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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung zum Umwandeln
einer Gleichspannung in eine andere Gleichspannung, eine Leistungsversorgungs-Auswahlschaltung
zum Auswählen
einer aus einer Vielzahl von Leistungsversorgungen und ein mit einer derartigen
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung versehenes Gerät.
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Viele
elektronische Geräte
der tragbaren Bauart, wie z.B. Notebook-Personalcomputer und dergleichen,
sind so angeordnet, dass sie mit elektrischer Leistung betrieben
werden können,
die von einer allgemeinen Leistungsversorgung (Stromversorgung)
sowie auch von einer darin eingebauten Batterie erhalten wird.
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Gewöhnlich ist
in ein derartiges Gerät
eine Schaltung zum Auswählen
integriert, ob von einer allgemeinen Leistungsversorgung erhaltene
elektrische Leistung oder von einer Batterie erhaltene elektrische
Leistung für
den Betrieb des Gerätes
verwendet werden soll (beispielsweise japanisches Patentoffenlegungsblatt
Hei 9-182288 und japanisches Patentoffenlegungsblatt Hei 9-308102).
Gemäß einer
derartigen Schaltungsart hat dann, wenn von der allgemeinen Leistungsversorgung
erhaltene elektrische Leistung dem Gerät zugeführt wird, diese elektrische Leistung
Vorrang bei der Benutzung, und wenn erfasst wird, dass die Leistungsversorgung
von der allgemeinen Leistungsversorgung unterbrochen ist, wird die
Leistungsversorgung auf die Leistungsversorgung von der Batterie
umgeschaltet. Als ein weiterer Typ der Leistungsversorgungs-Umschaltschaltung
ist auch eine Leistungsversorgungs-Umschaltschaltung bekannt, die
so angeordnet ist, dass im Hinblick auf die Tatsache, dass von der
allgemeinen Leistungsversorgung erhaltene elektrische Leistung im
allgemeinen eine höhere
Spannung als die Batterie hat, die Leistungsversorgung aus der Quelle durchgeführt wird,
die die höchste
Spannung hat.
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Allgemein
nimmt die Spannung einer Batterie mit fortschreitender Entladung
der Batterie allmählich
ab. Somit wird ein Gerät
mit einer Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung versehen, um die
Spannung der in dem Gerät
zu verwendenden elektrischen Leistung aufrechtzuerhalten.
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7 ist
ein Schaltbild, das ein Beispiel eines linearen Reglers zeigt. Der
lineare Regler ist eine Art einer Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung und
findet allgemein breite Anwendung.
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Ein
linearer Reglerabschnitt 10 ist auf einem LSI vorgesehen,
der einen Eingangsanschluss IN hat, durch den elektrische Leistung
mit einer Eingangsspannung Vin angelegt ist. Der lineare Reglerabschnitt
wandelt die elektrische Leistung der Eingangsspannung Vin in eine
Ausgangsspannung Vout (Vin > Vout)
um, die niedriger ist als die Eingangsspannung Vin, und gibt die
elektrische Leistung mit der Ausgangsspannung Vout durch einen Ausgangsanschluss
OUT ab.
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Zwischen
dem Eingangsanschluss IN und dem Ausgangsanschluss OUT ist ein NPN-Transistor 11 zur
Steuerung der Ausgangsspannung angeordnet, und zwischen dem Eingangsanschluss
IN und einer Basis des NPN-Transistors 11 ist eine Konstantstromquelle 12 angeordnet.
Ein von der Konstantstromquelle 12 abgegebener Strom wird
durch die Basis des NPN-Transistors 11 in Form eines Basisstroms
desselben geleitet und wird weiter durch einen Kollektor eines zusätzlichen
NPN-Transistors 13 in Form eines Kollektorstroms desselben
geleitet. Ein Emitter des NPN-Transistors 13 ist mit einem
Erdungsanschluss GND verbunden, der geerdet ist. Die Ausgangsspannung
Vout des Ausgangsanschlusses OUT wird durch einen von zwei Widerständen 14 und 15 gebildeten
Spannungsteiler einem positiven Eingangsanschluss eines Differentialverstärkers 16 zugeliefert,
während
eine von einer Referenzspannungsquelle 17 erzeugte Referenzspannung
einem negativen Eingangsanschluss des Diffe rentialverstärkers 16 zugeliefert
wird. Ein Ausgangsanschluss des Differentialverstärkers 16 ist
mit einer Basis des NPN-Transistors 13 verbunden.
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In
dem Fall, dass die Ausgangsspannung Vout des Ausgangsanschlusses
OUT höher
ist als eine vorbestimmte Referenz-Ausgangsspannung, wird eine Ausgangsspannung
des Differentialverstärkers 16 erhöht, so dass
ein Kollektorstrom des NPN-Transistors 13 erhöht wird.
Das heißt,
von dem von der Konstantstromquelle 12 ausgegebenen Strom
wird der als der Kollektorstrom des NPN-Transistors 13 verwendete
Strom erhöht,
und als Resultat wird der Basisstrom des NPN-Transistors 11 für die Ausgangsspannungssteuerung
vermindert und dadurch die Ausgangsspannung Vout des Ausgangsanschlusses
OUT abgesenkt.
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Andererseits
wird in dem Fall, dass die Ausgangsspannung Vout des Ausgangsanschlusses OUT
mit einer Spannung vorgespannt ist, die niedriger ist als eine vorbestimmte
Referenz-Ausgangsspannung, eine Ausgangsspannung des Differentialverstärkers 16 abgesenkt,
so dass der Kollektorstrom des NPN-Transistors 13 verringert
wird. Das heißt, dass
der Basisstrom des NPN-Transistors 11 erhöht wird
und dadurch die Ausgangsspannung Vout des Ausgangsanschlusses OUT
erhöht
wird.
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Auf
diese Weise wird elektrische Leistung mit einer konstanten Ausgangsspannung
Vout von dem Ausgangsanschluss OUT abgegeben.
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8 ist
ein Schaltbild, das ein zweites Beispiel eines linearen Reglers
zeigt. Dieser unterscheidet sich wie folgt von der Schaltung in 7.
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Ein
in 8 gezeigter linearer Regler 10' ist an Stelle
des NPN-Transistors 11 zur Ausgangsspannungssteuerung in
dem in 7 gezeigten linearen Regler mit einem PNP-Transistor 18 zur
Ausgangsspannungssteuerung versehen. Als Resultat wird die Ausgangsspannung
Vout des Ausgangsanschlusses OUT an den negativen Eingangsanschluss
des Differentialverstärkers 16 durch
einen von zwei Widerständen 14 und 15 gebildeten
Spannungsteiler angelegt, während
die von der Referenzspannungsquelle 17 erzeugte Referenzspannung
an den positiven Eingangsanschluss des Differentialverstärkers 16 angelegt
wird.
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In
dem Fall, dass der Ausgangsanschluss OUT mit einer Spannung Vout
vorgespannt ist, die höher
ist als eine vorbestimmte Referenz-Ausgangsspannung, wird die Ausgangsspannung
des Differentialverstärkers 16 gesenkt,
so dass der Kollektorstrom des NPN-Transistors 13 vermindert
wird. Das heißt,
dass von dem von der Konstantstromquelle 12 abgegebenen
Strom der als der Kollektorstrom des NPN-Transistors 13 verwendete
Strom vermindert wird und als Resultat der Basisstrom des PNP-Transistors 18 reduziert
wird und dadurch die Ausgangsspannung Vout des Ausgangsanschlusses
OUT abgesenkt wird.
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Wenn
andererseits Vout niedriger wird als die vorbestimmte Referenz-Ausgangsspannung, geht
die Ausgangsspannung des Differentialverstärkers 16 nach oben,
so dass der Kollektorstrom des NPN-Transistors 13 erhöht wird.
Das heißt,
dass der Basisstrom des PNP-Transistors 18 erhöht wird
und dadurch die Ausgangsspannung Vout des Ausgangsanschlusses OUT
erhöht
(wiederhergestellt) wird.
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Auf
diese Weise wird elektrische Leistung mit einer konstanten Ausgangsspannung
Vout von dem Ausgangsanschluss OUT abgegeben.
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9 ist
ein Schaltbild, das ein drittes Beispiel eines linearen Reglers
zeigt.
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Ein
Hauptunterschied gegenüber
dem in 8 gezeigten zweiten Beispiel des linearen Reglers
ist, dass der PNP-Transistor 18 durch
einen P-Kanal-MOSFET-Transistor 19 ersetzt ist.
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Der
Betriebsablauf der Schaltung ist gleich wie bei derjenigen des in 8 gezeigten
zweiten Beispiels, so dass auf eine Erklärung des dritten Beispiels
verzichtet wird.
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10 ist
ein Schaltbild, das ein Beispiel eines Schaltreglers zeigt. Der
Schaltregler 20 ist ebenfalls eine Art einer Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung
und findet allgemein breite Anwendung.
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Elektrische
Leistung mit der Spannung Vin wird durch einen Eingangsanschluss
IN des Schaltreglers zugeführt
und elektrische Leistung mit der Ausgangsspannung Vout (wobei sich
hier um einen Abwärtstransformierungstyp
handelt und somit Vin > Vout)
wird von einem zweiten Ausgangsanschluss OUT2 eines ersten und eines
zweiten Ausgangsanschlusses OUT1 und OUT2 abgegeben. Zwischen den
ersten und den zweiten Ausgangsanschluss OUT1 und OUT2 ist eine
externe Spule 31 geschaltet. Zwischen den zweiten Ausgangsanschluss OUT2
und Erde ist eine externe Kapazität 32 geschaltet.
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Die
Abschnitte des Schaltreglers 20 mit Ausnahme der externen
Spule 31 und der externen Kapazität 32 sind in einem
LSI (Large Scale Integrated Circuit) integriert.
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Zwischen
dem Eingangsanschluss IN und dem Ausgangsanschluss OUT1 ist ein
P-Kanal-MOS-Transistor 21 angeordnet. Ein Ausgang eines
PWM-Komparators 26 ist mit einem Gate des P-Kanal-MOS-Transistors 21 verbunden.
Ein Ausgang eines Differentialverstärkers 24 und ein Ausgang
eines Dreieckwellengenerators 27 werden an den PWM-Komparator 26 angelegt.
Der PWM-Komparator 26 wird weiter unten beschrieben.
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Die
Spannung Vout des zweiten Ausgangsanschlusses OUT2 wird an einen
negativen Eingangsanschluss des Differentialverstärkers 24 durch einen
von zwei Widerständen 22 und 23 gebildeten Spannungsteiler
angelegt, während
eine von einer Referenzspannungsquelle 25 erzeugte Referenzspannung
an einen positiven Eingangsanschluss des Differentialverstärkers 24 angelegt
wird. Zwischen den ersten Ausgangsanschluss OUT1 und einen Erdungsanschluss
GND, der geerdet ist, ist eine Diode 28 geschaltet. Die
Katode der Diode 28 ist mit dem ersten Ausgangsanschluss
OUT1 verbunden und die Anode der Diode 28 ist mit dem Erdungsanschluss GND
verbunden.
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Der
PWM-Komparator 26 vergleicht eine Ausgangsspannung des
Differentialverstärkers 24 mit
einem von dem Dreieckwellengenerator 27 ausgegebenen Dreieckwellensignal.
Wenn die Ausgangsspannung des Differentialverstärkers 24 eine niedrigere
Spannung hat als das Dreieckwellensignal, erzeugt der PWM-Komparator 26 ein
Impulssignal mit dem Pegel "H". Wenn die Ausgangsspannung des
Differentialverstärkers 24 eine
höhere
Spannung hat als das Dreieckwellensignal, erzeugt der PWM-Komparator 26 ein
Impulssignal mit dem Pegel "L". Dieses Impulssignal
wird an das Gate des MOS-Transistors 21 angelegt, so dass
der MOS-Transistor 21 in Übereinstimmung mit einer Veränderung
zwischen dem "H"-Pegel und dem "L"-Pegel des Impulssignals ein- und ausschaltet. Das
heißt,
dass der MOS-Transistor 21 die Eingangsspannung Vin mit
der gleichen Wiederholungsfrequenz wie der des Dreieckwellensignals
schaltet.
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Die
Diode 28, die Spule 31 und die Kapazität 32 glätten die
Eingangsspannung Vin nach dem Umschalten und erzeugen die Ausgangsspannung
Vout.
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Wenn
die Ausgangsspannung Vout eine voreingestellte Spannung geringfügig übersteigt,
geht die Ausgangsspannung des Differentialverstärkers 24 nach unten,
so dass eine Impulsbreite (eine Impulsbreite des Pegels "L") des von dem PWM-Komparator 26 erzeugten
Impulssignals geringfügig
geschmälert
wird, wodurch die Ausgangsspannung Vout nach unten geht. Wenn andererseits
die Ausgangsspannung Vout nach unten geht, geht die Ausgangsspannung
des Differentialverstärkers 24 nach oben,
so dass eine Impulsbreite (eine Impulsbreite des Pegels "L") des von dem PWM-Komparator 26 erzeugten
Impulssignals erweitert wird, wodurch die Ausgangsspannung Vout
nach oben geht. Auf diese Weise regelt der Schaltregler 20 die
auszugebende elektrische Leistung auf eine konstante Spannung Vout.
