DE60117669T2 - Weichlot, Oberflächenbehandlungsverfahren von Leiterplatten und Verfahren zum Montieren eines elektronischen Bauteils - Google Patents

Weichlot, Oberflächenbehandlungsverfahren von Leiterplatten und Verfahren zum Montieren eines elektronischen Bauteils Download PDF

Info

Publication number
DE60117669T2
DE60117669T2 DE60117669T DE60117669T DE60117669T2 DE 60117669 T2 DE60117669 T2 DE 60117669T2 DE 60117669 T DE60117669 T DE 60117669T DE 60117669 T DE60117669 T DE 60117669T DE 60117669 T2 DE60117669 T2 DE 60117669T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mass
content
soft solder
printed circuit
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60117669T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60117669D1 (de
Inventor
Toshihide Shimoniikawa-gun Ito
c/ Solder Coat Co. Shiro Nagoya-shi Hara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Circuit Solutions Inc
Solder Coat Co Ltd
Original Assignee
Solder Coat Co Ltd
NEC Toppan Circuit Solutions Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Solder Coat Co Ltd, NEC Toppan Circuit Solutions Inc filed Critical Solder Coat Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE60117669D1 publication Critical patent/DE60117669D1/de
Publication of DE60117669T2 publication Critical patent/DE60117669T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/26Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • B23K35/262Sn as the principal constituent
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Weichlot, das Auf Sn-Ag-Cu basiert, ein Verfahren zur Behandlung einer Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte und ein Verfahren zum Montieren eines elektronischen Bauteils, insbesondere ein Weichlot, ein Verfahren zur Behandlung der Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte und ein Verfahren zum Montieren eines elektronischen Bauteils, wobei zum Zeitpunkt des Lötens die Verhinderung des Kupferverzehrs erzielt wird.
  • Herkömmlicherweise wird eine Legierung von 63 Massen-% Sn und 37 Massen-% Pb als ein Weichlot zum Beschichten eines Kupferschaltkreises auf einer Leiterplatte und für die Verbindung zwischen einer Aufstellfläche oder Durchgangslöchern in einer Leiterplatte und Leitern von zu montierenden Teilen verwendet. In der Vergangenheit ist jedoch die Umweltverschmutzung infolge von Blei, das aus ausrangierter Elektronikausrüstung herausgelöst worden ist, ein Problem zuzuordnen und bei der Herstellung von Elektronikteilen ist Weichlot, das kein Pb enthält, intensiv entwickelt worden.
  • Als ein bleifreies Weichlot, das kein Pb enthält, sind eine auf Sn-Cu basierende Legierung, eine auf Sn-Ag-Cu basierende Legierung und eine auf Sn-Zn basierende Legierung repräsentativ und Legierungen, die unter Hinzufügung von Bi, In und/oder Ge zu diesen Legierungen erzielt worden sind, wurden ebenfalls untersucht.
  • Bei der auf Sn-Cu basierenden Legierung hat jedoch selbst eine Legierung mit 99,2 Massen-% Sn und 0,8 Massen-% Cu, die eine eutektische Zusammensetzung ist, einen ver gleichsweise hohen Schmelzpunkt von 227°C und daher besteht der Nachteil, dass in dem Fall, bei dem die Zusammensetzung zum Zweck der Verhinderung des unten beschriebenen Kupferverzehrs geändert wird, dass der Schmelzpunkt höher wird, so dass die Leiterplatte und die zu montierenden elektronischen Bauteile zum Zeitpunkt des Lötens der hohen Temperatur nicht widerstehen können. Die Wärmewiderstandstemperatur der allgemein im Gebrauch befindlichen Leiterplatten beträgt ungefähr 260°C.
  • Bei der auf Sn-Zn basierenden Legierung beträgt der Schmelzpunkt des Weichlotes mit 91 Massen-% Sn und 9 Massen-% Zn, der eutektischen Zusammensetzung, 199°C, was nahe an dem Schmelzpunkt vom 183°C der Legierung mit 63 Massen-% Sn und 37 Massen-% Pb liegt, das eine eutektische Zusammensetzung ist. Demgemäß ist dies eine Legierung, die vom Standpunkt des Schmelzpunktes aus zu bevorzugen ist. Da jedoch Zn ein aktives Element ist, besteht der Nachteil, dass das Weichlot signifikant oxidiert, so dass es schwierig ist, einen guten Lötzustand zu erzielen.
  • Bei der auf Sn-Ag-Cu basierenden Legierung hat die eutektische Legierung aus drei Elementen mit 95,8 Massen-% Sn, 3,5 Massen-% Ag und 0,8 Massen-% Cu einen Schmelzpunkt von 217°C, der höher als der Schmelzpunkt der Legierung aus 63 Massen-% Sn und 37 Massen-% Pb und der auf Sn-Zn basierenden Legierung ist, aber vom Standpunkt des Wärmewiderstandes des Leiterplatte und dergleichen immer noch niedrig genug ist, um als ein Weichlot verwendet zu werden. Selbst wenn in einem Fall, bei dem die Behandlungstemperatur zum Beschichten eines Kupferschaltkreises auf einer Leiterplatte und für die Verbindung zwischen einer Aufstellfläche oder Durchgangslöchern in einer Leiterplatte und Leitern von zu montierenden Teilen als 250°C angenommen wird, kann zusätzlich ein ausgezeichneter Lötzustand erzielt werden, dessen mechanische Eigenschaften ebenfalls ausgezeichnet sind, und daher ist unter den vorstehend beschriebenen bleifreien Weichloten die auf Sn-Ag-Cu basierende Legierung die für die praktische Anwendung geeignetste.
  • Auf Sn-Ag-Cu basierende Legierungen sind beispielsweise offenbart in
    der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung Nr. Hei 2-34295,
    der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung Nr. Hei 2-179388,
    der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung Nr. Hei 4-333391,
    der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung Nr. Hei 6-269983, und
    der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung Nr. Hei 11-77366.
  • Das in der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung Nr. Hei-2-34295 offenbarte Weichlot dient zur Schaffung eines bleifreien Weichlotes, während das in der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung Nr. Hei-2-179388 offenbarte Weichlot zum Zweck der Verbesserung des Korrosionswiderstandes und der elektrischen und thermischen Leitfähigkeit dient. Zusätzlich dient das in der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung Nr. Hei-4-333391 offenbarte Weichlot zum Zweck der Erhöhung der Dauerstandfestigkeit, das in der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung Nr. Hei-6-269983 beschriebene Weichlot dient zum Zweck der Erhöhung der Benetzbarkeit auf dem auf Ni basierenden Basismaterial und das in der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung Nr. Hei-11-77366 beschriebene Weichlot dient zum Zweck der Erhöhung der Festigkeit im Hinblick auf thermische Dauerfestigkeit und Anschlusscharakteristika.
  • In einem Fall, bei dem eine auf Sn-Ag-Cu basierende Legierung verwendet wird, besteht jedoch das Problem, dass wenn die Legierung auf einen Kupferschaltkreis einer Leiterplatte mittels eines Heissluft-Einebnungsverfahrens aufgebracht wird, dass die Kupferplattierschicht auf der Leiterplatte verzehrt wird, so dass sie dünner wird und im schlimmsten Fall die Verdrahtung abgeschnitten wird. Zusätzlich wird in einem Fall, bei dem Teile durch Schwall-Löten gelötet werden, die Kupferplattierschicht der Leiterplatte verzehrt und wird dünner, um Lötdefekte zu verursachen.
  • Daher ist ein Weichlot vorgeschlagen worden, das durch Hinzufügen von 1 Massen-% bis 4 Massen-% Cu zu einer auf Sn-Sb-Bi-In basierenden Legierung erzielt worden ist (ungeprüfte japanische Patentveröffentlichung Nr. Hei 11-77368). Zusätzlich ist auch ein Weichlot, das durch Hinzufügen von 1 Massen-% bis 3 Massen-% Cu zu einer auf Sn- Zn-Ni basierenden Legierung erzielt worden ist, die eine auf Sn-Zn basierende Legierung ist, erzielt worden ist, vorgeschlagen worden (japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. Hei 9-94688).
