DE3445706C2 - Widerstand für das Elektronenstrahlerzeugungssytem einer Kathodenstrahlröhre - Google Patents

Widerstand für das Elektronenstrahlerzeugungssytem einer Kathodenstrahlröhre

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Description

Die Erfindung betrifft einen Widerstand gemäß dem Oberbe­ griff des Hauptanspruchs, für das Elektronenstrahlerzeu­ gungssystem einer Kathodenstrahlröhre. Ein solcher Wider­ stand dient dazu, unterschiedliche Hochspannungen für die Elektroden des Systems zur Verfügung zu stellen. Ein derartiger Widerstand ist aus der US 43 49 767 bekannt.
Für einen Farbfernsehempfänger ist bereits eine Farbkatho­ denstrahlröhre vorgeschlagen worden, in der Hochspannungen einer Konvergenzelektrode zum Konvergieren der mehreren Elektronenstrahlen und Fokussierelektroden zum Fokussieren eines jeden Elektronenstrahles zugeführt werden. Zusätzlich ist die Anodenspannung zuzuführen. Hierzu wird am Elektro­ nenstrahlerzeugungssystem, das die Konvergenzelektroden, die Fokussierelektroden und andere Elektroden aufweist, ein Widerstand verwendet, der die verhältnismäßig hohen Spannungen für die einzelnen Elektroden erzeugt.
Der Aufbau des Widerstandes ist in den Fig. 1 und 2 dargestellt, von denen Fig. 1 eine Draufsicht und Fig. 2 eine Seitenansicht darstellt. Der Widerstand 7 weist eine isolierende Platte 1 z. B. aus einem keramischen Material auf, auf deren Oberfläche mehrere Anschlüsse durch voneinander getrennte leitfähige Schichten ausgebildet sind. Es liegen ein Anodenanschluß 2 vor, dem die Anodenspannung zugeführt wird, ein Konvergenzelektrodenanschluß 3 zum Be­ reitstellen der Hochspannung für die Konvergenzelektroden, d. h. der Konvergenzspannung, und ein Erdanschluß 4. Außer­ dem ist auf der isolierenden Platte 1 eine spannungsteilende Widerstandsschicht 5 ausgebildet, die eine zickzackför­ mige Teilschicht 5a mit einem vorgegebenen Widerstand um­ faßt, die den Konvergenzelektrodenanschluß 3 mit dem Erd­ anschluß 4 verbindet. Eine andere zickzackförmige Teil­ schicht 5b, ebenfalls mit vorgegebenem Widerstand verbin­ det den Anodenanschluß 2 mit dem Konvergenzelektrodenan­ schluß 3. Eine einstellbare Widerstandsschicht 5c stellt Verbindungen zwischen dem Konvergenzelektrodenanschluß 3 und den Teilschichten 5a und 5b her. Der Widerstand der Teilschichten 5a und 5b kann dadurch eingestellt werden, daß die einstellbare Widerstandsschicht 5c beim Herstellen des Widerstandes 7 teilweise entfernt wird. Auf der Wider­ standsschicht ist darüberhinaus eine abdeckende Isolator­ schicht 6 z. B. aus Flintglas aufgebracht, die in Fig. 1 schraffiert dargestellt ist.
Der Widerstand 7 ist in eine Farbbildröhre in einer Art eingebaut, wie dies in Fig. 3 dargestellt ist. Ein Elek­ tronenstrahlerzeugungssystem 9 ist im Hals 8a des Mantels einer Kathodenstrahlröhre 8 eingebaut. Das System verfügt über drei Kathoden K sowie über eine Anordnung eines er­ sten Gitters G1, eines zweiten Gitters G2, eines dritten Gitters G3, eines vierten Gitters G4 und eines fünften Gitters G5, die jeweils gemeinsam den drei Kathoden K zu­ gehören. Konvergenzelektroden 10 folgen auf das fünfte Gitter G5. Die fünf Gitter G1-G5 und die Konvergenzelek­ troden 10 sind mechanisch über einen Glasstift 11 miteinander verbunden. Das dritte und das fünfte Gitter G3 und G5 sind darüberhinaus elektrisch durch einen Draht 13 miteinander verbunden. Die Konvergenzelektroden 10 umfassen ein Paar innerer Ablenkplatten 10a und 10b, die einander gegenüber­ stehen, und die elektrisch an das fünfte Gitter G5 über eine leitfähige Platte 14 angeschlossen sind. Ein Paar äußerer Ablenkplatten 10c und 10d steht den inneren Platten 10a bzw. 10b gegenüber.
