DE2738185A1 - Widerstand fuer mos-integrierte schaltkreise - Google Patents

Widerstand fuer mos-integrierte schaltkreise

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Description

  • Widerstand für MOS-inte#ierte Schaltkreise
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Widerstand für MOS-integrierte Schaltkreise in Form mindestens eines MOS-Transistors vom Depletion-Typ (Verarmungstyp) mit einer direkten Verbindung des Gates mit einer der Elektroden seiner gesteuerten Strecke.
  • Es ist bekannt, in MOS-integrierten Schaltkreisen MOS-Transistoren sowohl vom Depletion-Typ als auch vom Enhencement-Typ (Anreicherungstyp) als Widerstände zu verwenden. Bei Enhencement-Typen werden dabei gewöhnlich die Gates an VDD bzw. VGG geschaltet, während bei Depletion-Typen gewöhnlich Gate und Source miteinander verbunden werden.
  • Eine der Anforderungen an derartige Widerstände ist ihre Linearität in einem weiten Spannungsbereich. Bei der vorgenannten Verbindung von Gate und Source von Depletion-Typen wird die Widerstandskennlinie von einer gewissen Drain-Source-Spannung an nichtlinear und verläuft oberhalb dieser Spannung in die Sättigung.
  • Dieser Nachteil wird bei einem Widerstand der in Rede stehenden Art erfindungsgemäß dadurch vermieden, daß Gate und Drain direkt miteinander verbunden sind.
  • Um einen hinsichtlich der Polarität symmetrischen linearen Widerstand zu erhalten, können in Weiterbildung der Erfindung zwei MOS-Transistoren vom Depletion-Typ, deren Gate und Drain Jeweils direkt miteinander verbunden sind, antiparallel geschaltet werden.
  • Die Erfindung wird im folgenden anhand von in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • Es zeigen: Fig. 1 einen erfindungsgemäßen Widerstand mit einem MOS-Transistor vom Depletion-Typ; Fig. 2 einen hinsichtlich der Polarität linearen Widerstand mit zwei MCS-Transistoren vom Depletion-Typ; Fig. 3 einen Spannungsteiler mit zwei MOS-Transistoren vom Depletion-Typ für eine Widerstands-Kennlsnien-Messung; Fig. 4 ein Diagramm mit am Spannungsteiler nach Fig. 3 gemessenen Spannungen bei BerUcksichtigung der Polarität im Vergleich zu einer nicht-linearen Spannungskennlinie anderer Widerstandstypen in Form von MOS-Transistoren.
  • Gemäß Fig. 1 ist bei einem MOS-Transistor T des Depletion-Typs mit Gate G, Source S und Drain D erfindungsgemäß Gate G und Drain D direkt verbunden.
  • Fig. 2 zeigt eine Ausführungsform für einen hinsichtlich der Polarität linearen Widerstand mit zwei MOS-Transistoren T1 und T2 vom Depletion-Typ, deren entsprechende Elektroden-Bezugszeichen sit einem Index 1 bzw. 2 versehen sind. In dieser Anordnung sind die beiden Transistoren T1 und T2 antiparallel geschaltet.
  • Fig. 3 zeigt einen Spannungsteiler mit zwei MCS-Transistoren T3 und T4 vom Depletion-Typ, wobei die Elektroden-Bezugszeichen entsprechend mit einem Index 3 bzw. 4 bezeichnet sind. In diesem Spannungsteiler sind die beiden Transistoren T3 und T4 in Reihe geschaltet und Gate G3 bzw. G4 und Drain D bzw. D4 Jeweils 3 D4 direkt miteinander verbunden. An Klemmen a und b ist eine Spannung zuführbar, während die Teilerspannung an einer Klemme c abnehmbar ist.
  • Das Diagramm nach Fig. 4 zeigt in ausgezogener Darstellung Meßkurven für den Spannungsteiler nach Fig. 3. Wie ersichtlich, verläuft eine am Teilerpunkt c abnehmbare Spannung Uc linear, wenn eine an den Klemmen a und b angelegte Eingangsspannung richtiger Polarität linear verläuft. Eine gestrichelt dargestellte Kurve U zeigt qualitativ einen entsprechenden Spannungsverlauf für andersartig als Widerstand geschaltete MOS-Transistoren. Dabei kann es sich beispielsweise um Depletion-Typen mit direkter Verbindung von Gate und Source, um Depletion-Typen mit auf fester Spannung liegendem Gate oder um Enhencement-Typen mit auf fester Spannung liegendem Gate handeln. Die Spannungsverläufe sind in Fig. 4 als Funktion der Zeit t dargestellt.
  • Die Fig. 4 entsprechenden Kurvenverläufe ergeben sich auch, wenn Strommessungen an entsprechenden als Widerstand betriebenen MOS-Transistoren durchgeführt werden.
  • Ein wesentlicher Vorteil von erfindungsgemäßen Widerständen besteht auch darin, daß sie in integrierten Schaltkreisen wesentlich weniger Fläche benötigen, weil sie im Vergleich zu aus Diffusions- bzw. Polysiliciumstrecken aufgebauten Widerstandstypen hochohmiger sind.
  • 4 Figuren 2 Patentansprüche

Claims (2)

  1. Patentansprüche 1. Widerstand fur MOS-integrierte Schaltkreise in Form mindestens eines MOS-Transistors vom Depletion-Typ (Verarmungstyp) mit einer direkten Verbindung seines Gates mit einer der Elektroden seiner gesteuerten Strecke, d a d u r c h g e k e n n z e i c h -n e t, daß Gate (G) und Drain (D) direkt miteinander verbunden sind.
  2. 2. Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Antiparallelschaltung zweier MOS-Transistoren (T1, T2) vom Depletion-Typ, deren Gate (G1 bzw. G2) und Drain (D1, D2) Jeweils direkt miteinander verbunden sind.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2512589A1 (fr) * 1981-09-05 1983-03-11 Nippon Telegraph & Telephone Resistance variable reglee par une tension pour circuit electronique
US4578694A (en) * 1981-10-20 1986-03-25 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Inverter circuit provided with gate protection
DE102005009138A1 (de) * 2005-03-01 2006-09-07 Newlogic Technologies Ag Widerstands-Schaltkreis

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102569299A (zh) * 2010-12-14 2012-07-11 无锡华润矽科微电子有限公司 耗尽型mos管电阻器及其形成方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2435606A1 (de) * 1974-07-24 1976-02-05 Siemens Ag Reihenschaltung

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2435606A1 (de) * 1974-07-24 1976-02-05 Siemens Ag Reihenschaltung

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2512589A1 (fr) * 1981-09-05 1983-03-11 Nippon Telegraph & Telephone Resistance variable reglee par une tension pour circuit electronique
DE3230510A1 (de) * 1981-09-05 1983-03-24 Nippon Telegraph & Telephone Public Corp., Tokyo Variabler mis-widerstand
NL8203424A (nl) * 1981-09-05 1983-04-05 Nippon Telegraph & Telephone Variabele mis weerstand.
US4578694A (en) * 1981-10-20 1986-03-25 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Inverter circuit provided with gate protection
DE102005009138A1 (de) * 2005-03-01 2006-09-07 Newlogic Technologies Ag Widerstands-Schaltkreis

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