DE4318866C2 - Verfahren zum Herstellen eines MOSFET - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines MOSFET

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfah­ ren zum Herstellen eines MOSFET mit einer leicht dotierten Drainstruktur, das dazu in der Lage ist, die Schwellenspan­ nung und die Übergangskapazität zu erniedrigen und gleich­ zeitig den Herstellprozeß zu vereinfachen.
Bei einem allgemein üblichen MOSFET mit einer Struktur mit leicht dotiertem Drain (LDD) werden heiße Ladungsträger auf­ grund eines hohen elektrischen Feldes erzeugt, das in den Randbereichen der Gateelektrode erzeugt wird. Wenn die er­ zeugten heißen Ladungsträger vom Gateisolierfilm eingefangen werden, entsteht in diesem eine Störstelle, was die Be­ triebseigenschaften des MOSFET verschlechtert und seine Le­ bensdauer verkürzt.
Darüber hinaus ist es unmöglich, Source- und Drainbereiche mit gewünschten genauen Breiten zu erhalten, und zwar aufgrund der Schwierigkeit des genauen Einstellens der Dicke der Gateseitenwände. Demgemäß kommt es zu einem kurzen Ka­ nal.
Um die Auswirkung eines kurzen Kanals zu verringern, sollten p-Fremdstoffionen mit hoher Konzentration in das p-Halblei­ tersubstrat eindotiert sein. Als Verfahren zum Erzielen D eines p-Substrates mit hoher Konzentration werden p-Fremd­ stoffionen insgesamt mit hoher Konzentration in ein p-Halb­ leitersubstrat implantiert. Gemäß einem anderen Verfahren werden p-Fremdstoffionen teilweise in ein p-Substrat implan­ tiert, um zusätzlich p-Fremdstoffbereiche zu schaffen, die n⁻- und n⁺-source/Drain-Bereiche umgeben. Durch diese zwei Verfahren kann die Auswirkung eines kurzen Kanals bei einem MOSFET mit LDD-Struktur verringert werden.
Jedoch werden die Schwellenspannung eines MOSFET und die Übergangskapazität der Source- und Drainbereiche proportio­ nal zur Dotierungskonzentration eines Fremdstoffs erhöht. Da ein MOSFET mit LDD-Struktur nach Ausführung der obigen Ver­ fahren ein Halbleitersubstrat mit höherer Konzentration als ein herkömmlicher MOSFET mit LDD-Struktur aufweist, sind die Schwellenspannung und die Übergangskapazität erhöht, was da­ zu führt, daß die Eigenschaft des MOSFET beim Betrieb ver­ schlechtert ist.
Die Fig. 3A bis 3F zeigen Querschnitte für jeweilige Her­ stellschritte eines MOSFET mit einer LDD-Struktur, die die Auswirkung eines kurzen Kanals abschwächen und die Über­ gangskapazität der Source- und Drainbereiche erniedrigen können.
Gemäß Fig. 3A werden Feldoxidfilme 22 auf einem p-Substrat 21 dadurch ausgebildet, daß eine herkömmliche örtliche Oxi­ dation von Silizium (LOCOS) stattfindet, um Feldbereiche und aktive Bereiche festzulegen.
Wie in Fig. 3B dargestellt werden ein Gateoxidfilm 23, ein erster Polysiliziumfilm 24, ein Nitridfilm 25 und ein zwei­ ter Polysiliziumfilm 26 in der genannten Reihenfolge herge­ stellt und dann werden der zweite Polysiliziumfilm 26, der Nitridfilm 25, der erste Polysiliziumfilm 24 und der Gate­ oxidfilm 23 in der genannten Reihenfolge mit Mustern verse­ hen, um ein Gate mit Dreischichtstruktur herzustellen. Da­ nach wird ein Oxidfilm auf der gesamten Oberfläche des p- Substrats 21 ausgebildet, der dann anisotrop mit einem RIE- Verfahren geätzt wird, um Seitenwandoxidfilme 27 auszubil­ den.
Wie in Fig. 3C dargestellt, wird ein dritter Polysilizium­ film 28 mit n⁺-Fremdstoffdotierung auf der gesamten Oberflä­ che des p-Substrats 21 ausgebildet. Danach wird der dritte Polysiliziumfilm 28 selektiv so geätzt, daß er lediglich im aktiven Bereich zwischen den Feldoxidfilmen 22 verbleibt.
Auf der gesamten Oberfläche des p-Substrats 21 wird ein Pho­ toresistfilm 29 aufgebracht, der dann rückgeätzt wird, bis die Oberfläche des dritten Polysiliziumfilms 28 freiliegt.
Wie in Fig. 3D dargestellt, werden der zweite Polysilizium­ film 26 und der dritte Polysiliziumfilm 28 geätzt, bis die Oberfläche des auf der Gateelektrode 24 ausgebildeten Ni­ tridfilms 25 freiliegt. Hierbei werden der zweite Polysili­ ziumfilm 26 und der dritte, auf der Gateelektrode 24 ausge­ bildete Polysiliziumfilm 28 entfernt, wodurch lediglich der dritte Polysiliziumfilm 28 mit n⁺-Fremdstoffdotierung auf dem aktiven Bereich zwischen der Gateelektrode 24 und den Feldoxidfilmen 22 verbleibt. Dabei dient der verbleibende dritte Polysiliziumfilm 28 mit n⁺-Fremdstoffdotierung als Diffusionsquelle zum Ausbilden von n⁺-Source- und Drainbe­ reichen, wenn der folgende Fremdstoffdiffusionsprozeß zum Herstellen dieser Bereiche ausgeführt wird. Der auf der Gateelektrode 24 frei liegende Nitridfilm 25 dient als Ätz­ stopper beim Ausführen des obigen Ätzvorgangs.
Wie in Fig. 3E dargestellt, werden der Photoresistfilm 29 und der Seitenwandoxidfilm 27 in der genannten Reihenfolge entfernt. Durch Verwenden der Gateelektrode 24 und des ver­ bleibenden Polysiliziumfilms 28 als Maske wird dann eine n⁺- Fremdstoffionendotierung (niedrige Konzentration) und eine p⁻-Fremdstoffionendotierung durch Implantation vorgenommen. Durch Diffusion der n⁻-Fremdstoffionen und der p⁻-Fremd­ stoffionen werden ein n⁻-Sourcebereich 18a und ein n⁻-Drain­ bereich 18b ausgebildet. Dabei diffundieren n⁻-Fremdstoff­ ionen auch von dem mit n⁺-Fremdstoffionen dotierten Poly­ siliziumfilm 28 ein, wodurch ein n⁺-Sourcebereich 30a und ein n⁺-Drainbereich 30b ausgebildet werden. Gleichzeitig diffundieren p⁻-Fremdstoffionen, um dadurch p⁻-Fremdstoff­ bereiche 32a und 32b auszubilden.
Beim obigen Ionenimplantationsprozeß werden, da n⁻- und p⁻- Fremdstoffionen unter Verwendung des dritten Polysilizium­ films 28 und der Gateelektrode 24, in der n⁻- und p⁻-Fremd­ stoffionen verbleiben, als Maske implantiert werden, ein n⁺- Sourcebereich 31a und ein n⁺-Drainbereich 31b in solcher Weise ausgebildet, daß sie den n⁺-Sourcebereich 30a bzw. den n⁺-Drainbereich 30b kontaktieren, und die p⁻-Fremdstoffbe­ reiche 32a und 32b werden so ausgebildet, daß sie den n⁻- Sourcebereich 31a bzw. den n⁻-Drainbereich 31b lediglich einschließen.
Wie in Fig. 3F dargestellt, wird ein SOG-Film 33 zum Eineb­ nen über der gesamten Fläche des p⁺-Substrats 21 ausgebil­ det. Der SOG-Film 33 wird einem Ätzprozeß unterworfen, um einen Kontakt zum Verbinden des Source- und des Drainbe­ reichs mit dem dritten Polysiliziumfilm 28 herzustellen. Danach wird abschließend eine Metallelektrode 34 ausgebil­ det.
Da die p⁻-Fremdstoffbereiche so ausgebildet sind, daß sie den n⁻-Source- und Drainbereich lediglich einschließen, wie dies in Fig. 3F dargestellt ist, weist der MOSFET mit der in dieser Fig. 3F dargestellten LDD-Struktur den Vorteil auf, daß die Übergangskapazität und die Schwellenspannung im Ver­ gleich zu einem herkömmlichen MOSFET mit LDD-Struktur ver­ ringert sind, bei dem die p⁻-Fremdstoffbereiche sowohl die n⁻- als auch die n⁺-Source- und Drainbereiche einschließen.
Jedoch hat der MOSFET den Nachteil, daß viele Prozeßschritte zum Ausbilden und Abätzen des ersten Polysiliziumfilms, des zweiten Polysiliziumfilms und des Nitridfilms erforderlich sind, um das Gate mit Dreischichtstruktur auszubilden.
Der MOSFET weist auch den weiteren Nachteil auf, daß viele Herstellprozesse wie der Abscheideprozeß und der Ätzprozeß für den dritten Polysiliziumfilm, der als Diffusionsquelle zum Ausbilden des Source- und Drainbereichs hoher Fremd­ stoffkonzentration verwendet wird und der gleichzeitig zum Verbinden der Source- und Drainmetallelektroden mit dem Source- und dem Drainfremdstoffbereich erforderlich ist, auszuführen sind, wie auch das Auftragen von Photoresist und das Rückätzen desselben. Demgemäß weist der herkömmliche MOSFET mit LDD-Struktur, wie er in Fig. 3F dargestellt ist, die Schwierigkeit auf, daß der Herstellprozeß für ihn kom­ pliziert ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein einfaches Ver­ fahren zum Herstellen eines MOSFET mit kleiner Übergangska­ pazität und kleiner Schwellenspannung anzugeben.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist durch die Merkmale von Anspruch 1 gegeben. Es wird im folgenden anhand von durch Figuren veranschaulichten Ausführungsbeispielen näher er­ läutert.
Fig. 1A bis 1E sind Querschnitte, die ein Verfahren zum Her­ stellen eines MOSFET mit LDD-Struktur gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung veranschaulichen;
Fig. 2A bis 2E sind Querschnitte, die ein Verfahren zum Her­ stellen eines MOSFET mit LDD-Struktur gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung veranschaulichen;
Fig. 3 bis 3F sind Querschnitte, die ein Verfahren zum Her­ stellen eines herkömmlichen MOSFET mit LDD-Struktur zum Ver­ hindern des Auftretens eines kurzen Kanals veranschaulichen.
Wie in Fig. 1A dargestellt, wird ein Feldoxid 42 mit einem herkömmlichen LOCOS(örtliche Oxidation von Silizium)-Prozeß auf ein p-Halbleitersubstrat aufgewachsen, um einen Feldbe­ reich und einen aktiven Bereich festzulegen. Danach wird ein Gateoxidfilm 43 auf dem aktiven Bereich ausgebildet, in den ein Fremdstoff implantiert wird, um die Schwellenspannung einzustellen.
Wie in Fig. 1B dargestellt, wird ein Polysiliziumfilm 44 auf dem Gateoxidfilm 43 abgeschieden, und dann werden der Poly­ siliziumfilm 44 und der Gateoxidfilm 43 abgeätzt, um ein Gate 44 auf dem aktiven Bereich auszubilden.
Wie in Fig. 1C dargestellt, wird ein Nitridfilm auf der ge­ samten Fläche des p-Halbleitersubstrats 41 hergestellt, der dann anisotrop durch ein RIE(reaktives Ionenätzen)-Verfahren abgeätzt wird, bei dem es sich um ein Trockenätzverfahren handelt, um Seitenwandabstandsstücke 45 an Seitenflächen des Gates 44 und des Gateoxidfilms 43 herzustellen. Danach wer­ den unter Selbstausrichtung mit den Seitenwandabstandsstüc­ ken 45 als Maske eine n⁺-Fremdstoffionendotierung durch Im­ plantation im aktiven Bereich zwischen dem Feldoxid 42 und den Seitenwandabstandsstücken 45 vorgenommen, um einen n⁺- Sourcebereich 46a und einen n⁺-Drainbereich 46b auszubilden.
Wie in Fig. 1D dargestellt, wird ähnlich wie bei der Her­ stellung des Feldoxids 42 ein LOCOS-Prozeß ausgeführt, um auf dem p-Halbleitersubstrat 41 einen dicken Oxidfilm 47 auszubilden. Hierbei wirken die durch den Nitridfilm ausge­ bildeten Seitenwandabstandsstücke 45 als Sperreinrichtung, um die Ausbildung des dicken Oxidfilms 47 zu begrenzen. Da­ her wird dieser dicke Oxidfilm 47 nur auf dem aktiven Be­ reich zwischen dem Feldoxid 42 und den Seitenwandabstands­ stücken 45 mit einer Dicke von 100-150 nm ausgebildet.
Nach Ausbildung diesen dicken Oxidfilms 47 wird der durch den Polysiliziumfilm gebildete obere Bereich des Gates 44 ebenfalls oxidiert, um dadurch einen Gateabdeckungsoxidfilm 48 herzustellen.
Wie in Fig. 1E dargestellt, wird der verbleibende Nitridfilm entfernt, und dann werden n⁻- und p⁻-Fremdstoffionendotie­ rungen durch Implantation im aktiven Bereich in der genann­ ten Reihenfolge durch Selbstausrichtung mit Hilfe der Gate­ elektrode 44 und der Dickenoxidschicht 47 als Maske vorge­ nommen. Danach werden ein n⁻-Sourcebereich 49a und ein n⁻- Drainbereich 49b so ausgebildet, daß sie in Kontakt mit dem n⁺-Sourcebereich 46a bzw. dem n⁺-Drainbereich 46b im aktiven Bereich zwischen der Gateelektrode 44 und dem dicken Oxid­ film 47 kommen. Auch werden im aktiven Bereich zwischen der Gateelektrode 44 und dem dicken Oxidfilm 47 p⁻-Fremdstoff­ bereiche 50a und 50b so ausgebildet, daß sie den n⁻-Source­ bereich 49a bzw. den n⁻-Drainbereich 49b einschließen.
So wird ein MOSFET mit einer LDD-Struktur hergestellt, die n⁺-Source- bzw. -Drainbereiche 46a, 46b und n⁻-Source- bzw. -Drainbereiche 49a, 49b aufweist. Dabei wird beim Herstellen der n⁻-Fremdstoffdotierung und der p⁻-Fremdstoffdotierung durch Ionenimplantation der dicke Oxidfilm 47 als Sperrein­ richtung verwendet, die die Implantation der Fremdstoffionen begrenzt. Daher werden der n⁻-Sourcebereich 49a und der n⁻- Drainbereich 49b sowie die p⁻-Fremdstoffbereiche 50a, 50b lediglich im aktiven Bereich zwischen dem dicken Oxidfilm 47 und der Gateelektrode 44 ausgebildet, da durch den dicken Oxidfilm 47 hindurch keine Ionenimplantation vom n⁻- bzw. vom p⁻-Bereich aus erfolgt.
Das erläuterte Verfahren zum Herstellen eines MOSFET gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel nach den Fig. 1A bis 1E und das noch zu erläuternde Verfahren gemäß dem zweiten Ausfüh­ rungsbeispiel nach den Fig. 2A bis 2E weisen den Unterschied auf, daß das erste Ausführungsbeispiel lediglich einen Ni­ tridfilm für die Seitenwandabstandsstücke verwendet, das zweite Ausführungsbeispiel aber einen dünnen Nitridfilm und einen Polysiliziumfilm verwendet.
Wie in Fig. 2A dargestellt, wird zunächst mit einem herkömm­ lichen LOCOS-Prozeß ein Feldoxid 62 auf einem p-Halbleiter­ substrat 61 ausgebildet, um einen Feldbereich und einen ak­ tiven Bereich festzulegen. Danach wird ein Gateoxidfilm 63 auf dem aktiven Bereich ausgebildet, und dann werden Fremd­ stoffionen in diesen aktiven Bereich implantiert, um die Schwellenspannung einzustellen.
Wie in Fig. 2B dargestellt, wird ein Polysiliziumfilm 64 mit einem CVD-Verfahren auf dem Gateoxidfilm 63 abgeschieden, und dann wird der Polysiliziumfilm zusammen mit dem Gate­ oxidfilm 63 gemustert, um ein Gate auf dem aktiven Bereich auszubilden.
Wie in Fig. 2C dargestellt, werden ein dünner Nitridfilm 65 und ein Polysiliziumfilm 66 in der genannten Reihenfolge auf der genannten Oberfläche des p-Halbleitersubstrats 61 ausge­ bildet und dann werden der dünne Nitridfilm 65 und der Poly­ siliziumfilm 66 anisotrop mit einem RIE-Verfahren geätzt, um dadurch Seitenwandabstandsstücke an Seitenflächen des Gates 64 und des Gateoxidfilms 63 auszubilden. Danach werden unter Selbstausrichtung durch die Seitenwandabstandsstücke als Maske Fremdstoffionen für n⁺-Dotierung in den aktiven Be­ reich implantiert, um in diesem zwischen dem Feldoxid 62 und den Seitenwandabstandsstücken n⁺-Source- und n⁺-Drainberei­ che 67a bzw. 67b herzustellen.
Wie in Fig. 2D dargestellt, wird der verbleibende Polysili­ ziumfilm 66 im Gegensatz zum verbleibenden Nitridfilm 65 der Seitenwandabstandsstücke entfernt, und dann wird ein dicker Oxidfilm 68 durch einen LOCOS-Prozeß ähnlich wie beim Her­ stellen des Feldoxids 62 über dem n⁺-Sourcebereich 67a und dem n⁺-Drainbereich 67b ausgebildet. Bei Ausbildung des dritten Oxidfilms 68 dient der verbleibende dünne Nitridfilm 65 als Sperreinrichtung, um den dicken Oxidfilm 68 mit einer Dicke von 100 bis 150 nm auf dem aktiven Bereich zwischen dem Feldoxid 62 und dem Nitridfilm 65 auszubilden. Anderer­ seits wird beim Ausbilden des LOCOS-Prozesses zum Herstellen des dicken Oxidfilms 68 auch der Polysiliziumfilm 64 für die Gateelektrode in seinem oberen Bereich oxidiert, wodurch ein Gateabdeckungsoxidfilm 69 auf der Gateelektrode 64 ausgebil­ det wird.
Wie in Fig. 2E dargestellt, wird der verbleibende Nitridfilm 65 entfernt, und Ionen werden für n⁻- und p⁻-Dotierung in der genannten Reihenfolge durch Selbstausrichtung mit Hilfe des dicken Oxidfilms 68 und der Gateelektrode 64 als Maske implantiert. Im Ergebnis werden ein n⁻-Sourcebereich 70a und ein n⁻-Drainbereich 70b ausgebildet, die mit dem n⁺-Source­ bereich 67a bzw. dem n⁺-Drainbereich 67b im aktiven Bereich zwischen dem dicken Oxidfilm 68 und der Gateelektrode 64 in Berührung kommen. Auch werden p⁻-Fremdstoffdotierungsberei­ che 71, 71b im aktiven Bereich zwischen dem dicken Oxidfilm 68 und der Gateelektrode 64 in solcher Weise ausgebildet, daß sie den n⁻-Sourcebereich 67a bzw. den n⁻-Drainbereich 67b einschließen.
So wird ein MOSFET mit einer LDD-Struktur hergestellt, die n⁺-Bereiche 67a, 67b für Source und Drain sowie n⁻-Bereiche 70a, 70b für Source und Drain aufweist. Wie es aus der vori­ gen Beschreibung erkennbar ist, ist es möglich, die Auswir­ kung eines kurzen Kanals, die Übergangskapazität und die Schwellenspannung zu erniedrigen, da der erfindungsgemäße MOSFET mit LDD-Struktur p⁻-Fremdstoffbereiche aufweist, die lediglich die n⁻-Bereiche für Source und Drain umschließen. Demgemäß weist der erfindungsgemäße MOSFET bessere Betriebs­ eigenschaften als bekannte MOSFETs auf.
Da bei der Erfindung ein dicker Oxidfilm mit einem herkömm­ lichen LOCOS-Prozeß unter Verwendung eines Nitridfilms für Seitenwandabstandsstücke hergestellt wird und da bei ihr die Implantation von Fremdstoffionen unter Selbstausrichtung durch den dicken Oxidfilm und die Seitenwandabstandsstücke als Maske erfolgt, ist kein zusätzlicher Prozeßschritt er­ forderlich wie beim herkömmlichen Verfahren zum Herstellen eines MOSFET mit LDD-Struktur. Darüber hinaus weist das er­ findungsgemäße Verfahren keinerlei Maskierprozeßschritt auf, mit Ausnahme des Maskierprozeßschrittes zum Herstellen der Gateelektrode. Daher ist es möglich, einen MOSFET mit LDD- Struktur herzustellen, ohne daß die Anzahl von Herstell- und Maskierprozeßschritten erhöht wird.

Claims (11)

1. Verfahren zum Herstellen eines MOSFET mit den folgenden Schritten:
  • - Ausbilden eines Feldbereichs in einem Substrat (41, 61) von erstem Leitungstyp, wobei außer dem Feldbereich ein aktiver Bereich festgelegt wird;
  • - Ausbilden eines Gateisolierfilms (42, 62) auf dem aktiven Bereich;
  • - Implantieren eines Fremdstoffes in den aktiven Bereich, um die Schwellenspannung einzustellen;
  • - Ausbilden eines Polysiliziumfilms (44, 64) auf der gesam­ ten Oberfläche des Substrats;
  • - Ätzen des Polysiliziumfilms und des Isolierfilms zum Her­ stellen einer Gateelektrode auf dem aktiven Bereich;
  • - Ausbilden eines Isolierfilms (45, 65) auf der gesamten Oberfläche des Substrats;
  • - anisotropes Ätzen des Isolierfilms durch RIE-Verfahren zum Ausbilden von Seitenwandabstandsstücken an Seitenflächen der Gateelektrode (44, 64) und des Gateisolierfilms (43, 63);
  • - Implantieren eines Fremdstoffs von zweitem Leitungstyp mit hoher Konzentration in den aktiven Bereich zwischen dem Feldbereich und den Seitenwandabstandsstücken, um Source- und Drainbereiche (46a, 46b; 67a, 67b) mit hoher Konzentra­ tion vom zweiten Leitungstyp durch Selbstausrichtung mit den Seitenwandabstandsstücken als Maske herzustellen;
  • - Ausbilden eines dicken Isolierfilms (47, 68) und eines Gateabdeckungsisolierfilms (48, 69);
  • - Entfernen des Isolierfilms (45, 66) von den Seitenwandab­ standsstücken; und
  • - Implantieren eines Fremdstoffs vom zweiten Leitungstyp mit niedriger Konzentration sowie eines Fremdstoffs vom ersten Leitungstyp mit niedriger Konzentration unter Selbstausrich­ tung mit dem dicken Isolierfilm und der Gateelektrode als Maske, um Source- und Drainbereiche vom zweiten Leitungstyp mit niedriger Konzentration herzustellen, die mit den Source- und Drainbereichen mit hoher Konzentration im akti­ ven Bereich in Kontakt kommen, bzw. um Fremdstoffbereiche (50a, 50b; 71a, 71b) vom ersten Leitungstyp herzustellen, die die Source- und Drainbereiche vom zweiten Leitungstyp im aktiven Bereich einschließen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierfilm für die Seitenwandabstandsstücke ein Nitrid­ film (45; 65) ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Nitridfilm (45, 65) als Sperreinrichtung dafür wirkt, daß der dicke Isolierfilm (47, 68) nur auf den Source- und Drainbereichen vom zweiten Leitungstyp mit hoher Konzentra­ tion (46a, 46b; 67a, 67b) ausgebildet wird.
4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß der dicke Isolierfilm ein Oxidfilm (47, 68) ist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Oxidfilm (47, 68) 100 bis 150 nm dick ist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Oxidfilm (47, 68) durch einen LOCOS- Prozeß hergestellt wird.
7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß der Gateabdeckungsisolierfilm (48, ein Oxidfilm ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Gateabdeckungsoxidfilm (48, 69) durch Oxidieren des obe­ ren Bereichs des Polysiliziums (44, 64) für das Gate durch einen LOCOS-Prozeß hergestellt wird.
9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß
  • - der Isolierfilm (65) als dünner Film ausgebildet wird; - eine Halbleiterschicht (66) auf dem dünnen Isolierfilm aufgebracht wird, damit der dünne Isolierfilm und die Halb­ leiterschicht zusammen die Seitenwandabstandsstücke bilden; und
  • - diese Halbleiterschicht nach dem Implantationsschritt zum Herstellen der Source- und Drainbereiche (67a, 67b) mit hoh­ er Konzentration entfernt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der dünne Isolierfilm für die Seitenwandabstandsstücke ein Nitridfilm (65) ist.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht für die Seiten­ wandabstandsstücke ein Polysiliziumfilm (66) ist.
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