DE60101677T2

DE60101677T2 - Schaltung und verfahren zur feinabstimmung für wortleitungstreiber zur minimierung von herstellungsbedingten schwankungen erhöhter wortleitungsspannung

Info

Publication number: DE60101677T2
Application number: DE60101677T
Authority: DE
Inventors: S. Colin BILL; P. Ravi GUTALA
Original assignee: Advanced Micro Devices Inc
Current assignee: Advanced Micro Devices Inc
Priority date: 2000-02-28
Filing date: 2001-02-07
Publication date: 2004-12-09
Anticipated expiration: 2021-02-08
Also published as: JP2003525513A; CN1212620C; KR20030014360A; ATE257272T1; TW495757B; EP1266382A1; JP4606682B2; DE60101677D1; CN1404610A; KR100658215B1; US6430087B1; EP1266382B1; WO2001065568A1

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen nicht flüchtige Speichergeräte und insbesondere Verfahren und Vorrichtungen zum Steuern des verstärkten Spannungspegels, der an die Wortleitungen in einem elektrisch löschbaren, programmierbaren nur Lese Flash-Speicher (EEPROM) während Leseoperationen angelegt wird.
Stand der Technik
Flash-Speicher sind unter den Speicher-Ablagegeräten weit verbreitet, weil sie Informationen in Abwesenheit von kontinuierlicher Energie speichern und in einer sehr kompakten Form konstruiert werden können. Ein Flash-Speicher wird üblicherweise konstruiert durch die Herstellung einer Vielzahl von Floating-Gate Transistoren in einem Substrat aus Silizium. Ein Floating-Gate Transistor kann eine elektrische Ladung auf einer separaten Gate-Elektrode, bekannt als ein Floating-Gate, speichern, die durch eine dünne dielektrische Schicht von einer Steuer-Gate Elektrode getrennt ist. Allgemein betrachtet werden Daten in einem nicht flüchtigen Speichergerät durch die Speicherung einer elektrischen Ladung in dem Floating-Gate gespeichert.
In einem EEPROM Flash-Gerät werden Elektronen durch eine dünne dielektrische Schicht, bekannt als eine Tunnel-Oxyd Schicht, die zwischen der Floating-Gate Elektrode und einem darunter liegenden Substrat angeordnet ist, zu der Floating-Gate Elektrode transferiert. Üblicherweise geschieht der Transfer der Elektronen durch eine Kanal heiße Elektron Injektion („CHE") oder Fowler-Nordheim Tunneln. In beiden Elektronen-Transfermechanismen wird eine Spannung durch eine Steuer-Gate Elektrode an die Floating-Gate Elektrode gekoppelt. Die Steuer-Gate Elektrode ist mit der Floating-Gate Elektrode kapazitiv gekoppelt, so dass eine an die Steuer-Gate Elektrode angelegte Span nung an die Floating-Gate Elektrode gekoppelt wird. Bei einem Typ des Geräts ist die Steuer-Gate Elektrode eine polykristalline Silizium-Gate Elektrode, die über der Floating-Gate Elektrode liegt und davon durch eine dünne dielektrische Schicht getrennt ist. Bei einem anderen Typ des Geräts ist die Floating-Gate Elektrode ein dotierter Bereich in dem Substrat des Halbleiters.
Ein Flash-Speicher wird durch Zeilen und Spalten von Flash-Transistoren gebildet, wobei jeder Transistor als eine Zelle bezeichnet wird, die ein Steuer-Gate, ein Drain und eine Source enthält. Ein Wortleitungsdekodierer stellt den Zeilen von Transistoren in jedem Sektor des Speichergeräts Betriebsspannungen zur Verfügung und ist üblicherweise mit dem Steuer-Gate von jedem Transistor in einem Sektor verbunden. Ein Bitleitungsdekodierer stellt den Spalten von Transistoren Betriebsspannungen zur Verfügung und ist üblicherweise mit den Drains der Transistoren in jeder Spalte verbunden. Im Allgemeinen sind die Sources der Transistoren mit einer gemeinsamen Source-Leitung verbunden und werden von einer Sourceleitungs-Steuerung gesteuert.
Eine Zelle wird üblicherweise programmiert durch das Anlegen einer voreingestellten Spannung an das Steuer-Gate, einer zweiten voreingestellten Spannung an die Drain und dem auf Masse legen der Source. Dies veranlasst, dass heiße Elektronen von der Drain-Verarmungsregion in das Floating-Gate injiziert werden. Eine Zelle kann in einem Flash-Speichergerät auf vielfältige Weise gelöscht werden. In einer Anordnung wird eine Zelle gelöscht durch Anlegen einer vorbestimmten Spannung an die Source, auf Masse legen des Steuer-Gates und der Erlaubnis für die Drain zu floaten. Dies veranlasst die Elektronen, die während der Programmierung in das Floating-Gate injiziert wurden, sich durch Fowler-Nordheim Tunneln von dem Floating-Gate durch die dünne Tunneloxid-Schicht zu der Source zu entfernen.
Zellen werden üblicherweise während einer Leseoperation gelesen durch Anlegen einer vorbestimmten Schwellspannung an das Steuer-Gate über eine Wortleitung, einer zweiten vorbestimmten Spannung an die Bitleitung, mit welcher die Drain verbunden ist, auf Masse legen der Source und dann Abta sten des Stroms auf der Bitleitung. Falls die Zelle programmiert ist und eine Schwellspannung relativ hoch ist, wird der Strom auf der Bitleitung Null oder relativ gering sein. Falls die Zelle nicht programmiert oder gelöscht ist, wird die Schwellspannung relativ niedrig sein, die vorbestimmte Spannung an dem Steuer-Gate wird den Kanal anreichern und der Strom auf der Bitleitung wird relativ hoch sein.
Bekannte Probleme treten während der Leseoperation auf, wenn eine an die Wortleitung angelegte Spannung nicht innerhalb eines vorbestimmten Bereichs der Schwellspannung liegt. Falls die an den Wortleitungsdekodierer angelegte Spannung zu hoch ist, können die Zellen auf dieser Wortleitung physikalisch beschädigt werden oder es kann eine Störung der Schwellspannung der Zellen auftreten. Des weiteren kann das Anlegen einer Spannung, die zu hoch ist, auch einen Fehler bei dem Halten der Daten innerhalb der Zellen auslösen. Hohe Spannungen auf den Wortleitungen können auch die Lebensdauer der Zellen auf einer gegebenen Wortleitung beeinflussen. Falls die Spannung auf der Wortleitung zu niedrig ist, könnte ein nicht ausreichender Strom auf der Bitleitung entwickelt werden, um eine Zelle auf der Wortleitung korrekt zu lesen.
Zur Zeit bekannte Verfahren zum Zuführen von Spannung an die Wortleitung während einer Leseoperation verwenden eine Versorgungsspannung (Vcc), die üblicherweise während der Leseoperation auf einen höheren Betriebswert aufgeladen wird. Mit der Weiterentwicklung der Technologie der Flash-Speicher und der Entwicklung von kleineren Technologien (0,25 Mikron Zellgrößen) ist der Spannungswert der Versorgungsspannung (Vcc) von etwa 5 V auf 3 V gesenkt worden. Wegen dieser Vorteile ist der akzeptable Bereich der Spannung, der den Wortleitungen während einer Leseoperation zugeführt werden darf, reduziert worden.
Während der Herstellung von Flash-Speichern können selbst kleine Schwankungen, die bei dem Herstellungsprozess erfahren werden, die aufgeladene Spannung, welche den Wortleitungen während einer Leseoperation zugeführt werden muss, veranlassen, sich von Chip zu Chip zu unterscheiden. Die sich ergebende breitere Abweichung der aufgeladenen Wortleitungsspannung kann für den 0,35 Mikron Prozess von der Kernzelle toleriert werden. Für den 0,25 Mikron Prozess jedoch, wo die Kopplung der Gates der Kernzellen erhöht wurde, ist eine Störung des Gates wahrscheinlicher, was eine engere Steuerung des Pegels der Schwellspannung der Wortleitung erfordert, der den Gates der Kernzellen während einer Leseoperation zur Verfügung gestellt wird.
Daher ist, wegen der weiteren Miniaturisierung von Mikrochips, ein Bedarf nach Verfahren und Vorrichtungen zur Bereitstellung einer engeren Steuerung des aufgeladenen Spannungspegels vorhanden, der während einer Leseoperation den Wortleitungen zur Verfügung gestellt wird.
Offenbarung der Erfindung
Die vorliegende Erfindung offenbart ein Verfahren zum Erzeugen und zum engen Steuern einer aufgeladenen Wortleitungsspannung, die während Leseoperationen in einem Flash-Speicher verwendet wird. Bei der Erfindung wird eine Gate-Spannung in einer Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung erzeugt, die mit einer einstellbaren Klemmschaltung festgelegt wird, die elektrisch mit der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung verbunden ist. Die einstellbare Klemmschaltung ist entworfen, um bei einem vorbestimmten Spannungspegel einzusetzen, was indirekt den Spannungspegel der verstärkten Wortleitungsspannung steuert, der als ein Ausgang der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung erzeugt wird. Eine Abstimmschaltung ist mit der einstellbaren Klemmschaltung elektrisch verbunden und wird verwendet, um den Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung in Kraft tritt, anzupassen, falls dies notwendig ist.
Der Betrag an Spannung, der zu dem Spannungspegel hinzugefügt oder davon weggenommen wird, an dem die einstellbare Klemmschaltung in Kraft tritt, variiert wegen Variationen, welche die einstellbare Klemmschaltung bei der Herstellung erfährt. Der Spannungspegel variiert wegen der Variationen der Größen der Transistoren, die auf dem Siliziumsubstrat gefertigt werden. Die einstellbare Klemmschaltung besteht aus Transistoren und daher ist der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung in Kraft tritt, abhängig von der Schwellspannung (Vt) des Transistors, der in dem Klemmpfad verwendet wird. Wie zuvor ausgeführt kann, weil der Spannungspegel der aufgeladenen Wortleitungsspannung, welcher den Wortleitungen während Leseoperationen von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung zugeführt wird, abhängig ist von dem Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung in Kraft tritt, die aufgeladene Wortleitungsspannung auf den bevorzugten Wert von näherungsweise 5,0 V eingestellt werden durch Ändern des Spannungspegels, an dem die einstellbare Klemmschaltung in Kraft tritt.
Das bevorzugte Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erlaubt es dem Flash-Speicher, eine enge Steuerung der aufgeladenen Wortleitungsspannung, die während Leseoperationen verwendet wird, aufrecht zu erhalten, wodurch die Zuverlässigkeit und die Standfestigkeit des Flash-Speichers erhöht wird. In dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist die Abstimmschaltung mit einem Abstimmdekodierer elektrisch verbunden. Der Abstimmdekodierer wird von dem Flash-Speicher verwendet, um den Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung in Kraft tritt, einzustellen und legt wiederum fest, ob die Wortleitungen während des Betriebs einer höheren oder niedrigeren Wortleitungsspannung ausgesetzt werden. Mehrere Schaltungen von über den Inhalt adressierbarem Speicher („CAM") sind elektrisch mit dem Abstimmdekodierer verbunden. Die CAM Schaltungen werden verwendet, um den Abstimmdekodierer zu steuern, der wie oben ausgeführt den Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung in Kraft tritt, indirekt mit der Abstimmschaltung steuert.
Der Ausgang der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung ist mit einem Durchgangsgatter und zumindest einem Wortleitungsdekodierer elektrisch verbunden. Wie im Stand der Technik bekannt enthält ein typisches Flash-Speichergerät einige Wortleitungsdekodierer, die verwendet werden, um verschiedene Pegel der Betriebsspannung während einer Operation wie Lesen, Schreiben und Löschen den ausgewählten Wortleitungen zuzuführen. Das Durchgangsgatter ist mit einer Freigabe-Logikschaltung elektrisch verbunden, welche das Durchgangsgatter durch Freigeben und Verhindern des Durchgangsgatters während des Betriebs steuert. In dem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist das Durchgangsgatter auch elektrisch mit einer Verbindung zur Versorgungsspannung (Vcc) verbunden. Die Freigabe-Logikschaltung gibt das Durchgangsgatter frei bevor die Wortleitungen aufgeladen werden, um die Wortleitungen unter Verwendung der Spannung an der Verbindung zur Versorgungsspannung (Vcc) zu initialisieren oder vorzuladen, bevor die Wortleitungen auf die aufgeladene Wortleitungsspannung aufgeladen werden.