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In
einem elektronischen Gerät,
beispielsweise einem Personalcomputer, ist es häufig der Fall, dass in dem
Gerät mehrere
Schaltungseinheiten vorhanden sind, die mit jeweils unterschiedlichen Gleichspannungen
arbeiten. Ein derartiges Gerät
ist mit einer Vielzahl von Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltungen
versehen, die jeweils elektrische Leistung mit unterschiedlichen
Spannungen abgeben. Die Nachteile von Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltungen
sind, dass ein beträchtlicher
Anteil elektrischer Leistung für
die Umwandlung von Gleichspannungen verbraucht wird. Dadurch wird
Leistung vergeudet und der Verbrauch der Batterieleistung wird beschleunigt
und die Gerätetemperatur
steigt an. Beispielsweise ist im Fall der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung
mit der Konfiguration eines linearen Reglers, die in 7 bis 9 gezeigt
ist, bei der Umwandlung von der Eingangsspannung von 16V in die
Ausgangsspannung von 3,3V der Wirkungsgrad der Umwandlung 20% und
die übrigen
80% sind Verlustleistung. Insbesondere in einem Gerät, in dem
mehrere jeweils verschiedene Gleichspannungen verwendet werden und
mehrere Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltungen
erforderlich sind, um die Vielzahl von jeweils verschiedenen Gleichspannungen
zu erzeugen, besteht der Bedarf, den Wirkungsgrad der Umwandlung
in Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltungen zu verbessern.
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Die
EP-A-0717333 zeigt eine Leistungsversorgungs-Auswahlschaltung gemäß dem Oberbegriff von Anspruch
1. In dieser Schaltung werden vorbestimmte Referenzspannungen, die
jeweils einem maximalen Potenzialabfall in einem Regler oder Schalter
entsprechen, verwendet, um die Größe der Eingangsversorgungsspannungen
vor dem Vergleichen derselben mit einer Ausgangsspannung zu vermindern.
Somit wählt
die Schaltung die Eingangsversorgungsspannung, die das niedrigste
Potenzial hat, vorausgesetzt, dass es größer als die um diese maximale
Spannung angehobene Ausgangsspannung ist.
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Im
Hinblick auf die vorstehenden Ausführungen ist es eine zu Grunde
liegende Überlegung
der vorliegenden Erfindung, eine Leistungsversorgungs-Auswahlschaltung
zu schaffen, die in einer vorhandenen Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung
verwendet werden kann, um eine hinsichtlich des Wirkungsgrads der
Umwandlung verbesserte Spannungsumwandlung durchzuführen, sowie eine
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung, die eine derartige Leistungsversorgungs-Auswahlschaltung
enthält.
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Gemäß einem
ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Leistungsversorgungs-Auswahlschaltung
geschaffen, enthaltend:
eine Vielzahl von Eingangsanschlüssen zum
Anschluss an eine Vielzahl von Gleichstrom-Leistungsversorgungen;
einen
Leistungsversorgungs-Auswahlabschnitt zum Auswählen einer Gleichstrom-Leistungsversorgung mit
der niedrigsten Spannung aus der Vielzahl der Gleichstrom-Leistungsversorgungen;
und
einen Ausgangsanschluss zum Ausgeben der Spannungen der
von dem Leistungsversorgungs-Auswahlabschnitt ausgewählten Gleichstrom-Leistungsversorgung;
dadurch gekennzeichnet, dass:
der Leistungsversorgungs-Auswahlabschnitt
so angeordnet ist, dass er die Gleichstrom-Leistungsversorgung mit
der niedrigsten Spannung unter der Bedingung auswählt, dass
die Spannung nicht geringer ist als eine vorbestimmte Spannung.
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Wie
vorstehend angeführt
ist im Fall der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung
mit der Konfiguration eines linearen Reglers der Wirkungsgrad der
Umwandlung 2% für
eine Umwandlung von 16V in 3,3V. Andererseits ist jedoch in dem
Fall, in dem eine Leistungsversorgung mit 5V vorliegt, der Wirkungsgrad
der Umwandlung für
die gleiche Umwandlung 66%. Wenn somit eine Ausgangsspannung von
einer Eingangsspannung erhalten wird, die möglichst nahe an der Ausgangsspannung
liegt, ist es möglich,
den Wirkungsgrad der Umwandlung stark zu verbessern. Dies ist sowohl
auf die Konfiguration des Schaltreglers als auch auf die Konfiguration
des linearen Reglers anwendbar.
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Gemäß einem
zweiten Aspekt der Erfindung verwendet eine Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung
gemäß vorliegender
Erfindung das vorstehend erwähnte
Prinzip, indem die vorstehend definierte Leistungsversorgungs-Auswahlschaltung
mit einem Reglerabschnitt des Abwärtstransformierungstyps kombiniert
wird.
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Das
heißt,
dass der Leistungsversorgungs-Auswahlabschnitt eine Gleichstrom-Leistungsversorgung
mit der niedrigsten Spannung aus mehreren Gleichstrom-Leistungsversorgungen
auswählt
und die ausgewählte
Eingangsspannung in den Reglerabschnitt eingibt. Um jedoch zu vermeiden, dass
eine Eingangsleistungsversorgung mit 0V ausgewählt wird, beispielsweise wenn
eine Leistungsversorgung nicht arbeitet oder nicht angeschlossen ist,
ist in diesem Fall eine Bedingung vorgesehen, dass die niedrigste
Spannung nicht geringer ist als eine vorbestimmte Spannung. Der
Reglerabschnitt wandelt die Spannung der auf diese Weise ausgewählten Gleichstrom-Leistungsversorgung
in eine Gleichspannung um, die niedriger ist als die Spannung der
ausgewählten
Gleichstrom-Leistungsversorgung. Somit ist es möglich, einen hohen Wirkungsgrad
der Spannungsumwandlung zu verwirklichen, wobei die optimale Leistungsversorgung
in Übereinstimmung
mit der Situation der Leistungsversorgungen gewählt wird.
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In
dem Fall, dass entschieden wird, dass im Vergleich zu der Spannung
der durch den ersten Eingangsanschluss eingegebenen ersten Gleichstrom-Leistungsversorgung
die Spannung der durch den zweiten Eingangsanschluss eingegebenen
zweiten Gleichstrom-Leistungsversorgung niedriger ist, oder dass
eine Anordnung vorliegt, dass der zweite Eingangsanschluss mit einer
zweiten Gleichstrom-Leistungsversorgung (zweite DC-PSU) verbunden
ist, die eine niedrigere Spannung hat, ist es möglich, die Struktur des Leistungsversorgungs-Auswahlabschnitts
unter Berücksichtigung
der Idee der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung des ersten Aspekts
der vorliegenden Erfindung zu vereinfachen.
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In
der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden
Erfindung kann der Reglerabschnitt einen linearen Regler umfassen.
