DE2556683C3 - Negativ-Widerstandsnetzwerk - Google Patents
Negativ-WiderstandsnetzwerkInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Negativ-Widerstandsnetzwerk,
gebildet aus der Reihenschaltung eines ersten Feldeffekt-Transistors vom einen Leitfähigkeitstyp und
eines zweiten Feldeffekt-Transistors vom anderen Leitfähigkeitstyp, an die eine Versorgungsgleichspannung
angelegt ist, mit einer positiven und einer negativen Eingangsklemme zum Anlegen einer vorbestimmten
Eingangsspannung.
Allgemein wird nach der herkömmlichen Technik zur Realisierung eines negativen Widerstandsnetzwerkes
eine Diodenschaltung verwendet, wie dies beispielsweise aus der DE-OS 20 44 021 bekannt ist, die eine
Schaltung mit negativer Widerstandscharakteristik zwischen einem Eingang und einem Bezugspotential in
Abhängigkeit von einer zwischen dem Eingang und das Bezugspotential angelegten, zwischen bestimmten
Grenzen liegenden Spannung betrifft. Diese bekannte Schaltung soll derart verbessert werden, daß die
negative Widerstandscharakteristik möglichst eine gute Linearität aufweist, Um dies zu erreichen, sind zwei
Widerstandselemente in Reihe zwischen eine Versorgungsgleichspannung und das Bezugspotential geschaltet,
weiter ist ein regenerativer Verstärker vorgesehen, der eine Verstärkung größer als die Einheit für alle über
einem Leckstrom liegenden Stromwerte aufweist. Darüber hinaus ist ein Verstärkungselement vorgesehen,
dessen Steueranschluß mit dem Ausgang des regenerativen Verstärkers und dessen Ausgang mit dem
Bezugspotential sowie dessen Eingang mit dem Eingang der Schaltung verbunden ist, so daß ein Spannungsanstieg
am Schaltungseingang, der über den Wert der Spannung ansteigt, die zwischen den beiden Widerständen
wirksam ist, einen negativen Widerstand zwischen dem Schaltungseingang und dem Bezugspotential
auftreten läßt
in Da es bekanntlich auch mit der gegenwärtigen modernen Technik noch nicht möglich ist. Dioden
herzustellen, welche genau die gleichen Eigenschaften besitzen, führt dies dazu, daß die gemäß der bekannten
Schaltung aufgebauten Negativ-Widerstandsnetzwerke untereinander nicht gleichbleibende Eigenschaften
besitzen.
-Jm diesem Problem zu begegnen, wurden bereits verschiedene Schaltungsanordnungen unter Verwendung
von Feldeffekttransistoren vorgeschlagen, beispielsweise eine Schaltung, wie sie aus der Zeitschrift
»Electronics«, 18. April 1974, Seiten 5E — 6E bekannt ist. Bei diesem bekannten Negativ-Widerstandsnetzwerk
wird die Beziehung /wischen der Veisürgungsgieichspannung und dem Strom, der durch einen bestimmten
Feldeffekttransistor fließt, in Abhängigkeit von der Änderung der Gate-Spannung geändert.
Weiter ist aus der Zeitschrift »Electro-Technology« April 1964, Seiten 124-126 ein Negativ· Widerstandsnetzwerk
bekannt, welches zwei Feldeffekttransistoren
so des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps besitzt, die in Reihe an eine Stromversorgungsquelle angeschaltet
sind.
Aus »Electronics Letters«, November 1966, Seite 420
ist eine Schaltungsanordnung für ein Negativ-Wider-Standsnetzwerk bekannt, bei dem ebenfalls wieder zwei
in Reihe geschaltete Feldeffekttransistoren verwendet werden. Diese Feldeffekttransistoren sind jedoch vom
gleichen Leitfähigkeitstyp, so daß deren Wirkungsweise anders ist als bei der zuvor genannten Schaltung.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, ein Negativ-Widerstandi;;ietzw,.,rk der eingangs
definierten Art zu schaffen, welches bei geringem Stromverbrauch eine negative Widerstandskennlinie
über einen vergleichsweise sehr weiten Pegelbereich der Eingangsspannung hinweg besitzt, wobei die
negative Widerstandskennlinie durch einfache Maßnahmen einstellbar sein soll.
Ausgehend von dem Negativ-Widerstandsnetzwerk der eingangs definierten Art wird diese Aufgabe
erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein dritter Oberflächen-Feldeffekttransistor bzw. IGFET vom
anderen Leitfähigkeitstyp vorgesehen ist, dessen Drain-Source-Strecke den Eingangsspannungsklemmen parallel
geschaltet ist, daß an den Gate-Anschluß des ersten Feldeffekttransistors der positive und an den
Source-Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors der negative Anschluß der Eingangsspannung angeschlossen
ist, und daß der Gate-Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors mit dem Drain-Anschluß des
ersten Feldeffekttransistors sowie mit dem Gate-Anschluß des dritten Feldeffekttransistors verbunden ist.
Bei dem Negativ-Widerstandsnetzwerk nach der Erfindung wird die Beziehung zwischen der Eingangsspannung und dem Strom, der durch den dritten
μ Oberflächen-Feldeffekttransistor fließt, dadurch geändert,
indem man beispielsweise die Spannung der Gleichstromversorgung ändert. Die Beziehung zwischen
der Eingangsspannung und dem genannten Strom
läßt sich auch dadurch ändern, daß man den Widerslandswert eines Gleichstrom-Impedanzelementes
zwischen dem Source-Ansehluß des ersten Feldeffekttransistors und dem einen Pol der Gleichstromversorgung
eingeschaltet ist, ändert. Damit führt das erfindungsgemäß aufgebaute Negativ-Widerstandsnetzwerk
gegenüber den bekannten Schaltungsanordnungen zu einem stark verbreiterten Betriebsbereich.
Auch läßt sich das Negativ-Widerstandsnetzwerk nach der Erfindung sehr viel vielseitiger einsetzen, da sich die
Neigung der S|:annungs/Stromkennlinie ändern läßt,
und zwar durch Änderung des Widerstandswertes des genannten Widerstandes.
Besonders zweckmäßige Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den
Ansprüchen 2 bis 4.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es
zeigt
F i g. 1 ein Schaltbild eines Negativwiderstandsnetzes
gemäß einer Ausführungsform,
F i g. 2 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Eingangsspannung Vi und dem Eingangsstrom
//bei der Schaltung gemäß Fig. 1,
F i g. 3 ein Schaltbild einer abgewandelten A.usführungsform,
Fig.4 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Eingangsspannung Viund dem Eingangsstrom //bei der Schaltung gemäß F i g. 3,
Fig. 5 und 6 Schaltbilder weiter abgewandelter Ausführungsformen,
Fig.7 eine graphische Darstellung der Beziehung
zwischen der Eingangsspannung Vi und dem Eingangsstrom //bei der Schaltung gemäß F i g. 6,
F i g. 8 ein Schaltbild einer Abwandlung der Schallung
gemäß F i g. 6,
F i g. 9 ein Schaltbild einer Kombination der Schaltungen gemäß F i g. 5 und 6,
Fig. 10 ein Schaltbild einer Kombination der Schaltungen gemäß F i g. 5 und 8 und
Fig. 11 ein Schaltbild einer Kombination der Schaltungen gemäß F i g. 3 und 9.
In Fig. 1, die ein Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zeigt, ist mil Vi eine
Eingangsgleichspannungsversorgung bezeichnet (zulässig ist auch eine Eingangswechselspannungsversorgung,
der eine Gleichstrom-Vorspannung eines zweckmäßigen Werts überlagert ist).
Eine mit dem positiven Pol der Eingangsspannung Vi verbundene Eingangsklemme WP ist mit der Diain-Elektrode
z. B. eines N-Kanal-IGFETs Q 1 (bzw. mit der Source-Elektrode eines P-Kanal-IGFETs) verbunden.
Der IGFET Q 1 weist eine Substratelektrode und eine mit der anderen Einangsklemme WN, die an den an
Masse liegenden Minuspol der Eingangsspannung Vi angeschlossen ist, verbundene Source-Elektrode auf.
Die Eingangsklemme WP ist außerdem an die Gate-Elektrode eines IGFETs des dem IGFET Q1
entgegengesetzten Kanaltyps, näml'ch bei der dargestellten
Ausführungsform eines P-Kanal-IGFETs Q2, angeschlossen. Der IGFET Ql weist eine Substratelektrode
und eine Source-Elektrode auf, die an den Pluspol einer Gleichstromversorgung Vdd mit einem zweckmäßigen
Spannungswert (10 V oder 15 V bei der dargestellten Ausführungsform) angeschlossen sind.
Die Drain-Elektrode des P-Kanal-IGFETs Q2 ist an
Drain- und Gate-Elektrode eines IGFETs des entgegengesetzten
Kanal- oder Leittyps wie der IGFET 02, d. h.
eines dem IGFET 0' entsprechenden N-Kanal-IGFETs
03, angeschlossen. Der IGFET 03 besitzt eine
Substratelektrode und eine Source-Elektrode, die mit dem an Masse liegenden Minuspol der Gleichstromversorgung
Vdd verbunden sind.
Im folgenden ist die Arbeitsweise der Schaltung 10 gemäß F i g. I in Verbindung mit F i g. 2 erläutert.
Weil ein IGFET üblicherweise eine Gate-Isolierschicht
und infolgedessen eine praktisch unendliche
in Eingangsimpedanz besitzt, ist zu beachten, daß ein über
die Drain-Source-Strecke des IGFETs 01 fließender Drain-Strom nur aus dem von der Eingangsspannung Vi
gelieferten Strom // besteht und daß der über die in Reihe geschalteten Drain-Source-Strecken der IGFETs
Q 2 und 03 fließende Strom nur durch den von der
Gleichstromversorgung Vdd gelieferten Strom Ip gebildet
wird.
Die Größe des Stroms Ip, der von der Gleichstromversorgung
Vdd über die in Reihe geschalteten Drain-Source-Strecken der IGFETs 02 und 03 fließt,
d. h. deren Innen- oder Eigenimpedanz, variiert daher allmählich bzw. fortlaufend, währe -.! die von der
Eingangsspannung Vi zur positiven Einvangsklernme
IIP gelieferte Spannung, d.h. das Drain-Potential des
IGFETs 0 1 und mithin das Gate-Potential des IGFETs
02, von null Volt aus ansteigt. Infolgedessen wird das Gate-Potential des IGFETs 01 so gesteuert, daß die
Größe des von dnr Eingangsspannung Vi in die Schaltung 10 gemäß Fig. 1 fließenden Eingangsstroms
Ii, d. h. bei der dargestellten Ausführungsform die Größe des über die Drain-Source-Strecke de., IGFETs 0 1
fließenden Drain-Stroms, nach den Kurven 21 (VW= 10 V) und 22 (VDD= 15 V) gemäß F i g. 2 mit dem
Inkrement der von der Eingangsspannung Vi der
j) Plus-Eiiigangsklemme WP aufgeprägten Spannung
variiert. Aus diesem Grund wirkt ein Schaltungsteil 12 gemäß Fig. 1, welcher die Gleichstromversorgung Vdo
und die IGFETs 02 und 03 einschließt, als Steuer-oder
Regelkreis zur Regelung einer Gate-Vorspannung, die
in Abhängigkeit von der Änderung des Werts oder Pegels der Spannung, die von der Eingangsspannung Vi
zur Plus-Eingangsklemme IIP geliefert wird, an die Gate Elektrode des IGFETs 0 1 angelegt wird.
Eine Drain- und Gate-Elektrode des IGFETs 03 verbindende Leitung 13 wirkt als positive Rückkopplungs-
bzw. Mitkopplungsleitung nur während der Periode, während welcher der IGFET Q 2 durchgeschaltet
ist, d. h., wenn die von der Eingangsspannung Vi zur Gate-Elektorde des IGFETs Q2 gelieferte Spannung
höher ist als praktisch die Schwellenwertspannung Vth derselben. Die Leitung 13 wirkt als Gegenkopplungsleitung
während der Periode, während welcher das Gate-Potential des IGFETs Q2 praktisch kleiner ist als
seine Schwellenwertspannung Vth und der IGFET Q2
daher praktisch sperrt. Der Negativwiderstandsbetrieb der Schaltung 10 gemäß F i g. 1 ist nunmehr anhand der
unten angegebenen Gleichung (3) beschrieben.
Wenn der Leitwert bzw. die Konduktanz des IGFETs 02 mit Gmp und die zwischen seine Gate- und
Source-Elektroden angelegte Spannung mit VGS bezeichnet
werden, läßi sich der über die Reihenschaltung der Drain-Source-Strecken der IGFETs (?2 und Q3
fließende Strom Ip durch folgende Gleichung ausdrükken:
Ip = Gmp ■ VGS
(1)
In obiger Gleichung (\) ist Vc,s gleich ( VDd- Vi), wie
dies anhand der Schaltung 10 gemäß Fig. I offensicht-
lieh ist. und infolgedessen kann obige Gleichung (I) wie
Folgt umgeschrieben werden:
= (imp ti „/, - IV)
Wenn der IGFFT Q I die gleiche Retriebscharaktcristik
bzw. -kennlinie besitzt wie der IGFF.T Q.3, ist der
von der Eingangsspannung VV zur Drain-Source-Strekke
des IGFETs Q I fließende Strom praktisch gleich dem obengenannten Strom Ir- Daher gilt:
Ii = (imp ■ \ ι,,, — (imp Vi.
Der /ueile Ausdruck >in der rechlen Seite von
Gleichung (3) zeigt eine negative Wulerslandscharakte·
nstik.
\'r in I ι g. 2 bedeutet die Pinch-off-Spannung des
KiII-Ts (J 2. Die auf die Kurven 21 und 22
aufgetragenen Punkte /eigen jeweils die Änderungen, die mittels eines Amperemeters 15 in der Größe des von
der Hingangsspanni;1 u 17 zur Schaltung 10 gemäß
F ι g. 1 fließenden Stroms ermittelt wurden, während die
Inkremente oder Teilstücke, von null Volt aus. in tier
Spannung der Fingangsspannung VV auf einem Voltmeter
14 abgelesen wurden, das zwischen die Plus· und die
Minus-Eingangsklemmen II/' bzw. 11/V eingeschaltet
war. wahrend das Amperemeter 15 zwischen die nicht an Masse liegende Plus-F.ingangsklemme 11/'und die
Drain-Elektrode des IGF ETs Q 1 eingeschaltet war.
Die durch die Kennlinien 21 und 22 in F ι g. 2
angegebene Bctnebskennlinic der Schaltung IO gemäß F ι g. 1 wird durch die Betriebscharakteristika der
ICiFFTs (J1 - 0 3. einschließlich ihrer jeweiligen
Gate-Sehwellenwertspannungen \'th. bestimmt.
Genauer gesagt: Durchgeführte Versuche haben gezeigt, daß die Schaltung 10 gemäß Fig. I eine positive
Widerstandscharaktertstik nur während der Periode besitzt, während welcher das Gate-Potential des
IGFFTs (J 1 hoher ist als praktisch seine Gate-Schwclle^wertspannung
\'th. während sie eine negative Widersundscharakteristik bei niedrigerem Stromverbrauch
über einen weiteren Bereich von Werten einer Eingangsspannung IV als bei den bisher verwendeten
Niega'p. wtderstjndsne'./werken d.inn besitzt, wenn das
Gate-Po'.entiai des IGFFTs Q\ niedriger ist als seine
Gate-Schwelienwertspannung Vth.
Fur den Fachmann ist somit ersichtlich, daß die
.Schaltung 10 gemäß F■ ι g. 1 bei entsprechender Wahl
■hres Arbeitspunkts einen monostabilen Betrieb (vgl. die
Lastkurve 23 in F i g. 2). einen astabilen Betrieb (vgl.
Lastkur. e 24 in F ι g. 2) oder den monostabilen-astabilen
Betneb (vel. Lastkurve 25 in F i g. 2) wie beim bisher
verwendeten Negativ w iderstandsnetz durchzuführen vermag.
F i g. 3 zeigt ein Schaltbild eines N'egativwiderstandsnetzes
gemäß einer abgewandelten Ausführungsform. Die Schaltung 101 gemäß F i g. 3 besitzt praktisch
denselben Aufbau wie die Schaltung von Fig. I. nur mit
dem Unterschied, daß ein Gieichstrom-Impedanzelement
z. B. ein Widerstand /?> zwischen die Source-Elektrode
des P-Kanal-!GFETs Q2 und den an der nicht an Masse liegenden Seite befindlichen Pluspol der Gleichstromversorgung
Vno eingeschaltet ist. Die den Teilen
von Fig. 1 entsprechenden Teile sind daher mit den gleichen Bezugszeichen versehen, und auf ihre Beschreibung
kann verzichtet werden.
Die Schaltung 101 gemäß F i g. 3 mit dem beschriebenen Aufbau kann, wie aus den Kennlinien 31 und 32
gemäß F i g. 4 hervorgeht, so gesteuert werden, daß bei
zunehmendem Wert des Widerstands /?s der llöchslstroni
//,„.„ um so kleiner ist, welcher an der Grenze
zwischen dem positiven Widerstandsbetriebsbereich I der Schaltung 101 gemäß Fig. 3 und ihrem negativen
Widerstandsbetriebsbereich Il vorhanden ist. und ebenfalls die Gefälle der Kennlinien 31 und 32 in den
positiven und negativen Widerstandsbereichen I und Il um so kleiner sind.
F i g. 5 zeigt ein Schaltbild eines Negativwiderstandsnetzes gemäß einer weiter abgewandelten Ausführungsform.
Die Schaltung 102 von Fig.1) besitzt den gleichen
Aufbau wie die Schaltung gemäß F i g. I, nur mit dem Unterschied, daß ein Gleiehstrom-Impcdanzelement.
z. I!. ein Widerstand R \. zwischen die Drain-Elektrode
des N-Kanal-IGFFTs (JI und die nicht an Masse
liegende Plus-I'.ingangsklemmc 11/' eingeschaltet ist.
Die ilen Teilen von F i g. I entsprechenden Teile gemäß F i g. 5 siiul daher mit den gleichen Bezugs/eichen
versehen und nicht näher erläutert.
Bei der auf beschriebene Weise aufgebauten Schaltung 102 gemäß F i g. ί ist ersichtlich, daß die Größe des
über die Drain-Source-Strecke des IC)FETs (J \ in Abhängigkeit vom Spannungspegel der Eingangsspannung
Wfließenden Stroms //um so kleiner ist. je größer der Wert des Widerstands RA ist.
F i g. b ist ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform des Negativwiderstandsnetzwerkes. [Die Schaltung
103 von F i g. 6 besitzt denselben Aufbau wie die Schaltung von F i g. I. nur mit dem Unterschied, daß ein
Gleichstrom-Impedanzelemcnt. z. B. ein Widerstand ft«,
so zwischen Plus- und Minus-Eingangsklemme liPbzvv.
11 Λ/eingeschaltet ist. daß es parallel zur Drain-Source-Strecke
des ICjFETs Q 1 und zur Eingangsspannung Vi
liegt. Die den Teilen von F i g. I entsprechenden Teile gemäß F i g. 6 sind wiederum mit den gleichen
Bezugsziffern bzw. -zeichen versehen und daher nicht näher erläutert.
Bei der Schaltung 103 gemäß F i g. & wird der von der
F.ingangsspannung VVzugeführte Strom //'in einen über
den Widerstand R,, fließenden Strom //1 und einen über
die Drain-Source-Strecke des IGFETs Q\ fließenden Strom Ii 2 aufgeteilt. Neben einem positiven und einem
negativen Widerstandsbetriebsbereich I, bzw. Il wie im Fall der Schaltungen gemäß den Fig. !. 3 und 5 besitzt
die Schaltung 103 von F i g. 6 daher einen weiteren positiven Widerstandsbetriebsbereich III. der von der
Zusammensetzung der genannten Ströme IH und Ii 2 herrührt. Ersichtlicherweise vermag die Schaltung 103
gemäß Fig. 6 bei entsprechender Wahl ihres Arbeitspunkts
einen doppelstabilen Betrieb (vgl. Lastkurve 45 in F i g. 7) neben dem monostabilen Betrieb (vgl
Lastkurve 42 in F i g. 7). einen astabilen Betrieb (vgl Lastkurve 43 in F i g. 7) oder einen monostabilen-astabilen
Betrieb (vgl. Lastkurve 44 in Fig. 7) wie bei den Schaltungen gemäß den Fig. 1,3 und 5 durchzuführen.
F i g. S zeigt ein Schaltbild einer Abwandlung der Schaltung gemäß F i g. 6. Das Negativwiderstandsnetz
104 gemäß Fi g. 8 besitzt den gleichen Aufbau wie das
Netz gemäß F i g. 6. nur mit dem Unterschied, daß der Widerstand RB gemäß F i g. 6 durch eine Diode D 1
ersetzt ist Die den Teilen von F i g. 6 entsprechenden Teile gemäß F i g. 8 sind wiederum mit den gleichen
Symbolen bezeichnet und daher nicht näher erläutert
Es ist darauf hinzuweisen, daß die vorstehend
beschriebenen Ausführungsformen lediglich Beispiele darstellen und daß zahlreiche Änderungen, Abwandlun-
gen und Variationen der Anordnungen, Arbeitsweisen und Konstruktionseinzelheiten der offenbarten Elemente
möglich sind, ohne daß vom Rahmen und Grundgedanken der Erfindung abgewichen wird.
Beispielsweise kann ein für verschiedene Verwendungszwecke geeignetes Negativwiderstandsnetz durch
zweckmäßige Kombination der Schaltungen gemäß den F i g. 1, 3, 5 und 6 (oder 8) gebildet werden. Die F i g. 9
bzw. IO veranschaulichen beispielsweise die Kombination \<ni bzw. 107 der Schaltung 102 von F i g. 5 mit der
Schaltung 103 oder 104 gemäß Fig.6 bzw. 8. Fig. Il
veranschaulicht die Kombination 108 der Schaltung 101
von F i g. 3 mit der Schaltung 105 von F i g. 9.
Weiterhin beziehen sich die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen auf den Fall, in welchem die
IGFETs Q 1 und Q3 vom N-Kanaltyp und der IGFET
Ql vom P-Kanaltyp sind. Die IGFETs Q1 und Q3
können jedoch auch vom P-Kanaltyp sein, während der IGFET Q2 auch ein solcher vom N-Kanaltyp sein kann.
In diesem Fall brauchen lediglich die Polaritäten der Eingangsspannung Vi und der Gleichstromversorgung
Vim gegenüber den dargestellten Polaritäten umgekehrt
zu sein, um ihre richtige Schaltungsverbindung zu gewährleisten.
liier/u 5 BInIi X.c
Claims (4)
1. Negativ-Widerstandsnetzwerk, gebildet aus der Reihenschaltung eines ersten Feldeffekttransistors
vom einen Leitfähigkeitstyp und eines zweiten Feldeffekttransistors vom anderen Leitfähigkeitstyp, an die eine Versorgungsgleichspannung angelegt
ist, mit einer positiven und einer negativen Eingangsklemme zum Anlegen einer vorbestimmten
Eingangsspannung, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter Oberflächen-Feldeffekttransistor
bzw. IGFET (Q 1) vom anderen Leitfähigkeitstyp vorgesehen ist, dessen Drain-Source-Strecke
den Eingangsspannungsklemmen (Hf, 11 N) parallel
geschaltet ist, daß an den Gate-Anschluß (G) des ersten Feldeffekttransistors (Q 2) der positive und an
den Source-Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors der negative Anschluß der Eingangsspannung
(Vi) angeschlossen ist, und daß der Gate-Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors (Q3) mit dem
Drain-Anschhi3 des ersten Feldeffekttransistors (Q 2) sowie mit dem Gate-Anschluß des dritten
Feldeffekttransistors (Q 1) verbunden ist.
2. Negativ-Widerstandsnetzwerk nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gleichstrom-Impedanzelement
(R5) zwischen die Source-Elektrode des ersten IGFET (Q2) und den einen Pol der
Gleichstromversorgung (Vdd)eingeschaltet ist.
3. Negativ-Widerstandsnetzwerk nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gleichstrom-Impedanzelement
(RA) zwischen die eine Eingangsklemme und di'.' Drain-Elektrode des dritten IGFET
(Qi) geschaltet ist.
4. Negativ-Widerstandsnetzwerk nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eip Gleichstrom-Impedanzelement
(RB) parallel zur Drain-Source-Strecke des dritten IGFET(Q 1) geschaltet ist.
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