JPH07130852A - 金属配線材料の形成方法 - Google Patents
金属配線材料の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンタクト孔をブランケット−Ｗ等の第１の
金属層で埋め込み、その上にさらにＡｌ等の第２の金属
層を形成した積層構造の金属配線材料を形成するにあた
り、第２の金属層を表面平滑性よく形成する。 【構成】 基板１上に形成されている絶縁膜２にコンタ
クト孔ａを形成し、次いでそのコンタクト孔ａを埋め込
むように絶縁膜２上に第１の金属層５を形成し、さらに
第１の金属層５上に第２の金属層７を積層する金属配線
材料の形成方法において、第２の金属層７を基板温度を
４００℃以上に加熱する高温スパッタ法により形成する
か、あるいは、第２の金属を通常のスパッタ法により成
膜後、基板温度を４５０℃以上に加熱して基板上で第２
の金属をリフローさせることにより第２の金属層を形成
する。
金属層で埋め込み、その上にさらにＡｌ等の第２の金属
層を形成した積層構造の金属配線材料を形成するにあた
り、第２の金属層を表面平滑性よく形成する。 【構成】 基板１上に形成されている絶縁膜２にコンタ
クト孔ａを形成し、次いでそのコンタクト孔ａを埋め込
むように絶縁膜２上に第１の金属層５を形成し、さらに
第１の金属層５上に第２の金属層７を積層する金属配線
材料の形成方法において、第２の金属層７を基板温度を
４００℃以上に加熱する高温スパッタ法により形成する
か、あるいは、第２の金属を通常のスパッタ法により成
膜後、基板温度を４５０℃以上に加熱して基板上で第２
の金属をリフローさせることにより第２の金属層を形成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に配線を
形成する金属配線材料の形成方法に関する。さらに詳し
くは、この発明は、コンタクト孔を埋め込むブランケッ
ト−Ｗ等の金属層とその上に積層したＡｌ等の金属層か
らなる積層構造の金属配線材料を、表面平滑性よく形成
する方法に関する。
形成する金属配線材料の形成方法に関する。さらに詳し
くは、この発明は、コンタクト孔を埋め込むブランケッ
ト−Ｗ等の金属層とその上に積層したＡｌ等の金属層か
らなる積層構造の金属配線材料を、表面平滑性よく形成
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置の配線材料材料と
しては、比抵抗が低く、材料コストの低いＡｌ又はＡｌ
−Ｓｉ等のＡｌ系材料が広く使用されている。
しては、比抵抗が低く、材料コストの低いＡｌ又はＡｌ
−Ｓｉ等のＡｌ系材料が広く使用されている。
【０００３】一方、近年、半導体装置の設計ルールの微
細化に伴い、基板内でＳｉＯ２等の層間絶縁膜を貫通す
るように設けるコンタクト孔の径が小さくなってきてい
る。ところが、層間絶縁膜の膜厚はほとんど変わってい
ないため、コンタクト孔のアスペクト比が大きくなって
きている。
細化に伴い、基板内でＳｉＯ２等の層間絶縁膜を貫通す
るように設けるコンタクト孔の径が小さくなってきてい
る。ところが、層間絶縁膜の膜厚はほとんど変わってい
ないため、コンタクト孔のアスペクト比が大きくなって
きている。
【０００４】しかしながら、アスペクト比の大きい配線
をＡｌ系材料のみで形成すると、Ａｌ系材料は段差被覆
性が良くないのでコンタクト孔に導通不良が生じ易くな
り、半導体装置の信頼性が低下する。
をＡｌ系材料のみで形成すると、Ａｌ系材料は段差被覆
性が良くないのでコンタクト孔に導通不良が生じ易くな
り、半導体装置の信頼性が低下する。
【０００５】これに対しては、コンタクト孔を形成した
後に、ＷＦ６の還元反応を利用してコンタクト孔のみに
選択的にＷ膜を形成する所謂選択Ｗ−ＣＶＤ法が提案さ
れている（特開昭６２−２２９９５９号公報等）。しか
しながら、この選択Ｗ−ＣＶＤ法により完全な選択性を
得ることは難しく、また、深さの異なるコンタクト孔を
同時に埋め込むことはできないという原理的な問題も存
在する。
後に、ＷＦ６の還元反応を利用してコンタクト孔のみに
選択的にＷ膜を形成する所謂選択Ｗ−ＣＶＤ法が提案さ
れている（特開昭６２−２２９９５９号公報等）。しか
しながら、この選択Ｗ−ＣＶＤ法により完全な選択性を
得ることは難しく、また、深さの異なるコンタクト孔を
同時に埋め込むことはできないという原理的な問題も存
在する。
【０００６】そこで、コンタクト孔を形成した後に、そ
のコンタクト孔を埋め込むように絶縁膜の全面にＷ膜を
ＣＶＤ法により堆積させ、次いでこのＷ膜をエッチング
してコンタクト孔内のみにＷ膜を残す所謂ブランケット
Ｗ−ＣＶＤ法を用いた方法が提案されている（特開昭６
２−２２９９５９号公報等）。この方法によれば、深さ
の異なるコンタクト孔を同時に埋め込むことが可能とな
る。
のコンタクト孔を埋め込むように絶縁膜の全面にＷ膜を
ＣＶＤ法により堆積させ、次いでこのＷ膜をエッチング
してコンタクト孔内のみにＷ膜を残す所謂ブランケット
Ｗ−ＣＶＤ法を用いた方法が提案されている（特開昭６
２−２２９９５９号公報等）。この方法によれば、深さ
の異なるコンタクト孔を同時に埋め込むことが可能とな
る。
【０００７】また、このブランケットＷ−ＣＶＤ法によ
れば、絶縁膜であるＳｉＯ２膜上に予めＳｉＯ２絶縁膜
とＷ膜との密着性を向上させる密着層としてＴｉＯＮ層
を形成し、次いでＷ膜を埋め込むことができる。さら
に、このブランケットＷ−ＣＶＤ法によりＷ膜をＳｉＯ
２絶縁膜上に形成する場合には、Ｗ自体の融点が３３８
０℃と高いので比較的高温でＷが成膜されることとなる
が、このとき上述のＴｉＯＮ層がＳｉＯ２絶縁膜とＷ膜
とのバリア層としても機能するので、ＷがＳｉＯ２絶縁
膜へ侵入することを抑制でき、良好な電気的特性を得る
ことが可能となる。
れば、絶縁膜であるＳｉＯ２膜上に予めＳｉＯ２絶縁膜
とＷ膜との密着性を向上させる密着層としてＴｉＯＮ層
を形成し、次いでＷ膜を埋め込むことができる。さら
に、このブランケットＷ−ＣＶＤ法によりＷ膜をＳｉＯ
２絶縁膜上に形成する場合には、Ｗ自体の融点が３３８
０℃と高いので比較的高温でＷが成膜されることとなる
が、このとき上述のＴｉＯＮ層がＳｉＯ２絶縁膜とＷ膜
とのバリア層としても機能するので、ＷがＳｉＯ２絶縁
膜へ侵入することを抑制でき、良好な電気的特性を得る
ことが可能となる。
【０００８】しかしながら、ブランケットＷ−ＣＶＤ法
によりコンタクト孔をカバレッジよく埋め込んでも、Ｗ
膜の比抵抗は１０μΩ・ｃｍであり、Ａｌ−Ｓｉの比抵
抗が２．９μΩ・ｃｍであるのに対して電気抵抗が高
い。そのため、Ｗ膜のみで配線を形成する場合には配線
の断面積を大きくしなくてはならないという問題があ
る。
によりコンタクト孔をカバレッジよく埋め込んでも、Ｗ
膜の比抵抗は１０μΩ・ｃｍであり、Ａｌ−Ｓｉの比抵
抗が２．９μΩ・ｃｍであるのに対して電気抵抗が高
い。そのため、Ｗ膜のみで配線を形成する場合には配線
の断面積を大きくしなくてはならないという問題があ
る。
【０００９】このような問題に対しては、コンタクト部
のみにＷプラグを形成し、その上にＡｌ−Ｓｉ等の低抵
抗の配線層を積層した積層構造とすることが考えられ
る。この具体的な方法としては、まず、コンタクト部を
埋め込むようにブランケットＷ−ＣＶＤ法によりＷ膜を
形成し、次に、形成したＷ膜をエッチバックしてプラグ
を形成し、このＷプラグ上にＡｌ−Ｓｉ等からなる配線
層を形成する方法が考えられる。
のみにＷプラグを形成し、その上にＡｌ−Ｓｉ等の低抵
抗の配線層を積層した積層構造とすることが考えられ
る。この具体的な方法としては、まず、コンタクト部を
埋め込むようにブランケットＷ−ＣＶＤ法によりＷ膜を
形成し、次に、形成したＷ膜をエッチバックしてプラグ
を形成し、このＷプラグ上にＡｌ−Ｓｉ等からなる配線
層を形成する方法が考えられる。
【００１０】しかし、この方法によるとＷ膜のエッチバ
ック工程が必要となるので配線の形成工程が複雑にな
る。また、エッチバック時にはＳｉＯ２絶縁膜とＷ膜と
の間に形成したＴｉ系の密着層もエッチバックされる
が、このときエッチバックを塩素ガスを用いて行うとＷ
膜よりもＴｉ系の密着層の方がエッチング速度が速いた
めにコンタクト孔の側壁上部にくぼみが生じる。さら
に、Ｗ膜の形成時には、コンタクト孔内部ではその底面
と側壁とからＷが堆積していくために、埋め込み終了後
のコンタクト孔の中央部では底部と側壁から成長したＷ
膜が接触して継ぎ目が生じ、この継ぎ目部分が脆弱にな
る。よって、埋め込み終了後にＷ膜をエッチバックする
と、この継ぎ目部分が多くエッチングされてくぼみが生
じる。このようにエッチバック後のＷ膜にくぼみがある
と、その上に形成する配線層の被覆性が悪化する。その
ため、配線の信頼性が大きく低下して問題となる。
ック工程が必要となるので配線の形成工程が複雑にな
る。また、エッチバック時にはＳｉＯ２絶縁膜とＷ膜と
の間に形成したＴｉ系の密着層もエッチバックされる
が、このときエッチバックを塩素ガスを用いて行うとＷ
膜よりもＴｉ系の密着層の方がエッチング速度が速いた
めにコンタクト孔の側壁上部にくぼみが生じる。さら
に、Ｗ膜の形成時には、コンタクト孔内部ではその底面
と側壁とからＷが堆積していくために、埋め込み終了後
のコンタクト孔の中央部では底部と側壁から成長したＷ
膜が接触して継ぎ目が生じ、この継ぎ目部分が脆弱にな
る。よって、埋め込み終了後にＷ膜をエッチバックする
と、この継ぎ目部分が多くエッチングされてくぼみが生
じる。このようにエッチバック後のＷ膜にくぼみがある
と、その上に形成する配線層の被覆性が悪化する。その
ため、配線の信頼性が大きく低下して問題となる。
【００１１】そこでこのような問題に対して、この発明
者は、ブランケットＷ−ＣＶＤ法によりＷ膜（第１の金
属層）でコンタクト孔を埋め込んだ後に、そのＷ膜をエ
ッチバックをすることなく、その上にＡｌ系配線層（第
２の配線層）を形成する方法を提案した（特願平４−３
２６１２８号明細書）。
者は、ブランケットＷ−ＣＶＤ法によりＷ膜（第１の金
属層）でコンタクト孔を埋め込んだ後に、そのＷ膜をエ
ッチバックをすることなく、その上にＡｌ系配線層（第
２の配線層）を形成する方法を提案した（特願平４−３
２６１２８号明細書）。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ブランケットＷ−ＣＶＤ法によりＷ膜を形成後、エッチ
バックすることなく、その上にＡｌ系配線層を形成する
方法において、Ｗ膜のコンタクト孔内のカバレッジを向
上させるとＷ膜の表面に凹凸（例えば高低差２００ｎｍ
程度）が発生する。このため、Ｗ膜の上にＡｌ系配線層
を形成してもＡｌｌ系配線層の表面にはＷ膜の凹凸がさ
らに強調した形状に形成され、Ａｌ系配線層のカバレッ
ジが低下するという問題があった。また、このＡｌ系配
線層上にさらに配線構造を形成していくときに種々の悪
影響を及ぼすという問題もあった。例えば、この配線層
をフォトリソグラフィ法でパターニングする場合に、配
線層の表面が平滑でないと表面反射の影響で所期のパタ
ーンを形成することができないという問題があった。ま
た、この配線層にコンタクトプラグを形成する場合に、
コンタクトプラグと配線層との接触抵抗が増大するとい
う問題もあった。
ブランケットＷ−ＣＶＤ法によりＷ膜を形成後、エッチ
バックすることなく、その上にＡｌ系配線層を形成する
方法において、Ｗ膜のコンタクト孔内のカバレッジを向
上させるとＷ膜の表面に凹凸（例えば高低差２００ｎｍ
程度）が発生する。このため、Ｗ膜の上にＡｌ系配線層
を形成してもＡｌｌ系配線層の表面にはＷ膜の凹凸がさ
らに強調した形状に形成され、Ａｌ系配線層のカバレッ
ジが低下するという問題があった。また、このＡｌ系配
線層上にさらに配線構造を形成していくときに種々の悪
影響を及ぼすという問題もあった。例えば、この配線層
をフォトリソグラフィ法でパターニングする場合に、配
線層の表面が平滑でないと表面反射の影響で所期のパタ
ーンを形成することができないという問題があった。ま
た、この配線層にコンタクトプラグを形成する場合に、
コンタクトプラグと配線層との接触抵抗が増大するとい
う問題もあった。
【００１３】一方、Ｗ膜の表面凹凸が減少するようにＣ
ＶＤ条件を制御すると、Ｗ膜のコンタクト孔内のカバレ
ッジが低下するという問題があった。
ＶＤ条件を制御すると、Ｗ膜のコンタクト孔内のカバレ
ッジが低下するという問題があった。
【００１４】この発明は以上のような従来技術の課題を
解決しようとするものであり、コンタクト孔をブランケ
ット−Ｗ等の金属層で埋め込み、その上にさらにＡｌ等
の金属層を形成した積層構造の金属配線材料において、
その表面平滑性を向上させることを目的とする。
解決しようとするものであり、コンタクト孔をブランケ
ット−Ｗ等の金属層で埋め込み、その上にさらにＡｌ等
の金属層を形成した積層構造の金属配線材料において、
その表面平滑性を向上させることを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明者は、コンタク
ト孔をブランケット−Ｗ等の第１の金属層でコンタクト
孔を埋め込んだ後、その上に形成するＡｌ等の第２の金
属層の形成時に、第２の金属層を４００℃以上に加熱す
ればよいこと、より具体的には第２の金属層を高温スパ
ッタ法により形成するか、あるいは第２の金属を通常の
スパッタで成膜した後に基板を加熱して第２の金属膜を
基板上でリフローさせることにより第２の金属層を形成
すると上記の目的が達成できることを見出し、この発明
を完成させるに至った。
ト孔をブランケット−Ｗ等の第１の金属層でコンタクト
孔を埋め込んだ後、その上に形成するＡｌ等の第２の金
属層の形成時に、第２の金属層を４００℃以上に加熱す
ればよいこと、より具体的には第２の金属層を高温スパ
ッタ法により形成するか、あるいは第２の金属を通常の
スパッタで成膜した後に基板を加熱して第２の金属膜を
基板上でリフローさせることにより第２の金属層を形成
すると上記の目的が達成できることを見出し、この発明
を完成させるに至った。
【００１６】即ち、この発明は、基板上に形成されてい
る絶縁膜にコンタクト孔を形成し、次いで該コンタクト
孔を埋め込むように絶縁膜上に第１の金属層を形成し、
さらに第１の金属層上に第２の金属層を積層する金属配
線材料の形成方法において、第２の金属層形成時に基板
温度を４００℃以上とすることを特徴とする金属配線材
料の形成方法を提供する。
る絶縁膜にコンタクト孔を形成し、次いで該コンタクト
孔を埋め込むように絶縁膜上に第１の金属層を形成し、
さらに第１の金属層上に第２の金属層を積層する金属配
線材料の形成方法において、第２の金属層形成時に基板
温度を４００℃以上とすることを特徴とする金属配線材
料の形成方法を提供する。
【００１７】以下、この発明を図面に基づいて詳細に説
明する。なお、各図中、同一符号は同一又は同等の構成
要素を表している。
明する。なお、各図中、同一符号は同一又は同等の構成
要素を表している。
【００１８】図１は、この発明の金属配線材料の形成方
法の基本的な態様を示す。この態様においては、まず、
図１（ａ）に示すように、基板１上に形成されている絶
縁膜２にコンタクト孔ａを形成する。このような基板１
としては、特に制限はなく、例えば拡散層３が形成され
ているＳｉ基板を使用することができる。また、この基
板１上の絶縁膜２としても、常法により形成した層間絶
縁膜を使用することができ、例えばＣＶＤ法により形成
したＳｉＯ２膜とすることができる。コンタクト孔ａの
開口方法も従来例と同様にフォトリソグラフ法を用いて
行うことができる。
法の基本的な態様を示す。この態様においては、まず、
図１（ａ）に示すように、基板１上に形成されている絶
縁膜２にコンタクト孔ａを形成する。このような基板１
としては、特に制限はなく、例えば拡散層３が形成され
ているＳｉ基板を使用することができる。また、この基
板１上の絶縁膜２としても、常法により形成した層間絶
縁膜を使用することができ、例えばＣＶＤ法により形成
したＳｉＯ２膜とすることができる。コンタクト孔ａの
開口方法も従来例と同様にフォトリソグラフ法を用いて
行うことができる。
【００１９】次に、図１（ｂ）に示すように、コンタク
ト孔ａを埋めるように絶縁膜２上に第１の金属層５を形
成するが、この場合、好ましくは予め絶縁膜２上に、第
１の金属層５の密着性を向上させると共に絶縁膜２と第
１の金属層５との間のバリア機能も有する密着層４を形
成し、この密着層４の上に第１の金属層５を形成する。
ト孔ａを埋めるように絶縁膜２上に第１の金属層５を形
成するが、この場合、好ましくは予め絶縁膜２上に、第
１の金属層５の密着性を向上させると共に絶縁膜２と第
１の金属層５との間のバリア機能も有する密着層４を形
成し、この密着層４の上に第１の金属層５を形成する。
【００２０】このような密着層４は、スパッタ法、リア
クティブスパッタ法等によりＴｉ系材料から形成するこ
とが好ましい。また、この密着層４は単一の層から構成
してもよく、複数層の積層構造としてもよい。例えば、
密着層４をＴｉ層及びＴｉＯＮ層の積層構造とすること
ができる。
クティブスパッタ法等によりＴｉ系材料から形成するこ
とが好ましい。また、この密着層４は単一の層から構成
してもよく、複数層の積層構造としてもよい。例えば、
密着層４をＴｉ層及びＴｉＯＮ層の積層構造とすること
ができる。
【００２１】また、第１の金属層５としては、例えば
Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕもしくはこれらのシリサイ
ド化合物、又はＡｌ系金属からなる金属層をＣＶＤ法に
より形成することができる。なかでもブランケットＷ−
ＣＶＤ法によりＷ膜を形成することが好ましい。なお、
第１の金属層５としてＡｌ系金属層をＣＶＤ法により形
成する場合、そのＡｌ系材料としては（ＣＨ３）３Ａｌ
等の有機アルミニウム化合物を使用することができる。
Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕもしくはこれらのシリサイ
ド化合物、又はＡｌ系金属からなる金属層をＣＶＤ法に
より形成することができる。なかでもブランケットＷ−
ＣＶＤ法によりＷ膜を形成することが好ましい。なお、
第１の金属層５としてＡｌ系金属層をＣＶＤ法により形
成する場合、そのＡｌ系材料としては（ＣＨ３）３Ａｌ
等の有機アルミニウム化合物を使用することができる。
【００２２】このようにして形成される第１の金属層５
は、図１（ｂ）に示したように、コンタクト孔ａの埋め
込み性よく形成すると、その表面に凹凸が形成される。
そこでこの発明においては、図１（ｃ）に示すように、
第１の金属層５上に、好ましくは後述するように密着層
６を介して、第２の金属層７を、基板温度を４００℃以
上とする高温スパッタにより形成し、配線材料とする。
は、図１（ｂ）に示したように、コンタクト孔ａの埋め
込み性よく形成すると、その表面に凹凸が形成される。
そこでこの発明においては、図１（ｃ）に示すように、
第１の金属層５上に、好ましくは後述するように密着層
６を介して、第２の金属層７を、基板温度を４００℃以
上とする高温スパッタにより形成し、配線材料とする。
【００２３】この第２の金属層７の高温スパッタ時の基
板温度は、当該第２の金属層７を構成する金属の種類に
もよるが、通常４００〜６００℃が好ましく、４５０〜
５００℃がより好ましい。このように、通常のスパッタ
条件よりも基板温度を高くする高温スパッタで第２の金
属層７を形成することにより、第２の金属層７を表面平
滑に形成することが可能となる。スパッタ時の基板温度
が３００℃以下であると第２の金属層７の表面が十分に
平滑化されず、６００℃を超えると第２の金属層７に高
温スパッタ特有の表面荒れが発生する。
板温度は、当該第２の金属層７を構成する金属の種類に
もよるが、通常４００〜６００℃が好ましく、４５０〜
５００℃がより好ましい。このように、通常のスパッタ
条件よりも基板温度を高くする高温スパッタで第２の金
属層７を形成することにより、第２の金属層７を表面平
滑に形成することが可能となる。スパッタ時の基板温度
が３００℃以下であると第２の金属層７の表面が十分に
平滑化されず、６００℃を超えると第２の金属層７に高
温スパッタ特有の表面荒れが発生する。
【００２４】あるいは、この発明においては、上述のよ
うな高温スパッタに代えて、通常の基板温度で第２の金
属をスパッタ成膜し、その後、基板温度を４５０℃以上
にし、基板上で第２の金属をリフローさせてもよい。こ
の方法によると、第２の金属の成膜時の基板温度は上述
の高温スパッタの場合よりも低くすることができるの
で、第２の金属層をより表面平滑性よく形成することが
可能となる。
うな高温スパッタに代えて、通常の基板温度で第２の金
属をスパッタ成膜し、その後、基板温度を４５０℃以上
にし、基板上で第２の金属をリフローさせてもよい。こ
の方法によると、第２の金属の成膜時の基板温度は上述
の高温スパッタの場合よりも低くすることができるの
で、第２の金属層をより表面平滑性よく形成することが
可能となる。
【００２５】このように第２の金属を成膜後リフローさ
せる場合、リフロー時の基板温度は、好ましくは４５０
〜５００℃とする。基板温度を４５０℃よりも低くする
とリフローが不十分となり、逆に基板温度を６００℃よ
りも高くすると第２の金属層自体が溶解し、平滑性が低
下する場合があるので好ましくない。
せる場合、リフロー時の基板温度は、好ましくは４５０
〜５００℃とする。基板温度を４５０℃よりも低くする
とリフローが不十分となり、逆に基板温度を６００℃よ
りも高くすると第２の金属層自体が溶解し、平滑性が低
下する場合があるので好ましくない。
【００２６】なお、コンタクト孔ａを、Ｗ膜等の第１の
金属層５で埋め込むことなく、Ａｌ−Ｓｉ等のＡｌ系金
属を高温スパッタすることにより埋め込む場合には、高
温スパッタ時に基板温度を５００℃程度に加熱する必要
があるが、この発明の方法では第２の金属層７の形成時
にコンタクト孔ａは既にＷ膜等の第１の金属層５で埋め
込んであり、第２の金属層７はコンタクト孔ａを埋め込
んでいるＷ膜等の第１の金属層５の表面凹凸を平滑化で
きればよいので、高温スパッタ時あるいはリフロー時の
基板温度は、高温スパッタでコンタクト孔ａを埋め込む
場合に必要とされる基板温度よりも低い４００℃以上と
すれば十分である。また、この発明においては、このよ
うに高温スパッタでコンタクト孔ａを埋め込む場合より
も低い基板温度で高温スパッタすることができるので、
基板の熱履歴を緩和することができ、格別なバリアメタ
ル構造は不要となる。
金属層５で埋め込むことなく、Ａｌ−Ｓｉ等のＡｌ系金
属を高温スパッタすることにより埋め込む場合には、高
温スパッタ時に基板温度を５００℃程度に加熱する必要
があるが、この発明の方法では第２の金属層７の形成時
にコンタクト孔ａは既にＷ膜等の第１の金属層５で埋め
込んであり、第２の金属層７はコンタクト孔ａを埋め込
んでいるＷ膜等の第１の金属層５の表面凹凸を平滑化で
きればよいので、高温スパッタ時あるいはリフロー時の
基板温度は、高温スパッタでコンタクト孔ａを埋め込む
場合に必要とされる基板温度よりも低い４００℃以上と
すれば十分である。また、この発明においては、このよ
うに高温スパッタでコンタクト孔ａを埋め込む場合より
も低い基板温度で高温スパッタすることができるので、
基板の熱履歴を緩和することができ、格別なバリアメタ
ル構造は不要となる。
【００２７】以上のように高温スパッタあるいはリフロ
ーにより形成する第２の金属層の構成材料としては、Ａ
ｌ又はＳｉ、ＣｕもしくはＴｉを含有するＡｌ系合金を
使用することがことが好ましい。
ーにより形成する第２の金属層の構成材料としては、Ａ
ｌ又はＳｉ、ＣｕもしくはＴｉを含有するＡｌ系合金を
使用することがことが好ましい。
【００２８】また、第２の金属層７の形成に先立ち、予
め第１の金属層５上にＴｉ、ＴｉＯＮ、ＴｉＮ又はＴｉ
Ｗからなる密着層６を形成しておくことが好ましい。こ
れにより第１の金属層５と第２の金属層７との密着性を
向上させることが可能となる。
め第１の金属層５上にＴｉ、ＴｉＯＮ、ＴｉＮ又はＴｉ
Ｗからなる密着層６を形成しておくことが好ましい。こ
れにより第１の金属層５と第２の金属層７との密着性を
向上させることが可能となる。
【００２９】以上のようにして形成したこの発明の金属
配線材料は、従来の配線材料と同様にフォトリソグラフ
法等を使用してパターニングすることができる。またこ
の発明の金属配線材料には、他の絶縁層又は配線層を積
層することができ、コンタクトプラグ等も形成すること
ができる。
配線材料は、従来の配線材料と同様にフォトリソグラフ
法等を使用してパターニングすることができる。またこ
の発明の金属配線材料には、他の絶縁層又は配線層を積
層することができ、コンタクトプラグ等も形成すること
ができる。
【００３０】例えば、図２に示すように、第２の金属層
７上に反射防止膜８を形成し、その上にレジスト膜９を
形成し、フォトリソグラフ法によりフォトレジストをパ
ターニングすることができる。この場合、第２の金属層
７は表面平滑に形成されているので、レジスト膜９を高
精度にパターニングすることが可能となる。
７上に反射防止膜８を形成し、その上にレジスト膜９を
形成し、フォトリソグラフ法によりフォトレジストをパ
ターニングすることができる。この場合、第２の金属層
７は表面平滑に形成されているので、レジスト膜９を高
精度にパターニングすることが可能となる。
【００３１】また、レジスト膜９をパターニング後、エ
ッチングすることにより、図３に示すように所定のパタ
ーンの金属配線にパターニングすることができる。な
お、このような配線の形成に際して使用する装置として
は特に制限はなく、従来より金属配線材料から配線を形
成する場合に使用されている種々の装置を使用すること
ができる。例えば、マイクロ波プラズマエッチング装
置、平行平板型エッチング装置、マグネトロンＲＩＥ装
置等を使用することができる。
ッチングすることにより、図３に示すように所定のパタ
ーンの金属配線にパターニングすることができる。な
お、このような配線の形成に際して使用する装置として
は特に制限はなく、従来より金属配線材料から配線を形
成する場合に使用されている種々の装置を使用すること
ができる。例えば、マイクロ波プラズマエッチング装
置、平行平板型エッチング装置、マグネトロンＲＩＥ装
置等を使用することができる。
【００３２】
【作用】この発明の方法によれば、コンタクト孔を第１
の金属層で埋め込んだ後、その第１の金属層上に第２の
金属層を積層して金属配線材料を得るにあたり、第２の
金属層の形成時に基板温度を４００℃以上に加熱する。
より具体的には、例えば、第２の金属層を高温スパッタ
により形成するか、あるいは第２の金属を通常のスパッ
タ法で成膜した後、基板を加熱してその第２の金属をリ
フローする。
の金属層で埋め込んだ後、その第１の金属層上に第２の
金属層を積層して金属配線材料を得るにあたり、第２の
金属層の形成時に基板温度を４００℃以上に加熱する。
より具体的には、例えば、第２の金属層を高温スパッタ
により形成するか、あるいは第２の金属を通常のスパッ
タ法で成膜した後、基板を加熱してその第２の金属をリ
フローする。
【００３３】したがって、第１の金属層の表面に凹凸が
形成されていても第２の金属層を表面平滑に形成するこ
とが可能となる。
形成されていても第２の金属層を表面平滑に形成するこ
とが可能となる。
【００３４】
【実施例】以下、この発明を実施例に基づいて具体的に
説明する。
説明する。
【００３５】実施例１ (i) 金属配線材料の形成 図１に示した工程にしたがって、次のように金属配線材
料を形成した。
料を形成した。
【００３６】まず、拡散層３が形成されているＳｉ基板
１に層間絶縁膜２としてＳｉＯ２膜を通常のＣＶＤ法に
より形成し、レジスト膜を塗布してフォトリソグラフ法
によりレジスト膜をパターニングし、このレジスト膜を
マスクとしてＲＩＥ装置により以下の条件Ａで絶縁膜２
にコンタクト孔ａを開口した（図１（ａ））。
１に層間絶縁膜２としてＳｉＯ２膜を通常のＣＶＤ法に
より形成し、レジスト膜を塗布してフォトリソグラフ法
によりレジスト膜をパターニングし、このレジスト膜を
マスクとしてＲＩＥ装置により以下の条件Ａで絶縁膜２
にコンタクト孔ａを開口した（図１（ａ））。
【００３７】［条件Ａ］ Ｏ２／ＣＨＦ３＝８／７５ｓｃｃｍ 圧力＝５０ｍｔｏｒｒ 高周波パワー＝１０００Ｗ 次に、密着層４としてＴｉ層及びＴｉＯＮ層を順次積層
し、さらに第１の金属層５として、コールドウォール型
のＣＶＤ装置を使用して、以下の条件Ｂで、Ｗ膜を密着
層４を介して絶縁膜２の全面に堆積させた。
し、さらに第１の金属層５として、コールドウォール型
のＣＶＤ装置を使用して、以下の条件Ｂで、Ｗ膜を密着
層４を介して絶縁膜２の全面に堆積させた。
【００３８】［条件Ｂ］ Ｈ２／ＷＦ６（ガス比）＝１／１９ 反応温度＝４００℃ 反応圧力＝６．５ｔｏｒｒ こうして、Ｗ膜５をコンタクト孔ａの直径の５０％以上
の膜厚に形成した。このＷ膜５は、コンタクト部のカバ
レッジは良好であったが、表面には高低差約２００ｎｍ
の凹凸が形成されていた（図１（ｂ））。
の膜厚に形成した。このＷ膜５は、コンタクト部のカバ
レッジは良好であったが、表面には高低差約２００ｎｍ
の凹凸が形成されていた（図１（ｂ））。
【００３９】次に、市販のマグネトロンスパッタリング
装置を用い、次の条件ＣでＷ膜５上に密着層６としてＴ
ｉ層を形成し（第１ステップ）、その後基板温度を上昇
させて第２の金属層７としてＳｉを１％含有するＡｌ−
Ｓｉ合金膜を成膜し（第２ステップ）、この発明の金属
配線材料を形成した（図１（ｃ））。
装置を用い、次の条件ＣでＷ膜５上に密着層６としてＴ
ｉ層を形成し（第１ステップ）、その後基板温度を上昇
させて第２の金属層７としてＳｉを１％含有するＡｌ−
Ｓｉ合金膜を成膜し（第２ステップ）、この発明の金属
配線材料を形成した（図１（ｃ））。
【００４０】［条件Ｃ］ 第１ステップ Ａｒガス圧＝２ｍｔｏｒｒ スパッタパワー＝１５ｋＷ 基板温度＝２００℃ スパッタ時間＝４秒 第２ステップ Ａｒガス圧＝２ｍｔｏｒｒ スパッタパワー＝７．５ｋＷ 基板温度＝４００℃ スパッタ時間＝４０秒 こうして得られたＡｌ−Ｓｉ膜７の表面は、Ｗ膜５の表
面凹凸にかかわらず平滑であった。 (ii)金属配線材料のパターニング (i) で形成した金属配線材料のＡｌ−Ｓｉ膜７上に、反
射防止膜８としてＴｉＯＮ膜をＴｉのＯ２／Ｎ２ガス中
でのリアクティブスパッタリング法により形成し、さら
にレジスト膜９を形成し、フォトリソグラフ法によりレ
ジスト膜９を図２に示したようにパターニングした。そ
の結果、レジスト膜９を高精度にパターニングすること
ができた。
面凹凸にかかわらず平滑であった。 (ii)金属配線材料のパターニング (i) で形成した金属配線材料のＡｌ−Ｓｉ膜７上に、反
射防止膜８としてＴｉＯＮ膜をＴｉのＯ２／Ｎ２ガス中
でのリアクティブスパッタリング法により形成し、さら
にレジスト膜９を形成し、フォトリソグラフ法によりレ
ジスト膜９を図２に示したようにパターニングした。そ
の結果、レジスト膜９を高精度にパターニングすること
ができた。
【００４１】次に、パターニングしたレジスト膜９をマ
スクとして、マイクロ波プラズマエッチング装置を使用
して次の条件Ｄで配線層をエッチングした。
スクとして、マイクロ波プラズマエッチング装置を使用
して次の条件Ｄで配線層をエッチングした。
【００４２】［条件Ｄ］ ＢＣｌ３／Ｃｌ２＝６０／９０ｓｃｃｍ 圧力＝１．１Ｐａ（８ｍｔｏｒｒ） マイクロ波電流＝３００ｍＡ 基板バイアス＝４０Ｗ なお、このようなエッチング条件にすることにより、Ｔ
ｉＯＮ膜８、Ａｌ−Ｓｉ膜７、Ｔｉ層６は塩素ガス系の
プラズマによってエッチングされる。しかし、エッチン
グが進行してＷ膜５が露出するとタングステンの塩化物
が形成され、このタングステンの塩化物は蒸気圧が低い
ためにエッチングが殆ど進行しなくなる。そこで、Ｗ膜
５が露出した時点で次の条件Ｅにエッチング条件を切り
替え、フッ素ガスと塩素ガスの混合ガス系で放電を行っ
た。
ｉＯＮ膜８、Ａｌ−Ｓｉ膜７、Ｔｉ層６は塩素ガス系の
プラズマによってエッチングされる。しかし、エッチン
グが進行してＷ膜５が露出するとタングステンの塩化物
が形成され、このタングステンの塩化物は蒸気圧が低い
ためにエッチングが殆ど進行しなくなる。そこで、Ｗ膜
５が露出した時点で次の条件Ｅにエッチング条件を切り
替え、フッ素ガスと塩素ガスの混合ガス系で放電を行っ
た。
【００４３】［条件Ｅ］ ＳＦ６／Ｃｌ２＝８０／４０ｓｃｃｍ 圧力＝１．１Ｐａ（８ｍｔｏｒｒ） マイクロ波電流＝３００ｍＡ 基板バイアス＝３０Ｗ このような混合ガス系の条件とすることにより、エッチ
ング時にタングステンのフッ化物が生じるが、タングス
テンのフッ化物の蒸気圧は高いので、Ｗ膜５のエッチン
グは容易に進行した。また、このようなエッチング時に
は、塩素ラジカルとＷ膜との反応により蒸気圧の低いタ
ングステンの塩化物、例えばＷＣｌ５、ＷＣｌ６等も形
成されるが、これらタングステンの塩化物はエッチング
底面ではイオンの入射によるスパッタリング反応により
除去され、一方、エッチング面の側壁では側壁保護膜と
して作用し、フッ素ラジカルのサイドアタック反応を防
止する。したがって、このエッチング条件によりＷ膜の
異方性加工を行うことができた。また、このエッチング
により、Ｗ膜５の下地となっていた密着層４もエッチン
グされた。なお、Ｗ膜５及び密着層４がエッチングされ
てＳｉＯ２絶縁膜２が露出した後は、そのＳｉＯ２絶縁
膜２に対する金属配線材料のエッチングの選択性を向上
させるために、エッチング条件を、フッ素ガスを使用し
ない前述の条件Ｄに切り替えても良い。
ング時にタングステンのフッ化物が生じるが、タングス
テンのフッ化物の蒸気圧は高いので、Ｗ膜５のエッチン
グは容易に進行した。また、このようなエッチング時に
は、塩素ラジカルとＷ膜との反応により蒸気圧の低いタ
ングステンの塩化物、例えばＷＣｌ５、ＷＣｌ６等も形
成されるが、これらタングステンの塩化物はエッチング
底面ではイオンの入射によるスパッタリング反応により
除去され、一方、エッチング面の側壁では側壁保護膜と
して作用し、フッ素ラジカルのサイドアタック反応を防
止する。したがって、このエッチング条件によりＷ膜の
異方性加工を行うことができた。また、このエッチング
により、Ｗ膜５の下地となっていた密着層４もエッチン
グされた。なお、Ｗ膜５及び密着層４がエッチングされ
てＳｉＯ２絶縁膜２が露出した後は、そのＳｉＯ２絶縁
膜２に対する金属配線材料のエッチングの選択性を向上
させるために、エッチング条件を、フッ素ガスを使用し
ない前述の条件Ｄに切り替えても良い。
【００４４】こうして図３に示したように、金属配線材
料をパターニングすることができた。
料をパターニングすることができた。
【００４５】実施例２ 実施例１と同様にして、拡散層３を有するＳｉ基板１に
ＳｉＯ２絶縁膜２を形成し、コンタクト孔ａを開口し、
密着層４を形成後、Ｗ膜５を形成した。
ＳｉＯ２絶縁膜２を形成し、コンタクト孔ａを開口し、
密着層４を形成後、Ｗ膜５を形成した。
【００４６】その後、通常のマグネトロンスパッタ法に
より、基板温度を２００℃にしてＴｉ層６及びＡｌ−Ｓ
ｉ膜７ａを形成した。その結果、図４（ａ）に示したよ
うに、Ａｌ−Ｓｉ膜７ａの表面は、Ｗ膜５の表面凹凸が
誇張された凹凸形状になっていた。
より、基板温度を２００℃にしてＴｉ層６及びＡｌ−Ｓ
ｉ膜７ａを形成した。その結果、図４（ａ）に示したよ
うに、Ａｌ−Ｓｉ膜７ａの表面は、Ｗ膜５の表面凹凸が
誇張された凹凸形状になっていた。
【００４７】次に、スパッタ装置内を減圧下のまま基板
温度を５００℃として９０秒間維持した。これにより、
Ａｌ−Ｓｉ膜７ａはリフロ−し、Ｗ膜の表面凹凸にかか
わらずその表面が平滑化されたＡｌ−Ｓｉ膜７となり、
この発明の金属配線材料を形成することができた（図４
（ｂ））。
温度を５００℃として９０秒間維持した。これにより、
Ａｌ−Ｓｉ膜７ａはリフロ−し、Ｗ膜の表面凹凸にかか
わらずその表面が平滑化されたＡｌ−Ｓｉ膜７となり、
この発明の金属配線材料を形成することができた（図４
（ｂ））。
【００４８】この後は実施例１(ii)と同様な操作を繰り
返すことにより、金属配線材料をパターニングすること
ができた。
返すことにより、金属配線材料をパターニングすること
ができた。
【００４９】比較例１ 実施例１の金属配線材料の形成方法において、Ａｌ−Ｓ
ｉ膜７を高温スパッタにより形成することなく従来のス
パッタリング法で形成する以外は実施例１と同様にして
金属配線を形成し、その上にレジスト膜９をパターニン
グした。
ｉ膜７を高温スパッタにより形成することなく従来のス
パッタリング法で形成する以外は実施例１と同様にして
金属配線を形成し、その上にレジスト膜９をパターニン
グした。
【００５０】その結果、図５に示したように、Ａｌ−Ｓ
ｉ膜７ａの表面にはＷ膜５の表面凹凸が誇張された形状
の凹凸が形成されており、パターニングしたレジスト膜
９の側壁が露光時の乱反射の影響で荒れていた。
ｉ膜７ａの表面にはＷ膜５の表面凹凸が誇張された形状
の凹凸が形成されており、パターニングしたレジスト膜
９の側壁が露光時の乱反射の影響で荒れていた。
【００５１】
【発明の効果】この発明の方法によれば、コンタクト孔
をブランケット−Ｗ等の金属層で埋め込み、その上にさ
らにＡｌ等の金属層を形成した積層構造の金属配線材料
において、その表面平滑性を向上させることが可能とな
る。
をブランケット−Ｗ等の金属層で埋め込み、その上にさ
らにＡｌ等の金属層を形成した積層構造の金属配線材料
において、その表面平滑性を向上させることが可能とな
る。
【図１】この発明の方法の工程説明図である。
【図２】この発明の方法により形成した金属配線材料上
にレジスト膜をパターニングした状態の断面図である。
にレジスト膜をパターニングした状態の断面図である。
【図３】この発明の方法により形成した金属配線材料を
パターニングした状態の断面図である。
パターニングした状態の断面図である。
【図４】この発明の方法の他の態様の工程説明図であ
る。
る。
【図５】従来の方法により形成した金属配線材料上にレ
ジスト膜をパターニングした状態の断面図である。
ジスト膜をパターニングした状態の断面図である。
１ 基板 ２ 絶縁膜（ＳｉＯ２膜） ３ 拡散層 ４ 密着層 ５ 第１の金属層（Ｗ膜） ６ 密着層（Ｔｉ層） ７ 第２の金属層（Ａｌ−Ｓｉ膜） ８ 反射防止膜（ＴｉＯＮ膜） ９ レジスト膜 ａ コンタクト孔
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に形成されている絶縁膜にコンタ
クト孔を形成し、次いで該コンタクト孔を埋め込むよう
に絶縁膜上に第１の金属層を形成し、さらに第１の金属
層上に第２の金属層を積層する金属配線材料の形成方法
において、第２の金属層形成時に基板温度を４００℃以
上とすることを特徴とする金属配線材料の形成方法。 - 【請求項２】 第２の金属層を基板温度を４００℃以上
とする高温スパッタ法により形成する請求項１記載の金
属配線材料の形成方法。 - 【請求項３】 第２の金属層を構成する金属を第１の金
属層上にスパッタ後、基板温度を４５０℃以上に加熱し
て基板上で該金属をリフローさせることにより第２の金
属層を形成する請求項１記載の金属配線材料の形成方
法。 - 【請求項４】 第１の金属層として、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、
Ｐｔ、Ｃｕもしくはこれらのシリサイド化合物、又はＡ
ｌ系金属からなる金属層をＣＶＤ法により形成する請求
項１〜３のいずれかに記載の金属配線材料の形成方法。 - 【請求項５】 第２の金属層として、Ａｌ層又はＳｉ、
ＣｕもしくはＴｉを含有するＡｌ系合金層を形成する請
求項１〜４のいずれかに記載の金属配線材料の形成方
法。 - 【請求項６】 第１の金属層上にＴｉ、ＴｉＯＮ、Ｔｉ
Ｎ又はＴｉＷからなる密着層を形成後、この密着層の上
に第２の金属層を形成する請求項５に記載の金属配線材
料の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5297389A JPH07130852A (ja) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | 金属配線材料の形成方法 |
| US08/671,952 US5702983A (en) | 1993-11-02 | 1996-06-28 | Method for manufacturing a semiconductor device with a metallic interconnection layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5297389A JPH07130852A (ja) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | 金属配線材料の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130852A true JPH07130852A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17845859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5297389A Pending JPH07130852A (ja) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | 金属配線材料の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5702983A (ja) |
| JP (1) | JPH07130852A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5801096A (en) * | 1996-06-03 | 1998-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Self-aligned tungsen etch back process to minimize seams in tungsten plugs |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6281131B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-08-28 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming electrical contacts |
| US6057236A (en) * | 1998-06-26 | 2000-05-02 | International Business Machines Corporation | CVD/PVD method of filling structures using discontinuous CVD AL liner |
| US6103623A (en) * | 1998-10-05 | 2000-08-15 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method for fabricating a tungsten plug structure and an overlying interconnect metal structure without a tungsten etch back or CMP procedure |
| DE102004026232B4 (de) * | 2004-05-28 | 2006-05-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Ausbilden einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung |
| KR100790816B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2008-01-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 디바이스의 배선 제조방법 |
| US9230825B2 (en) * | 2012-10-29 | 2016-01-05 | Lam Research Corporation | Method of tungsten etching |
| US20150380306A1 (en) * | 2014-06-30 | 2015-12-31 | Infineon Technologies Ag | Method for Forming a Vertical Electrical Conductive Connection |
| US9633867B2 (en) | 2015-01-05 | 2017-04-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for anisotropic tungsten etching |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0234407A1 (en) * | 1986-02-28 | 1987-09-02 | General Electric Company | Method filling interlevel dielectric via or contact holes in multilevel VLSI metallization structures |
| US4824802A (en) * | 1986-02-28 | 1989-04-25 | General Electric Company | Method of filling interlevel dielectric via or contact holes in multilevel VLSI metallization structures |
| JPS6411966A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-17 | Fujitsu Ltd | High-temperature sputtering method |
| US5250465A (en) * | 1991-01-28 | 1993-10-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor devices |
| JP2660359B2 (ja) * | 1991-01-30 | 1997-10-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| KR100214036B1 (ko) * | 1991-02-19 | 1999-08-02 | 이데이 노부유끼 | 알루미늄계 배선형성방법 |
| US5147819A (en) * | 1991-02-21 | 1992-09-15 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor metallization method |
| JPH04280425A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-06 | Sony Corp | 配線形成方法 |
| JPH04298030A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-21 | Sony Corp | メタルプラグの形成方法 |
| US5270254A (en) * | 1991-03-27 | 1993-12-14 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Integrated circuit metallization with zero contact enclosure requirements and method of making the same |
| JPH04307933A (ja) * | 1991-04-05 | 1992-10-30 | Sony Corp | タングステンプラグの形成方法 |
| JPH05267471A (ja) * | 1991-04-05 | 1993-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| CA2067565C (en) * | 1992-04-29 | 1999-02-16 | Ismail T. Emesh | Deposition of tungsten |
| US5288665A (en) * | 1992-08-12 | 1994-02-22 | Applied Materials, Inc. | Process for forming low resistance aluminum plug in via electrically connected to overlying patterned metal layer for integrated circuit structures |
| KR950010858B1 (ko) * | 1992-10-20 | 1995-09-25 | 현대전자산업주식회사 | 반도체 소자의 금속콘택 형성방법 |
| JP2830658B2 (ja) * | 1992-11-25 | 1998-12-02 | 日本電気株式会社 | 微細金属配線形成方法 |
| KR960004095B1 (en) * | 1993-02-17 | 1996-03-26 | Hyundai Electronics Ind | Manufacturing method of metal plug in contact-hole |
| JPH06260441A (ja) * | 1993-03-03 | 1994-09-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR960015564B1 (ko) * | 1993-04-16 | 1996-11-18 | 현대전자산업 주식회사 | 반도체 장치의 금속배선 형성방법 |
| US5356836A (en) * | 1993-08-19 | 1994-10-18 | Industrial Technology Research Institute | Aluminum plug process |
| US5529953A (en) * | 1994-10-14 | 1996-06-25 | Toshiba America Electronic Components, Inc. | Method of forming studs and interconnects in a multi-layered semiconductor device |
| US5622894A (en) * | 1996-03-15 | 1997-04-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd | Process to minimize a seam in tungsten filled contact holes |
-
1993
- 1993-11-02 JP JP5297389A patent/JPH07130852A/ja active Pending
-
1996
- 1996-06-28 US US08/671,952 patent/US5702983A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5801096A (en) * | 1996-06-03 | 1998-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Self-aligned tungsen etch back process to minimize seams in tungsten plugs |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5702983A (en) | 1997-12-30 |
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