DE3238486A1 - Integrierte halbleiterschaltung - Google Patents

Integrierte halbleiterschaltung

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DE3238486A1 DE19823238486 DE3238486A DE3238486A1 DE 3238486 A1 DE3238486 A1 DE 3238486A1 DE 19823238486 DE19823238486 DE 19823238486 DE 3238486 A DE3238486 A DE 3238486A DE 3238486 A1 DE3238486 A1 DE 3238486A1
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Description

PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÜLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 73
- bh 10.9.1982
Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha, 72 Horikawacho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa-ken (Japan)
Integrierte Halbleiterschaltung
Gegenstand der Erfindung ist eine integrierte Halbleiterschaltung, zu welcher eine Inverterschaltung gehört, die ihrerseits wiederum besteht aus einem Anreicherungs-Metalloxidfeldeffekttransistor (MOSFET des Typus E), aus einem Verarmungs-Metalloxidfeldeffekttransistör (MOSFET des Typus E) sowie aus einer Gatter-Schutzschaltung.
Ein Inverterschaltung, welche in dem bekannten integrierten Halbleiterschaltungssystem eingesetzt ist, ist mit Fig. 1 und mit Fig. 2 dargestellt. Wie nun aus Fig. 1 zu erkennen ist, sind einMetal1oxidfeldeffekttransistor oder MOSFET (T) der Verarmungsaus führung - (MOSFET des Typus D) - und ein Metalloxidfeldeffekttransistor oder MOSFET (2) der Anreicherungsausführung - (MOSFET des Typus E) als Reihenschaltung zwischen einem Spannungsanschluß von beispielsweise 5 V und einem Referenzpotential, beispielweise dem Erdungspotential, schaltungsmäßig angeordnet. Der Gatt-Anschluß des Metal 1oxidfeldeffekttransistors oder MOSFET (2) erhält ein Eingangssignal V. auf geschaltet, das Ausgangssignal V . wird von der Verknüpfung zwischen den MetalToxidfeldeffekttransistoren MOSFET (1) und MOSFET (2) · abgenommen, wobei der Metalloxidfeldeffekttransistor MOSFET (2) auch als Treib erstufe arbeitet. Fig. 2 zeigt nun eine Schnittdarstellung der mit Fig. 1 dargestellten Inverterschaltung. Die N -
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leitenden Eindiffundierungsschichten (3) und (4) und (5) sind in die Hai bleiterträgerschicht (6) eingearbeitet, die P-leitend ist. Der Verarmungs-Metalloxidfeldeffekttransistore oder MOSFET (2), d.h. der MOSFET des Typus E, besteht aus dem N leitenden Emitterbereich (3), aus dem N -leitenden Kollektorbereich (4) sowie aus dem Gatt-Anschluß (7), der auf der Gatt-Isolationsschicht oder Gatt-Trennschicht (8) angeordnet ist. Der Anreicherungs-Metall Oxidfeldeffekttransistor oder MOSFET (1), d.h. der MOSFET des Typus D, besteht aus dem N -leitenden Emitterbereich (4), aus dem N -leitenden Kollektorbereich (5) und aus einem Gatt-Anschluß (9), der auf der Gatt-Isol ati onsschicht oder Gatt-Trennschicht (10) angeordnet ist. In den Kanalbereich (Channel Region) zwischen den N -leitenden Emitterbereichen und Kollektorbereichen (4) und (5) sind Arsen-Ionen implantiert und der Gattanschluß (9) ist mit dem N -leitenden Emitterbereich (4) verbunden. Bei dieser Inverterschaltung handelt es sich um eine Ratioschaltung oder Verhältnisschaltung, bei welcher die Logikwerte "1" und "0" dadurch voneinander unterschieden werden, daß das Verhältnis
= /Sd/ßl (1)
der geometrischen Abmessungen des als Treiber arbeitenden Metalloxidfeldeffekttransistors MOSFET (2) und des Beiastungs-Metal1 ox idfeldeffekttransistors MOSFET (1) ermittelt und aufgebaut wird.
PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÖLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER 73
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In Gleichung (1) entspricht die Größe β d dem Verhältnis £~W/l/J der Kanalbreite W und der Kanal länge L des als Treiber arbeitenden Metalloxidfeldeffekttransistors MOSFET (2)„ wohingegen mit der Größe 1 das Verhältnis der Parameter beim Belastungs-Metalloxidfeldef f.ekttransistor MOSFET (1) angegeben ist.
Im allgemeinen nimmt das Verhältnis "^- einen Wert von drei bis fünf an. Dieser Wert ist für eine Inverterschaltung geeignet, die in einer aus den Metalloxidfeldeffekttransistoren MOSFETs bestehenden Innenschaltung arbeitet, bei der der Signalpegel von Vss vollständig nach Vcc schwingt, er ist aber vorzugsweise nicht geeignet,, wenn die Schaltung als Eingangsstufe eingesetzt und verwendet werden soll. Für den Fall, daß die Schaltung als Eingangsstufe Anwendung finden soll sollte das Verhältnis aus den nachstehend angeführten Gründen möglchst einen Wert von zehn bis zwanzig aufzuweisen haben. Die Eingangssignale der Innenschaltung einer üblichen Halbleiterschaltung haben im niedrigen Signalpegel eine Spannung von ungefähr 0 Volt oder im hohen Signalpegel eine Spannung von ungefähr 5 V V , während für die Eingangsstufe der integrierten Halbleiterschaltung für gewöhnlich TTL-(Transistor-Transistor-Logik)-Signalpegel gelten, und zwar mit einem niedrigen Signalpegel von rund 0 bis 0,8 Volt und mit einem hohen Signalpegel von rund 2,0 Volt. Dabei wird im allgemeinen der Kollektorstrom" Ip eines Metall--
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Oxidfeldeffekttransistors MOSFET mit der nachstehend angeführten Formel oder Gleichung berechnet:-
1D
In diese Gleichung sind die nachstehend angeführten Größen eingesetzt:-
νβς = Gatt-Emitter-Spannung
V.. = Schwellenspannung
Vq = Emitter-Kollektor-Spannung
gm = Steilheit
In Gleichung (2) sind die Größen V^ (Schwellenspan-, nung) und gm (Steilheit) durch die Form des Metalloxidfeldeffekttransistors MOSFET bestimmt. Die Größe gm ist dem Verhältnis W/L proportional und die Größe V... (die ■ Schwel lenspannung) beträgt bei einem gewöhnlichen Metal 1 Oxidfeldeffekttransistor vom Typus E ungefähr -0,6 Volt. Bei der Gatt-Emitter-Spannung VGS handelt es sich um die Spannung, die zwischen dem Gatt-Anschluß und Vss orhanden ist und dem Eingangssignal V. entspricht. Wie nun aus Gleichung (2) zu erkennen ist, fällt dann, wenn die Gatt-Emitterspannung von 2 Volt auf rund 5 Volt erhäht wird, die Steilheit gm um den gleihen Betrag ab, damit der gleiche Strom abgezogen wird. Das aber bedeutet wiederum, daß dann, wenn ein Eingangssignal von Vss bis 5 Volt ansteht bei der üblichen Schaltung ein Verhältnis "* von drei bis fünf gegeben ist. Dieses Verhältnis 15C muß aber zehn bis zwanzig sein, wenn das Eingangssignal gleich Vss· bis 2 Volt ist und eine Schaltung einer Eingangsstufe mit TTL-Signalpegeln gegeben ist.
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Die Schaltung der Eingangsstufe wird jedoch nicht immer mit TTL-Signalpegeln als Eingangssignale verwendet. Sie kann bei Spann ungssprüfungen und bei anderen Anwendungsarten auch mit Eingangssignalen von rund Vss und Vcc verwendet werden. In einem solchen Falle wird dem Gatt des als Treiber arbeitenden Metalloxidfeldeffekttransistors MOSFET (2) ein Eingangssignal von Vcc auf geschaltet, während das Ausgangssignal der Inverterschaltung einen Signalpegel von ungefähr Vss annimmt. Das hat zur Folge, daß, weil die Größe gm ( 0^-W/L) des MetalT-oxidfeldeffekttransistors (2) größer ist als jene des Metalloxidfeldeffekttransistors MOSFET (I)9 im Belastungs-MetalToxidfeldeffekttransistors MOSFET (1) ein zu starker Kollektorstrom fließt, und auch deswegen, weil Vcc zwischen dem Gatt und dem Emitter von MOSFET (1) auf geschal tet wird.· Bei einer derart schädlichen Verwendung kann der Gatt-Bereich des Metalloxidfedeffekttransistors f40SFET (1) durch Störspannungen auf Vcc beschädigt werden, zu denen manchmal auch hohe Spannungsspitzen oderStoßspannungen gehören. Die Halbleiterschaltung wird dadurch zerstört und in der Zuverlässigkeit ihres Arbeitens verringernd beeinträchtigt.
Die Erfindung stellt sich somit die nachstehend angeführten Aufgaben:-
Eine integrierte Halbleiterschaltung neuer Art zu schaffen, und zwar mit einer Inverterschaltung hoher Zuverlässigkeit, bei der das Gatt des als Last arbeitenden Metalloxidfeldeffekttransistors MOSFET iin der Inverterschaltung geschützt ist.
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TO.10.1982
Eine integrierte Halbleiterschaltung zu schaffen, die immun ist gegen eine durch Störspannungen in der Stromversorgung mögliche Zerstörung.
Zur Lösung der ihr gestellten Aufgaben sieht die Erfindung eine integrierte Halbleiterschaltung vor, mit einem ersten'Metalloxidfeldeffekttransistor MOSFET, dessen Gatt mit einem Eingangsanschluß verbunden ist und dessen Emitter auf einen ersten Stromversorgungsanschluß geführt ist, und mit einem zweiten Metal 1 Oxidfeldeffekttransistors MOSFET dessen Gatt und dessen Emitter mit dem Kollektor des ersten MOSFET in Verbindung stehen. Diese Halbleiterschaltung dadurch gekennzeichnet, daß noch ein dritter Metalloxidfeldeffekttransistor MOSFET vorhanden ist, dessen Gatt und dessen Kollektor direkt auf einen zweiten Stromversorgungsanschluß geführt sind und dessen Emitter mit dem Kollektor des zweiten Metal 1oxidfeldeffekttransistors MOSFET verbunden ist, wobei das Ausganssignal einen Signal entspricht, das dem Eingangssignal zugeführt wird und vom Kollektor des ersten Metal 1oxidfeldeffekttransistors MOSFET abgezogen werden kann.
Gegenstand der Erfindung ist somit eine integrierte Hai Weiterschaltung, die als Inverterschaltung des E/D-Typus arbeitet und mit einer Gatt-Schutzschaltung versehen ist. Die Inverterschaltung besteht aus einem Metall ox idfeldeffekttransistor MOSFET des Ε-Typus, der mit seinem Gatt auf einn Eingangsanschluß geführt ist,und aus einem Metalloxidfeldeffekttransistor MOSFET des D- Typus, der als Last arbeitet. Die Gatt-Schutzschaltung weist
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einen Metalloxidfeldeffekttransistor MOSFET auf, der schaltungsmäßig zwischen einem Stromversorgungsanschluß und dem MOSFET der D-Ausführung angeordnet ist und dessen Gatt mit der Stromversorgung in Verbindung steht. Der Gatt-Bereich des Metal 1 ox idfeldeffekttransistörs MOSFET der D-Ausführung wird von der Gatt-Schutzschaltung auch dann geschützt und gesichert, wenn Störspannungen über die Stromversorgungsleitung herangeführt werden.
Die Erfindung wird nachstehend nun anhand des in Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles (der in Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele) näher erläutert. Die Zeichnung zeigt in:-
Fig. 1 Ein Schaltbild einer Inverterschaltung kon- · ventioneller Art und Ausführung.
Fig. 2 Eine Schnittdarstellung einer konventionellen Inverterschaltungsvorrichtung.
Fig. 3 Ein Schaltbild betreffend einer Inverterschaltung dieser Erfindung.
Fig. 4 Einen Schnitt durch die mit Fig. 3 wiedergebene Inverterschaltung.
In der Zeichnung sind gleiche oder entsprechende Teile in allen Ansichten auch mit den gleichen allgemeinen Hinweiszahlen gekennzeichnet. Mit Fig. 3 und Fig. 4 ist zudem auch noch insbesondere ein Ausführungsbeispiel des integrierten Halb leiterschaltungssystemes dieser Erfindung dargestellt. Wie aus Fig. zu erkennen ist, besteht die Inverterschaltung aus einem Metalloxidfeldeffekttransistor MOSFET des D-Typus,
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d.h. dem einen N-Kanal aufweisenden Metalloxid-Feldeffekttransistör MOSFET (11) und aus einem dazu in Reihe geschalteten und einem N-Kanal aufweisenden Metalloxid-Feldeffekttransistor MOSFET (12) vom Ε-Typus. Das Eingangssignal V. wird dem Gatt des Metalloxid-Feldeffekttransistors MOSFET (12) aufgeschaltet, währen'd das Ausgangssignal V . von dem Verknüpfungspunkt oder Verbindungspunkt zwischen dem Metalloxid-Feldeffekttransistor MOSFET (11) des D-Typus und dem Metalloxid-Feldeffekttransistor MOSFET (12) vom Ε-Typus abgenommen wird. Der Metalloxid-Feldeffekttransistor MOSFET (12) liegt mit seinem Emitter an einer Standardspannung oder Referenzspannung Vss, beispielsweise an der Erdungsspannung oder Massespannung, wohingegen das Gatt des Metalloxid-Feldeffekttransistors MOSFET (11) auf seinen eigenen Emitter und auf den Kollektor des Metalloxid-Feldeffekttransistors MOSFET (12) geführt ist. KoIlektorseitig ist der Metalloxid-Feldeffekttransistor MOSFET (11) mit dem Emitter eines einen N-Kanal aufweisenden Metalloxid-Feldeffekttransistors MOSFET (13) verbunden, welcher eine Gatt-Schutzschaltungfür den Metalloxid-Feldeffekttransistor MOSFET (11) darstellt. Das Gatt dieses Metalloxid-Feldeffekttransistors MOSFET (13) ist mit seinem eigenen Kollektor direkt verbunden, desgleichen aber auch mit der Stromversorgungsspannung, beispielsweise mit einer Spannung Vcc vo.n 5 Volt. Was den Metalloxid-Feldeffekttransistor MOSFET (11) und den Metalloxid-FeIdeffektran-
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sistor MOSFET (12) betrifft, so beträgt das Verhältnis 0^. ungefähr zehn bis zwanzig. Dieser Wert ist für den Fall geeignet, daß, wie dies zuvor erläutert worden ist, die Schaltung als eine Eingangsstufe mit einem TTL-Eingangssignal V· Anwendung findet. Ein Eingangssignal mit einer Spannung von mehr als 2 Volt bewirkt, 'daß wegen des Verhältnisses ^C von ungefähr zehn bis zwanzig der MetalToxid-Feldeffekttransistor MOSFET (12) voll in den Leitzustand oder Durchlaßzustand geht und daß das Ausgangssignal V den Signalpegel V annimmt.
Ein Eingangssignal, das den Signalpegel V hat, d.h. V. gleich V mit einem dem Signalpegel Erde/ Masse entsprechenden Signalpegel, bewirkt, daß der Metalloxid-Feldeffekttransistor MOSFET (12) deswegen auf den Signalpegel V geht, weil das Gatt des Metalloxid-Feldeffekttransistors MOSFET (13) mit V verbunden ist und weil es sich bei diesem Metalloxid-Feldeffekttransistor MOSFET (13) um einen MOSFET vom D-Typus handelt. Aber auch dann, wenn das Eingangssignal einen Signalpegel von 0,8 Volt hat, muß das Ausgangssignal V . den Signalpegel V aufweisen. In diesem Falle jedoch wird der Metalloxid-FeIdeffekttransistör MOSFET (12) nicht so stark in den Durch!aß-oder Leitzustand gehen, weil "das Eingangssignal (0,8 VoTt) stärker als die SChwel lenspannung (von 0,6-. Volt) ist und weil ein Streustrom vom Vcc-Anschluß zum Vss-Anschluß fließt. Weil nun die Ausgangsspannung V . in diesem Falle mit der nachstehend angeführten
Sb"
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bestimmt und ermittelt wird, sollte, damit V . ganz dicht an den Signalpegel V herankommen kann, der Widerstandswert R-.^ des zum Metal 1oxid-FeIdeffekttransistor MOSFET (13) gehörenden Widerstands elementes vorzugsweise derart gestaltet sein, daß er möglichst klein ist.
V = '5 , ν
nut Vr R + R +R v-u
K + K + K
Die in diese Gleichung eingesetzten Größen K-,-,, R12 und R-.ο entpsrechen jeweils den Widerstandswerten der jeweils zu den Metal 1oxid-FeIdeffekttransistoren MOSFET (IT), MOSFET (12) und MOSFET (13) zugehörigen Widerstandselemente. Aus den nachstehend angeführten Gründen sollte der Widerstandswert jedoch auch nicht zu klein oder zu schwach sein.
Nachstehend soll nun die Gatt-Sicherungsfunktion des Metal 1oxid-Feldeffekttransistors (13) erläutert werden. Was den Metal 1oxid-Feldeffekttransistor MOSFET (11) betrifft, so kommt der Kollektorstrom in einer auch ber der früheren und bisher bekannten Weise zustande. Auch dann, wenn am Vcc-Anschluß ein starkes Störspannungssignal ansteht, wird bei dieser Schaltung das Gatt des Metalloxid-Feldeffekttransistors MOSFET (13) deswegen nicht zerstört, weil das Gatt und der Kollektor dieses Metalloxid-Feldeffekttransistors miteinander verbunden sind und deswegen auch an der gleichen Spannung liegen. Weil die Metal 1oxid-Feldeffekttransistoren MOSFET (11) und MOSFET (13) wie eine Span-
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nungsteilerschaltung arbeiten, nimmt die am Punkt A anstehende Spannung einen Wert an, der zwischen den Spannungswerten von V und V liegt. Das
SS CC
wiederum bedeutet, daß aus diesem Grunde die Gatt-Emiter-Spannung des Metalloxid-Feldeffekttransistors MQSFET (11) kleiner als der Wert Vcc ist, so daß im Hinblick auf Vcc diese Schaltung eine hohe Störungstoleranz oder Störspannungstoleranz aufzuweisen hat. Darüber hinaus wird die am Punkt A anstehende Störspannung durch das Widerstandselement des Metalloxid-FeIdeffekttransistors MOSFET (13) auch noch gedämpft und abgeschwächt. Das am Punkt A anstehende Potential wird also kleiner als die Störspannung, was wiederum zur Folge hat, daß sich auch die Gatt-Kollektor-Spannung des Metal loxid-F-eldeffekttransistors MOSFET ..(13) soweit nicht ändert und das Gatt des Metanoxid-Feldeffekttransistors (11) auf diese Weise durch den Metalloxid-Feldeffekttransistor MOSFET (13) geschützt und gesichert ist. Das widerum ist ein Hinweis darauf, daß die Größe des Widerstandselementes des Metalloxid-Feldeffekttransistors MOSFET (13) vorzugsweise groß sein sollte, um die Störspannung zu dämpfen und abzuschwächen. Dieser Widerstandswert sollte aber nicht zu groß sein, weil sonst dann das Ausgangssignäl V^ nicht den Signalpegel Vcc annehmen kann, wenn die Eingangsspannung rund 0,8 Volt beträgt. Der Widerstandswert des vorerwähnten Widerstandselementes muß deshalb unter Beachtung dieser beiden Punkte auf einen Pegel gebracht werden, der für die Schaltung am besten geeignet ist.
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Fig. 4 zeigt nun den wirklichen Aufbau der mit Fig. 3 dargestellten und anhand von Fig. 3 beschriebenen Schaltung. In eine P-leitende Halbleiterträgerschicht (18) sind die N -leitenden Bereiche oder Zonen (14), (15), (16) und (17) eingearbeitet. Bei diesen N -leitenden Zonen (14), (15), (16).und (17) handelt es sich jeweils um den Emitterbereich des Metalloxid-Feldeffekttransistors MOSFET (12) und um den Kollektorbereich ■ des Metalloxid-Feldeffekttransistors MOSFET (12) sowie um den Emitterbereich des Metalloxid-Feldeffekttransistors MOSFET (13) und um den Kollektorbereich des Metal 1oxid-Feldeffekttransistors MOSFET (11) sowie um den Kollektorbereich des Metalloxid-Feldeffekttransistors MOSFET (13). Auf den Kanalbereichen der Metal 1oxid-Feldeffekttransistoren MOSFET (12), MOSFET (IT) und MOSFET (13) werden die Gatt-Trennschichten (19), (20) und (21) hergestellt» woraufhin dann auf den Kanalzonen der MOSFETs (11), (12) und (13) die Gatt-Elektroden oder Gatt-Anschlüsse (22), (23) und (24) angebracht und hergestellt werden. Die Gatt-Anschlüsse (23) und (24) der Metalloxid-Feldeffekttransistoren MOSFET (11) und MOSFET (13) sind jeweils auf die N -leitenden Bereiche (15) und (17) geführt und stehen mit diesen in Verbindung. Um die Schwellenspannung in die negative Richtung zu verändern, werden Arsen-Ionen in die Kanalbereiche der Metalloxid-Feldeffekttransistoren MOSFET (11) und MOSFET (13) implantiert. Diese Metalloxid-Feldefekttransistören MOSFET (11) und MOSFET (13) sind solche des D-Typus und werden deshalb bei diesem Ausführungsbeispiel
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im gleichen Arbeitsgang oder Prozeß hergestellt.
Wenn bei diesem Ausführungs-beispiel auch ein Metalloxid-Feldeffekttransistors oder MOSFET des D-Typus alsGatt-Sicherungsschaltung oder Gatt-Schutzschaltung verwendet wird, so kann doch auch ein Metalloxid-Feldeffekttransistor MOSFET der Intrinsic-AusfUhrung - dessen Schwellenspannung bei ungefähr 0 Volt liegt - an dessen Stelle verwendet werden. Darüber hinaus ist es auch möglich, einen Metalloxid-Feldeffekttransistor MOSFET des Ε-Typus zu verwenden, wobei jedoch der Signalpegel des Ausgangssignales um einen Betrag verringert wird, der gleich der Schwellenspannung des Metalloxid-Feldeffekttransistors MOSFET ist. In alternativer Weise kann die integrierte Halbleiterschaltung dieser Erfindung auch mit Metalloxid-Feldeffekttransistoren MOSFETs verwirklicht werden, die einen P-Karial aufweisen oder P-leitend sind.
Wie erläutert, ist das Gatt des als Belastung verwendeten Metalloxid-Feldeffekttransistors MOSFET auch dann geschützt, wenn die Störung starke Spannungssputzen oder Störspannungen an dem Stromversorgungsanschluß erzeugt und hervorruft. Die integrierte Halbleiterschaltung dieser Erfindung ist zudem höchst zuverlässig und kann einfach realisiert und konstruiert werden.
Weil aufgrund der Erläuterungen zahreiche zusätzliche Modifikation und Änderungen an der vorliegenden Erfindung möglich sind, sei deswegen darauf hingewiesen, daß im Rahmen der beiliegenden Patentansprüche die Erfindung auch anders als in der Spezifikation beschrieben realisert werden kann.

Claims (5)

  1. PATENTANWÄLTE F.W, HEMMERICH-GERD MÜLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER ~14 ~ 10. Okt. 1982 gr.us. 73 843
    Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha, 72 Horikawacho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa-ken (Japan)
    Patentansprüche
    Integrierte Halbleiterschaltung mit einem ersten MOSFET, dessen Gate mit einem Eingangsanschluß und dessen Source mit einem ersten Stromversorgungsanschluß verbunden ist, sowie mit einem zweiten MOSFET, dessen Gate und dessen
    Source mit dem Drainanschluß des ersten MOSFET's verbunden sind,
    gekennzeichnet durch
    einen dritten MOSFET, dessen Gate und Drain direkt mit
    einem zweiten Stromversorgungsanschluß verbunden sind und dessen Source mit dem Drainanschluß des zweiten MOSFET's gekoppelt ist, wodurch ein Ausgangssignal, das mit einem dem Eingangssignal zugeführten Signal in Verbindung steht, vom Drainanschluß des ersten MOSFET's hergeleitet werden kann.
  2. 2. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß es sich bei dem ersten MOSFET um einen selbstsperrenden (Ε-Typ) MOSFET handelt und daß der zweite MOSFET ein selbstleitender (D-Typ) MOSFET ist.
  3. 3. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1 oder 2,
    dadurch ge'kennzeichnet,
    daß der dritte MOSFET als ein selbstleitender (D-Typ)
    MOSFET ausgeführt ist.
    PATENTANWÄLTE F.W. HEMMERICH · GERD MÜLLER · D. GROSSE · F. POLLMEIER
  4. 4. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte MOSFET ein intrinsic-leitender MOSFET ist.
  5. 5. Integrierte Halbleiterschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis von Kanalbreite zu Kanallänge (öd) des ersten MOSFET's zum Verhältnis der Kanalbreite zur Kanallänge (ö 1) des zweiten MOSFET's in der Größenordnung von rund zehn bis zwanzig liegt.
    BAD ORIGINAL
DE3238486A 1981-10-20 1982-10-18 Integrierte Halbleiterschaltung Expired DE3238486C2 (de)

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