werden, sodass das Element nach oben zu der zweiten Metallschicht 8 bewegt wird. Auch die Verwendung von zwei Erdungsschichten zum Verbessern des Abschirmungseffekts ist vorstellbar. Die zweite dielektrische Schicht sollte zwischen der Erdungsebene 8 und der äußeren Metallschicht 10 isoliert sein. Die Schicht besitzt auch (zusammen mit der Elektronik zum Schutz vor elektrischer Entladung) eine wichtige Funktion zum Verhindern eines elektrischen Durchschlags (durch elektrostatische Entladungen) zwischen der zweiten Metallschicht und der äußeren Metallschicht 10 und muss daher ausreichende dielektrische Eigenschaften für diesen Zweck besitzen. Die Schicht bildet auch (wie oben erwähnt) einen Teil der gesamten dielektrischen Dicke (Isolierung) zwischen dem Finger und dem Sensorelement 3. Um die geometrische Auflösung des Sensors beizubehalten, sollte sie jedoch nicht zu dick sein. Da die äußere Metallschicht 10 aus Gründen der Elektrik die Fläche über dem Sensorelement 3 abdeckt, wird der Finger in direkten Kontakt mit der zweiten dielektrischen Schicht 9 gelangen. Diese Schicht sollte daher hart und verschleißfest sein, um einem Verschleiß und Bruch wie auch chemischen Einflüssen von der äußeren Umgebung und von dem Finger der Benutzer und anderen Objekten standzuhalten.
  • Die äußere Metallschicht 10 ist die oberste Schicht, wenn das Ziel darin besteht, eine Modulationsfrequenz, wie in der internationalen Patentanmeldung Nr. PCT/NO98/00 182 erwähnt, in den Finger vorzusehen, um eine gute Signalqualität sicherzustellen und wie in 4 veranschaulicht. Sie muss daher elektrisch leitend mit einer guten Kopplung mit dem Finger sein und derart geformt sein, dass ein Teil des Fingers während Messungen immer in Kontakt mit dieser Schicht steht. Gleichzeitig muss sie hart und verschleißfest sein, um einem Verschleiß und Bruch wie auch chemischen Einflüssen von der äußeren Umgebung und von dem Finger der Benutzer standhalten zu können. Chrom ist ein mögliches Metall für diesen Zweck.
  • Die Modulationselektrode 10 kann mit einer zugewiesenen Ansteuerschaltung (nicht gezeigt) gekoppelt sein, die wiederum für eine verbesserte Steuerung der vorgesehenen Modulationen mit den Sensoren gekoppelt sein kann, vorzugsweise jedoch mit einem Oszillator verbunden sein wird, der einen Teil der montierten elektronischen Schaltkreise 1 bildet. Die Leitungsanschlüsse der Modulationselektrode 10 können auf dieselbe Weise wie die anderen Leiter 4 durch die verschiedenen Schichten und das Substrat 2 geführt sein.
  • Solch eine Modulationselektrode kann mit einer z. B. kapazitiven Aktivierungszelle kombiniert sein und kann daher verwendet werden, um die Aktivierung des Sensors von einem Schlafzustand zu einer aktiven Verwendung zu steuern, um den Energieverbrauch des Sensors zu minimieren.
  • Eine kapazitive Aktivierungszelle kann z. B. als eine ineinander greifende Fingerkapazität hergestellt sein, die aus zwei miteinander heiß verbundenen Nockenstrukturen (Elektroden) 17 besteht, wie in 1 gezeigt. Wenn das leitende Objekt, z. B. ein Finger, dieser Struktur nahe kommt, erhöht sich die Kapazität zwischen den Elektroden und diese Änderung kann z. B. durch einen Schwingkreis detektiert werden, der mit geringem Energieverbrauch arbeiten kann. Es ist auch möglich, dass das Aktivierungsprinzip auf einer Messung der Änderungen der Kapazität zwischen einer Elektrode und der zweiten Metallschicht 8 beruhen kann.
  • Wenn eine der Elektroden in der äußeren Metallschicht 10 geerdet ist, solange der Sensor sich im Schlafmodus befindet, wird dies auch einen wirksamen Schutz gegen elektrostatische Entladungen von einem Finger oder einem anderen aufgeladenen Objekt bereitstellen, da die Entladung somit direkt zur Erde geführt. Selbst wenn eine dieser Elektroden nicht mit der Erde gekoppelt ist, können die Strukturen in der äußeren Metallschicht 10 eine wichtige Funktion zum Schutz vor elektrostatischer Entladung besitzen, wenn sie mit Schaltungen zum Schutz vor elektrostatischer Entladung wie z. B. Zener-Dioden, zwischen dieser Schicht und der Erde gekoppelt sind.
  • Solche Schutz-Schaltkreise können entweder separat an der Rückseite des Substrats befestigt sein oder sich außen relativ zu dem Sensorchip befinden.
  • Ein alternatives Verfahren, um die Modulationsfrequenz mit dem Finger zu koppeln, besteht darin, das elektrisch leitende Material mit einem dünnen dielektrischen Film abzudecken, sodass die Kopplung kapazitiv ist. Dies kann den Vorteil besitzen, dass die Kopplung von Person zu Person gleichmäßiger und weniger abhängig von der Feuchtigkeit der Finger ist.
  • Eine dritte Variante zum Koppeln der Finger besteht darin, einen Modulationsring und eine Aktivierungszelle außerhalb des Sensorsubstrats vorzusehen. Dies macht die äußere Metallschicht überflüssig.
  • Da die Kennlinie des Verstärkers und anderer Signalbehandlungselektronik an dem Abfrageschaltkreis von Element zu Element schwanken kann, wird es von großer Bedeutung sein, in der Lage zu sein, die Antwort von jedem Sensorelement zu kalibrieren. Dies kann erreicht werden, indem eine Querelektrode 14 nahe an der Linie der Sensorelemente oder der zu ihnen führenden Leiter, z. B. als ein Teil der zweiten Metallschicht 8, vorgesehen wird. Durch Vorsehen eines modulierten Signals an der Elektrode werden die Sensorelemente ohne einen Finger oder ein leitendes Objekt in der Nähe kapazitiv erregt. Auf der Grundlage der resultierenden Signale von dem Verstärker und der Signalbehandlungselektronik wird es daher möglich sein, die Antwort von jedem Sensorelement abzugleichen. Durch Vorsehen eines invertierten AC-Signals an dieser Elektrode während Messungen wird es auch möglich sein, ein Differenzialmessprinzip zu realisieren, bei dem der konstante kapazitive Beitrag von den dielektrischen Schichten 7 und 9 von den Messungen eliminiert ist.
  • 2 zeigt eine alternative Ausführungsform, bei der die Öffnungen 3 in dem Substrat 2 in den gewählten Positionen der Sensorelemente positio niert sind, sodass die sie abdeckende erste dielektrische Schicht 7 nicht notwendig ist. Dies vereinfacht den Aufbau und kann eine dünnere dielektrische Schicht vorsehen, erfordert jedoch die Möglichkeit, Kontaktlöcher mit derselben Trennung wie die Sensorelemente herzustellen. Dies erfordert es z. B., dass der Durchmesser der Kontaktlöcher wesentlich kleiner als die Distanz zwischen zwei Sensorelementen ist, die zum Beispiel 50 μm betragen kann.
  • Die Herstellung des Sensors kann z. B. unter Verwendung der folgenden Verfahren erfolgen:
    • 1. Auf Basis der „Dickfilmtechnologie":
    • – Mit einem Laser werden Öffnungen durch ein keramisches Substrat (z. B. Aluminiumoxid) gebohrt.
    • – Ein Metall wird durch die Öffnungen aufgedruckt oder aufgalvanisiert, um elektrisch leitende Kontaktlöcher vorzusehen.
    • – Die leitenden Schichten und Dielektrika an der Vorderseite des Sensors werden mittels Standard-Dickfilmtechnologie wie z. B. Siebdruck oder durch ein „Drucken-und-Korrodieren"-Verfahren strukturiert. Leitende Schicht: z. B. Gold, Silber, Palladium oder Kupfer. Dielektrika: z. B. Glaskeramikmischungen.
    • – Entsprechende Verfahren werden verwendet, um erforderliche Leitungsanschlüsse und Verbinderpunkte an der anderen Seite des Substrats zu definieren.
    • – Der elektronische Schaltkreis wird durch Standardverfahren wie z. B. Flip-Chip- oder Drahtbonden montiert.
    • – Mögliche geometrische Auflösung in der Sensoranordnung (bei Verwendung der derzeit verfügbaren Technologie): ca. 30–50 μm.
    • 2. Auf Basis von Niedertemperatur-Einbrand-Keramiken:
    • – Wie oben, allerdings werden die Leitungsanschlüsse durch das Substrat durch sequenzielles Einbauen hergestellt, wobei verschiedene Schichten aus Keramik und die Bahnen vor dem Sintern gestapelt werden. Mit dieser Technologie ist es möglich, eine „3-dimensionale" Struktur herzustellen, bei der der Siliziumchip in einen Hohlraum unter dem Substrat gelegt werden kann.
    • 3. Auf Basis der Dünnfilmtechnologie:
    • – Mit einem Laser, einem Keramikbohr- oder einem korrosiven Verfahren werden Öffnungen durch ein Keramik-, Glas- oder Siliziumsubstrat hergestellt.
    • – Ein Metall oder ein anderes leitendes Material wird durch die Öffnungen aufgedruckt, aufgalvanisiert oder abgeschieden, um elektrisch leitende Lochkontakte vorzusehen.
    • – Die leitenden Schichten werden durch Abscheiden von dünnen Schichten aus Metall (z. B. Al oder Gold) auf dem Substrat, Ausführen eines photolithografischen Verfahrens und Wegkorrodieren von unerwünschtem Metall definiert.
    • – Die Dielektrika (polymer oder anorganisch) werden auf dem Substrat durch Spinbeschichtung aufgebracht oder darauf abgeschieden und unter Verwendung von Standardverfahren strukturiert.
    • – Mögliche geometrische Auflösung in der Sensoranordnung (bei Verwendung der derzeit verfügbaren Technologie) ca. 20 μm.
    • 4. Auf Basis einer gedruckten Leiterplatte:
    • – Gedruckte Leiterplatten mit metallisierten Löchern werden unter Verwendung von Standardverfahren einschließlich eines sogenannten sequenziellen Aufbaus hergestellt.
    • – Die erste leitende Schicht auf jeder Seite des Substrats wird unter Verwendung von Standard-Leiterplattenkorrosionsverfahren hergestellt (Metall: Kupfer).
    • – Weitere dielektrische und leitende Schichten werden unter Verwendung eines so genannten „Polymer-Dickfilmverfahrens" aufgedruckt. Mögliche geometrische Auflösung in einer Sensoranordnung (mit der heutigen Technologie) ca. 50–100 μm.
    • 5. Wie 1–4, wobei die Leiter jedoch nicht als separate Kontaktlöcher, sondern als dünne, vertikale Streifen von der Oberfläche durch einen oder mehrere Schlitze 16 in dem Substrat durch das Substrat verlaufen, wie in 5 gezeigt. Die dünnen Streifen 15 können als so genannte Stud-Bumps hergestellt sein, was im Wesentlichen bedeutet, dass auf eine bestimmte Länge geschnittene Streifen drahtgebondet werden. Der durchgehende Schlitz 16 kann dann mit einem elektrisch isolierenden Gussmaterial (z. B. Epoxy) gefüllt werden, das dann auf derselben Höhe wie die Substratoberfläche eingeebnet wird. Diese Struktur erfordert eine Übereinstimmung zwischen der Kontaktstruktur an dem ASIC und der Form der Sensoranordnung.
  • Es ist auch vorstellbar, dass die dünnen, vertikalen Streifen 15 (z. B. in der Form von Stud-Bumps) an den Sensorelementen an der Oberseite des Substrats befestigt werden und dass es danach mit einem Gussmaterial um die Streifen herum versehen wird, sodass die Streifenenden von denn Gussmaterial vorstehen. Man kann die Streifen an dem oberen Rand des Gussmaterials abschneiden, um eine ebene Struktur vorzusehen. Der Kontakt zwischen dem Finger und den Streifen wird dann ein ohm'scher sein, besitzt aber den großen Vorteil, dass er sich nicht ändert, wenn das Gussmaterial und die Streifen abgerieben werden. Um ein kapazitives Messprinzip beizubehalten, kann eine kapazitive Kopplung an einer anderen Stelle in der Struktur vorgesehen sein, z. B. indem eine kapazitive Kopplung zwischen den Strukturen der zwei Metallschichten an der Substratoberseite verwendet wird.
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Vorrichtungen, die auf einzigartige Weise die Vorteile eines Festkörper-Fingerabdrucksensors bereitstellen. Eine entsprechende Technologie kann auch bei anderen Anwendungen verwendet werden, bei denen Bedarf an einer Erkennung von Fingerbewegungen über einer Fläche wie z. B. zur Navigation und für Zwecke in Verbindung mit einer Maus besteht.
  • Für solche Anwendungen kann die Sensoranordnung z. B. aus mehreren Unteranordnungen bestehen, die in verschiedenen Richtungen an der Sensoroberfläche orientiert sind und jeweils aus zwei linienförmigen Sensoranordnungen oder Gruppen von Sensorelementen bestehen, die wie in 6 veranschaulicht, positioniert sind. Indem das Signal zwischen ver schiedenen Kombinationen von Sensorpaaren in Beziehung gesetzt wird und festgestellt wird, welche Sensorpaare mit einer in Beziehung stehenden Zeitdifferenz korrelierende Signale aufweisen, wird es möglich sein, nicht nur die Fingergeschwindigkeit, sondern auch die Richtung der Fingerbewegung über den Sensor festzustellen.
  • Wenn eine vollständige Abbildung der gesamten Fingeroberfläche erforderlich ist, besteht auch das Problem, dass bei flachen Fingerabdrucksensoren nicht die Möglichkeit besteht, Messungen an den Seiten des Fingers durchzuführen. Eine Möglichkeit besteht daher darin, der Sensoroberfläche und der Sensoranordnung eine U-Form zu verleihen, die geeignet ist, um die Fingeroberfläche zumindest teilweise zu umschließen.
  • Auch wenn die hier beschriebenen elektrischen leitenden Schichten als Metallschichten beschrieben sind, ist es offensichtlich, dass alternative elektrische Leiter wie z. B. Polysilizium verwendet werden können, die auch verwendet werden können, wenn die Herstellungsverfahren und andere Eigenschaften es erlauben.

Claims (16)

  1. Sensorchip, insbesondere zum Messen von Strukturen in einer Fingeroberfläche, umfassend einen elektrischen Chip (5), der auf eine an sich bekannte Weise mit einer Anzahl von Abfrageelektroden für Kapazitätsmessungen versehen ist, wobei der elektronische Chip an einem elektrisch isolierten Substrat (2) positioniert ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (2) mit einer Anzahl von Öffnungen (4) versehen ist, wobei durch die Öffnungen elektrische Leiter (6), die mit den Abfrageelektroden gekoppelt sind, geführt sind, wobei die Enden der elektrischen Leiter (6) Sensorelemente (3) in einer Sensoranordnung (11, 12) für Kapazitätsmessungen bilden, und die Sensoranordnung (11, 12) an einer ersten Seite des Substrats (2) positioniert ist und der elektronische Chip (5) an der anderen Seite des Substrats positioniert ist.
  2. Sensorchip nach Anspruch 1, wobei die Position jeder Öffnung (4) durch die gewählte Form der Sensoranordnung (11, 12) bestimmt ist und somit auch die Orte der Enden (3) der elektrischen Leiter definiert, und wobei der Chip ferner umfasst: – eine elektrisch leitende und geerdete Schicht (8), die Öffnungen über den Enden (3) der elektrischen Leiter umfasst, – eine dielektrische Schicht (9), die die elektrisch leitende Schicht (8) sowie die Leiterenden (3) abdeckt.
  3. Sensorchip nach Anspruch 1, wobei die Sensorseite des Substrats versehen ist mit: – einer ersten elektrisch leitenden Schicht (8), die zumindest die elektrischen Leiter einschließlich ihrer Endpunkte (3) umfasst, – einer ersten dielektrischen Schicht (9), die die erste elektrisch leitende Schicht (8, 3) abdeckt, – einer zweiten elektrisch leitenden geerdeten Schicht (10), die Öffnungen über den Enden (3) der elektrischen Leiter umfasst und durch die erste dielektrische Schicht (9) von der ersten teilweise elektrisch leitenden Schicht (8) elektrisch isoliert ist, – einer zweiten dielektrischen Schicht, die die zweite elektrisch leitende Schicht sowie die Leiterenden abdeckt.
  4. Sensorchip nach Anspruch 2 oder 3, wobei die Dicke der dielektrischen Schicht oder Schichten (9) nicht größer als die Distanz zwischen den Zentren der Enden (3) der dielektrischen Leiter ist.
  5. Sensorchip nach Anspruch 2 oder 3, wobei die äußerste dielektrische Schicht mit einer äußeren elektrisch leitenden Schicht versehen ist, die auch Öffnungen über den Enden der Enden der elektrischen Leiter umfasst und geeignet ist, um einen Kontakt zwischen den Fingern vorzusehen, und mit einem elektrischen Modulator gekoppelt ist.
  6. Sensorchip nach Anspruch 5, wobei die äußere elektrisch leitende Schicht für eine rein kapazitive Kopplung mit dem Finger mit einer äußeren dielektrischen Schicht versehen ist.
  7. Sensorchip nach Anspruch 5, wobei der elektrische Modulator einen Teil der elektronischen Schaltkreise bildet und mit ihnen durch mindestens eine der Öffnungen in dem Substrat gekoppelt ist.
  8. Sensorchip nach Anspruch 5, wobei die äußere elektrisch leitende Schicht eine Struktur umfasst, die die Impedanz ändert, wenn sie sich nahe an einem elektrisch leitenden Objekt befindet, was zusammen mit einem geeigneten Schaltkreis geeignet ist, um den Sensor zu aktivieren, wenn sich die zu messende Oberfläche dem Sensor nähert.
  9. Sensorchip nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei das Substrat aus einem Material aus Keramik, Glas oder Glasfaserschichtstoff hergestellt ist.
  10. Sensorchip nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei das Substrat aus Silizium hergestellt ist.
  11. Sensorchip nach Anspruch 10, wobei Verstärker und andere elektronische Schaltkreise in dem Substrat hergestellt sind.
  12. Sensorchip nach Anspruch 1, wobei die Sensoranordnung im Wesentlichen linear ist und geeignet ist, um eine relative Bewegung zwischen der Anordnung und einer Fingeroberfläche zu messen.
  13. Sensorchip nach Anspruch 2 oder 3, wobei eine der leitenden Schichten (8, 10) eine Elektrode umfasst, die jedes Sensorelement (3) kapazitiv erregen kann, so dass die Antwort von jedem Sensorelement unabhängig von dem Vorhandensein eines Fingers oder ei nes anderen leitenden Objekts in der Nähe der Sensoroberfläche kalibriert werden kann.
  14. Sensorchip nach Anspruch 1, wobei die Leiterenden (3) in direktem Kontakt mit dem Finger stehen und die Messkapazität zwischen den Leiterenden und den Abfrageelektroden in dem elektronischen Schaltkreis gekoppelt ist.
  15. Sensorchip nach Anspruch 1, der ausgebildet ist, um die Kapazität der Sensoranordnung elektronisch anzupassen, um die Signalstärke anzupassen.
  16. Sensorchip nach Anspruch 1, wobei die Oberfläche des Chips U-förmig ist, um eine optimale Kopplung mit dem Finger sicherzustellen.
DE60132460T 2000-06-09 2001-06-08 Sensoreinheit, insbesondere für Fingerabdrucksensoren Expired - Lifetime DE60132460T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO20003004A NO315017B1 (no) 2000-06-09 2000-06-09 Sensorbrikke, s¶rlig for måling av strukturer i en fingeroverflate
NO20003004 2000-06-09
PCT/NO2001/000238 WO2001099035A2 (en) 2000-06-09 2001-06-08 Sensor unit, especially for fingerprint sensors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60132460D1 DE60132460D1 (de) 2008-03-06
DE60132460T2 true DE60132460T2 (de) 2009-01-15

Family

ID=19911250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60132460T Expired - Lifetime DE60132460T2 (de) 2000-06-09 2001-06-08 Sensoreinheit, insbesondere für Fingerabdrucksensoren

Country Status (12)

Country Link
US (2) US7251351B2 (de)
EP (1) EP1303828B1 (de)
JP (1) JP4708671B2 (de)
AT (1) ATE384306T1 (de)
AU (1) AU2001264429A1 (de)
CY (1) CY1107257T1 (de)
DE (1) DE60132460T2 (de)
DK (1) DK1303828T3 (de)
ES (1) ES2299488T3 (de)
NO (1) NO315017B1 (de)
PT (1) PT1303828E (de)
WO (1) WO2001099035A2 (de)

Families Citing this family (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NO315016B1 (no) * 2000-06-09 2003-06-23 Idex Asa Miniatyrisert sensor
NO315017B1 (no) * 2000-06-09 2003-06-23 Idex Asa Sensorbrikke, s¶rlig for måling av strukturer i en fingeroverflate
WO2002047018A2 (en) * 2000-12-05 2002-06-13 Validity, Inc. Swiped aperture capacitive fingerprint sensing systems and methods
JP4702586B2 (ja) * 2001-09-10 2011-06-15 日本電気株式会社 指紋センサ及び指紋センサ実装構造並びに該指紋センサを備えた指紋検出器
US6941004B2 (en) * 2001-12-06 2005-09-06 Motorola, Inc. Method and apparatus for asperity sensing and storage
DE10206187B4 (de) * 2002-02-14 2007-03-08 Infineon Technologies Ag Bildgebender, elektronischer Sensor
NO316796B1 (no) * 2002-03-01 2004-05-10 Idex Asa Sensormodul for maling av strukturer i en overflate, saerlig en fingeroverflate
KR100447141B1 (ko) * 2002-03-09 2004-09-07 (주)멜파스 차폐수단을 포함하는 반도체 지문감지장치
FI20030102A0 (fi) * 2003-01-22 2003-01-22 Nokia Corp Henkilön varmennusjärjestely
FI115109B (fi) * 2003-01-22 2005-02-28 Nokia Corp Tunnistusjärjestely ja tunnistusjärjestelyn käsittävä matkaviestin
WO2004077340A1 (en) * 2003-02-28 2004-09-10 Idex Asa Substrate multiplexing with active switches
US7697729B2 (en) 2004-01-29 2010-04-13 Authentec, Inc. System for and method of finger initiated actions
WO2005093637A1 (de) * 2004-03-29 2005-10-06 Hoffmann Andre Verfahren und system zur identifikation, verifikation, erkennung und wiedererkennung
US8175345B2 (en) 2004-04-16 2012-05-08 Validity Sensors, Inc. Unitized ergonomic two-dimensional fingerprint motion tracking device and method
US8165355B2 (en) 2006-09-11 2012-04-24 Validity Sensors, Inc. Method and apparatus for fingerprint motion tracking using an in-line array for use in navigation applications
US8447077B2 (en) 2006-09-11 2013-05-21 Validity Sensors, Inc. Method and apparatus for fingerprint motion tracking using an in-line array
US8131026B2 (en) 2004-04-16 2012-03-06 Validity Sensors, Inc. Method and apparatus for fingerprint image reconstruction
US7463756B2 (en) * 2004-04-16 2008-12-09 Validity Sensors, Inc. Finger position sensing methods and apparatus
US8358815B2 (en) 2004-04-16 2013-01-22 Validity Sensors, Inc. Method and apparatus for two-dimensional finger motion tracking and control
US8229184B2 (en) 2004-04-16 2012-07-24 Validity Sensors, Inc. Method and algorithm for accurate finger motion tracking
EP1747525A2 (de) 2004-04-23 2007-01-31 Validity Sensors Inc. Verfahren und vorrichtungen zum beschaffen eines durchgezogenen figerabdruckbildes
EP1617473A1 (de) * 2004-07-13 2006-01-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Elektronisches Bauelement mit ESD Bauelement
EP1800243B1 (de) * 2004-10-04 2010-08-11 Validity Sensors, Inc. Fingerabdruckerfassende konstruktionen mit einem substrat
US7831070B1 (en) 2005-02-18 2010-11-09 Authentec, Inc. Dynamic finger detection mechanism for a fingerprint sensor
US8231056B2 (en) 2005-04-08 2012-07-31 Authentec, Inc. System for and method of protecting an integrated circuit from over currents
US7460697B2 (en) * 2005-07-19 2008-12-02 Validity Sensors, Inc. Electronic fingerprint sensor with differential noise cancellation
EP1922602A2 (de) 2005-08-11 2008-05-21 N-trig Ltd. Vorrichtung zur objektinformationsdetektion und verfahren zu ihrer verwendung
FR2894049B1 (fr) * 2005-11-25 2008-01-04 Atmel Grenoble Soc Par Actions Dispositif de reactivation d'un appareil place en mode de veille
US7656392B2 (en) * 2006-03-24 2010-02-02 Synaptics Incorporated Touch sensor effective area enhancement
KR100792670B1 (ko) * 2006-06-13 2008-01-09 주식회사 애트랩 반도체 장치 및 접촉센서 장치
JP4943807B2 (ja) * 2006-10-18 2012-05-30 日本電信電話株式会社 インピーダンス検出装置、インピーダンス検出方法、生体認識装置、および指紋認証装置
US7705613B2 (en) * 2007-01-03 2010-04-27 Abhay Misra Sensitivity capacitive sensor
US8107212B2 (en) 2007-04-30 2012-01-31 Validity Sensors, Inc. Apparatus and method for protecting fingerprint sensing circuitry from electrostatic discharge
US20110002461A1 (en) * 2007-05-11 2011-01-06 Validity Sensors, Inc. Method and System for Electronically Securing an Electronic Biometric Device Using Physically Unclonable Functions
US8290150B2 (en) 2007-05-11 2012-10-16 Validity Sensors, Inc. Method and system for electronically securing an electronic device using physically unclonable functions
US20080297174A1 (en) * 2007-05-31 2008-12-04 Sarangan Narasimhan Capacitive sensing devices
US8204281B2 (en) 2007-12-14 2012-06-19 Validity Sensors, Inc. System and method to remove artifacts from fingerprint sensor scans
US8276816B2 (en) 2007-12-14 2012-10-02 Validity Sensors, Inc. Smart card system with ergonomic fingerprint sensor and method of using
US20110178619A1 (en) * 2007-12-21 2011-07-21 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Security-activated robotic tasks
US8005276B2 (en) 2008-04-04 2011-08-23 Validity Sensors, Inc. Apparatus and method for reducing parasitic capacitive coupling and noise in fingerprint sensing circuits
US8116540B2 (en) 2008-04-04 2012-02-14 Validity Sensors, Inc. Apparatus and method for reducing noise in fingerprint sensing circuits
US8698594B2 (en) 2008-07-22 2014-04-15 Synaptics Incorporated System, device and method for securing a user device component by authenticating the user of a biometric sensor by performance of a replication of a portion of an authentication process performed at a remote computing device
NO20083766L (no) * 2008-09-01 2010-03-02 Idex Asa Overflatesensor
US8391568B2 (en) 2008-11-10 2013-03-05 Validity Sensors, Inc. System and method for improved scanning of fingerprint edges
US8227889B2 (en) * 2008-12-08 2012-07-24 United Microelectronics Corp. Semiconductor device
US8600122B2 (en) 2009-01-15 2013-12-03 Validity Sensors, Inc. Apparatus and method for culling substantially redundant data in fingerprint sensing circuits
US20100180136A1 (en) * 2009-01-15 2010-07-15 Validity Sensors, Inc. Ultra Low Power Wake-On-Event Mode For Biometric Systems
US8278946B2 (en) 2009-01-15 2012-10-02 Validity Sensors, Inc. Apparatus and method for detecting finger activity on a fingerprint sensor
US20100176892A1 (en) * 2009-01-15 2010-07-15 Validity Sensors, Inc. Ultra Low Power Oscillator
US8374407B2 (en) 2009-01-28 2013-02-12 Validity Sensors, Inc. Live finger detection
US20100208953A1 (en) * 2009-02-17 2010-08-19 Validity Sensors, Inc. Illuminated Fingerprint Sensor and Method
US9400911B2 (en) 2009-10-30 2016-07-26 Synaptics Incorporated Fingerprint sensor and integratable electronic display
US9274553B2 (en) 2009-10-30 2016-03-01 Synaptics Incorporated Fingerprint sensor and integratable electronic display
US9336428B2 (en) 2009-10-30 2016-05-10 Synaptics Incorporated Integrated fingerprint sensor and display
NO20093601A1 (no) 2009-12-29 2011-06-30 Idex Asa Overflatesensor
US8421890B2 (en) 2010-01-15 2013-04-16 Picofield Technologies, Inc. Electronic imager using an impedance sensor grid array and method of making
US8791792B2 (en) 2010-01-15 2014-07-29 Idex Asa Electronic imager using an impedance sensor grid array mounted on or about a switch and method of making
US8866347B2 (en) 2010-01-15 2014-10-21 Idex Asa Biometric image sensing
US9666635B2 (en) 2010-02-19 2017-05-30 Synaptics Incorporated Fingerprint sensing circuit
US8716613B2 (en) 2010-03-02 2014-05-06 Synaptics Incoporated Apparatus and method for electrostatic discharge protection
US9001040B2 (en) 2010-06-02 2015-04-07 Synaptics Incorporated Integrated fingerprint sensor and navigation device
US8331096B2 (en) 2010-08-20 2012-12-11 Validity Sensors, Inc. Fingerprint acquisition expansion card apparatus
US8594393B2 (en) 2011-01-26 2013-11-26 Validity Sensors System for and method of image reconstruction with dual line scanner using line counts
US8538097B2 (en) 2011-01-26 2013-09-17 Validity Sensors, Inc. User input utilizing dual line scanner apparatus and method
US9406580B2 (en) 2011-03-16 2016-08-02 Synaptics Incorporated Packaging for fingerprint sensors and methods of manufacture
US10043052B2 (en) 2011-10-27 2018-08-07 Synaptics Incorporated Electronic device packages and methods
JP5913906B2 (ja) * 2011-10-28 2016-04-27 日立オートモティブシステムズ株式会社 湿度検出装置
US9195877B2 (en) 2011-12-23 2015-11-24 Synaptics Incorporated Methods and devices for capacitive image sensing
US9785299B2 (en) 2012-01-03 2017-10-10 Synaptics Incorporated Structures and manufacturing methods for glass covered electronic devices
TWI533231B (zh) 2012-01-17 2016-05-11 蘋果公司 具有用於耦合電極及畫素感測軌跡之畫素感測電路之手指感測器及其相關方法
US9137438B2 (en) 2012-03-27 2015-09-15 Synaptics Incorporated Biometric object sensor and method
US9251329B2 (en) 2012-03-27 2016-02-02 Synaptics Incorporated Button depress wakeup and wakeup strategy
US9268991B2 (en) 2012-03-27 2016-02-23 Synaptics Incorporated Method of and system for enrolling and matching biometric data
US9600709B2 (en) 2012-03-28 2017-03-21 Synaptics Incorporated Methods and systems for enrolling biometric data
US9152838B2 (en) 2012-03-29 2015-10-06 Synaptics Incorporated Fingerprint sensor packagings and methods
WO2013155224A1 (en) 2012-04-10 2013-10-17 Picofield Technologies Inc. Biometric sensing
US9030440B2 (en) 2012-05-18 2015-05-12 Apple Inc. Capacitive sensor packaging
US9651513B2 (en) 2012-10-14 2017-05-16 Synaptics Incorporated Fingerprint sensor and button combinations and methods of making same
US9411474B2 (en) * 2012-11-15 2016-08-09 Nokia Technologies Oy Shield electrode overlying portions of capacitive sensor electrodes
US9665762B2 (en) 2013-01-11 2017-05-30 Synaptics Incorporated Tiered wakeup strategy
NO20131423A1 (no) 2013-02-22 2014-08-25 Idex Asa Integrert fingeravtrykksensor
NO340311B1 (no) * 2013-02-22 2017-03-27 Idex Asa Integrert fingeravtrykksensor
US9883822B2 (en) 2013-06-05 2018-02-06 Apple Inc. Biometric sensor chip having distributed sensor and control circuitry
NL2012891B1 (en) 2013-06-05 2016-06-21 Apple Inc Biometric sensor chip having distributed sensor and control circuitry.
NO336318B1 (no) 2013-07-12 2015-08-03 Idex Asa Overflatesensor
US9984270B2 (en) 2013-08-05 2018-05-29 Apple Inc. Fingerprint sensor in an electronic device
US9460332B1 (en) 2013-09-09 2016-10-04 Apple Inc. Capacitive fingerprint sensor including an electrostatic lens
US10296773B2 (en) 2013-09-09 2019-05-21 Apple Inc. Capacitive sensing array having electrical isolation
US9697409B2 (en) 2013-09-10 2017-07-04 Apple Inc. Biometric sensor stack structure
KR102255740B1 (ko) * 2014-02-21 2021-05-26 이덱스 바이오메트릭스 아사 중첩된 그리드 라인을 이용하는 센서 및 그리드 라인으로부터 감지면을 확장하기 위한 전도성 프로브
CN104102902B (zh) 2014-07-04 2017-07-04 京东方科技集团股份有限公司 一种半导体指纹识别传感器及其制造方法
US9779280B2 (en) 2014-12-24 2017-10-03 Idex Asa Fingerprint sensor employing an integrated noise rejection structure
WO2016118683A1 (en) * 2015-01-23 2016-07-28 Corning Incorporated Coated substrate for use in sensors
USD776664S1 (en) * 2015-05-20 2017-01-17 Chaya Coleena Hendrick Smart card
WO2016207819A1 (en) 2015-06-23 2016-12-29 Idex Asa Double-sided fingerprint sensor
KR20170019581A (ko) 2015-08-12 2017-02-22 삼성전자주식회사 지문 감지 센서, 이를 포함하는 전자 장치 및 지문 감지 센서의 동작 방법
JP6580689B2 (ja) * 2015-09-04 2019-09-25 シャープ株式会社 集積回路センサおよびセンサ基板
KR20170041010A (ko) * 2015-10-06 2017-04-14 삼성전기주식회사 지문센서용 기판, 지문센서 및 지문센서용 기판의 제조방법
CN105184287B (zh) * 2015-10-29 2019-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种电极结构、指纹识别模组及其制备方法、显示装置
US9898645B2 (en) 2015-11-17 2018-02-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fingerprint sensor device and method
US9875388B2 (en) 2016-02-26 2018-01-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fingerprint sensor device and method
JP7329448B2 (ja) 2017-04-04 2023-08-18 コーニング インコーポレイテッド 多層構造およびその製造方法
WO2019004906A1 (en) * 2017-06-28 2019-01-03 Fingerprint Cards Ab METHOD FOR MANUFACTURING DIGITAL FOOTPRINT SENSOR MODULE
TWI705384B (zh) 2017-09-19 2020-09-21 挪威商藝達思公司 適合集成於電子裝置的雙面感測器模組
FR3111215B1 (fr) * 2020-06-04 2022-08-12 Linxens Holding Module de capteur biométrique pour carte à puce et procédé de fabrication d’un tel module
KR20220013230A (ko) 2020-07-24 2022-02-04 삼성전자주식회사 지문 센서 패키지 및 이를 포함하는 스마트 카드
US11320935B1 (en) 2020-11-25 2022-05-03 Idex Biometrics Asa Touch sensors with multi-state electrodes

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63310087A (ja) * 1987-06-12 1988-12-19 Enitsukusu:Kk 接触式指紋入力装置
US5399898A (en) 1992-07-17 1995-03-21 Lsi Logic Corporation Multi-chip semiconductor arrangements using flip chip dies
JPH04104377A (ja) * 1990-08-24 1992-04-06 Fujitsu Denso Ltd 指紋照合装置
US5371404A (en) 1993-02-04 1994-12-06 Motorola, Inc. Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding
JP2871381B2 (ja) * 1993-03-30 1999-03-17 本田技研工業株式会社 圧力センサー
JP3550237B2 (ja) * 1994-12-26 2004-08-04 株式会社東芝 個人認証装置
FR2739977B1 (fr) * 1995-10-17 1998-01-23 France Telecom Capteur monolithique d'empreintes digitales
US5963679A (en) * 1996-01-26 1999-10-05 Harris Corporation Electric field fingerprint sensor apparatus and related methods
US5956415A (en) * 1996-01-26 1999-09-21 Harris Corporation Enhanced security fingerprint sensor package and related methods
FR2749955B1 (fr) * 1996-06-14 1998-09-11 Thomson Csf Systeme de lecture d'empreintes digitales
US6020749A (en) 1996-11-12 2000-02-01 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for performing testing of double-sided ball grid array devices
US5920640A (en) * 1997-05-16 1999-07-06 Harris Corporation Fingerprint sensor and token reader and associated methods
US6259804B1 (en) * 1997-05-16 2001-07-10 Authentic, Inc. Fingerprint sensor with gain control features and associated methods
NO304766B1 (no) * 1997-06-16 1999-02-08 Sintef Fingeravtrykksensor
JP2959532B2 (ja) * 1997-06-30 1999-10-06 日本電気株式会社 静電容量検出方式の指紋画像入力装置
US6483931B2 (en) * 1997-09-11 2002-11-19 Stmicroelectronics, Inc. Electrostatic discharge protection of a capacitve type fingerprint sensing array
JP3102395B2 (ja) 1997-11-27 2000-10-23 日本電気株式会社 指紋検出装置
NO307065B1 (no) * 1998-02-26 2000-01-31 Idex As Fingeravtrykksensor
JP3400347B2 (ja) * 1998-05-18 2003-04-28 日本電信電話株式会社 表面形状認識用センサおよびその製造方法
US6026564A (en) 1998-04-10 2000-02-22 Ang Technologies Inc. Method of making a high density multilayer wiring board
EP1059602B1 (de) * 1999-06-10 2006-12-13 Nippon Telegraph and Telephone Corporation Gerät zur Erkennung von Oberflächengestalten
JP2001141411A (ja) * 1999-11-12 2001-05-25 Sony Corp 指紋認識用半導体装置
JP2001208509A (ja) * 2000-01-24 2001-08-03 Sony Corp 表面形状認識用半導体装置およびその製造方法
NO315016B1 (no) * 2000-06-09 2003-06-23 Idex Asa Miniatyrisert sensor
NO315017B1 (no) * 2000-06-09 2003-06-23 Idex Asa Sensorbrikke, s¶rlig for måling av strukturer i en fingeroverflate
JP3971674B2 (ja) * 2002-07-10 2007-09-05 富士通株式会社 接触型センサ内蔵半導体装置及びその製造方法
JP3775601B2 (ja) * 2003-04-17 2006-05-17 セイコーエプソン株式会社 静電容量検出装置及びその駆動方法、指紋センサ並びにバイオメトリクス認証装置
JP3858864B2 (ja) * 2003-08-29 2006-12-20 セイコーエプソン株式会社 静電容量検出装置
KR100564915B1 (ko) * 2004-02-10 2006-03-30 한국과학기술원 정전용량방식 지문센서 및 이를 이용한 지문 센싱방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP1303828A2 (de) 2003-04-23
DE60132460D1 (de) 2008-03-06
JP2003536085A (ja) 2003-12-02
DK1303828T3 (da) 2008-05-19
WO2001099035A3 (en) 2002-05-02
NO20003004D0 (no) 2000-06-09
US20080002867A1 (en) 2008-01-03
ES2299488T3 (es) 2008-06-01
WO2001099035A2 (en) 2001-12-27
CY1107257T1 (el) 2012-11-21
EP1303828B1 (de) 2008-01-16
PT1303828E (pt) 2008-03-25
NO315017B1 (no) 2003-06-23
AU2001264429A1 (en) 2002-01-02
JP4708671B2 (ja) 2011-06-22
ATE384306T1 (de) 2008-02-15
NO20003004L (no) 2001-12-10
US7251351B2 (en) 2007-07-31
US20030161512A1 (en) 2003-08-28
US7848550B2 (en) 2010-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60132460T2 (de) Sensoreinheit, insbesondere für Fingerabdrucksensoren
DE60313219T2 (de) Sensormodul zur oberflächenmessung
EP0844459B1 (de) Passiver magnetischer positionssenor
DE69015766T2 (de) Kapazitiver Beschleunigungsmesser.
DE3687579T2 (de) Elektrisch veraenderbarer piezoelektrischer hybrid-kondensator.
EP1046030B1 (de) Anordnung zur feuchtemessung
DE60026331T2 (de) Leiterplatte, halbleiter und herstellung, test und gehäusung desselben und systemplatte und elektronikgerät
DE4446890A1 (de) Kapazitiver Beschleunigungssensor und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2657691A1 (de) Feuchtesensor-Anordnung
EP1794559B1 (de) Sensorvorrichtung
DE10235442A1 (de) Halbleiterbauelement
EP1804557A1 (de) Elektronik-Sicherheits-Modul
DE4440078A1 (de) Piezoelektrischer Beschleunigungsaufnehmer
DE102005062799A1 (de) Elektronik-Sicherheits-Modul
EP1103808B1 (de) Gassensor
EP3058314A1 (de) Sensorelement
DE102018215638B4 (de) Bondfolie, elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102017124319A1 (de) Halbleiterbauteil
EP0706051B1 (de) Beschleunigungsgeber
EP1616173A1 (de) Sensorsystem und verfahren zu dessen herstellung
DE3222938C2 (de) Vielschicht-Keramikplatte mit mindestens einem darin gebildeten Kondensator
DE4040333A1 (de) Sensor zur messung der elektrolytischen leitfaehigkeit
DE19958776A1 (de) Unlösbare elektrische und mechanische Verbindung, Kontaktteil für eine unlösbare elektrische und mechanische Verbindung und Verfahren zur Herstellung einer unlösbaren elektrischen und mechanischen Verbindung
EP1804560A2 (de) Elektronik-Sicherheits-Modul
DE102022110160A1 (de) Optoelektronisches bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition