DE3443821A1 - Fuellstoff fuer ein einkapselungsharz fuer elektronische bauelemente und harzmasse mit einem gehalt an diesem fuellstoff - Google Patents
Fuellstoff fuer ein einkapselungsharz fuer elektronische bauelemente und harzmasse mit einem gehalt an diesem fuellstoffInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Füllstoff als Zusatz für Einkapselungsharze
für elektronische Bauelemente sowie eine Harzmasse zum Einkapseln von elektronischen Bauelementen,
die diesen Füllstoff enthält.
Pulverisierte Produkte aus Quarzglas (geschmolzenes Siliciumdioxid;
fused silica) werden als Füllstoffe für Einkapselungsmaterialien zum Einkapseln von elektronischen
Bauelementen, wie IC- und LSI-Elementen, und für elektrische
Isolationsmaterialien verwendet. Bei einem Typ derartiger pulverisierter Produkte aus Quarzglas handelt es
sich um ein Pulver, das durch Zerkleinern eines Quarzglasblocks auf eine vorbestimmte Teilchengrösse erhalten worden
ist. Obgleich durch Zumischen derartiger zerkleinerter, pulverförmiger Produkte aus Quarzglas zu hitzehärtbaren
Harzen, ,wie Epoxy-, Silicon-, Phenol- oder Polyesterharzen, Harzmassen mit ausgezeichneten elektrischen Isolationseigenschaften
hergestellt werden können, haben die mit derartigen Füllstoffen aus zerkleinertem Quarzglas hergestellten
Harzmassen den Nachteil einer äusserst hohen Viskosität, so dass bei den nachfolgenden Verarbeitungsstufen
Schwierigkeiten auftreten. Dies ist darauf zurückzuführen, dass die zerkleinerten Teilchen rauhe Oberflächen aufweisen
und ihnen die zur Erleichterung einer leichten Verformung erforderliche Glattheit fehlt.
Ein weiterer bekannter Typ von Quarzglasprodukten wird hergestellt,
indem man ein Pulver einer Siliciumverbindung, wie Quarz- oder Siliciumdioxidpulver, und ein Zersetzungsprodukt einer Silanverbindung zusammen mit einem brennbaren
Gas und gasförmigem Sauerstoff in einen Ofen in Form
eines Strahls einleitet. Im Ofen findet ein Schmelzvorgang bei einer Temperatur von mehr als 18OO°C statt. Die erstarrten
Kügelchen werden mittels eines Zyklons oder eines Beutelfilters gesammelt. Die JA-OS 145613/1983 beschreibt
ein Beispiel für derartige Produkte. Da Kügelchen aus Quarzglas glatte und runde Oberflächen aufweisen, wird bei
Einmischen in eine Harzmasse deren Viskosität nur geringfügig erhöht, so dass die Harzmasse leicht in den nachfolgenden
Verarbeitungsschritten gehandhabt werden kann. Jedoch haben mit Quarzglaskügelchen vermischte herkömmliche
Harzmassen den Nachteil, dass die verformten Produkte zur Bildung von Graten bzw. Pressnähten neigen.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Füllstoff für Einkapselungsharze
für elektronische Bauelemente bereitzustellen, die eine verbesserte Fluidität und Bearbeitbarkeit aufweisen
und ohne Bildung von Pressnähten zu Produkten mit ausgezeichneten elektrischen Isolationseigenschaften verformt
werden können. Ausserdem soll erfindungsgemäss eine mit diesem Füllstoff vermischte Harzmasse bereitgestellt werden,
die sich zum Einkapseln von elektronischen Bauelementen eignet.
Der erfindungsgemässe Füllstoff für Einkapselungsharze für
elektronische Bauelemente enthält folgende Bestandteile: 5 bis 95 Gewichtsteile Kügelchen aus Quarzglas (geschmolzenem
Siliciumdioxid), deren grösste Teilchengrösse im wesentlichen nicht mehr als 149 ,um beträgt und die mindestens
80 Gewichtsprozent Kügelchen mit einer Teilchengrösse von 1 bis 149 ^m enthalten, wobei das Verhältnis der grössten
diametralen Länge der einzelnen Kügelchen zur kürzesten diametralen Länge 1 bis 1,5 beträgt; und
95 bis 5 Gewichtsteile zerkleinerte Teilchen aus Quarzglas (geschmolzenes Siliciumdioxid), deren grösste Teilchengrösse
im wesentlichen nicht mehr als 149 ^m beträgt und die mindestens 80 Gewichtsprozent Kügelchen mit einer
Teilchengrösse von 1 bis 149 ^m enthalten, wobei das Verhältnis
der grössten diametralen Länge der einzelnen Kü-
gelchen zur kürzesten diametralen Länge 1,6 bis 3fO beträgt.
Erfindungsgemäss wird ferner eine hitzehärtbare Harzmasse
zum Einkapseln von elektronischen Bauelementen zur Verfügung gestellt, die 30 bis 80 Gewichtsprozent des vorstehend
beschriebenen Füllstoffs aus Quarzglas (geschmolzenem Siliciumdioxid) enthält.
Erfindungsgemäss werden Kügelchen aus Quarzglas und zerkleinerte
Teilchen aus Quarzglas in Kombination miteinander verwendet. Sowohl die erfindungsgemäss verwendeten Kügelchen
aus Quarzglas als auch die erfindungsgemäss verwendeten zerkleinerten Teilchen aus Quarzglas sollen so beschaffen
sein, dass die grösste'Teilchengrösse im wesentliehen
nicht mehr als 149 ,,um beträgt und dass sie nicht weniger
als 80 Gewichtsprozent Teilchen mit einer Teilchengrösse im Bereich von 1 bis 149 ^um enthalten. Liegt die grösste
Teilchengrösse des Füllstoffs über dem genannten Bereich, so werden die Verformungseigenschaften von mit diesem Füllstoff
vermischten Harzmassen nachteilig beeinflusst, indem es zu Verstopfungen am Angussteg kommt. Beträgt andererseits
der AntejLl der Teilchen mit einer Teilchengrösse im Bereich von 1 bis 149 ^m weniger als 80 Gewichtsprozent,
so wird die Fluidität bei der Verformungsstufe der mit dem Füllstoff vermischten Masse aufgrund des übermässig grossen
Gehalts an feineren Teilchen so verringert, dass die Masse nicht mehr für praktische Verformungsvorgänge geeignet ist.
In der Beschreibung und in den Ansprüchen werden die Teilchengrössen
von Quarzglaskügelchen und zerkleinerten Quarzglasteilchen mit dem Ausdruck "im wesentlichen nicht mehr
als 149 jum" definiert, was bedeutet, dass das Vorliegen
von Teilchen mit einer Teilchengrösse von 149 ^um bis 200^um
toleriert wird, vorausgesetzt, dass deren Gehalt weniger als 2 Gewichtsprozent beträgt. Ein Füllstoff, der Teilchen
der Teilchengrösse von 149^m bis 200 ^.um in einer Menge von
weniger als 2 Gewichtsprozent enthält, kann eingesetzt werden, ohne dass Verstopfungen des Angusstegs befürchtet wer-
1 den müssen.
Es ist wünschenswert, dass sowohl die Quarzglaskügelchen
als auch die zerkleinerten Quarzglasteilchen weniger als 100 ppm Alkalibestandteile, wie Na^O und K?0,enthalten und
dass die SiOp-Reinheit nicht unter 97 Gewichtsprozent
liegt. Die elektrischen Isolationseigenschaften einer mit
dem Füllstoff vermischten Harzmasse kann beeinträchtigt werden, wenn der Füllstoff Alkalibestandteile in einer Menge
von mehr als 100 ppm enthält.
Bei den Quarzglaskügelchen soll das Verhältnis vom grössten diametralen Durchmesser zum kleinsten diametralen Durchmesser
1 bis 1,5 betragen, übersteigt das Verhältnis den vorstehend definierten Bereich, so bewirkt dies eine Verringerung
der Fluidität der mit dem Füllstoff vermischten Harzmasse, die nicht verbessert werden kann. Quarzglaskügelchen
können hergestellt werden, indem man Quarz- oder SiIiciumdioxidpulver
mit einer Teilchengrösse von nicht mehr als 149^um und einem Gehalt von vorzugsweise nicht mehr
als 100 ppm Alkalibestandteilen zusammen mit einem brennbaren Gas und gasförmigem Sauerstoff in einen Schachtofen
sprüht oder spritzt, um dabei die Teilchen bei einer Temperatur von nicht unter 17500C und vorzugsweise nicht unter
18OO°C unter Bildung von Kügelchen zu schmelzen, die mittels eines Zyklons oder eines Beutelfilters gesammelt werden.
Quarzglaskügelchen mit einer Teilchengrösse von im wesentlichen nicht mehr als I49^um und einem Gehalt an mindestens 80 Gewichtsprozent
Teilchen mit einer Teilchengrösse im Bereich von 1 bis 149 ,um lassen sich nach dem vorerwähnten Strahlverfahren
herstellen.
Die zerkleinerten Quarzglasteilchen sollen jeweils ein Verhältnis der grössten diametralen Länge zur kleinsten diametralen
Länge von 1,6 bis 3,0 aufweisen. Liegt das Verhältnis unter dem vorstehend definierten Bereich, so eignet
sich der Füllstoff nicht für den praktischen Einsatz, was auf die Bildung von Pressnähten zurückzuführen ist. Dagegen
wird die Fluidität einer mit einem Füllstoff, bei dem dieses Verhältnis mehr als 3,0 beträgt, vermischten Harzmasse
verringert, selbst wenn Quarzglaskügelchen zugemischt werden.
5
5
Zerkleinerte Quarzglasteilchen können hergestellt werden, indem man einen Block aus Quarzglas (geschmolzenem Siliciumdioxid)
in einem Brecher zerkleinert, die zerkleinerten (gebrochenen) Teilchen zur Auswahl von Stücken der gewünschten
Abmessungen siebt, die ausgewählten Stücke einer magnetischen Abscheidungsbehandlung und einer Säurebehandlung
unterzieht und schliesslich in einer mit Korund ausgekleideten Mühle pulverisiert, so dass sich Teilchen ergeben,
deren grösste Teilchengrösse im wesentlichen nicht mehr als 1119 /im beträgt und die nicht weniger als 80 Gewichtsprozent
Teilchen mit Teilchengrössen im Bereich von 1 bis 149 /im enthalten.
Zur Herstellung des erfindungsgemassen Füllstoffs werden
5 bis 95 Gewichtsteile Quarzglaskügelchen mit 95 bis 5 Gewichtsteilen zerkleinerten Quarzglasteilchen vermischt.
Dieser Füllstoff wird mit einer Harzmasse, die sich zum Einkapseln von elektronischen Bauelementen eignet, vermischt.
Liegt der Gehalt an Quarzglaskügelchen unter 5 Gewichtsteilen, d.h. dass der Anteil an zerkleinerten Quarzglasteilchen
mehr als 95 Gewichtsteile beträgt, so wird die Fluidität einer mit dem Füllstoff vermischten Harzmasse
so weit verringert, dass sie für praktische Zwecke nicht geeignet ist. Beträgt dagegen der Anteil an Quarzglaskügelchen
mehr als 95 Gewichtsteile, d.h. dass der Anteil an zerkleinerten Quarzglasteilchen weniger als 5 Gewichtsteile
beträgt, so kommt es bei der Verformung von mit diesem Füllstoff vermischten Harzmassen zur starken
Bildung von Pressnähten, wenngleich die Harzmasse eine aus-
35 gezeichnete Fluidität aufweist.
Die hitzehärtbare Harzmasse zum Einkapseln von elektroni-
sehen Bauelementen wird erfindungsgemäss hergestellt, indem
man 30 bis 80 Gewichtsprozent des erfindungsgemässen Füllstoffs mit einem hitzehärtbaren Harz vermischt. Beträgt
der Füllstoffanteil weniger als 30 Gewichtsprozent, so werden die elektrischen Isolationseigenschaften beeinträchtigt,
während die Fluidität der Harzmasse beeinträchtigt wird, wenn der Füllstoffanteil mehr-als 80 Gewichtsprozent
beträgt.
In den erfindungsgemässen Harzmassen können Epoxyharze, Siliconharze, Phenolharze und Polyesterharze als hitzehärtbare
Harze verwendet werden.
Zur Herstellung der erfindungsgemässen Harzmassen wird der erfindungsgemässe Füllstoff zusammen mit anderen gegebenenfalls
verwendeten Zusätzen, wie einem Wachs als internem Formtrennmittel, einem Reaktionsbeschleuniger und einem
Pigment, im angegebenen Mischungsverhältnis zu einem hitzehärtbaren Harz gegeben. Anschliessend wird das Gemisch
mittels einer üblichen Knetvorrichtung, z.B. Walzen, Kneter oder Bunbury-Mischer, verknetet. Die auf diese Weise
hergestellte Harzmasse weist einen Spiralfluss von nicht weniger als 102cm (40 in). Ein aus dieser Harzmasse hergestelltes
verformtes Produkt weist eine Pressnahtlänge von weniger als 2 mm auf. Die Harzmasse eignet sich gut
zum Einkapseln von elektronischen Bauelementen, wie IC- oder LSI-Elementen,und zum Isolieren von Transistoren.
Nachstehend wird die Erfindung anhand von Beispielen erläutert.
(1) Herstellung von Quarzglaskügelchen
Siliciumdioxidpulver der Bezeichnung "Product of India" mit der in Tabelle I angegebenen Zusammensetzung und Teilchengrössenverteilung
wird zusammen mit Wasserstoffgas (Η», Reinheit 95 Volumenprozent) und Sauerstoffgas (O2,
Reinheit 99 Volumenprozent) in einem Mischungsverhältnis
von 2,5:1 in einen Schachtofen gespritzt, wobei die Temperatur der Stichflamme auf 185O°C eingestellt wird. Dabei
schmilzt das Pulver unter Bildung eines Nebels von geschmolzenem Siliciumdioxid, dessen Tröpfchen unter Bildung von
Quarzglaskügelchen erstarren. Die Quarzglaskügelchen werden mit einem Zyklon oder einem Beutelfilter gesammelt.
In Tabelle II sind der Gehalt an Alkalibestandteilen, die Teilchengrössenverteilung und das Verhältnis der grössten
diametralen Länge der einzelnen Teilchen zur entsprechenden kleinsten diametralen Länge angegeben.
Zu Vergleichszwecken sind in Tabelle II auch der Gehalt an Alkalibestandteilen, die Teilchengrössenverteilung und das
Verhältnis der grössten diametralen Länge zur kleinsten diametralen Länge eines kugelförmigen Siliciumdioxidprodukts
mit feinerer Teilchengrösse (mit einer maximalen Teilchengrösse von weniger als 1 pm) angegeben. Dieses
Produkt ist durch ein Reduktionsverfahren in einem elektrischen Ofen hergestellt. Derartige Glaskügelchen werden
unter der Handelsbezeichnung EGB-731 von Toshiba-Ballotini Co., Ltd. vertrieben.
(2) Herstellung von zerkleinerten Quarzglasteilchen
Siliciumdioxidpulver der Bezeichnung "Product of India" mit der in Tabelle I angegebenen Zusammensetzung und Teilchengrössenverteilung
wird durch Erwärmen mit einer Gasstichflamme von 1900 C, die durch Einblasen von Wasserstoff
gas (Hp, Reinheitsgrad 95 Volumenprozent) und Sauerstoff gas (Op, Reinheitsgrad 99 Volumenprozent) in einem
Volumenverhältnis von 2,5:1 gebildet wird, geschmolzen. Man erhält einen
Quarzglasblock. Dieser Quarzglasblock wird mittels eines Brechers zerkleinert und sodann durch ein Sieb der Maschenweite 1 mm gesiebt, um Teilchen mit Teilchengrössen von
nicht mehr als 1 mm abzutrennen. Die auf diese Weise abgetrennten Teilchen werden einer Säurebehandlung unterworfen
und sodann in eine mit Korund ausgekleidete Mühle gegeben. Dort werden sie durch Korundkugeln unter Bildung
von Quarzglasteilchen zerkleinert. In Tabelle II sind der Gehalt an Alkalibestandteilen, die Teilchengrössenverteilung
und das Verhältnis der grössten diametralen Länge der einzelnen Teilchen zur kleinsten diametralen Länge ange-
5 geben.
(3) Herstellung des Füllstoffs und einer mit dem Füllstoff vermischten Harzmasse
Die auf die vorstehende Weise hergestellten Quarzglaskügel-
■"•O chen und Quarzglasteilchen werden in den in Tabelle III
angegebenen Verhältnissen vermischt. Man erhält die Füllstoffe (A), (B), (C), (D), (E), (F), (G), (H), (I), (J)
und (K). Getrennt davon wird eine Harzmischmasse herge- . stellt, indem man 100 Gewichtsteile Epoxyharz auf Cresol-Novolak-Basis,
38 Gewichtsteile Phenol-NovolakTHarz und 2 Gewichtsteile Carnaubawachs vermischt. Die vermischte
Harzmasse wird sodann in den in Tabelle III angegebenen Mischungsverhältnissen mit den einzelnen Füllstoffen vermischt.
Die einzelnen Harz-Füllstoff-Gemische werden auf 80 bis 1000C erwärmt und etwa 10 Minuten mittels einer
20,3 cm (8 in) -Mischwalze geknetet. Man erhält homogene Gemische, die gekühlt und sodann pulverisiert werden. Die
Fluidität der einzelnen Harzmassen, die Länge der beim Verformen gebildeten Pressnähte und der spezifische VoIumen-Widerstand
der verformten Produkte werden gemessen. Die Ergebnisse sind in den Tabellen IV und V zusammengestellt.
In den Tabellen IV und V stellen die Versuche Nr. 2 bis 4, γ bis 9, 12 bis 14, 17 bis 19 und 22 bis 24 erfindungsgemässe
Ausführungsformen dar, während die übrigen Versuche Vergleichsversuche darstellen. Die Massen der Versuche 35
und 45 liessen sich nicht verformen. Daher war es bei diesen Massen nicht möglich, die Pressnahtlänge und den spezifischen
Volumen-Widerstand zu messen.
co
ο
bo
σι
to ο
CJl
chemische Zusammensetzung | AA2O, (ppm) |
Fe2O3 (ppm) |
Na2O
(ppm) |
K2O (ppm) |
Teilchengrössenverteilung (Gew.-%) |
10-20
μη |
20-30
/im |
30-44
μια |
44-74 /tu |
74-149
μη |
149 μ η < |
SiO2 (vti) |
3 3 | 20 | 1 7 | 20 | <10μπ | 1 6 | 1 7 | 1 9 | 1 6 | 7 | 0 |
99,8 | 2 5 |
ω ο
to
O
σι
cn
_ Alkalibestandteile (ppb) |
K2O | k Teilchengrössenverteilung (Gew.-%) |
1-10 μη |
10-20 μ σ |
20-30 μη |
30-44 μ β |
~^s 1 O |
44-74 μ π |
74-14.9 • μιη .· |
149 | Verhältnis ■ der grössten diametralen Länge zur kleinsten diametralen Länge |
|
Ouarzglas- kügelchen |
Na2O | 26 | μη | 2 1 | 1 6 | 1 6 | 20 | 1 7 . | 8 | O | 1,0-1,1 | |
zerkleiner te Quarz glas teilchen |
1 8 | 4 5 | 2 | 2 3 | 1 7 | 1 8 | 1 6 | 17 | 7 | .0 | 1,8-2,5 | |
feine SiIi- ciumdioxid- kügelchen |
50 | 14000 | 2 | O" | O | O | O | O | 0 | O | 1,0-1,1 | |
Glaskügel- chen der Bezeichnung EGB-731 |
1700 | 1400 | 100 | ν — | 4 2 | 4 3 | 5 | 1,0-1,1 - | ||||
2000 |
ω
ο
to
O
CJl
cn
A B C D E |
Zusammensetzung CGew.-teile) | zerkleinerte Quarzerlastpi ι nh<=>n | |
Erfindung | F G H I |
Ouarzglaskügelchen |
LO O O O LO
CO LO t> O) |
Vergleich | 9 5 . 7 0· 50 3 O r- O |
4 9 6 O 10 0 |
|
Vergleich | J | 9 6 4 10 0 O |
zerkleinerte Ouarzglasteilchen |
feine Siliciumdioxid- kügelchen |
50 | ||
K | 5 O | zerkleinerte Ouarzglasteilchen | |
Glaskügelchen der Bezeichnung EGB-731 |
50 | ||
5 O |
co
ο
to
σι
Füllstoff | zugemischte Menge (Gew.-teile) |
Zwischenraum | A | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | B | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | C | 11 | 12. | 13 | 14 | 15 |
Versuch Nr. | Gehalt "(Gew.^/o) | Zwischenraum 50 Jim |
47 | 50 | 396 | 56Ö | 794 | 47 | 60 | 396 | 560 | 794 | 47 | 60 | 396 | 560 | 794 | |||
Füll stoff gehalt |
Spiralfluss (cm) | spezifischer Volumen widerstand (150°) ßog ρ (Q-an) |
25,1 | 30,0 | 73,9 | 80,0 | 85,0 | 25,1 | 30,0 | 73,9 | 80,0 | 85,0 | 25,1 | 30,0 | 73,9 | 80,0 | 85,0. | |||
fress- naht- länge ΓητριΊ |
216 | 203 | 168 | 135 | 64 | 201 | 173 | 152 | 124 | 58 | 183 | 170 | 135 | 114 | 53 | |||||
3,2 | 2,0 | 1,6 | 0,8 | 0,8 | 3,0 | 1,8 | M | I1O | 0,8 | 3,2 | 1,4 | 1,2 | 1,0 | 0,8 | ||||||
6,0 | 2,0 | 1,6 | 1,2 | 1,0 | 4,8 | 1,8 | 1,6 | 1,0 | 0,8 | 4,6 | 1,6 | 1,4 | 1,2 | 0,8 | ||||||
12,1 | 13,5 | 14,2 | 14,2 | 14,3 | 12,1 | 13,5 | 14,2 | 14,2 | 14,3 | 12,1 | 13,5 | 14,2 | 14,2 | 14,3 |
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||
25,1 | CO | β· CO |
in | T—I CM* T-I |
co ο
to
O
CJi
Füllstoff | zugemischte Menge (Gew.-teile) |
Zwischenraum 5 Jim· |
F | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | G | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | H | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 |
Versuch-Nr. | Gehalt (Gew.-%) | Zwischenraum 50 jam |
47 | 50 | 396 | 560 | 794 | 47 | 60 | 396 | 560 | 794 | 47 | SO | 396 | 560 | 794 | |||
Füll stoff gehalt |
Spiralfluss (cm) | spezifischer Volumen widerstand (150°) ßog ρ (Ω—απ) |
25,1 | 30,0 | 73,9 | 8O7O | 85,0 | 25,1 | 30,0 | 73,9 | 80,0 | 85,0 | 25,1 | 30,0 | 73,9 | 80,0 | 85,0 | |||
Press naht (mm) |
218 | 206 | 175 | 137 | 53 | 203 | 142 | 81 | 58 | 7,6 | 239 | 234 | 203 | 163 | 84 | |||||
4,5 | 4,0 | 3,0 | 2,4 | 2j4 | 4,1 | 3,3 | 1,0 | 0,8 | - | 18,0 | 15,2 | 13,0 | 6,0 | 4,5 | ||||||
7,0 | 6,2 | 5,2 | 4,5 | 3,8 | 6,3 | 3,4 | ¥ | 1,0 | 28,0 | 25,2 | 20,5 | 11,0 | 6,2 | |||||||
12,1 | 13,5 | 14,2 | 14,2 | 14,3 | 12,1 | 13,5 | 14,2 | 14,2 | ·. | 12,1 | 13,5 | 14,2 | 14,2 | 14,3 |
to
LA | 560 | 80,0 | 122 |
Cs)
Csl |
co
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Cs)
CsT T-H |
|
O
LA |
396 |
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CM
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|
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O
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O
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109 |
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OO
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560 | •s | 125 | CD T-H |
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T-H CM T-I |
|
396 |
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127 |
Csl
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co
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O T-H |
CS) •κ •«ί* T-I |
||
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396 | 73,9 | 140 |
co
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Csl
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CO
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|
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τ-1 IA Öl |
CD
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T-I ccT |
T-I *^ CM T-H |
|||
Die Werte in den Tabellen I, II, IV und V wurden nach folgenden Testverfahren ermittelt.
(1) Chemische Zusammensetzung
SiOp: Chemische Analyse (Einheit:Gewichtsprozent)
AIpO-: Atomabsorptionsverfahren (Einheit:ppm)
FepO,,: Atomabsorptionsverfahren (Einheit :ppm)
Na2O: Atomabsorptionsverfahr-en (Einheit :ppm)
KpO: Atomabsorptionsverfahren (Einheit:ppm) 10
(2) Teilchengrössenverteilung
Sedimentationsgleichgewichtsverfahren (Einheit: Gew.-%)
Sedimentationsgleichgewichtsverfahren (Einheit: Gew.-%)
(3) Verhältnis der grössten diametralen Länge der einzel-15
nen Teilchen zur kleinsten diametralen Länge
JIS R6002 Mikroskopische Vergrösserungsanalyse
(H)
Spiralfluss
^O Unter Verwendung einer allgemein gemäss EMMI-Standard
hergestellten Form wird der Spiralfluss der einzelnen Testsfeücke bei einer Presstemperatur von 160 C und einem Pressdruck
von 70 bar gemessen (Einheit:cm)
(5) Pressnahtbildungseigenschaften
Unter Verwendung von Formen zur Bestimmung der Pr.essnahtbildung mit Zwischenräumen von 5 ^m bzw. 50 ^m werden die
Längen der gebildeten Pressnähte gemessen.
(6) Spezifischer Volumen-Widerstand
Die einzelnen Harzmassen werden bei einer Presstemperatur von 1600C und einem Pressdruck von 70 bar verformt und anschliessend
2 Stunden bei 16O°C gehärtet. Der spezifische Volumen-Widerstand der verformten und nachgehärteten Produkte
wird bei 1500C unter Verwendung eines Isolations-Widerstands-Messgeräts
gemessen.
Claims (3)
- Patentansprüche
1. Füllstoff für ein Einkapselungsharz für elektronische5 bis 95 Gewichtsteile Kügelchen aus Quarzglas, deren grösste Teilchengrösse im wesentlichen nicht mehr als 149 >im beträgt und die mindestens 80 Gewichtsprozent Kügelchen mit einer Teilchengrösse von 1 bis 149 ,umenthalten, wobei das Verhältnis der grössten diametralen Länge der einzelnen Kügelchen zur kürzesten diametralen Länge 1 bis 1,5 beträgt; und95 bis 5 Gewichtsteile zerkleinerte Teilchen aus Quarzglas, deren grösste Teilchengrösse im wesentlichen nicht ^0 mehr als 149 ^im beträgt und die mindestens 80 Gewichtsprozent Teilchen mit einer Teilchengrösse von 1 bis 149 /im enthalten, wobei das Verhältnis der grössten diametralen Länge der einzelnen zerkleinerten Teilchen zur kürzesten diametralen Länge 1,6 bis 3,0 beträgt. - 2. Füllstoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Quarzglas zur Herstellung der Kügelchen und derzerkleinerten Teilchen höchstens 100 ppm Alkalibestandteile enthält.
- 3. Hitzehärtbare Harzmasse zur Einkapselung von elektronischen Bauelementen mit einem Gehalt an 30 bis 80 Gewichtsprozent eines Quarzglas-Füllstoffs, dadurch gekennzeichnet, dass der Quarzglas-Füllstoff die in Anspruch 1 angegebene Zusammensetzung aufweist.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3533625A1 (de) * | 1985-09-20 | 1987-04-02 | Frenzelit Werke Gmbh & Co Kg | Leichtwerkstoff und verfahren zu dessen herstellung |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6164756A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-03 | Nippon Steel Corp | 無機充填熱硬化性樹脂組成物 |
JPS61145202A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Aisin Seiki Co Ltd | 紫外線硬化性樹脂組成物 |
JPS61190556A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-25 | Rishiyou Kogyo Kk | 電子部品封止用樹脂組成物 |
JP2593843B2 (ja) * | 1985-02-19 | 1997-03-26 | 日東電工株式会社 | 半導体装置 |
JPS61268750A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP2572761B2 (ja) * | 1986-12-23 | 1997-01-16 | 日東電工株式会社 | 半導体装置 |
US4816299A (en) * | 1987-05-20 | 1989-03-28 | Corning Glass Works | Encapsulating compositions containing ultra-pure, fused-silica fillers |
JPS6422967A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Shinetsu Chemical Co | Curable liquid silicone rubber composition |
JP2574364B2 (ja) * | 1988-02-09 | 1997-01-22 | 日東電工株式会社 | 半導体装置 |
JPH0672202B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1994-09-14 | 東レ株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
MY104894A (en) * | 1988-12-08 | 1994-06-30 | Sumitomo Bakelite Co | Epoxy resin composition for semiconductor sealing. |
US5064881A (en) * | 1989-01-18 | 1991-11-12 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Epoxy resin composition and semiconductor sealing material comprising same based on spherical silica |
US4925493A (en) * | 1989-04-26 | 1990-05-15 | Lamoreaux Michael A | Soil mixture and method of making same |
US4962151A (en) * | 1989-06-22 | 1990-10-09 | Dow Corning Corporation | Silicone sealant compositions |
TW225511B (de) * | 1989-12-14 | 1994-06-21 | Nissan Chemical Ind Ltd | |
US5300459A (en) * | 1989-12-28 | 1994-04-05 | Sanken Electric Co., Ltd. | Method for reducing thermal stress in an encapsulated integrated circuit package |
US4999699A (en) * | 1990-03-14 | 1991-03-12 | International Business Machines Corporation | Solder interconnection structure and process for making |
CA2087911C (en) * | 1992-01-24 | 1999-06-29 | Kiyoshi Abe | Spherical granules of porous silica or silicate, process for the production thereof, and applications thereof |
AU6823594A (en) * | 1993-04-29 | 1994-11-21 | Lindsey Manufacturing Company | Integrated electrical system |
US6193795B1 (en) | 1993-08-02 | 2001-02-27 | Degussa Corporation | Low structure pyrogenic hydrophilic and hydrophobic metallic oxides, production and use |
JP3445707B2 (ja) * | 1996-09-18 | 2003-09-08 | 電気化学工業株式会社 | シリカ質フィラー及びその製法 |
US6407461B1 (en) * | 1997-06-27 | 2002-06-18 | International Business Machines Corporation | Injection molded integrated circuit chip assembly |
DE19813971B4 (de) * | 1998-03-24 | 2005-12-01 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren für die Reinigung von SiO2-Körnung |
KR100573230B1 (ko) * | 1999-06-15 | 2006-04-24 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 반도체 봉지용 에폭시 수지 성형 재료의 제조 방법, 이의성형 재료 및 이의 반도체 장치 |
DE19937861C2 (de) * | 1999-08-13 | 2003-03-20 | Heraeus Quarzglas | Verfahren für die Herstellung dichter Quarzglas-Körnung |
BR0311575A (pt) * | 2002-05-30 | 2005-03-01 | Dow Global Technologies Inc | Composições de resinas termoplásticas resistentes à ignição isentas de halogênios e produtos obtidos destas |
DE60314218T2 (de) * | 2002-11-12 | 2007-09-27 | Nitto Denko Corp., Ibaraki | Gefüllte Epoxidharz-Zusammensetzung zur Einkapselung von Halbleitern sowie ein damit eingekapselter Halbleiterbauteil |
US8642455B2 (en) * | 2004-02-19 | 2014-02-04 | Matthew R. Robinson | High-throughput printing of semiconductor precursor layer from nanoflake particles |
US20090032108A1 (en) * | 2007-03-30 | 2009-02-05 | Craig Leidholm | Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates |
CA2605209C (en) * | 2005-04-19 | 2013-10-22 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Metal base circuit board, light-emitting diode and led light source unit |
US8158450B1 (en) * | 2006-05-05 | 2012-04-17 | Nanosolar, Inc. | Barrier films and high throughput manufacturing processes for photovoltaic devices |
WO2018225599A1 (ja) | 2017-06-09 | 2018-12-13 | ナガセケムテックス株式会社 | エポキシ樹脂組成物、電子部品実装構造体およびその製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3658750A (en) * | 1969-02-13 | 1972-04-25 | Hitachi Ltd | Thermosetting resin composition and electrical appliances using the same |
US3985842A (en) * | 1972-07-03 | 1976-10-12 | Norton Company | Method of making electrical magnesia |
JPS5137176B2 (de) * | 1973-02-24 | 1976-10-14 | ||
US3975757A (en) * | 1974-05-31 | 1976-08-17 | National Semiconductor Corporation | Molded electrical device |
JPS6031845B2 (ja) * | 1977-06-21 | 1985-07-24 | 日本合成化学工業株式会社 | 品質の改善されたポリビニルアルコ−ルの製造方法 |
US4248920A (en) * | 1978-04-26 | 1981-02-03 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Resin-sealed semiconductor device |
GB2028344B (en) * | 1978-08-17 | 1982-09-22 | Toray Silicone Co | Heat-curable filled moulding composition |
DE2929587C2 (de) * | 1979-07-21 | 1981-08-27 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Hydrophobe Füllstoff-Mischung, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung |
JPS57187354A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Resin composition |
EP0073736A1 (de) * | 1981-08-27 | 1983-03-09 | Ciba-Geigy Ag | Verfahren zur Herstellung von mit Kunststoff ummantelten druckempfindlichen Bauteilen |
JPS58138740A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 樹脂組成物 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58226285A patent/JPS60210643A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-08 US US06/669,557 patent/US4615741A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-13 KR KR1019840007111A patent/KR860001117B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-11-14 GB GB08428726A patent/GB2151600B/en not_active Expired
- 1984-11-15 CA CA000467907A patent/CA1255049A/en not_active Expired
- 1984-11-30 DE DE19843443821 patent/DE3443821A1/de active Granted
- 1984-11-30 FR FR8418351A patent/FR2555593B1/fr not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
NICHTS-ERMITTELT * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3533625A1 (de) * | 1985-09-20 | 1987-04-02 | Frenzelit Werke Gmbh & Co Kg | Leichtwerkstoff und verfahren zu dessen herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2555593B1 (fr) | 1987-07-17 |
GB8428726D0 (en) | 1984-12-27 |
CA1255049A (en) | 1989-05-30 |
GB2151600B (en) | 1987-08-19 |
DE3443821C2 (de) | 1987-02-05 |
FR2555593A1 (fr) | 1985-05-31 |
JPS60210643A (ja) | 1985-10-23 |
US4615741A (en) | 1986-10-07 |
KR850003552A (ko) | 1985-06-20 |
JPH0375570B2 (de) | 1991-12-02 |
KR860001117B1 (ko) | 1986-08-13 |
GB2151600A (en) | 1985-07-24 |
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