DE3877862T2

DE3877862T2 - Bestimmung der ausrichtung von bauteilen.

Info

Publication number: DE3877862T2
Application number: DE8888307805T
Authority: DE
Inventors: Eddie L Williamson Jr
Original assignee: Hewlett Packard Co
Current assignee: Agilent Technologies Inc
Priority date: 1987-08-26
Filing date: 1988-08-23
Publication date: 1993-08-26
Anticipated expiration: 2008-08-24
Also published as: EP0305148A1; US4779043A; EP0305148B1; JP2664429B2; KR890004171A; JPH01112179A; KR920002874B1; DE3877862D1

Description

Die Erfindung betrifft allgemein Meß- und Prüfvorrichtungen und insbesondere Vorrichtungen zum Analysieren von Herstellungsfehlern zum Prüfen digitaler Bauteile.
Vorrichtungen zum Prüfen gedruckter Schaltungsplatten wurden traditionell in drei Hauptkategorien aufgeteilt, nämlich Funktions- Prüfvorrichtungen, schaltungsinterne Prüfvorrichtungen und Herstellungsfehler-Analysatoren. Jede dieser drei Hauptkategorien von Prüfvorrichtungen ist im folgenden kurz beschrieben.
Funktionsprüfvorrichtungen umfassen solche Vorrichtungen, die im allgemeinen das Ausgangs-Betriebsverhalten einer gedruckten Schaltungsplatte basierend auf einer Reihe von Eingangssignalen messen. Obwohl Funktionstestvorrichtungen das gewünschte Endbetriebsverhalten einer bestimmten Platte hervorragend prüfen, können sie im allgemeinen nicht die Position von Fehlern auf der Platte oder von auf der Platte nontierten Bauteilen bestimmen. Mit zunehmender Größe, Komplexität und zunehmenden Kosten von Leiterplatten, wachsen auch die Möglichkeiten stark an, daß aufgrund der vielen Spuren auf der Platte oder aufgrund eines der vielen darauf montierten Bauteile ein Fehler auf der Platte auftritt. Da die Funktionsprüfungen lediglich angeben, ob die Platte korrekt arbeitet oder nicht, und keine Angabe über die Fehlerstelle liefern, ist die Nützlichkeit von Funktionsprüfvorrichtungen als Gesamtprüfsysteme beschränkt.
Aufgrund der Beschränkungen der Funktionsprüfgeräte beim Lokalisieren von Fehlern auf Platten wurden schaltungsinterne Prüfvorrichtungen entwickelt. Schaltungsinterne Prüfvorrichtungen prüfen tatsächlich einzelne auf der Platte montierte Bauteile und prüfen Leitungswege in den Leiterbahnen der Platte, indem sie eine Reihe von Verbindungsstiften an verschiedenen Knoten der Schaltung anbringen, so daß Testsignale an die Bauteile angelegt werden, um deren Betriebsfähigkeit zu bestimmen. Algorithmen wurden entwickelt, um die Leistung, die an die Bauteile angelegt werden kann, sorgfältig zu begrenzen, um Schaden zu vermeiden. Digitale Rücklauf-Techniken wurden in die schaltungsinternen Prüfverfahren eingebaut, damit sowohl analoge als auch digitale Bauteile wirksam in den schaltungsinternen Prüfvorrichtungen geprüft werden können. Mit zunehmender Komplexität der Schaltungstopologien und gestiegener Nachfrage nach schnelleren schaltungsinternen Prüfvorrichtungen wurden schaltungsinterne Prüfvorrichtungen immer teurer. Daraus entstand ein Bedarf nach billigeren Vorrichtungen, die einfachere Fehler prüfen können, wie offene Leiterbahnen auf einer Platte oder verbogene Anschlußstifte an einem Bauteil.
Herstellungfehler-Analysatoren wurden ursprünglich als kostengünstige Prüfvorrichtungen zum Prüfen einfacher Fehler, wie aufgetrennte Schaltungen oder Kurzschlüsse auf der gedruckten Leiterplatte, entwickelt. Da ein hoher Prozentsatz der Fehler auf der Platte durch Löt-Kurzschlüsse zwischen Leiterbahnen und andere einfache Fehler erzeugt werden, wurden Fehleranalysatoren entwickelt, um eine kostengünstige Vorrichtung zum Erkennen eines Hauptanteils dieser Fehler zu schaffen. Von da an konnten Herstellungsfehler-Analysatoren einfache Fehler auf einer gedruckten Schaltungsplatte erfassen, ohne teure schaltungsinterne Prüfvorrichtungen zu verwenden. Obwohl bei einigen Herstellungsfehler- Analysatoren analoge Prüfverfahren verwendet wurden, haben bis heute sehr wenige digitale Prüfverfahren eingebaut, weil mit diesen Komplexität und Kosten einhergehen. Daher bleiben die Herstellungsfehler-Analysatoren in erster Linie einfache Fehlererkennungs- Prüfvorrichtungen. Test Systems, Incorporated, in Tempe, Arizona hat verschiedene Verfahren zum Prüfen digitaler Bauteile auf einfache Weise entwickelt, die in Herstellungsfehler-Analysatoren verwendet werden können. Die Schaltung von Test Systems verwendet ein Spannungspotential zwischen dem VCC-Knoten und dem Signalknoten, das ausreicht, um eine einzelne Diodensperrschicht oder Diodengrenzschicht vorwärts zu spannen, jedoch nicht genügt, um zwei Diodengrenzschichten vorwärts zu spannen. Wenn der IC mit umgekehrter Orientierung eingefügt wird, fließt ein großer Strom vom VCC- Knoten zum Eingangs-Ausgangs-Knoten (Signalknoten) und zeigt dabei an, daß der IC mit umgekehrter Orientierung eingesetzt wurde. Parallele Leitungsbahnen müssen jedoch sorgfältig überwacht werden, um sicherzustellen, daß man von diesem Prüfsystem keine falschen Meßwerte erhält. Die bei Vorrichtungen von Test Systems Incorporated erforderlichen Überwachungsverfahren können oft etwas komplex und schwierig zu realisieren sein. Es besteht daher ein Bedarf nach einem einfachen Verfahren zum unzweideutigen Bestimmen, ob ein IC mit richtiger Orientierung in die Schaltung eingesetzt wurde.
Beispiele für Schaltkreise die diese oder ähnliche Funktionen ausführen, sind in den Patentschriften GB-A 2167196 und GB-A 1512950 angegeben.
Die Erfindung überwindet die Nachteile und Beschränkungen des Standes der Technik, indem sie ein System zum eindeutigen Bestimmen der Orientierung eines Halbleiterbausteines in einer Schaltung gemäß den Ansprüchen vorsieht. Dies wird im Ausführungsbeispiel dadurch erreicht, daß eine vorgegebene Spannung an einem Leistungs- oder Netzknoten der Schaltung vorgesehen wird, die ungefähr gleich dem doppelten Diodengrenzschicht-Spannungsübergang ist. Zusätzlich wird ein genügend großer Strom von einem Signalknoten gezogen, um eine einzelne Diodengrenzschicht in Vorwärtsrichtung (Durchlaßrichtung) vorzuspannen, so daß eine Spannung gleich einem Diodengrenzschicht-Spannungsübergang durch einen Strom erzeugt wird, der vom Masseknoten durch eine zwischen dem Masseknoten und dem Signalanschluß angeschlossene Diodengrenzschicht fliegt. Die Vorteile dieser Erfindung sind, daß sie unzweideutig mit IC's verbundene Knoten identifiziert, bei denen die IC's mit umgekehrter oder falscher Orientierung in die Schaltung eingesetzt sind. Bei umgekehrt orientierten IC's wird am Signalknoten eine erhebliche Spannungsdifferenz erzeugt, um diese fehlerhaften Knoten eindeutig zu identifizieren. Umgebogene Stifte oder fehlende Teile beeinflussen diesen Test nicht. Nur umgekehrte IC's erzeugen eine Spannungsveränderung am Signalknoten. Ferner ist anders als bei Vorrichtungen nach dem Stand der Technik keine Überwachung paralleler Leiterbahnen, insbesondere mit dem Signalknoten verbundener Leiterbahnen, notwendig, weil der am Signalknoten gezogene Strom ausreicht, um die Diodengrenzschichten zwischen dem Signalknoten und Masse in Durchlaßrichtung vorzuspannen. Dadurch, daß die Überwachung paralleler Leitungsbahnen überflüssig gemacht wird, ist dieses System sehr viel leichter zu realisieren.
Im folgenden ist ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung mit Bezug auf die Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Gesamtansicht des erfindungsgemäßen Prüfsystemes,
Figur 2 schematisch einen Teil eines typischen Schaltplans mit einer zu testenden Vorrichtung,
Figur 3 schematisch eine mögliche Schaltungstopologie für eine zu prüfende Vorrichtung und
Figur 4 schematisch eine äquivalente Schaltung, wobei die zu prüfende Vorrichtung mit der Schaltungstopologie von Figur 3 dargestellt ist.
Figur 1 ist eine schematische Darstellung der Art und Weise, in welcher die Erfindung in einem Prüfsystem realisiert werden kann. Die zu testende gedruckte Schaltungsplatte 10 weist eine Vielzahl von Bauteilen 12 auf, die mit der gedruckten Schaltungsplatte 10 verbunden sind. Leiter 14 schaffen Leitungsbahnen- oder spuren zwischen den verschiedenen Bauteilen 12. Ein Prüfbett, oder eine Prüfunterlage 16 weist eine Vielzahl von Verbindungsstiften 18 auf, die zum Verbinden verschiedener Knoten der von dem Prüfsystem nach der Erfindung zu prüfenden Leiter 14 ausgerichtet sind. Die Verbindungsstifte 18 sind mit einer Reihe von Leitern 20 verbunden, die wiederum mit dem Prüfsystem 22 verbunden sind. Das Prüfsysten 22 weist einen programmierbaren Computer oder eine Zustandslogikvorrichtung auf, die mit den notwendigen Treibern zum Erzeugen von Strömen und Spannungen und den notwendigen Detektoren, Vergleichern und anderen Schaltkreisen zum Durchführen der erfindungsgemäßen Prüffunktionen verbunden ist. Das Prüfsystem verarbeitet die Information und zeigt die Ergebnisse auf einer Anzeige 24 an. Normalerweise werden fehlerhafte Knoten mit der Leitfähigkeitsinformation verglichen, die dem Prüfsystem 22 zur Verfügung steht, um bestimmte IC's anzuzeigen, die in der Schaltung mit umgekehrter Orientierung eingesetzt sind.
Figur 2 zeigt eine schematische Darstellung einer typischen Halbleiterschaltung mit einem zu testenden Bauteil (DUT), das analysiert wird, um zu bestimmen, ob das DUT in den Schaltkreis mit umgekehrter beziehungsweise falscher Orientierung eingesetzt ist. Die Stiftanordnung, oder das Pin Layout des Halbleiterbausteines oder Halbleiters ist im allgemeinen so, daß der Massepin und der Leistungspin des Halbleiters an entsprechenden Positionen auf gegenüberliegenden Seiten des Halbleiters angeordnet sind. Wenn der Halbleiter daher in die Schaltung mit umgekehrter Orientierung eingesetzt ist, ist der Massepin mit dem Leistungs- oder Netzknoten der Schaltung verbunden, während der Leistungspin mit dem Masseknoten verbunden ist. Eine gewisse Symmetrie der Halbleiterschaltung ergibt eine Art, um zu ermitteln, ob der IC in der Schaltung mit umgekehrter Orientierung eingesetzt wurde.
In Figur 2 ist der Eingang 26 über eine Schutzdiode 28 mit Masse verbunden, wobei die Schutzdiode ein in der Halbleiterschaltung vorgesehenes diskretes Bauteil umfaßt. Auf ähnliche Weise ist der Ausgang 30 über eine parasitäre oder Stördiode 32 mit Masse verbunden, wobei die Stördiode zwischen dem Substrat und dem Ausgang aufgrund des Herstellungsverfahrens erzeugt wird. Der Basis/Emitter-Übergang des Transistors 34 sieht eine einzelne Diodengrenzschicht zwischen dem Leistungspin (VCC) 36 und dem Eingang 26 vor, der mit einem Widerstand 38 in Reihe geschaltet ist. Ähnlich ist ein Widerstand 40 mit dem Basis/Emitter-Übergang eines Transistors 42 in Reihe geschaltet, welcher wiederum mit dem Basis/Emitter-Übergang eines Transistors 44 zwischen dem Leistungspin 36 und dem Ausgang 30 in Reihe geschaltet ist. Der äquivalente Schaltkreis für die Vorrichtung von Figur 2 ist vollständiger in Figur 4 dargestellt.
In Figur 3 ist schematisch dargestellt, wie mehrere integrierte Schaltkreise in einer Schaltungstopologie auf einer gedruckten Schaltungsplatte 10 in Reihe geschaltet werden können. Obwohl Figur 3 eine Möglichkeit zeigt, bei der mehrere integrierte Schaltungen, wie die von Figur 2, angeschlossen werden, kann es viele andere Topologien, einschließlich Fan-Out-Knoten (Bus-Topologien) geben, für die die vorliegende Erfindung ebenso anwendbar ist. Wie in Figur 3 gezeigt, kann der Eingang 46 eines IC's 48 mit anderen Bauteilen oder anderen integrierten Schaltungen innerhalb der Schaltungstopologie verbunden werden. IC's 48, 50 und 52 weisen Leistungspins 54, 56 bzw. 58 auf, die mit Leistungsknoten 60 verbunden sind. Ahnlich sind Massepins 62, 64 und 66 von IC's 48, 50 bzw. 52 mit Masseknoten 68 verbunden. Wie in Figur 3 gezeigt, ist der Ausgang 70 des IC's 48 mit dein Eingang 72 des IC's 50 bei einem Signalknoten 74 der Schaltung verbunden. Ähnlich ist der Ausgang 76 des IC's 50 mit dem Eingang 78 des IC's 52 beim Signalknoten 80 der Schaltung verbunden. Der Ausgang 82 des IC's 52 kann mit einem oder mehreren zusätzlichen IC's oder anderen Bauteilen der Schaltung verbunden sein.
Figur 4 zeigt eine schematische Darstellung des zu Figur 2 äquivalenten Schaltkreises für IC 48, IC 50 und IC 52, welche in der Schaltungstopologie von Figur 3 angeschlossen sind, mit der Ausnahme, daß der Halbleiter 52 im Schaltkreis mit umgekehrter Orientierung angeschlossen ist. Das Prüfsystem nach der Erfindung verwendet eine Signalquelle 84, die einen Vormagnetisierungs- oder Vorspannungsstrom von ungefähr 10 bis 20 mA zieht, welcher ausreicht, um die Diodengrenzschichten oder Diodensperrschichten 88 und 90, die zwischen den Massepin 62 und dem Ausgangspin 70 der integrierten Schaltung 48 und dem Massepin 64 und dem Eingangspin 72 der integrierten Schaltung 50 existieren,in Vorwärtsrichtung vorzuspannen. Die Diodengrenzschicht 88 weist eine parasitäre Diode auf, während die Diodengrenzschichten 90 eine Schutzdiode aufweist. Der Strom, der vom Signalknoten 74 durch die Dioden 88 und 90 gezogen wird, erzeugt einen Einzeldiodengrenzschicht-Spannungsabfall (-VD), welcher von einem Voltmeter 92 gemessen wird. Gleichzeitig wird eine Spannung von etwa 1,4 Volt an den Leistungsknoten 60 angelegt, welche ungefähr gleich dem doppelten Diodenspannungsabfall (2VD) ist. Die Spannung am Leistungsknoten 60 ist aufgrund des im Signalpfad zwischen dem Leistungsknoten 60 und dem Signalknoten 74 in Reihe geschalteten Widerstandes nicht ausreichend, um die Dioden der Halbleiter 48 und 50 zwischen dem Leistungsknoten 60 und dem Signalknoten 74 in Vorwärtsrichtung vorzuspannen. Eine Messung von Minus einen Diodenspannungsabfall (-VD) durch das Voltmeter 92 liefert daher eine Angabe, daß beide mit dem Signalknoten 74 verbundene Halbleiter mit richtiger Orientierung in der Schaltung angeschlossen sind. Selbstverständlich kann eine beliebige Anzahl von Halbleiterbausteinen, wie die Halbleiter 48 und 50, mit einem einzelnen Signalknoten, wie dem Signalknoten 74, verbunden sein, ohne die Leistungsfähigkeit der Erfindung zu verschlechtern. Zusätzlich könnte, wie leicht aus dem in Figur 4 gezeigten Schaltkreis ersichtlich ist, einer der Halbleiter 48 oder 50 im Schaltkreis fehlen, und die erfindungsgemäße Vorrichtung wurde noch immer ebenso gut arbeiten. Daraus folgt, daß fehlende Bauteile die Betriebsfähigkeit der Erfindung nicht verschlechtern.
Halbleiter, die in der Schaltung mit umgekehrter Orientierung eingesetzt sind, werden auf etwas andere Weise erfaßt. Mit Bezug auf Halbleiter 52 von Figur 4 ist die am Leistungsknoten 60 angelegte Spannung ungefähr gleich dem doppelten Diodenspannungsabfall, das heißt, ungefähr 1,4 Volt. Da der Halbleiter 52 eine umgekehrte Orientierung aufweist, ist eine Diodensperrschicht 89 zwischen dem Massepin 66 und einem Ausgangspin 82 des Halbleiters 52 angeschlossen. Daraus ergibt sich, daß die Diodensperrschicht 89 durch die am Leistungsknoten 60 anliegende Spannung vorwärts vorgespannt wird. Der Einfachheit halber wird die am Leistungsknoten 60 anliegende Spannung verwendet, welche zwei Diodenspannungsabfälle (+2VD) umfaßt. Selbstverständlich muß am Leistungsknoten 60 ein beliebiger Spannungspegel anliegen, der ausreicht, um eine einzelne Diodensperrschicht in Vorwärtsrichtung vorzuspannen, wenn der IC mit umgekehrter Orientierung in die Schaltung eingesetzt ist, vorausgesetzt, daß der Spannungspegel am Leistungsknoten 60 kleiner ist als der zum Vorwärtsspannen der Dioden zwischen dem Leistungsknoten 60 und irgend einem Signalknoten benötigte Spannungspegel, wenn ein Halbleiter mit korrekter Orientierung in die Schaltung eingesetzt ist. Da die Diodengrenzschicht 89 in Vorwärtsrichtung vorgespannt wird, erscheint die Spannung am Leistungsknoten 60 am Leistungsknoten 80. Daraus ergibt sich ein einzelner Diodengrenzschicht-Spannungsabfall über der Schutzdiode 89, so daß vom Voltmeter 94 ein Spannungspegel von +VD am Signalknoten 80 erfaßt wird. Wenn daher ein Halbleiter, wie Halbleiterbaustein 52, mit umgekehrter Orientierung in die Schaltung eingesetzt ist, wird eine Spannung +VD am Signalknoten 80 erfaßt, anstelle einer Spannung von -VD an einem Signalknoten, wie Signalknoten 74, an welchem alle Halbleiter mit korrekter Orientierung angeschlossen sind. Ein Vergleich der Leitfähigkeitsdiagramme und fehlerhaften oder ausfallenden Knoten schafft eine Angabe über die IC's innerhalb der Schaltung, welche mit umgekehrter Orientierung in die Schaltung eingesetzt wurden.
Wiederum wäre dann, wenn einer der Halbleiter 50 oder 52 in der Schaltung fehlen würde, die Leistungsfähigkeit der erfindungsgemäßen Vorrichtung nicht beeinträchtigt, weil nur Halbleiter, die mit umgekehrter Orientierung in die Schaltung eingesetzt sind, das Lesen einer Spannung +VD am Signalknoten bewirken. Dies schafft einen wesentlichen Vorteil gegenüber Vorrichtungen nach dem Stand der Technik, welche durch umgebogene Pins und fehlende Bauteile beeinflußt werden.
Demzufolge schafft die Erfindung eine einfache und kostengünstige Vorrichtung, die Herstellungsfehler-Analysatoren ergänzen kann, um zu ermitteln, ob ein Halbleiterbaustein mit umgekehrter Orientierung in eine Schaltung eingesetzt worden ist. Diese Ergebnisse werden auf unzweideutige Weise erhalten und nicht durch fehlende Bauteile oder umgebogene Anschlußstifte beeinflußt. Überwachungsverfahren für die Signalknoten sind nicht notwendig, weil ein Strom von dem Signalknoten gezogen wird, um die Schutz- und Stördioden richtig orientierter Halbleiter in Vorwärtsrichtung vorzuspannen. Mit den Signalknoten gekoppelte Impedanzen sind normalerweise groß genug, um einen so großen Stromverbrauch von dem Signalknoten zu verhindern, der das Vorwärtsspannen dieser Dioden verhindern würde. Die Tatsache, daß keine Überwachung nötig ist, anders als bei Vorrichtungen nach dem Stand der Technik, vereinfacht die Realisierung der vorliegenden Erfindung erheblich.

Claims

1. Verfahren zum Bestimmen der Ausrichtung eines Halbleiter-Bauteiles (48,50, 52), das in einem Schaltkreis mit einem Signalknoten (74,80) und einem Netzknoten (60) verbunden ist, mit den folgenden Verfahrensschritten:

- Anlegen eines ersten Spannungspegels an den Netzknoten (60), der geringer ist als der zum Vorwärtsspannen einer ersten Diodensperrschicht oder Sperrschichten von Halbleiter-Bauteilen (48,50,52), die zwischen dem Netzknoten (60) und dem Signalknoten (74,80) angeschlossen ist/sind, notwendige Spannungspegel, wenn das Halbleiter- Bauteil (48,50,52) im Schaltkreis korrekt ausgerichtet ist, der jedoch größer ist als der zum Vorwärts spannen einer zweiten Diodensperrschicht oder Sperrschichten der Halbleiter-Bauteile, die zwischen dem Netzknoten (60) und dem Signalknoten (74,80) angeschlossen ist/sind, notwendige Spannungspegel, wenn das Halbleiter-Bauteil (48,50,52) im Schaltkreis mit einer Ausrichtung angeschlossen ist, die zur korrekten Ausrichtung entgegengesetzt ist,

- Entnehmen eines Stromes von dem Signalknoten (74,80), der ausreicht, um die zweite Diodensperrschicht oder Sperrschichten der Halbleiter-Bauteile (48,50,52) vorwärts vorzuspannen, und

- Bestimmen der Spannungsdifferenz zwischen dem Signalknoten (74,80) und dem Masseknoten (68), wobei ermittelt wird, ob die Spannungsdifferenz einen ersten Wert hat, um anzugeben, daß das Halbleiter-Bauteil (48,50,52) im Schaltkreis korrekt ausgerichtet ist, oder ob die Spannungsdifferenz einen zweiten Wert hat, um anzuzeigen, daß das Halbleiter-Bauteil (48,50,52), im Schaltkreis mit der entgegengesetzten Ausrichtung angeschlossen ist.

2. Verfahren nach Anspruch 1 zum Bestimmen, ob eines von mehreren Halbleiter-Bauteilen in einem Schaltkreis mit umgekehrter Ausrichtung angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Strom von mehreren entsprechenden Signalknoten (74,80) entnommen wird, welche jeweils Paaren oder Gruppen von Halbleiter- Bauteilen (48,50,52) zugeordnet sind.

3. Vorrichtung zum Bestimmen der Ausrichtung eines Halbleiter-Bauteiles (48,50,52), das in einem Schaltkreis mit mindestens einem Signalknoten (74,80), mindestens einem Netzknoten (60) und mindestens einem Masseknoten (68) verbunden ist, wobei das Halbleiter-Bauteil mindestens eine erste, zwischen dem Netzknoten (60) und dem Signalknoten (74,80) angeschlossene Diodensperrschicht aufweist, wenn das Halbleiter-Bauteil korrekt ausgerichtet ist, und mindestens eine zweite Diodensperrschicht (88,89,90) aufweist, die zwischen dem Signalknoten (74,80) und dem Masseknoten (68) angeschlossen ist, wenn das Halbleiter-Bauteil mit korrekter Ausrichtung angeschlossen ist, und die zwischen dem Netzknoten (60) und dem Signalknoten (74,80) angeschlossen ist, wenn das Halbleiter-Bauteil mit umgekehrter Ausrichtung angeschlossen ist, gekennzeichnet durch

- eine Spannungsversorgung zum Anlegen einer vorgegebenen Versorgungsspannung an den Netzknoten (60), die nicht ausreicht, um die erste Diodensperrschicht oder Sperrschichten des Halbleiter- Bauteiles in Vorwärtsrichtung vorzuspannen, wenn das letztgenannte mit korrekter Ausrichtung im Schaltkreis angeschlossen ist, die jedoch ausreicht, um die zweite Diodensperrschicht oder Sperrschichten in Vorwärtsrichtung vorzuspannen, wenn das Halbleiter-Bauteil im Schaltkreis mit umgekehrter Ausrichtung angeschlossen ist,

- eine Stromversorgung (84,86) zum Liefern eines vor gegebenen Vorwärtsstromes zum Signalknoten (74,80), der ausreicht, um die zweite Diodensperrschicht oder Sperrschichten in Vorwärtsrichtung vorzuspannen, wenn das Halbleiter-Bauteil (48,50,52) im Schaltkreis mit korrekter Ausrichtung angeschlossen ist, und

- eine Vorrichtung (92,94) zum Erfassen der Spannungsdifferenz zwischen dem Signalknoten (74,80) und dem Masseknoten (68), wobei bestimmbar ist, ob das Halbleiter-Bauteil (48,50,52) mit korrekter oder mit umgekehrter Ausrichtung angeschlossen ist.

4. Vorrichtung nach Anspruch 3,dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (92,94) zum Bestimmen der Spannungsdifferenz mindestens einen Spannungsmesser aufweist.