DE3922467A1 - Halbleiterspeichereinrichtung und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents
Halbleiterspeichereinrichtung und verfahren zu ihrer herstellungInfo
- Publication number
- DE3922467A1 DE3922467A1 DE3922467A DE3922467A DE3922467A1 DE 3922467 A1 DE3922467 A1 DE 3922467A1 DE 3922467 A DE3922467 A DE 3922467A DE 3922467 A DE3922467 A DE 3922467A DE 3922467 A1 DE3922467 A1 DE 3922467A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- insulating film
- conductive layer
- insulating
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 31
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 10
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 18
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 241000293849 Cordylanthus Species 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17152288 | 1988-07-08 | ||
JP1167578A JPH0834299B2 (ja) | 1988-07-08 | 1989-06-29 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3922467A1 true DE3922467A1 (de) | 1990-01-11 |
DE3922467C2 DE3922467C2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1992-10-08 |
Family
ID=26491580
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3922467A Granted DE3922467A1 (de) | 1988-07-08 | 1989-07-07 | Halbleiterspeichereinrichtung und verfahren zu ihrer herstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3922467A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4113787A1 (de) * | 1990-05-01 | 1991-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | Feldeffekttransistor und verfahren zu dessen herstellung |
DE4142469A1 (de) * | 1990-12-21 | 1992-06-25 | Micron Technology Inc | Verfahren zur erzeugung und zur entfernung von temporaeren siliziumdioxid-strukturen |
US5278437A (en) * | 1988-06-10 | 1994-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Stacked capacitor type semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
DE3943617C2 (de) * | 1988-06-10 | 1996-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | DRAM und Herstellungsverfahren dafür |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2730202A1 (de) * | 1976-07-05 | 1978-01-12 | Hitachi Ltd | Halbleiterspeicher |
DE3044132A1 (de) * | 1980-11-24 | 1982-07-15 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Dynamische halbleiter-speicherzelle mit wahlfreiem zugriff und verfahren zu ihrer herstellung |
EP0112670A1 (en) * | 1982-12-20 | 1984-07-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device having stacked capacitor-tape memory cells |
-
1989
- 1989-07-07 DE DE3922467A patent/DE3922467A1/de active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2730202A1 (de) * | 1976-07-05 | 1978-01-12 | Hitachi Ltd | Halbleiterspeicher |
DE3044132A1 (de) * | 1980-11-24 | 1982-07-15 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Dynamische halbleiter-speicherzelle mit wahlfreiem zugriff und verfahren zu ihrer herstellung |
EP0112670A1 (en) * | 1982-12-20 | 1984-07-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory device having stacked capacitor-tape memory cells |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
IBM TDB, Vol. 16, Nr.2, Juli 1973, S. 507,508 * |
IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. ED-19, Nr. 11, November 1972, S. 1199-1207 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5278437A (en) * | 1988-06-10 | 1994-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Stacked capacitor type semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
US5459344A (en) * | 1988-06-10 | 1995-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Stacked capacitor type semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
DE3943617C2 (de) * | 1988-06-10 | 1996-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | DRAM und Herstellungsverfahren dafür |
DE4113787A1 (de) * | 1990-05-01 | 1991-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | Feldeffekttransistor und verfahren zu dessen herstellung |
DE4142469A1 (de) * | 1990-12-21 | 1992-06-25 | Micron Technology Inc | Verfahren zur erzeugung und zur entfernung von temporaeren siliziumdioxid-strukturen |
DE4142469B4 (de) * | 1990-12-21 | 2004-07-01 | Micron Technology, Inc. | Verfahren zur Erzeugung und zur Entfernung von temporären Siliziumdioxid-Strukturen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3922467C2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1992-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4113233C2 (de) | Halbleiterspeichereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE3844120C2 (de) | Halbleitereinrichtung mit grabenförmiger Struktur | |
DE4434040C2 (de) | Halbleiterspeichervorrichtung mit einer SOI-Struktur und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE3922456A1 (de) | Halbleiterspeichereinrichtung und verfahren zur herstellung derselben | |
DE4340419C2 (de) | Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung mit einer Isolierschicht, in der ein Kontaktloch gebildet ist | |
DE4430483A1 (de) | MOS-Transistor, Halbeiterspeicherbauelement mit MOS-Transistoren und Herstellungsverfahren hierfür | |
DE19718721C2 (de) | DRAM-Zellenanordnung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE4438518A1 (de) | Halbleiterbauelement mit vergrabener Bitleitung und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE4215203A1 (de) | Speicherkondensator und verfahren zu dessen herstellung | |
DE10007018A1 (de) | Halbleiterbauelemente mit Kondensator und Herstellungsverfahren hierfür | |
DE3809218A1 (de) | Halbleitereinrichtung mit einem graben und verfahren zum herstellen einer solchen halbleitereinrichtung | |
DE4215001C2 (de) | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür | |
DE4332074A1 (de) | Halbleiterspeichereinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE19746448A1 (de) | DRAM-Zelle mit einem vertikalen Kanal, welche auf einer isolierenden Schicht gebildet ist, sowie ein Herstellungsverfahren für diese DRAM-Zelle | |
DE4213945A1 (de) | Speicherkondensator und verfahren zu dessen herstellung | |
DE3940539A1 (de) | Halbleiterspeichervorrichtung und verfahren zur herstellung einer halbleiterspeichervorrichtung | |
DE4210855C2 (de) | Herstellungsverfahren für einen gestapelten Kondensator | |
DE4038114A1 (de) | Halbleiterspeicher und verfahren zu seiner herstellung | |
DE4203565C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE4312651C2 (de) | Dram | |
DE4109299A1 (de) | Halbleiterspeichereinrichtung mit einem kondensator mit stapelstruktur und herstellungsverfahren hierfuer | |
DE19726069B4 (de) | Halbleitereinrichtung mit einer unteren und einer oberen Elektrode und zugehöriges Herstellungsverfahren | |
DE10022696A1 (de) | Herstellungsverfahren einer Halbleitereinrichtung und Halbleitereinrichtung | |
DE4034995A1 (de) | Hochintegriertes halbleiterspeicherbauelement und verfahren zu seiner herstellung | |
DE4125199C2 (de) | Kompakte Halbleiterspeicheranordnung, Verfahren zu deren Herstellung und Speichermatrix |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Representative=s name: PRUFER & PARTNER GBR, 81545 MUENCHEN |