DE2410205C3

DE2410205C3 - Hystereseschaltung

Info

Publication number: DE2410205C3
Application number: DE2410205A
Authority: DE
Inventors: Minoru Tokio Sasaki
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1973-03-05
Filing date: 1974-03-04
Publication date: 1979-08-16
Also published as: GB1458691A; DE2410205B2; FR2220934A1; FR2220934B1; JPS49115459A; US3882331A; JPS5318308B2; DE2410205A1; CA1009708A

Description

Die Erfindung betrifft eine Hystereschaltung, bestehend aus einem ersten Schaltkreis mit einem ersten Feldeffekt-Transistor zur Erzeugung von Steuersignalen in Abhängigkeit von Eingangsspannungs-Pegeln und einem zweiten Schaltkreis mit einem zweiten Feldeffekt-Transistor zum Schalten der Ausgangsspannungs-Pegel in Abhängigkeit von den Steuersignalen sowie mit einem im Stromkreis des ersten Feldeffekt-Transistors liegenden dritten Feldeffekt-Transistor zur Steuerung der Eingangsspannungs-Pegel in Abhängigkeit von den Ausgangsspannungs-Pegeln, um diese zu schalten.

Aus der US-PS 36 12 908 ist eine Hystereseschaltung bekannt, die MOS-Feldeffekt-Transistoren verwendet, mit einem Eingangskreis, der einen ersten schaltbaren MOS-Transistor zur Erzeugung von Steuersignalen in Abhängigkeit von den Eingangsspannungs-Pegeln enthält, mit einem Ausgangskreis, der einen zweiten schaltbaren MOS-Transistor zum Schalten von Ausgangsspannungs-Pegcln in Abhängigkeit von den Steuersignalen enthält und ebenso einen dritten, mit dem ersten MOS-Transistor in Reihe geschalteten, schaltbaren MOS-Transistor enthält, um die Eingangsspannungs-Pegeln in Abhängigkeit von Ausgangsspannungs-Pegeln zu steuern.

Wenn bei der vorgenannten bekannten Hystereseschaltung, bei der ein N-Kanal-MOS-Transistor vom Anreicherungstyp verwendet wird, ein Eingangsspannungspegel um die Schwellenspannung des ersten MOS-Transistor über das Drain-Elektrodenpotenli :1 des dritten MOS-Transistors oder das Source-Elektrodcnpotential des ersten MOS-Transistors ansteigt, wird der erste MOS-Transistor durchgeschaltet. Ein dadurch erzeugtes Steuersignal sperrt den zweiten

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MOS-Transistor, und folglich wechselt die Ausgangs- nung erreicht, wird der dritte Transistor darchge-

spannung der Hystereseschaltung von einem ersten schaltet. Ein als Ergebnis davon erzeugtes Steuer-

aui einen zweiten Pegel. Der dritte MOS-Transistor signal schaltet den zweiten Transistor durch, wodurch

wird vom zweiten Ausgangsspannungspegel rturchge- die Ausgangsspannung umgeschaltet wird. Durch die

schaltet, so daß das Source-Elektrodenpotential des 5 Wirkung der Rückkopplung des an die Ausgangs-

ersten MOS-Transistors auf ein Bezugspotential ab- klemme der Hystereseschaltung angeschlossenen

fällt. Der vorgenannte Schaltungszustand bleibt auch Spannungsteilers bleibt der dritte Transistor durch-

dann unverändert, wenn sich der Eingangsspar.nungs- geschaltet. Wenn der Eingangsspannungspegel unter

pegel erhöht. Vermindert sich dieser Pegel unter die die Schwellenspannung des ersten Transistors ab-

Schwellenwertspannung des ersten MOS-Transistors, io fällt, sperrt der erste Transistor, so daß die Aus-

so wird letzterer gesperrt, wodurch die Ausgangs- gangsspannung geändert wird. Wie erwähnt, kann

spannung umgekehrt vom zweiten auf den ersten Pe- bei der erfindungsgemäßen Hystereseschaltung die

gel umgeschaltet wird. Breite bzw. der obere Hysteresegrenzwert durch den

Diese bekannte Kystereseschaltung ist der Ein- Spannungsteiler frei gewählt werden, ohne durch die

schränkung unterworfen, daß beim Durchschalten 15 Schwellenspannung des zweiten Transistors be-

des ersten MOS-Transistors das Drainpotential des schränkt zu sein.

dritten MOS-Transistors einen niedrigeren Wert be- Besonders zweckmäßige Ausgestaltungen der Ersitzen muß als die Schwellenspannung des zweiten findung sind in den Ansprüchen 2 bis 8 beschrieben. MOS-Transistors, da anderenfalls der zweit? MOS- Im folgenden wird die Erfindung an Hand von Transistor nicht mehr abschalten würde, wenn dies 20 Ausführungsbeispielen unter Hinweis auf die Zeichgewünscht wird. Die vorstehend beschriebene be- nungen näher erläutert. Es zeigt
kannte Hystereseschaltung besitzt daher eine Hyste- F i g. 1 ein Schaltbild einer Ausführungsform einer resebreite, die der Größe der Änderung des Drain- Hystereseschaltung mit Merkmalen nach der Erfinpotentials des dritten MOS-Transistors entspricht. dung,

Dies bedeutet, daß die Breite oder der obere Grenz- 25 F i g. 2 ein Kennliniendiagramm zur schematischen

wert der Hysterese durch die Schwellenspannung des Veranschaulichung der Arbeitsweise der Schaltung

zweiten MOS-Transistors beschränkt wird. Wenn ein gemäß Fig. 1,

dem oberen Grenzwert der Hysterese entsprechender F i g. 3 ein Schaltbild einer abgewandelten Aus-Eingangsspannungspegel auf diese Weise durch die führungsform der Erfindung,

Schwellenspannung des zweiten MOS- oder Aus- 30 F i g. 4 eine graphische Darstellung der Eigen-

gangs-Transistors beschränkt wird, ist es schwierig, schäften der Hystereseschaltung gemäß F i e. 3 und

eine Hystereseschaltung zu konstruieren. Fig. 5 ein Schaltbild einer weiteren abgcwandel-

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe be- ten Ausführungsform der Erfindung,

steht darin, eine Hystereseschaltung der eingangs de- Gemäß F i g. 1 weist ein erster oder Eingangskreis

finierten Art zu schaffen, deren Hysteresebreite bzw. 35 10 einen schaltbaren MOS-Transistor 11, dessen

deren oberer Hysterese-Grenzwert nicht durch die Gatcclektrode an eine Eineangsklemme 2Ϊ ange-

Schwellenspannung eines Ausgangs-Transistors be- schlossen ist, und einen MÖS-Lasttransistor 12 auf,

einfiußt wird. dessen Gate- und Drainelektroden mit einer, ein po-

Ausgehend von der Hystereseschaltung der ein- sitives Potential f V_nu liefernden Stromquelle ver-

gangs definierten Art wird diese Aufgabe erfindungs- 40 bunden sind und dessen Sourceeleklrode mit der

gemäß dadurch gelöst, daß ein Spannungsteiler zwi- Drainelektrode des Transistors 11 verbunden ist. Ein

sehen eine Eingangsklemme des ersten Schaltkreises zweiter bzw. Ausgangskreis 13 weist einen schalt-

und eine Ausgangsklenime des zweiten Schaltkreises baren MOS-Transistor 14, dessen Gateelektrode an

eingeschaltet ist und daß der dritte Feldeffekt-Tran- die Drainelektrode des Transistors 11 und dessen

sistor in Reihe mit dem ersten Feldeffekt-Transistor 45 Sourceelektrode an einen Bezugspotentialpunkt bzw.

geschaltet ist, um die Eingangsspannungspegel, die Masse angeschlossen ist, sowie einen MOS-Lasttran-

die Ausgangsspannungspegel schalten, in Abhängig- sistor 15 auf, dessen Gate- und Drainelektroden mit

keit von den Ausgangsspannungspegeln des Span- der positiven Stromquelle verbunden sind and dessen

nungsteilerkreises zu steuern. Sourceelektrode an die Drainelektrode des Transi-

Bei der Hystereseschaltung nach der Erfindung ist 50 stors 14 angeschlossen ist. Die Drainelektrode des die Hysteresebreite einstellbar und kann auch bei- Transistors 14 ist außerdem mit einer Ausgangsspielsweise doppelt so breit sein wie bei der bekann- klemme 22 verbunden. Die Sourceelektrode des ten Schaltung, da die Schwellenspannung des eisten schaltbaren MOS-Transistors 11 des ersten Kreises Feldeffekt-Transistors und die Schwellenspannung 10 ist an die Drainelektrode eines schaltbaren MOS-des dritten Feldeffekt-Transistors überschritten wer- 55 Transistors 16 angeschlossen, dessen Sourceelektrode den muß, bevor sich die Ausgangsspannung am Aus- mit dem Bezugspotenüalpunkt verbunden ist. Zwigangsanschluß ändert. Auch läßt sich bei der Hyste- sehen die Eingangsklemme 21 und die Ausgangsreseschaltung nach der Erfindung die Breite der Hy- klemme 22 ist. ein Spannungsteiler 17 eingeschaltet, sterese in einfacher Weise einstellen. der einen MOS-Transistor 18, dessen Gate- und

Selbst wenn ein Eingangsspannungspegel die 60 Drainelektroden mit der Eingangsklemme 21 verbun-

Schwellenspannung des ersten Transistors erreicht den sind, und einen weiteren MOS-Transistor 19 auf-

und diesen durchschaltet, erreicht die am Spanminps- weist, dessen Gateelektrode mit der ein positives Po-

teilcrpunkt des Spannungsteilers liegende Ausgangs- tential liefernden Stromquelle verbunden ist. wäh-

spaniHing nicht die Schwellenspannung des dritten rend seine Sourceelektrode an die Ausgangsklemme

Transistors, wodurch dieser an einem Durchschalten 65 22 und seine Drainelektrodc ;"■ die Sum ^elektrode

gehindert wird. Wenn die Ausgangsspannung vom des genannten MOS-Transistors 18 angeschlossen ist.

Spannungsteiler die Schwellenspannung des dritten Die Verzweigung bzw. det Spannung^;.:.erpunkt 20

Transistors infolge eines Anstiegs der Eingangsspan- wischen der Sourceelekuoc«; des MOS-Transistors

18 und eier Drainclektrode des MOS-Transistors 19 ist mit der üaieelektrorie des Transistors 16 verbunden. Obgleich bei der Hystereseschaltung gemäß Fig. 1 N-Kaaal-MOr.-Transistoren vom Anreicherur.ystyp verwendet werden, können auch P-Kanal-MOS-: r

stschen sein. Ir. diesem lall

vv!rd jedoch eine ein negatives Potential liefernde Stromquelle verwendet.

Im folgenden wild nunmehr an Hand von Fig. ί und 2 die Arbeitsweise der Hystereseschaltimg gemäß einer Ausführungsforni der Erfindung erläutert. Zunächst sei angenommen, daß die Schwellenspannung der schaltbaren MOS-Transistoren 11, 14, 16 und 18 den Wert V₁₁, besitzt, während eine der Eingangsklemme 21 aufgeprägte Eincangsspannung anfänglich Null ist. Dabei sind die Transistoren 11 und 18 gesperrt, während der Transistor 14 durchgeschaltet ist. Infolgedessen besitzt eine an der Ausgangsklemme 22 erscheinende Spannung einen Wert von Null, so daß der Transistor 16 sperrt. Zur Vereinfachung der Beschreibung sei angenommen, daß die schaltbarcn MOS-Transistoren 11, 14 und 16 ideale Schalteigenschaflen besitzen.

Wenn die Eingangsspannung V_1n gemäß F i g. 2 von Null auf die Schwellenspannung V,_h ansteigt, beginnen die Transistoren 11 und 18 durchzuschalten. Die Gatespannung KP 20 des Transistors 16 ist jedoch um die Schwellenspannung V₁₁, des Transistors 18 niedriger als die Eingangsspannung K_fn(=K,_/(), d. h., sie ist Null, so daß der Transistor 16 im Sperrzustand gehalten wird. Daher ändert sich der Betrag der Ausgangsspannung KPlO vom Eingangskreis 10 nicht, so daß die Ausgangsspannung V₀,,, weiterhin Null bleibt. Wenn die Eingangsspannung K_1n über die Schwellenspannung V_lh ansteigt, erhöht sich die Gatespannung KP20 des Transistors 16 gemäß Fig. 2. Wenn die Gatespannung KP20 die Schwellenspannung V,_h des Transistors 16 erreicht, wird letzterer durchgeschaltet. Infolgedessen fällt die Ausgangsspannung KPlO vom Eingangskreis, 10 nach OV ab, wodurch der Transistor 14 des Ausgangskreises 13 gesperrt wird und die Ausgangsspannung V₀,,, auf die Spannung + K_0n der Stromquelle ansteigt. Da die Ausgangsspannung V₀,,, über den Transistor 19 positiv auf die Gateelektrode des Transistors 16 rückgekoppelt wird, steigt die Gatespannung VP20 gemäß Fig. 2 ebenfalls auf die Stromquellen-Spannung +V_nD an. Zu diesem Zeitpunkt wird der Transistor 18 zum Sperren gebracht.

Das Umschalten der Ausgangsspannung V_out vom ersten Pegel (0 V) auf den zweiten Pegel (+V_DD V) durch Betätigung des Transistors 16 findet nur dann statt, wenn der nachstehenden Bedingung genügt wird:

Wenn nämlich die Eingangsspannung V_1n den Wert von V_lh+V_ih(VP20) erreicht, wird die Ausgangsspannung umgeschaltet. Der Ausdruck Κ_/Λ( KP 20) bedeutet, daß die Schwellenspannung V_lh des Transistors 18 von der Ausgangsspannung des Transistors 18 bzw. seiner Sourcespannung VP 20 abhängt. Wenn die Schwellenspannung V_th des Transistors 18 beispielsweise etwa 5 V beträgt und die Eingangsspannung der Hystereseschaltung etwa 12 V erreicht, wird die Ausgangsspannung V_out der Hystereseschaltung umgeschaltet.

Wenn die Eingangsr.pannung »',-,, fortschreitend ahnimnu, bleibt der Trasistor 11 durchgesdiaiia, bis die r.ingangsspannung V_1n uui den Wert von V₁₁, abfallt, imJ der Transistor 16 bleibt ebenfalls durchgeschaltet, weil die Ausgangsspannung V'„„, positiv auf die Ga'celcklrode des Transistors lii rückgekoppelt ist, so daß die Ausgangsspannung V₀₁₁₁ auf dem zweiten Pegel gehalten wird. Wenn die Eingangsspannung öcn Weit von V₁₁, erreicht, wird der Tranwiü: 15 in den Sperrzustand versetzt. Infolgedessen steigt die Ausgangsspannung KPlO vom Eingangskreis 10 an und schaltet den Transistor 14 durch, so da⁰· die Ausgangsspannung V_out vom zweiten auf den ersten Pegel umgeschaltet wird. Bei der Hystereseschaltung gemäß Fi g. 1 beträgt der obere Grenzwert der Hysterese etwa 12 V, während der untere Grenzwert, wie erwähnt, bei etwa 5 V liegt, wodurch eine Hysteresebreite von etwa 7 V gewährleistet wird.

ao Die in der Hystereseschaltung gemäß F i g. 1 vorgesehenen Lasttransistoren 12 und 15 und die Spannungsteilertransistoren 18 und 19 können durch gewöhnliche Widerstandselemente ersetzt werden. In diesem Fall kann die Hysteresebreite durch Wahl der Werte der Spannur.gsteilerwiderstände frei bestimmt werden. Wenn nämlich angenommen wird, daß die Werte der den Transistoren 18 und 19 entsprechenden Widerstände gleich RA bzw. RB sind, wird der obere Grenzwert der Hysterese durch V₁₁, · (RA + RB)IRB bestimmt. Wird jedoch der Spannungsteilertransistor 18 durch ein Widerstandselement ersetzt, dann fließt ständig Strom durch das Widerstandselement, was zu einer hohen Verlustleistung der Hystereseschaltung führt. Wenn außerdem die Eingangsspannung K,„ der Hystereseschaltung reduziert wird, während sich die Ausgangsspannung V_mt auf dem zweiten Pegel befindet, verringert sich der Pegel der Ausgangsspannung K„„, allmählich auf unerwünschte Weise. Aus diesem Grund wird vorzugsweise der schaltbare Transistor 18 verwendet und nicht durch ein Widerstandselement ersetzt.

F i g. 3 zeigt eine abgewandelte Ausführungsform der Schaltung gemäß Fig. 1. Dabei ist ein zusätzlicher Transistor 23 vorgesehen, der mit seiner Drainelektrode mit der Sourceclektrode des Transistors 18, mit seiner Sourceelektrode mit dem Ausgangspunkt 20 des Spannungsteilers 17 und mit seiner Gateelektrode mit der Stromquelle + V_DD verbunden ist. Wenn bei der Hystereseschaltung gemäß F i g. 3 ein am Ausgangspunkt 20 des Spannungsteilers 17 liegendes Potential über die Schwellenspannung V₁₁, des Transistors 16 hinaus ansteigt, dann wird die Ausgangsspannung V_oul der Hystereseschaltung ebenfalls vom ersten auf den zweiten Pegel umgeschaltet. Bei der Schaltung gemäß F i g. 3 ist das Potential am Ausgangspunkt 20 gleich einem Wert, der dem durch die Transistoren 19 und 23 geteilten Sourcepotential des Transistors 18 entspricht. Die zum Durchschalten des Transistors 16 erforderliche Eingangsbedingung läßt sich daher wie folgt definieren:

{V,„ - V_th{VP)} RAI(RA +RB)> V_th ,

worin RA und RB die durch die Transistoren 19 und 23 gebildeten Widerstände und VP das Sourcepotential des Transistors 18 entsprechend KP 20 gemäß F i g. 1 bedeuten.

Wenn die Eingangsspannung V_Ul den VVrt von V„\VP) i V._h ■ (RAiRB)JRA erreicht, i-^innt der Transistor 16 durchzuseihen, wodurch die Ausga.-igrspannung V₀₁₁, vom ersten auf den zweiten Pegel geändert wird.

Wenn die Eingangsspannung V _in der Hysteresescnaltung auf die Schwellenspannung V_lh abfällt, beginnt der Transistor 11 zu sperren, so daß UL· Ausgangsspannung K₀₁₁, vom zweiten auf den ersten Wert oder Pegel abfällt. Fig. 4 veranschaulicht die Eigenschaften der Hystercseschaltung gemäß Fig. 3. Wie aus F i g. 4 hervorgeht, können die Breite und der obere Grenzwert der Hysterese durch entsprechende Auswahl der Widerstandswerte RA und RB der Transistoren 19 und 23 frei bestimmt werden.

Bei der Hystereseschaltung gemäß F i g. 5 ist die

GiUeelcktrode des Transistors 23 an dessen Drainelektrode angeschlossen. Wie sich an Hand der Hystereseschaltung gemäß F i g. 1 ohne weiteres erkennen läßt, steigt die Ausgangsspannung V_oul vom ersten auf den zweiten Pegel an, wenn bei der Ausführungsform gemäß Fig. 5 die Eingangsspannung V_1n den Wert von 2 V„, + V₁₁₁(VFZO) erreicht. Bei der Ausführungsform gemäß F i g. 5 können daher die Breite und der obere Grenzwert der Hysterese

ίο gegenüber der Schaltung gemäß Fig. 1 weiter vergrößert werden. Bei der Hystereseschaltung gemäß F i g. 5 kann ein zusätzlicher Transistor zwischen den Transistor 23 und den Ausgangspunkt 20 des Spannungsteilers eingeschaltet werden, wobei seine Gateeleklrode mit der Stromquelle oder mit seiner eigenen Drainelektrode verbunden ist.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

!. Hystereseschaltung, bestehend aus einem ersten Schaltkreis mit einem ersten Feldeffekt-Transistor zur Erzeugung von Steuersignalen in Abhängigkeit von Eingangsspannungspegeln und einem zweiten Schaltkreis mit einem zweiten Feldeffekt-Transistor zum Schalten der Ausgangsspannungspegel in Abhängigkeit von den Steuersignalen sowie mit einem im Stromkreis des ersten Feldeffekt-Transistors liegenden dritten Feldeffekt-Transistor zur Steuerung der Eingangsspannungspegel in Abhängigkeit von den Ausgangsspannungspegeln, um diese zu schalten, dadurch gekennzeichnet, daß ein Span- nungsteiler (17) zwischen eine Eingangsklemme (21) des ersten Schaltkreises (10) und eine Ausgangsklemme (22) des zweiten Schaltkreises (13) eingeschaltet ist und daß der dritte Feldeffekt-Transistor (16) in Reihe mit dem ersten Feldeffekt-Transistor (11) geschaltet ist, um die Eingangsspannungspegel, die die Ausgangsspannungspegel schalten, in Abhängigkeit von den Ausgangsspannungspegeln des Spannungsteilerkreises zu steuern.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die drei Feldeffekt-Transistoren (11, 14, 16) aus Feldeffekt-Transistoren mit isolierter Gateelektrode bestehen.
3. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler (17) zwei Impedanzeinrichtungen (18, 19) aufweist.
4. Schaltung nach Anspruch 3. dadurch gekennzeichnet, daß die erste Impedanzeinrichtung einen Feldeffekt-Transistor (18) aufweist, der in Abhängigkeit von einem Eingangsspannungspegel durchschaltbar ist.
5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Feldeffekt-Transistor (18) aus einem Feldeffekt-Transistor mit isolierter Gate-Elektrode besteht.
6. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Schaltkreis (10) einen ersten Feldeffekt-Transistator (11) mit isolierter Gate-Elektrode, die mit der Eingangsklemme (21) verbunden ist, und einen weiteren Feldeffekt-Transistor (12) aufweist, dessen Drain- und Gate-Elektroden gemeinsam an eine Stromquelle (VDD) angeschlossen sind und dessen Source-Elektrode mit der Drain-Elektrode des ersten Feldeffekt-Transistors verbunden ist, daß der zweite Schaltkreis (13) einen zweiten Feldeffekt-Transistor (14), dessen Gate-Elektrode mit der Verzweigung zwischen der Drain-Elektrode des ersten Feldeffekt-Transistors und der Source-Elektrode des weiteren Feldeffekt-Transistors verbunden ist und dessen Source-Elektrode an einen Bezugspotentialpunkt angeschlossen ist, sowie einen vierten Feldeffekt-Transistor (15) aufweist, dessen Gate- und Drain-Elektroden gemeinsam an die Stromquelle (VDD) angeschlossen sind und dessen Source-Elektrode mit der Drain-Elektrode des zweiten Feldeffekt-Transistors sowie mit der Ausgangsklemme (22) verbunden ist. daß der Spannungsteiler (17) einen fünften Feldeffekt-Transistor (18), dessen Gate- und Dain-Elektroden gemeinsam an die Eingangs-Wle.mme (21Ϊ angeschlossen sind, sowie einen sechsten Feldeffekt-Transistor (19) aufweist, dessen Gate-Elektrode mit der Stromquelle (VDD) verbunden ist, während seine. Source-Elektrode an die Ausgangsklemme (22) und seine Drain-Elektrode an die Source-Elektrode des fünften Feldeffekt-Transistors angeschlossen sind, und daß der dritte Feldeffekt-Transistors (16) mit seiner Gate-Elektrode mit einem Spannungsteilerpunkt (20) zwischen der Source-Elektrode des fünften Transistors und der Drain-Elektrode des sechsten Transistors verbunden ist, während seine Drain-Elektrode mit der Source-Elektrode des ersten Feldeffekt-Transistors und seine Source-Elektrode mit dem Bezugspotential verbunden sind.
7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler einen achten Feldeffekt-Transistor (23) aufweist, dessen Sourceelektrode mit dem Spannungsteilerpunkt verbunden ist, während seine Drainelektrode an die Sourceelektrode des fünften Feldeffekt-Transistors (18) und seine Gateelektrode an die Potentialquella angeschlossen sind (Fig. 3).
8. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler einen achten Feldeffekt-Transistor (23) aufweist, dessen Sourceelektrode mit dem Spannungsteilerpunkt verbunden ist, während seine Drain- und Gateelektrode gemeinsam mit der Sourceelektrode des fünften Feldeffekt-Transistors (18) verbunden sind (Fig. 5).