DE3722916A1 - Fotoelektrische wandlervorrichtung - Google Patents
Fotoelektrische wandlervorrichtungInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 64
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 description 36
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 32
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 32
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 32
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 32
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 30
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 29
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 29
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 29
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 11
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003818 SiH2Cl2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 2
- -1 2 Si Chemical compound 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100234408 Danio rerio kif7 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100221620 Drosophila melanogaster cos gene Proteins 0.000 description 1
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 1
- 229910003822 SiHCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100398237 Xenopus tropicalis kif11 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
- H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/11—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors
- H01L31/1105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by two potential barriers, e.g. bipolar phototransistors the device being a bipolar phototransistor
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- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
- H01L31/113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
- H01L31/1136—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor the device being a metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine fotoelektrische Wandler
vorrichtung mit einem Ladungsspeicherbereich, dessen elektrisches
Potential über einen Kondensator gesteuert wird.
Fig. 1A ist eine schematische Draufsicht auf eine fotoelektrische
Wandlervorrichtung gemäß einem Beispiel, das in der
europäischen Offenlegungsschrift 1 32 076 beschrieben ist. Fig. 1B
ist die Ansicht eines Schnitts längs einer Linie A-A′ in
Fig. 1A. Fig. 1C ist ein Äquivalenzschaltbild der
Vorrichtung.
Gemäß Fig. 1A und 1B sind auf einem n-Siliziumsubstrat 101
fotoelektrische Wandlerzellen angeordnet, die jeweils von den
benachbarten Zellen elektrisch durch eine Zellentrennzone 102
aus SiO₂, Si₃N₄, Polysilizium oder dergleichen isoliert sind.
Jede Zelle hat folgenden Aufbau: In einer m--Zone 103 mit
geringer Störstellendichte, die nach dem Epitaxialverfahren
oder dergleichen gebildet ist, sind durch Dotieren mit p-
Fremdatomen wie beispielsweise mit Bor p-Zonen 104 und 105
ausgebildet; in der p-Zone 104 ist durch Fremdatomdiffusion,
Ionenimplantation oder dergleichen eine n⁺-Zone 106 aus
gebildet.
Die p-Zonen 104 und 105 sind die Sourcezone und die Drainzone
eines p-Kanal-MOS-Transistors, während die p-Zone 104 und die
n⁺-Zone 106 die Basis bzw. der Emitter eines bipolaren npn-
Transistors sind. Die p-Zone 104 ist sowohl die Sourcezone
des MOS-Transistors als auch die Basis des bipolaren npn-
Transistors.
Auf der n--Zone 103, auf der auf diese Weise die jeweiligen
Zonen ausgebildet sind, ist ein Oxidfilm 107 gebildet, auf
dem eine Gate-Elektrode 108 des MOS-Transistors und eine
Kondensatorelektrode 109 mit einer vorbestimmten Fläche aus
gebildet sind. Die Kondensatorelektrode 109 ist unter
Zwischensetzung des Oxidfilms 107 der p-Zone 104 gegenüber
gesetzt, so daß dadurch ein Kondensator gebildet ist.
Ferner sind eine mit der n⁺-Zone 106 verbundene Emitterelektrode
110, eine mit der p-Zone 105 verbundene Elektrode 111
und eine unter Zwischensetzung einer ohmschen Kontaktschicht
auf die Rückseite des Substrats 101 aufgebrachte Kollektor
elektrode 112 gebildet.
Es wird nun die grundlegende Funktion dieser Vorrichtung
beschrieben. Zunächst sei angenommen, daß die p-Zone 104, die
die Basis des bipolaren Transistors ist, auf einem negativen
Anfangspotential liegt. Das in die p-Zone 104 eindringende
Licht erzeugt Elektronen-Löcher-Paare, von denen die positiven
Löcher in der p-Zone 104 gespeichert werden, wodurch das
Potential der p-Zone 104 in positiver Richtung angehoben wird
(Speichervorgang).
Danach wird die Emitterelektrode 110 erdfrei bzw. potentialfrei
geschaltet und an die Kondensatorelektrode 109 ein positiver
Lesespannungsimpuls angelegt. Hierdurch wird das Potential
der die Basis des Transistors bildenden p-Zone 104
angehoben, wodurch zwischen die Basis und den Emitter eine
Durchlaßvorspannung angelegt wird. Dadurch wird ein über den
Emitter und den Kollektor fließender Strom hervorgerufen, der
der Änderung des Basispotentials während des Speichervorganges
entspricht. Daher erscheint an der offenen Emitterelektrode
110 ein elektrisches Signal, das der Menge des einfallenden
Lichts entspricht (Lesevorgang). Hierbei wird die Menge der
in der Basis bzw. p-Zone 104 gespeicherten elektrischen Ladungen
nicht wesentlich vermindert, so daß die gleiche
optische Information wiederholt ausgelesen werden kann.
Es wird nun ein Auffrischungsvorgang für das Beseitigen der
in der p-Zone 104 gespeicherten positiven Löcher beschrieben.
Fig. 2A und 2B zeigen zum Veranschaulichen des Auffrischungs
vorgangs Spannungskurvenformen.
Gemäß Fig. 2A wird der MOS-Transistor nur dann durchgeschaltet,
wenn an die Gate-Elektrode 108 eine negative Spannung
angelegt wird, die höher als ein Schwellenwert ist.
Gemäß Fig. 2B wird für die Auffrischung die Emitterelektrode
110 geerdet und die Elektrode 111 auf Massepotential gebracht.
Zuerst wird zum Einschalten des p-Kanal-MOS-Transistors
an die Gate-Elektrode 108 eine negative Spannung angelegt.
Hierdurch wird trotz des Pegels des Speicherpotentials
das Potential der Basis bzw. p-Zone 104 auf einen konstanten
Wert gebracht. Danach wird an die Kondensatorelektrode 109
zur Auffrischung ein positiver Spannungsimpuls angelegt,
durch den die p-Zone 104 in bezug auf die n⁺-Zone 106 in
Durchlaßrichtung vorgespannt wird, wodurch über die geerdete
Emitterelektrode 110 die gespeicherten positiven Löcher abge
leitet werden. Wenn der Auffrischungsimpuls abfällt, ist die
p-Zone 104 wieder auf ihr negatives Anfangspotential zurück
gebracht (Auffrischungsvorgang). Da gemäß den vorstehenden
Ausführungen die Basis bzw. p-Zone 104 durch den MOS-Transistor
auf einem festen Potential liegt und dann für das Beseitigen
der restlichen elektrischen Ladungen ein Auffrischungsimpuls
angelegt wird, kann ein neuer Speichervorgang ausgeführt
werden, der von dem zuvor gespeicherten Potential unabhängig
ist. Auf diese Weise können die Restladungen schnell
beseitigt werden, was einen Betrieb mit hoher Geschwindigkeit
ergibt. Danach werden auf gleichartige Weise das Speichern,
das Lesen und das Auffrischen wiederholt.
Bei dieser Vorrichtung besteht jedoch ein Problem darin, daß
in einer einzigen Wandlerzelle ein bipolarer Transsistor und
ein MOS-Transistor ausgebildet sind, so daß bei der herkömmlichen
Anordnung viele Anschlüsse zu erzeugen sind und es
schwierig ist, eine feinere Struktur zu erzielen.
Zum Ausschalten der vorstehend genannten Probleme der herkömmlichen
Vorrichtung liegt die Aufgabe zugrunde, eine
fotoelektrische Wandlervorrichtung zu schaffen, die eine
feinere Struktur und damit eine erhöhte Dichte und ein höheres
Auflösungsvermögen hat.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den im Patentanspruch 1
genannten Mitteln gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unter
ansprüchen aufgeführt.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen
unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
Fig. 1A bis 1C zeigen eine herkömmliche fotoelektrische
Wandlervorrichtung, wobei die Fig. 1A eine schematische
Draufsicht ist, die Fig. 1B eine Ansicht eines
Schnitts entlang einer Linie A-A′ in Fig. 1A ist und
Fig. 1C ein Äquivalenzschaltbild der Vorrichtung
ist.
Fig. 2A und 2B sind Spannungskurvenformdarstellungen, die
die Funktion eines MOS-Transistors bzw. einen Auffrischungs
vorgang veranschaulichen.
Fig. 3A und 3B zeigen eine fotoelektrische Wandlervorrichtung
gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel, wobei die
Fig. 3A eine schematische Seitenansicht ist und
die Fig. 3B ein Äquivalenzschaltbild der Vorrichtung
ist.
Fig. 4A und 4B zeigen ein zweites Ausführungsbeispiel der
Wandlervorrichtung, wobei die Fig. 4A ein Äquivalenz
schaltbild ist und die Fig. 4B eine Darstellung
von Spannungskurvenformen zum Veranschaulichen eines
Auffrischungsvorgangs ist.
Fig. 5A und 5B zeigen ein drittes Ausführungsbeispiel der
Wandlervorrichtung, wobei die Fig. 5A ein Äquivalenz
schaltbild ist und die Fig. 5B eine Darstellung
von Spannungskurvenformen zum Veranschaulichen eines
Auffrischungsvorgangs ist.
Fig. 6A und 6B zeigen ein viertes Ausführungsbeispiel der
Wandlervorrichtung, wobei die Fig. 6A ein Äquivalenz
schaltbild ist und die Fig. 6B eine Darstellung
von Spannungskurvenformen zum Veranschaulichen eines
Auffrischungsvorgangs ist.
Fig. 7 ist eine grafische Darstellung, die den Zusammen
hang zwischen der Größe r von Kristallkernen und
freier Energie bei dem Bilden eines Dünnfilms zeigt.
Fig. 8A und 8B sind Darstellungen eines Verfahrens zur
selektiven Ablagerung.
Fig. 9 ist eine grafische Darstellung, die zeitliche Änderungen
von Kernbildungsdichten ND auf einer Ablagerungs
fläche aus SiO₂ und einer Ablagerungsfläche aus
Siliziumnitrid zeigt.
Fig. 10A bis 10D sind Darstellungen von Herstellungsschritten
bei einem Verfahren zum Bilden eines Kristalls für
die Vorrichtung gemäß dem ersten Ausführungs
beispiel.
Fig. 11A und 11B sind perspektivische Ansichten eines in den
Fig. 10A bis 10D gezeigten Substrats.
Fig. 12 ist eine grafische Darstellung, die den Zusammenhang
zwischen dem Verhältnis der Durchflußleistungen von
SiH₄ und NH₃ und dem Zusammensetzungsverhältnis von
Si und N in einem gebildeten Siliziumnitridfilm
zeigt.
Fig. 13 ist eine grafische Darstellung, die den Zusammenhang
zwischen dem Si/N-Zusammensetzungsverhältnis und der
Kernbildungsdichte zeigt.
Fig. 14 ist eine grafische Darstellung, die den Zusammenhang
zwischen der Menge injizierter Si-Ionen und der
Kernbildungsdichte zeigt.
Fig. 15A bis 15C sind Darstellungen von Schritten zum Bilden
eines Silizium-Einkristalls und eines Transistors
bei den Ausführungsbeispielen der Wandlervorrichtung.
Die Fig. 3A ist eine schematische Schnittansicht der erfindungs
gemäßen fotoelektrischen Wandlervorrichtung gemäß einem
ersten Ausführungsbeispiel, während die Fig. 3B ein Äquivalenz
schaltbild der Vorrichtung ist. In der Fig. 3 und in der
Fig. 1, die den Stand der Technik darstellt, sind gleiche
Teile mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
Nach Fig. 3A ist auf einem n-Substrat 101 eine epitaxiale n--
Schicht 103 gebildet. In der Schicht 103 ist eine p-Basiszone
104 gebildet, die von einer Zellentrennzone 102 umgeben ist.
In der p-Basiszone 104 ist eine n⁺-Emitterzone 106 gebildet.
Über der epitaxialen n--Schicht 103, in der die verschiedenen
Zonen ausgebildet sind, ist eine Isolierschicht 107 gebildet,
auf der der p-Basiszone 104 gegenübergesetzt eine Kondensator
elektrode 109 ausgebildet ist.
Auf diesem bipolaren Transistor als untere Schicht ist eine
Isolierschicht 113 aus SiO₂ oder dergleichen mit einer Ausnehmung
gebildet, in der nach einem nachfolgend ausführlicher
beschriebenen Einkristall-Züchtungsverfahren eine n-Einkristall-
Siliziumschicht 114 gezüchtet ist. An der n⁺-Emitterzone
106 ist eine Kontaktöffnung für eine Emitterelektrode
110 ausgebildet.