In diesem Fall ist es bevorzugt, dass der Leistungsversorgungs-Auswahlabschnitt und
der Reglerabschnitt, der den linearen Regler enthält, in einer
integrierten Schaltung angeordnet sind. Oder alternativ ist es bevorzugt,
dass die Leistungsversorgungs-Auswahlschaltung und Abschnitte des Reglerabschnitts,
die den linearen Regler enthalten, in einer integrierten Schaltung
(IC) angeordnet sind, mit der Ausnahme eines Ausgangsspannungs-Regeltransistors,
der außerhalb
des IC angeordnet ist.
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In
der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden
Erfindung kann der Reglerabschnitt einen Schaltregler enthalten.
In diesem Fall ist es bevorzugt, dass der Leistungsversorgungs-Auswahlabschnitt
und Abschnitte des Reglerabschnitts, die den Schaltregler enthalten,
in einem IC angeordnet sind, mit der Ausnahme ei nes Spannungsglättungs-Schaltungsabschnitts,
der außerhalb
des IC angeordnet ist.
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Die
Anordnung in einer integrierten Schaltung erlaubt einen stabilen
Betrieb, geringere Kosten und Raumeinsparung.
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Ein
Gerät,
das die vorliegende Erfindung gemäß den vorstehenden Ausführungen
verkörpert,
ist mit einem ersten und einem zweiten Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler
versehen. Der zweite Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler, der die niedrigere Gleichspannung
ausgibt, steht in Übereinstimmung mit
der vorliegenden Erfindung. Dieses Merkmal macht es möglich, eine
effiziente Gleichstrom-Gleichstrom-Umwandlung durchzuführen, den
Leistungsverbrauch zu reduzieren und den Temperaturanstieg des Gerätes zu unterdrücken.
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Im
allgemeinen werden Leistungsversorgungssysteme innerhalb der Geräte im Voraus
verdrahtet, und daher ist es üblich,
dass die Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung gemäß einer zweiten
Ausführungsform,
die nachfolgend beschrieben wird, als der zweite Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler
verwendet wird. Es kann jedoch die Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung
gemäß einer
ersten Ausführungsform,
die nachstehend beschrieben wird, als der zweite Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler verwendet
werden. In diesem Fall dient der Leistungsversorgungs-Auswahlabschnitt des
zweiten Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlers dazu, sowohl den Weg für die Übertragung
des Ausgangs des ersten Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlers zu dem
Reglerabschnitt als auch den Weg für die Übertragung der Spannung der
ersten Gleichstrom-Leistungsversorgung zu dem Reglerabschnitt zu
blockieren, wenn die erste Gleichstrom-Leistungsversorgung niedriger als eine
vorbestimmte Spannung ist, und zwar in dem Fall, in dem der Ausgang des
ersten Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlers niedriger als eine vorbestimmte
Spannung ist.
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Eine
detaillierte Beschreibung von Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung erfolgt nachfolgend im Rahmen von Beispielen unter Bezug auf
die beiliegenden Zeichnungen.
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1 ist
ein Schaltbild einer ersten Ausführungsform
einer Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung gemäß vorliegender
Erfindung, einschließlich
einer ersten Ausführungsform
einer Leistungsversorgungs-Auswahlschaltung gemäß vorliegender Erfindung;
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2 ist
ein Schaltbild einer zweiten Ausführungsform einer Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung
gemäß vorliegender
Erfindung, einschließlich
einer zweiten Ausführungsform
einer Leistungsversorgungs-Auswahlschaltung gemäß vorliegender Erfindung;
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3 ist
ein Schaltbild einer dritten Ausführungsform einer Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung
gemäß vorliegender
Erfindung;
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4 ist
ein Schaltbild einer vierten Ausführungsform einer Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung
gemäß vorliegender
Erfindung;
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5 ist
ein Schaltbild einer fünften
Ausführungsform
einer Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung gemäß vorliegender
Erfindung;
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6 ist
ein Blockschaltbild, das eine Ausführungsform eines Gerätes gemäß vorliegender
Erfindung zeigt;
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7 ist
ein Schaltbild, das ein erstes Beispiel eines linearen Reglers zeigt;
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8 ist
ein Schaltbild, das ein zweites Beispiel eines linearen Reglers
zeigt;
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9 ist
ein Schaltbild, das ein drittes Beispiel eines linearen Reglers
zeigt; und
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10 ist
ein Schaltbild, das ein Beispiel eines Schaltreglers zeigt.
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1 ist
ein Schaltbild einer ersten Ausführungsform
einer Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung gemäß vorliegender
Erfindung, einschließlich
einer ersten Ausführungsform
einer Leistungsversorgungs-Auswahlschaltung gemäß vorliegender Erfindung.
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Die
in 1 gezeigte Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung 100 enthält eine
Eingangs-Auswahlschaltung 110 und einen linearen Regler 10.
Die Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung 100 ist
in ihrer Gesamtheit in einen LSI-Chip 190 integriert.
Die Eingangs-Auswahlschaltung 110 ist eine Ausführungsform
einer Leistungsversorgungs-Auswahlschaltung gemäß vorliegender Erfindung.
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Die
Eingangs-Auswahlschaltung 110 ist mit zwei Eingangsanschlüssen IN1
und IN2 versehen, an die jeweils Gleichstromversorgungen angeschlossen
sind. Eingangsspannungen Vin1 und Vin2 sind durch die Eingangsanschlüsse IN1
bzw. IN2 angelegt.
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Die
Eingangs-Auswahlschaltung 110 zwischen den Eingangsanschlüssen (IN1
und IN2) und dem Knoten TML kann von dem linearen Reglerabschnitt 10 getrennt
sein (beispielsweise durch Integrieren der Eingangs-Auswahlschaltung 110 in
einen LSI). In diesem Fall ist der Knoten TML ein Ausgangsanschluss
der Eingangs-Auswahlschaltung 110 und überträgt Signale von der Eingangs-Auswahlschaltung 110 zu
dem linearen Reglerabschnitt 10, die Anoden der Dioden 111 und 112 sind
mit den Eingangsanschlüssen
IN1 beziehungsweise IN2 verbunden und die Eingänge von P-Kanal-Transistoren 113 und 114 sind
jeweils mit den Katoden der Dioden 111 und 112 verbunden.
Die Eingangsseiten der P-Kanal-Transistoren 113 und 114 sind
ebenfalls über
Widerstände 115 und 116 jeweils
mit ihren Gates verbunden. Zwischen den Gates der P-Kanal-MOS-Transistoren 113 und 114 und
einem Erdungsanschluss GND sind jeweils N- Kanal-MOS-Transistoren 117 und 118 angeordnet.
Der Erdungsanschluss GND ist geerdet.
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Die
Eingangs-Auswahlschaltung 110 ist ferner mit einem ersten,
einem zweiten und einem dritten Komparator 121, 122 und 123 sowie
einer Referenzspannungsquelle 124 versehen. Ein positiver Eingangsanschluss
des ersten Komparators 121 ist mit einer Katode der Diode 111 verbunden
und ein negativer Eingangsanschluss des ersten Komparators 121 ist
mit der Referenzspannungsquelle 124 verbunden. Ein positiver
Eingangsanschluss des zweiten Komparators 122 ist mit einer
Katode der Diode 112 verbunden und ein negativer Eingangsanschluss
des zweiten Komparators 122 ist mit der Katode der Diode 111 verbunden.
Ein positiver Eingangsanschluss des dritten Komparators 123 ist
mit der Referenzspannungsquelle 124 verbunden und ein negativer
Eingangsanschluss des dritten Komparators 123 ist mit der
Katode der Diode 112 verbunden.
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Ausgangssignale
der drei Komparatoren 121, 123 und 123 werden über eine
erste Logikschaltung 133, die ein AND-Gate 131 und
ein OR-Gate 132 enthält,
zu dem N-Kanal-MOS-Transistor 117 übertragen
und weiter über
eine zweite Logikschaltung 136, die ein OR-Gate 134 und
ein NAND-Gate 135 enthält,
zu einem weiteren N-Kanal-MOS-Transistor 118 übertragen.
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Der
erste Komparator 121 vergleicht die Spannung Vin1 des ersten
Eingangsanschlusses IN1 mit der Spannung der Referenzspannungsquelle 124 und
bestimmt, ob die Spannung Vin1 des ersten Eingangsanschlusses IN1
höher ist
als die Spannung der Referenzspannungsquelle 124. Mit anderen
Worten wird festgestellt, ob die Referenzspannungsquelle 124 mit
dem ersten Eingangsanschluss IN1 verbunden ist.
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In ähnlicher
Weise wie der erste Komparator 121 vergleicht der dritte
Komparator 123 die Spannung Vin2 des zwei ten Eingangsanschlusses
IN2 mit der Spannung der Referenzspannungsquelle 124 und
bestimmt, ob die Spannung Vin2 des zweiten Eingangsanschlusses IN2
höher ist
als die Spannung der Referenzspannungsquelle 124. Mit anderen
Worten wird festgestellt, ob die Referenzspannungsquelle 124 sicher
mit dem zweiten Eingangsanschluss IN2 verbunden ist.
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Der
zweite Komparator 122 unterscheidet sich von dem ersten
Komparator 121 und dem dritten Komparator 123 und
vergleicht die Spannung Vin1 des ersten Eingangsanschlusses IN1
mit der Spannung Vin2 des zweiten Eingangsanschlusses IN2.
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Wenn
die Spannung Vin1 des ersten Eingangsanschlusses IN1 die Referenzspannung übersteigt
und Vin1 < Vin2,
erzeugt die erste Logikschaltung 133 ein Signal mit dem
Pegel "H", so dass der NMOS-Transistor 117 leitet
und wodurch das Gate des PMOS-Transistors 113 auf das Potenzial
der Erdungsseite herunter geht. Auf diese Weise schaltet der PMOS-Transistor 113 ein,
so dass die Spannung Vin1 des ersten Eingangsanschlusses IN1 über den Knoten
TML an den linearen Reglerabschnitt 10 übertragen wird. Zu diesem Zeitpunkt
gibt der Ausgang (das Gate des NMOS-Transistors 118) der zweiten
Logikschaltung 136 ein Signal mit dem Pegel "L" ab, so dass der NMOS-Transistor 118 abschaltet. Somit
schaltet der PMOS-Transistor 114 ebenfalls ab, so dass
die Spannung Vin2 des zweiten Eingangsanschlusses IN2 nicht an den
linearen Reglerabschnitt 10 übertragen wird.
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Beispielsweise
sei angenommen, dass Vin1 = 5,0V, Vin2 = 16,0V. In dem Fall, dass
der lineare Reglerabschnitt 10 eine Spannung von 3,3V abgibt, wählt die
Eingangs-Auswahlschaltung 110 Vin1 = 5,0V. Somit ist der
Wirkungsgrad des linearen Reglerabschnitts 10 66%.
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Andererseits
gibt im Fall von Vin2 < Vin1
unter der Bedingung, dass Vin2 die Referenzspannung übersteigt,
der Ausgang der ersten Logikschaltung 133 einen Pegel "L" ab und die zweite Logikschaltung 136 erzeugt
einen Pegel "H". Somit schalten
der NMOS-Transistor 117 und der PMOS-Transistor 113 ab,
so dass die Übertragung
von Vin1 zu dem linearen Reglerabschnitt unterbunden ist, und der NMOS-Transistor 118 und
der PMOS-Transistor 114 schalten ein, so dass Vin2 zu dem
linearen Reglerabschnitt 10 übertragen wird. In diesem Fall
wählt beispielsweise
unter der Annahme, dass Vin1 = 16,0V, Vin2 = 5,0V und der lineare
Reglerabschnitt 10 eine Spannung von 3,3V abgibt, die Eingangs-Auswahlschaltung 110 Vin2
= 5,0V aus. Somit ist der Wirkungsgrad des linearen Reglerabschnitts 10 66%.
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In
dem Fall, dass Vin2 geringer ist als die Referenzspannung (typischerweise
ist der Eingangsanschluss IN2 von der Quelle getrennt), während Vin1 nicht
geringer als die Referenzspannung ist, geben der erste, der zweite
und der dritte Komparator 121, 122 und 123 jeweils
Signale mit dem Pegel "H", dem Pegel "L" und dem Pegel "H" ab,
so dass die erste Logikschaltung 133 ein Signal mit dem
Pegel "H" erzeugt und die
zweite Logikschaltung 136 ein Signal mit dem Pegel "L" erzeugt. Somit leitet der NMOS-Transistor 117 und
der PMOS-Transistor 113 leitet
ebenfalls. Andererseits schaltet der NMOS-Transistor 118 ab
und der PMOS-Transistor 114 schaltet ebenfalls ab. Folglich
wird in diesem Fall die durch den ersten Eingangsanschluss IN1 eingegebene
Spannung zu dem linearen Reglerabschnitt 10 übertragen.
In dem Fall, dass der lineare Reglerabschnitt 10 eine Spannung
von 3,3V abgibt, ist der Wirkungsgrad des linearen Reglerabschnitts 10 66%, wenn
Vin1 = 5,0V, und 20%, wenn Vin1 = 16,0V.
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Andererseits
geben in dem Fall, dass Vin1 geringer ist als die Referenzspannung
(typischerweise ist der Eingangsanschluss IN1 von der Quelle getrennt),
während
Vin2 nicht niedriger ist als die Referenzspannung, der erste, der
zweite und der dritte Komparator 121, 122 und 123 jeweils
Signale mit dem Pegel "L", dem Pegel "H" und dem Pegel "L" ab, so
dass die erste Logikschaltung 133 ein Signal mit dem Pegel "H" erzeugt. Somit schaltet der NMOS-Transistor 117 ab
und der PMOS-Transistor 113 schaltet ebenfalls ab. Andererseits
schaltet der NMOS-Transistor 118 ein und der PMOS-Transistor 114 schaltet
ebenfalls ein. Folglich wird in diesem Fall die durch den zweiten
Eingangsanschluss IN2 eingegebene Spannung Vin2 zu dem linearen
Reglerabschnitt 10 übertragen.
In dem Fall, dass der lineare Reglerabschnitt 10 eine Spannung
von 3,3V abgibt, ist der Wirkungsgrad des linearen Reglerabschnitts 10 66%,
wenn Vin2 = 5,0V, und 20%, wenn Vin2 = 16,0V.
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Der
lineare Reglerabschnitt 10 hat den gleichen Aufbau wie
der in 7 gezeigte lineare Regler und erzeugt in Übereinstimmung
mit dem unter Bezug auf 7 erläuterten Prinzip die stabilisierte Ausgangsspannung
Vout (Vout < Vin1,
Vin2), die niedriger ist als die Spannungen Vin1 und Vin2 der Eingangsanschlüsse IN1
und IN2, beispielsweise Vout = 3,3V, und gibt diese durch den Ausgangsanschluss
OUT ab.
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Auf
diese Weise wird im Fall der in 1 gezeigten
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung 100 von zwei Eingangsspannungen
Vin1 und Vin2 die kleinere an den linearen Reglerabschnitt 10 übertragen,
so dass sie zur Erzeugung der Ausgangsspannung Vout verwendet wird,
und zwar unter der Bedingung, dass sie nicht niedriger ist als die
Referenzspannung. Somit ist es möglich,
die Gleichstrom-Gleichstrom-Umwandlung
mit einem hervorragenden Wirkungsgrad der Umwandlung durchzuführen.
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2 ist
ein Schaltbild einer zweiten Ausführungsform einer Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung
gemäß vorliegender
Erfindung einschließlich
einer zweiten Ausführungsform
einer Leistungsversorgungs-Auswahlschaltung gemäß vorliegender Erfindung.
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Eine
in 2 gezeigte Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung 200 enthält einen
Eingangs-Auswahlabschnitt 210, der im Vergleich zu der Eingangs-Auswahlschaltung 110 gemäß der in 1 gezeigten
ersten Ausführungsform
einen vereinfachten Aufbau hat, und einen linearen Reglerabschnitt 10,
der den gleichen Aufbau wie der lineare Reglerabschnitt 10 gemäß der in 1 gezeigten
ersten Ausführungsform
hat. In ähnlicher
Weise wie bei der in 1 gezeigten ersten Ausführungsform
ist die Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung 200 in ihrer
Gesamtheit in einen LSI-Chip 290 integriert.
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Die
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung 200 ist eine Schaltung,
die Eingangsspannungen Vin1 und Vin2 durch die Eingangsanschlüsse IN1
bzw. IN2 erhalten soll, wobei sichergestellt ist, dass Vin1 > Vin2. Die Sicherstellung,
dass Vin1 > Vin2,
kann beispielsweise mittels der Unterscheidung der Steckverbindertypen
oder durch feste Verdrahtung der jeweiligen Steckverbinder in einem
Gerät im Voraus
erfolgen.
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Zwischen
dem ersten Eingangsanschluss IN1 der beiden Eingangsanschlüsse IN1
und IN2 und einem Knoten TML, der die Verbindung zwischen der Eingangs-Auswahlschaltung 210 und
dem linearen Reglerabschnitt 10 herstellt, sind eine Diode 211,
deren Anode mit dem Eingangsanschluss IN1 verbunden ist, und ein
PMOS-Transistor 213 angeordnet. Hier ist in dem Fall, dass
die Eingangs-Auswahlschaltung (ein Beispiel der Leistungsversorgungs-Auswahlschaltung,
auf die in der vorliegenden Erfindung Bezug genommen wird) in Form
einer von dem linearen Reglerabschnitt 10 getrennten Schaltung
angeordnet ist (beispielsweise ist nur die Eingangs-Auswahlschaltung 210 auf
einem LSI-Chip vorgesehen), der Knoten TML ein Ausgangsanschluss
der Eingangs-Auswahlschaltung 210. Das Gate des PMOS-Transistors 213 ist über einen
Widerstand 215 mit der Diode 211 verbunden. Zwischen dem
Gate des PMOS-Transistors 213 und dem Erdungsanschluss
GND ist ein NMOS-Transistor 217 angeordnet. Der Erdungsanschluss
GND ist geerdet.
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Zwischen
einem weiteren Eingangsanschluss IN2 und dem Knoten TML ist eine
Diode 212 angeordnet, deren Anode mit dem Eingangsanschluss
IN2 verbunden ist. Eine Katode der Diode 212 ist mit einem
negativen Eingangsanschluss eines Komparators 221 verbunden.
Eine Referenzspannungsquelle 224 ist mit einem positiven
Eingangsanschluss des Komparators 221 verbunden. Ein Ausgang
des Komparators 221 ist mit einem Gate des NMOS-Transistors 217 verbunden.
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Der
Komparator 221 vergleicht die Spannung Vin2 mit einer von
der Referenzspannungsquelle 224 erhaltenen Referenzspannungsquelle.
Dieser Vergleich dient der Bestimmung, ob die Referenzspannungsquelle 224 sicher
mit dem zweiten Eingangsanschluss IN2 verbunden ist.
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Wenn
die Spannung Vin2 höher
ist als die Referenzspannung, gibt der Ausgang des Komparators 221 einen
Pegel "L" ab, so dass der
NMOS-Transistor 217 abschaltet. Somit schaltet der PMOS-Transistor 213 ebenfalls
ab. Als Resultat wird die Spannung Vin1 des ersten Eingangsanschlusses
IN1 nicht zu dem linearen Reglerabschnitt 10 übertragen,
sondern die Spannung Vin2 des zweiten Eingangsanschlusses IN2 wird
zu dem linearen Reglerabschnitt 10 übertragen. Andererseits erzeugt
in dem Fall, dass die Spannung Vin2 des zweiten Eingangsanschlusses
IN2 eine Spannung (typischerweise 0V) erzeugt, die niedriger ist
als die Referenzspannung, wenn beispielsweise die Quelle nicht an
dem zweiten Eingangsanschluss IN2 angeschlossen ist oder die mit
dem zweiten Eingangsanschluss IN2 verbundene Quelle in einem abgeschalteten
Zustand ist, der Ausgang des Komparators 221 einen Pegel "H", so dass der NMOS-Transistor 217 einschaltet.
Somit schaltet der PMOS-Transistor 213 ebenfalls
ein. Als Resultat wird die Spannung Vin1 des ersten Eingangsanschlusses
IN1 zu dem linearen Reglerabschnitt 10 übertragen.
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Wie
vorstehend beschrieben ist die in 2 gezeigte
Eingangs-Auswahlschaltung 210 in dem Fall wirksam, in dem
die Bedingung Vin1 > Vin2
erfüllt
ist. Wenn die Spannung Vin2 wirksam ist, wird die Spannung Vin2
zu dem linearen Reglerabschnitt 10 übertragen. Wenn die Spannung
Vin2 nicht wirksam ist (zum Beispiel 0V), wird die Spannung Vin1
zu dem linearen Reglerabschnitt 10 übertragen.
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Der
lineare Reglerabschnitt 10 hat den gleichen Aufbau wie
der in 1 gezeigte lineare Reglerabschnitt und erzeugt
die stabilisierte Ausgangsspannung Vout, die niedriger ist als die
Spannungen Vin1 und Vin2 der Eingangsanschlüsse IN1 und IN2 und gibt diese
durch den Ausgangsanschluss OUT ab.
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Auf
diese Weise wird auch im Fall der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung 200 dann, wenn
die Spannung Vin2 der Spannungen Vin1 und Vin2 (Spannungen Vin1 > Vin2) wirksam ist,
die Spannung Vin2 zu dem linearen Reglerabschnitt 10 zur
Verwendung für
die Erzeugung der Ausgangsspannung Vout übertragen. Auf diese Weise
ist es möglich,
eine Gleichstrom-Gleichstrom-Umwandlung durchzuführen, die
einen hervorragenden Umwandlungswirkungsgrad hat.
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3 ist
ein Schaltbild einer dritten Ausführungsform einer Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung
gemäß vorliegender
Erfindung. von der in 2 gezeigten zweiten Ausführungsform
verschiedene Punkte werden beschrieben.
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Der
Unterschied zwischen der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung 300 (3) und
der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung 200 gemäß der in 2 gezeigten
zweiten Ausführungsform
liegt darin, das ein Abschnitt mit der Ausnahme eines NPN-Transistors 11 des
Ausgangsspannungs-Reglerabschnitts,
der den linearen Reglerabschnitt 10 bildet, in dem Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler 200 in
einem LSI-Chip 290 integriert ist und in dem Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler 300 der
NPN-Transistor 11 außerhalb
eines LSI-Chips 390 angeordnet ist.
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Somit
benötigt
der LSI-Chip 390 zwei Ausgangsanschlüsse OUT1 und OUT2 zusätzlich zu
einem Ausgangsanschluss OUT3, der dem Ausgangsanschluss OUT in der
in 2 gezeigten zweiten Ausführungsform entspricht.
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Der
Betrieb der Schaltung ist gleich dem der in 2 gezeigten
zweiten Ausführungsform
und somit wird auf eine Erläuterung
verzichtet. Der Grund dafür,
dass der Transistor 11 außerhalb des LSI-Chips 390 angeordnet
ist, ist folgender. Die Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung 300 hat eine
große
Stromkapazität,
so dass ihr Sekundärende
eine sehr große
elektrische Leistung verbrauchen kann, so dass als der Transistor 11 ein
Transistor verwendet werden muss, der in der Lage ist, einem Verbrauch
einer großen
elektrischen Leistung standzuhalten. Im Hinblick auf die vorstehend
genannte Tatsache wird ein Transistor mit einer großen Kapazität als der
Transistor 11 benötigt
und ferner besteht der Bedarf, Wärmeabstrahlung
durchzuführen,
indem beispielsweise ein Kühlkörper oder
dergleichen eingebaut wird. Das heißt, dass der Transistor 11 für die Integration
in den LSI-Chip nicht geeignet ist.
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Somit
wird in einer Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung mit einer
linearen Reglerkonfiguration ein Transistor für die Ausgangsspannungsregelung
außerhalb
angeordnet.
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4 ist
ein Schaltbild einer vierten Ausführungsform einer Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung
gemäß vorliegender
Erfindung.
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Eine
in 4 gezeigte Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung 400 enthält eine
Eingangs-Auswahlschaltung 110, die der ersten Ausführungsform
der Leistungsversorgungs-Auswahlschaltung
gemäß vorliegender
Erfindung entspricht, die ebenfalls in 1 gezeigt
ist, und einen Schaltreglerabschnitt 20, der gleich dem
in 10 gezeigten Schaltregler ist. Der Schaltungsbetrieb
der Eingangs-Auswahlschaltung 110 und des Schaltreglerabschnitts 20 wurden
bereits erläutert,
so dass hier auf eine Erläuterung
verzichtet wird. Die in 4 gezeigte Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung 400 ist
in einem LSI-Chip 490 integriert, mit Ausnahme einer Spule 31 und
einer Kapazität 32,
die Teil des Schaltreglers 20 sind. Die Spule 31 und
die Kapazität 32 sind
recht groß und
nicht für
die Integration in den LSI-Chip geeignet.
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Die
Eingangs-Auswahlschaltung 110 erhält zwei Eingangsspannungen
Vin1 und Vin2 (jede der beiden Eingangsspannungen Vin1 und Vin2
kann die niedrige Spannung sein), die durch die beiden Eingangsanschlüsse IN1
bzw. IN2 angelegt werden. Von den beiden Eingangsspannungen Vin1
und Vin2 wird die niedrigere Spannung unter der Bedingung an dem
Schaltreglerabschnitt 20 angelegt, dass die niedrigere
Spannung nicht kleiner als die Referenzspannung ist. Der Schaltreglerabschnitt 20 ist
ein Regler eines Abwärtstransformierungstyps
zur Erzeugung einer Ausgangsspannung Vout, die niedriger ist als
die Spannungen Vin1 und Vin2. Somit ist es im Hinblick auf den Umwandlungswirkungsgrad bevorzugt,
dass die Ausgangsspannung Vout gemäß der niedrigeren Eingangsspannung
erzeugt wird (die selbstverständlich
nicht niedriger als die Ausgangsspannung Vout ist). Auf diese Weise
wird auch in der in 4 gezeigten Ausführungsform
eine Konfiguration eingesetzt, bei welcher von den Eingangsspannungen
Vin1 und Vin2 die niedrigere Spannung angelegt wird, um die Ausgangsspannung
Vout zu erzeugen, wodurch eine effiziente Gleichstrom-Gleichstrom-Umwandlung erzielt
wird.
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5 ist
ein Schaltbild einer fünften
Ausführungsform
einer Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung gemäß der vorliegenden
Erfindung.
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Eine
in 5 gezeigte Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung 500 enthält die Eingangs-Auswahlschaltung 210 entsprechend
der zweiten Ausführungsform
der Leistungsversorgungs-Auswahlschaltung gemäß vorliegender Erfindung, die
in 2 gezeigt ist, und den Schaltreglerabschnitt 20,
der gleich dem in 10 gezeigten Schaltreglerabschnitt
ist. Der Schaltungsbetrieb der Eingangs-Auswahlschaltung 210 und
des Schaltreglerabschnitts 20 wurden bereits erläutert, so
dass auf eine Erklärung
hier verzichtet wird. Die in 5 gezeigte
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung 500 ist in einen
LSI-Chip 590 integriert, mit Ausnahme einer Spule 31 und
einer Kapazität 32,
die ähnlich der
in 4 gezeigten vierten Ausführungsform Teil des Schaltreglerabschnitts 20 sind.
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In
der Eingangs-Auswahlschaltung 110 wird dann, wenn die Quelle
an beiden Eingangsanschlüssen
IN1 und IN2 vorgesehen ist, stets sichergestellt, dass Vin1 > Vin2 erfüllt ist.
Solange die Bedingung Vin1 > Vin2
erfüllt
ist, wird in dem Fall, dass die Eingangsspannung Vin2 nicht kleiner
als eine vorbestimmte Referenzspannung ist, die Eingangsspannung
Vin2 an den Schaltreglerabschnitt 20 übertragen. Andererseits wird
in dem Fall, dass die Eingangsspannung Vin2 nicht mehr als die vorbestimmte
Referenzspannung ist, die Eingangsspannung Vin1 an den Schaltreglerabschnitt 20 übertragen.
Daher ist es möglich,
in dem Schaltreglerabschnitt 20 eine Gleichstrom-Gleichstrom-Umwandlung
mit hohem Wirkungsgrad durchzuführen.
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6 ist
ein Blockschaltbild, das eine Ausführungsform eines Gerätes gemäß vorliegender
Erfindung zeigt.
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Ein
Gerät 600,
beispielsweise ein Personalcomputer, wird mit einer Gleichstromleistung
von 16,0V, die aus einer allgemeinen Leistungsversorgung in dem
externen Wechselstromadapter (nicht dargestellt) erzeugt wird, und
mit einer Gleichstromleistung von 12 bis 9V, die von einer internen
Batterie 611 erzeugt wird, durch Dioden 612 beziehungsweise 613 versorgt.
Die Gleichspannung (16,0V) von dem externen Wechselstromadapter
ist höher
als die Spannung (12 bis 9V) der Batterie. Wenn die Gleichstromleistung
von dem Wechselstromadapter zugeführt wird, wird durch die Wirkung
der Diode 613 die Leistung von der Batterie dem Gerät nicht
zugeliefert. Wenn andererseits von dem Wechselstromadapter keine
Leistung geliefert wird und das Gerät arbeitet, wird von der Batterie 611 Leistung
geliefert. Die Leistung von dem Wechselstromadapter oder der Batterie 611 wird
einem Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler 614 (ein
Beispiel des ersten Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlers,
auf den in der vorliegenden Erfindung Bezug genommen wird) und einem
Regler 615 (ein Beispiel des zweiten Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlers,
auf den in der vorliegenden Erfindung Bezug genommen wird) zugeliefert.
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Der
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler 614 erzeugt 5,0V (Volt)
gemäß der Eingangsleistung
und führt
diese einem ersten Arbeitsstromkreis 616 zu. Der erste
Arbeitsstromkreis 616 wird mit den von dem Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler 614 erzeugten
5,0V angesteuert. Der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler 614 empfängt ein
Steuersignal (ein Ein/Aus-Signal) zum Einschalten und Ausschalten des
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlers,
so dass der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler 614 seinen
Betrieb zum Zweck der Leistungseinsparung unterbrechen kann, wenn
es nicht erforderlich ist, den ersten Arbeitsstromkreis 616 zu
betätigen.
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Der
Regler 615 erhält
die von dem Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler 614 erzeugten
5,0V sowie Leistung von dem Wechselstromadapter oder der Batterie 611 und
erzeugt 3,3V in Übereinstimmung mit
der niedrigeren Leistung der erhaltenen beiden Leistungsarten. Die
von dem Regler 615 erzeugten 3,3V werden einem zweiten
Arbeitsstromkreis 617 zugeführt. Der zweite Arbeitsstromkreis 617 wird durch
die vom Regler 615 zugelieferten 3,3V aktiviert. Der zweite
Arbeitsstromkreis 617 enthält Schaltungen und dergleichen,
die auf der Grundlage einer unterbrechungsfreien Leistungsversorgung
in Betrieb gehalten werden müssen.
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Als
der Regler 615 wird eine beliebige der vorstehend beschriebenen
Ausführungsformen
der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltungen
eingesetzt, beispielsweise wird typischerweise die in 2 gezeigte
Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung
im Hinblick auf die Tatsache eingesetzt, dass sie vorab verdrahtet
wird, da sie in das Gerät
integriert ist.
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Wenn
der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler 614 in Betrieb ist
und die von dem Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler 614 erzeugten
5,0V dem Regler 615 zugeliefert werden, erzeugt der Regler 615 in Übereinstimmung
mit den 5,0V 3,3V. Wenn der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler 614 den
Betrieb unterbricht, erzeugt der Regler 615 3,3V in Übereinstimmung
mit den 16,V von dem Wechselstromadapter oder den 12 bis 9V von
der Batterie 611, wenn der wechselstromadapter nicht angeschlossen
ist.
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Auf
diese Weise ist der Regler 615 so angeordnet, dass dann,
wenn der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler 614 in Betrieb
ist, die 3,3V aus den 5,0V vom Gleichstrom-Gleichstromwandler 614 erzeugt
werden. Somit ist es im Vergleich zu einem Fall, in dem unabhängig von
der Tatsache, ob der Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler in Betrieb
ist, die Leistung von dem Wechselstromadapter oder der Batterie
verwendet wird, möglich,
Leistung einzusparen.
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Wenn
beispielsweise die in 1 gezeigte Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlerschaltung
als der Regler 615 einge setzt wird, können der Eingang und der Ausgang
des Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlers 614 mit einem beliebigen
der beiden Eingangsanschlüsse
des Reglers 615 verbunden werden. Dieses Merkmal erleichtert
die Verdrahtung und kann auch einen Verdrahtungsfehler verhindern,
dass die beiden Typen der Verdrahtung fälschlich vertauscht werden.
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Wie
vorstehend erwähnt
ist es gemäß vorliegender
Erfindung möglich,
eine Gleichstrom-Gleichstrom-Umwandlung mit hohem Wirkungsgrad durchzuführen.
-
Während die
vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf bestimmte erläuternde
Ausführungsformen
beschrieben wurde, ist sie nicht durch diese Ausführungsformen,
sondern nur durch die beigefügten
Patentansprüche
eingeschränkt.