DE4400726A1 - Verfahren zum Metallaufdampfen auf eine integrierte Schaltkreiseinrichtung - Google Patents

Verfahren zum Metallaufdampfen auf eine integrierte Schaltkreiseinrichtung

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DE4400726A1
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Metallaufdampfen auf eine integrierte Schaltkreiseinrichtung, das insbesondere eine gute Stufenabdeckung bei der Herstellung integrierter Schaltkreise ermöglicht.
Bei der Herstellung integrierter Schaltkreiseinrichtungen wird der Kontakt zwischen Metallschichten zu unteren leitfähigen Schichten des integrierten Schaltkreises durch Durchgänge in einer Isolierschicht hergestellt. Aluminium wird oft als Verbindungsmetall benutzt. Jedoch entstehen beim Bedampfungsprozeß zum Aufbringen des Aluminiums oft unvollständige Füllungen der Durchgangsöffnungen. Es können sich größere Aluminiumkörnungen an der Oberfläche der Isolierschicht in den Öffnungen bilden, die Fehlstellen bewirken.
Um dieses Problem der Fehlstellen zu überwinden, wurde bereits versucht, mit unterschiedlichen Temperaturen und Ablagerungsraten zu arbeiten. Solche Verfahren sind beispielsweise in den US-PS 4 994 162 und 5 108 951 beschrieben.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein wirksames und leicht durchführbares Verfahren zur Metall­ aufdampfung bei der Herstellung integrierter Schaltkreise aufzuzeigen, durch das die Bildung von Fehlstellen verhindert wird.
Erfindungsgemäß erfolgt die Lösung der Aufgabe durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1. Vorteilhafte Aus­ gestaltungen der Erfindung werden in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
Gemäß der Aufgabe der Erfindung wird durch diese ein neues Verfahren zur Metallbedampfung eines integrierten Schalt­ kreises erzielt. Dieses Verfahren kann für die erste Metallbedampfung zur Herstellung eines Kontaktes auf den Halbleitersubstratbereichen oder für folgende Metallbedampfungen zur Herstellung von Verbindungen in dem integrierten Schaltkreis verwendet werden. Eine Isolierschicht wird über der Oberfläche des Halbleitersub­ strates oder über einer Metallschicht vorgesehen. Mindestens eine Kontaktöffnung wird durch die Isolier­ schicht zu dem Halbleitersubstrat oder zu der Metallschicht hergestellt. Eine Metallsperrschicht ist über der Oberfläche des Halbleitersubstrates angeordnet und in der Kontaktöffnung, in der das meiste Sperrmetall am Boden der Kontaktöffnung und weniger auf der Seitenwand der Kontakt­ öffnung ist. Über die Metallsperrschicht ist eine Metall­ schicht kalt aufgedampft. Dann wird über die kaltbedampfte Metallschicht Metall heiß aufgedampft, wobei die Kalt- und Heißbedampfung kontinuierlich durchzuführende Verfahrens­ schritte zur Vervollständigung der Metallbedampfung des integrierten Schaltkreises sind.
Die Erfindung wird nachstehend am Beispiel der in den Zeichnungen schematisch im Querschnitt dargestellten Aus­ schnitte aus integrierten Schaltkreisen näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 bis 5 Ansichten einer ersten bevorzugten Ausfüh­ rungsform der Erfindung,
Fig. 6 bis 8 Ansichten einer zweiten bevorzugten Ausfüh­ rungsform der Erfindung.
In Fig. 1 ist ein Teil eines teilweise vervollständigten integrierten Schaltkreises dargestellt. Das Halbleitersub­ strat besteht vorzugsweise aus monokristallinem Silizium. Eine Isolierschicht 12, die vorzugsweise aus TEOS Oxid, Borphosphorsilikatglas (BPSG) od. dgl. besteht, ist durch chemische Niederdruckdampfabscheidung (LPCVD), chemische Dampfabscheidung bei atmosphärem Druck (APCVD) oder durch plasmagesteigerte chemische Dampfabscheidung (PECVD) zu einer Dicke zwischen 4000 bis 10 000 Ångström abgeschieden.
Ein Muster von Kontaktöffnungen ist durch die Isolierstruktur zu dem Halbleitersubstrat 10 ausgebildet, in dem Bereiche der Schaltkreiseinrichtung in bekannter Weise ausgeformt sind. Bekannte Lithographie und Ätztechniken werden benutzt um dieses Muster von Kontakt­ öffnungen auszubilden. Der Klarheit halber ist nur eine einzige Kontaktöffnung in den Zeichnungen dargestellt. Schaltkreisbereiche in dem Halbleitersubstrat 10 sind nicht dargestellt, da sie nicht Bestandteil der Erfindung sind.
Eine Sperrmetallschicht ist über die Oberfläche des Halb­ leitersubstrates 10 und in die Kontaktöffnungen bedampft. Während dieser Bedampfung wird ein Kollimator verwendet, so daß das meiste des Sperrmetalls den Boden der Kontaktöffnung belegt und nur eine dünne Schicht auf den Seitenwänden der Kontaktöffnungen ausgebildet ist. Die Sperrmetallschicht ist mehrlagig ausgebildet. Die erste Schicht 13 besteht aus Titan und ist zwischen 50 bis 300 Ångström dick. Die zweite Schicht 14 besteht entweder aus Titannitrit oder Titanwolfram und ist zwischen 300 bis 2000 Ångström dick, vorzugsweise zwischen 750 und 2000 Ångström. Diese zweite Sperrmetallschicht verhindert Verbindungs­ verluste. Eine Endschicht 15 aus Titan mit einer Dicke zwischen 300 bis 800 Ångström ist zur Vervollständigung der Sperrmetallschicht abgelagert. Die obere aus Titan bestehende Endschicht 15 verhindert die Bildung von Silizi­ umknollen an der Grenzfläche zwischen den Titannitrid- und Aluminiumschichten. Es kann sein, daß die Kombination von Silizium und Titan die Möglichkeit einer Siliziumknollen­ bildung beseitigt.
Nun wird eine Abkühlungsperiode beschrieben, der die Metallablagerung folgt. Entsprechend Fig. 2 wird eine erste Kaltbedampfungsschicht 16 ausgebildet. Das bevorzugte Metall ist Aluminium oder eine Aluminiumlegierung. Verwendet werden kann eine Legierung mit der Zusammensetzung AL 1% SI 0,5% CU. Alternative Legierungen sind AL 0,5%6 CU, AL 1% CU, AL 1% Si, AL 2% Si u. dgl. Die Kaltbedampfungsrate sollte so hoch wie möglich sein und mehr als 150 Ångström/Sek. betragen. Vorzugsweise beträgt die Kaltbedampfungsrate mehr als 180 Ångström/Sek. um eine Ablagerung bei Temperaturen von weniger als 150°C und einen geschlossenen und kontinuierlichen Film in den Kontaktöffnungen sicherzustellen. Es wird bevorzugt, bei Temperaturen von weniger als 25°C zu arbeiten. Falls die Temperatur über 150°C steigt, wird das Aluminium beweglich und Blasen in kleinen Zonen verhindern die Ausbildung eines kontinuierlichen Films. Während des Metallniederschlags durch Kaltbedampfung kann wenig oder kein Argon benutzt werden.
Auf die kalt abgelagerte Schicht folgt unmittelbar eine Heißablagerungsschicht 18 wie sie in Fig. 3 dargestellt ist. Es wird ein Mehrkammerzerstäuber verwendet, so daß keine Unterbrechung bei der Bewegung des Wavers in und aus den Zerstäuber erfolgt. Es kann ein Mehrkammerzerstäuber wie z. B. die Varian M2000/8 System Zerstäubungsmaschine verwendet werden, die von der Varian Corporation, 3076 Hansenway M/S K-227, Palo Alto, California 94303 - 1025 hergestellt wird. In der bevorzugten Zerstäubungsmaschine wird während der Heißbedampfungsstufe Argon als Heizgas benutzt. Die Kammer wird auf 500 bis 550°C aufgeheizt. Nach der Kaltbedampfung wird der Waver in die bereits erwärmte Heißbedampfungskammer bewegt und die Heißbedampfung beginnt unverzüglich. Alterativ kann auch nur eine Kammer für sowohl die Kalt- wie auch die Heißbe­ dampfung benutzt werden. In diesem Fall wird das rückseitige Argongas abgelenkt, so daß der Waver für die Kaltbedampfung kalt ist. Das rückseitige Argongas wird danach wieder zurückgelenkt und die Heißbedampfung geht weiter. Der Kollimator wird während der Kalt- und Heißmetallbedampfungsstufen nicht benutzt sondern nur während der Sperrmetallbildungsstufe.
Die Heißablagerungsrate sollte so niedrig wie möglich sein, weniger als 50 Ångström/Sek. und vorzugsweise weniger als 20 Ångström/Sek. Wenn die Heißbedampfung beginnt wird ein Hohlraum 20 ausgebildet. Die niedrige Ablagerungsrate bewirkt, daß der Hohlraum 20 durch Oberflächenspannung wieder entfernt wird.
Wie in Fig. 4 dargestellt, wird zwischen der Kaltbedampfungsschicht 16 aus Aluminium und der Endschicht 15 aus Titan eine weitere Zwischenschicht 22 ausgebildet, die aus einer Titanaluminiumlegierung besteht. Eine hohe Oberflächenenergie ergibt einen geringen Oberflächenbereich. Die Oberflächenenergie der Zwischen­ schicht 22 aus der Titanaluminiumlegierung ist höher als die Oberflächenenergie der aus einer Aluminiumlegierung bestehenden Kaltbedampfungsschicht 16 und Heißbedampfungs­ schicht 18. Die Oberflächenbereiche der Zwischenschicht 22 aus der Titanaluminiumlegierung werden daher kleiner und kleiner während des Verfahrens und verschwinden während der Endstufe des Verfahrens, d. h. der Hohlraum 20 verschwindet. In Fig. 4 ist die Größe des Hohlraums bereits vermindert. Es ist wichtig, daß die Temperatur während der Heißbedampfung über 500°C verbleiben muß, da sonst der Hohlraum 20 nicht vollständig entfernt wird. Wie Fig. 5 zeigt, ist die Kontaktöffnung nun voll gefüllt und der Hohlraum ist entfernt. Die resultierende Metallaufdampfung hat eine Aluminiumkorngröße von 3 bis 5 Mikrometer, was bei den Schaltkreiseinrichtungen keine Probleme bewirkt.
Das folgende Beispiel zeigt wichtige Merkmale der Erfindung und fördert das Verständnis dieser und das von deren Variationen. Die folgende Tabelle zeigt die Dickenbereiche des kalten und heißen Aluminiums, die für verschiedene Merkmalsgrößen erforderlich sind.
Tabelle
Die Dicke ist abhängig vom Längenverhältnis der Kontaktflächen. Für eine Merkmalsgröße von 0,6 Mikrometer kann z. B. ein flacher Kontakt eine Dicke des Heißaluminiums von 3000 Ångström erfordern, während ein sehr tiefer Kontakt wie z. B. 1,6 Mikrometer Höhe bei 0,4 Mikrometer Breite um 6000 Ångström Dicke des Heißaluminiums erfordern kann. Die Prozeßtemperatur der Heißablagerung ist ebenfalls abhängig vom Längenverhältnis obwohl eine Temperatur höher als 500°C bevorzugt ist.
Bei der zweiten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wie sie in den Fig. 6 bis 8 dargestellt ist, wird der Metallbedampfungsprozeß ausgeführt, um mehrstufige Verbindungen auszubilden. Dies bedeutet, daß eine zweite, dritte usw. Stufe von Metall vorgesehen ist, die miteinander verbunden sind. Mit Bezug auf Fig. 6 wird die erste Metallbedampfung so vervollständigt, wie es oben für die erste Ausführungsform beschrieben ist. Die erste Kaltbedampfungsschicht 16 und Heißablagerungsschicht 18 sind gemustert worden und eine zweite Isolierschicht 26 ist über die Oberfläche des Substrates abgelagert worden. Eine Kontakt- oder Durchgangsöffnung ist durch die zweite Isolierschicht 26 zu der Metallschicht geführt, die durch die erste Kaltbedampfungsschicht 16 und Heißablagerungsschicht 18 gebildet ist. Eine Sperrmetallschicht 28 ist durch Zerstäubung über die Oberfläche des Substrats und in die Kontaktöffnung abgelagert. Diese Sperrmetallschicht 28 besteht nur aus Titan, das in einer Dicke zwischen 500 bis 2000 Ångström niedergeschlagen wird. Diese Sperrmetallschicht 28 wird zur Benetzung benutzt, um die Haftfähigkeit der neuen Metallschicht zu der offen in der Kontaktöffnung befindlichen Metallschicht zu fördern. Ein Kollimator kann bei dieser Ausführungsform verwendet werden, was aber nicht erforderlich ist. Wegen der Titana­ luminiumlegierungsbildung besteht das Problem von Silizium­ knollen bei dieser Ausführungsform nicht.
Wie in Fig. 7 dargestellt, wird nun eine Kaltbedampfungsschicht aus Aluminium über die erste Ausführungsform abgelagert. Dies erfolgt bei einer Temperatur von weniger als 150°C und vorzugsweise weniger als 25°C wie oben zur ersten Ausführungsform beschrieben. Die Niederschlagsrate ist wie oben angegeben. Das Verfahren wird wie bei der ersten Ausführungsform mit der Ausbildung einer Heißbedampfungsschicht 32 aus Aluminium auf der Kaltbedampfungsschicht 30 und der Bildung einer Zwischenschicht 34 aus einer Aluminiumtitanlegierung an der Titan/Kaltaluminiumgrenzschicht fortgesetzt. Fig. 8 zeigt die vervollständigte hohlraumfreie Struktur.
Der Kontakt von der Heißbedampfungsschicht 32 und Kaltbe­ dampfungsschicht 30 zu den elektrisch leitenden durch die Kaltbedampfungsschicht 16 und Heißbedampfungsschicht 18 gebildeten Metallkontaktschichten kann überall dort vorge­ nommen werden, wo die Kaltbedampfungsschicht 16 und Heißbe­ dampfungsschicht 18 sich auf der Isolierschicht 12 befinden.
Der Metallbedampfungsprozeß nach der vorliegenden Erfindung kann für alle Metallbedampfungsstufen verwendet werden und ergibt eine gute stufenweise abdeckende Befüllung von Kontaktöffnungen bei Vermeidung von Hohlstellen, auch bei solchen Kontaktöffnungen mit großen Längenverhältnissen.
Die Erfindung ist am Beispiel bevorzugter Ausführungsformen beschrieben worden. Verschiedene Änderungen in der Form und bei Details an den beschriebenen Ausführungsformen fallen ebenfalls unter den Erfindungsgedanken.

Claims (35)

1. Verfahren zum Metallaufdampfen auf eine integrierte Schaltkreiseinrichtung, das insbesondere eine gute Stufenabdeckung bei der Herstellung integrierter Schaltkreise ermöglicht, dadurch gekennzeichnet, daß eine Isolierschicht über der Oberfläche eines Halbleitersubstrates angebracht wird, daß mindestens eine Kontaktöffnung durch die Isolierschicht zu dem Halbleitersubstrat vorgesehen wird, daß eine Sperrmetallschicht über die Oberfläche des Halbleitersubstrates und in die Kontaktöffnung nieder­ geschlagen wird, in der das meiste des Sperrmetalls auf dem Boden der Kontaktöffnung und weniger an der Seiten­ wand der Kontaktöffnung niedergeschlagen wird, daß über die Sperrmetallschicht eine Metallschicht kaltgesprüht wird, daß über die kaltgesprühte Metallschicht eine Metallschicht heißgesprüht wird, wobei die Kaltbedampfung und Heißbedampfung kontinuierliche Prozeßabläufe zur Vervollständigung der Metallaufspritzung auf den integrierten Schaltkreis sind.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht aus Siliziumdioxid besteht und eine Dicke zwischen 4000 bis 10 000 Ångström aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrmetallschicht als Mehrfachschicht aus Titan, Titannitrit und Titan ausgebildet wird, wobei ein Kollimator zum Aufsprühen dieser Mehrfachschicht so verwendet wird, daß das meiste der Mehrfachschicht am Boden der Kontaktöffnung und an deren Seitenwand weniger abgelagert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicken der Mehrfachschicht zwischen 50 bis 300 Ångström für die Titanschicht, 750 bis 2000 Ångström für die Titannitritschicht und 300 bis 800 Ångström für die Titanschicht betragen.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus Aluminium besteht.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kaltbedampfung der Metallschicht bei einer Temperatur zwischen 20°C und 150°C durchgeführt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kaltbedampfung der Metallschicht mit einer hohen Niederschlagsrate von mehr als 150 Ångström/Sek. und vorzugsweise mehr als 180 Ångström/Sek. durchgeführt wird, so daß die Ausbildung eines vollen und kontinuierlichen Films in der Kontaktöffnung sichergestellt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Heißbedampfung der Metallschicht bei einer Tempe­ ratur zwischen 500°C und 550°C durchgeführt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Heißbedampfung der Metallschicht bei einer sehr niedrigen Niederschlagsrate von weniger als 50 Ångström/Sek. und vorzugsweise weniger als 20 Ångström/Sek. durchgeführt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Heißbedampfung der Metallschicht mit der sehr niedrigen Niederschlagsrate in der Kontaktöffnung keine Hohlräume ausgebildet werden.
11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Heißbedampfung der Metallschicht mit einer sehr geringen Niederschlagsrate eine Legierung zwischen der kaltbedampften Metallschicht und der Sperrmetall­ schicht ausgebildet wird, die die Bildung eines Hohl­ raums in der Kontaktöffnung verhindert.
12. Verfahren zum Metallaufdampfen auf eine integrierte Schaltkreiseinrichtung, das insbesondere eine gute Stufenabdeckung bei der Herstellung integrierter Schaltkreise ermöglicht, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Isolierschicht über der Oberfläche eines Halbleitersubstrates angebracht wird, daß mindestens eine erste Metallaufdampfungsschicht über der Isolier­ schicht angeordnet wird, daß eine zweite Isolierschicht über der Oberfläche der ersten Metallaufdampfungs­ schicht angebracht wird, daß mindestens eine Kontakt­ öffnung durch die zweite Isolierschicht zur ersten Metallaufdampfungsschicht ausgebildet wird, daß eine Sperrmetallschicht über die Oberfläche des Substrats und in die Kontaktöffnung niedergeschlagen wird, in der das meiste des Sperrmetalls am Boden der Kontaktöffnung und an deren Seitenwand wenig Sperrmetall abgelagert wird, daß über die Sperrmetallschicht eine Metall­ schicht kaltgesprüht wird und daß über die kaltgesprühte Metallschicht eine Metallschicht heißgesprüht wird, wobei die Kaltbedampfung und Heißbe­ dampfung kontinuierliche Prozeßabläufe zur Vervollständigung der Metallaufspritzung auf den integrierten Schaltkreis sind.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrmetallschicht aus Titan besteht und daß ein Kollimator zum Aufspritzen dieser Schicht verwendet wird.
14. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Sperrmetallschicht zwischen 500 bis 2000 Ångström beträgt.
15. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus Aluminium besteht.
16. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Kaltbedampfung der Metallschicht bei einer Temperatur zwischen 20°C und 150°C durchgeführt wird.
17. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Kaltbedampfung der Metallschicht mit einer hohen Niederschlagsrate von mehr als 150 Ångström/Sek. durchgeführt wird, so daß die Ausbildung eines vollen unkontinuierlichen Films in der Kontaktöffnung sicher­ gestellt wird.
18. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Heißbedampfung der Metallschicht bei einer Tem­ peratur zwischen 500°C und 550°C durchgeführt wird.
19. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Heißbedampfung der Metallschicht mit einer niedrigen Niederschlagsrate von weniger als 50 Ångström/Sek. durchgeführt wird.
20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Heißbedampfung der Metallschicht mit niedriger Niederschlagsrate in der Kontaktöffnung die Ausbildung von Hohlräumen verhindert wird.
21. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Heißbedampfung der Metallschicht bei einer niedrigen Niederschlagsrate zwischen der kaltbedampften Metallschicht und der Sperrmetallschicht eine Legierung ausgebildet wird, durch die die Ausbildung eines Hohlraums in der Kontaktöffnung ver­ hindert wird.
22. Verfahren zum Metallaufdampfen auf eine integrierte Schaltkreiseinrichtung, das insbesondere eine gute Stufenabdeckung bei der Herstellung integrierter Schaltkreise ermöglicht, dadurch gekennzeichnet, daß eine Isolierschicht über einer leitfähigen Schicht auf einem Halbleitersubstrat angebracht wird, daß mindestens eine Kontaktöffnung durch die Isolierschicht zu der leitfähigen Schicht ausgebildet wird, daß eine Sperrmetallschicht über die Oberfläche des Substrates und in die Kontaktöffnung niedergeschlagen wird, in der das meiste des Sperrmetalls am Boden der Kontaktöffnung und an deren Seitenrand wenig Sperrmetall abgelagert wird, daß über die Sperrmetallschicht eine Metall­ schicht kaltgesprüht wird, und daß über die kaltgesprühte Metallschicht eine Metallschicht heißgesprüht wird, wobei die Kaltbedampfung und Heißbe­ dampfung kontinuierliche Prozeßabläufe zur Vervollständigung der Metallaufspritzung auf den integrierten Schaltkreis sind.
23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die leitfähige Schicht das Halbleitersubstrat ist.
24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrmetallschicht als Mehrfachschicht aus Titan, Titannitrit und Titan ausgebildet wird und daß ein Kollimator zum Aufspritzen dieser Mehrfachschicht verwendet wird.
25. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicken der Mehrfachschicht zwischen 50 bis 300 Ångström für die Titanschicht, 750 bis 2000 Ångström für die Titannitritschicht und 300 bis 800 Ångström für die weitere Titanschicht sind.
26. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß als leitfähige Schicht mindestens eine erste Metallaufspritzschicht über einer ersten Isolierungs­ schicht über dem Halbleitersubstrat ausgebildet wird.
27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrmetallschicht aus Titan besteht, wobei ein Kollimator beim Aufspritzen dieser Schicht verwendet wird.
28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Sperrmetallschicht zwischen 500 bis 2000 Ångström beträgt.
29. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus Aluminium besteht.
30. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Kaltbedampfung der Metallschicht bei einer Tem­ peratur zwischen 20°C und 150°C durchgeführt wird.
31. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Kaltbedampfung der Metallschicht bei hoher Niederschlagsrate von mehr als 150 Ångström/Sek. durch­ geführt wird, so daß in der Kontaktöffnung die Ausbildung eines vollen und kontinuierlichen Films sichergestellt wird.
32. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Heißbedampfung der Metallschicht bei einer Tem­ peratur zwischen 500°C bis 550°C durchgeführt wird.
33. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Heißbedampfung der Metallschicht mit einer niedrigen Niederschlagsrate von weniger als 50 Ångström/Sek. durchgeführt wird.
34. Verfahren nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Heißbedampfung der Metallschicht mit niedriger Niederschlagsrate in der Kontaktöffnung die Ausbildung eines Hohlraums vermieden wird.
35. Verfahren nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Heißbedampfung der Metallschicht mit sehr niedriger Niederschlagsrate zwischen der kaltbedampften Metallschicht und der Sperrmetallschicht eine Legierung ausgebildet wird, die die Ausbildung eines Hohlraums in der Kontaktöffnung verhindert.
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