DE3445706C2 - Widerstand für das Elektronenstrahlerzeugungssytem einer Kathodenstrahlröhre - Google Patents
Widerstand für das Elektronenstrahlerzeugungssytem einer KathodenstrahlröhreInfo
- Publication number
- DE3445706C2 DE3445706C2 DE3445706A DE3445706A DE3445706C2 DE 3445706 C2 DE3445706 C2 DE 3445706C2 DE 3445706 A DE3445706 A DE 3445706A DE 3445706 A DE3445706 A DE 3445706A DE 3445706 C2 DE3445706 C2 DE 3445706C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- resistance
- layer
- resistor
- region
- lower region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/22—Elongated resistive element being bent or curved, e.g. sinusoidal, helical
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/485—Construction of the gun or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/50—Electron guns two or more guns in a single vacuum space, e.g. for plural-ray tube
- H01J29/503—Three or more guns, the axes of which lay in a common plane
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Widerstand gemäß dem Oberbe
griff des Hauptanspruchs, für das Elektronenstrahlerzeu
gungssystem einer Kathodenstrahlröhre. Ein solcher Wider
stand dient dazu, unterschiedliche Hochspannungen für die
Elektroden des Systems zur Verfügung zu stellen.
Ein derartiger Widerstand ist aus der US 43 49 767 bekannt.
Für einen Farbfernsehempfänger ist bereits eine Farbkatho
denstrahlröhre vorgeschlagen worden, in der Hochspannungen
einer Konvergenzelektrode zum Konvergieren der mehreren
Elektronenstrahlen und Fokussierelektroden zum Fokussieren
eines jeden Elektronenstrahles zugeführt werden. Zusätzlich
ist die Anodenspannung zuzuführen. Hierzu wird am Elektro
nenstrahlerzeugungssystem, das die Konvergenzelektroden,
die Fokussierelektroden und andere Elektroden aufweist,
ein Widerstand verwendet, der die verhältnismäßig hohen
Spannungen für die einzelnen Elektroden erzeugt.
Der Aufbau des Widerstandes ist in den
Fig. 1 und 2 dargestellt, von denen Fig. 1 eine Draufsicht
und Fig. 2 eine Seitenansicht darstellt. Der Widerstand 7
weist eine isolierende Platte 1 z. B. aus einem keramischen
Material auf, auf deren Oberfläche mehrere Anschlüsse durch
voneinander getrennte leitfähige Schichten ausgebildet sind.
Es liegen ein Anodenanschluß 2 vor, dem die Anodenspannung
zugeführt wird, ein Konvergenzelektrodenanschluß 3 zum Be
reitstellen der Hochspannung für die Konvergenzelektroden,
d. h. der Konvergenzspannung, und ein Erdanschluß 4. Außer
dem ist auf der isolierenden Platte 1 eine spannungsteilende
Widerstandsschicht 5 ausgebildet, die eine zickzackför
mige Teilschicht 5a mit einem vorgegebenen Widerstand um
faßt, die den Konvergenzelektrodenanschluß 3 mit dem Erd
anschluß 4 verbindet. Eine andere zickzackförmige Teil
schicht 5b, ebenfalls mit vorgegebenem Widerstand verbin
det den Anodenanschluß 2 mit dem Konvergenzelektrodenan
schluß 3. Eine einstellbare Widerstandsschicht 5c stellt
Verbindungen zwischen dem Konvergenzelektrodenanschluß 3
und den Teilschichten 5a und 5b her. Der Widerstand der
Teilschichten 5a und 5b kann dadurch eingestellt werden,
daß die einstellbare Widerstandsschicht 5c beim Herstellen
des Widerstandes 7 teilweise entfernt wird. Auf der Wider
standsschicht ist darüberhinaus eine abdeckende Isolator
schicht 6 z. B. aus Flintglas aufgebracht, die in Fig. 1
schraffiert dargestellt ist.
Der Widerstand 7 ist in eine Farbbildröhre in einer Art
eingebaut, wie dies in Fig. 3 dargestellt ist. Ein Elek
tronenstrahlerzeugungssystem 9 ist im Hals 8a des Mantels
einer Kathodenstrahlröhre 8 eingebaut. Das System verfügt
über drei Kathoden K sowie über eine Anordnung eines er
sten Gitters G1, eines zweiten Gitters G2, eines dritten
Gitters G3, eines vierten Gitters G4 und eines fünften
Gitters G5, die jeweils gemeinsam den drei Kathoden K zu
gehören. Konvergenzelektroden 10 folgen auf das fünfte
Gitter G5. Die fünf Gitter G1-G5 und die Konvergenzelek
troden 10 sind mechanisch über einen Glasstift 11 miteinander
verbunden. Das dritte und das fünfte Gitter G3 und G5 sind
darüberhinaus elektrisch durch einen Draht 13 miteinander
verbunden. Die Konvergenzelektroden 10 umfassen ein Paar
innerer Ablenkplatten 10a und 10b, die einander gegenüber
stehen, und die elektrisch an das fünfte Gitter G5 über
eine leitfähige Platte 14 angeschlossen sind. Ein Paar
äußerer Ablenkplatten 10c und 10d steht den inneren Platten
10a bzw. 10b gegenüber.
Der Widerstand 7 gemäß den Fig. 1 und 2 ist am System 9 so
angebracht, daß der Anodenanschluß 2 über ein leitfähiges
Teil 12 mit dem fünften Gitter G5 in Verbindung steht. Auf
der Innenfläche des trichterförmigen Mantels 8b der Röhre 8
ist eine Graphitschicht 15 angebracht, die sich bis ins
Innere des Halses 8a erstreckt. Die Anodenspannung wird
durch einen in Fig. 3 nicht dargestellten Anodenanschluß
im Mantel 8b der Graphitschicht 15 zugeführt. Eine leit
fähige Platte 14 weist leitende Federn 16 auf, die die
Graphitschicht 15 kontaktieren, so daß die Anodenspannung
dem fünften Gitter G5, dem dritten Gitter G3, den inneren
Ablenkplatten 10a und 10b der Konvergenzelektroden 10 und
dem Anodenanschluß 2 des Widerstands 7 zugeführt wird. Der
Konvergenzelektrodenanschluß 3 des Widerstandes 7 ist über
ein leitfähiges Verbindungsstück 17 mit den äußeren Ablenk
platten 10c und 10d der Konvergenzelektroden 10 verbunden.
Der Erdanschluß 4 steht mit einem Erdanschlußstift 19 am
Sockel 18 am Ende des Halses 8a der Röhre 8 in Verbindung
und ist dadurch direkt oder über einen einstellbaren Wider
stand geerdet, der außerhalb der Röhre 8 angeordnet ist.
Dadurch wird die Konvergenzspannung, die am Konvergenz
elektrodenanschluß 3 als Ergebnis des Teilens der Anoden
spannung durch die Teilwiderstandsschichten 5a und 5b er
halten wird, den äußeren Ablenkplatten 10c und 10d der
Konvergenzelektroden 10 zugeführt.
In einer Kathodenstrahlröhre mit einem System 9 und einem
Widerstand 7 bestehen häufig scharfkantige Vorsprünge am
System 9, was zu unerwünschten Entladungen beim Betrieb
führt. Daher wird die Röhre beim Herstellen abgespratzt,
was durch Anlegen hoher Spannungen erfolgt, wodurch elek
trische Entladungen auftreten, die die scharfkantigen Vor
sprünge abschmelzen. Beim Abspratzen wird dem dritten und
dem fünften Gitter G3 bzw. G5 und dem Anodenanschluß 2 des
Widerstandes 7 eine hohe Spannung zugeführt, die doppelt
oder dreimal so hoch ist wie die Anodenspannung im prakti
schen Betrieb. Das erste, zweite und vierte Gitter G1, G2
bzw. G4 sind geerdet.
Beim Abspratzen wird die Oberfläche der abdeckenden Isolier
schicht 6 bis auf einen gewissen Teil derselben auf ein ver
hältnismäßig hohes Potential aufgeladen, das höher ist als
beim praktischen Betrieb der Röhre, insbesondere auf der
Niederspannungsseite der Teilschicht 5a. In Fig. 4 ist das
Potential auf der Oberfläche der abdeckenden Isolierschicht 6
und das Potential der Teilschicht 5a zwischen dem Erdan
schluß 4 und dem Konvergenzelektrodenanschluß 3 beim Ab
spratzen in den Fig. a bzw. b dargestellt. Darüberhinaus
ist die Potentialdifferenz zwischen den Spannungswerten
der Kurven a und b in Kurve c dargestellt. Auf der Ordinate
ist die Spannung V und auf der Abszisse ist der Abstand
eines Meßpunktes auf der Oberfläche der isolierenden Plat
te 1 vom Erdanschluß 4 in Richtung auf den Konvergenzelek
trodenanschluß 3 des Widerstandes 7 dargestellt. Wie aus
Fig. 4 ersichtlich, erreicht die Potentialdifferenz zwi
schen der Teilschicht 5a und der Oberfläche der Isolier
schicht 6 ein Maximum an einem Punkt P, der nahe beim drit
ten Gitter G3 liegt, dem die Abspratzspannung auf der Nie
derspannungsseite der Widerstandsteilschicht 5a zugeführt
wird. Die maximale Spannung wird der Isolierschicht 6 also
am Punkt P zugeführt. Es besteht die Gefahr, daß an dieser
Stelle um das dritte Gitter G3 herum eine Spannung zuge
führt wird, die die Durchbruchsspannung der abdeckenden
Isolierschicht 6 übersteigt, was die Dielektrizitätseigen
schaften dieser Schicht ändern kann oder zum Durchbruch im
Dielektrikum führen kann. Die Teilwiderstandsschicht 5a
kann dadurch so beschädigt werden, daß sich ihr Widerstand
deutlich ändert.
Um eine derartige Veränderung des Widerstandes der Teil
widerstandsschicht 5a durch Änderung der dielektrischen
Eigenschaften der Isolierschicht 6 zu verhindern, könnte
es von Vorteil sein, die Dicke der Isolierschicht 6 zu er
höhen.
Es erhöht jedoch die Herstellkosten für den Widerstand 7,
wenn die Dicke der Isolierschicht 6 unbedacht erhöht wird.
Darüberhinaus besteht die Gefahr, daß eine Isolierschicht 6
erhöhter Dicke zu einem unerwünschten Verziehen des Wider
standes 7 aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungs
koeffizienten zwischen der Isolierplatte 1 und der abdecken
den Isolierschicht 6 führt. Die Isolierschicht 6 kann sich
von der Isolierplatte 1 ablösen, oder sie kann durch wieder
holte Temperaturwechsel, die durch Ein- und Ausschalten der
Röhre hervorgerufen sind, Risse ausbilden. Dies setzt die
Zuverlässigkeit des Widerstandes 7 herab.
Aus DE-GM 74 20 210 ist ein Widerstand mit einer isolierenden
Platte bekannt, auf der ein erster Elektrodenanschluß und ein zweiter Elek
trodenanschluß vorhanden sind, mit einer Widerstandsschicht, die den
ersten mit dem zweiten Elektrodenanschluß verbindet, wobei die Wi
derstandsschicht so ausgebildet ist, daß der Widerstand pro Längen
einheit der isolierenden Platte in einem ersten Bereich (Elektrodennah)
größer ist als in einem zweiten Bereich (Mittelbereich). Hierdurch er
gibt sich eine ungleichmäßige Aufteilung des Gesamtwiderstandes über
der Plattenlänge.
Der Widerstand kann auch gemäß AT 150 922 durch Änderung des
Querschnitts, der Dicke, der Breite und der spezifischen Widerstände
variiert werden.
Auf DE 27 52 922 A1 nennt einen Schichtwiderstand, der durch Ver
änderung seiner Breite bei der Herstellung variabel ist. Ähnlich äußert
sich DD 50 893, bei der die Dicke der Widerstandschicht verändert
wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Widerstand
der eingangs genannten Art anzugeben, der einfach und zu
verlässig hergestellt werden kann und den Abspratzvorgang
mit großer Sicherheit unbeschädigt übersteht.
Die Erfindung ist durch die Merkmale des Hauptanspruchs ge
geben. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand von Un
teransprüchen.
Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß die eine Widerstandsteil
schicht 5a - jetzt als 5′a bezeichnet -, die den Konvergenzelektrodenanschluß 3
und den Erdanschluß 4 verbindet, in einen unteren Bereich
5′al und einen oberen Bereich 5′ah mit unterschiedlichem Widerstand
pro Längeneinheit der isolierenden Platte 1 unterteilt ist. Dabei ist der
Widerstand pro Längeneinheit der isolierenden Platte 1 im unteren Be
reich 5′al größer als im oberen Bereich 5′ah.
Die beiden Bereiche 5′al und 5′ah grenzen an einem Punkt aneinander,
der dem bereits oben genannten Punkt hoher Potentialdifferenz ent
sprechen sollte.
Wenn bei diesem Aufbau dem ersten Anschluß eine hohe Span
nung und dem zweiten eine niedrige Spannung zugeführt wird,
steigt das Potential in der Widerstandsschicht vom zweiten
Anschluß zum genannten Punkt hoher Potentialdifferenz stark
an, wodurch das Potential im Bereich um den genannten Punkt
herum erhöht wird, so daß die Potentialdifferenz zwischen
der Oberfläche der abdeckenden Isolierschicht und der Wider
standsschicht, d. h. die an der Isolierschicht anliegende
Spannung verringert wird. Infolgedessen erleidet die ab
deckende Isolierschicht keine Verschlechterung ihrer dielek
trischen Eigenschaften, was zur Folge hätte, daß sich der
Widerstand der Widerstandsschicht unerwartet ändert, und
zwar auch nicht im Bereich hoher Potentialdifferenz beim
Abspratzen.
Um die beschriebene Widerstandsaufteilung zu erhalten, be
stehen folgende Möglichkeiten, von denen hier verschiedene
Ausführungsbeispiele beispielhaft angegeben werden. Bei
einer Ausführungsform ist die Widerstandsschicht auf der
Isolierplatte aus einem Material mit homo
genem Widerstandsmaterial und mit konstantem Querschnitt ausgebil
det. Das Muster der Widerstandsschicht ist jedoch so, daß
deren wirksame Länge pro Längeneinheit der Isolierplatte
zwischen dem zweiten Elektrodenanschluß und dem Punkt hoher
Potentialdifferenz länger ist als zwischen dem genannten
Punkt und dem ersten Elektrodenanschluß.
Bei einer anderen Ausführungsform werden für die Unterbe
reiche der Widerstandsschicht Materialien unterschied
licher spezifischer Widerstände oder unterschiedlicher
Querschnitte verwendet.
Bei anderen Ausführungsformen liegen Kombinationen der bei
den genannten Ausführungsformen vor.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Figuren näher
veranschaulicht.Es zeigt
Fig. 5 eine Draufsicht auf eine Ausführungsform eines
erfindungsgemäßen Widerstandes;
Fig. 6 eine Darstellung zum Erläutern des Potentialver
laufs im Widerstand gemäß Fig. 5;
Fig. 7, 8, 9, 10 und 11 Draufsichten und eine Seitenan
sicht auf andere Ausführungsformen erfindungsge
mäßer Widerstände; und
Fig. 12 ein Diagramm, das den Zusammenhang unerwünschter
Widerstandsänderungen beim Abspratzen darstellt,
und zwar für einen früher vorgeschlagenen und für
einen erfindungsgemäßen Widerstand.
Die Darstellung gemäß Fig. 5 entspricht der von Fig. 1. Es
ist wiederum der Blick auf eine Isolierplatte 1 auf eine
Widerstandsschicht 5, die durch die abdeckende Isolier
schicht hindurch zu sehen ist. Bei Fig. 5 und den folgenden
Figuren werden nur Änderungen gegenüber dem Widerstand gemäß
den Fig. 1 und 2 beschrieben.
Die auf der isolierenden Platte 1 aufgebrachte und durch die
nicht dargestellte Isolierschicht aus Flintglas abgedeckte
Widerstandsschicht 5 weist einen zickzackförmigen Teilbe
reich 5′a auf, der den Konvergenzelektrodenanschluß 3 mit
dem Erdanschluß 4 verbindet. Die Teilschicht 5c mit ein
stellbarem Widerstand verbindet wiederum den Konvergenz
elektrodenanschluß 5 mit den Widerstandsteilschichten 5′a
und 5b.
Die spannungsteilende Widerstandsschicht 5 besteht aus einem
im wesentlichen homogenen Material mit im wesentlichen kon
stantem Querschnitt. Die Breite der Mäanderlinien des Zick
zackmusters der Teilschicht 5′a ist über die ganze Länge im,
wesentlichen konstant. Jedoch ist in einem unteren Bereich
5′al der gegenseitige Abstand der Mäanderlinien P1 zwischen
dem Erdanschluß 4 und einem Punkt P′ auf der isolierenden
Platte 1 gering, wobei der Punkt P′ dem Punkt P des Wider
standes 7 gemäß den Fig. 1, 2 und 4 entspricht. Ein oberer
Bereich 5′ah weist einen großen Abstand P2 (P2<P1)
der Mäanderlinien auf. Er erstreckt sich im Anschluß an den
unteren Bereich 5′al zwischen dem Punkt P′ und dem Kon
vergenzelektrodenanschluß 3. Der Punkt P′ liegt an einer
Stelle, an der die Potentialdifferenz zwischen dem Wider
standsteilbereich 5′a und der Oberfläche der Isolierschicht
maximal ist, wenn der Widerstand zusammen mit einem Elek
tronenstrahlerzeugungssystem 9 in einer Kathodenstrahlröhre
gemäß Fig. 3 verwendet wird, und ihm an seinem Anodenan
schluß 2 die Anodenspannung zugeführt wird. Der Punkt P′
wird im folgenden teilweise als Punkt maximaler Potential
differenz bezeichnet.
Bei der derartig aufgebauten Teilwiderstandsschicht 5′a in
nerhalb der spannungsteilenden Widerstandsschicht 5 auf der
Isolierplatte 1 ist es also so, daß die wirksame Länge des
unteren Bereiches 5′al mit geringem Abstand P1 pro
Längeneinheit der isolierenden Platte 1 größer ist als die
wirksame Länge des oberen Bereiches 5′ah des größeren
Abstandes P2. Daher ist der Widerstand der Teilschicht 5′a
pro Einheitslänge der Isolierplatte 1 zwischen dem Erdan
schluß 4 und dem Punkt P′ maximaler Potentialdifferenz grö
ßer als derjenige zwischen diesem Punkt und dem Konvergenz
elektrodenanschluß 3.
Wenn dementsprechend der Widerstand gemäß Fig. 5 zusammen
mit einem Elektronenstrahlerzeugungssystem 9 in einer Katho
denstrahlröhre gemäß Fig. 3 auf gleiche Art und Weise wie der
früher vorgeschlagene Widerstand 7 verwendet wird, und die
Abspratzspannung und Erdpotential an den Anodenanschluß 2
bzw. den Erdanschluß 4 gelegt werden, steigt das Potential
im unteren Bereich 5′al der Teilschicht 5′a stark vom
Erdanschluß 4 bis zum Punkt P′ maximaler Potentialdifferenz
an, während im Gegensatz dazu das Potential im oberen
Bereich 5′ah langsamer vom Punkt P′ zum Konvergenzelektro
denanschluß 3 hin ansteigt, wie dies in der Kurve b′ in
Fig. 6 dargestellt ist. Dabei ist auf der Ordinate die Span
nung und auf der Abszisse der Abstand eines Meßpunktes an
der Oberfläche der Isolierplatte 1 vom Erdanschluß 4 auf
den Konvergenzelektrodenanschluß 3 hin aufgetragen. Dem
gemäß hat sich das Potential in der Teilschicht 5′a am
Punkt P′ maximaler Potentialdifferenz im Vergleich zum
Potential am entsprechenden Punkt beim früher vorgeschla
genen Widerstand 7 erhöht. Das Potential beim früher vor
geschlagenen Widerstand ist durch die Kurve b in Fig. 6
dargestellt. Dementsprechend hat sich die Differenz zwi
schen dem Potential an der Oberfläche der abdeckenden Iso
lierschicht, das in einer Kurve a′ in Fig. 6 dargestellt ist,
und dem Potential an der Widerstandsteilschicht 5′a verrin
gert. d. h. die an der Isolierschicht anliegende Spannung
hat sich, verglichen zu der, die an der Isolierschicht des
früher vorgeschlagenen Widerstandes 7 vorlag, verringert.
Es sei angenommen, daß die wirksame Länge des unteren
Bereiches 5′al der Teilschicht 5′a den Wert Xl hat. Die
wirksame Länge des oberen Bereiches 5′ah sei Xh. Das
Potential am Konvergenzelektrodenanschluß 3 sei Vc und das
Potential an der Erdelektrode 4 sei Ve. Das Potential V′p
an der Teilschicht 5′a am Punkt P′ maximaler Potential
differenz ist dann gegeben durch:
V′p=Ve+(Vc-Ve) · Xl/(Xl+xh).
Wenn darüberhinaus das Potential an der abdeckenden Isolier
schicht am Punkt P′ maximaler Potentialdifferenz Vs ist,
gilt für die Potentialdifferenz (Vs-V′p), die an der Iso
lierschicht anliegt:
Vs-V′p=Vs-Ve-(Vc-Ve) · Xl/(Xl+Xh).
Die wirksamen Längen Xl und Xh werden so gewählt, daß die
Potentialdifferenz (Vs-V′p) geringer ist als die obere
Spannung, der die Isolierschicht noch widersteht.
Auch beim Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 7 besteht die Wi
derstandsteilschicht 5′a aus einem im wesentlichen homoge
nen Widerstandsmaterial mit im wesentlichen konstanten
Querschnitt mit zickzackförmigen Linien, die sich vom Kon
vergenzelektrodenanschluß 3 zum Erdanschluß 4 erstrecken.
Der gegenseitige Abstand der zickzackförmigen Mäanderlinien
ist im unteren Bereich 5′al und im oberen Bereich
5′ah im wesentlichen derselbe. Jedoch ist die höhe h1 im
unteren Bereich 5′al größer als die Höhe h2 im oberen
Bereich 5′ah (h1<h2).
Daher ist auch bei diesem Bereich die wirksame Länge im un
teren Bereich 5′al pro Längeneinheit der isolierenden
Platte 1 größer als die wirksame Länge im oberen Be
reich 5′ah. Dies führt zum Erzielen der Vorteile, die anhand
des Ausführungsbeispieles von Fig. 5 bereits erläutert wur
den.
Bei den Ausführungsbeispielen gemäß den Fig. 8-11 weisen
der untere Bereich 5′al und der obere Bereich 5′ah
des Widerstandsteilbereiches 5′a im wesentlichen konstante
Höhe der Mäanderlinien auf, wie dies auch beim Beispiel der
Fig. 5 der Fall ist. Durch unterschiedliche Maßnahmen ist
wieder erreicht, daß der Widerstand pro Längeneinheit im
unteren Unterbereich 5′al größer ist als im oberen Unterbe
reich 5′ah.
Beim Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 8 besteht die Teil
schicht 5′a aus im wesentlichen homogenem Widerstandsma
terial. Die Breite w1 der Widerstandsschicht im unteren
Bereich 5′al ist geringer als die Breite w2 im oberen
Bereich 5′ah, so daß der Querschnitt der Widerstands
schicht im unteren Bereich 5′al geringer ist als im
oberen Bereich 5′ah.
Beim Beispiel gemäß Fig. 9 bestehen die beiden Bereiche
5′al und 5′ah aus Materialien unterschiedlicher spezifischer
Widerstände. Der spezifische Widerstand m1 des Materials im
unteren Bereich 5′al ist größer als der spezifische
Widerstand m2 des Widerstandsmaterials, das beim Herstellen
des oberen Bereiches 5′ah verwendet ist.
Beim Beispiel gemäß den Fig. 10 und 11 (Fig. 11 stellt einen
Längsschnitt entlang der Linie XI-XI von Fig. 10 dar) be
steht die Teilschicht 5′a aus im wesentlichen homogenem Wi
derstandsmaterial. Die Dicke t1 im unteren Bereich 5′al
ist geringer als die Dicke t2 im oberen Bereich 5′ah,
so daß der Querschnitt der Widerstandsschicht im unteren
Bereich 5′al geringer ist als im oberen Bereich 5′ah.
Bei allen Ausführungsbeispielen gemäß den Fig. 8-11 ist
es also so, daß der Widerstand der Teilschicht 5′a pro
Längeneinheit der Isolierplatte im Bereich zwischen dem Erdan
schluß 4 und dem Punkt P′ maximaler Potentialdifferenz größer
ist als im unteren Bereich zwischen dem genannten Punkt P′
und dem Konvergenzelektrodenanschluß 3. Wenn dementsprechend
ein derartiger Widerstand mit einem System 9 bei einer Röhre
gemäß Fig. 3 verwendet wird, tritt beim Abspratzen wiederum
die verringerte Potentialdifferenz an der Isolierschicht 6
auf, so daß die Gefahr, diese zu beschädigen, wiederum ver
ringert ist.
Für das Potential V′p an der Widerstandsteilschicht 5′a am
Punkt P′ maximaler Potentialdifferenz gilt:
V′p=Ve+(Vc-Ve) · Rl/(Rl+Rh),
wobei
Rl: Widerstand des unteren Bereiches 5′al,
Rh: Widerstand des oberen Bereiches 5′ah,
Vc: Potential am Konvergenzelektrodenanschluß 3,
Ve: Potential am Erdanschluß 4.
Rl: Widerstand des unteren Bereiches 5′al,
Rh: Widerstand des oberen Bereiches 5′ah,
Vc: Potential am Konvergenzelektrodenanschluß 3,
Ve: Potential am Erdanschluß 4.
Wenn das Potential an der Isolierschicht am Punkt P′ den
Wert Vs einnimmt, gilt für die an der Isolierschicht anlie
gende Potentialdifferenz (Vs-V′p):
Vs-V′p=Vs-Ve-(Vc-Ve) · Rl/(Rl+Rh).
Die Widerstände Rl und Rh werden so ausgewählt, daß die Po
tentialdifferenz (Vs-V′p) geringer wird als der obere
Grenzwert der Spannung, die zu keiner Beschädigung der ab
deckenden Isolierschicht führt.
In Fig. 12 ist der Zusammenhang zwischen der Abspratzspan
nung und Änderungen des Widerstandes der Widerstandsteil
schicht 5a für einen früher vorgeschlagenen Widerstand 7
in einer Kurve c′ dargestellt. Dagegen ist dieselbe Bezie
hung für Änderungen des Widerstandes der Widerstandsteil
schicht 5′a eines erfindungsgemäßen Widerstandes in einer
Kurve d′ dargestellt. Auf der Ordinate sind Änderungen ΔR
des Widerstandes und auf der Abszisse Abspratzspannungen Vn
aufgetragen. Aus den Beziehungen ist ersichtlich, daß die
Widerstandsteilschicht 5′a bei einem erfindungsgemäßen Wi
derstand keine Widerstandsänderungen bei herkömmlichen Ab
spratzverfahren erfährt, sondern daß erst bei außerordent
lich hohen Abspratzspannungen kleine Änderungen auftreten.
Der Widerstand 7 kann auch eine Widerstandsteilschicht 5′a
aufweisen, die eine Kombination von Merkmalen von zwei oder mehreren der oben be
schriebenen Ausführungsbeispielen aufweist.
Bei den Ausführungsbeispielen wurde davon ausgegangen, daß
die Stelle, an der der untere Bereich 5′al und der
obere Bereich 5′ah der Teilschicht 5′a auf der Isolier
platte 1 aneinanderstoßen, genau mit dem Punkt P′ maxi
maler Pootentialdifferenz übereinstimmt. Dies ist allerdings
nicht erforderlich. Die Stelle kann auch in einem Bereich
nahe beim Punkt P′ maximaler Potentialdifferenz liegen.
Bei einem erfindungsgemäßen Widerstand ist also die Potential
differenz zwischen der Widerstandsschicht auf der iso
lierenden Platte und der Oberfläche der die Widerstands
schicht abdeckenden Isolierschicht gegenüber bekannten
Widerständen vor allem an der Stelle wirksam verringert,
in der diese Potentialdifferenz einen verhältnismäßig hohen
Wert erreicht, wenn dem Widerstand eine verhältnismäßig hohe
Spannung nach dem Einbau in eine Kathodenstrahlröhre zuge
führt wird. Die abdeckende Isolierschicht erfährt auch beim
Abspratzen keine Verschlechterung ihrer Eigenschaften, was
zur Folge hat, daß Widerstandsänderungen in der Widerstands
schicht kaum auftreten. Da dies ohne Erhöhen der Dicke der
Widerstandsschicht erzielt wird, verwindet sich ein erfin
dungsgemäßer Widerstand nicht aufgrund unterschiedlicher
thermischer Ausdehnungskoeffizienten der isolierenden Platte
und der abdeckenden Isolierschicht. Die Isolierschicht blät
tert von der Isolierplatte nicht ab, und sie erhält keine
Risse. Sie kann verhältnismäßig billig hergestellt werden.
Claims (9)
1. Widerstand für das Elektronenstrahlerzeugungssystem einer Katho
denstrahlröhre, mit
- - einer isolierenden Platte (1), auf der ein Anodenanschluß (2), ein Konver genzelektrodenanschluß (3) und ein Erdanschluß (4) vorgesehen sind,
- - einer Widerstandsschicht (5), deren erste Teilschicht (5b) den Anodenan schluß (2) mit dem Konvergenzelektrodenanschluß (3) verbindet und de ren zweite Teilschicht (5′a) den Konvergenzelektrodenanschluß (3) mit dem Erdanschluß (4) verbindet und
- - mit einer die Widerstandsschicht (5) abdeckenden Isolierschicht (6),
dadurch gekennzeichnet, daß
- - die zweite Teilschicht (5′a) aus einem erdanschlußseitigen unteren Be reich (5′al) und einem konvergenzelektrodenseitigen oberen Bereich (5′ah) besteht, und
- - daß die beiden Bereiche (5′al, 5′ah) einen voneinander unterschiedlichen Widerstand pro Längeneinheit der isolierenden Platte (1) aufweisen.
2. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wider
standsschicht (5′a) aus einem homogenen Widerstandsmaterial mit konstantem
Querschnitt besteht, und daß ihre wirksame Länge pro Längeneinheit der iso
lierenden Platte (1) im unteren Bereich (5′al) länger als im oberen Bereich
(5′ah).
3. Widerstand nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Wider
standsschicht (5′a) zickzackförmig mit konstanter Höhe der Mäanderlinien aus
gebildet ist, und der gegenseitige Abstand der Mäanderlinien (P1) im unteren Be
reich (5′al) kleiner ist als der gegenseitige Abstand (P2) im oberen Bereich
(5′ah).
4. Widerstand nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
Widerstandsschicht (5′a) zickzackförmig mit konstantem Abstand der Mäander
linien ausgebildet ist, und die Höhe der Mäanderlinien (W1) im unteren Bereich
(5′al) kleiner ist als im oberen Bereich (5′ah).
5. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wider
standsschicht (5′a) aus homogenem Widerstandsmaterial mit unterschiedlichen
Querschnitten so ausgebildet ist, daß der Widerstand pro Längeneinheit im unteren
Bereich (5′al) größer ist als im oberen Bereich (5′ah).
6. Widerstand nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Wider
standsschicht (5′a) mit konstanter Dicke, aber mit einer Breite ausgebildet ist,
die im unteren Bereich (5′al) geringer ist als im oberen (5′ah).
7. Widerstand nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Wider
standsschicht (5′a) mit konstanter Breite, aber einer Dicke ausgebildet ist, die
im ersten Bereich (5′al) geringer ist als im oberen Bereich (5′ah).
8. Widerstand nach einem der Ansprüche 1-7, dadurch gekennzeichnet,
daß der untere Bereich (5′al) der Widerstandsschicht aus einem ersten Material
mit vorgegebenem spezifischen Widerstand gebildet ist und der obere Bereich
(5′ah) aus einem solchen Widerstandsmaterial besteht, dessen spezifischer Wi
derstand geringer ist als der des Materials des unteren Bereichs (5′al).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58238244A JPS60130033A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 陰極線管の内蔵抵抗器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3445706A1 DE3445706A1 (de) | 1985-06-27 |
DE3445706C2 true DE3445706C2 (de) | 1994-07-21 |
Family
ID=17027287
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3445706A Expired - Fee Related DE3445706C2 (de) | 1983-12-16 | 1984-12-14 | Widerstand für das Elektronenstrahlerzeugungssytem einer Kathodenstrahlröhre |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4639640A (de) |
JP (1) | JPS60130033A (de) |
KR (1) | KR910009245B1 (de) |
CA (1) | CA1232042A (de) |
DE (1) | DE3445706C2 (de) |
FR (1) | FR2556878B1 (de) |
GB (1) | GB2152744B (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60212943A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-25 | Sony Corp | 陰極線管の内蔵抵抗器 |
GB2181009B (en) * | 1985-09-23 | 1989-11-29 | Fluke Mfg Co John | Apparatus and method for providing improved resistive ratio stability of a resistive divider network |
JPS6313242A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Sony Corp | 陰極線管の内蔵抵抗器 |
JPS63108649A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-13 | Sony Corp | カラ−陰極線管 |
JPS63184231A (ja) * | 1987-01-24 | 1988-07-29 | Sony Corp | 陰極線管のノツキング処理方法 |
US5210464A (en) * | 1991-05-15 | 1993-05-11 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Cavity resonance absorption in ultra-high bandwidth CRT deflection structure by a resistive load |
JPH09320485A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-12-12 | Sony Corp | カラー陰極線管 |
JPH10255682A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Sony Corp | 陰極線管 |
DE19844721A1 (de) * | 1998-09-29 | 2000-04-27 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Entladungslampe für dielektrisch behinderte Entladungen mit verbesserter Elektrodenkonfiguration |
JP4836070B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2011-12-14 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 | 高耐久型高抵抗器 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE7420210U (de) * | 1974-10-10 | Crl Electronic Bauelemente Gmbh | Elektrischer Widerstand | |
DE511398C (de) * | 1927-10-11 | 1930-10-29 | G Nickel Dr | Anordnung zur beliebigen Verteilung der AEquipotentialflaechen in Widerstaenden aus drahtlosem Material |
AT150922B (de) * | 1935-02-05 | 1937-10-11 | Kremenezky Ag Joh | Widerstandssatz. |
JPS5514627A (en) * | 1978-07-15 | 1980-02-01 | Sony Corp | Voltage dividing resistor for electron gun structure |
US4349767A (en) * | 1977-01-17 | 1982-09-14 | Sony Corporation | Cathode ray tube resistance of ruthenium oxide and glass containing alumina powder |
JPS5389360A (en) * | 1977-01-17 | 1978-08-05 | Sony Corp | Electronic gun constituent |
DE2752922A1 (de) * | 1977-11-26 | 1979-05-31 | Philips Patentverwaltung | Schichtwiderstand |
GB1596597A (en) * | 1978-04-29 | 1981-08-26 | Ferranti Ltd | Cathode ray tubes |
JPS55159548A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-11 | Toshiba Corp | Electron gun structure |
EP0036901A1 (de) * | 1980-04-01 | 1981-10-07 | Norddeutsche Mende Rundfunk KG | Anordnung zur Erzeugung von gebündelten Elektronenstrahlen in einem Vakuum-Entladungsgefäss |
-
1983
- 1983-12-16 JP JP58238244A patent/JPS60130033A/ja active Granted
-
1984
- 1984-12-11 CA CA000469773A patent/CA1232042A/en not_active Expired
- 1984-12-12 GB GB08431377A patent/GB2152744B/en not_active Expired
- 1984-12-14 DE DE3445706A patent/DE3445706C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1984-12-14 FR FR8419223A patent/FR2556878B1/fr not_active Expired
- 1984-12-15 KR KR1019840008012A patent/KR910009245B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-12-17 US US06/682,247 patent/US4639640A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2556878B1 (fr) | 1988-07-29 |
GB2152744A (en) | 1985-08-07 |
KR910009245B1 (ko) | 1991-11-07 |
US4639640A (en) | 1987-01-27 |
FR2556878A1 (fr) | 1985-06-21 |
GB8431377D0 (en) | 1985-01-23 |
GB2152744B (en) | 1987-11-25 |
JPS60130033A (ja) | 1985-07-11 |
KR850004344A (ko) | 1985-07-11 |
CA1232042A (en) | 1988-01-26 |
DE3445706A1 (de) | 1985-06-27 |
JPH0530012B2 (de) | 1993-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2619312C2 (de) | Halbleiter-Heizelement mit positivem Temperaturkoeffizienten(PTC) | |
EP1200970B1 (de) | Vielschichtvaristor niedriger kapazität | |
DE69104653T2 (de) | Elektronenquelle mit Mikropunktkathoden. | |
DE69810218T2 (de) | Mehrschichtbauteil aus leitendem Polymer mit positivem Temperaturkoeffizienten und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69714144T2 (de) | Beschichtete Abstandsstruktur für eine Feldemissionsanzeigevorrichtung | |
DE69838985T2 (de) | Gemusterte widerstand für eine elektronenemittierende vorrichtung und herstellungsverfahren dafür | |
DE60127761T2 (de) | Elektrodenstruktur einer Anzeigetafel und Verfahren zur Herstellung von Elektroden | |
DE2940339C2 (de) | ||
DE2442898C2 (de) | Mehrschichtiger monolithischer Keramik-Kondensator und Verfahren zum Einstellen seines Kapazitätswertes n | |
DE3819255C2 (de) | ||
DE3445706C2 (de) | Widerstand für das Elektronenstrahlerzeugungssytem einer Kathodenstrahlröhre | |
DE2119040A1 (de) | Mehrschichtiger Kondensator und Verfahren zur Einstellung des Kapazi tatswertes | |
DE69823637T2 (de) | Laminat-Varistor | |
WO2012031963A2 (de) | Widerstandsbauelement und verfahren zur herstellung eines widerstandsbauelements | |
DE102006015723A1 (de) | Mehrschichtiger Chipvaristor | |
DE2752333A1 (de) | Streifenleitungs-kondensator | |
DE4036109A1 (de) | Widerstandstemperaturfuehler | |
DE2928702A1 (de) | Etronenkanone fuer eine kathodenstrahlroehre | |
DE3200670C2 (de) | ||
DE2044224C3 (de) | Gasentladungsanzeigevorrichtung | |
DE19835443A1 (de) | Chip-Thermistor und Verfahren zum Einstellen eines Chip-Thermistors | |
DE3235772A1 (de) | Mehrschichtkondensator | |
DE4100340A1 (de) | Striplinefilter | |
DE2252833A1 (de) | Zusammengesetzte halbleitervorrichtung und verfahren zur herstellung derselben | |
DE2458512A1 (de) | Stossueberspannungsableiter mit verbesserter spannungsabstufungsschaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: PATENTANWAELTE MUELLER & HOFFMANN, 81667 MUENCHEN |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |