DE69619972D1 - Nichtflüchtige Speicheranordnung mit niedriger Versorgungsspannung und Spannungserhöher - Google Patents

Nichtflüchtige Speicheranordnung mit niedriger Versorgungsspannung und Spannungserhöher

Info

Publication number
DE69619972D1
DE69619972D1 DE69619972T DE69619972T DE69619972D1 DE 69619972 D1 DE69619972 D1 DE 69619972D1 DE 69619972 T DE69619972 T DE 69619972T DE 69619972 T DE69619972 T DE 69619972T DE 69619972 D1 DE69619972 D1 DE 69619972D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory device
volatile memory
voltage
low supply
supply voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69619972T
Other languages
English (en)
Inventor
Giovanni Campardo
Rino Micheloni
Stefano Commodaro
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE69619972D1 publication Critical patent/DE69619972D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/08Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
DE69619972T 1996-06-18 1996-06-18 Nichtflüchtige Speicheranordnung mit niedriger Versorgungsspannung und Spannungserhöher Expired - Lifetime DE69619972D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP96830345A EP0814481B1 (de) 1996-06-18 1996-06-18 Nichtflüchtige Speicheranordnung mit niedriger Versorgungsspannung und Spannungserhöher

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE69619972D1 true DE69619972D1 (de) 2002-04-25

Family

ID=8225940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69619972T Expired - Lifetime DE69619972D1 (de) 1996-06-18 1996-06-18 Nichtflüchtige Speicheranordnung mit niedriger Versorgungsspannung und Spannungserhöher

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5903498A (de)
EP (1) EP0814481B1 (de)
DE (1) DE69619972D1 (de)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6122205A (en) * 1998-01-28 2000-09-19 Microchip Technology Incorporated Voltage regulator and boosting circuit for reading a memory cell at low voltage levels
US6134146A (en) * 1998-10-05 2000-10-17 Advanced Micro Devices Wordline driver for flash electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM)
JP2001014877A (ja) * 1999-06-25 2001-01-19 Mitsubishi Electric Corp 電圧発生回路およびそれを備えた半導体記憶装置
US6163495A (en) * 1999-09-17 2000-12-19 Cypress Semiconductor Corp. Architecture, method(s) and circuitry for low power memories
US6351420B1 (en) * 2000-02-07 2002-02-26 Advanced Micro Devices, Inc. Voltage boost level clamping circuit for a flash memory
US6430087B1 (en) * 2000-02-28 2002-08-06 Advanced Micro Devices, Inc. Trimming method and system for wordline booster to minimize process variation of boosted wordline voltage
JP3604991B2 (ja) * 2000-03-14 2004-12-22 Necエレクトロニクス株式会社 低電源電圧検知回路
US6229735B1 (en) * 2000-08-11 2001-05-08 Advanced Micro Devices, Inc. Burst read mode word line boosting
US6535446B2 (en) * 2001-05-24 2003-03-18 Ramtron International Corporation Two stage low voltage ferroelectric boost circuit
US6430078B1 (en) * 2001-07-03 2002-08-06 Agilent Technologies, Inc. Low-voltage digital ROM circuit and method
DE102004063314A1 (de) * 2004-12-23 2006-07-13 Carl Zeiss Smt Ag Filtereinrichtung für die Kompensation einer asymmetrischen Pupillenausleuchtung
TWI340547B (en) * 2007-08-08 2011-04-11 Nanya Technology Corp Signal receiver circuit
JP5398520B2 (ja) * 2009-12-25 2014-01-29 株式会社東芝 ワード線駆動回路
US9552854B1 (en) * 2015-11-10 2017-01-24 Intel Corporation Register files including distributed capacitor circuit blocks
WO2017122418A1 (ja) * 2016-01-12 2017-07-20 ソニー株式会社 半導体記憶装置、および、半導体記憶装置の制御方法
JP2022185367A (ja) * 2021-06-02 2022-12-14 キオクシア株式会社 半導体記憶装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2094086B (en) * 1981-03-03 1985-08-14 Tokyo Shibaura Electric Co Non-volatile semiconductor memory system
EP0187375B1 (de) * 1984-12-25 1991-07-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
JPS6437797A (en) * 1987-08-03 1989-02-08 Oki Electric Ind Co Ltd Eprom device
JPH05151789A (ja) * 1991-11-29 1993-06-18 Nec Corp 電気的に書込・一括消去可能な不揮発性半導体記憶装置
DE69325809T2 (de) * 1993-11-24 1999-12-09 St Microelectronics Srl Nicht-flüchtige Speicheranordnung mit Mitteln zur Erzeugung negativer Programmierspannungen
US5511026A (en) * 1993-12-01 1996-04-23 Advanced Micro Devices, Inc. Boosted and regulated gate power supply with reference tracking for multi-density and low voltage supply memories

Also Published As

Publication number Publication date
EP0814481A1 (de) 1997-12-29
EP0814481B1 (de) 2002-03-20
US5903498A (en) 1999-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69706489D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung mit variabler Source-Spannung
DE69430668T2 (de) Flash-speicher mit verringerter löschung und überschreibung
DE69811773D1 (de) Nichtflüchtige Speicheranordnung und Programmierverfahren
DE69521393D1 (de) Integrierte Speicherschaltungsanordnung mit Spannungserhöher
DE69231356D1 (de) Nichtflüchtige Speicherzelle und Anordnungsarchitektur
DE69617833T2 (de) Magnetoresistives Element und Speicherelement
DE69619972D1 (de) Nichtflüchtige Speicheranordnung mit niedriger Versorgungsspannung und Spannungserhöher
DE69621403T2 (de) Mikrorechner mit Flash-Speicher und eingebauter Schreibfunktion
DE69427184T2 (de) Ein Referenzspannungsgenerator und eine dieselbe verwendende Halbleiterspeicheranordnung
DE69428577T2 (de) Tunneldiode und Speicheranordnung mit derselben
DE69614299T2 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung mit Block-Löschfunktion
DE69601413D1 (de) Brennstoffzuführvorrichtung
DE69227584D1 (de) Nicht-fluechtige loeschbare und programmierbare verbindungszelle
DE59706743D1 (de) Mehrbereichs-Spannungsnetzteil
DE69623754D1 (de) Spannungsregler mit schneller Reaktionszeit und niedrigem Verbrauch und dazugehöriges Verfahren
DE69828131D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung und Schreibverfahren dafür
DE69627318D1 (de) Mehrpegel nichtflüchtige Speicheranordnung
DE69618928D1 (de) Halbleiterspeichergerät mit Zeilenredundanz
DE69611550T2 (de) Mehrpegelspeicherschaltung mit regulierter lesespannung
DE69611463T2 (de) Vielfachniveau-speicherschaltung mit gesteuerter schreibespannung
DE19781010T1 (de) Stromversorgungsvorrichtung
DE69706147T2 (de) Filmaufleger mit entgegengesetzter versorgung
DE69800257T2 (de) Integrierte elektrische programmierbare nichtflüchtige Speicheranordnung mit Konfigurationsregister
DE69731123D1 (de) Speichertreiber mit variablen spannungsmoden
DE69622973T2 (de) Nichtflüchtige Speicheranordnung

Legal Events

Date Code Title Description
8332 No legal effect for de