Über der nach dem Einkristall-Züchtungsverfahren gebildeten
Einkristall-Siliziumschicht 114 sind ein Gate-Oxidfilm, eine
Gate-Elektrode 108, eine Sourcezone und eine Drainzone gebildet,
die einen MOS-Transistor 115 bilden. Die Drainzone ist
über eine Leitung 116 mit der darunterliegenden p-Basiszone
104 verbunden. Über dem MOS-Transistor 115 ist ein Passivierungs
film 117 gebildet, durch den hindurch die Sourcezone des
MOS-Transistors 115 mit einer Elektrode 111 verbunden ist.
Die Äquivalenzschaltung für das derart aufgebaute Ausführungs
beispiel ist in Fig. 3B gezeigt. Falls in Verbindung
mit der n-Siliziumschicht 114, die das Substrat des
MOS-Transistors 115 ist, eine Elektrode ausgebildet und mit einer
Rückseiten-Elektrode 112 verbunden wäre, wäre die Schaltung
die gleiche wie diejenige nach dem Stand der Technik. Daher
sind die jeweiligen grundlegenden Vorgänge des Speicherns,
Lesens und Auffrischens bei diesem Ausführungsbeispiel die
gleichen wie bei dem vorangehend schon beschriebenen Beispiel
für den Stand der Technik. D. h., wenn bei dem Auffrischungs
vorgang zuerst der MOS-Transistor 115 durchgeschaltet wird,
werden über die Leitung 116 und den MOS-Transistor 115 die
elektrischen Ladungen der p-Basiszone 104 aus der Elektrode
111 abgeführt. Nachdem die p-Basiszone 104 auf diese Weise
auf ein festes Potential gelegt ist, wird an die Kondensator
elektrode 109 ein positiver Auffrischungs-Spannungsimpuls
angelegt, um die restlichen Ladungen in der p-Basiszone 104
zu vernichten.
Wenn die mit der n-Siliziumschicht 114 verbundene Elektrode
und die Elektrode 111 miteinander verbunden werden, wird ein
einfacherer Aufbau erreicht, der einen Auffrischungsvorgang
erlaubt, welcher dem vorstehend beschriebenen gleichartig
ist. Diese Anordnung hat auch den Vorteil, daß die in der p-
Basiszone 104 gespeicherten überschüssigen Ladungen abströmen
können. Hierdurch wird bei dem Aufbau eines Flächensensors
ein "Überstrahlen" verhindert.
Die Fig. 4A ist ein Äquivalenzschaubild der Wandlervorrichtung
gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel, während die
Fig. 4B die Kurvenformen von Spannungen bei einem Auffrischungs
vorgang zeigt.
Bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel ist der MOS-Transistor
115 nach Fig. 3A durch einen n-Kanal-MOS-Transistor ersetzt.
Der übrige Aufbau ist der gleiche wie bei dem ersten Ausführungs
beispiel.
Da der Transistor ein n-Kanal-Transistor ist, ist er gesperrt,
wenn das Potential an der Gate-Elektrode 108 negativ
ist, während der Transistor nur dann durchgeschaltet ist,
wenn gemäß Fig. 4B das Gatepotential höher als sein Schwellen
wert ist. Auch in diesem Fall wird der Auffrischungsvorgang
auf die vorstehend beschriebene Weise ausgeführt.
Die Fig. 5A ist ein Äquivalenzschaubild der Wandlervorrichtung
gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel, während die
Fig. 5B die Kurvenform von Spannungen bei einem Auffrischungs
vorgang zeigt.
Bei diesem dritten Ausführungsbeispiel ist statt des MOS-
Transistors 115 eine Diode gebildet. D. h. es wird wie gemäß
Fig. 3A in der Ausnehmung der Isolierschicht 113 ein Silizium-
Einkristall gezüchtet, um einen pn-Übergang zu bilden.
Die Leitung 116 wird mit der n-Zone verbunden, während die
Elektrode 111 mit der p-Zone verbunden wird.
Wenn bei diesem Aufbau während des Lesevorgangs das Potential
der p-Basiszone 104 angehoben wird, wird an die Elektrode 111
negatives Potential angelegt, wodurch die Diode in Sperrichtung
vorgespannt wird, so daß die in der p-Basiszone 104
gespeicherten Ladungen erhalten bleiben. Andererseits wird
während des Auffrischungsvorgangs zuerst an die Elektrode 111
eine Spannung über dem Basispegel angelegt, um die Diode in
Durchlaßrichtung vorzuspannen, wodurch das Potential der p-
Basiszone 104 auf einen festen Wert eingestellt wird. Danach
wird an die Kondensatorelektrode 109 ein positiver Auffrischungs
spannungsimpuls angelegt, um die restlichen Ladungen
aufzuheben bzw. auszugleichen.
Die Fig. 6A ist ein Äquivalenzschaltbild der Wandlervorrichtung
gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel, während die
Fig. 6B eine Darstellung von Kurvenformen von Spannungen ist,
die während eines Auffrischungsvorgangs erzeugt werden.
Bei diesem vierten Ausführungsbeispiel wird statt des MOS-
Transistors 115 ein bipolarer pnp-Transistor verwendet. D. h.
auf der Einkristall-Siliziumschicht 114 wird nach einem üblichen
Verfahren ein bipolarer pnp-Transistor ausgebildet,
dessen p-Kollektorzone über die Leitung 116 mit der p-Basiszone
104 verbunden wird und dessen p-Emitterzone mit der
Elektrode 111 verbunden wird. Die n-Basiszone wird geerdet
bzw. mit Masse verbunden.
Bei dieser Anordnung liegt während des Lesens die Elektrode
111 auf Massepegel, so daß der bipolare pnp-Transistor nicht
durchgeschaltet ist, obwohl das Potential der p-Basiszone 104
angehoben wird.
Bei dem Auffrischungsvorgang wird zuerst an die Elektrode 111
ein positiver Spannungsimpuls angelegt, um den bipolaren pnp-
Transistor durchzuschalten und dadurch die p-Basiszone 104
auf ein Festpotential zu legen. Danach wird an die Kondensator
elektrode 109 ein positiver Auffrischungs-Spannungsimpuls
angelegt, um die in der p-Basiszone 104 verbliebenen Ladungen
aufzuheben bzw. auszugleichen.
Es wird nun ausführlich ein Einzelkristall-Züchtungsverfahren
beschrieben, mit dem in der Ausnehmung der Isolierschicht 113
der Silizium-Einzelkristall gezüchtet wird.
Zum besseren Verständnis wird zunächst der übliche Prozeß für
das Erzeugen eines Dünnfilms eines Metalls für einen Halbleiter
erläutert.
Wenn eine Ablagerungsfläche aus einem Material besteht, das
sich hinsichtlich der Art von fliegenden bzw. beweglichen
Atomen unterscheidet, nämlich insbesondere aus einem amorphen
Material, werden die fliegenden Atome frei auf einer Substrat
fläche verteilt oder wieder abgedampft bzw. freigegeben.
Infolge der gegenseitigen Zusammenstöße zwischen den Atomen
wird ein Kristallisationskern gebildet; wenn dessen Größe zu
einer Größe rc (= -2 τ o/gc) wird, bei der dessen freie Energie
G maximal wird (kritischer Kristallisationskern), wird
die Energie G geringer und der Kern wächst fortgesetzt auf
stabile Weise dreidimensional, so daß er zu einer Insel
geformt wird. Ein Kristallisationskern, dessen Größe die
Größe rc übersteigt, wird als stabiler Kern bezeichnet, so
daß in der folgenden grundlegenden Beschreibung als "Kern"
dieser "stabile Kern" bezeichnet ist, falls dies nicht ander
weitig besonders ausgedrückt ist. Ferner werden von den "stabilen
Kernen" diejenigen mit einem kleinen Krümmungsradius r
als "Initialkerne" bezeichnet.
Die durch das Bilden eines Kristallisationskerns hervorgerufene
freie Energie ist folgendermaßen gegeben:
G =4π f ( R ) ( σ o r² + 1/3 · gv · r³)
f ( R ) = 1/4 (2 - 3cosR + cos²R )
f ( R ) = 1/4 (2 - 3cosR + cos²R )
wobei r der Krümmungsradius des Kerns ist, R der Kontaktwinkel
des Kerns ist, gv die freie Energie je Ablagerungseinheit
ist und σ o die Oberflächenenergie zwischen Kern und Vakuum
ist. Die Fig. 7 veranschaulicht, wie sich die freie Energie G
ändert. Gemäß dieser Figur nimmt der Krümmungsradius des
stabilen Kerns den Wert rc an, wenn die freie Energie G den
maximalen Wert annimmt.
Auf diese Weise wachsen die Kerne zur Form von Inseln an,
wonach sie weiter wachsen, wodurch die gegenseitige Berührung
zwischen den Inseln fortschreitet, bis manchmal eine Verschmelzung
auftritt, und über eine Netzstruktur schließlich
ein durchgehender Film entsteht, der die Substratoberfläche
vollständig überdeckt. Mit einem solchen Prozeß wird auf dem
Substrat ein Dünnfilm abgelagert.
Bei dem vorstehend beschriebenen Ablagerungsprozeß sind die
Dichte der je Flächeneinheit der Substratoberfläche gebildeten
Kerne, die Größe der Kerne und die Kernbildungsgeschwindigkeit
von dem Zustand des Systems für die Ablagerung abhängig,
wobei insbesondere die Zwischenwirkung zwischen den
fliegenden Atomen und der Oberfläche des Substratmaterials
ein wichtiger Faktor ist. Ferner entsteht in bezug auf die
Kristallfläche für die Grenzflächenenergie an der Grenzfläche
zwischen dem abgelagerten Material und dem Substrat eine
bestimmte Kristallausrichtung parallel zu dem Substrat; wenn
das Substrat amorph ist, ist in der Substratebene die Kristall
ausrichtung nicht konstant. Aus diesem Grund werden
durch das gegenseitige Zusammenstoßen zwischen Kernen oder
Inseln Kerngrenzen bzw. Kristallgrenzen gebildet, wobei ins
besondere im Falle des Zusammenstoßens zwischen Inseln mit
bestimmten Größen oder darüber eher Kristallgrenzen entstehen
als eine Verschmelzung auftritt. Da die entstehenden Kristall
grenzen in der Festphase schwer zu bewegen sind, sind zu
diesem Zeitpunkt die Kristallgrößen festgelegt.
Als nächstes wird ein Verfahren zur selektiven Ablagerung für
das selektive Erzeugen eines Ablagerungsfilms auf einer Ablagerungs
fläche beschrieben. Das Ablagerungsverfahren ist ein
Verfahren, mit dem selektiv auf dem Substrat ein Dünnfilm
dadurch erzeugt wird, daß die Unterschiede zwischen den Materialien
hinsichtlich der Faktoren genutzt werden, die die
Kernbildung bei der Dünnfilmerzeugung beeinflussen, wie die
Oberflächenenergie, der Haftkoeffizient, der Freigabekoeffizient,
die Oberflächen-Diffusionsgeschwindigkeit und der
gleichen.
Die Fig. 8A und 8B sind Darstellungen, die das selektive
Ablagerungsverfahren veranschaulichen. Zunächst wird gemäß
Fig. 8A auf einem Substrat 1 an einem gewünschten Bereich ein
Dünnfilm 2 aus einem Material gebildet, der sich hinsichtlich
der vorstehend genannten Faktoren von dem Substrat 1 unter
scheidet. Wenn dann eine Ablagerung eines Dünnfilms aus einem
geeigneten Material unter geeigneten Ablagerungsbedingungen
herbeigeführt wird, wächst nur auf dem Dünnfilm 2 ein Dünnfilm
3 auf, wobei es möglich ist, die Erscheinung hervorzurufen,
daß an dem Substrat 1 kein Wachstum auftritt. Durch die
Nutzung dieser Erscheinung kann der Dünnfilm 3 unter Selbst
ausrichtung gezüchtet werden, wodurch es möglich wird, einen
lithografischen Schritt wegzulassen, bei dem ein Abdecklack
benutzt wird, wie es bei dem Stand der Technik üblich ist.
Als Materialien für die Ablagerung nach diesem selektiven
Verfahren können beispielsweise als Substrat 1 SiO₂, als
Dünnfilm 2 Si, GaAs oder Siliziumnitrid und als abzulagernder
Dünnfilm 3 Si, W, GaAs, InP und dergleichen verwendet werden.
Die Fig. 9 ist eine grafische Darstellung, die die zeitliche
Änderung der Kernbildungsdichte auf einer Ablagerungsfläche
aus SiO₂ und einer Ablagerungsfläche aus Siliziumnitrid
zeigt.
Gemäß dieser Darstellung ist auf der SiO₂-Fläche kurz nach
der anfänglichen Ablagerung die Kernbildungsdichte bei 10³
cm-2 oder darunter gesättigt, wobei sich der Wert auch nach
20 min nicht wesentlich ändert.
Im Gegensatz dazu ergibt Siliziumnitrid (Si₃N₄) zunächst
einmal eine Sättigung bei ungefähr 4 × 10⁵ cm-2 oder darunter,
die sich danach im wesentlichen über 10 min nicht ändert,
wonach aber ein plötzlicher Anstieg erfolgt. Mit dieser
Messung ist ein Beispiel veranschaulicht, bei dem SiCl₄-Gas
mit H₂ verdünnt wird und nach dem CVD-Verfahren zur chemischen
Aufdampfung bei einem Druck von 22,7 kPa (170 Torr) und
einer Temperatur von 1000°C aufgebracht wird. Andererseits
kann die gleiche Wirkung unter Verwendung von SiH₄, SiH₂Cl₂,
SiHCl₃, SiF₄ und dergleichen als Reaktionsgas und Steuerung
des Drucks, der Temperatur und dergleichen erzielt werden.
Ferner kann ein Vakuum-Aufdampfverfahren angewandt werden.
In diesem Fall stellt die Kernbildung auf SiO₂ im wesentlichen
kein Problem dar, jedoch kann durch den Zusatz von HCl-
Gas zu dem Reaktionsgas die Kernbildung auf SiO₂ weiter
derart unterdrückt werden, daß die Ablagerung von Si auf SiO₂
vollständig zu "0" wird.
Eine derartige Erscheinung hängt in großem Ausmaß von den
Unterschieden hinsichtlich des Haftungskoeffizienten, des
Freigabekoeffizienten, des Flächendiffusionskoeffizienten und
dergleichen hinsichtlich von Si an den Flächen aus SiO₂ und
Siliziumnitrid ab, jedoch ist auch für die selektive Ablagerung
der Umstand in Betracht zu ziehen, daß SiO₂ selbst durch
die Reaktion von SiO₂ mit Si-Atomen für das Bilden von Silizium
monooxid bei hohem Dampfdruck geätzt wird, während auf
Siliziumnitrid kein derartiges Ätzen auftritt (T. Yonehara,
S. Yoshioka, S. Miyazawa, "Journal of Applied Physics" 53,
6839, 1982).
Auf diese Weise kann durch Wählen von SiO₂ und Siliziumnitrid
als Materialien für die Ablagerungsflächen und von Silizium
als abzulagerndes Material eine ausreichend hohe Kernbildungs
dichte-Differenz erreicht werden, wie es in der grafischen
Darstellung gezeigt ist. Hierbei ist zwar SiO₂ als
Material für die Ablagerungsfläche erwünscht, jedoch besteht
keine Einschränkung hierauf, so daß daher eine in der Praxis
ausreichende Kernbildungsdichte-Differenz auch bei der
Verwendung von SiO x erreicht werden kann (0 < x < 2).
Natürlich ist das Verfahren nicht auf diese Materialien beschränkt;
vielmehr kann gemäß der grafischen Darstellung die
Differenz Δ ND hinsichtlich der Kernbildungsfläche auf zufrie
denstellende Weise das 10³fache der Kerndichte oder mehr
betragen und eine zufriedenstellende selektive Erzeugung
eines Ablagerungsfilms mit den als Beispiele nachstehend
genannten Materialien herbeigeführt werden.
Als weiteres Verfahren zum Erhalten dieser Kernbildungsdichte-
Differenz Δ ND können in die SiO₂-Fläche örtlich Si- oder
N-Ionen injiziert werden, um einen Bereich zu bilden, in dem
übermäßig Si oder N enthalten ist.
Für die Wandlervorrichtung wird die auf einer solchen Kern
bildungsdichte-Differenz Δ ND beruhende selektive Ablagerung
angewandt, wodurch durch eine ausreichend feine Kernbildung
in der Weise, daß an der Ablagerungsfläche eines Materials
unterschiedlicher Art, das eine ausreichend größere Kernbildungs
dichte als das Material der Ablagerungsfläche hat, ein
einziger Kristallisationskern wachsen kann, selektiv ein
Einkristall nur an der Stelle gezüchtet wird, an der dieses
geringfügig unterschiedliche Material vorhanden ist.
Da in diesem Zusammenhang das selektive Wachstum eines Ein
kristalls durch den Elektronenzustand der Ablagerungsfläche
bestimmt ist, insbesondere den Zustand freier Bindungen, muß
das Material mit geringerer Kernbildungsdichte (wie beispiels
weise SiO₂) kein Blockmaterial sein; vielmehr kann das
Material nur auf der Oberfläche irgendeines erwünschten Materials,
Substrats oder dergleichen aufgebracht sein, um die
vorstehend genannte Ablagerungsfläche zu bilden.
Im folgenden wird ein Beispiel für das Verfahren zur Herstellung
der Wandlervorrichtung ausführlich beschrieben.
Die Fig. 10A bis 10D zeigen Herstellungsschritte bei dem
Verfahren zum Erzeugen eines Kristalls für die Wandlervor
richtung gemäß einem Beispiel, während die Fig. 11A und 11B
perspektivische Ansichten eines Substrats gemäß den Fig. 10A
und 10D sind. Zunächst wird gemäß Fig. 10A und 11A auf einem
Substrat ein Dünnfilm 5 als Ablagerungsfläche SNDS mit geringer
Kernbildungsdichte ausgebildet, der die selektive Ablagerung
ermöglicht, wonach in geringer Stärke von dem Material
des Dünnfilms 5 verschiedenes Material mit höherer Kern
bildungsdichte aufgebracht und danach durch Lithografie oder
dergleichen geformt wird, um aus dem andersartigen Material
ausreichend fein eine Ablagerungsfläche SNDL bzw. 6 (als sog.
"Keim") zu bilden. Die Größe, die Kristallstruktur und die
Zusammensetzung des Substrats 4 können beliebig sein, so daß
ein Substrat verwendet werden kann, auf dem eine funktionelle
Vorrichtung ausgebildet ist, die nach herkömmlicher Halbleiter
technik vorbereitet ist. Ferner zählt als Ablagerungsfläche
SNDL bzw. 6 aus dem andersartigen Material auch irgendein
abgewandelter Bereich mit übermäßig viel Si oder N, der gemäß
der vorangehenden Beschreibung durch Ionenimplantation von Si
oder N in den Dünnfilm 5 gebildet wird.
Als nächstes wird allein an der Ablagerungsfläche SNDL bzw. 6
durch Wählen geeigneter Ablagerungsbedingungen ein Einkristall
aus einem Dünnfilmmaterial gebildet. D. h., die Ablagerungs
fläche SNDL bzw. 6 muß ausreichend fein ausgebildet
sein, so daß nur ein einziger Kristallisationskern darauf
gebildet werden kann. Die von der Art des Materials abhängige
Größe der Ablagerungsfläche 6 kann einige µm oder weniger
betragen. Im weiteren wächst der Kristallisationskern gemäß
der Darstellung in Fig. 10B unter Beibehaltung der Einkristall
struktur zu einem Einkristallkorn 7 in der Form einer
Insel an. Für das Bilden des inselförmigen Einkristallkorns 7
ist es gemäß den vorangehenden Ausführungen anzustreben, die
Bedingungen derart zu wählen, daß auf dem Dünnfilm 5 über
haupt keine Kernbildung entsteht.
Mit der Ablagerungsfläche SNDL bzw. 6 als Mitte (des seitlichen
Überwachsens) wächst das inselförmige Einkristallkorn 7
unter Beibehaltung der Einkristallstruktur weiter, wodurch es
gemäß Fig. 10C den ganzen Dünnfilm 5 überdecken kann
(Einkristall 7 A).
Danach wird nötigenfalls das Einkristall 7 A durch Ätzen oder
Polieren eingeebnet, wodurch gemäß Fig. 10D und Fig. 11B auf
dem Dünnfilm 5 eine Einkristallschicht 8 für das Erzeugen
einer erwünschten Vorrichtung gebildet wird.
Für das Aufbringen dieses Dünnfilms 5, der auf dem Substrat 4
die Fläche SNDS ohne Kernbildung ergibt, kann als Substrat 4
irgendein beliebiges Material verwendet werden, das als Träger
material dient. Selbst in dem Fall, daß auf dem Substrat 4
irgendeine funktionelle Vorrichtung oder dergleichen nach
einem herkömmlichen Halbleiterverfahren ausgebildet ist, kann
darüber auf einfache Weise die Einkristallschicht 8 ausgebildet
werden.
Bei dem vorstehend beschriebenen Beispiel ist die Fläche SNDS
ohne Kernbildung der Dünnfilm 5, jedoch kann ein Substrat aus
einem Material mit geringer Kernbildungsdichte ND für die
selektive Kernbildung als solches benutzt werden und es
können an irgendwelchen beliebigen Stellen Kernbildungsflächen
SNDL angebracht werden, um auf gleichartige Weise auf
dem Substrat Einkristallschichten zu bilden.
Die Fig. 12 ist eine grafische Darstellung, die ein Beispiel
für den Zusammenhang zwischen dem Verhältnis von Durchfluß
leistungen bzw. Durchflußraten von SiH₄ und NH₃ und dem
Zusammensetzungsverhältnis von Si und N in einem erzeugten
Siliziumnitridfilm zeigt.
Die Ablagerungsbedingungen waren in diesem Fall eine Hochfrequenz-
Ausgangsleistung von 175 W und eine Substrattemperatur
von 380°C, während bei festgelegter SiH₄-Gas-Durchflußrate
300 cm³/min die Durchflußrate von NH₃-Gas verändert wurde.
Wie es aus der grafischen Darstellung hervorgeht, wurde durch
das Verändern des Gasdurchflußverhältnisses von NH₃ zu SiH₄
von 4 bis 10 eine Änderung des Si/N-Verhältnisses in dem Silizium
nitridfilm von 1,1 bis 0,58 nach der Elektronen-Spektrophoto
metrie gemäß Auger ermittelt.
Andererseits wurde die Zusammensetzung des Siliziumnitridfilms,
der nach dem Niederdruck-CVD-Verfahren unter Einführen
von SiH₂Cl₂-Gas und NH₃-Gas bei verringertem Druck von 40 Pa
(0,3 Torr) und einer Temperatur von ungefähr 800°C als Film
aus Si₃N₄ (Si/N = 0,75) festgestellt, was ungefähr dem
stöchiometrischen Verhältnis entspricht.
Ferner kann durch Wärmebehandlung mit ungefähr 12000°C in
Ammoniakgas oder N₂ (nach dem Wärmenitrierverfahren) gebildeter
Siliziumnitridfilm mit einer näher an dem stöchiometrischen
Verhältnis liegenden Zusammensetzung erhalten werden,
da das Erzeugungsverfahren unter thermischem Gleichgewicht
ausgeführt wird.
Durch die Verwendung der nach den vorstehend beschriebenen
verschiedenen Verfahren erzeugten Siliziumnitride als Material
für die Bildung der Kernbildungsfläche SNDL mit höherer
Kernbildungsdichte als SiO₂ kann auf der Kernbildungsfläche
aus Siliziumnitrid der vorstehend genannte Kristallisations
kern aus Si gezüchtet werden, um beruhend auf der dem chemischen
Zusammensetzungsverhältnis des Siliziumnitrids entsprechenden
Kernbildungsdichte-Differenz Δ ND einen Si-Einkristall
zu formen.
Die Fig. 13 ist eine grafische Darstellung, die den Zusammen
hang zwischen dem Si/N-Zusammensetzungsverhältnis und der
Kernbildungsdichte ND zeigt. Gemäß dieser Darstellung ändert
sich durch das Verändern des chemischen Zusammensetzungsver
hältnisses des Siliziumnitridfilms die Kernbildungsdichte für
den darauf gebildeten Si-Einkristallkern in großem Ausmaß.
Die Kernbildungsbedingungen gemäß der in Fig. 13 gezeigten
grafischen Darstellung entsprechen dem Fall, daß ein Si-
Einkristallkern durch Reaktion von mit H₂ auf 23,3 kPa (175
Torr) reduziertem SiCl₄-Gas bei 1000°C gebildet wurde. Es
ergibt sich natürlich eine andere grafische Darstellung, wenn
die Kernbildungsbedingungen wie die Art des Gases, der Druck,
die Temperatur und dergleichen verändert werden.
Durch diese Änderung der Kernbildungsdichte entsprechend dem
chemischen Zusammensetzungsverhältnis des Siliziumnitrids
wird bei der Verwendung des Siliziumnitrids als Material für
das Erzeugen der Kernbildungsfläche SNDL die Größe (Fläche)
derselben derart beeinflußt, daß diese ausreichend fein in
einem derartigen Ausmaß ausgebildet werden kann, daß ein
einzelner Kristallisationskern gezüchtet werden kann. D. h.,
bei der Verwendung von Siliziumnitrid mit einer Zusammensetzung
mit hoher Kernbildungsdichte ND kann im Vergleich zu dem
Siliziumnitrid mit verhältnismäßig geringer Kernbildungsdichte
ND durch das außerordentlich feine bzw. kleine Formen der
Kernbildungsfläche SNDL auf dieser allein ein Einkristall
erzeugt werden. Dieser Gesichtspunkt gilt auch als gleichartige
Tendenz für andere Materialien für das Formen der Kern
bildungsfläche SNDL. Infolgedessen ist es für die Wandlervor
richtung zur zweckdienlichen Lösung der Aufgaben derselben
anzustreben, eine Kernbildungsdichte ND und eine Größe der
Kernbildungsfläche SNDL aus Siliziumnitrid oder dergleichen
zu wählen, die das auf gewünschte Weise geeignete Erzeugen
eines einzigen Einkristalls ermöglichen. Beispielsweise ist
es bei Kernbildungsbedingungen für das Erzielen einer Kern
bildungsdichte ND von ungefähr 10⁵ cm-2 oder weniger möglich,
selektiv einen einzigen Kristallisationskern zu formen, wenn
die Größe der Kernbildungsfläche SNDL aus Siliziumnitrid
ungefähr 4 µm oder weniger beträgt. In diesem Fall beträgt
das Si/N-Verhältnis ungefähr 0,5.
Ein weiteres Verfahren zum Formen der Kernbildungsfläche SNDL
besteht darin, daß Ionen implantiert werden.
Als weiteres Verfahren zum Herbeiführen der Kernbildungsdichte-
Differenz für das Formen des Si-Einkristallkerns können
örtlich auf der Fläche aus SiO₂, das ein Material für die
Fläche SNDL ohne Kernbildung mit geringerer Kernbildungsdichte
ist, örtlich Ionen von Si, N, P, B, F, Ar, He, C, As, Ga,
Ge und dergleichen implantiert werden, um auf der SiO₂-Fläche
einen abgewandelten Bereich erwünschter Größe zu bilden, der
als Kernbildungsfläche SNDL mit höherer Kernbildungsdichte ND
verwendet wird.
Beispielsweise wird die SiO₂-Schichtoberfläche mit einem
Fotoabdecklack bedeckt und dieser an erwünschten Bereichen
belichtet, entwickelt und gelöst, um die SiO₂-Schichtoberfläche
freizulegen.
Darauffolgend werden unter Verwendung son SiF₄-Gas als Aus
gangsgas Si-Ionen in die SiO₂-Schichtoberfläche bei 10 keV
mit einer Dichte von 10¹⁶ bis 10¹⁸ cm-2 implantiert. In
diesem Fall beträgt die geplante Flugstrecke 11,4 nm, während
die Si-Konzentrationen an der ausgesetzten Fläche der SiO₂-
Schicht ungefähr 10²² cm-3 oder weniger erreicht. Da die
SiO₂-Schicht ursprünglich amorph ist, ist die durch die
Implantation der Si-Ionen mit Si außerordentlich stark
angereicherte abgewandelte Schicht gleichfalls amorph.
Zum Bilden eines abgewandelten Bereichs kann die Ionenimplantation
unter Verwendung eines Abdecklacks als Maske ausgeführt
werden, jedoch ist es auch möglich, selektiv auf eine
gewünschte Stelle auf der SiO₂-Schichtoberfläche einen
eingeengten Si-Ionenstrahl unter Verwendung der Ionenstrahkon
vergenz mit einer gewünschten Fläche zu richten, ohne eine
Abdecklackmaske zu verwenden.
Nach der auf diese Weise ausgeführten Si-Ionenimplantation
sind nach dem Ablösen des Abdecklacks an den übrigen Bereichen
auf der SiO₂-Schichtoberfläche an den gewünschten Stellen
in gewünschter Größe die modifizierten Bereiche mit dem
Si-Überschuß gebildet. Auf dem dermaßen gebildeten modifizierten
Bereich der SiO₂-Schichtoberfläche kann in Dampfphase
der Si-Einkristall gezüchtet werden.
Die Fig. 14 ist eine grafische Darstellung, die den Zusammen
hang zwischen der Menge implantierter Si-Ionen und der Kern
bildungsdichte ND zeigt. Aus dieser Darstellung ist ersichtlich
daß mit zunehmender Menge an implantierten Si⁺-Ionen
die Kernbildungsdichte ND ansteigt.
Infolgedessen kann durch ausreichend feines Formen eines
abgewandelten Bereichs mit diesem als Kernbildungsfläche SNDL
ein einzelner Einkristall-Kern aus Si gezüchtet werden, wodurch
auf die vorstehend beschriebene Weise ein Einkristall
gezüchtet werden kann.
Durch die Schablonenmusterung eines Abdecklacks oder durch
das Verengen eines konvergierten Ionenstrahls kann auf einfache
Weise erreicht werden, den abgewandelten Bereich derart
ausreichend fein zu formen, daß nur ein einziger Kristallisations
kern wachsen kann.
Ferner wird ein von dem CVD-Verfahren verschiedenes Verfahren
zum Erzeugen eines Si-Einkristallkerns beschrieben.
Für das Züchten eines Einkristalls durch selektive Kernbildung
von Si kann nicht nur das CVD-Verfahren, sondern auch
ein Verfahren angewandt werden, bei dem Si in Vakuum (< 1,33
× 10-4 Pa (10-6 Torr)) mit einem Elektronenstrahler verdampft
wird und auf einem erwärmten Substrat abgelagert wird. Insbesondere
ist es bei dem Molekülstrahl-Epitaxie-Verfahren bzw.
MBE-Verfahren mit Dampfablagerung bei ultrahohem Vakuum (<
1,33 × 10-7 Pa (10-9 Torr)) bekannt, daß Si mit SiO₂ bei
einer Substrattemperatur von 900°C oder darüber zu reagieren
beginnt, wobei auf dem SiO₂ überhaupt keine Kernbildung von
Si auftritt (T. Yonehara, S. Yoshioka und S. Miyazawa, "Journal
of Applied Physics" 53, 10, Seite 6839, 1983).
Durch die Nutzung dieser Erscheinung können Einkristallkerne
aus Si vollkommen selektiv an sehr kleinen Siliziumnitrid
bereichen geformt werden, die an Stellen auf der SiO₂-Schicht
bestehen können, wonach an diesen Bereichen Si-Einkristall
gezüchtet werden kann. Die Bedingungen für das Wachstum des
Einkristalls sind dabei gemäß einem vorzugsweise gewählten
Beispiel ein Vakuum von 1,33 × 10-6 Pa (10-8 Torr) oder
darunter, eine Si-Strahlenintensität von 9,7 × 10¹⁴ Atome/
cm²s und eine Substrattemperatur von 900 bis 1000°C.
In diesem Fall wird über die Reaktion SiO₂ + Si → 2SiO↑ ein
Reaktionsprodukt SiO mit beträchtlich hohem Dampfdruck erzeugt
und durch diese Verdampfung mit dem Si ein Ätzen des
SiO₂ selbst hervorgerufen.
Im Gegensatz dazu tritt an dem Siliziumnitrid keine derartige
Ätzerscheinung gemäß den vorstehenden Ausführungen auf, während
aber eine Kernbildung für das Si-Einkristall und das
Wachstum des Einkristalls auftritt.
Infolgedessen kann zum Erreichen der gleichen Wirkung außer
dem Siliziumnitrid als Material für das Bilden der Kernbildungs
fläche SNDL mit hoher Kernbildungsdichte ND Tantaloxid
Ta₂O₅, Siliziumnitridoxid SiON oder dergleichen benutzt werden.
D. h., durch das Bilden der Kernbildungsfläche SNDL mit
diesen Materialien in sehr kleinen Bereichen können gleicher
maßen Si-Einkristalle gezüchtet werden.
Gemäß der vorstehenden Beschreibung wird in jeder der Ausnehmungen
in der Isolierschicht 113 bei den Ausführungsbeispielen
unter Anwendung des vorstehend beschriebenen Verfahrens
zur Einkristallzüchtung Einkristall-Siliziumschichten gebildet.
Die Fig. 15A bis 15C veranschaulichen die Schritte bei
der Erzeugung eines Silizium-Einkristalls und eines Transistors
bei den jeweiligen Ausführungsbeispielen.
Nach Fig. 15A wird in der Isolierschicht 113 aus SiO₂ durch
Ätzen eine Ausnehmung gebildet, in der auf einer kleinen
Fläche ein anderes Material 120 (nämlich hierbei Si₃N₄) auf
gebracht wird.
Danach wird ein n-Fremdstoffgas eingemischt, um einen Silizium
einkristall zu züchten, der gemäß Fig. 15B die Ausnehmung
mit n-Einkristall-Silizium ausfüllt, wonach der sich ergebende
Bereich eingeebnet wird, um die Einkristall-Silizium
schicht 114 zu bilden.
Gemäß Fig. 15C wird dann auf der Siliziumschicht 114 ein
Gate-Oxidfilm 121 gebildet, auf dem mit einem Material wie
Polysilizium oder dergleichen die Gate-Elektrode 108
ausgebildet wird.
Unter Verwendung der Gate-Elektrode 108 als Maske werden dann
p-Fremdstoffionen implantiert, wonach durch eine darauffolgende
Wärmebehandlung eine Sourcezone 122 und eine Drainzone
123 gebildet werden.
Gemäß der vorstehenden ausführlichen Beschreibung wird bei
diesem Ausführungsbeispiel auf einer Schicht, die von derjenigen
verschieden ist, auf der ein Transistor und ein Kondensator
gebildet sind, eine Schaltvorrichtung für das Einstellen
einer Steuerelektrodenzone auf ein erwünschtes Potential
gebildet, so daß trotz der Anbringung einiger Anschlüsse ein
feinerer Aufbau erzielt werden kann, wodurch eine Vorrichtung
mit erhöhter Dichte und erhöhtem Auflösungsvermögen
geschaffen wird.
Es ist anzumerken, daß als Schaltvorrichtung bei der Wandler
vorrichtung Halbleiter-Schaltvorrichtungen wie Feldeffekt
transistoren, bipolare Transistoren oder Dioden mit pn-Übergang
zählen.
Es wird eine fotoelektrische Wandlervorrichtung mit einem
Transistor, der eine Hauptelektrodenzone aus einem Halbleiter
eines Leitungstyps und eine Steuerelektrodenzone aus einem
Halbleiter des entgegengesetzten Leitungstyps hat, und mit
einem Kondensator für das Steuern des Potentials der Steuer
elektrodenzone in einem anschlußfreien Zustand angegeben, bei
dem durch Steuerung des Potentials der Steuerelektrodenzone
über den Kondensator auf optische Weise erzeugte Träger in
der Steuerelektrodenzone gespeichert werden. Die Wandlervor
richtung hat einen mehrschichtigen Aufbau, in welchem eine
Schaltvorrichtung für das Einstellen der Steuerelektrodenzone
auf ein gewünschtes Potential auf einer Schicht ausgebildet
ist, die von derjenigen Schicht verschieden ist, auf der der
Transistor und der Kondensator ausgebildet sind.
Claims (5)
1. Fotoelektrische Wandlervorrichtung mit einem Transistor,
der eine Hauptelektrodenzone aus einem Halbleiter eines
Leitungstyps und eine Steuerelektrodenzone aus einem Halbleiter
des entgegengesetzten Leitungstyps hat, und mit einem
Kondensator für das Steuern des Potentials der Steuerelektroden
zone im anschlußfreien Zustand, bei dem durch Steuern des
Potentials der Steuerelektrodenzone über den Kondensator in
der Steuerelektrodenzone optisch erzeugte Träger gespeichert
werden, gekennzeichnet durch einen Mehrschichtaufbau, in
dem eine Schaltvorrichtung (115) für das Einstellen der
Steuerelektrodenzone (104) auf ein gewünschtes Potential auf
einer Schicht (113) ausgebildet ist, die von derjenigen
verschieden ist, auf der der Transistor (103, 104, 106) und
der Kondensator (104, 109) ausgebildet sind.
2. Wandlervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schaltvorrichtung (115) eine auf einer Isolier
schicht (113) ausgebildete Halbleiter-Schaltvorrichtung ist.
3. Wandlervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Halbleiter-Schaltvorrichtung (115) ein Transis
tor mit isolierter Steuerelektrode ist.
4. Wandlervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Halbleiter-Schaltvorrichtung eine Diode mit pn-
Übergang ist.
5. Wandlervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Halbleiter-Schaltvorrichtung ein bipolarer
Transistor ist.
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ID=15748572
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DE19873722916 Granted DE3722916A1 (de) | 1986-07-11 | 1987-07-10 | Fotoelektrische wandlervorrichtung |
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Country | Link |
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US (1) | US5008206A (de) |
JP (1) | JPH0812906B2 (de) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
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|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |