DE3922467C2 - - Google Patents

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DE3922467C2
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memory cell
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memory cells
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Shinichi Satoh
Hiroji Ozaki
Takahisa Eimori
Yoshinori Itami Hyogo Jp Tanaka
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells

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DE3922467A 1988-07-08 1989-07-07 Halbleiterspeichereinrichtung und verfahren zu ihrer herstellung Granted DE3922467A1 (de)

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DE3922467A1 DE3922467A1 (de) 1990-01-11
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