  • Beide in diesen Schriften offenbarten Weichlote sind dafür gestaltet, dass sie den Kupferverzehr durch Hinzufügen von Cu verhindern. Der Schmelzpunkt des ersteren Weichlots ist jedoch zu hoch, weil die Solidus-Temperatur 208°C ist, während die Liquidus-Temperatur 342°C ist. Da das zuletzt genannte Weichlot eine auf Sn-Zn basierende Legierung ist, besteht das Problem bezüglich der Oxidation wie vorstehend angegeben.
  • Darüber hinaus sind in der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung Nr. Hei 11-216591 Daten erzielt worden, in denen tatsächlich die Messung der Legierungen mit 96 Massen-% Sn, 3,5 Massen-% Ag und 0,5 Massen-% Co sowie mit 98,8 Massen-% Sn, 0,7 Massen-% Cu und 0,5 Massen-% Co durchgeführt wurden und dergleichen sind unter der Annahme beschrieben, dass das Zusetzen von Co den Kupferverzehr verhindern kann. Selbst in einem Fall, bei dem Kupferverzehr verhindert werden kann, haben solche Zusammensetzungen jedoch eine signifikante Erhöhung der Liquidus-Temperaturen, so dass es schwierig ist, im Hinblick auf die Sicherheit elektronische Teile bei zu verwendenden Produkten anzuwenden.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Weichlot zu schaffen, das den Kupferverzehr verhindern kann und dessen Schmelzpunkt bis zu dem Ausmaß gesteuert ist, bei dem keine Zerstörung der elektronischen Zeile auftritt, ein Verfahren zum Behandeln einer Oberfläche einer Leiterplatte, auf der das Weichlot verwendet wird und ein Verfahren zum Montieren eines elektronischen Bauteils unter Verwendung des Weichlotes zu schaffen.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung hat ein Weichlot 1,0 bis 4,0 Masse-% Ag, 0,2 bis 1,3 Masse-% Cu, 0,02 bis 0,06 Masse-% Co und den Rest Sn und unvermeidliche Verunreinigungen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung hat ein Weichlot 1,0 bis 4,0 Masse-% Ag, 0,2 bis 1,3 Masse-% Cu, 0,02 bis 0,06 Masse-% Co, 0,02 bis 0,06 Masse-% Ni und den Rest Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung hat ein Weichlot 1,0 bis 4,0 Masse-% Ag, 0,2 bis 1,3 Masse-% Cu, 0,02 bis 0,06 Masse-% Co, 0,02 bis 0,06 Masse-% Fe und den Rest Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung hat ein Weichlot 1,0 bis 4,0 Masse-% Ag, 0,2 bis 1,3 Masse-% Cu, 0,02 bis 0,06 Masse-% Co, 0,02 bis 0,06 Masse-% Ni, 0,02 bis 0,06 Masse-% Fe und den Rest Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung verhindert eine winzige Menge Co den Kupferverbrauch zum Zeitpunkt des Lötens. Da zusätzlich dessen Gehalt eine winzige Menge ist, hat das Weichlot eine Zusammensetzung nahe der eutektischen des auf Sn-Ag-Cu basierenden Weichlots und dadurch kann die Erhöhung der Liquidus-Temperatur kontrolliert werden. Da weiterhin das Weichlot ein auf Sn-Ag-Cu basierendes Weichlot ist, kann eine hohe Benetzbarkeit und eine hohe Streichfähigkeit sichergestellt werden. In dem Fall, bei dem nicht nur Co, sondern auch eine winzige Menge von Ni und/oder Fe enthalten ist, kann die Schmelzrate des Kupfers gesenkt werden, während die Erhöhung der Liquidus-Temperatur kontrolliert wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung hat ein Verfahren zur Behandlung der Oberfläche einer Leiterplatte den Schritt Beschichten eines auf der Oberfläche einer Leiterplatte ausgebildeten Schaltkreises mit einem Weichlot, bestehend aus 1,0 bis 4,0 Masse-% Ag, 0,2 bis 1,3 Masse-% Cu, 0,02 bis 0,06 Masse-% Co und dem Rest Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung hat ein Verfahren zur Behandlung der Oberfläche einer Leiterplatte den Schritt Beschichten eines auf der Oberfläche einer Leiterplatte ausgebildeten Schaltkreises mit einem Weichlot, bestehend aus 1,0 bis 4,0 Masse-% Ag, 0,2 bis 1,3 Masse-% Cu, 0,02 bis 0,06 Masse-% Co, 0,02 bis 0,06 Masse-% Ni und dem Rest Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung hat ein Verfahren zur Behandlung der Oberfläche einer Leiterplatte den Schritt Beschichten eines auf der Oberfläche einer Leiterplatte ausgebildeten Schaltkreises mit einem Weichlot, bestehend aus 1,0 bis 4,0 Masse-% Ag, 0,2 bis 1,3 Masse-% Cu, 0,02 bis 0,06 Masse-% Co, 0,02 bis 0,06 Masse-% Fe und dem Rest Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung hat ein Oberflächenbehandlungsverfahren einer Leiterplatte den Schritt Beschichten eines auf der Oberfläche einer Leiterplatte ausgebildeten Schaltkreises mit einem Weichlot, bestehend aus 1,0 bis 4,0 Masse-% Ag, 0,2 bis 1,3 Masse-% Cu, 0,02 bis 0,06 Masse-% Co, 0,02 bis 0,06 Masse-% Ni, 0,02 bis 0,06 Fe und dem Rest Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung hat ein Verfahren zum Montieren eines elektronischen Bauteils den Schritt Löten eines Elektronikteils auf eine Schaltung, die auf einer Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte ausgebildet ist, mit einem Weichlot, bestehend aus 1,0 bis 4,0 Masse-% Ag, 0,2 bis 1,3 Masse-% Cu, 0,02 bis 0,06 Masse-% Co und dem Rest Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung hat ein Verfahren zum Montieren eines elektronischen Bauteils den Schritt Löten eines Elektronikteils auf einen Schaltkreis, der auf der Oberfläche einer Leiterplatte ausgebildet ist, mit einem Weichlot, bestehend aus 1,0 bis 4,0 Masse-% Ag, 0,2 bis 1,3 Masse-% Cu, 0,02 bis 0,06 Masse-% Co, 0,02 bis 0,06 Masse-% Ni und dem Rest Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung hat das Verfahren zum Montieren eines elektronischen Bauteils den Schritt Löten eines elektronischen Bauteils auf einen Schaltkreis, der auf der Oberfläche einer Leiterplatte ausgebildet ist, mit einem Weichlot, bestehend aus 1,0 bis 4,0 Masse-% Ag, 0,2 bis 1,3 Masse-% Cu, 0,02 bis 0,06 Masse-% Co, 0,02 bis 0,06 Masse-% Fe und dem Rest Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung hat ein Verfahren zum Montieren eines elektronischen Bauteils den Schritt Löten eines elektronischen Bauteils auf einen Schaltkreis, der auf der Oberfläche einer Leiterplatte ausgebildet ist, mit einem Weichlot, bestehend aus 1,0 bis 4,0 Masse-% Ag, 0,2 bis 1,3 Masse-% Cu, 0,02 bis 0,06 Masse-% Co, 0,02 bis 0,06 Masse-% Ni, 0,02 bis 0,06 Masse-% Fe und dem Rest Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  • Mit diesen Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine bedruckte Leiterplatte mit hoher Zuverlässigkeit ungeachtet dessen erzielt werden, ob auf dieser ein elektronisches Bauteil montiert ist oder nicht.
