DE3235772A1 - Mehrschichtkondensator - Google Patents
MehrschichtkondensatorInfo
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Description
VON KREISLER SCHÖNWÄLD"* ETSköLD FUES
VON KREISLER KELLER SELTING WERNER
PATENTANWÄLTE Dr.-Ing. von Kreisler 11973
Dr.-fng. K. Schonwold, Köln
Dr.-Ing. K. W. Eishoid, Bad Soden
Dr. J. F. Fues, Köln
Dipl.-Chem. Alek von Kreisier, Köln DipL-Chem. Carola Keller, Köln
Dipl.-Ing. G. Selting, Köln
Dr. H.-K. Werner, Köln
Dr.-Ing. K. W. Eishoid, Bad Soden
Dr. J. F. Fues, Köln
Dipl.-Chem. Alek von Kreisier, Köln DipL-Chem. Carola Keller, Köln
Dipl.-Ing. G. Selting, Köln
Dr. H.-K. Werner, Köln
Matsushita Electric Industrial Od.,· Ltd.
1006, Qaza Kadoma,
Kadatia-Shi, Osaka-f U
japan
DEICHMANNHAUS AM HAUPTSi1HNHOF
D-5000 KÖLN 1
27. September 1982 Sg-Fe
Mehrschichtkondensator
Die Erfindung betrifft einen Mehrschichtkondensator mit mehreren ersten Elektrodenschichten,von denen jede eine
erste Anschlußleiterschicht aufweist, mereren zweiten Elektrodenschichten,
von denen jede eine Anschlußleiterschicht aufweist, dielektrische Schichten, von denen jede einander
gegenüberliegende Flächen aufweist, auf denen jeweils die erste bzw. die zweite Elektrodenschicht gebildet ist, wobei
die ersten und die zweiten Anschlußleiterschichten am Rande der jeweiligen dielektrischen Schicht angeordnet
sind und die zweiten Elektrodenschichten, die zwischen benachbarten dielektrischen Schichten angeordnet sind, gleichzeitig
als erste Elektrodenschichten für die elektrische Schicht unmittelbar über der zweiten Elektrodenschicht
dienen, und wobei die ersten und die zweiten Elektrodenschichten und die dielektrischen Schichten zur Bildung
mehrerer geschichteter Kondensatoreinheiten, die elektrisch voneinander isoliert sind, gemeinsam hergestellt sind.
- ar -
, S.
Derartige Mehrschichtkondensatoren bestehen aus mehreren
Einzelkondensatoren, die in einem einzelnen Block gebildet werden. Im allgemeinen werden Mehrschichtkondensatoren
hergestellt, indem innere Elektrodenschichten,die Teile
der jeweiligen Einzelkondensatoren bilden, mit Anschlußleiterschichten versehen werden, die sich nach außen bis
zum Rande des mehrschichtigen Blockes erstrecken. Die Elektrodenschichten
haben eine Flächenausdehnung, die der gewünschten Kapazität entspricht, bedecken die gesamte Fläehe
jedoch nicht vollständig. Bei Anwendunq des weitverbreiteten Druckverfahrens, bei dem die Elektrodenschichten
durch Aufdrucken'auf eine dielektrische Schicht
hergestellt werden und bei dem die aufgedruckten Elektrodenschichten
mit einer weiteren dielektrischen Schicht belegt werden, die ebenfalls aufgedruckte Elektrodenschichten
aufweist, erhöht sich die Stärke des betreffenden Abschnitts entsprechend der Anzahl der Schichten, obwohl jede Elektrodenschicht
lediglich die Form eines dünnen Films mit geringer Stärke hat.
In Fig. 1 ist ein Mehrschichtkondensator bekannter Art im Querschnitt dargestellt. Dieser Kondensator enthält mehrere
Kondensatorelemente, die übereinander angeordnet sind. Jedes
Kondensatorelement besteht aus einer dielektrischen Schicht 1 und zwei Elektrodenschichten 2 und 3 zu beiden Seiten der
dielektrischen Schicht 1. Normalerweise haben die Elektrodenschichten
2 und 3 jeweils Anschlußleiterschichten 4 und 5, mit denen sie einstückig verbunden sind. Die Anschlußleiterschichten
4 und 5 sind zueinander seitlich versetzt bzw. verschoben. Diese Anschlußleiterschichten 4 und 5
werden an die jeweiligen Elektroden 6 und 7 angeschlossen, die durch Aufbringen einer elektrisch leitfähigen Leiterpaste
oder durch. Aufdampfen von Metall an den Seiten der
Baugruppe gebildet sind. Die Elektrodenschichten 2 und 3 haben die in Fign. 2a und 2b dargestellten Muster,und die
Anschlußleiterschichten 4 und 5 sind so angeordnet, daß sie relativ zueinander seitlich, versetzt sind, während die
Elektrodenschichten 2 und 3-, zwischen denen sich die dielektrische
Schicht 1 befindet, im wesentlichen übereinanderpassen.
Bei dem bekannten Mehrschichtkondensator mit dem in den
Fign. 1 und 2 dargestellten Aufbau hat der Randbereich,an dem die Anschlußleiterschichten 4 und 5 angeordnet sind,
einen Stärke t.., die kleiner ist als die Stärke t„ des
Blockes an der Stelle, an der sich die Elektrodenschichten 2 und 3 befinden. Die Differenz zwischen den Stärken t_
und t. bildet unerwünschte Randeindrückungen variierender
Größe. Die Wellentäler befinden sich in denjenigen teilen des Mehrschichtkondensators, in denen keine Anschlußleiterschichten
vorhanden sind. Dies führt dazu, daß der Mehrschichtkondensator an seinen einander gegenüberliegenden
Hauptflächen uneben ist. Wenn die Schichten 2,3,4 und 5 unter Anwendung der Siebdrucktechnik hergestellt werden,
bilden sich zwischen den Schichten 2 und 4 und ebenfalls zwischen den Schichten 3 und 5 leicht Farbbeulen an den
Stellen, an denen später die Randeindrückung erzeugt werden würde. Die Anwesenheit derartiger Farbeinschlüsse hat eine
vergrößerte Oberfläche der jeweiligen Elektrodenschichten 2 und 3 in bezug auf den Sollwert zur Folge. Dies führt
wiederum zu einer erhöhten Kapazität des Mehrschichtkondensators
gegenüber dem Sollwert. Die Kapazitätswerte der so hergestellten Mehrschichtkondensatoren weichen also
voneinander ab {Exemplarstreuungen}.
Fig. 3 zeigt einen Querschnitt durch einen anderen Mehr-
- tr -
■1.
schichtkondensator bekannter Art, der aus mehreren, z.B. zwei, Gruppen 8 und 9 von Elektrodenschichten besteht,
die die jeweiligen geschichteten Kondensatoreinheiten A und B bilden. Diese Elektrodenschichtgruppen 8 und 9 sind.
voneinander isoliert. Dieser Mehrschichtkondensatortyp
nach Fig. 3 wird ebenfalls unter Anwendung der Siebdrucktechnik zur Bildung der Elektrodenschichten der Gruppen
8 und 9 hergestellt, was infolge der Bildung von Farbbeulen dazu führt, daß unterschiedliche Abstände zwischen
den seitlich benachbarten beiden Elektrodenschichten beider Gruppen 8 und 9 auftreten. Während beispielsweise die untersten
Elektroden der jeweiligen Gruppen 8 und 9 gemäß Fig. 3 einen Sollabstand D voneinander haben, führt das
Vorhandensein von Farbeinschlüssen dazu, daß die obersten Elektrodenschichten der Gruppen 8 und 9 einen gegenseitigen
Abstand d haben, der kleiner ist als der Abstand D. Dies ist insoweit problematisch, als nicht nur di.3 Ebenflächigkeit
der äußeren Kondensatorflächen gestört ist, sondern auch die Durchschlagfestigkeit des Mehrschichtkondensators
nachteilig beeinflußt wird.
Bei den bekannten Verfahren zur Herstellung von Mehrschichtkondensatoren
ist es generelle übung, die Elektrodenschichten
über mehrere Kondensatorbereiche gleichzeitig zu erzeugen und anschließend diese Kondensatorbereiche voneinander
zu trennen, um einzelne Mehrschichtkondensatorchips zu erhalten. Ein Beispiel dieses Verfahrens nach dem Stand
der Technik zeigen die Fign. 4 bis 6. Gemäß den Fign. 4 bis 6 und insbesondere den Fign. 6a und 6b,wird der Mehrschichtkondensator
durch mehrfache Wiederholung eines Prozesses hergestellt, der im wesentlichen daraus besteht,
daß auf einer Fläche einer dielektrischen Schicht 25 sowohl eine Elektrodenschicht 21 einschließlich mehrerer,
- e ■-
z.B. vier, Elektrodenbereiche 21a,21b,21c und 21d, die jeweils
einen der vier Eckbereiche I,II,III und IV der dielektrischen
Schicht einnehmen,als auch eine Elektrodenschicht 22 einschließlich einer entsprechenden Anzahl von
Elektrodenbereichen 22a,22b,22c und 22d, die in einem bestimmten
Muster zu den Elektrodenbereichen 21a,21b,21c und 21d gemäß Fig. 6 angeordnet sind, gebildet werden. Anschließend
wird auf die dielektrische Schicht 25 mit den Elektrodenschichten 21 und 22 eine dielektrische Schicht
26 aufgelegt, wobei die Elektrodenschichten 21 und 22 gemäß Fig. 6b zwischen den dielektrischen Schichten 25 und
26 eingeschlossen werden. Auf der der dielektrischen Schicht 25 abgewandten Oberfläche der dielektrischen Schicht 26
wird eine Gegenelektrodenschicht 23 angebracht, die eine entsprechende Anzahl von Gegenelektrodenbereichen 23a,
23b,23c und 23d aufweist, von denen jeder so angeordnet
ist, daß er die zugehörigen Elektrodenbereiche 21a und 22a, 21b und 22b, 21c und 22c bzw. 21d und 22d der Elektrodenschichten
21 und 22 gemäß Fig. 6b im wesentlichen überlagert. Die auf diese Weise durch wiederholtes Ausführen
der oben genannten Schritte hergestellte Kondensatorbaugruppe wird getrocknet und anschließend entlang der
gestrichelten Linie A-B gemäß Fig. 4a in zwei Kondensatoren zerteilt, indem die Elektrodenbereiche 21a und 21c von
den damit verbundenen Elektrodenbereichen 21b und 21d ge- ·
trennt werden. Anschließend folgt ein Trimm- oder Abstimmprozess, bei dem die Kondensatoren entlang der gestrichelten Linie C-D, C-D1, E-F und G-H durch Materialabtrag
getrimmt werden, um schließlich die vier Mehrschichtkondensatorchips zu erhalten. Während des Trimmprozesses muß
dafür gesorgt werden, daß die Äbschlußleiterschichten 27, die sich von den Elektrodenbereichen 22a bis 22d und 23a
bis 23d nach außen erstrecken, an der Außenseite frei-
■ !·
liegen, wenn die Kondensatorkomponenten beschnitten worden sind. Jedes der Kondensatorchips wird anschließend
einer Nachbehandlung unterzogen, indem auf die Seitenflächen des jeweiligen Chips eine Leiterpaste zur Bildung
von Elektrodenanschlüssen für einen externen elektrischen Anschluß aufgetragen wird. Dadurch werden gleichzeitig
die freiliegenden Enden der Anschlußleiterschichten untereinander
verbunden, so daß das jeweilige Kondensatorschip das in Fig. 4b dargestellte elektrische Ersatzschaltbild
hat, mit den drei Anschlüssen 29a,29b und 29c. Die anderen Seitenflächen 30 eines jeden Kondensatorchips, an denen
keine Anschlußleiterschicht freiliegt, wird ebenfalls mit
einer Leiterpaste 28 versehen, um Verbindungsanschlüsse zu schaffen, durch die andere elektrische Komponenten untereinander
verbunden werden können, wie Fig. 5 zeigt.
In Fig. 5 bezeichnet das Bezugszeichen 31 die Verbindungsstellen der Anschlußleiterschichten mit den Elektrodenanschlüssen.
Die Bildung der Elektrodenschichten 21,22 und 23 und ebenso diejenige der gestapelten dielektrischen
Schichten 26 erfolgt unter Anwendung der Drucktechnik. Die Anzahl der Wiederholungen des oben beschriebenen Prozesses
hängt von der Anzahl der für den herzustellenden Mehrschichtkondensator gewünschten oder erforderlichen Schichten ab.
Wenn bei dem oben beschriebenen Verfahren nach dem Stand der Technik die Muster der Elektrodenschichten 21,22 und
in den Eckbereichen I und III mit denjenigen in den Eckbereichen II und IV vertauscht werden, würde sich die Folge
ergeben, daß infolge der Tatsache, daß die einzelnen Blocks nicht die gleiche Form haben, die angelegte Spannung
von einem Block zum anderen abweichen würde, uies würde
zu Mehrschichtkondensatoren mit unterschiedlichen Kapazitäten
führen. Wenn sie jedoch in der in Fig. 4 dargestell-
- ■ r -
•40·
ten Weise angeordnet werden, können die Kapazitätsabweichungen zwischen den resultierenden Mehrschichtkondensatoren
minimisiert werden, da jeder Block dieselben Prozeßstufen durchläuft. Ein Nachteil besteht jedoch darin,
daß eine relativ große Materialmenge, die durch die rechteckige Fläche C-D-D'-C in.Fig. 4 angegeben ist, fortgeworfen
werden muß. Die Anzahl der zu entfernenden rechteckigen Materialflächen erhöht sich, wenn mehr als vier
Mehrschichtkondensatorchips aus einem einzigen Mehrschichtstück hergestellt werden sollen. Dies führt zu hohen Verlusten
an teuerem Material.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die oben genannten Nachteile und Schwierigkeiten der bekannten Mehrschichtkondensatoren
zu vermeiden und einen verbesserten Mehrschichtkondensator zu schaffen, der selbst bei großer
Schichtzahl praktisch keine Rande.indrückungen aufweist, so daß die sich gegenüberliegenden Hauptflächen des Mehrschi
cn tkondensators im wesentlichen eben sind.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist erfindungsgemäß vorgesehen.,
daß an jeder Oberfläche einer jeden dielektrischen Schicht mehrere separate elektrisch leitfähige Schichten angeordnet
sind, die auf dieser Oberfläche der dielektrischen Schicht in derselben Ebene liegen wie die Elektrodenschichten.
Derartige Mehrschichtkondensatoren können mit extrem geringen
Exemplarstreuungen des Kapazitätswertes hergestellt werden. Infolge der verteilten Anordnung der separaten
elektrisch leitfähigen Schichten oder Flächenbereichen an den Chiprändern entsteht ein guasi-kontinuierlicher Stärkenausgleich
an diesen Rändern. Die separaten Schichten
sind mit keiner der ersten und der zweiten Elektrodenschichten elektrisch verbunden und daher von den anderen
Teilen des MehrSchichtkondensators getrennt bzw. isoliert,
mit Ausnahme der Tatsache, daß sie auf jeder Fläche der dielektrischen Schichten angeordnet sind. Die separaten
elektrisch leitfähigen Schichten wirken mit den Anschlußleiterschichten
in der Weise zusammen, daß die Ausbildung von Randeindrückungen an dem Mehrschichtkondensator vermieden
wird. Hierdurch wird die Ebenflächigkeit der Hauptflächen
des Mehrschichtkondensators verbessert.
Im folgenden werden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 einen Schnitt durch einen Mehrschichtkondensator
nach dem Stand der Technik,
Fign. 2a und 2b von oben betrachtet Querschnitte der jeweiligen Muster der Elektrodenschichten, die parallel
zueinander unter Zwischenlage einer dielektrischen Schicht aufeinander gelegt werden,
bei einem Mehrschichtkondensator nach dem Stand der Technik,
Fig. 3 einen Schnitt in Seitenansicht eines Teiles eines anderen Kondensatorchips nach dem Stand der Technik,
Fig. 4a eine Draufsicht eines Substrats oder Kondensatorblocks mit verschiedenen Arten von Elektrodenschichten,
wobei ein Typ schraffiert dargestellt ist, zur Erläuterung des bekannten Verfahrens
zur Herstellung der Mehrschichtkondensatorchips,
./12-
• Fig. 4b ein elektrisches Ersatzschaltbild eines der Mehrschichtkondensatorchips,
die man aus dem Kondensatorblock der Fig. 4a erhält,
Fig. 5 eine Seitenansicht des Mehrschichtkondensatorchips
der Fig. 4a in aufgeschnittenem Zustand, Fign. 6a und 6b Draufsichten der Ablauffolge bei der
Bildung der verschiedenen Typen von Elektrodenschichten nach dem bekannten Verfahren,
Fig. 7 in Seitenansicht einen Schnitt eines Mehrschichtkondensators
nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Fign. 8a und 8b Draufsichten der jeweiligen Muster verschiedener Typen von Elektrodenschichten des Kondensators
nach Fig. 7,
Fig. 9 eine Draufsicht des Musters der Elektrodenschicht zur Erläuterung eines Verfahrens zur Herstellung
von Mehrschichtkondensatorchips,
Fig. 10 eine Seitenansicht eines Teiles des Mehrschichtkondensators
nach einem anderen Ausführungsbeispiel im Schnitt,
Fig. 11 eine Draufsicht eines Substrates oder Kondensatorblockes zur Verdeutlichung eines weiteren Ausführungsbeispiels
,
Fig. 12 einen schematischen Querschnitt entlang der Linie X-X der Fig. 11, "
Fign. 13 bis 15 die Schritte der Herstellung des Mehrschichtkondensatorchips
und
Fig. 16 ein elektrisches Ersatzschaltbild des Mehrschichtkondensatorchips.
In Fig. 7 ist ein Querschnitt eines Mehrschichtkondensators dargestellt, während Fign. 8a und 8b die jeweiligen Muster
der beiden Gruppen elektrisch leitfähiger Schichten zei-
- /β ■ Al-
gen, die übereinander angeordnet werden. In diesen Figuren sind die dielektrischen Schichten mit 1 bezeichnet. Jede
dieser Schichten hat zwei entgegengesetzte Flächen, auf denen erste und zweite innere Elektrodenschichten 2 und
3,die jeweils erste und zweite Anschlußleiterschichten 4 und 5 haben, gebildet sind. Die ersten und zweiten Anschlußleiterschichten
4 und 5 sind in einem Randbereich der Baugruppe seitlich gegeneinander versetzt oder relativ zueinander
verschoben angeordnet. Die zweiten Elektrodenschichten 3, die zwischen den benachbarten beiden dielektrischen
Schichten 1 angeordnet sind, dienen gleichzeitig als erste und zweite Elektrodenschichten. Der so gebildete Mehrschichtkondensator
ist mit Anschlußelektroden 6 und 7 versehen, die an seinen jeweiligen Seitenflächen gebildet sind. Die
Anschlußelektrode 6 verbindet die ersten Anschlußleiterschichten
4 untereinander, während die Anschlußelektrode 7 die zweiten Anschlußleiter 5 untereinander verbindet.
Der soweit beschriebene Mehrschichtkondensator kann in ähnlicher Weise hergestellt werden wie die Mehrschichtkondensatoren
nach dem Stand der Technik. Die Bezugszeichen 10 und 11 bezeichnen unabhängige Leiterschichten, die
in denselben Schichten angeordnet sind wie die ersten und zweiten Elektrodenschichten 2 bzw. 3. Diese unabhängigen
Leiterschichten sind zu den Elektrodenschichten 2 bzw. 3 und den Anschlußleiterschichten 4 bzw. 5 isoliert. Wie die
Fign. 8a und 8b zeigen, sind die unabhängigen Leiterschichten 10 und 11 jeweils von den in vorbestimmten Mustern, auf
den dielektrischen Schichten 1a bzw. 1b zusammen mit den
ersten bzw. zweiten Abschlußleiterschichten 4 und 5 gebildeten
Elektrodenschichten 2 und 3 getrennt. Die unabhängigen Anschlußleiterschichten 10 und 11 sind in vorbestimmten
Abständen zueinander an solchen Stellen angeordnet, an denen keine der Schichten 2,3,4 oder 5 vorhanden
ist. Während die Leiterschichten 4 und 5 auf ihrer jeweiligen dielektrischen Schicht 1a und 1b an einer bestimmten
Stelle angeordnet sind, an der sie elektrisch mit den Anschlußleiterelektroden 6 und 7 verbunden werden
können, sind die unabhängigen Leiterschichten 10 und 11
auf der jeweiligen dielektrischen Schicht 1a bzw. 1b an Stellen angeordnet, die den zugehörigen Anschlußelektroden
6 und 7 benachbart sind und die nicht durch eine der
Anschlußleiterschichten 4 und 5 eingenommen werden. Während bei dieser Anordnung die Elektrodenschichten 2 und 3 einen
Abstand L von der benachbarten Seitenfläche des Mehrschichtkondensators haben, wie in Fig. 7 dargestellt.ist,
können sie von der benachbarten unabhängigen Leiterschicht einen Abstand 1 haben, der kleiner ist als der Abstand L.
Die Fläche, die durch den Abstand 1 vorgegeben ist, bildet einen 'nicht-leitenden Bereich.
In Fig. 9 ist das Verfahren zur Herstellung der Mehrschichtkondensatorchips
dargestellt, von denen jedes erste und zweite Elektrodenschichten mit den Mustern der Fign. 8a
bzw. 8b aufweist. In Fig. 9 sind jedoch nur die ersten Elektrodenschichten 2 dargestellt. Nach dem Verfahren nach
Fig. 9 wird ein rechteckiger Kondensatorblock, der mehrere, z.B. vier, geschichtete Kondensatorbereiche I,II,III und
IV aufweist, unter Anwendung irgendeiner bekannten Druck-.
technik nach einem Verfahren des Standes der Technik wie es anhand der Fign. 4 bis 6 beschrieben wurde, hergestellt.
Jeder Kondensatorbereich, der die generell in den Fign.
7 und 8 dargestellte Konstruktion hat, wird abgetrennt, so daß durch Zerschneiden des Kondensatorblocks entlang
der Linien X1-X1, X3-X3, X3-X3 und X4-X4 vier mehrschichtige
Kbndensatorchips entstehen. Während der Herstellung verlaufen die Anschlußleiterschxchten 4 und die unabhän-
- /Ci - 'AS-
gigen Leiterschichten 10 über die Teilungslinien,an denen
nachfolgend der Schnitt geführt wird, hinweg und sie erstrecken sich zu den entsprechenden Schichten in den benachbarten
Kondensatorbereichen und Randbereichen des Kondensatorblocks,
die anschließend abgetrennt werden. Wenn demnach ein Kondensatorblock durch Schneiden entlang der
Linien X..-X1, X3-X3, X3-X3 und X.-X. zerteilt wird, liegen
die Schneidränder der jeweiligen Schichten 4 und 10 in jedem der Kondensatorchips an der Außenseite frei, so daß
sie von den Seiten des MehrSchichtkondensatorchips aus zugänglich sind. Dies gilt im Hinblick auf die Leiterschichten
4 und 10 in gleicher Weise für die Schichten 5 und 11.
Aus der obigen Beschreibung ergibt sich, daß die Schaffung
unabhängiger Lelterschichten 10 und 11, die im Randbereich des Mehrschichtkondensators an denjenigen Stellen
angeordnet sind, an denen die Anschlußleiterschichten gebildet werden, zur Folge hat, daß der entstehende Mehrschichtkondensator
keine Randeindrückungen in irgendeiner seiner Oberflächen aufweist. Da die Anschlußelektroden 6
und 7 nicht nur die ersten Anschlußleiterschichten 4 und die zweiten Anschlußleiterschichten 5 jeweils an den Seitenflächen
des Mehrschichtkondensators untereinander verbinden, sondern auch die unabhängigen Leiterschichten 10
und 11 untereinander verbinden, wird die mechanische Verbindbarkeit
dieser Anschlußelektroden 6 und 7 in vorteilhafter Weise erhöht. Indem schließlich die Mehrschichtkondensatorchips
aus einem einzigen geschichteten Kondensatorblock in der Anhand von Fig. 9 beschriebenen Weise
hergestellt werden, besteht die Möglichkeit, die Schichten 4,5,10 und 11 frei von Fehlstellen an der Außenseite der
Seitenflächen eines jeden Mehrschichtkondensatorchips
-vs-.·/&■
freizulegen, um eine starre Verbindung mit den Anschlußelektroden
6 und 7 zu erreichen. In gleicher Weise wie örtliche Eindrückungen an den Rändern vermieden werden,
werden durch die separaten Schichten 10 und 11 auch örtliehe
Erhebungen an den Rändern vermieden.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel.wird unter Bezugnahme auf
Fig. 10 erläutert. Dieses Ausführungsbeispiel entspricht
weitgehend dem Mehrschichtkondensator nach dem Stand der Technik, der anhand von Fig. 3 erläutert wurde. Bei dem
Äusführungsbeispiel der Fig. 10 werden separate oder unabhängige Leiterschichten 12 zwischen einer eine geschichtete
Kondensatoreinheit A bildenden Gruppe 8 von Elektrodenschichten und einer eine geschichtete Kondensatoreinheit
B bildenden anderen Gruppe 9 von Elektrodenschichten gebildet. Die separaten Leiterschichten 12 sind in derselben
Ebene angeordnet wie die Elektrodenschichten der beiden Kondensatoreinheiten A und B. Mit dieser Anordnung
gemäß Fig. 10 kann jegliche mögliche Bildung von Farbbeulen an den aneinandergrenzenden Kanten der jeweiligen
Elektrodenschichten beider Kondensatorsätze 8 und 9 vermieden werden. Es ist demnach nicht nur möglich, den Sollabstand
D auch zwischen den obersten Elektrodenschichten der Kondensatorsätze A und B einzuhalten, sondern auch
jede mögliche Verringerung der Durchschlagsfestigkeit zu vermeiden. Ferner sind auch bei dem Mehrschichtkondensator
nach Fig. 10 die einander gegenüberliegenden Oberflä- ,
chen im wesentlichen flach.
Wie oben gezeigt wurde, haben die MehrSchichtkondensatoren
nach den beschriebenen Ausführungsbeispielen dielektrische Schichten, die die oberste und die unterste Schicht bilden.
Dies muß jedoch nicht notwendigerweise so sein. Er-
forderlichenfalls können die oberste und die unterste Schicht auch aus einem anderen Isoliermaterial als aus
dem dielektrischen Material bestehen.
Die Pign. 11 bis 15 zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel,
wobei diejenigen Teile, die Teilen der Fign. 4 bis 6 entsprechen, mit denselben Bezugszeichen wie dort versehen
sind.
Gemäß Fig. 11 weisen die vier Kondensatorbereiche I,II,III
und IV,die zur Schaffung von vier separaten Mehrschichtkondensatorchips
entlang der Linien A-B, C-D, E-F und G-H auseinandergeschnitten werden, an den Elektrodenschichten
21,22 und 23 Anschlußleiterschichten 27 auf. Die Elektrodenschichten und die Anschlußleiterschichten werden während
desselben Herstellungsprozesses unter Anwendung der Drucktechnik erzeugt, wobei die Anschlußleiterschichten 27
sich bis in den benachbarten Kondensatorbereich erstrecken. Wenn man nur die Kondensatorchipbereiche I und III betrachtet,
erstrecken sich die Anschlußleiterschichten 27, die mit den Elektrodenbereichen 21a und 21c der Kondensatorchipbereiche
I und III einstückig bzw. integral gebildet sind, bis in das nächstbenachbarte Kondensatorchip II bzw.
IV,während die Anschlußleiterschichten 27, die einstückig
bzw. integral mit den Elektrodenbereichen 22a und 23a gebildet sind, sich in die Kondensatorchipbereiche III und I
erstrecken ,wie man aus Fig. 15 ersehen kann. In gleicher
Weise erstrecken sich die Anschlußleiterschichten 27, die einstückig oder integral mit den Elektrodenbereichen 23b
und 23d der Kondensatorchipbereiche II und IV gebildet sind, in die Kondensatorchipbereiche IV bzw. II, ähnlich
wie die Anschlußleiterschichten 27, die einstückig mit den Elektrodenbereichen 22a und 23a gebildet sind.
■ AS-
Der Kondensatorblock 24 mit geschichteter Struktur wird entlang der gestrichelten Linie A-B in zwei Blockhälften
zerteilt, von denen die eine die Chipbereiche I und III und die andere die Chipbereiche II und IV enthält. Die
Spitzenbereiche der Anschlußleiterschichten 27 der Elektrodenbereiche 21a und 21c verbleiben dabei in· der die
Chipbereiche II und IV enthaltenden Blockhälfte, wie man aus Fig. 13 ersieht. Der Kondensatorblock 24 wird entlang
der gestrichelten Linie I-J zerschnitten, um die Anschlußleiterschichten'27
der Elektrodenbereiche 21b und 21d an der Außenseite der Schnittkante freizulegen. Der Kondensatorblock
24 wird ebenfalls entlang der gestrichelten Linie C-D zertrennt, um die Spitzenbereiche der Anschlußleiterschichten
27 der Elektrodenbereiche 22a und 22b ebenfalls mit abzutrennen. Diese Spitzenbereiche bleiben
in den Chipbereichen III und IV an den jeweiligen Stellen zwischen den 'Leiterschichten der Elektrodenabschnitte 23c
und 23d, wie aus Fig. 15 zu ersehen ist. Die Spitzenbereiche bzw. Enden der Anschlußleiterschichten 27 der Elektrodenbereiche
23c und 23d verbleiben in den jeweiligen Chipbereichen I und II zwischen den Lelterschichten der
Elektrodenbereiche 22a und 22b.
Ebenso wie beim Stand der Technik wird jedes auf diese Weise
hergestellte Kondensatorchip mit einer elektrisch leitfähigen Leiterpaste versehen, die AgPd {einer Silber-Palladium-Paste)
enthält. Da jedoch bei jedem Mehrschichtkondensatorchip die End- oder Spitzenbereiche der Anschlußleiterschichten
27 der Elektrodenbereiche 21a oder 21c an der seitlichen Außenwand 30 des Schichtstapels (s. Fig.
5) freiliegen, werden die freiliegenden Spitzenbereiche der Leiterschichten der Elektrodenbereiche 21a oder 21c
ι.
von der Leiterpaste 28 begrenzt, so daß die Anbindung der Leiterpaste 28 an die Seitenfläche 30 des Chips wesentlich
verbessert wird. In gleicher Weise werden die Spitzenbereiche der an den Schneidkanten entlang der Linie C-D an
der Außenseite freiliegenden Leiterschichten 27 von der
Leiterpaste 28 begrenzt, wie Fig. 15 zeigt, ebenso wie
die Leiterschichten 27 der Elektrodenbereiche 22a oder 23c und 22b oder 23d. Auf diese Weise wird die Haftung
der Leiterpaste 28 an der Seitenfläche 32 des Chips wesentlich verbessert.
Wie das Ersatzschaltbild der Fig. 16 zeigt, weist jedes der Mehrschichtkondensatorchips, die man aus den Chipbereichen
II und IV erhält, eine zusätzliche Kapazität Co von kleinerem Wert auf, die zwischen den Spitzenbereichen
der Leiterschichten und den jeweiligen Elektrodenberexchen
21b oder 21d bebildet wird. Diese zusätzliche Kapazität wird bei dem Verfahren nach dem Stand der Technik nicht
gebildet.
Die Erfindung ist nicht auf die dargestellten Ausführungsbeispiele
beschränkt. Beispielsweise kann die Anzahl der Mehrschichtkondensatorchips, die man aus einem einzigen
Kondensatorblock erhält, auch von vier abweichen. Anstelle der Verwendung einer Leiterpaste kann man die Anschlußelektroden
auch durch Aufdampfen von Metall erzeugen.
Claims (1)
- ANSPRÜCHEKondensator mit mehreren ersten Elektrodenschichten (2) , von denen jede eine erste Anschlußleiterschicht (4) aufweist, mehreren zweite Elektrodenschichten {3), von denen jede eine Anschlußleiterschicht (5) aufweist, dielektrischen Schichten (1a,1b}, von denen jede einander gegenüberliegende Flächen aufweist, auf denen jeweils die erste bzw. die zweite Elektrodenschicht (2,3) gebildet ist, wobei die ersten und die zweiten Anschlußleiterschichten (4,5) am Rande der jeweiligen dielektrischen Schicht angeordnet sind und die zweiten Elektrodenschichten (3), die zwischen benachbarten dielektrischen Schichten (1a,1b) angeordnet sind, gleichzeitig als erste Elektrodenschichten (4) für die elektrische Schicht unmittelbar über der zweiten Elektrodenschicht dienen und wobei die ersten und die zweiten Elektrodenschichten (2,3) und die dielektrischen Schichten (1a,1b) zur Bildung mehrerer geschichteter Kondensatoreinheiten, die elektrisch voneinander isoliert sind, gemeinsam hergestellt sind, dadurch gekennzeichnet , daß an jeder Oberfläche einer jeden dielektrischen Schicht (1a,1b) mehrere separate elektrisch leitfähige Schichten (10,11) angeordnet sind, die auf dieser Oberfläche der dielektrischen Schicht in derselben Ebene liegen wie die Elektrodenschichten (2,3) .Mehrschichtkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die separaten elektrisch leitfähigen Schichten (10,11) am Rande der jeweiligen dielektrischen Schicht (1a,1b) und zwischen den Anschlußleiterschichten (4,5) der Elektrodenschichten (2,3) angeordnet sind.3. Mehrschichtkondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die separaten elektrisch leitfähigen Schichten (10,11) zu jeder der Elektrodenschichten (2, 3) isoliert sind, so daß sie sich über die Teilungslinien hinweg in einen angrenzenden Kondensatorbereich erstrecken und nach dem Abtrennen der benachbarten Kondensatorbereiche durch Schneiden an den Seitenflächen des Mehrschichtkondensators freiliegen.4. Mehrschichtkondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die separaten elektrisch leitfähigen Schichten (10,11) zu den Elektrodenschichten (2,3) isoliert sind, so daß sie sich über die Teilungslinie in einen nachträglich zu entfernenden Randbereich erstrecken und nach dem Abtrennen des Rändbereiches durch Abschneiden an der seitlichen Außenfläche des Mehrschichtkondensators freiliegen.5. Mehrschichtkondensator nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die separaten elektrisch leitfähigen Schichten so gebildet sind, daß die jeweiligen Bereiche der Anschlußleiterschichten in einem der benachbarten Kondensatorbereiche sich in den anderen der benachbarten Kondensatorbereiche über die Teilungslinien zwischen den benachbarten Kondensatorbereichen hinweg erstrecken und an den Seitenflächen des Mehrschichtkondensators gebildet werden, wenn die benachbarten Kondensatorbereiche entlang der Teilungslinie voneinander durch Zer- · schneiden getrennt werden.6. Mehrschichtkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die separaten elektrisch leitfähigen Schichten so gebildet sind, daß die jeweiligen Bereiche der Anschlußleiterschichten in einem der benachbarten Kondensatorbereiche sich über die Teilungslinie zwischen den benachbarten Kondensatorbereichen hinweg in den an-deren benachbarten Kondensatorbereich erstrecken und durch die Elektrodenschichten und dielektrischen Schichten in dem anderen der benachbarten Kondensatorbereiche hindurch laminiert sind, und daß die separaten elektrisch leitfähigen Schichten in bezug auf jede der Elektrodenschichten elektrisch isoliert sind, wenn die benachbarten Kondensatorbereiche durch Zerschneiden entlang der Teilungslinie getrennt werden.7. Mehrschichtkondensator nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ränder der separaten elektrisch leitfähigen Schichten, die an der Außenseite freiliegen, wenn die benachbarten Kondensatorbereiche getrennt werden und die Ränder der Anschlußleiterschichten, die an der Außenseite freiliegen, wenn die benachbarten Kondensatorbereiche getrennt werden, an den Seitenflächen des MehrSchichtkondensators durch Anschlußelektroden" untereinander verbunden sind.8. Mehrschichtkondensator nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußelektroden aus einer aufgebrachten Leiterpaste bestehen.9. Mehrschichtkondensator nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußelektroden aus einer aufgedampften Metallablagerung bestehen.
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