DE4103585A1 - Gekapselte feldemissionsvorrichtung - Google Patents

Gekapselte feldemissionsvorrichtung

Info

Publication number
DE4103585A1
DE4103585A1 DE4103585A DE4103585A DE4103585A1 DE 4103585 A1 DE4103585 A1 DE 4103585A1 DE 4103585 A DE4103585 A DE 4103585A DE 4103585 A DE4103585 A DE 4103585A DE 4103585 A1 DE4103585 A1 DE 4103585A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
field emission
anode
cathode
emission device
offset
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE4103585A
Other languages
English (en)
Inventor
Robert C Kane
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of DE4103585A1 publication Critical patent/DE4103585A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02Electron guns
    • H01J3/021Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
    • H01J3/022Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J21/00Vacuum tubes
    • H01J21/02Tubes with a single discharge path
    • H01J21/06Tubes with a single discharge path having electrostatic control means only
    • H01J21/10Tubes with a single discharge path having electrostatic control means only with one or more immovable internal control electrodes, e.g. triode, pentode, octode
    • H01J21/105Tubes with a single discharge path having electrostatic control means only with one or more immovable internal control electrodes, e.g. triode, pentode, octode with microengineered cathode and control electrodes, e.g. Spindt-type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Gas-Insulated Switchgears (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Microwave Tubes (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Feldemissionsvorrichtung ge­ mäß dem Oberbegriff des Anspruches 1 und insbesondere eine Feldemissionsvorrichtung, die eine nicht-planare Geometrie besitzt.
Das Phänomen der Feldemission ist aus dem Stand der Tech­ nik bekannt. Die Technologie der Vakuumröhren basierte in typischer Weise auf der Elektronenemission, die von einer beheizten Kathode hervorgerufen wird. In letzter Zeit wurden Festkörperelemente vorgeschlagen, in denen eine Elektronenemission in Verbindung mit einer kalten Kathode erzeugt wird. Die Vorteile dieser Technologie sind be­ deutsam, da sie sowohl schnelle Schalteigenschaften auf­ weisen als auch widerständig gegen das Phänomen des elek­ tromagnetischen Pulses (EMP) sind.
Trotz der oben genannten Vorteile der Festkörperelemente zur Elektronenemission bestehen zur Zeit eine Anzahl von Problemen, die einer größeren Verbreitung dieser Techno­ logie entgegenstehen. Ein Problem betrifft die Unzuläng­ lichkeiten bei der Herstellung dieser Elemente. Übliche nicht-planare Konfigurationen dieser Elemente erfordern die Konstruktion von Emitter-Kegeln auf mikroskopischer Ebene. Die Entwicklung einer beträchtlichen Vielzahl sol­ cher Kegel mittels eines lagenweisen Beschichtungsprozes­ ses stellt eine bedeutende Herausforderung für heutige Fertigungsmöglichkeiten dar. Planar angeordnete Konfigu­ rationen, deren Elemente offensichtlich erheblich einfa­ cher herzustellen sind, wurden ebenfalls vorgeschlagen. Solche planaren Konfigurationen sind aber nicht notwendi­ gerweise für alle erwünschten Anwendungen geeignet.
Der vorliegenden Erfindung liegt somit die Aufgabe zu­ grunde, eine Feldemissionsvorrichtung zu schaffen, die mit üblichen Herstellungsverfahren einfach produziert werden kann und für eine Vielzahl von Anwendungen ge­ eignet ist.
Diese Aufgabe wird bei einer Feldemissionsvorrichtung der gattungsgemäßen Art erfindungsgemäß gelöst durch die Merkmale im kennzeichnenden Teil des Anspruches 1.
In einer Ausführungsform der Erfindung ist die Kathode axial bezüglich der Anode versetzt.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist zu­ sätzlich ein Gatter um die Anode angebracht und axial be­ züglich der Anode und der Kathode versetzt.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist an der Kathode eine Kante vorgesehen, die aufgrund eines verstärkten Feldes in der Umgebung der Kante die Elektro­ nenemission unterstützt.
Weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung sind in den Unteransprüchen und im Nebenanspruch angegeben.
Die Erfindung wird im folgenden anhand bevorzugter Aus­ führungsformen mit Bezug auf die Zeichnungen näher erläu­ tert. Es zeigen:
Fig. 1 einen seitlichen Aufriß einer erfindungsgemä­ ßen Feldemissionsvorrichtung;
Fig. 2a, b eine Draufsicht zweier Ausführungsformen der Erfindung; und
Fig. 3 eine Seitenansicht in verkleinertem Maßstab von mehreren erfindungsgemäßen Feldemissions­ vorrichtungen auf einem herkömmlichen Träger­ material.
In Fig. 1 wird eine im allgemeinen erfindungsgemäße Feldemissionsvorrichtung mit dem Bezugszeichen 100 be­ zeichnet. Die Vorrichtung 100 umfaßt ein aus Silizium, Quarz oder anderen isolierenden Materialien bestehendes Trägermaterial 101. In einer anderen Ausführungsform kann es notwendig sein, ein leitendes Material für diese Schicht zu verwenden. Wenn, wie oben beschrieben, ein isolierendes Material verwendet wird, können elektrische Verbindungen auf der Oberfläche des Materials entspre­ chend den jeweiligen Bedürfnissen der Anwendung ange­ bracht werden, um die Anode, wie unten beschrieben, anzu­ schließen.
Eine weitere Isolierschicht 102 besteht in diesem Fall aus polymerem Material oder dergleichen und wird auf dem Trägermaterial 101 aufgetragen. Mittels eines geeigneten Ätzprozesses kann daraufhin ein Hohlraum 103 in dieser zweiten Isolierschicht geschaffen werden. Der Hohlraum 103 wird vorzugsweise so tief ausgebildet, daß eine Ver­ bindung zu einer Leitung besteht, die mit dem Hohlraum in Verbindung steht und auf dem Trägermaterial 101 aufge­ bracht ist.
Auf der zweiten Isolierschicht 102 wird durch einen ge­ eigneten Bedampfungsprozeß eine leitende Schicht 104 auf­ getragen. Diese leitende Metallisierungsschicht umfaßt ein Gatter. Im Laufe dieses Prozeßes kann auch eine lei­ tende Metallisierungsschicht innerhalb des Hohlraumes 103 geschaffen werden, welche die Anode 106 der Vorrichtung 100 bildet.
Anschließend wird ein geeignetes Abdeckmaterial in den Hohlraum 103 gebracht, um die Anode 106 zu schützen, wo­ rauf eine weitere Isolierschicht 107 auf der Gatter­ schicht 104 aufgetragen oder gezogen wird. Daraufhin wird eine weitere Metallisierungsschicht 108 angebracht. Eine weitere Isolierschicht 109 kann hinzugefügt werden.
Mittels eines geeigneten Ätzprozesses werden die Seiten der letzten Metallisierungsschicht 108 und der letzten Isolierschicht 109 weggeätzt. Dieser Ätzprozeß sollte für anisotropes Ätzen bemessen sein. Ein solcher Prozeß lie­ fert eine freigelegte Metallisierungsschicht 110 mit an­ steigenden Flanken und eine relativ klar definierte Kante 111. Diese letzte Metallisierungsschicht 108 umfaßt die Kathode der Vorrichtung 100. Die Kante 111 stellt eine geometrische Unstetigkeit dar, die feldverstärkende Aus­ wirkungen zugunsten der Arbeitsweise der Vorrichtung 100 bewirkt.
Ein Ätz- oder Abhebeprozeß kann ebenfalls zur Entfernung des im Hohlraum 103 liegenden Materials verwendet werden, um die Anode 106 wieder freizulegen. Ein flachwinkliger Dampfphasen-Auftragprozeß wird dazu verwendet, eine ge­ eignete Isolierschicht 112, etwa Aluminiumoxid oder Sili­ ziumoxid, auf der Vorrichtung 100 aufzutragen, um dadurch eine eingekapselte Vorrichtung zu schaffen. Der letztge­ nannte Vorgang wird vorzugsweise im Vakuum durchgeführt, so daß im Hohlraum 103 Vakuum herrscht, wodurch wiederum die Arbeitsweise der Vorrichtung positiv beeinflußt wird.
In diesem Aufbau werden Elektronen 113 bei Anlegen ge­ eigneter Potentiale an die Kathode 108 und die Anode 106 (hauptsächlich aufgrund der geometrischen Unstetigkeit durch die Kante 111 der Kathode 108) emittiert, so daß sie sich zur Anode 106 bewegen. Dieser Strom kann im all­ gemeinen durch eine geeignete Steuerung des Gatters 104 entsprechend einem geeignet angewandten Verfahren modu­ liert werden.
In einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung 100 können die Zwischenmetallisierungsschicht 104 und die da­ mit verbundene Isolierschicht 107 weggelassen werden. Das Ergebnis wäre eine Vorrichtung mit zwei Elektroden wie etwa eine Diode.
Abhängig von der jeweiligen Verwendung kann der Hohlraum 103 als Kreis (Fig. 2a), als Rechteck (Fig. 2b) oder als eine beliebige andere mehrwandige Kammer gestaltet wer­ den. Es muß jedoch in jeder dieser Ausführungsformen dar­ auf geachtet werden, daß die Kathode 108 um die Anode 106 herum angeordnet ist. In diesen speziellen Ausführungs­ formen ist die Kathode zusätzlich noch in axialer Rich­ tung gegen die Anode versetzt. In der Dreielektrodenvor­ richtung, die in Fig. 1 gezeigt ist, ist auch das Gatter um die Anode herum und gegen die zwei übrigen Elektroden in axialer Richtung versetzt angeordnet.
Ein wichtiger Vorteil dieser Vorrichtung 100 wird nun mit Bezug auf Fig. 3 erläutert. Feldemissionsvorrichtungen der oben beschriebenen Art werden auf mikroskopischer Ebene konstruiert. Deshalb ist die Trägerschicht 101 nie exakt planar. Gewöhnlich werden Abweichungen in der Ober­ fläche in der Art, wie sie in Fig. 3 gezeigt sind, auf­ treten. Aufgrund dieser Abweichungen tritt ein vertikaler Versatz B zwischen der Ebene der Anode 106 einer ersten Vorrichtung 301 und der Ebene der Anode 106 einer zweiten Vorrichtung 302 auf. In ähnlicher Weise existiert ein Versatz C zwischen den Ebenen der Anoden 106 der zweiten Vorrichtung 302 und einer dritten Vorrichtung 303.
Trotz dieser gewöhnlich auftretenden Abweichungen bleibt der Abstand zwischen der Kathodenkante 111 und der Anode 106 jeder Vorrichtung 301, 302 und 303 im wesentlichen gleich dem Wert A. Dieser Zusammenhang zwischen den Vor­ richtungen trägt zu einer vorhersehbaren Arbeitsweise je­ der der Vorrichtungen für sich und im Verbund bei. Außer­ dem sind diese Vorrichtungen unter Verwendung bekannter Metallisierungs-, Oxidziehungs-, Ätz- und Dampfphasen- Auftragungstechniken leicht herzustellen.

Claims (5)

1. Feldemissionsvorrichtung mit einer Anode (106), dadurch gekennzeichnet, daß eine Kathode (111) in Umfangsrichtung um die An­ ode (106) angeordnet ist.
2. Feldemissionsvorrichtung gemäß Anspruch 1, da­ durch gekennzeichnet, daß die Kathode (111) in axialer Richtung gegen die Anode (106) versetzt ist.
3. Feldemissionsvorrichtung gemäß Anspruch 1, da­ durch gekennzeichnet, daß ein Gatter (104) in Umfangs­ richtung um die Anode (106) angeordnet ist.
4. Feldemissionsvorrichtung gemäß Anspruch 3, da­ durch gekennzeichnet, daß die Anode (106), das Gatter (104) und die Kathode (111) jeweils in axialer Richtung gegeneinander versetzt sind.
5. Elektronisches Gerät mit einer Vielzahl von Feldemissionsvorrichtungen (301, 302 und 303), dadurch gekennzeichnet, daß
jede Feldemissionsvorrichtung (301, 302, 303) eine Anode (106) und eine Kathode (111) umfaßt,
die Anode (106) jeder dieser Feldemissionsvor­ richtungen (301, 302 und 303) von ihrer zugeordneten Ka­ thode (111) um einen annähernd gleichen Abstand (A) ver­ setzt angeordnet ist und
nicht alle Anoden (106) in der im wesentlichen gleichen Ebene liegen.
DE4103585A 1990-02-09 1991-02-06 Gekapselte feldemissionsvorrichtung Withdrawn DE4103585A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/477,686 US5079476A (en) 1990-02-09 1990-02-09 Encapsulated field emission device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4103585A1 true DE4103585A1 (de) 1991-08-14

Family

ID=23896926

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69125478T Expired - Fee Related DE69125478T2 (de) 1990-02-09 1991-01-30 Gekapselte feldemissionsvorrichtung
DE4103585A Withdrawn DE4103585A1 (de) 1990-02-09 1991-02-06 Gekapselte feldemissionsvorrichtung

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69125478T Expired - Fee Related DE69125478T2 (de) 1990-02-09 1991-01-30 Gekapselte feldemissionsvorrichtung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5079476A (de)
EP (1) EP0514444B1 (de)
JP (1) JPH05504021A (de)
CN (1) CN1020828C (de)
AT (1) ATE151198T1 (de)
DE (2) DE69125478T2 (de)
WO (1) WO1991012625A1 (de)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5247223A (en) * 1990-06-30 1993-09-21 Sony Corporation Quantum interference semiconductor device
US5536193A (en) 1991-11-07 1996-07-16 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making wide band gap field emitter
US5449970A (en) 1992-03-16 1995-09-12 Microelectronics And Computer Technology Corporation Diode structure flat panel display
US5675216A (en) 1992-03-16 1997-10-07 Microelectronics And Computer Technololgy Corp. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5679043A (en) * 1992-03-16 1997-10-21 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of making a field emitter
US5763997A (en) 1992-03-16 1998-06-09 Si Diamond Technology, Inc. Field emission display device
US5600200A (en) 1992-03-16 1997-02-04 Microelectronics And Computer Technology Corporation Wire-mesh cathode
US6127773A (en) 1992-03-16 2000-10-03 Si Diamond Technology, Inc. Amorphic diamond film flat field emission cathode
US5543684A (en) 1992-03-16 1996-08-06 Microelectronics And Computer Technology Corporation Flat panel display based on diamond thin films
US5256888A (en) * 1992-05-04 1993-10-26 Motorola, Inc. Transistor device apparatus employing free-space electron emission from a diamond material surface
US5598052A (en) * 1992-07-28 1997-01-28 Philips Electronics North America Vacuum microelectronic device and methodology for fabricating same
JPH08510588A (ja) * 1993-01-19 1996-11-05 ダニロビッチ カルポフ,レオニド 電界放出素子
WO1995012835A1 (en) 1993-11-04 1995-05-11 Microelectronics And Computer Technology Corporation Methods for fabricating flat panel display systems and components
US5442193A (en) * 1994-02-22 1995-08-15 Motorola Microelectronic field emission device with breakdown inhibiting insulated gate electrode
US5604399A (en) * 1995-06-06 1997-02-18 International Business Machines Corporation Optimal gate control design and fabrication method for lateral field emission devices
JPH10289650A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Sony Corp 電界電子放出素子及びその製造方法並びに電界電子放出型ディスプレイ装置
US6441550B1 (en) 1998-10-12 2002-08-27 Extreme Devices Inc. Carbon-based field emission electron device for high current density applications
US6181055B1 (en) 1998-10-12 2001-01-30 Extreme Devices, Inc. Multilayer carbon-based field emission electron device for high current density applications
JP5708910B2 (ja) * 2010-03-30 2015-04-30 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2261454A1 (de) * 1971-12-22 1973-06-28 Bendix Corp Blattfoermige kathode, insbesondere fuer eine feldemissions-roentgenstrahlroehre
US3883760A (en) * 1971-04-07 1975-05-13 Bendix Corp Field emission x-ray tube having a graphite fabric cathode
US3921022A (en) * 1974-09-03 1975-11-18 Rca Corp Field emitting device and method of making same
US4578614A (en) * 1982-07-23 1986-03-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Ultra-fast field emitter array vacuum integrated circuit switching device
DE3025945C2 (de) * 1979-07-13 1987-01-02 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven, Nl

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB730920A (en) * 1952-04-09 1955-06-01 Philips Electrical Ind Ltd Improvements in or relating to high-vacuum electric discharge tubes of the kind comprising cold electrodes
US3789471A (en) * 1970-02-06 1974-02-05 Stanford Research Inst Field emission cathode structures, devices utilizing such structures, and methods of producing such structures
US3755704A (en) * 1970-02-06 1973-08-28 Stanford Research Inst Field emission cathode structures and devices utilizing such structures
US3812559A (en) * 1970-07-13 1974-05-28 Stanford Research Inst Methods of producing field ionizer and field emission cathode structures
US3894332A (en) * 1972-02-11 1975-07-15 Westinghouse Electric Corp Solid state radiation sensitive field electron emitter and methods of fabrication thereof
JPS5325632B2 (de) * 1973-03-22 1978-07-27
US3970887A (en) * 1974-06-19 1976-07-20 Micro-Bit Corporation Micro-structure field emission electron source
JPS5436828B2 (de) * 1974-08-16 1979-11-12
US4178531A (en) * 1977-06-15 1979-12-11 Rca Corporation CRT with field-emission cathode
SU855782A1 (ru) * 1977-06-28 1981-08-15 Предприятие П/Я Г-4468 Эмиттер электронов
US4350926A (en) * 1980-07-28 1982-09-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Hollow beam electron source
US4307507A (en) * 1980-09-10 1981-12-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of manufacturing a field-emission cathode structure
US4513308A (en) * 1982-09-23 1985-04-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy p-n Junction controlled field emitter array cathode
JPS6025132A (ja) * 1983-07-22 1985-02-07 Hitachi Ltd 二極形電子銃
FR2568394B1 (fr) * 1984-07-27 1988-02-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ
GB8621600D0 (en) * 1986-09-08 1987-03-18 Gen Electric Co Plc Vacuum devices
FR2604823B1 (fr) * 1986-10-02 1995-04-07 Etude Surfaces Lab Dispositif emetteur d'electrons et son application notamment a la realisation d'ecrans plats de television
US4685996A (en) * 1986-10-14 1987-08-11 Busta Heinz H Method of making micromachined refractory metal field emitters
JP2518833B2 (ja) * 1987-01-28 1996-07-31 キヤノン株式会社 電子放出装置
US4721885A (en) * 1987-02-11 1988-01-26 Sri International Very high speed integrated microelectronic tubes
GB2204991B (en) * 1987-05-18 1991-10-02 Gen Electric Plc Vacuum electronic devices
JPS6433833A (en) * 1987-07-29 1989-02-03 Canon Kk Electron emitting element
GB8720792D0 (en) * 1987-09-04 1987-10-14 Gen Electric Co Plc Vacuum devices
US4874981A (en) * 1988-05-10 1989-10-17 Sri International Automatically focusing field emission electrode
US4956574A (en) * 1989-08-08 1990-09-11 Motorola, Inc. Switched anode field emission device
AU6343290A (en) * 1989-09-29 1991-04-28 Motorola, Inc. Flat panel display using field emission devices
JP2634295B2 (ja) * 1990-05-17 1997-07-23 双葉電子工業株式会社 電子放出素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3883760A (en) * 1971-04-07 1975-05-13 Bendix Corp Field emission x-ray tube having a graphite fabric cathode
DE2261454A1 (de) * 1971-12-22 1973-06-28 Bendix Corp Blattfoermige kathode, insbesondere fuer eine feldemissions-roentgenstrahlroehre
US3921022A (en) * 1974-09-03 1975-11-18 Rca Corp Field emitting device and method of making same
DE3025945C2 (de) * 1979-07-13 1987-01-02 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven, Nl
US4578614A (en) * 1982-07-23 1986-03-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Ultra-fast field emitter array vacuum integrated circuit switching device

Also Published As

Publication number Publication date
US5079476A (en) 1992-01-07
ATE151198T1 (de) 1997-04-15
EP0514444B1 (de) 1997-04-02
DE69125478D1 (de) 1997-05-07
EP0514444A4 (en) 1993-02-17
DE69125478T2 (de) 1997-10-02
CN1020828C (zh) 1993-05-19
EP0514444A1 (de) 1992-11-25
CN1056375A (zh) 1991-11-20
WO1991012625A1 (en) 1991-08-22
JPH05504021A (ja) 1993-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4103585A1 (de) Gekapselte feldemissionsvorrichtung
DE2536363C3 (de) Dünnschicht-Feldelektronenemissionsquelle and Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69838985T2 (de) Gemusterte widerstand für eine elektronenemittierende vorrichtung und herstellungsverfahren dafür
DE4115890C2 (de) Elektronenemittierendes Bauelement
DE2413942B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Dünnfilm-Feldemissions-Elektronenquellen
DE4132150A1 (de) Feldemissionselement und verfahren zu dessen herstellung
DE3414549A1 (de) Elektronenkanone mit verbessertem aufbau von kathode und abschattungsgitter
DE2835136C2 (de)
DE3538175C2 (de) Halbleiteranordnung zum Erzeugen eines Elektronenstromes und ihre Verwendung
DE3407197C2 (de) Kathodenstrahlröhre
DE3445706A1 (de) Widerstand fuer das elektronenstrahlerzeugungssytem einer kathodenstrahlroehre
DE2438234C3 (de) Elektrodenbaugruppe für Mehrstrahlerzeugersysteme und Verfahren zum Betrieb dieser Baugruppe
DE2409664C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen zur Ladungsübertragung
DE3512048A1 (de) Widerstand zum einbau in eine kathodenstrahlroehre
DE2927664A1 (de) Fernsehaufnahmeroehre
DE3400197C2 (de)
DE2914631A1 (de) Heizer-katode-einheit geringer masse mit schnellheizeigenschaft
EP0215034B1 (de) Röntgenröhre mit einem die anode und die kathode umgebenden zylindrischen metallteil
DE19609229C2 (de) Verfahren zum Herstellen von diskreten elektronischen Elementen
DE2449796A1 (de) Vorratskathode fuer eine gittergesteuerte elektronenroehre und verfahren zu ihrer herstellung
DE19600782C1 (de) Verfahren zum Herstellen von nebeneinanderliegenden Gräben oder Löchern in einem elektrisch nichtisolierenden Substrat, insbesondere einem Halbleitersubstrat
DE4313619C2 (de) Entladungsröhre
DE1934866A1 (de) Halbleiterbauelement
DE2332574A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiters und halbleitervorrichtung
DE7527645U (de) Ablenkungsjoch fuer kathodenstrahlroehre

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8136 Disposal/non-payment of the fee for publication/grant