Der Widerstand 7 gemäß den Fig. 1 und 2 ist am System 9 so angebracht, daß der Anodenanschluß 2 über ein leitfähiges Teil 12 mit dem fünften Gitter G5 in Verbindung steht. Auf der Innenfläche des trichterförmigen Mantels 8b der Röhre 8 ist eine Graphitschicht 15 angebracht, die sich bis ins Innere des Halses 8a erstreckt. Die Anodenspannung wird durch einen in Fig. 3 nicht dargestellten Anodenanschluß im Mantel 8b der Graphitschicht 15 zugeführt. Eine leit­ fähige Platte 14 weist leitende Federn 16 auf, die die Graphitschicht 15 kontaktieren, so daß die Anodenspannung dem fünften Gitter G5, dem dritten Gitter G3, den inneren Ablenkplatten 10a und 10b der Konvergenzelektroden 10 und dem Anodenanschluß 2 des Widerstands 7 zugeführt wird. Der Konvergenzelektrodenanschluß 3 des Widerstandes 7 ist über ein leitfähiges Verbindungsstück 17 mit den äußeren Ablenk­ platten 10c und 10d der Konvergenzelektroden 10 verbunden. Der Erdanschluß 4 steht mit einem Erdanschlußstift 19 am Sockel 18 am Ende des Halses 8a der Röhre 8 in Verbindung und ist dadurch direkt oder über einen einstellbaren Wider­ stand geerdet, der außerhalb der Röhre 8 angeordnet ist. Dadurch wird die Konvergenzspannung, die am Konvergenz­ elektrodenanschluß 3 als Ergebnis des Teilens der Anoden­ spannung durch die Teilwiderstandsschichten 5a und 5b er­ halten wird, den äußeren Ablenkplatten 10c und 10d der Konvergenzelektroden 10 zugeführt.
In einer Kathodenstrahlröhre mit einem System 9 und einem Widerstand 7 bestehen häufig scharfkantige Vorsprünge am System 9, was zu unerwünschten Entladungen beim Betrieb führt. Daher wird die Röhre beim Herstellen abgespratzt, was durch Anlegen hoher Spannungen erfolgt, wodurch elek­ trische Entladungen auftreten, die die scharfkantigen Vor­ sprünge abschmelzen. Beim Abspratzen wird dem dritten und dem fünften Gitter G3 bzw. G5 und dem Anodenanschluß 2 des Widerstandes 7 eine hohe Spannung zugeführt, die doppelt oder dreimal so hoch ist wie die Anodenspannung im prakti­ schen Betrieb. Das erste, zweite und vierte Gitter G1, G2 bzw. G4 sind geerdet.
Beim Abspratzen wird die Oberfläche der abdeckenden Isolier­ schicht 6 bis auf einen gewissen Teil derselben auf ein ver­ hältnismäßig hohes Potential aufgeladen, das höher ist als beim praktischen Betrieb der Röhre, insbesondere auf der Niederspannungsseite der Teilschicht 5a. In Fig. 4 ist das Potential auf der Oberfläche der abdeckenden Isolierschicht 6 und das Potential der Teilschicht 5a zwischen dem Erdan­ schluß 4 und dem Konvergenzelektrodenanschluß 3 beim Ab­ spratzen in den Fig. a bzw. b dargestellt. Darüberhinaus ist die Potentialdifferenz zwischen den Spannungswerten der Kurven a und b in Kurve c dargestellt. Auf der Ordinate ist die Spannung V und auf der Abszisse ist der Abstand eines Meßpunktes auf der Oberfläche der isolierenden Plat­ te 1 vom Erdanschluß 4 in Richtung auf den Konvergenzelek­ trodenanschluß 3 des Widerstandes 7 dargestellt. Wie aus Fig. 4 ersichtlich, erreicht die Potentialdifferenz zwi­ schen der Teilschicht 5a und der Oberfläche der Isolier­ schicht 6 ein Maximum an einem Punkt P, der nahe beim drit­ ten Gitter G3 liegt, dem die Abspratzspannung auf der Nie­ derspannungsseite der Widerstandsteilschicht 5a zugeführt wird. Die maximale Spannung wird der Isolierschicht 6 also am Punkt P zugeführt. Es besteht die Gefahr, daß an dieser Stelle um das dritte Gitter G3 herum eine Spannung zuge­ führt wird, die die Durchbruchsspannung der abdeckenden Isolierschicht 6 übersteigt, was die Dielektrizitätseigen­ schaften dieser Schicht ändern kann oder zum Durchbruch im Dielektrikum führen kann. Die Teilwiderstandsschicht 5a kann dadurch so beschädigt werden, daß sich ihr Widerstand deutlich ändert.
Um eine derartige Veränderung des Widerstandes der Teil­ widerstandsschicht 5a durch Änderung der dielektrischen Eigenschaften der Isolierschicht 6 zu verhindern, könnte es von Vorteil sein, die Dicke der Isolierschicht 6 zu er­ höhen.
Es erhöht jedoch die Herstellkosten für den Widerstand 7, wenn die Dicke der Isolierschicht 6 unbedacht erhöht wird. Darüberhinaus besteht die Gefahr, daß eine Isolierschicht 6 erhöhter Dicke zu einem unerwünschten Verziehen des Wider­ standes 7 aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungs­ koeffizienten zwischen der Isolierplatte 1 und der abdecken­ den Isolierschicht 6 führt. Die Isolierschicht 6 kann sich von der Isolierplatte 1 ablösen, oder sie kann durch wieder­ holte Temperaturwechsel, die durch Ein- und Ausschalten der Röhre hervorgerufen sind, Risse ausbilden. Dies setzt die Zuverlässigkeit des Widerstandes 7 herab.
Aus DE-GM 74 20 210 ist ein Widerstand mit einer isolierenden Platte bekannt, auf der ein erster Elektrodenanschluß und ein zweiter Elek­ trodenanschluß vorhanden sind, mit einer Widerstandsschicht, die den ersten mit dem zweiten Elektrodenanschluß verbindet, wobei die Wi­ derstandsschicht so ausgebildet ist, daß der Widerstand pro Längen­ einheit der isolierenden Platte in einem ersten Bereich (Elektrodennah) größer ist als in einem zweiten Bereich (Mittelbereich). Hierdurch er­ gibt sich eine ungleichmäßige Aufteilung des Gesamtwiderstandes über der Plattenlänge.
Der Widerstand kann auch gemäß AT 150 922 durch Änderung des Querschnitts, der Dicke, der Breite und der spezifischen Widerstände variiert werden.
Auf DE 27 52 922 A1 nennt einen Schichtwiderstand, der durch Ver­ änderung seiner Breite bei der Herstellung variabel ist. Ähnlich äußert sich DD 50 893, bei der die Dicke der Widerstandschicht verändert wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Widerstand der eingangs genannten Art anzugeben, der einfach und zu­ verlässig hergestellt werden kann und den Abspratzvorgang mit großer Sicherheit unbeschädigt übersteht.
Die Erfindung ist durch die Merkmale des Hauptanspruchs ge­ geben. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand von Un­ teransprüchen.
Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß die eine Widerstandsteil­ schicht 5a - jetzt als 5′a bezeichnet -, die den Konvergenzelektrodenanschluß 3 und den Erdanschluß 4 verbindet, in einen unteren Bereich 5′al und einen oberen Bereich 5′ah mit unterschiedlichem Widerstand pro Längeneinheit der isolierenden Platte 1 unterteilt ist. Dabei ist der Widerstand pro Längeneinheit der isolierenden Platte 1 im unteren Be­ reich 5′al größer als im oberen Bereich 5′ah.
Die beiden Bereiche 5′al und 5′ah grenzen an einem Punkt aneinander, der dem bereits oben genannten Punkt hoher Potentialdifferenz ent­ sprechen sollte.
Wenn bei diesem Aufbau dem ersten Anschluß eine hohe Span­ nung und dem zweiten eine niedrige Spannung zugeführt wird, steigt das Potential in der Widerstandsschicht vom zweiten Anschluß zum genannten Punkt hoher Potentialdifferenz stark an, wodurch das Potential im Bereich um den genannten Punkt herum erhöht wird, so daß die Potentialdifferenz zwischen der Oberfläche der abdeckenden Isolierschicht und der Wider­ standsschicht, d. h. die an der Isolierschicht anliegende Spannung verringert wird. Infolgedessen erleidet die ab­ deckende Isolierschicht keine Verschlechterung ihrer dielek­ trischen Eigenschaften, was zur Folge hätte, daß sich der Widerstand der Widerstandsschicht unerwartet ändert, und zwar auch nicht im Bereich hoher Potentialdifferenz beim Abspratzen.
Um die beschriebene Widerstandsaufteilung zu erhalten, be­ stehen folgende Möglichkeiten, von denen hier verschiedene Ausführungsbeispiele beispielhaft angegeben werden. Bei einer Ausführungsform ist die Widerstandsschicht auf der Isolierplatte aus einem Material mit homo­ genem Widerstandsmaterial und mit konstantem Querschnitt ausgebil­ det. Das Muster der Widerstandsschicht ist jedoch so, daß deren wirksame Länge pro Längeneinheit der Isolierplatte zwischen dem zweiten Elektrodenanschluß und dem Punkt hoher Potentialdifferenz länger ist als zwischen dem genannten Punkt und dem ersten Elektrodenanschluß.
Bei einer anderen Ausführungsform werden für die Unterbe­ reiche der Widerstandsschicht Materialien unterschied­ licher spezifischer Widerstände oder unterschiedlicher Querschnitte verwendet.
Bei anderen Ausführungsformen liegen Kombinationen der bei­ den genannten Ausführungsformen vor.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Figuren näher veranschaulicht.Es zeigt
Fig. 5 eine Draufsicht auf eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Widerstandes;
Fig. 6 eine Darstellung zum Erläutern des Potentialver­ laufs im Widerstand gemäß Fig. 5;
Fig. 7, 8, 9, 10 und 11 Draufsichten und eine Seitenan­ sicht auf andere Ausführungsformen erfindungsge­ mäßer Widerstände; und
Fig. 12 ein Diagramm, das den Zusammenhang unerwünschter Widerstandsänderungen beim Abspratzen darstellt, und zwar für einen früher vorgeschlagenen und für einen erfindungsgemäßen Widerstand.
Die Darstellung gemäß Fig. 5 entspricht der von Fig. 1. Es ist wiederum der Blick auf eine Isolierplatte 1 auf eine Widerstandsschicht 5, die durch die abdeckende Isolier­ schicht hindurch zu sehen ist. Bei Fig. 5 und den folgenden Figuren werden nur Änderungen gegenüber dem Widerstand gemäß den Fig. 1 und 2 beschrieben.
Die auf der isolierenden Platte 1 aufgebrachte und durch die nicht dargestellte Isolierschicht aus Flintglas abgedeckte Widerstandsschicht 5 weist einen zickzackförmigen Teilbe­ reich 5′a auf, der den Konvergenzelektrodenanschluß 3 mit dem Erdanschluß 4 verbindet. Die Teilschicht 5c mit ein­ stellbarem Widerstand verbindet wiederum den Konvergenz­ elektrodenanschluß 5 mit den Widerstandsteilschichten 5′a und 5b.
Die spannungsteilende Widerstandsschicht 5 besteht aus einem im wesentlichen homogenen Material mit im wesentlichen kon­ stantem Querschnitt. Die Breite der Mäanderlinien des Zick­ zackmusters der Teilschicht 5′a ist über die ganze Länge im, wesentlichen konstant. Jedoch ist in einem unteren Bereich 5′al der gegenseitige Abstand der Mäanderlinien P1 zwischen dem Erdanschluß 4 und einem Punkt P′ auf der isolierenden Platte 1 gering, wobei der Punkt P′ dem Punkt P des Wider­ standes 7 gemäß den Fig. 1, 2 und 4 entspricht. Ein oberer Bereich 5′ah weist einen großen Abstand P2 (P2<P1) der Mäanderlinien auf. Er erstreckt sich im Anschluß an den unteren Bereich 5′al zwischen dem Punkt P′ und dem Kon­ vergenzelektrodenanschluß 3. Der Punkt P′ liegt an einer Stelle, an der die Potentialdifferenz zwischen dem Wider­ standsteilbereich 5′a und der Oberfläche der Isolierschicht maximal ist, wenn der Widerstand zusammen mit einem Elek­ tronenstrahlerzeugungssystem 9 in einer Kathodenstrahlröhre gemäß Fig. 3 verwendet wird, und ihm an seinem Anodenan­ schluß 2 die Anodenspannung zugeführt wird. Der Punkt P′ wird im folgenden teilweise als Punkt maximaler Potential­ differenz bezeichnet.
Bei der derartig aufgebauten Teilwiderstandsschicht 5′a in­ nerhalb der spannungsteilenden Widerstandsschicht 5 auf der Isolierplatte 1 ist es also so, daß die wirksame Länge des unteren Bereiches 5′al mit geringem Abstand P1 pro Längeneinheit der isolierenden Platte 1 größer ist als die wirksame Länge des oberen Bereiches 5′ah des größeren Abstandes P2. Daher ist der Widerstand der Teilschicht 5′a pro Einheitslänge der Isolierplatte 1 zwischen dem Erdan­ schluß 4 und dem Punkt P′ maximaler Potentialdifferenz grö­ ßer als derjenige zwischen diesem Punkt und dem Konvergenz­ elektrodenanschluß 3.
Wenn dementsprechend der Widerstand gemäß Fig. 5 zusammen mit einem Elektronenstrahlerzeugungssystem 9 in einer Katho­ denstrahlröhre gemäß Fig. 3 auf gleiche Art und Weise wie der früher vorgeschlagene Widerstand 7 verwendet wird, und die Abspratzspannung und Erdpotential an den Anodenanschluß 2 bzw. den Erdanschluß 4 gelegt werden, steigt das Potential im unteren Bereich 5′al der Teilschicht 5′a stark vom Erdanschluß 4 bis zum Punkt P′ maximaler Potentialdifferenz an, während im Gegensatz dazu das Potential im oberen Bereich 5′ah langsamer vom Punkt P′ zum Konvergenzelektro­ denanschluß 3 hin ansteigt, wie dies in der Kurve b′ in Fig. 6 dargestellt ist. Dabei ist auf der Ordinate die Span­ nung und auf der Abszisse der Abstand eines Meßpunktes an der Oberfläche der Isolierplatte 1 vom Erdanschluß 4 auf den Konvergenzelektrodenanschluß 3 hin aufgetragen. Dem­ gemäß hat sich das Potential in der Teilschicht 5′a am Punkt P′ maximaler Potentialdifferenz im Vergleich zum Potential am entsprechenden Punkt beim früher vorgeschla­ genen Widerstand 7 erhöht. Das Potential beim früher vor­ geschlagenen Widerstand ist durch die Kurve b in Fig. 6 dargestellt. Dementsprechend hat sich die Differenz zwi­ schen dem Potential an der Oberfläche der abdeckenden Iso­ lierschicht, das in einer Kurve a′ in Fig. 6 dargestellt ist, und dem Potential an der Widerstandsteilschicht 5′a verrin­ gert. d. h. die an der Isolierschicht anliegende Spannung hat sich, verglichen zu der, die an der Isolierschicht des früher vorgeschlagenen Widerstandes 7 vorlag, verringert.
Es sei angenommen, daß die wirksame Länge des unteren Bereiches 5′al der Teilschicht 5′a den Wert Xl hat. Die wirksame Länge des oberen Bereiches 5′ah sei Xh. Das Potential am Konvergenzelektrodenanschluß 3 sei Vc und das Potential an der Erdelektrode 4 sei Ve. Das Potential V′p an der Teilschicht 5′a am Punkt P′ maximaler Potential­ differenz ist dann gegeben durch:
V′p=Ve+(Vc-Ve) · Xl/(Xl+xh).
Wenn darüberhinaus das Potential an der abdeckenden Isolier­ schicht am Punkt P′ maximaler Potentialdifferenz Vs ist, gilt für die Potentialdifferenz (Vs-V′p), die an der Iso­ lierschicht anliegt:
Vs-V′p=Vs-Ve-(Vc-Ve) · Xl/(Xl+Xh).
Die wirksamen Längen Xl und Xh werden so gewählt, daß die Potentialdifferenz (Vs-V′p) geringer ist als die obere Spannung, der die Isolierschicht noch widersteht.
Auch beim Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 7 besteht die Wi­ derstandsteilschicht 5′a aus einem im wesentlichen homoge­ nen Widerstandsmaterial mit im wesentlichen konstanten Querschnitt mit zickzackförmigen Linien, die sich vom Kon­ vergenzelektrodenanschluß 3 zum Erdanschluß 4 erstrecken. Der gegenseitige Abstand der zickzackförmigen Mäanderlinien ist im unteren Bereich 5′al und im oberen Bereich 5′ah im wesentlichen derselbe. Jedoch ist die höhe h1 im unteren Bereich 5′al größer als die Höhe h2 im oberen Bereich 5′ah (h1<h2).
Daher ist auch bei diesem Bereich die wirksame Länge im un­ teren Bereich 5′al pro Längeneinheit der isolierenden Platte 1 größer als die wirksame Länge im oberen Be­ reich 5′ah. Dies führt zum Erzielen der Vorteile, die anhand des Ausführungsbeispieles von Fig. 5 bereits erläutert wur­ den.
Bei den Ausführungsbeispielen gemäß den Fig. 8-11 weisen der untere Bereich 5′al und der obere Bereich 5′ah des Widerstandsteilbereiches 5′a im wesentlichen konstante Höhe der Mäanderlinien auf, wie dies auch beim Beispiel der Fig. 5 der Fall ist. Durch unterschiedliche Maßnahmen ist wieder erreicht, daß der Widerstand pro Längeneinheit im unteren Unterbereich 5′al größer ist als im oberen Unterbe­ reich 5′ah.
Beim Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 8 besteht die Teil­ schicht 5′a aus im wesentlichen homogenem Widerstandsma­ terial. Die Breite w1 der Widerstandsschicht im unteren Bereich 5′al ist geringer als die Breite w2 im oberen Bereich 5′ah, so daß der Querschnitt der Widerstands­ schicht im unteren Bereich 5′al geringer ist als im oberen Bereich 5′ah.
Beim Beispiel gemäß Fig. 9 bestehen die beiden Bereiche 5′al und 5′ah aus Materialien unterschiedlicher spezifischer Widerstände. Der spezifische Widerstand m1 des Materials im unteren Bereich 5′al ist größer als der spezifische Widerstand m2 des Widerstandsmaterials, das beim Herstellen des oberen Bereiches 5′ah verwendet ist.
Beim Beispiel gemäß den Fig. 10 und 11 (Fig. 11 stellt einen Längsschnitt entlang der Linie XI-XI von Fig. 10 dar) be­ steht die Teilschicht 5′a aus im wesentlichen homogenem Wi­ derstandsmaterial. Die Dicke t1 im unteren Bereich 5′al ist geringer als die Dicke t2 im oberen Bereich 5′ah, so daß der Querschnitt der Widerstandsschicht im unteren Bereich 5′al geringer ist als im oberen Bereich 5′ah.
Bei allen Ausführungsbeispielen gemäß den Fig. 8-11 ist es also so, daß der Widerstand der Teilschicht 5′a pro Längeneinheit der Isolierplatte im Bereich zwischen dem Erdan­ schluß 4 und dem Punkt P′ maximaler Potentialdifferenz größer ist als im unteren Bereich zwischen dem genannten Punkt P′ und dem Konvergenzelektrodenanschluß 3. Wenn dementsprechend ein derartiger Widerstand mit einem System 9 bei einer Röhre gemäß Fig. 3 verwendet wird, tritt beim Abspratzen wiederum die verringerte Potentialdifferenz an der Isolierschicht 6 auf, so daß die Gefahr, diese zu beschädigen, wiederum ver­ ringert ist.
Für das Potential V′p an der Widerstandsteilschicht 5′a am Punkt P′ maximaler Potentialdifferenz gilt:
V′p=Ve+(Vc-Ve) · Rl/(Rl+Rh),
wobei
Rl: Widerstand des unteren Bereiches 5′al,
Rh: Widerstand des oberen Bereiches 5′ah,
Vc: Potential am Konvergenzelektrodenanschluß 3,
Ve: Potential am Erdanschluß 4.
Wenn das Potential an der Isolierschicht am Punkt P′ den Wert Vs einnimmt, gilt für die an der Isolierschicht anlie­ gende Potentialdifferenz (Vs-V′p):
Vs-V′p=Vs-Ve-(Vc-Ve) · Rl/(Rl+Rh).
Die Widerstände Rl und Rh werden so ausgewählt, daß die Po­ tentialdifferenz (Vs-V′p) geringer wird als der obere Grenzwert der Spannung, die zu keiner Beschädigung der ab­ deckenden Isolierschicht führt.
In Fig. 12 ist der Zusammenhang zwischen der Abspratzspan­ nung und Änderungen des Widerstandes der Widerstandsteil­ schicht 5a für einen früher vorgeschlagenen Widerstand 7 in einer Kurve c′ dargestellt. Dagegen ist dieselbe Bezie­ hung für Änderungen des Widerstandes der Widerstandsteil­ schicht 5′a eines erfindungsgemäßen Widerstandes in einer Kurve d′ dargestellt. Auf der Ordinate sind Änderungen ΔR des Widerstandes und auf der Abszisse Abspratzspannungen Vn aufgetragen. Aus den Beziehungen ist ersichtlich, daß die Widerstandsteilschicht 5′a bei einem erfindungsgemäßen Wi­ derstand keine Widerstandsänderungen bei herkömmlichen Ab­ spratzverfahren erfährt, sondern daß erst bei außerordent­ lich hohen Abspratzspannungen kleine Änderungen auftreten.
Der Widerstand 7 kann auch eine Widerstandsteilschicht 5′a aufweisen, die eine Kombination von Merkmalen von zwei oder mehreren der oben be­ schriebenen Ausführungsbeispielen aufweist.
Bei den Ausführungsbeispielen wurde davon ausgegangen, daß die Stelle, an der der untere Bereich 5′al und der obere Bereich 5′ah der Teilschicht 5′a auf der Isolier­ platte 1 aneinanderstoßen, genau mit dem Punkt P′ maxi­ maler Pootentialdifferenz übereinstimmt. Dies ist allerdings nicht erforderlich. Die Stelle kann auch in einem Bereich nahe beim Punkt P′ maximaler Potentialdifferenz liegen.
Bei einem erfindungsgemäßen Widerstand ist also die Potential­ differenz zwischen der Widerstandsschicht auf der iso­ lierenden Platte und der Oberfläche der die Widerstands­ schicht abdeckenden Isolierschicht gegenüber bekannten Widerständen vor allem an der Stelle wirksam verringert, in der diese Potentialdifferenz einen verhältnismäßig hohen Wert erreicht, wenn dem Widerstand eine verhältnismäßig hohe Spannung nach dem Einbau in eine Kathodenstrahlröhre zuge­ führt wird. Die abdeckende Isolierschicht erfährt auch beim Abspratzen keine Verschlechterung ihrer Eigenschaften, was zur Folge hat, daß Widerstandsänderungen in der Widerstands­ schicht kaum auftreten. Da dies ohne Erhöhen der Dicke der Widerstandsschicht erzielt wird, verwindet sich ein erfin­ dungsgemäßer Widerstand nicht aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten der isolierenden Platte und der abdeckenden Isolierschicht. Die Isolierschicht blät­ tert von der Isolierplatte nicht ab, und sie erhält keine Risse. Sie kann verhältnismäßig billig hergestellt werden.

Claims (9)

1. Widerstand für das Elektronenstrahlerzeugungssystem einer Katho­ denstrahlröhre, mit
  • - einer isolierenden Platte (1), auf der ein Anodenanschluß (2), ein Konver­ genzelektrodenanschluß (3) und ein Erdanschluß (4) vorgesehen sind,
  • - einer Widerstandsschicht (5), deren erste Teilschicht (5b) den Anodenan­ schluß (2) mit dem Konvergenzelektrodenanschluß (3) verbindet und de­ ren zweite Teilschicht (5′a) den Konvergenzelektrodenanschluß (3) mit dem Erdanschluß (4) verbindet und
  • - mit einer die Widerstandsschicht (5) abdeckenden Isolierschicht (6),
dadurch gekennzeichnet, daß
  • - die zweite Teilschicht (5′a) aus einem erdanschlußseitigen unteren Be­ reich (5′al) und einem konvergenzelektrodenseitigen oberen Bereich (5′ah) besteht, und
  • - daß die beiden Bereiche (5′al, 5′ah) einen voneinander unterschiedlichen Widerstand pro Längeneinheit der isolierenden Platte (1) aufweisen.
2. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wider­ standsschicht (5′a) aus einem homogenen Widerstandsmaterial mit konstantem Querschnitt besteht, und daß ihre wirksame Länge pro Längeneinheit der iso­ lierenden Platte (1) im unteren Bereich (5′al) länger als im oberen Bereich (5′ah).
3. Widerstand nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Wider­ standsschicht (5′a) zickzackförmig mit konstanter Höhe der Mäanderlinien aus­ gebildet ist, und der gegenseitige Abstand der Mäanderlinien (P1) im unteren Be­ reich (5′al) kleiner ist als der gegenseitige Abstand (P2) im oberen Bereich (5′ah).
4. Widerstand nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (5′a) zickzackförmig mit konstantem Abstand der Mäander­ linien ausgebildet ist, und die Höhe der Mäanderlinien (W1) im unteren Bereich (5′al) kleiner ist als im oberen Bereich (5′ah).
5. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wider­ standsschicht (5′a) aus homogenem Widerstandsmaterial mit unterschiedlichen Querschnitten so ausgebildet ist, daß der Widerstand pro Längeneinheit im unteren Bereich (5′al) größer ist als im oberen Bereich (5′ah).
6. Widerstand nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Wider­ standsschicht (5′a) mit konstanter Dicke, aber mit einer Breite ausgebildet ist, die im unteren Bereich (5′al) geringer ist als im oberen (5′ah).
7. Widerstand nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Wider­ standsschicht (5′a) mit konstanter Breite, aber einer Dicke ausgebildet ist, die im ersten Bereich (5′al) geringer ist als im oberen Bereich (5′ah).
8. Widerstand nach einem der Ansprüche 1-7, dadurch gekennzeichnet, daß der untere Bereich (5′al) der Widerstandsschicht aus einem ersten Material mit vorgegebenem spezifischen Widerstand gebildet ist und der obere Bereich (5′ah) aus einem solchen Widerstandsmaterial besteht, dessen spezifischer Wi­ derstand geringer ist als der des Materials des unteren Bereichs (5′al).
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60212943A (ja) * 1984-04-06 1985-10-25 Sony Corp 陰極線管の内蔵抵抗器
GB2181009B (en) * 1985-09-23 1989-11-29 Fluke Mfg Co John Apparatus and method for providing improved resistive ratio stability of a resistive divider network
JPS6313242A (ja) * 1986-07-04 1988-01-20 Sony Corp 陰極線管の内蔵抵抗器
JPS63108649A (ja) * 1986-10-24 1988-05-13 Sony Corp カラ−陰極線管
JPS63184231A (ja) * 1987-01-24 1988-07-29 Sony Corp 陰極線管のノツキング処理方法
US5210464A (en) * 1991-05-15 1993-05-11 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Cavity resonance absorption in ultra-high bandwidth CRT deflection structure by a resistive load
JPH09320485A (ja) * 1996-03-26 1997-12-12 Sony Corp カラー陰極線管
JPH10255682A (ja) * 1997-03-14 1998-09-25 Sony Corp 陰極線管
DE19844721A1 (de) * 1998-09-29 2000-04-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit verbesserter Elektrodenkonfiguration
JP4836070B2 (ja) * 2005-11-21 2011-12-14 独立行政法人日本原子力研究開発機構 高耐久型高抵抗器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE7420210U (de) * 1974-10-10 Crl Electronic Bauelemente Gmbh Elektrischer Widerstand
DE511398C (de) * 1927-10-11 1930-10-29 G Nickel Dr Anordnung zur beliebigen Verteilung der AEquipotentialflaechen in Widerstaenden aus drahtlosem Material
AT150922B (de) * 1935-02-05 1937-10-11 Kremenezky Ag Joh Widerstandssatz.
JPS5514627A (en) * 1978-07-15 1980-02-01 Sony Corp Voltage dividing resistor for electron gun structure
US4349767A (en) * 1977-01-17 1982-09-14 Sony Corporation Cathode ray tube resistance of ruthenium oxide and glass containing alumina powder
JPS5389360A (en) * 1977-01-17 1978-08-05 Sony Corp Electronic gun constituent
DE2752922A1 (de) * 1977-11-26 1979-05-31 Philips Patentverwaltung Schichtwiderstand
GB1596597A (en) * 1978-04-29 1981-08-26 Ferranti Ltd Cathode ray tubes
JPS55159548A (en) * 1979-05-30 1980-12-11 Toshiba Corp Electron gun structure
EP0036901A1 (de) * 1980-04-01 1981-10-07 Norddeutsche Mende Rundfunk KG Anordnung zur Erzeugung von gebündelten Elektronenstrahlen in einem Vakuum-Entladungsgefäss

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