  • 1 ist ein Phasendiagramm einer Legierung aus Sn-2%Ag-Cu-0,04%Co, wobei der Cu-Gehalt entlang der Horizontalachse angegeben ist;
  • 2 ist ein Diagramm von Sn-Ag-Cu-Co(-Ni), das die Beziehung zwischen dem Co-Gehalt und dem Cu-Gehalt zeigt, wenn der Ag-Gehalt auf 2 Masse-% fixiert ist, wobei 2A den Ni-freien Fall zeigt, während 2B den Fall zeigt, dass 0,04 Masse-% Ni enthalten sind;
  • 3 ist ein Diagramm von Sn-Ag-Cu-Co(-Ni), das die Beziehung zwischen dem Co-Gehalt und dem Ag-Gehalt zeigt, wenn der Cu-Gehalt auf 0,8 Masse-% festgelegt ist, wobei 3A den Ni-freien Fall zeigt, während 3B den Fall mit einem Gehalt von 0,04 Masse-% Ni zeigt;
  • 4A ist eine grafische Darstellung von Sn-2%Ag-0,8%Cu-0,04%Co-Ni, die die Beziehung zwischen dem Ni-Gehalt und der Liquidus-Temperatur zeigt, während 4B eine grafische Darstellung von Sn-2%Ag-0,8%Cu-0,04%Co-Ni ist, die die Beziehung zwischen dem Ni-Gehalt und der Schmelzrate von Kupfer zeigt;
  • 5 ist eine grafische Darstellung Sn-Ag-Cu-Co-Ni, die das Evaluierungsergebnis der Beziehung zwischen dem Co-Gehalt und dem Ni-Gehalt zeigt, wenn der Ag-Gehalt auf 2 Masse-% festgelegt ist und der Cu-Gehalt auf 0,8 Masse-% festgelegt ist;
  • 6A ist eine grafische Darstellung von Sn-3,5%Ag-0,8%Cu-0,06%Co-Fe, die die Beziehung zwischen dem Fe-Gehalt und der Liquidus-Temperatur zeigt, während 6B eine grafische Darstellung von Sn-3,5%Ag-0,8%Cu-0,06%Co-Fe ist, die die Beziehung zwischen dem Fe-Gehalt und der Schmelzrate von Kupfer zeigt;
  • 7 ist eine grafische Darstellung von Sn-Ag-Cu-Co-Fe, die das Evaluierungsergebnis der Beziehung zwischen dem Co-Gehalt und dem Fe-Gehalt zeigt, wenn der Ag-Gehalt auf 3,5 Masse-% festgelegt und der Cu-Gehalt auf 0,8 Masse-% festgelegt ist;
  • 8 ist eine grafische Darstellung von Sn-Ag-Cu-Co-Ni-Fe, die die Beziehung zwischen dem Ni-Gehalt und dem Fe-Gehalt zeigt, wenn der Ag-Gehalt auf 3,5 Masse-% und der Cu-Gehalt auf 0,8 Masse-% festgelegt ist und der Co-Gehalt variiert wird; und
  • 9A ist eine grafische Darstellung von Sn-Ag-Cu-Co, die die Beziehung zwischen dem Co-Gehalt und der Liquidus-Temperatur in einem Weichlot aus Sn, 3,5 Masse-% Ag und 0,8 Masse-% Cu zeigt, während 9B eine grafische Darstellung von Sn-Ag-Cu-Co ist, die die Beziehung zwischen dem Co-Gehalt und der Schmelzrate des Kupfers in dem Weichlot mit Sn, 3,5 Masse-% Ag und 0,8 Masse-% Cu zeigt.
  • Als Ergebnis wiederholter und sorgfältiger experimenteller Untersuchungen durch die Erfinder der vorliegenden Anmeldung zur Lösung der vorstehend beschriebenen Probleme wurde herausgefunden, dass der Kupferverzehr verhindert werden kann, indem eine exakte Menge von Co zugefügt wird, wobei die Erhöhung der Liquidus-Temperatur kontrolliert werden kann, beispielsweise indem die Liquidus-Temperatur auf 230°C oder darunter gesteuert wird, was im Hinblick auf die Wärmewiderstandstemperatur der bedruckten Leiterplatte vorzuziehen ist, und zusätzlich kann diese verhindernde Wirkung erhöht werden, indem eine exakte Menge von Ni und/oder Fe zugesetzt wird. Die Schmelzrate von Kupfer in einem Fall, bei dem Erfinder der vorliegenden Anmeldung verschiedene Elemente zu Sn zugesetzt haben, ist in der folgenden Tabelle 1 gezeigt. Die Tabelle 1 zeigt, dass je höher die Schmelzrate von Kupfer ist, umso leichter schreitet der Kupferverzehr fort.
  • Tabelle 1
    Figure 00100001
  • Wie in der vorstehenden Tabelle 1 gezeigt, ist in einem Fall, bei dem eine winzige Menge von Co, Ni oder Fe zugesetzt ist, die Schmelzrate des Kupfers im Vergleich zu den Fällen, bei denen andere Elemente zugesetzt worden sind, signifikant reduziert. Insbesondere ist die Reduktion der Schmelzrate von Kupfer zu dem Zeitpunkt signifikant, zu welchem Co unter diesen drei Elementarten zugesetzt ist. Wenn die Menge der anderen Elemente, welche einer Legierung mit einer eutektischen Zusammensetzung zugesetzt werden, steigt, steigt im Allgemeinen die Liquidus-Temperatur und in dem Fall, bei dem die Menge des Zusatzes winzig ist, kann die Erhöhung der Liquidus-Temperatur auf ein Minimum begrenzt werden. Demgemäß wird davon ausgegangen, dass durch Zusetzen einer winzigen Menge von Co, Ni und/oder Fe der Kupferverzehr verhindert werden kann, während die Erhöhung der Liquidus-Temperatur gesteuert werden kann.
  • Im Folgenden werden die chemischen Bestandteile, welche in Weichloten gemäß der vorliegenden Erfindung enthalten sind, und der Grund dafür, warum die Weichlote auf solche Zusammensetzungen begrenzt sind, beschrieben.
  • Ag: 1,0 bis 4,0 Masse-%
  • Ag ist ein Element, das die Wirkung hat, die Benetzbarkeit von Weichlot zu erhöhen. Das heißt, durch Zusetzen von Ag zum Zeitpunkt, zu welchem das Weichlot benetzt wird, kann verkürzt werden. Die Ergebnisse der Messung der Benetzbarkeit von Weichloten von aus Sn-Ag-Cu basierenden Legierungen mittels eines Benetzungsausgleichsverfahrens, das unter Punkt 8.3.1.2 JIS Z 3197 vorgeschrieben ist, sind in der folgenden Tabelle 2 gezeigt. Bei diesem Test wurde eine Phosphor desoxidierte Kupferplatte mit einer Dicke von 3 mm, einer Breite von 5 mm und einer Länge von 50 mm als ein Teststück verwendet, nachdem dieses für 20 Minuten auf 130°C erhitzt worden war, um oxidiert zu werden. Zusätzlich wurde eine Lösung, die durch Zusetzen und Lösen von 0,39 ± 0,01 g Diethylaminhydrochlorid in einer Lösung, die durch Lösen von 25 g von Colophonium als Flussmittel in Isopropylalkohol erzielt worden war, verwendet. Die Temperatur des Lötbades betrug 250°C, die Eintauchrate in das Lötbad betrug 16 mm/sec, die Eintauchtiefe betrug 2 mm und die Eintauchzeit betrug 10 sec.
  • Tabelle 2
    Figure 00120001
  • Wie in der Tabelle 2 gezeigt, überschritt die Zeitspanne, die ein Weichlot aus auf Sn-Cu basierenden Legierungen, dem kein Ag zugesetzt worden war, zum Benetzen benötigte, in allen Fällen 2 sec, während die Zeitpanne, die ein Weichlot zum Benetzen benötigte, bei einer auf Sn-1,2%Ag-Cu basierenden Legierung oder einer auf Sn-3,5%Ag-Cu basierenden Legierung, der Ag zugesetzt war, in den meisten Fällen unter 2 sec betrug.
  • In dem Fall, bei dem der Gehalt an Ag in dem Weichlot unter 1,0 Masse-% betrug, kann der vorstehend beschriebene Effekt der Verkürzung der Benetzungszeit nicht erzielt werden. Wenn andererseits der Ag-Gehalt 4,0 Masse-% übersteigt, wird die Liquidus-Temperatur hoch, so dass das Risiko besteht, dass an der bedruckten Leiterplatte und den elektronischen Bauteilen zum Zeitpunkt des Lötens ein Defekt auftritt. Demgemäß sollte der Gehalt an Ag in dem Weichlot im Bereich von 1,0 bis 4,0 Masse-% liegen.
  • Cu: 0,2 bis 1,3 Masse-%
  • Cu ist ein Element, das die Wirkung hat, den Kupferverzehr eines Kupferschaltkreises auf einer bedruckten Leiterplatte zu verhindern. Die Eigenschaften von JIS H63A-Weichlot, das ein Sn-Pb-eutektisches Weichlot ist, und dem Cu zugesetzt worden war, sind in der folgenden Tabelle 3 gezeigt.
  • Tabelle 3
    Figure 00130001
  • Wie in der Tabelle 3 gezeigt, wird, wenn der Cu-Gehalt steigt, die Schmelzrate des Kupfers gesenkt, um einen Kupferverzehr zu verhindern. Andererseits steigt die Liquidus-Temperatur.
  • In dem Fall, bei dem der Gehalt an Cu in dem Weichlot unter 0,2 Masse-% liegt, ist der vorstehend beschriebene Effekt der Verhinderung des Kupferverzehrs ungenügend. Wenn andererseits der Cu-Gehalt über 1,3 Masse-% geht, wird die Liquidus-Temperatur hoch, so dass das Risiko besteht, dass an der bedruckten Leiterplatte und den elektronischen Bauteilen zum Zeitpunkt des Lötens ein Defekt auftritt. 1 ist ein Phasendiagramm einer Legierung aus Sn-2%Ag-Cu-0,04%Co, wobei der Cu-Gehalt entlang der Horizontalachse angegeben ist. In der 1 zeigt die durchgezogene Linie die Liquidus-Temperatur und die Doppelpunkt-Strich-Linie zeigt die Solidus-Temperatur. In dem Fall von beispielsweise einer Legierung aus Sn-2%Ag-Cu-0,04%Co geht die Liquidus-Temperatur über 240°C, wie dies in der 1 gezeigt ist, wenn der Cu-Gehalt über 1,3 Masse-% steigt. Demgemäß liegt der Cu-Gehalt in dem Weichlot im Bereich von 0,2 bis 1,3 Masse-%.
  • Die Beziehung zwischen den Ag- und Cu-Gehalten und der Liquidus-Temperatur (°C) und der Schmelzrate von Kupfer (μm/sec) in einem auf Sn-Ag-Cu basierenden Weichlot sind in den folgenden Tabellen 4 bzw. 5 gezeigt. In diesen Weichloten sind die Restbestandteile alle Sn.
  • Tabelle 4
    Figure 00140001
  • Tabelle 5
    Figure 00150001
  • Co: 0,02 bis 0,06 Masse-%
  • Co ist ein Element, das die Wirkung hat, Kupferverzehr durch Zusatz in einer winzigen menge zu verhindern, wie dies vorstehend beschrieben ist. Hierbei kann in dem Fall, bei dem der Gehalt Co in dem Weichlot unter 0,02 Masse-% ist, die Wirkung des Verhinderns von Kupferverzehr nicht erzielt werden. Wenn andererseits der Co-Gehalt über 0,06 Masse-% hinausgeht, wird die Liquidus-Temperatur hoch, so dass das Risiko besteht, dass an der bedruckten Leiterplatte und den elektronischen Bauteilen zum Zeitpunkt des Lötens ein Defekt verursacht wird. Da zusätzlich die Viskosität hoch wird, werden die im Folgenden gezeigten Ungleichförmigkeiten verursacht. Zunächst tritt in dem Fall, bei dem der Kupferschaltkreis auf der Leiterplatte mit Weichlot mittels eines Heissluft-Einebnungsverfahrens beschichtet wird, ein Defekt auf, bei dem die Dicke der Weichlot-Beschichtung ungleichförmig wird. Zusätzlich tritt in einigen Fällen ein kritischer Defekt ein, bei dem keine Weichlot-Beschichtung errichtet wird oder bei dem zwischen benachbarten Schaltkreisen eine Weichlotbrücke errichtet wird. Zweitens wird der Weichlotstrahlverlauf in dem strömenden Weichlot unstabil, so dass die Lötausbeute gesenkt wird und in der Menge des Weichlotes desjenigen Teils, der durch Weichlot mit einem elektronischen Bauteil verbunden ist, eine Dispersion auftritt, so dass eine kriti sche Ungleichförmigkeit auftritt, wobei die Zuverlässigkeit der Verbindungen verringert ist. Demgemäß sollte der Co-Gehalt in dem Weichlot in einem Bereich von 0,02 bis 0,06 Masse-% sein. Zusätzlich ist der Fall, bei dem der Co-Gehalt 0,02 bis 0,04 Masse-% beträgt, insbesondere zu bevorzugen, weil die Erhöhung der Liquidus-Temperatur extrem klein ist.
  • Ni: 0,02 bis 0,06 Masse-%
  • Ni ist ein Element, das die Wirkung hat, Kupferverzehr durch Zusetzen einer winzigen Menge desselben auf die gleiche Weise wie Co, wie vorstehend beschrieben, zu verhindern. In dem Fall, bei dem hierbei der Gehalt an Ni in dem Weichlot geringer als 0,02 Masse-% ist, kann keine Wirkung zum Verhindern von Kupferverzehr durch den Zusatz von Ni erzielt werden. Wenn andererseits der Ni-Gehalt über 0,06 Masse-% hinausgeht, wird die Liquidus-Temperatur hoch, so dass das Risiko besteht, dass an der bedruckten Leiterplatte und den elektronischen Bauteilen zum Zeitpunkt des Lötens ein Defekt verursacht wird. Demgemäß sollte der Gehalt an Ni in dem Weichlot im Bereich von 0,02 bis 0,06 Masse-% liegen.
  • Fe: 0,02 bis 0,06 Masse-%
  • Fe ist ein Element, das die Wirkung hat, Kupferverzehr durch Zusetzen einer winzigen Menge desselben auf die gleiche Weise wie Ni, wie vorstehend beschrieben, zu verhindern. In dem Fall, bei dem hierbei der Gehalt an Fe in dem Weichlot unter 0,02 Gewichts-% liegt, kann die Wirkung des Verhinderns von Kupferverzehr nicht erzielt werden. Wenn andererseits der Fe-Gehalt über 0,06 Gewichts-% hinausgeht, wird die Liquidus-Temperatur hoch, so dass das Risiko besteht, dass an der bedruckten Leiterplatte und den elektronischen Bauteilen zum Zeitpunkt des Lötens ein Defekt verursacht wird. Da zusätzlich die Viskosität hoch wird, ist die Benetzbarkeit des Weichlotes gesenkt. Demgemäß sollte der Gehalt an Fe in dem Weichlot im Bereich von 0,02 bis 0,06 Gewichtsliegen.
  • In dem Fall, bei dem ein auf der Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte ausgebildeter Schaltkreis mit Weichlot beschichtet wird, das eine solche Zusammensetzung hat, kann eine bedruckte Leiterplatte erzielt werden, bei der der Kupferverzehr extrem klein ist. In dem Fall, bei dem an einem Schaltkreis, der auf der Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte ausgebildet ist, ein elektronischer Bauteil mit einem Weichlot mit einer solchen Zusammensetzung angelötet wird, kann zusätzlich die Zuverlässigkeit der Montage verbessert werden.
  • Wie vorstehend beschrieben ist es vorzuziehen, dass die Liquidus-Temperatur (Schmelzpunkt) des Weichlots 240°C oder darunter ist, und es ist insbesondere für die Liquidus-Temperatur des Weichlots vorzuziehen, dass diese unter 230°C liegt. Weiterhin ist es vorzuziehen, dass die Schmelzrate des Kupfers für die praktische Verwendung 0,17 μm/sec oder darunter liegt.
  • Im Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung in Relation zu Vergleichsbeispielen, die aus dem Umfang der Patentansprüche herrühren, konkret beschrieben.
  • Zunächst wurden Weichlote mit Zusammensetzunge wie in den Tabellen 6 bis 14 im Folgenden beschrieben, hergestellt. Hierbei sind die restlichen Teile der in den 6 bis 14 gezeigten Zusammensetzungen alle Sn und unvermeidliche Verunreinigungen.
  • Tabelle 6
    Figure 00180001
  • Tabelle 7
    Figure 00190001
  • Tabelle 8
    Figure 00200001
  • Tabelle 9
    Figure 00210001
  • Tabelle 10
    Figure 00220001
  • Tabelle 11
    Figure 00230001
  • Tabelle 12
    Figure 00230002
  • Tabelle 13
    Figure 00240001
  • Tabelle 14
    Figure 00250001
  • Dann wurden die Schmelzrate von Kupfer, die Schmelztemperatur, die Viskosität und die Weichlotstreichfähigkeit, bezogen auf diese Weichlote, gemessen.
  • Beim Messen der Schmelzrate des Kupfers wurde eine Isoproylalkohol-Lösung, die 20 Masse-% Colophonium enthielt, als ein Flussmittel auf einen Kupferdraht geschichtet, dessen Durchmesser 0,5 mm betrug, und danach wurde der Kupferdraht in ein Weichlotbad für eine feststehende Zeitspanne eingetaucht und dann wurde das Maß der Verminderung des Radius des Kupferdrahtes gemessen.
  • Beim Messen der Schmelztemperatur wurde die Solidus-Temperatur mittels einer thermischen Differentialanalyse-Methode gemessen. Zusätzlich wurde ein geschmolzenes Weichlot in einen Prüftiegel gebracht, so dass dessen Viskosität durch einen Viskotester-V-04 (hergestellt von Rion Co., Ltd.) gemessen wurde, während die Temperatur des Weichlots von ungefähr 310°C graduell abgekühlt wurde, um die Temperatur zu bestimmen, bei der die Viskosität plötzlich erhöht war, welche die Liquidus-Temperatur war. Zum Zeitpunkt der Messung dieser Schmelztemperatur wurde auch die Viskosität gemessen.
  • Die Messung der Weichlotstreichfähigkeit basierte auf dem „8.3.1.1-Streichfähigkeitstest", beschrieben in dem Lötflussmitteltestverfahren gemäß JIS Z 3197. Konkret wurden 0,3 g Weichlot und Flussmittel auf einer oxidierten Kupferplatte platziert, die für 30 sec auf 250°C erhitzt war, um das Weichlot auszubreiten. Danach wurde das Weichlot durch Kühlen verfestigt und die Höhe desselben wurde gemessen, um die Weichlotstreichfähigkeit zu berechnen.
  • Die Ergebnisse des Vorstehenden sind in den folgenden Tabellen 15 bis 23 gezeigt. In den Tabellen 15 bis 23 sind die O, Δ und X gemäß der folgenden Angaben aufgeführt. Eine Liquidus-Temperatur, die 230°C oder darunter beträgt, ist mit O angegeben, eine Liquidus-Temperatur, die über 230°C hinausgeht und niedriger als 240°C ist, ist mit Δ bezeichnet, und eine Liquidus-Temperatur, die über 240°C hinausgeht, ist mit X bezeichnet. Eine Schmelzrate von Kupfer unter 0,17 (μm/sec) ist mit O angegeben, eine Schmelzrate von Kupfer, die 0,17 (μm/sec) oder darüber und kleiner als 0,20 (μm/sec) beträgt, ist mit Δ bezeichnet, und eine Schmelzrate von Kupfer, die 0,20 (μm/sec) oder höher ist, ist mit X bezeichnet. Eine Viskosität, die 2,5 (cP) oder darunter ist, ist mit O angegeben und eine Viskosität, die über 2,5 (cP) hinausgeht, ist mit X angegeben. Eine Weichlotstreichfähigkeit, die 75 (%) oder darüber beträgt, ist mit O angegeben, und eine Weichlotstreichfähigkeit, die unter 75 (%) beträgt, ist mit X angegeben. Darin ist eine künstliche Evaluierung (gesamt), die unter jedem Posten X hat, mit X angegeben, eine künstliche Evaluierung, die in jedem Posten unter den künstlichen Evaluierungen, die nicht als X bezeichnet sind, Δ enthält, mit Δ angegeben, und die übrigen künstlichen Evaluierungen, d. h. die künstlichen Evaluierungen mit O für jeden Posten, sind mit O angegeben.
  • Tabelle 15
    Figure 00280001
  • Tabelle 16
    Figure 00290001
  • Tabelle 17
    Figure 00300001
  • Tabelle 18
    Figure 00310001
  • Tabelle 19
    Figure 00320001
  • Tabelle 20
    Figure 00330001
  • Tabelle 21
    Figure 00340001
  • Tabelle 22
    Figure 00350001
  • Tabelle 23
    Figure 00360001
  • Die vorstehenden Ergebnisse sind in einer grafischen Darstellung gezeigt. Hierbei bezeichnen O, Δ und X, die in den folgenden grafischen Darstellungen gezeigt sind, künstliche Evaluierungen in den vorstehend beschriebenen Tabellen 15 bis 23.
  • Die 2A und 2B sind grafische Darstellungen der Beziehung zwischen dem Co-Gehalt und dem Cu-Gehalt, wenn der Ag-Gehalt auf 2 Masse-% festgelegt ist. 2A ist eine grafische Darstellung des Evaluierungsergebnisses für den Fall, dass kein Ni enthalten ist, während 2B eine grafische Darstellung des Evaluierungsergebnisses für den Fall ist, dass 0,04 Masse-% Ni enthalten sind. Das heißt, 2A zeigt die Evaluierungsergebnisse der Nummern 1 bis 7, der Nummern 15 bis 21, der Nummern 29 bis 35, der Nummern 48 bis 54, der Nummern 62 bis 68 und der Nummern 146 bis 149, während 2B die Evaluierungsergebnisse der Nummern 8 bis 14, der Nummern 22 bis 28, der Nummern 36 bis 42, der Nummern 55 bis 61, der Nummern 69 bis 75 und der Nummern 150 bis 153 zeigt.
  • Die 3A und 3B sind grafische Darstellungen der Beziehung zwischen dem Co-Gehalt und dem Ag-Gehalt, wenn der Cu-Gehalt auf 0,8 Masse-% festgelegt ist. 3A ist die grafische Darstellung des Evaluierungsergebnisses für den Fall, bei dem Ni nicht enthalten ist, während 3B eine grafische Darstellung der Evaluierungsergebnisse für den Fall ist, bei dem 0,04 Masse-% Ni enthalten sind. Das heißt, 3A zeigt die Evaluierungsergebnisse der Nummern 39 bis 35, der Nummern 76 bis 82, der Nummern 90 bis 96, der Nummern 104 bis 110, der Nummern 118 bis 124 und der Nummern 132 bis 138, während 3B die Evaluierungsergebnisse der Nummern 36 bis 42, der Nummern 83 bis 89, der Nummern 97 bis 103, der Nummern 111 bis 117, der Nummern 125 bis 131 und der Nummern 139 bis 145 zeigt.
  • Die 4A und 4B sind grafische Darstellungen der Beziehung zwischen dem Ni-Gehalt und der Liquidus-Temperatur, während 4B eine grafische Darstellung der Beziehung des Ni-Gehaltes und der Schmelzrate von Kupfer ist. Das heißt, die 4A und 4B zeigen die Evaluierungsergebnisse der Nummern 31, der Nummer 38 und der Nummern 43 bis 47 (Evaluierungsergebnisse mit Bezug auf ein Weichlot aus Sn – 2 Masse-% Ag – 0,8 Masse-% Cu – 0,04 Masse-% Co – Ni). 5 ist eine grafische Darstellung des Evaluierungsergebnisses der Beziehung zwischen dem Co-Gehalt und dem Ni-Gehalt, wenn der Ag-Gehalt auf 2 Masse-% festgelegt ist und der Cu-Gehalt auf 0,8 Masse-% festgelegt ist. Das heißt, 5 zeigt die Evaluierungsergebnisse der Nummern 29 bis 33, der Nummern 36 bis 40, der Nummern 43 bis 45 und der Nummern 154 bis 162.
  • Die 6A ist eine grafische Darstellung der Beziehung zwischen dem Fe-Gehalt und der Liquidus-Temperatur, während die 6B eine grafische Darstellung der Beziehung zwischen dem Fe-Gehalt und der Schmelzrate des Kupfers ist. Das heißt, die 6A und 6B zeigen die Evaluierungsergebnisse der Nummern 107 und 166 bis 168 (Evaluierungsergebnisse mit Bezug auf ein Weichlot aus Sn – 3,5 Masse-% Ag – 0,8 Masse-% Cu – 0,06 Masse-% Co – Fe). 7 ist eine grafische Darstellung der Evaluierungsergebnisse der Beziehung zwischen dem Co-Gehalt und dem Fe-Gehalt, wenn der Ag-Gehalt auf 3,5 Masse-% festgelegt ist und der Cu-Gehalt auf 0,8 Masse-% festgelegt ist. Das heißt, 7 zeigt die Evaluierungsergebnisse der Nummern 104 bis 108 und der Nummern 163 bis 171.
  • Die 8A, 8B und 8C sind grafische Darstellungen der Evaluierungsergebnisse der Beziehungen zwischen dem Ni-Gehalt und dem Fe-Gehalt, wenn der Ag-Gehalt auf 3,5 Masse-% festgelegt ist, der Cu-Gehalt auf 0,8 Masse-% festgelegt ist und der Co-Gehalt variiert wird. 8A ist eine grafische Darstellung des Evaluierungsergebnisses, wenn der Co-Gehalt gleich 0,02 Masse-% ist, 8B ist eine grafische Darstellung des Evaluierungsergebnisses, wenn der Co-Gehalt gleich 0,06 Masse-% ist und 8C ist eine grafische Darstellung des Evaluierungsergebnisses, wenn der Co-Gehalt gleich 0,08 Masse-% ist. Das heißt, 8A zeigt die Evaluierungsergebnisse der Nummer 105, der Nummer 112, der Nummern 163 bis 165 und der Nummern 172 bis 180, 8B zeigt die Evaluierungsergebnisse der Nummer 107, der Nummer 114, der Nummern 166 bis 168 und der Nummern 181 bis 189 und 8C zeigt die Evaluierungsergebnisse der Nummer 108, der Nummer 115, der Nummern 169 bis 171 und der Nummern 190 bis 198.
  • Wie in den 2A und 2B gezeigt, werden in dem Fall, bei dem Co im Bereich von 0,02 bis 0,06 Masse-% liegt, ausgezeichnete Ergebnisse selbst dann erzielt, wenn der Ag-Gehalt im Bereich von 1,0 bis 4,0 Masse-% variiert, welches im Bereich der vorliegenden Erfindung liegt. Ähnlich werden, wie in den 3A und 3B gezeigt, für den Fall, bei dem Co im Bereich von 0,02 bis 0,06 Masse-% liegt, selbst dann ausgezeichnete Ergebnisse erzielt, wenn der Cu-Gehalt im Bereich von 0,2 bis 1,3 Masse-% variiert, was im Bereich der vorliegenden Erfindung liegt.
  • Zusätzlich ist, wie in den 4 und 6 gezeigt, bei dem Fall, bei dem Ni oder Fe enthalten sind, wenn deren Gehalt gleich 0,06 Masse-% oder darunter liegt, die Liquidus-Temperatur in einem Bereich, bei dem die elektronischen Bauteile und dergleichen zum Zeitpunkt des Lötens nicht beeinträchtigt werden, während in dem Fall, bei dem der Ni-Gehalt über 0,08 Masse-% hinausgeht, die Liquidus-Temperatur über 250°C gelangt, so dass sie in einem Bereich ist, in welchem an den elektronischen Bauteilen und dergleichen eine Störung verursacht wird. In dem Fall, bei dem wie in den 4 gezeigt, Ni enthalten ist, steigt die Liquidus-Temperatur verglichen mit einem Weichlot, das kein Ni enthält und den gleichen Gehalt an Ag, Cu und Co enthält, überhaupt nicht oder nur um einen extrem kleinen Betrag, während die Schmelzrate des Kupfers weiter vermindert wird. In dem Fall, in welchem wie in 6 gezeigt, Fe enthalten ist, wird die Liquidus-Temperatur, verglichen mit dem Fall, bei dem Fe nicht enthalten ist, weiter gesenkt, während die Schmelzrate des Kupfers auf eine niedrige Rate gesteuert ist.
  • Wie in der 5, der Tabelle 21 und dergleichen gezeigt, werden für den Fall, dass der Co-Gehalt im Bereich von 0,02 bis 0,06 Masse-% und der Ni-Gehalt im Bereich von 0,02 bis 0,06 Masse-% liegt, gute Ergebnisse erzielt. Insbesondere werden in dem Fall, bei dem der Co-Gehalt im Bereich von 0,02 bis 0,04 Masse-% und der Ni-Gehalt im Bereich von 0,02 bis 0,04 Masse-% liegt, noch bessere Ergebnisse erzielt. Ähnlich wie in der 7 und der Tabelle 22 und dergleichen gezeigt, werden in dem Fall, bei dem der Co-Gehalt im Bereich von 0,02 bis 0,06 Masse-% und der Fe-Gehalt im Bereich von 0,02 bis 0,06 Masse-% liegt, gute Ergebnisse erzielt.
  • Zusätzlich werden, wie in den 8 gezeigt, für den Fall, bei dem Ni und Fe zusätzlich zu Co enthalten sind, wenn der Co-Gehalt, der Ni-Gehalt und der Fe-Gehalt jeweils im Bereich von 0,02 bis 0,06 Masse-% liegen, gute Ergebnisse erzielt.
  • Die Wirkungen des Zusetzens von Co zu einem Weichlot mit Sn – 3,5 Masse-% Ag – 0,8 Masse-% Cu, das ein herkömmliches auf Sn-Ag-Cu basierendes Weichlot ist, sind in den grafischen Darstellungen, basierend auf den vorstehend beschriebenen Tabellen dargestellt. 9A ist eine grafische Darstellung, die die Beziehung zwischen dem Co-Gehalt und der Liquidus-Temperatur in dem Weichlot aus Sn – 3,5 Masse-% Ag – 0,8 Masse-% Cu zeigt, während 9B eine grafische Darstellung der Beziehung zwischen dem Co-Gehalt und der Schmelzrate des Kupfers in dem Weichlot aus Sn – 3,5 Masse-% Ag – 0,8 Masse-% Cu zeigt.
  • Aus der 9A und der 9B ist auch zu ersehen, dass in dem Fall, bei dem der Co-Gehalt im Bereich von 0,02 bis 0,06 Masse-% liegt, der Kupferverzehr verhindert werden kann, indem die Schmelzrate des Kupfers verringert wird, während die Liquidus-Temperatur innerhalb eines Bereiches kontrolliert wird, bei dem die bedruckte Leiterplatte, die zu montierenden elektronischen Bauteile und dergleichen nicht negativ beeinträchtigt werden.

Claims (15)

  1. Weichlot mit: 1,0 bis 4,0 Masse % Ag, 0,2 bis 1,3 Masse % Cu, 0,02 bis 0,06 Masse % Co und dem Rest aus Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  2. Weichlot mit: 1,0 bis 4,0 Masse % Ag, 0,2 bis 1,3 Masse % Cu, 0,02 bis 0,06 Masse % Co, 0,02 bis 0,06 Masse % Ni und dem Rest aus Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  3. Weichlot mit: 1,0 bis 4,0 Masse % Ag, 0,2 bis 1,3 Masse % Cu, 0,02 bis 0,06 Masse % Co, 0,02 bis 0,06 Masse % Fe und dem Rest aus Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  4. Weichlot mit: 1,0 bis 4,0 Masse % Ag, 0,2 bis 1,3 Masse % Cu, 0,02 bis 0,06 Masse % Co, 0,02 bis 0,06 Masse % Ni, 0,02 bis 0,06 Masse % Fe und dem Rest aus Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  5. Weichlot gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Liquidustemperatur 240 °C oder darunter ist, und dass die Schmelzrate von Kupfer 0,17 μn/sec oder darunter ist.
  6. Verfahren zur Bearbeitung einer Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte mit dem Schritt: Beschichten einer Schaltung, die auf einer Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte aufgedruckt ist, mit einem Weichlot mit 1,0 bis 4,0 Masse % Ag, 0,2 bis 1,3 Masse % Cu, 0,02 bis 0,06 Masse % Co und dem Rest aus Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  7. Verfahren zur Bearbeitung einer Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte mit dem Schritt: Beschichten einer Schaltung, die auf einer Oberfläche einer gedruckten Leiterplatte ausgebildet ist, mit einem Weichlot, mit 1,0 bis 4,0 Masse % Ag, 0,2 bis 1,3 Masse % Cu, 0,02 bis 0,06 Masse % Co, 0,02 bis 0,06 Masse % Ni und dem Rest aus Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  8. Verfahren zur Bearbeitung einer Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte mit dem Schritt: Beschichten einer Schaltung, die auf einer Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte ausgebildet ist, mit einem Weichlot, mit 1,0 bis 4,0 Masse % Ag, 0,2 bis 1,3 Masse % Cu, 0,02 bis 0,06 Masse % Co, 0,02 bis 0,06 Masse % Fe und dem Rest aus Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  9. Verfahren zur Bearbeitung einer Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte mit dem Schritt: Beschichten einer Schaltung, die auf einer Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte ausgebildet ist, mit einem Weichlot, mit 1,0 bis 4,0 Masse % Ag, 0,2 bis 1,3 Masse % Cu, 0,02 bis 0,06 Masse % Co, 0.02 bis 0,06 Masse % Ni, 0,02 bis 0,06 Masse % Fe und dem Rest aus Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  10. Verfahren zur Bearbeitung einer Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte gemäß einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Liquidustemperatur des Weichlots 240 °C oder darunter ist und dass die Schmelzrate von Kupfer 0,17 μm/sec oder darunter ist.
  11. Verfahren zum Montieren eines Elektronikteils mit dem Schritt: Löten eines Elektronikteils auf eine Schaltung, die auf einer Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte ausgebildet ist, mit einem Weichlot, mit 1,0 bis 4,0 Masse % Ag, 0,2 bis 1,3 Masse % Cu, 0,02 bis 0,06 Masse % Co und dem Rest aus Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  12. Verfahren zum Montieren eines Elektronikteils mit dem Schritt: Löten eines Elektronikteils auf eine Schaltung, die auf einer Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte ausgebildet ist, mit einem Weichlot, mit 1,0 bis 4,0 Masse % Ag, 0,2 bis 1,3 Masse % Cu, 0,02 bis 0,06 Masse % Co, 0,02 bis 0,06 Masse % Ni und dem Rest aus Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  13. Verfahren zum Montieren eines Elektronikteils mit dem Schritt: Löten eines Elektronikteils auf eine Schaltung, die auf eine Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte ausgebildet ist, mit einem Weichlot, mit 1,0 bis 4,0 Masse % Ag, 0,2 bis 1,3 Masse % Cu, 0,02 bis 0,06 Masse % Co, 0,02 bis 0,06 Masse % Fe und dem Rest aus Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  14. Verfahren zum Montieren eines Elektronikteils mit dem Schritt: Löten eines Elektronikteils auf eine Schaltung, die auf einer Oberfläche einer bedruckten Leiterplatte ausgebildet ist, mit einem Weichlot, mit 1,0 bis 4,0 Masse % Ag, 0,2 bis 1,3 Masse % Cu, 0,02 bis 0,06 Masse % Co, 0,02 bis 0,06 Masse % Ni, 0,02 bis 0,06 Masse % Fe und dem Rest aus Sn und unvermeidlichen Verunreinigungen.
  15. Verfahren zum Montieren eines Elektronikteils gemäß einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Liquidustemperatur des Weichlotes 240 °C oder darunter ist, und dass die Schmelzrate von Kupfer 0,17 μm/sec oder darunter ist.
DE60117669T 2000-12-11 2001-12-10 Weichlot, Oberflächenbehandlungsverfahren von Leiterplatten und Verfahren zum Montieren eines elektronischen Bauteils Expired - Lifetime DE60117669T2 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000375960 2000-12-11
JP2000375960 2000-12-11
JP2001034319 2001-02-09
JP2001034319A JP3599101B2 (ja) 2000-12-11 2001-02-09 はんだ、それを使用したプリント配線基板の表面処理方法及びそれを使用した電子部品の実装方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60117669D1 DE60117669D1 (de) 2006-05-04
DE60117669T2 true DE60117669T2 (de) 2006-11-23

Family

ID=26605596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60117669T Expired - Lifetime DE60117669T2 (de) 2000-12-11 2001-12-10 Weichlot, Oberflächenbehandlungsverfahren von Leiterplatten und Verfahren zum Montieren eines elektronischen Bauteils

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6702176B2 (de)
EP (1) EP1213089B1 (de)
JP (1) JP3599101B2 (de)
KR (1) KR100468213B1 (de)
DE (1) DE60117669T2 (de)
TW (1) TW527438B (de)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6805974B2 (en) * 2002-02-15 2004-10-19 International Business Machines Corporation Lead-free tin-silver-copper alloy solder composition
US7029542B2 (en) * 2002-07-09 2006-04-18 Senju Metal Industry Co., Ltd. Lead-free solder alloy
US7172726B2 (en) 2002-10-15 2007-02-06 Senju Metal Industry Co., Ltd. Lead-free solder
US20040112474A1 (en) * 2002-10-17 2004-06-17 Rikiya Kato Lead-free solder ball
JP3724486B2 (ja) * 2002-10-17 2005-12-07 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだボール用合金とはんだボール
EP1918064A1 (de) * 2003-10-16 2008-05-07 Senju Metal Industry Co., Ltd. Bleifreies Lot
JP5182258B2 (ja) * 2003-12-01 2013-04-17 千住金属工業株式会社 はんだ合金と電子機器用モジュール部品
TW200529963A (en) * 2004-02-04 2005-09-16 Senju Metal Industry Co Solder alloy for preventing Fe erosion and method for preventing Fe erosion
JP4577888B2 (ja) * 2004-02-04 2010-11-10 千住金属工業株式会社 Fe喰われ防止用はんだ合金とFe喰われ防止方法
US20060104855A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 Metallic Resources, Inc. Lead-free solder alloy
US7335269B2 (en) 2005-03-30 2008-02-26 Aoki Laboratories Ltd. Pb-free solder alloy compositions comprising essentially Tin(Sn), Silver(Ag), Copper(Cu), and Phosphorus(P)
US8691143B2 (en) 2005-06-03 2014-04-08 Senju Metal Industry Co., Ltd. Lead-free solder alloy
JP2007038228A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Nihon Almit Co Ltd はんだ合金
EP1924394A2 (de) * 2005-08-24 2008-05-28 FRY'S METALS, INC. d/b/a ALPHA METALS, INC. Lötlegierung
US8641964B2 (en) 2005-08-24 2014-02-04 Fry's Metals, Inc. Solder alloy
EP1971699A2 (de) * 2006-01-10 2008-09-24 Illinois Tool Works Inc. Bleifreies lötinstrument mit geringer kupferauflösung
US20070172381A1 (en) * 2006-01-23 2007-07-26 Deram Brian T Lead-free solder with low copper dissolution
KR100887358B1 (ko) * 2006-02-14 2009-03-06 주식회사 에코조인 희석용 무연 솔더 조성물과 이를 이용한 전자기기 및인쇄회로기판
KR100887357B1 (ko) * 2006-02-14 2009-03-06 주식회사 에코조인 고온계 무연 솔더 조성물과 이를 이용한 전자기기 및인쇄회로기판
JP5030442B2 (ja) * 2006-03-09 2012-09-19 新日鉄マテリアルズ株式会社 鉛フリーハンダ合金、ハンダボール及び電子部材
US8562906B2 (en) 2006-03-09 2013-10-22 Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. Lead-free solder alloy, solder ball and electronic member, and lead-free solder alloy, solder ball and electronic member for automobile-mounted electronic member
JP5019764B2 (ja) * 2006-03-09 2012-09-05 新日鉄マテリアルズ株式会社 鉛フリーハンダ合金、ハンダボール及び電子部材
WO2007102589A1 (ja) * 2006-03-09 2007-09-13 Nippon Steel Materials Co., Ltd. 鉛フリーハンダ合金、ハンダボール及び電子部材と、自動車搭載電子部材用鉛フリーハンダ合金、ハンダボール及び電子部材
JP4076182B2 (ja) * 2006-07-27 2008-04-16 トピー工業株式会社 無鉛はんだ合金
WO2008084603A1 (ja) * 2007-01-11 2008-07-17 Topy Kogyo Kabushiki Kaisha マニュアルソルダリング用無鉛はんだ合金
JP5080946B2 (ja) * 2007-01-11 2012-11-21 株式会社日本フィラーメタルズ マニュアルソルダリング用無鉛はんだ合金
JP4683015B2 (ja) * 2007-07-04 2011-05-11 セイコーエプソン株式会社 鉛フリーはんだ合金
EP2177304B1 (de) * 2007-07-13 2016-10-26 Senju Metal Industry Co., Ltd Im fahrzeug eingebaute elektronische schaltung
KR100975654B1 (ko) * 2008-02-26 2010-08-17 한국과학기술원 Co가 첨가된 Sn-3.5Ag 솔더와 Ni-P 하부금속층간의 접합 신뢰성이 향상된 솔더 접합 구조
DE202009019184U1 (de) * 2009-08-29 2017-11-14 Umicore Ag & Co. Kg Lotlegierung
DE102009054068A1 (de) 2009-11-20 2011-05-26 Epcos Ag Lotmaterial zur Befestigung einer Außenelektrode bei einem piezoelektrischen Bauelement und piezoelektrisches Bauelement mit einem Lotmaterial
WO2012131861A1 (ja) 2011-03-28 2012-10-04 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだボール
KR20140100585A (ko) * 2012-06-30 2014-08-14 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 납프리 땜납 볼
JP6165294B2 (ja) * 2016-04-25 2017-07-19 株式会社日本スペリア社 アルミニウム用はんだ及びはんだ継手
JP6082952B1 (ja) 2016-07-04 2017-02-22 株式会社弘輝 はんだ合金、ヤニ入りはんだ
CN107127473A (zh) * 2017-06-16 2017-09-05 东莞市锡达焊锡制品有限公司 一种镀镍无铅锡线
JP6389553B2 (ja) * 2017-09-15 2018-09-12 株式会社日本スペリア社 アルミニウム用はんだ及びはんだ継手
US11732330B2 (en) * 2017-11-09 2023-08-22 Alpha Assembly Solutions, Inc. High reliability lead-free solder alloy for electronic applications in extreme environments
US11577343B2 (en) * 2017-11-09 2023-02-14 Alpha Assembly Solutions Inc. Low-silver alternative to standard SAC alloys for high reliability applications

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5520403A (en) * 1978-07-20 1980-02-13 Seiko Epson Corp Soldering material of armor part for portable watch
JPH0234295A (ja) 1988-07-19 1990-02-05 Jw Harris Co Inc ソルダーコンポジション及びその使用方法
JP2667692B2 (ja) 1988-12-29 1997-10-27 株式会社徳力本店 低融点Agはんだ
JPH04333391A (ja) 1991-05-09 1992-11-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 鉛合金ろう材
JPH06269983A (ja) * 1993-03-18 1994-09-27 Tokuriki Honten Co Ltd Ag系はんだ
JP2677760B2 (ja) * 1993-11-09 1997-11-17 松下電器産業 株式会社 はんだ
DE4443459C2 (de) * 1994-12-07 1996-11-21 Wieland Werke Ag Bleifreies Weichlot und seine Verwendung
JP3299091B2 (ja) 1995-09-29 2002-07-08 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ合金
US6224690B1 (en) * 1995-12-22 2001-05-01 International Business Machines Corporation Flip-Chip interconnections using lead-free solders
JPH09326554A (ja) * 1996-06-06 1997-12-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品接合用電極のはんだ合金及びはんだ付け方法
JP3693762B2 (ja) * 1996-07-26 2005-09-07 株式会社ニホンゲンマ 無鉛はんだ
US5863493A (en) * 1996-12-16 1999-01-26 Ford Motor Company Lead-free solder compositions
US6231691B1 (en) * 1997-02-10 2001-05-15 Iowa State University Research Foundation, Inc. Lead-free solder
US6179935B1 (en) * 1997-04-16 2001-01-30 Fuji Electric Co., Ltd. Solder alloys
JP3296289B2 (ja) 1997-07-16 2002-06-24 富士電機株式会社 はんだ合金
JP3684811B2 (ja) * 1998-01-28 2005-08-17 株式会社村田製作所 半田および半田付け物品
JP3306007B2 (ja) * 1998-06-30 2002-07-24 株式会社東芝 ハンダ材
US6109506A (en) * 1998-12-23 2000-08-29 Ford Global Technologies, Inc. Method of enhancing a joined metal assembly

Also Published As

Publication number Publication date
JP3599101B2 (ja) 2004-12-08
TW527438B (en) 2003-04-11
EP1213089B1 (de) 2006-03-08
US6702176B2 (en) 2004-03-09
US20020117539A1 (en) 2002-08-29
JP2002246742A (ja) 2002-08-30
KR100468213B1 (ko) 2005-01-26
KR20020046192A (ko) 2002-06-20
EP1213089A1 (de) 2002-06-12
DE60117669D1 (de) 2006-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60117669T2 (de) Weichlot, Oberflächenbehandlungsverfahren von Leiterplatten und Verfahren zum Montieren eines elektronischen Bauteils
DE60017040T2 (de) Sn-Ag-Cu Lot und dessen Anwendung zur Oberfläschebehandlung und Bestückung von Bauteilen
DE69918758T2 (de) Bleifreie Lötlegierung
DE60110453T2 (de) Weichlotwerkstoff und dessen verwendung in einem elektrischen oder elektronischen bauteil
DE69704725T2 (de) Weichlotlegierung, Weichlotpaste und Verfahren zum Weichlöten
DE69837224T2 (de) Mit bleifreiem Lötmittel verbundene elektronische Vorrichtung
DE69632866T2 (de) Bleifreies lot
DE69933772T2 (de) Lötpulver und verfahren zur herstellung desselben und lötpaste
DE112011101556B4 (de) Gemischtlegierungslötmittelpaste
DE19916618B4 (de) Verwendung eines bleifreien Lötmittels
DE69918261T2 (de) Bleifreie Lötlegierung
DE19816671C2 (de) Verwendung von Legierungen als bleifreie Lötmittel-Legierungen
DE60217199T2 (de) Bleifreies Weichlot und Weichlotverbindung
DE10003665A1 (de) Lötmittel-Legierug
DE102006061636A1 (de) Bleifreies Lötmittel, Lötmittelverbindungs-Produkt und elektronische Komponente
EP1266975A1 (de) Bleifreies Lötmittel
DE60109827T2 (de) Bleifreie lötlegierung und diese verwendende elektronischen teile
DE60010590T2 (de) Verwendung einer bleifreien lotlegierungspaste zum herstellen von leiterplatten
DE19904765A1 (de) Lötmittel-Legierungen
DE60127911T2 (de) Verfahren zum Steuern der Zusammensetzung einer Schmelzlötlegierung in einem Lötbad
DE112010000752T5 (de) Bleifreie Lotlegierung, ermüdungsbeständige Lötmaterialien, die die Lotlegierung enthalten, und kombinierte Produkte, die die Lötmaterialien verwenden
DE60305119T2 (de) Auslaugbeständige Lötlegierungen für elektrisch leitende Dickfilme auf Silberbasis
DE60300669T2 (de) Bleifreie Weichlötlegierung
DE19750104B4 (de) Verwendung einer Lotpaste für Chipkomponenten
DE2536896A1 (de) Verfahren zum loeten von aluminium oder aluminiumlegierungen unter verwendung von flussmittel-loetmittelzusammensetzungen, sowie flussmittel-loetmittelzusammensetzungen zur verwendung bei diesem verfahren

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition