DE3445706A1

DE3445706A1 - Widerstand fuer das elektronenstrahlerzeugungssytem einer kathodenstrahlroehre

Info

Publication number: DE3445706A1
Application number: DE19843445706
Authority: DE
Inventors: Katsuhiko Hata; Takahiko Inazawa Aichi Yamakami
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1983-12-16
Filing date: 1984-12-14
Publication date: 1985-06-27
Anticipated expiration: 2004-12-15
Also published as: KR850004344A; GB2152744A; JPS60130033A; GB8431377D0; KR910009245B1; CA1232042A; GB2152744B; DE3445706C2; FR2556878B1; JPH0530012B2; FR2556878A1; US4639640A

Description

SONY Corp.. - S85P5O

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BESCHREIBUNG

Die Erfindung betrifft einen Widerstand gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruehs, für das Elektronenstrahlerzeugungssystem einer Kathodenstrahlröhre. Ein solcher Widerstanddient dazu, unterschiedliche Hochspannungen für die Elektroden des Systems zur Verfugung zu stellen.

Für einen Farbfernsehempfänger ist bereits eine Farbkathoeinstrahlröhre vorgeschlagen worden, in der Hochspannungen einer Konvergenzelektrode zum Konvergieren der mehreren Elektronenstrahlen und Fokussierelektroden zum Fokussieren eines jeden Elektronenstrahles zugeführt werden. Zusätzlich ist die Anodenspannung zuzuführen. Hierzu wird am Elektronenstrahlerzeugungssystem, das die Konvergenzelektroden, die Fokussierelektroden und andere Elektroden aufweist, ein Widerstand verwendet, der die verhältnismäßig hohen Spannungen für die einzelnen Elektroden erzeugt.

Der Aufbau eines vorgeschlagenen Widerstandes ist in den Fig. 1 und 2 dargestellt, von denen Fig. 1 eine Draufsicht und Fig. 2 eine Seitenansicht darstellt. Der Widerstand 7 weist eine isolierende Platte 1 z. B. aus einem keramischen Material auf, auf deren Oberfläche mehrere Anschlüsse durch voneinander getrennte leitfähige Schichten ausgebildet sind. Es liegen ein Anodenanschluß 2 vor, dem die Anodenspannung zugeführt wird, ein Konvergenzelektrodenanschluß 3 zum Bereitstellen der Hochspannung für die Konvergenzelektroden, d.h. der Konvergenzspannung, und ein Erdanschluß 4. Außerdem ist auf der isolierenden Platte 1 eine spannungsteilende Widerstandsschicht 5 ausgebildet, die eine zickzackfö'rmige Teilschicht 5a mit einem vorgegebenen Widerstand um-

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faßt, die den Konvergenzelektrodenanschluß 3 mit dem Erdanschluß 4 verbindet. Eine andere zickzackförmige Teilschicht 5b* ebenfalls mit vorgegebenem Widerstand verbindet den Anodenanschluß 2 mit dem Konvergenzelektrodenan-Schluß 3. Eine einstellbare Widerstandsschicht 5c stellt Verbindungen zwischen dem Konvergenzelektrodenanschluß 3 und den Teilschichten 5a und 5b her. Der Widerstand der Teilschichten 5a und 5b kann dadurch eingestellt werden, daß die einstellbare Widerstandsschicht 5c beim Herstellen des Widerstandes 7 teilweise entfernt wird. Auf der V/iderstandsschieht ist darüberhinaus eine abdeckende Isolatorschicht β z.B. aus Flintglas aufgebracht,die in Fig. 1 schraffiert dargestellt ist.

Der Widerstand 7 ist in eine Farbbildröhre in einer Art eingebaut, wie dies in Fig. 3 dargestellt 1st. Ein Elektronenstrahlerzeugungssystem 9 ist im Hals 8a des Mantels einer Kathodenstrahlröhre 8 eingebaut. Das Sj/stem verfügt über drei Kathoden K sowie über eine Anordnung eines ersten Gitters Gl, eines zweiten Gitters G2, eines dritten Gitters G3, eines vierten Gitters G4 und eines fünften Gitters G5> die Jeweils gemeinsam den drei Kathoden K zugehören. Konvergenzelektroden 10 folgen auf das fünfte Gitter G5. Die fünf Gitter Gl - G5 und die Konvergenzelektroden 10 sind mechanisch über Glasstifte 11 miteinander verbunden. Das dritte und das fünfte Gitter G3 und G5 sind darüberhinaus elektrisch durch einen Draht I3 miteinander verbunden. Die Konvergenzelektroden 10 umfassen ein Paar innerer Ablenkplatten lOa und lob, die einander gegenüberstehen,und die elektrisch an das fünfte Gitter G5 über eine leitfähige Platte 14 angeschlossen sind. Ein Paar äußerer Ablenkplatten lOc und 1Od steht den Inneren Platten lOa bzw. lOb gegenüber.

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Der Widerstand 7 gemäß den Fig. 1 und 2 ist am System 9 so angebracht, daß der Anodenanschluß 2 über ein leitfähiges Teil 12 mit dem fünften Gitter G5 in Verbindung steht. Auf der Innenfläche des trichterförmigen Mantels 8b der Röhre ist eine Graphitschicht 15 angebracht, die sich bis ins Innere des Halses 8a erstreckt. Die Anodenspannung wird durch einen in Fig. 3 nicht dargestellten Anodenanschluß im Mantel 8b der Graphitschicht 15 zugeführt. Eine leitfähige Platte 14 weist leitende Federn 16 auf, die die Graphitschicht 15 kontaktieren, so daß die Anodenspannung dem fünften Gitter G5, dem dritten Gitter G3, den inneren Ablenkplatten 10a und lOb der Konvergenzelektroden 10 und dem Anodenanschluß 2 des Widerstaids 7 zugeführt wird. Der Konvergenzelektrodenanschluß 3 des Widerstandes 7 ist über ein leitfähiges Verbindungsstück 17 mit den äußeren Ablenkplatten 10c und iod der Konvergenzelektroden. 10 verbunden. Der Erdanschluß 4 steht mit einem Erdanschlußstift 19 am Sockel 18 am Ende des Halses 8a der Röhre 8 in Verbindung und ist dadurch direkt oder über einen einstellbaren Widerstand geerdet, der außerhalb der Röhre 8 angeordnet ist. Dadurch wird die Konvergenzspannung, die am Konvergeuzelektrodenanschluß 3 als Ergebnis des Teilens der Anodenspannung durch die Teilwiderstandsschichten 5a und 5b erhalten wird, den äußeren Ablenkplatten lOc und iod der Konvergenzelektroden 10 zugeführt.

In einer Kathodenstrahlröhre mit einem System 9 und einem Widerstand 7t>estehen häufig scharfkantige Vorsprünge am System 9» was zu unerwünschten Entladungen beim Betrieb führt. Daher wird die Röhre beim Herstellen abgespratzt, was durch Anlegen hoher Spannungen erfolgt, wodurch elektrische Entladungen auftreten, die die scharfkantigen Vorsprünge abschmelzen. Beim Abspratzen wird dem dritten und

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dem fünften Gitter G3 bzw. G5 und dem Anodenanschluß 2 des Widerstandes 7 eine hohe Spannung zugeführt, die doppelt oder dreimal so hoch ist wie die .Anodenspannung im praktischen Betrieb. Das erste, zweite und vierte Gitter Gl, G2 bzw. G4sind geerdet.

Beim Abspratzen wird die Oberfläche der abdeckenden Isolierschicht 6 bis auf einen gewissen Teil derselben auf ein verhältnismäßig hohes Potential aufgeladen, das höher ist als beim praktischen Betrieb der Röhre, insbesondere auf der Niederspannungsseite der Teilschicht 5a. In Fig. 4 ist das Potential auf der Oberfläche der abdeckenden Isolierschicht (-. und das Potentialdder Teilschicht 5a zwischen dem Erdan-Schluß 4 und dem Konvergenzelektrodenanschluß 3 beim Abspratzen in den Fig. A bzw. B dargestellt. Darüberhirb us ist die Potentialdifferenz zwischen den Spannungswerten der Kurven a und b in Kurve c dargestellt. Auf der Ordinate ist die Spannung V und auf der Abszisse ist der Abstand eines Meßpunktes auf der Oberfläche der isolierenden Platte 1 vom Erdanschluß 4 in Richtung auf den Konvergenzelektrodenanschluß J5 des Widerstandes 7 dargestellt. Wie aus Fig. 4 ersichtlich, erreicht die Potentialdifferenz zwischen der Teilschicht 5a und der Oberfläche der Isolierschicht β ein Maximum an einem Punkt P, der nahe beim dritten Gitter GJ liegt, dem die Abspratzspannung auf der Niederspannungsseite der Widerstandsteilschicht 5a zugeführt wird. Die maximale Spannung wird der Isolierschicht 6 also am Punkt P zugeführt. Es besteht die Gefahr, daß an dieser Stelle um das dritte Gitter Gj5 herum eine Spannung zugeführt wird, die die Durchbruchsspannung der abdeckenden Isolierschicht 6 übersteigt, was die Dielektrizitätseigenschaften dieser Schicht ändern kann oder zum Durchbruch im Dielektrikum führen kann. Die Teilwiderstandsschicht 5a

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kann dadurch so beschädigt werden, daß sich ihr Widerstand deutlich ändert.

Um eine derartige Veränderung des Widerstandes der Teil-Widerstandsschicht 5a durch Änderung der dielektrischen Eigenschaften der Isolierschicht 6 zu verhindern, könnte es von Vorteil sein, die Dicke der Isolierschicht 6 zu erhöhen .

IC Es erhöht jedoch die Herstellkosten für den Widerstand 7, wenn die picke der Isolierschicht 6 unbedacht erhöht wird. Darüberhinaus besteht die Gefahr, daß eine Isolierschicht 6 erhöhter Dicke zu einem unerwünschten Verziehen, des Widerstandes 7 aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten zwischen der Isolierplatte 1 und der abdeckenden Isolierschicht 6 führt. Die Isolierschicht 6 kann sich von der Isolierplatte 1 ablösen, oder sie kann durch wiederholte Temperaturwechsel, die durch Ein- und Ausschalten der Röhre hervorgerufen sind, Risse ausbilden. Dies setzt die Zuverlässigkeit des Widerstandes ¹J herab.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Widerstand der eingangs genannten Art anzugeben, der einfach und zuverlässig hergestellt werden kann und den Abspratzvorgang mit großer Sicherheit unbeschädigt übersteht.

Die Erfindung isijdurch die Merkmale des Hauptanspruchs gegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand von Unteransprüchen .
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Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß der beschriebene Widerstandsbereich zwischen dem Konvergenzelektrodenanschluß und dem Erdelektrodenanschluß in zwei Unterbereiche aufgeteilt wird, die an dem genannten Punkt hoher Potential-

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differenz aneinandergrenzen. Dabei ist der Widerstand pro Einheitslänge der isolierenden Platte im Unterbereich zwischen dem Erdanschluß und dem genannten Punkt größer als zwischen dem genannten Punkt und dem Konvergenzelektrodenanschluß.

Wenn bei diesem Aufbau dem ersten Anschluß eine hohe Spannung und dem zweiten eine niedrige Spannung zugeführt wird, steigt das Potential in der V/iderstandsschicht vom zweiten Anschluß zum genannten Punkt hoher Potentialdifferenz stark an, wodurch das Potential im Bereich um den genannten Punkt herum erhöht wird, so daß die Potentialdifferenz zwischen der Oberfläche der abdeckenden Isolierschicht und der Widerstandsschicht, d. h. die an der Isolierschicht anliegende Spannung verringert wird. Infolgedessen erleidet die abdeckende Isolierschicht keine Verschlechterung ihrer dielektrischen Eigenschaften, was zur Folge hat, daß sich der Widerstand der Widerstandsschicht unerwartet ändert, und zwar auch nicht im Bereich hoher Potentialdifferenz beim Abspratzen.

Umdie beschriebene Widerstandsaufteilung zu erhalten, bestehen folgende Möglichkeiten, von denen hier verschiedene Ausführungsbeispiele beispielshaft angegeben werden. Bei einer Ausführungsform ist die Widerstandsschicht auf der Isolierplatte aus einem Material mit im wesentlichen homogenem Widerstand und mit konstantem Querschnitt ausgebildet. Das Muster der Widerstandsschicht ist jedoch so, daß deren wirksame Länge pro Einheitslänge der Isolierplatte zwischen dem zweiten Elektrodenanschluß und dem Punkt hoher Potentialdifferenz länger ist als zwischen dem genannten Piuikl und dem ersten Elektrodenanschluß.

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Bei einer anderen Ausführungsform werden für die Unterbereiche der Widerstandsschicht Materialien unterschiedlicher spezifischer Widerstände oder unterschiedlicher Querschnitte verwendet.

Bei anderen Ausführungsformen liegen Kombinationen der beiden genannten Ausführungsformen vor.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Figuren näher veranschaulicht. Es zeigen:

Fig. 1 und 2 eine Draufsicht und eine Seitenansicht eines bereits früher vorgeschlagenen Widerstandes für das Elektronenstrahlerzeugungssystem einer Kathodenstrahlröhre;

Fig. 5 eine schematische Seitenansicht des hinteren

Teiles einer Kathodenstrahlröhre mit einem Widerstand gemäß den Fig. 1 und 2; 20

Fig. 4 eine Darstellung zum Erläutern des Potentialverlaufes in dem bei der Röhre gemäß Fig. J5 verwendeten Widerstand;

Fig. 5 eine Draufsicht auf eine Aus führungs form eines

erfindungsgemäßen Widerstandes;

Fig. 6 eine Darstellung zum Erläutern des Potentialverlaufs im Widerstand gemäß Fig. 5;

Fig. 7, S, 9, 10 und 11 Draufsichten und eine Seitenansicht auf andere Ausführungsformen erfindungsgemäßer Widerstände; und

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Fig. 12 ein Diagramm, das den Zusammenhang unerwünschter Widerstandsänderungen beim Abspratzen darstellt, und zwar für einen früher vorgeschlagenen und für einen erfindungsgemäßen Widerstand. 5

Die Darstellung gemäß Fig. 5 entspricht der von Pig. I. Εε ist wiederum der Blick auf eine Isolierplatte 1 auf eine Widerstandsschicht 5, die durch die abdeckende Isolierschicht hindurch zu sehen ist. Bei Fig. 5 und den folgenden Figuren werden nur Änderungen gegenüber dem Widerstand gemäß den Fig. 1 und 2 beschrieben.

Die auf der isolierenden Platte 1 aufgebrachte und durch die nicht dargestellte Isolierschicht aus Flintglas abgedeckte Widerstandsschicht 5 weist einen zickzackförmigen Teilbereich 5^fa^uf, der den Konvergenzelektrodenanschluß J5 mit dem Erdanschluß 4 verbindet. Die Teilschicht 5c mit einstellbarem Widerstand verbindet wiederum den Konvergenzelektrodenanschluß 5 mit den Widerstandsteilschichten 5^!a und 5b.

Die spannungsteilende Widerstandsschicht 5 besteht aus einem im wesentlichen homogenen Material mit im wesentlichen konstantem Querschnitt. Die Breite der Mäanderlinien des Zickzackmusters der Teilschicht 5*3- ist über die ganze Lunge im wesentlichen konstant. Jedoch ist in einem unteren Bereich 5'al der gegenseitige Abstand der Mäanderlinien Pl zwischen dem Erdanschluß 4 und einem Punkt P¹ auf der isolierenden Platte 1 gering, wobei der Punkt P' dem Punkt P des Wider-Standes 7 gemäß den Fig. 1,2 und 4 entspricht. Ein oberer Unterbereich 5'ah weist einen großen Abstand P2 (P2 Pl) der Mäanderlinien auf. Er erstreckt sich im Anschluß an den unteren Unterbereich 5^!al zwischen dem Punkt P' und dem Kon-

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vergenzelektrodenanschluß J5. Der Punkt P¹ liegt an einer Stelle, an der die Potentialdifferenz zwischen dem Widerstandsteilbereich 5^!a und der Oberfläche der Isolierschicht maximal ist, wenn der Widerstand zusammen mit einem Elektronenstrahlerzeugungssystem 9 in einer Kathodenstrahlröhre gemäß Fig. 3 verwendet wird, und ihm an seinem Anodenanschluß 2 die Anodenspannung zugeführt wird. Der Punkt P¹ wird im folgenden Teilweise als Punkt maximalem Potentialdifferenz bezeichnet.

Bei der derartig aufgebauten Teilwiderstandsschicht 5'a innerhalb der spannungsteilenden Widerstandsschicht 5 auf der Isolierplatte 1 ist es also so, daß die wirksame Länge des unteren Unterbereiches 5^fal mit geringem Abstand Pl pro Einheitslänge derisolierenden Platte 1 größer ist als die wirksame Länge des oberen Unterbereiches 5^!ah des größeren Abstandes P2. Daher ist derWiderstand der Teilschicht 5'a pro Einheitslänge der Isolierplatte 1 zwischen dem Erdanschluß 4 und dem Punkt P¹ maximaler Potentialdifferenz grösser als derjenige zwischen diesem Punkt und dem Konvergenzelektrodenanschluß J5·

Wenn dementsprechend der Widerstand gemäß Fig. 5 zusammen mit einem Elektronenstrahlerzeugungssystem 9 in einer Kathodenstrahlröhre gemäß Fig. J5 auf gleiche Art und Weise wie der früher vorgeschlagene Widerstand 7 verwendet wird, und die Abspratzspannung und Erdpotential an den Anodenanschluß 2 bzw. den Erdanschluß 4 gelegt werden, steigt das Potential im unteren Unterbereich 5'al der Teilschicht 5'a stark vom

J50 Erdanschluß 4 bis zum Punkt P¹ maximaler Potentialdifferenz an, während im Gegensatz dazu das Potential im oberen Unterbereich 5'ah nur langsam vom Punkt P' zum Konvergenzelektrodenanschluß 3 hin ansteigt, wie dies in der Kurve b¹ in

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Pig. 6 dargestellt 1st. Dabei ist auf der Ordinate die Spannunguund auf der Abszisse der Abstand eines Meßpunktes an der Oberfläche der Isolierplatte 1 vom Erdanschluß 4 auf den Konvergenzelektrodenanschluß 3 hin aufgetragen. Demgemäß hat sich das Potential in der Teilschicht 5'a am Punkt P¹ maximaler Potentialdifferenz im Vergleich zum Potential am entsprechenden Punkt beim früher vorgeschlagenen Widerstand 7 erhöht. Das Potential beim früher vorgeschlagenen Widerstand ist durch die Kurve b in Fig. 6 dargestellt. Dementsprechend hat sich die Differenz zwischen dem Potential an der Oberfläche der abdeckenden Isolierschicht, das in einer Kurve a^! in Pig. 6 dargestellt ist, und dem Potential an der Widerstandsteilschicht 5'a verringert, d. h. die an der Isolierschicht anliegende Spannung hat sich, verglichen zu der, die an der Isolierschicht des früher vorgeschlagenen Widerstandes 7 vorlag, verringert.

Es sei angenommen, daß die wirksame Länge des unteren Unterbereiches 5'al der Teilschicht 5'a den Wert Xl hat. Die wirksame Länge des oberen Unterbereiches 5^!ah sei Xh. Das Potential am Konvergenzelektrodenanschluß 3 sei Vc und das Potential an der Erdelektrode 4 sei Ve. Das Potential V¹ρ an der Teilschicht 5'a am Punkt P* maximaler Potentialdifferenz ist dann gegeben durch:

V'p = Ve + (Vc - Ve) · Xl/ (Xl + Xh).

Wenn darüberhinaus das Potential an der abdeckenden Isolierschicht am Punkt P' maximaler Potentialdifferenz Vs ist, gilt für die Potentialdifferenz (Vs - V'p), die an der Isolierschicht anliegt:

Vs - V'p = Vs - Ve - (Vc - Ve) · Xl/(Xl + Xh).

-H-

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Die wirksamen Längen Xl und Xh werden so gewählt, daß die Potentialdifferenz (Vs - V^fp) geringer ist als die obere Spannung, der die Isolierschicht noch widersteht.

Auch beim AusfUhrungsbeispiel gemäß Fig. 7 besteht die Widerstandsteilschicht 5'a aus einem im wesentlichen homogenen Widerstandsmaterial mit im wesentlichen konstanten Querschnitt mit zickzackförmigen Linien, die sich vom Konvergenzelektrodenanschluß 5 zum Erdanschluß 4 erstrecken.

Der gegenseitige Abstand der zickzackförmigen Mäanderlinien ist im unteren Unterbereich 5'al und im oberen Unterbereich 5'ah im wesentlichen derselbe. Jedoch ist die Höhe hl im unteren Unterbereich 5'al größer als die Höhe h2 im oberen Unterbereich 5'ah (hl > h2).

Daher ist auchjoei diesem Beispiel die wirksame Länge im unteren Unterbereich 5'al pro Einheitslänge der isolierenden Platte 1 größer als die wirksame Länge im oberen Unterbereich 5^fah. Dies führt zum Erzielen der Vorteile, die anhand des Ausführungsbeispieles von Pig. 5 bereits erläutert wurden.

Bei den Ausführungsbeispielen gemäß den Fig. 8-11 weisen der untere Unterbereich 5'al und der obere Unterbereich 5'ah des Widerstandsteilbereiches 5'a im wesentlichen konstante Höhe der Mäanderlinien auf, wie dies auch beim Beispiel der Fig. 5 derFall ist. Durch unterschiedliche Maßnahmen ist wieder erreicht, daß der Widerstand pro Einheitslänge im unteren Unterbereich 5'a.l größer ist als im oberen Unterbereich 5'ah.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 8 besteht die Teilschicht 5'a aus im wesentlichen homogenem Widerstandsmaterial. Die Breite wl der Widerstandsschicht im unteren Unterbereich 5'al ist geringer als die Breite w2 im oberen

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Unterbereich 5'ah, so daß der Querschnitt der Widerstandsschicht im unteren Unterbereich 5'al geringer ist als im oberen Unterbereich 5^fah.

Beim Beispiel gemäß Fig. 9 bestehen die beiden Unterbereiche 5'al und 5^!ah aus Materialien unterschiedlicher spezifischer Widerstände. Der spezifische Widerstand ml des Materials im unteren Unterbereich 5^!al ist größer als der spezifische Widerstand m2 des WiderstandsmateriaIs, das beim Herstellen des oberen Bereiches 5'ah verwendet ist.

Beim Beispiel gemäß den Pig. 10 und 11 (Fig. 11 stellt einen Längsschnitt entlang der Linie XI - XI von Fig. IO dar) besteht die Teilschicht 5^fa aus im wesentlichen homogenem Widerstandsmaterial. Die Dicke ti im unteren Unterbereich 5'al ist geringer als die Dicke t2 im oberen Unterbereich 5'ah, so daß der Querschnitt der Widerstandsschicht im unteren Unterbereich 5'al geringer ist als im oberen Unterbereich 5'ah,

Bei allen Ausführungsbeispielen gemäß den Fig. 8-11 ist es also so, daß der Widerstand der Teilschicht 5'a. pro Einheitslänge der Isolierplatte im Bereich zwischen dem Erdanschluß 4 und dem Punkt P¹ maximaler Potentialdifferenz grosser ist als im Unterbereich zwischen dem genannten Punkt P^f und dem Konvergenzelektrodenanschluß 3· Wenn dementsprechend ein derartiger Widerstand mit einem System 9 bei einer Röhre gemäß Fig. 3 verwendet wird, tritt beim Abspratzen wiederum die verringerte Potentialdifferenz an der Isolierschicht 6 auf, so daß die Gefahr, diese zu beschädigen, wiederum verringert ist.

Für das Potential V¹ρ an der Widerstandsteilschicht 5'a am Punkt P¹ maximaler Potentialdifferenz gilt:

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- Io Vp =Ve + (Vc - Ve) · RlZ(Rl + Rh),

wobei Rl: Widerstand des unteren Unterbereiches 5'al, Rh: Widerstand des oberen Unterbereiches 5'ah, Vc: Potential am Konvergenzelektrodenanschluß J5, Ve: Potential am Erdanschluß 4.

Wenn das Potential an der Isolierschicht am Punkt P¹ den Wert Vs einnimmt, gilt für die an der Isolierschicht anliegende Potentialdifferenz (Vs - V^!p):

Vs - V^!p = Vs - Ve - (Vc - Ve) · Rl '(Rl + Rh).

Die Widerstände Rl und Rh werden so ausgewählt, daß die Potentialdifferenz (Vs - V'p) geringer wird als der obere Grenzwert der Spannung, die zu keiner Beschädigung der abdeckenden Isolierschicht führt.

In Fig. 12 ist .der Zusammenhang zwischen der Abspratzspannung und Änderungen des Widerstandes der Widerstandsteilschicht 5a für einen früher vorgeschlagenen Widerstand 7 in einer Kurve c^f dargestellt. Dagegen ist dieselbe Beziehung für Änderungen des Widerstandes der Widerstandsteilschicht 5'a eines erfindungsgemäßen Widerstandes in einer Kurve d' dargestellt. Auf der Ordinate sind Änderungen Δ R des Widerstandes und auf der Abszisse Abspratzspannungen Vn aufgetragen. Aus den Beziehungen ist ersichtlich, daß die Widerstandsteilschicht 5'a bei einem erfindungsgemäßen Widerstand keine Widerstandsänderungen bei herkömmlichen Abspratzverfahren erfährt, sondern daß erst bei außerordentlich hohen Abspratzspannungen kleine Änderungen auftreten.

Der Widerstand 7 kann auch eine Widerstandsteilschicht 5'a aufweisen,die Merkmale von zwei oder mehreren der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele aufweist.

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Bei den Ausführungsbeispielen wurde davon ausgegangen, daß die Stelle, an der der untere Unterbereich 5^fal und der obere Unterbereich 5^!ah der Teilschicht 5'a auf der Isolierplatte 1 aneinanderstoßen, genau mit dem Punkt P' maximaler Potentialdifferenz übereinstimmt. Dies ist allerdings nicht erforderlich. Die Stelle kann auch in einem Bereich nahe beim Punkt P¹ maximaler Potentialdifferenz liegen.

Bei einem erfindungsgemäßen Widerstand ist also die Potentialdifferenz zwischen der Widerstandsschicht auf der isolierenden Platte und der Oberfläche der die Widerstandsschicht abdeckenden Isolierschicht gegenüber bekannten

_t Widerständen vor allem an der Stelle wirksam verringert, in der diese Potentialdifferenz einen verhältnismäßig hohen Wert erreicht, wenn dem Widerstand eine verhältnismäßig hohe Spannung nach dem Einbau in eine Kathodenstrahlröhre zugeführt wird.Die abdeckende Isolierschicht erfährt auch beim Abspratzen keine Verschlechterung ihrer Eigenschaften, was zur Folge hat, daß Widerstandsänderungen in der Widerstandsschicht kaum auftreten. Da dies ohne Erhöhen der Dicke der Widerstandsschicht erzielt wird, verbindet sich ein erfindungsgemäßer Widerstand nicht aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten der isolierenden Platte und der abdeckenden Isolierschicht, Die Isolierschicht blättert von der Isolierplatte nicht ab, und sie erhält keine Risse. Sie kann verhältnismäßig billig hergestellt werden.

Af

- Leerseite -

Claims

TER MEER-MÜLLER- STEINMEISTER

PATENTANWÄLTE — EUROPEAN PATENT ATTORNEYS

Dipl.-Chem. Dr. N. ter Meer Dipl.-Ing. H. Steinmeister O H- 4 0 / U D Dipl.-Ing· F⁷. E. Müller . . . . . , ,-..

Triftstrasse Λ Artur-Ladebeck-Strasse 51

D-800O MÜNCHEN 22 D-48OO BIELEFELD 1

S35P5O ^* Dezember 1984

WS ⁷J 'ho

SONY CORPORATION

7-35 Kitashinagawa 6-chome

Shinagawa-ku, Tokyo 141, Japan

Widerstand für das Elektronenstrahlerzeugungssystem einer Kathodenstrahlröhre

Priorität: 16. Dezember I983, Japan, Nr. 58'238244

ANSPRÜCHE

1. Widerstand (7) für das Elektronenstrahlerzeugungssystern einer Kathodenstrahlröhre, mit
- einer isolierenden Platte (1), auf der ein erster Elektrodenanschluß (3) zum Anlegen einer hohen Spannung und ein zweiter Elektrodenanschluß (4) zum Anlegen einer niedrigen Spannung vorhanden sind, - einer Widerstandsschicht (5), die mit einem vorgegebenen Muster den ersten mit dem zweiten Elektrodenanschluß verbindet, und

«ΟΝΪ

- einer abdeckenden Isolierschicht (6), die die Widerstandsschicht abdeckt,

dadurch gekennzeichnet, daß

- die Widerstandsschicht so ausgebildet ist, daß der

Widerstand pro Einheitslänge der isolierenden Platte (1) in einem ersten Bereich größer ist als in einem zweiten Bereich, wobei der erste Bereich zwischen dem zweiten Elektrodenanschluß (4) und einem Punkt (P) mit hoher Potentialdifferenz zwischen den beiden

IC Elektrodenanschlüssen liegt, an welchem Punkt die Potentialdifferenz zwischen der Oberfläche der abdeckenden Isolierschicht (6) und der Widerstandsschicht beim Betrieb des Widerstandes in der Kathodenstrahlröhre relativ groß ist, und wobei der zweite Bereich zwischen dem genannten Punkt und dem ersten Elektrodenanschluß (3) liegt.

2. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Widerstandsschicht (5) aus einem im wesentlichen homogenen Widerstandsmaterial mit im wesentlichen konstantem Querschnitt besteht, welche Schicht in einem solchen Muster ausgebildet ist, daß die wirksame Länge pro Einheitslänge der isolierenden Platte (1) im ersten Bereich langer ist als im zweiten Bereich.

3. Widerstand nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Widerstandsschicht (5) zickzackförmig mit im wesentlichen konstanter Höhe der Mäanderlinien ausgebildet ist, und der gegenseitige Abstand der Mäanderlinien (Pl) im ersten Bereich kleiner ist als der gegenseitige Abstand (P2) im zweiten Bereich.

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h. Widerstand nach Anspruch 2 oder 3» dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (5) zickzackförmig mit im wesentlichen konstantem Abstand der Mäanderlinien ausgebildet ist, und die Höhe der Mäanderlinien (Wl) im ersten Bereich kleiner ist als im zweiten Bereich.

5- Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Widerstandsschicht (5) aus im wesentlichen homogenem Widerstandsmaterial mit unterschiedlichen Querschnitten so ausgebildet ist, daß der Widerstand pro Einheitslänge im ersten Bereich größer ist als im zweiten Bereich.

6. Widerstand nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (5) mit im wesentlichen konstanter Dicke aber mit einer Breite ausgebildet ist, die im ersten Bereich geringer ist als im zweiten.

7· Widers tandjha ch Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (5) mit im wesentlichen konstanter Breite, aber einer Dicke ausgebildet ist, die im ersten Bereich geringer ist als im zweiten Bereich.

8. Widerstand nach einem der Ansprüche 1-7» dadurch gekennzeichnet, daß der erste Bereich der Widerstandsschicht aus einem ersten Material mit vorgegebenem spezifischem Widerstand gebildet ist und der zweite Bereich aus einem solchen Widerstandsmaterial besteht, dessen spezifischer Widerstand geringer ist als der des Materials des ersten Bereichs.