DE3803511A1 - Verfahren zur herstellung von einrichtungen mit josephson-uebergang - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft die Herstellung von Einrichtungen mit Josephson-Übergang, bestehend aus einem supraleitenden Dünn­ film aus Niobium oder Niobiumnitrid, für den Betrieb bei tiefen Temperaturen und insbesondere hochleistungsfähige und hochzuverlässige Einrichtungen mit Josephson-Übergang, die geeignet sind für eine von Problemen wie Mikrokurzschluß freie Mikrominiaturisierung von Übergangsmustern.

Bekannt ist die Herstellung einer Einrichtung mit Josephson- Übergang mit dreischichtigem Aufbau, bestehend zum Beispiel aus einem Niobiumfilm als Gegenelektrodenschicht, einer oberflächenoxidierten Aluminiumschicht als Tunnelsperrschicht und einem Niobiumfilm als Basiselektrodenschicht (JP-OS 58-1 76 983) durch aufeinanderfolgende Ausbildung der Basis­ elektroden-, Tunnelsperr- und Gegenelektrodenschicht und nachfolgende Ausbildung eines gewünschten Übergangsmusters und Verdrahtung durch Trockenätzen. Obwohl nach diesem Ver­ fahren ein hochwertiger verunreinigungsfreier Übergang her­ gestellt werden kann, da die Ausbildung des Übergangsmusters die Herstellung der Einrichtung nicht stört, hat es sich doch häufig als ungünstig erwiesen, da die bei der Reinigung der Oberfläche durch Bedampfen, das nach der Ausbildung des Übergangsmusters auf der Gegenelektrodenschicht durchgeführt wird, verwendeten Argonmoleküle die Tunnelsperrschicht in­ folge einer unvollkommen ausgebildeten Isolierschicht zer­ stören und die Basiselektrodenschicht weiter ätzen können, wodurch es unter Beeinträchtigung der Zuverlässigkeit der Übergangseinrichtung zu einem lokalen Mikrokurzschluß zwischen der aufgebrachten Elektrodenschicht und der Basiselektrodenschicht kommt.

Zweck der Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung einer hochleistungsfähigen und hochzuver­ lässigen Einrichtung mit Josephson-Übergang durch Bereit­ stellen des isolierenden Dünnfilms nach dem Trockenätzen des supraleitenden Gegenelektrodenmusters aus einem dünnen Nio­ biumfilm oder dergleichen, um die Entstehung von Rillen oder Graten oder andere mögliche Ursachen für lokale Mikro­ kurzschlüsse zu verhindern.

Der Zweck der Erfindung kann dadurch erzielt werden, daß man nach dem Trockenätzen des supraleitenden Gegenelektrodenmu­ sters aus einem dünnen Niobiumfilm oder dergleichen die Sei­ tenwand eines Resistmusters durch Veraschen mit Plasma umformt und verkleinert, um die Kanten und Ecken des Gegen­ elektrodenmusters zu terrassieren, wonch man dann zum Ab­ decken der geätzten Schicht einen isolierenden Dünnfilm auf­ bringt. Dieser dient dazu, während der Reinigung durch Argon­ gasbedampfung die Umgebung der Gegenelektrodenschicht, die den Übergangsbereich der Einrichtung mit Josephson-Übergang steuert, zu schützen.

Diese und andere Aufgaben sowie viele Vorteile der Erfindung werden durch die nachfolgende Beschreibung und die Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 ein Verfahren zur Herstellung einer Einrichtung mit Josephson-Übergang;

Fig. 2 einen Querschnitt durch eine nach dem erfindungsge­ mäßen Verfahren hergestellte Einrichtung mit Josephson-Über­ gang;

Fig. 3 ein herkömmliches Verfahren zur Herstellung einer Einrichtung mit Josephson-Übergang;

Fig. 4 einen Querschnitt durch ein Verdrahtungsmuster einer Einrichtung mit Josephson-Übergang, hergestellt nach dem her­ kömmlichen Hinterfüllungsverfahren und

Fig. 5 den Aufbau einer Einrichtung mit Miobium-Jo­ sephson-Übergang, deren drei Schichten nacheinander erfin­ dungsgemäß ausgebildet wurden.

Nachfolgend werden anhand von Fig. 3 das herkömmliche Ver­ fahren zur Herstellung einer Einrichtung mit Josephson-Über­ gang und seine Nachteile näher erläutert. Gemäß Fig. 3a wird auf ein Substrat 31 durch Bedampfen eine Dreifachschicht von Nb/AlOx/Nb, bestehend aus einem dünnen Niobiumfilm, der als Basiselektrodenschicht 32 dient, einer oberflächenoxidierten Aluminiumschicht (AlOx), die als Tunnelsperrschicht 33 dient, und einem dünnen Niobiumfilm, der als Gegenelektrodenschicht 34 dient, aufgebracht, wonach auf der Gegenelektrodenschicht 34 zur Ausbildung eines Übergangs ein Resistmuster 35 gebildet wird. Danach wird gemäß Fig. 3b zur Entfernung der gesamten Gegenelektrodenschicht 34 mit Ausnahme des Übergangs mit CF₄- Gas geätzt, bis die AlOx-Schicht 33 bloßgelegt ist. Danach wird gemäß Fig. 3c in derselben Dicke wie der Niobiumfilm der Gegenelektrodenschicht 34 mit dem Resistfilm auf der Gegen­ elektrodenschicht als Maskenmuster für die nachgfolgende Schichtenabtragung ein isolierender Siliziumfilm 36 aufge­ bracht. Gemäß Fig. 3d erfolgt dann die Schichtenabtragung mit Aceton zwecks Einebnung des isolierenden Dünnfilms 36, der die geätzte Schicht überzieht, um die Seitenwand des dünnen Niobiumfilmmusters bzw. der Gegenelektrodenschicht 34 zu schützen. Obwohl das bekannte Verfahren für die Ausbildung eines hochwertigen verunreinigungsfreien Übergangs bis zu einem gewissen Grade brauchbar ist, hat es doch auch seine Nachteile, die darin bestehen, daß der Isolierfilm 36 häufig dadurch beeinträchtigt wird, daß er Rillen oder Grate be­ kommt, wie durch die punktierten Kreise in Fig. 3d angegeben ist. Gerade diese Rillen können, wenn sie sich einmal gebil­ det haben, folgendes Problem nach sich ziehen. Obwohl es not­ wendig ist, den Oxidfilm bei der Herstellung für die Verdrah­ tung der Gegenelektrodenschicht 34 von dieser durch Reinigung auf dem Wege einer Argongasbedampfung vollständig zu entfer­ nen, ermöglicht es das Vorhandensein von Rillen im Isolier­ film 36 den Argongasmolekülen während der Reinigung durch Be­ dampfung die Tunnelsperrschicht (AlOx-Schicht) 33 anzugrei­ fen, was zu einem unerwünschten Ätzen der Basiselektroden­ schicht 32 und damit zur Entwicklung eines lokalen Mikrokurz­ schlusses zwischen der Verdrahtungselektrodenschicht und der Basiselektrodenschicht führt. Aus diesem Grunde war es mit dem bekannten Verfahren nicht möglich, Einrichtungen mit Josephson-Übergang mit hoher Zuverlässigkeit herzustellen. Der in Fig. 4 von einem punktierten Kreis umgebene Bereich illustriert ein Beispiel eines Mikrokurzschlusses, der ent­ steht, wenn eine Elektrodenschicht 47 auf der Gegenelektro­ denschicht 44 ausgebildet wird. Es besteht daher ein star­ ker Bedarf nach einem dünnen Isolierfilm 46, der die ge­ ätzte Schicht abdeckt und die harten Bedingungen der Reini­ gung mit Argongasbedampfung erträgt.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung einer Ein­ richtung mit Josephson-Übergang beseitigt sämtliche mit dem bekannten Verfahren verbundenen Probleme und kann einen von Rillen, Graten und anderen Fehlern wie Mikrokurzschlüssen freien dünnen Isolierfilm 46 nach der Trockenätzung der Gegenelektrodenschicht bereitstellen, wodurch die Herstel­ lung einer hochzuverlässigen und hochleistungsfähigen Ein­ richtung mit Josephson-Übergang möglich wird.

Gemäß Fig. 1a wird die Gegenelektrodenschicht 14 mit CF₄- Gas geätzt, bis die oberflächenoxidierte Aluminiumschicht (AlOx) 13 bis auf den Übergang vollkommen bloßgelegt ist. Dann wird gemäß Fig. 1b die Seitenwand des Resistmusters 15 auf der Gegenelektrodenschicht 14 durch Ätzen und Ver­ aschen mit Sauerstoffplasma umgeformt und verkleinert, um terrassenförmige Bereiche (durch punktierte Kreise angegeben) auf der Gegenelektrodenschicht 14 auszubilden. In Fig. 1c wird das erwähnte Resistmuster 15 als Maskenmuster für die Abtragung verwendet und ein dünner Isolierfilm 16, der etwas dicker als die Gegenelektrodenschicht 14 ist, wird auf die gesamte Oberfläche aufgebracht. In diesem Falle werden die auf der Gegenelektrodenschicht 14 durch Entfernen eines Teils der Seitenwand des Resistmusters 15 ausgebildeten terrassier­ ten Bereiche ebenfalls mit dem dünnen Isolierfilm 16, wie die Figur zeigt, beschichtet. Danach wird, wie Fig. 1d zeigt, mit Aceton abgetragen, um den dünnen Isolierfilm als Schutz­ schicht auf dem mit Plasma geätzten Teil und dem terrassier­ ten Teil der Gegenelektrodenschicht 14, die der Umformung und Verkleinerung des Musters durch Plasmaveraschen unterworfen wurde, zu hinterlassen. Bei diesem Verfahren wird Sauerstoff zum Plasmaätzen und -veraschen verwendet. Für das Umformen und Verkleinern der Seitenwand des Resistmusters 15 sollte der Querschnitt des Resistmusters 15 vorzugsweise terrassiert sein, um einen leichten Überhang zu haben. Für die Ausbil­ dung einer Terrasse mit einem Überhang ist es erforderlich, die Resistfilmoberfläche vorgängig durch Bedampfungsreinigung mit hohe Energie aufweisenden Teilchen zu härten. Ohne dieses Verfahren ist es schwierig, eine abhebbare Maske von ge­ wünschter Form herzustellen. Die Bedingungen für die Reini­ gung durch Sauerstoffbedampfung und das Plasmaveraschen sind somit entscheidende Faktoren bei der Erzielung eines ge­ wünschten Querschnitts des Resistfilms. Fig. 2 zeigt eine entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren auf einem Gegenelektrodenschichtmuster 24 aus Niobium ausgebildete Elektrodenschicht 27. Wie aus der Figur hervorgeht, ist der mit dem punktierten Kreis angedeutete Teil des Übergangs zur Gegenelektrodenschicht 24 mit dem dünnen Isolierfilm 26 geschützt. Die Bedampfungsreinigung mit Argongas vor dem Aufbringen der Verdrahtungselektrode 27 wird hier nicht zu einer möglichen Ursache für Mikrokurzschlüsse, da es hier möglich ist, den trocken geätzten Resistfilm so zu gestalten, daß er als abhebbare Maske geeignet ist.

Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 5 dargestellt.

Fig. 5 zeigt einen Querschnitt durch einen Nb-Josephson- Übergang, der Steuerdrähte 61 und 61′ aufweist, mit einem Konstruktionsmaß von 2 µm, was eine Fließbandfertigung ermöglicht. Bei dieser bevorzugten Ausführung ist der Teil 51 ein Siliziumsubstrat 100 mit einem Durchmesser von 50 mm und einer Dicke von 350 µm. Auf dem Siliziumsubstrat 51 wird ein 600 nm dicker thermisch oxidierter Film 52 aus SiO₂ ausge­ bildet. Auf die thermisch oxidierte SiO₂-Schicht 52 wird dann durch Gleichstrom-Magnetron-Bedampfung bei einem Argongas­ druck von 0,6 Pa und einer Beschichtungsgeschwindigkeit von 3 nm/s als Massenschicht ein 200 nm dicker Niobiumfilm 53 aufgebracht. Danach wird als eine Isolierschicht 54 ein 300 nm dicker SiO-Film aufgebracht. Danach wird unter denselben Bedingungen wie bei der Massenschicht 53 als Basiselektro­ denschicht 55 ein 200 nm dicker Niobiumfilm aufgebracht. Dann wird das Siliziumsubstrat 51 genau unter das Aluminiumtarget in derselben Bedampfungskammer zur Beschichtung mit einem 5 nm dicken Aluminiumfilm gebracht. Die Geschwindigkeit, mit der der Aluminiumfilm aufgebracht wird, beträgt 0,2 nm/s. Nach Ausbildung des Aluminiumfilms wird in die Bedampfungs­ kammer bis zu einem Druck von 60 Pa Sauerstoffgas zugeführt. Der Aluminiumfilm wird dann 40 Minuten lang bei Raumtempe­ ratur (24 bis 26°C) zur Ausbildung einer darüberliegenden Schicht 56 von Aluminiumoxid (AlOx) (bei der bevorzugten Ausführungsform ist x = 2) oxidiert. Dann wird die Be­ dampfungskammer ausgepumpt und das Siliziumsubstrat un­ mittelbar unter das Niobiumtarget gebracht, wonach durch Gleichstrom-Magnetron-Bedampfung ein 100 nm dicker Nio­ biumfilm aufgebracht wird.

Nach der aufeinanderfolgenden Ausbildung der Dreifach­ schicht Nb/AlOx/Nb wird das Siliziumsubstrat 51 aus der Bedampfungskammer genommen. Dann wird für das Verdrahtungs­ muster der Basiselektrodenschicht 55 und den Tunnelsperr­ übergang unter den folgenden Bedingungen ein Resistmuster ausgebildet. Ein AZ1350J Resist (ein positiver Resist der Firma Hoechst) wird bis zu einer Dicke von 1,2 µm durch Schleudern beschichtet, wonach während 20 Minuten bei 90°C vorgebrannt wird. Dann wird das Muster 12 Sekunden lang UV-Strahlen bei einer Beleuchtungsstärke von 7 mW/cm² ausgesetzt.

Anschließend wird 90 Sekunden lang in einer Entwickler­ lösung, bestehend aus einem Teil AZ-Developer (einem alka­ lischen Entwickler der Firma Hoechst) und einem Teil Was­ ser entwickelt, 120 Sekunden lang mit Wasser gewaschen und schließlich zur Ausbildung des Resistmusters durch Schleu­ dern getrocknet. Dann wird zur Durchführung des Ätzens das Siliziumsubstrat 51 in eine Vakuumkammer gegeben. Nach dem Auspumpen der Vakuumkammer wird der gesamte Niobiumfilm bis auf das Resistmuster durch reaktives Ionenätzen mit CF₄-Gas bei einem Druck von 26 Pa und einer Leistung von 100 W ent­ fernt. Wenn die oberflächenoxidierte Aluminiumschicht bloß­ gelegt ist, beginnt man mit dem Ionenstrahlätzen unter Ver­ wendung von Argongas während ca. 1 Minute bei einem Argon­ druck von 2 × 10^-2Pa, einer Beschleunigungsspannung von 600 eV und einer Ionenstromdichte von 0,4 mA/cm². Danach wird das Verdrahtungsmuster der Basiselektrodenschicht 55 unter denselben Bedingungen, wie oben angegeben, ausgeführt.

Nach der Entnahme aus der Vakuumkammer wird das Substrat 51 der Abtragung mit Aceton unterworfen, um das Muster auszu­ bilden, das sowohl die Basiselektrodenschicht 55 als auch den Tunnelsperrübergang abdeckt.

Danach wird das Resistmuster, das den Übergangsbereich beeinflußt, unter denselben Bedingungen, wie oben angegeben, ausgebildet. Die Fläche des Übergangsbereichs beträgt 1,8 µm². Auch hier wird das Substrat 51 in die Vakuumkammer gegeben, wonach die Gegenelektrodenschicht 57 mit CF₄-Gas unter denselben Bedingungen wie für das Verdrahtungsmuster für die Basiselektrodenschicht 55 geätzt wird. Danach wird das Substrat 51 aus der Vakuumkammer entnommen, wonach die Resistoberfläche durch Zerstäubungsätzung mit Sauerstoffgas bei einem Sauerstoffdruck von 0,8 Pa, einer Hochfrequenz­ leistung von 20 W und einer Behandlungsdauer von 3 Minuten gehärtet wird. Danach wird während 5 Minuten bei einem Sauerstoffgasdruck von 65 Pa und einer HF-Leistung von 300 W mit Plasma verascht. Schließlich beträgt die Schrumpf­ breite des Resistfilms vom Ende des Übergangsmusters her ca. 150 nm, wobei auf dem um etwa 100 nm reduzierten Resistfilm eine Terrasse zurückbleibt. Nach der Behandlung weist das Resistmuster einen verkehrttrapezförmigen Umriß auf, wobei die untere Breite um ca. 200 nm kürzer ist als die obere.

Danach wird genauso wie bei der Basiselektrodenschicht 55 ein dünner Isolierfilm aus Silizium zum Abdecken der ge­ ätzten Schichten ausgebildet. Dazu wird das Resistmuster auf der Gegenelektrodenschicht 57 nach dem reaktiven Ionen­ ätzen als abhebbare Maske verwendet und der dünne Isolier­ film 58 wird bis zu einer Dicke von 220 nm aufgebracht.

Danach wird das Siliziumsubstrat 51 aus der Vakuumkammer genommen und der Abtragung mit Aceton unterworfen, um die geätzten Schichten sowie die Kanten und Ecken in der Umge­ bung der Gegenelektrodenschicht 57 mit einem dünnen Iso­ lierfilm abzudecken. In diesem Stadium wird der ober­ flächenoxidierten Aluminiumschicht 56 (AlOx) eine bestimmte Fläche für die Tunnelsperrschicht verliehen.

Danach wird die Oberfläche der Gegenelektrodenschicht 57 durch Zerstäubungsätzung mit Argongas gereinigt. Die Be­ dingungen für diese Oberflächenreinigung sind: Argongas­ druck 0,8 Pa, HF-Leistung 70 W und Behandlungsdauer 30 Minu­ ten. Danach wird wie bei der Massenschicht 53, der Basis­ elektrodenschicht 55 und der Gegenelektrodenschicht 57 durch Gleichstrom-Magnetron-Bedampfung ein 300 nm dicker Niobiumfilm aufgebracht. Auch hier wird dann das Substrat 51 aus der Bedampfungskammer genommen und unter genau den­ selben Bedingungen, wie oben angegeben, ein Resistmuster für die Verdrahtungselektrode 59 ausgebildet. Dann wird das Substrat 51 wieder in die Vakuumkammer gegeben. Nach dem Auspumpen der Vakuumkammer wird unter denselben Bedingun­ gen, wie oben angegeben, die reaktive Ionenätzung durch­ geführt, um den gesamten Niobiumfilm bis auf den Bereich des Resistmusters für die Verdrahtungselektrode 59 zu ent­ fernen, um dadurch das Muster der Verdrahtungselektrode 59, die mit der Gegenelektrodenschicht 57 verbunden werden soll, auszubilden. Nach der Entnahme aus der Vakuumkammer wird das Siliziumsubstrat 51 zur Entfernung des Resists vom Muster der Verdrahtungselektrode 59 mit Aceton gewaschen. Dann wird bis zu einer Dicke von 450 nm ein eine Zwischen­ schicht darstellender dünner Isolierfilm 60 aus Silizium­ monoxid ausgebildet. Für die Ausbildung der Isolierzwischen­ schicht 60 führt man mit Hilfe einer AZ1350J Resist-Maske einen Abtrag durch. Danach wird bis zu einer Dicke von 600 nm ein als Steuerdrahtelektrode 61 dienender Niobiumfilm aufgebracht. Dann wird das Substrat 51 wiederum aus der Vakuumkammer entnommen und das Resistmuster der Steuerdraht­ elektrode 61 entsprechend den oben angegebenen Bedingungen ausgebildet, wonach zur Entfernung des gesamten Niobiumfilms mit Ausnahme des obigen Resistmusterbereichs zur Ausbildung des Musters der Steuerdrahtelektrode 61 eine reaktive Ionen­ ätzung mit CF₄ durchgeführt wird. Das Substrat 51 wird dann aus der Vakuumkammer genommen und zur Entfernung des Resists vom Muster der Steuerdrahtelektrode 61 mit Aceton gewaschen.

Die Herstellung einer Einrichtung mit Josephson-Übergang unter Verwendung von Niobium ist damit beendet.

Neben Niobium können zur Herstellung von Einrichtungen mit Josephson-Übergang derselben Qualität und Leistungsfähig­ keit auch Niobiumnitrid, Tantalnitrid, Bleilegierungen usw. verwendet werden. Obwohl bei der vorliegenden Ausführungs­ form als dünner Isolierfilm zur Hinterfüllung ein Silizium­ film verwendet wurde, können meist unter Erzielung derselben Leistungsfähigkeit auch statt dessen Siliziummonoxid und -dioxid, Aluminiumoxid, Germanium, Germaniumoxid, Magnesium­ oxid und -fluorid, Zinnfluorid usw. verwendet werden.

Durch die Erfindung werden die für die bekannte Einrich­ tung kennzeichnenden Mikrokurzschlüsse zwischen der Basis- und der Gegenelektrodenschicht beseitigt und es wird er­ möglicht, Niobiumeinrichtungen mit Josephson-Übergang von hoher Zuverlässigkeit und hoher Reproduzierbarkeit herzu­ stellen. So zum Beispiel betrug die Streuung des kriti­ schen supraleitenden Stroms (Ic) von 100 in Serie geschal­ teten Stücken einer 1,8 µm²-Einrichtung mit Josephson-Über­ gang ±7%. Somit konnte der Betriebsbereich einer Schal­ tung auf der Basis einer Einrichtung mit Josephson-Über­ gang erheblich verbessert werden.

Außerdem wurden 100 Stück von erfindungsgemäß entwickel­ ten kreuzförmigen 1,5 µm²-Josephson-Übergängen entwickelt, und die gemessene Streuung ihres kritischen supraleitenden Stroms (Ic) ergab ±6%. Kein Mikrokurzschluß wurde gefunden und die Reproduzierbarkeit war hoch.

Claims (4)

1. Verfahren zur Herstellung von Einrichtungen mit Josephson- Übergang, gekennzeichnet durch folgende Ver­ fahrensschritte:

• (a) Ausbilden einer Basiselektrodenschicht, einer Tunnel­ sperrschicht und einer Gegenelektrodenschicht aus supraleitendem Dünnfilm, die einen Josephson-Übergang bilden, auf einem gewünschten Substrat;
• (b) Ausbilden eines Resistmusters einer gewünschten Form auf der Gegenelektrodenschicht zur Ausbildung eines Gegenelektrodenmusters;
• (c) Trockenätzen der Gegenelektrodenschicht mit dem Resistmuster als Maske;
• (d) Ausbilden eines terrassenförmigen Bereichs an den Kanten und Ecken des Gegenelektrodenmusters durch Ab­ trag eines Teils des Resists mit Sauerstoffplasma zum Umformen und zur Verkleinerung der Querschnittsgeome­ trie des Resistmusters;
• (e) Aufbringen eines dünnen Isolierfilms auf die gesamte Oberfläche des Substrats zum Abdecken der geätzten Schichten und
• (f) Entfernung des Resistmusters zusammen mit dem darauf abgeschiedenen dünnen Isolierfilm.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die supraleitenden Filme mit drei­ schichtigem Aufbau aus wenigstens einem Stoff aus der Gruppe Niobium, Niobium-, Molybdän-, Tantalnitrid und Bleilegierungen hergestellt werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Basiselektrodenschicht, die Tunnelsperrschicht und die Gegenelektrodenschicht, die einen dreischichtigen supraleitenden Dünnfilm bilden, hergestellt werden wenigstens aus einer der nachfolgen­ den Dreierkombinationen: Niobiumfilm, oberflächenoxidier­ ter Aluminiumfilm und Niobiumfilm; Niobiumfilm, oberflä­ chenoxidierter Aluminiumfilm und Niobiumnitridfilm; Niobiumnitridfilm, Niobiumoxidfilm und Niobiumnitridfilm.

4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der die geätzten Schich­ ten abdeckende isolierende Dünnfilm hergestellt wird aus wenigstens einem Stoff der Gruppe Silizium, Silizium­ monoxid, Siliziumdioxid, Aluminiumoxid, Germanium, Magne­ siumfluorid, Zinnfluorid und Magnesiumoxid.