Wie zuvor ausgeführt steuert der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung in Kraft tritt, den Spannungspegel der aufgeladenen Wortleitungsspannung, die von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung erzeugt wird. Wegen während der Herstellung aufgetretener Prozessabweichungen kann die einstellbare Klemmschaltung bei einem höheren oder niedrigeren Spannungspegel in Kraft treten als dem bevorzugten Wert von näherungsweise 5,0 V. Daher könnte der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung in Kraft tritt, höher oder niedriger eingestellt werden müssen, abhängig von den Charakteristika jedes Flash-Speicherchips. Die Bestimmung, ob der vorbestimmte Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung in Kraft tritt, eingestellt werden muss, wird während des Testens gemacht. Falls eine Einstellung erforderlich ist, werden die CAM derart programmiert, dass der Abstimmdekodierer die Abstimmschaltung veranlasst, Spannung zu dem Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung in Kraft tritt, zu addieren oder zu subtrahieren.
Die vorliegende Erfindung offenbart des weiteren eine Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung aufweisend ein Klemm- und Abstimmsystem zum Steuern einer aufgeladenen Wortleitungsspannung, die von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung in einem Flash-Speicher erzeugt wird. Das Klemm- und Abstimmsystem enthält eine einstellbare Klemmschaltung, die mit dem Ausgang einer Spannungsaufladung in der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung elektrisch verbunden ist. Die Spannungsaufladung erzeugt eine vorbestimmte Gatespannung, welche während des Betriebs von der einstellbaren Klemmschaltung bei einem vorbestimmten Spannungspegel festgelegt wird. Der vorbestimmte Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung in Kraft tritt, steuert den Spannungspegel der aufgeladenen Wortleitungsspannung.
Eine Abstimmschaltung ist mit der einstellbaren Klemmschaltung elektrisch verbunden, um den Spannungspegel einzustellen, an dem die einstellbare Klemmschaltung in Kraft tritt, wodurch der Spannungspegel der aufgeladenen Wortleitungsspannung, die von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung erzeugt wird, gesteuert wird. Das Klemm- und Abstimmsystem ist fähig zum Halten und Einstellen der Gatespannung, die innerhalb der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung von der Spannungsverstärkung erzeugt wird, auf einen vorbestimmten Spannungspegel, welcher der optimalen aufgeladenen Wortleitungsspannung entspricht, die während Leseoperationen in dem Flash-Speicher den Wortleitungen zugeführt werden muss.
Wie oben ausgeführt offenbart die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Steuern einer aufgeladenen Wortleitungsspannung, die während einer Leseoperation in einem Flash-Speicher verwendet wird. In dem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird mit einer Spannungsverstärkung in der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung eine Gatespannung erzeugt. Die Gatespannung wird bei einem vorbestimmten Spannungspegel mit einer einstellbaren Klemmschaltung festgelegt, die elektrisch mit der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung verbunden ist. Falls notwendig kann der vorbestimmte Spannungspegel mit einer Abstimmschaltung, die elektrisch mit der einstellbaren Klemmschaltung verbunden ist, eingestellt werden. Die aufgeladene Wortleitungsspannung wird dann mit der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung basierend auf dem vorbestimmten Spannungspegel erzeugt, an dem die einstellbare Klemmschaltung die Gatespannung der Spannungsverstärkung festlegt.
Die Verfahren und das System, auf die oben Bezug genommen wurde, offenbaren Wege zur Bereitstellung einer engen Steuerung der aufgeladenen Wortleitungsspannung, die an den Wortleitungen während Leseoperationen in einem Flash-Speicher angelegt werden. Ohne diese Verfahren und Systeme würde die aufgeladene Wortleitungsspannung zu hoch oder zu niedrig sein, wodurch Probleme bei dem Halten von Daten und dem gesamten Betrieb des Flash-Speichers verursacht werden. Falls die aufgeladene Wortleitungsspannung zu niedrig ist, können die Zustände der Kernzellen in der Wortleitung nicht richtig ausgelesen werden und der Flash-Speicher wird versagen. Falls die aufgeladene Wortleitungsspannung, die an die Wortleitungen angelegt wird, zu hoch ist, wird der Flash-Speicher eine Störung der Gates erfahren und das Halten von Daten wird verringert, was zu Problemen mit der Zuverlässigkeit führt.
Diese und weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden offenbar werden bei der Betrachtung der folgenden detaillierten Beschreibung der zur Zeit bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung, gesehen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 stellt ein Blockdiagramm eines Bereichs eines bevorzugten Flash-Speichers dar, verkörpernd ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung.
2 stellt ein detaillierteres Blockdiagramm des in 1 dargestellten bevorzugten Flash-Speichers dar und führt eine Schaltung weiter aus, die eine schematische Darstellung der bevorzugten einstellbaren Klemmschaltung und der Abstimmschaltung ist.
Wege zum Ausführen der Erfindung
Die beispielhaften Ausführungsbeispiele der Erfindung werden unten weiter ausgeführt unter Bezugnahme auf bestimmte Konfigurationen und die Erfahrenen auf diesem Gebiet würden erkennen, dass verschiedene Änderungen und Modifikationen an den bestimmten Konfigurationen gemacht werden können, während innerhalb des Umfangs der Ansprüche geblieben wird. Die Erfindung könnte mit jedem Typ von Speichergerät verwendet werden, jedoch ist das bevorzugte Ausführungsbeispiel der Erfindung für einen Flash-Speicher entworfen.
Alle elektrischen Parameter sind lediglich als Beispiel gegeben und können geändert werden, um mit unterschiedlichen Speichergeräten verwendet zu werden, die andere elektrische Parameter benutzen. Zum Beispiel wird in dem bevorzugten Ausführungsbeispiel eine Versorgungsspannung (Vcc) als 3,0 V angesehen, aber könnte alternativ 5,0 V oder eine beliebige andere Versorgungsspannung sein. Falls eine andere Versorgungsspannung gewählt wird, würden die verschiedenen Betriebspegel geändert werden, um an die andere Versorgungsspannung angepasst zu werden, wie im Stand der Technik bekannt. Des weiteren variiert während des Betriebs, wie die Erfahrenen auf diesem Gebiet erkennen würden, oftmals die Versorgungsspannung (Vcc) zwischen Spannungsbereichen aufgrund von Last und verschiedenen anderen Betriebsparametern, die von dem System, das den Flash-Speicher verwendet, erfahren werden.
1 ist ein Blockdiagramm eines Bereichs eines bevorzugten Flash-Speichers 10, der ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfasst. Der bevorzugte Flash-Speicher 10 enthält eine einstellbare Klemmschaltung 12, eine Abstimmschaltung 14, eine Abstimmdekodiererschaltung 16, zumindest eine Schaltung mit über den Inhalt adressierbarem Speicher („CAM") 18, eine Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20, eine Verbindung zu der Versorgungsspannung (Vcc) 22, ein Durchgangsgatter 24, eine Freigabe-Logikschaltung 26, einen Wortleitungsdekodierer 28 und zumindest eine Wortleitung 30, die wie dargestellt elektrisch verbunden sind. In dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 verwendet, um eine aufgeladene Wortleitungsspannung zu erzeugen, die während Leseoperationen an die Wortleitungen 30 angelegt wird.
Wie dargestellt ist die einstellbare Klemmschaltung 12 mit der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 elektrisch verbunden. Die einstellbare Klemmschaltung 12 legt eine Gatespannung, die in der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 erzeugt wird, bei einem vorbestimmten Spannungspegel fest. In dem bevorzugten Ausführungsbeispiel steuert der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, den Spannungspegel der aufgeladenen Wortleitungsspannung, der von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 erzeugt wird. Die einstellbare Klemmschaltung 12 ist vorzugsweise entworfen, um bei einer Spannung derart in Kraft zu treten, dass die aufgeladene Wortleitung etwa 5,0 V ist, jedoch kann, wie unten weiter ausgeführt ist, die einstellbare Klemmschaltung 12 wegen während des Herstellungsprozesses aufgetretener Abweichungen bei einem höheren oder niedrigeren Spannungspegel in Kraft treten.
Der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, ist abhängig von der Schwellspannung (Vt) des peripheren Transistors in dem Flash-Speicher 10 und insbesondere von der Schwellspannung (Vt) des Transistors (in 1 nicht dargestellt), der in der einstellbaren Klemmschaltung 12 verwendet wird. Die Schwellspannung (Vt) der Transistoren, die in dem peripheren Bereich des Flash-Speichers 10 verwendet werden, werden im Testen nach der Herstellung bestimmt, was das Treffen einer Bestimmung dahingehend erlaubt, bei welchem Spannungspegel die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt und damit die aufgeladene Wortleitungsspannung, die während Leseoperationen an die Wortleitungen 30 angelegt wird. Basierend auf dieser Bestimmung kann der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, unter Verwendung der Abstimmschaltung 14 eingestellt werden, wodurch der Spannungspegel der aufgeladenen Wortleitungsspannung eingestellt wird, der während Leseoperationen den Wortleitungen 30 zur Verfügung gestellt wird.
Die einstellbare Klemmschaltung 12 ist auch mit der Abstimmschaltung 14 elektrisch verbunden. Die Abstimmschaltung 14 wird verwendet, um den Spannungspegel einzustellen, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, wodurch für eine Einstellung der aufgeladenen Wortleitungsspannung gesorgt wird, die von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 erzeugt wird. Wie weiter unten in größerem Detail ausgeführt wird, ist die Abstimmschaltung 14 entworfen, eine Schwellspannung (Vt) zu dem Klemmpfad zu addieren oder zu entfernen, der von der einstellbaren Klemmschaltung 12 erzeugt wird, wodurch der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, geändert wird.
Die Abstimmschaltung 14 ist auch mit dem Abstimmdekodierer 16 elektrisch verbunden. Der Abstimmdekodierer 16 steuert den Betrag an Spannung, den die Abstimmschaltung 14 zu dem Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, addiert oder von ihm subtrahiert. Der Abstimmdekodierer 16 ist mit den CAM Schaltungen 18 elektrisch verbunden, welche programmiert sind, um den Abstimmdekodierer 16 zu steuern. Die CAM Schaltungen 18 werden während des Testens programmiert, um den Betrag der Spannung zu steuern, den der Abstimmdekodierer 16 die Abstimmschaltung 14 veranlasst, zu dem Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, zu addieren oder von ihm zu subtrahieren.
Wie weiter in 1 dargestellt ist, ist der Ausgang der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 elektrisch mit dem Durchgangsgatter 24 und dem Wortleitungsdekodierer 28 verbunden. Das Durchgangsgatter 24 ist mit der Verbindung zu der Versorgungsspannung (Vcc) 22 und der Freigabe-Logikschaltung 26 verbunden. Das Durchgangsgatter 24 wird von der Freigabe-Logikschaltung 26 gesteuert, welche das Durchgangsgatter 24 freigibt, bevor die Wortleitungen 30 mit der aufgeladenen Wortleitungsspannung aufgeladen werden, die von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 erzeugt wird. Dies geschieht, um die Wortleitungen mit dem Spannungspegel zu initialisieren oder vorzuladen, der vor dem Anlegen der aufgeladenen Wort leitungsspannung an die Wortleitungen 30 an der Verbindung zu der Versorgungsspannung (Vcc) 22 zur Verfügung steht.
Der Wortleitungsdekodierer 28 ist elektrisch mit der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 und dem Durchgangsgatter 24 verbunden. Der Wortleitungsdekodierer 28 ist auch mit den Wortleitungen 30 elektrisch verbunden und wird verwendet, um die aufgeladene Wortleitungsspannung, die von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 erzeugt wird, von der einstellbaren Klemmschaltung 12 gesteuert, während Leseoperationen zu den ausgewählten Wortleitungen 30 zu transferieren oder durch zu lassen. Der Wortleitungsdekodierer 28 wird auch verwendet, um die Versorgungsspannung auf der Verbindung zu der Versorgungsspannung (Vcc) 22 zu den Wortleitungen 30 durch zu lassen oder zu transferieren. Wenn das Durchgangsgatter 24 und die vorbestimmten Wortleitungsdekodierer 28 frei gegeben sind, wird die Spannung an der Verbindung zu der Versorgungsspannung (Vcc) 22 zu den Wortleitungen 30 transferiert, um die Wortleitungen 30 vorzuladen bevor die aufgeladene Wortleitungsspannung zugeführt wird.
Die Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 wird von dem Flash-Speicher 10 verwendet, um die aufgeladene Wortleitungsspannung zu erzeugen, die während Leseoperationen an die Wortleitungen 30 angelegt wird. In dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung lädt die Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 die Stärke der Spannung auf der Verbindung zu der Versorgungsspannung (Vcc) 22 vorzugsweise von etwa 3,0 V auf etwa 5,0 auf. Die einstellbare Klemmschaltung 12 ist optimal entworfen, um bei etwa 3,3 V in Kraft zu treten, was die aufgeladene Wortleitungsspannung, die von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 erzeugt wird, veranlasst, bei etwa 5,0 V gesetzt zu werden.
Wie zuvor ausgeführt kann die einstellbare Klemmschaltung 12 wegen Abweichungen in dem Herstellungsprozess bei einer höheren oder niedrigeren Spannung in Kraft treten und daher kann der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, erfordern, mit der Abstimmschaltung 14 eingestellt zu werden. Wie zuvor ausgeführt hängt der Spannungspegel der aufgeladenen Wortleitungsspannung von dem Spannungspegel ab, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt. Da Abweichungen in dem Herstellungsprozess die einstellbare Klemmschaltung 12 veranlassen können, bei einem höheren oder niedrigeren Spannungspegel in Kraft zu treten, was den optimalen aufgeladenen Spannungspegel von etwa 5,0 V zu einer Änderung veranlasst, wird die Abstimmschaltung 14 verwendet, um den Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, zu erhöhen oder abzusenken. Daher wird die einstellbare Klemmschaltung 12 vorzugsweise von der Abstimmschaltung 14 eingestellt, um an einem Spannungspegel in Kraft zu treten, der die von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 erzeugte aufgeladne Wortleitungsspannung veranlasst, bei etwa 5,0 V gesetzt zu werden.
Wie zuvor ausgeführt kann bei Flash-Speichern nach dem Stand der Technik, die eine Herstellungstechnologie des 0,35 Mikron Prozesses verwenden, eine größere Abweichung der aufgeladenen Wortleitungsspannung, die von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 erzeugt wird, von den Kernzellen in den Wortleitungen 30 toleriert werden. Da die Kernzellen in den Wortleitungen 30 eine größere Abweichung des Spannungspegels der aufgeladenen Wortleitungsspannung tolerieren können, existiert kein Bedarf, die Stärke der Spannung eng zu steuern, die von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 erzeugt wurde und schließlich während Leseoperationen den Wortleitungen 30 zugeführt wurde. Für Flash-Speicher, welche die Technologie des 0,25 Mikron Prozesses verwenden, bei dem die Kopplung der Flash-Transistoren erhöht ist, ist eine Störung der Gates wahrscheinlicher, was eine engere Steuerung der aufgeladenen Wortleitungsspannung erfordert, die von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 erzeugt wird und den Wortleitungen 30 während Leseoperationen zugeführt wird.
Wie in 1 dargestellt ist die einstellbare Klemmschaltung 12 elektrisch mit der Abstimmschaltung 14 verbunden. In dem bevorzugten Ausführungsbeispiel kann die Abstimmschaltung 14 zumindest eine Schwellspannung (Vt) zu dem Klemmpfad, der von der einstellbaren Klemmschaltung 12 erzeugt wird, addieren oder von ihm wegnehmen. Die Bestimmung des Spannungspegels, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, wird während des Testens des Flash-Speichers 10 nach der Herstellung gemacht. Falls die einstellbare Klemmschaltung 12 bei einem höheren Spannungspegel als notwendig in Kraft tritt, kann die Abstimmschaltung 14 eine Schwellspannung (Vt) von dem Klemmpfad wegnehmen, wodurch der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, gesenkt wird. Falls alternativ die einstellbare Klemmschaltung 12 bestimmt wird, an einem niedrigeren Spannungspegel als erforderlich in Kraft zu treten, kann die Abstimmschaltung 14 eine Schwellspannung (Vt) zu dem Klemmpfad addieren, wodurch der Spannungspegel an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, angehoben wird. Daher kann die aufgeladene Wortleitungsspannung, die von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung erzeugt wird, eingestellt werden, falls dies notwendig ist.
In dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird der Betrag der Einstellung, der von der Abstimmschaltung 14 an der einstellbaren Klemmschaltung 12 vorgenommen wird, von dem Abstimmdekodierer 16 gesteuert. Der Abstimmdekodierer 16 wird von den CAM Schaltungen 18 gesteuert, welche wie zuvor ausgeführt, während des Testens programmiert werden. Die einstellbare Klemmschaltung 12 wird vorzugsweise eingestellt, um bei einem Spannungspegel in Kraft zu treten, der optimal ist für das Auslesen von Flash-Transistoren in den Wortleitungen 30, was wie zuvor ausgeführt als näherungsweise 5,0 V bekannt ist. Die CAM Schaltungen 18 werden programmiert nachdem eine Bestimmung dahingehend gemacht worden ist, was der Status der Prozessvariable in der Schwellspannung (Vt) der Transistoren in der einstellbaren Klemmschaltung 12 ist. Daher steuern die CAM Schaltungen 18 und der Abstimmdekodierer 16 den Betrag der Spannung, der zu dem Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, addiert wird oder von ihm weggenommen wird.
Wie in 2 dargestellt enthält die bevorzugte einstellbare Klemmschaltung 12 einen p-Kanal Transistor 32, mehrere intrinsische n-Kanal Transistoren 34, 36 und 38 und eine Verbindung zur Masse 40, die wie dargestellt elektrisch verbunden sind. Die einstellbare Klemmschaltung 12 tritt in Kraft, sobald die Gatespannung, die innerhalb der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 erzeugt wird, einen vorbestimmten Spannungspegel erreicht. Wie zuvor ausgeführt wird der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, von der Abstimmschaltung 14 gesteuert. Der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, wird auch von dem Klemmpfad bestimmt, der von der Schwellspannung (Vt) des p-Kanal Transistors 32 und der intrinsischen n-Kanal Transistoren 34, 36 und 38 erzeugt wird, welche bestimmt werden kann durch Auslesen der Schwellspannungen (Vt) dieser Geräte während des Testens.
Wegen Abweichungen im Prozess während der Herstellung wird die Schwellspannung (Vt) der in dem peripheren Bereich des Flash-Speichers 10 hergestellten Transistoren zu einem gewissen Grad variieren. Die einstellbare Klemmschaltung 12 und die Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 sind in dem peripheren Bereich angeordnet. Wie zuvor ausgeführt ist der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, von der Schwellspannung (Vt) des Klemmpfades abhängig, der von den Transistoren 32, 34, 36 und 38 gebildet wird. Daher kann, weil die Schwellspannung (Vt) der Transistoren 32, 34, 36 und 38 in der einstellbaren Klemmschaltung 12 wegen Abweichungen, die während der Herstellung erfahren werden, variieren wird, der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, basierend auf diesen Abweichungen im Prozess variieren.
Wie weiter in 2 dargestellt besteht die Abstimmschaltung 14 aus mehreren n-Kanal Transistoren 42,44, 46, die wie dargestellt elektrisch verbunden sind. Der Abstimmdekodierer 16 ist mit den Gates jedes jeweiligen Transistors 42, 44, 46 in der Abstimmschaltung 14 verbunden. Des weiteren sind die Drains und die Sources jedes jeweiligen Transistors 42, 44, 46 in der Abstimmschaltung 14 mit den entsprechenden Drains und Sources eines ent sprechenden intrinsischen n-Kanal Transistors 34, 36, 38 in der einstellbaren Klemmschaltung 12, wie in 2 dargestellt, elektrisch verbunden. Wenn der Flash-Speicher 10 nach dem Herstellungsprozess getestet wird, können die CAM Schaltungen 18 programmiert werden, den Abstimmdekodierer 16 zu veranlassen, die jeweiligen n-Kanal Transistoren 42, 44, 46 in der Abstimmschaltung 14 freizugeben oder zu sperren, wodurch der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, geändert wird.
Falls ein entsprechender n-Kanal Transistor 42, 44, 46 in der Abstimmschaltung 14 freigegeben wird, wird der entsprechende intrinsische n-Kanal Transistor 34, 36, 38 in der einstellbaren Klemmschaltung 12, der mit dem freigegebenen n-Kanal Transistor 42, 44, 46 verbunden ist, durch Kurzschluss rausgenommen. Durch Rausnehmen durch Kurzschluss des jeweiligen n-Kanal Transistors 34, 36, 38 wird ein Spannungsabfall der Schwellspannung (Vt) über den intrinsischen n-Kanal Transistoren 34, 36, 38 aus dem Klemmpfad entfernt, der von der einstellbaren Klemmschaltung 12 erzeugt wird. Als ein Ergebnis kann der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, verringert oder erhöht werden durch Entfernen oder Hinzufügen eines Spannungsabfalls der Schwellspannung (Vt) über einen der jeweiligen intrinsischen n-Kanal Transistoren 34, 36, 38 in dem Klemmpfad der einstellbaren Klemmschaltung 12.
Wie in 2 dargestellt enthält die bevorzugte Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 eine Spannungsverstärkung 48, einen Null-Schwellen Transistor 50 und einen Aufladungskondensator 52. Die Spannungsverstärkung 48 wird verwendet, um den auf der Verbindung zu der Versorgungsspannung (Vcc) 22 verfügbaren Spannungspegel aufzuladen, der von etwa 2,7 V–3,6 V bis etwa 5,0 V variieren kann. Spannungsverstärkungen sind im Stand der Technik bekannt und eine detaillierte Diskussion der in der Spannungsverstärkung 48 verwendeten Schaltung ist für das Verständnis der vorliegenden Erfindung nicht notwendig. Für den Zweck der vorliegenden Erfindung ist es lediglich notwendig zu verstehen, dass die Spannungsverstärkung 48 vorzugsweise entworfen ist, um die auf der Verbindung zu der Ver sorgungsspannung (Vcc) 22 verfügbare Spannung auf eine aufgeladene Wortleitungsspannung von etwa 5,0 V aufzuladen.
Wie in 2 dargestellt ist die Source des p-Kanal Transistors 32 in der einstellbaren Klemmschaltung 12 mit dem Ausgang der Spannungsverstärkung 48 elektrisch verbunden. Da die einstellbare Klemmschaltung 12 mit dem Ausgang der Spannungsverstärkung 48 elektrisch verbunden ist, ist die einstellbare Klemmschaltung 12 fähig, die Gatespannung festzulegen, die von der Spannungsverstärkung 48 bei einem vorbestimmten Spannungspegel erzeugt wird, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft zu treten eingesetzt ist. Wie im Stand der Technik bekannt, werden Klemmen verwendet, um den Betrieb eines bestimmten Geräts auf einen vorbestimmten Spannungspegel zu bringen oder zu halten.
Der Ausgang der Spannungsverstärkung 48 ist auch mit dem Gate des Null-Schwellen Transistors 50 elektrisch verbunden. Die Source des Null-Schwellen Transistors 50 ist mit dem Aufladungskondensator 52 elektrisch verbunden, der wiederum mit dem Durchgangsgatter 24 und dem Wortleitungsdekodierer 28 elektrisch verbunden ist. Für den Zweck der vorliegenden Erfindung ist es lediglich notwendig zu verstehen, dass der Null-Schwellen Transistor 50 der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 verwendet wird, um die von der Spannungsverstärkung 48 erzeugte Spannung während Leseoperationen zu dem Aufladungskondensator 52 weiter zu leiten. Daher agiert der Null-Schwellen Transistor 50 in dem bevorzugten Ausführungsbeispiel wie ein Sourcefolger, der die Gatespannung des Null-Schwellen Transistors 50 zu der Source des Null-Schwellen Transistors 50 weitergibt, der wiederum die Spannung an den Aufladungskondensator 52 weiterleitet. In dem bevorzugten Ausführungsbeispiel steuert die einstellbare Klemmschaltung 12 die Größe der Spannungsaufladung, die der Aufladungskondensator 52 erfährt, der wiederum indirekt die aufgeladene Wortleitungsspannung steuert, die während Leseoperationen den Wortleitungen 30 zugeführt wird.
Wie weiter in der 2 dargestellt ist, weist das Durchgangsgatter 24 in einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung einen p-Kanal Transistor 54 auf. Die Source des p-Kanal Transistors 54 ist mit der Verbindung zu der Versorgungsspannung (Vcc) 22 elektrisch verbunden und die Drain des p-Kanal Transistors 54 ist mit dem Aufladungskondensator 52 und dem Wortleitungsdekodierer 28 elektrisch verbunden. Während des Betriebs wird das Durchgangsgatter 24 von der Freigabe-Logikschaltung 26 freigegeben, so dass die an der Verbindung zu der Versorgungsspannung (Vcc) 22 verfügbare Spannung die Wortleitungen 30 initialisiert oder vorlädt, bevor die aufgeladene Wortleitungsspannung, die von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung erzeugt wird, den Wortleitungen 30 zur Verfügung gestellt wird, wie zuvor ausgeführt wurde.
Wie im Stand der Technik bekannt wird der Wortleitungsdekodierer 28 verwendet, um verschiedene Betriebsspannungen zu den Wortleitungen 30 während des Betriebs des Flash-Speichers 10 zu transferieren. Der Wortleitungsdekodierer 28 ist mit dem Aufladungskondensator 52 und dem Durchgangsgatter 24 elektrisch verbunden. Wortleitungsdekodierer sind im Stand der Technik bekannt und eine detaillierte Diskussion der Beschaffenheit der Schaltung des Wortleitungsdekodierers ist für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung nicht erforderlich. Für den Zweck der vorliegenden Erfindung ist es lediglich notwendig zu verstehen, dass der Wortleitungsdekodierer 28 fähig ist, die aufgeladene Wortleitungsspannung, die von der Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 erzeugt wird, während Leseoperationen an die Wortleitungen 30 zu transferieren.
Wie oben ausgeführt offenbart die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Verringerung der Empfindlichkeit des Prozesses von einem Flash-Speicher 10, wodurch die Ausbeuten aus dem Herstellungsprozess gesteigert werden. Um die Empfindlichkeit des Prozesses zu senken, ist die einstellbare Klemmschaltung 12 entworfen, um selbst zu kompensieren für Änderungen in der Schwellspannung (Vt) der Transistoren 32, 34, 36 und 38 in der einstellbaren Klemmschaltung 12. Die einstellbare Klemmschaltung 12 ist fähig zur Selbst kompensation, weil der p-Kanal Transistor 32 mit dem intrinsischen n-Kanal Transistor 34 elektrisch in Reihe geschaltet ist; und wie im Stand der Technik bekannt ist, wenn eine Schwellspannung (Vt) steigt, die andere sinken wird. Des weiteren ist, mit der Hinzufügung der Abstimmschaltung 14, der bevorzugte Flash-Speicher 10 fähig zur Addition oder Hinwegnahme einer intrinsischen Schwellspannung (Vt) in dem Klemmpfad, wodurch der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, sich ändert und dadurch bestimmt, ob die Wortleitungen 30 auf eine höhere oder niedrigere aufgeladene Wortleitungsspannung während Leseoperationen festgelegt wird.
Für einen Herstellungsprozess, der einen Stapel von Flash-Speichern 10 produziert, wo die Schwellspannung (Vt) der Transistoren 32, 34, 36 und 38 in der einstellbaren Klemmschaltung 12 angestiegen ist, wird die Verstärkerschaltung für die Wortleitungsspannung 20 wegen der Steigerung der Schwellspannung (Vt) der Transistoren 32, 34, 36 und 38 höher aufladen. Daher muss die Gatespannung, die von der Spannungsverstärkung 48 erzeugt wird, gesenkt werden, um die optimale aufgeladene Wortleitungsspannung zur Verfügung zu stellen. Um den Spannungspegel zu senken, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, kann eine intrinsische Schwellspannung (Vt) mit der Abstimmschaltung 14 aus dem Klemmpfad entfernt werden, die einen entsprechenden intrinsischen n-Kanal Transistor 34, 36, 38 in der einstellbaren Klemmschaltung 12 durch Kurzschluss herausnimmt. Dies geschieht durch Entfernung einer intrinsischen Transistordiode in den n-Kanal Transistoren 34, 36, 38 unter Verwendung eines entsprechenden n-Kanal Transistors 42, 44, 46 in der Abstimmschaltung 14.
Als andere Möglichkeit, bei einem Herstellungsprozess, der einen Stapel von Flash-Speichern 10 produziert, bei dem die Schwellspannung (Vt) der Transistoren 32, 34, 36 und 38 in der einstellbaren Klemmschaltung 12 abgesunken ist, werden die Wortleitungen 30 niedriger aufgeladen, weil die einstellbare Klemmschaltung 12 bei einer niedrigeren Gatespannung von der Spannungsverstärkung 48 in Kraft treten wird. Daher muss der Spannungspegel, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, erhöht werden, um die opti male aufgeladene Wortleitungsspannung zur Verfügung zu stellen. Um den Spannungspegel zu erhöhen, an dem die einstellbare Klemmschaltung 12 in Kraft tritt, werden die intrinsischen n-Kanal Transistoren 34, 36, 38 in der einstellbaren Klemmschaltung 12 nicht mit den n-Kanal Transistoren 42, 44, 46 der Abstimmschaltung 14 durch Kurzschluss herausgenommen. Daher ist die vorliegende Erfindung fähig zum Kompensieren für Abweichungen im Prozess, die während der Herstellung erfahren wurden, durch Einstellen und aufrecht Erhalten einer engen Steuerung der aufgeladenen Wortleitungsspannung, die während Leseoperationen den Wortleitungen 30 zugeführt wird.
Obwohl die detaillierte Beschreibung bevorzugte Ausführungsbeispiele beschreibt, die ein Flash EPROM verwenden, kann die Erfindung mit jeglichem nicht flüchtigen, beschreibbarem Speicher verwendet werden, einschließlich, aber nicht begrenzt auf, EPROMs, EEPROMs und Flash-Speicher, einschließlich Technologien wie NOR, NAND, AND, geteiltes Bitleitungs NOR (DINOR) und Ferro-elektrischem wahlfreiem Zugriffsspeicher (FRAM). Während die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf bestimmte beispielhafte Ausführungsbeispiele beschrieben worden ist, wird es offensichtlich sein, dass verschiedene Modifikationen und Änderungen an diesen Ausführungsbeispielen vorgenommen werden können, ohne den Umfang der Erfindung wie in den Ansprüchen ausgeführt zu verlassen. Entsprechend sind die Beschreibung und die Zeichnungen im beispielhaften und nicht im beschränkenden Sinn anzusehen.

Claims

Verfahren zum Steuern einer verstärkten Wortleitungsspannung, die während eines Lesevorgangs in einem Flash-Speicher (10) verwendet wird, mit den folgenden Schritten: Erzeugen einer Steuerspannung durch einen Spannungsverstärker (48) in einer Wortleitungsspannungsverstärkerschaltung (20); Festlegen der Steuerspannung auf einen vorbestimmten Spannungspegel mit einer einstellbaren Klemmschaltung (12), die mit der Wortleitungs-spannungsverstärkerschaltung (20) elektrisch verbunden ist, wobei der vorbestimmte Spannungspegel mittels einer Abstimmschaltung (14) einstellbar ist, die elektrisch mit der einstellbaren Klemmschaltung (12) verbunden ist; und Erzeugen der verstärkten Wortleitungsspannung basierend auf dem vorbestimmten Spannungspegel mittels der Wortleitungsspannungsverstärkerschaltung (20).
Verfahren nach Anspruch 1, ferner mit dem Schritt des Übertragens der verstärkten Wortleitungsspannung an wenigstens eine Wortleitung (30).
Verfahren nach Anspruch 1, bei der die Abstimmschaltung (14) elektrisch mit einem Abstimmdecoder (16) verbunden ist, um die von der Abstimmschaltung (14) durchgeführte Spannungseinstellung zu steuern.
Wortleitungsspannungsverstärkerschaltung mit einem Klemm- und Abstimmsystem zum Steuern einer durch eine Wortleitungsspannungsver stärkerschaltung (20) in einem Flash-Speicher erzeugten verstärkten Wortleitungsspannung, mit: einer mit dem Ausgang eines Spannungsverstärkers (48) in der Wortleitungsspannungsverstärkerschaltung (20) elektrisch verbundenen einstellbaren Klemmschaltung (12), wobei die einstellbare Klemmschaltung (12) bei einem vorbestimmten Spannungspegel wirksam wird, der den Spannungspegel der verstärkten Wortleitungsspannung steuert; und einer elektrisch mit der einstellbaren Klemmschaltung (12) zum Einstellen des vorbestimmten Spannungspegels verbundenen Abstimmschaltung (14).
Schaltung nach Anspruch 4, ferner mit einem Wortleitungsdecoder (28), der elektrisch mit der Wortleitungsspannungsverstärkerschaltung (20) und wenigstens einer Wortleitung (30) verbunden ist, wobei der Wortleitungsdecoder (20) die verstärkte Wortleitungsspannung an eine jeweilige Wortleitung (30) überträgt.
Schaltung nach Anspruch 4, ferner mit einem Abstimmdecoder (16), der elektrisch mit der Abstimmschaltung (14 verbunden ist, wobei der Abstimmdecoder (16) den Betrag der durch die Abstimmschaltung (14) vorgenommenen Spannungseinstellung steuert.
Schaltung nach Anspruch 4, ferner mit wenigstens einer inhaltsadressierbaren Speicherschaltung (18), die elektrisch mit dem Abstimmdecoder (16) verbunden ist, wobei die wenigstens eine inhaltsadressierbare Speicherschaltung (18) den Abstimmdecoder (16) steuert.
Verfahren zum Verstärken der Spannung von Wortleitungen (30) während eines Lesevorgangs in einem Flash-Speicher, mit den folgenden Schritten Erzeugen einer Steuerspannung mit einem Spannungsverstärker (48) in einer Wortleitungsspannungsverstärkerschaltung (20); Festlegen der Steuerspannung auf einen vorbestimmten Spannungspegel mit einer einstellbaren Klemmschaltung (12), die mit dem Ausgang des Spannungsverstärkers (48) elektrisch verbunden ist; Einstellen des vorbestimmten Spannungspegels, bei dem die einstellbare Klemmschaltung (12) wirksam ist, mittels einer Abstimmschaltung (14), die elektrisch mit der einstellbaren Klemmschaltung (12) verbunden ist; Erzeugen einer von dem vorbestimmten Sapnnungspegel abhängigen verstärkten Wortleitungsspannung mittels der Wortleitungsspannungsverstärkerschaltung (20), und Übertragen der verstärkten Wortleitungsspannung auf wenigstens eine Wortleitung (30) mit einem Wortleitungsdecoder (28), der elektrisch mit der Wortleitungsspannungsverstärkerschaltung (20) verbunden ist.
Verfahren nach Anspruch 8, ferner mit dem Schritt des Vorladens der Wortleitungen (30) mit der Spannung an einem Versorgungsspannungsanschluss (22) vor dem Verstärken der Wortleitungen (30) mit der verstärkten Wortleitungsspannung.
Verfahren nach Anspruch 8, ferner mit dem Schritt des Verwendens eines Abstimmdecoders (16) zum Steuern des Betrags der durch die Abstimmschaltung (14) vorgenommenen Einstellung.