DE2556683B2 - Negativ-Widerstandsnetzwerk - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Negativ-Widerstandsnetzwerk, gebildet aus der Reihenschaltung eines ersten Feldeffekt-Transistors vom einen Leitfähigkeitstyp und eines zweiten Feldeffekt-Transistors vom anderen Leitfähigkeitstyp, an die eine Versorgungsgleichspannung angelegt ist, mit einer positiven und einer negativen Eingangsklemme zum Anlegen einer vorbestimmten Eingangsspannung.

Allgemein wird nach der herkömmlichen Technik zur Realisierung eines negativen Widerstandsnetzwerkes eine Diodenschaltung verwendet, wie dies beispielsweise aus der DE-OS 20 44 021 bekannt ist, die eine Schaltung mit negativer Widerstandscharakteristik zwischen einem Eingang und einem Bezugspotential in Abhängigkeit von einer zwischen dem Eingang und das Bezugspotential angelegten, zwischen bestimmten Grenzen liegenden Spannung betrifft. Diese bekannte Schaltung soll derart verbessert werden, daß die negative Widerstandscharakteristik möglichst eine gute Linearität aufweist. Um dies zu erreichen, sind zwei Widerstandselemente in Reihe zwischen eine Versorgungsgleichspannung und das Bezugspotential geschaltet, weiter ist ein regenerativer Verstärker vorgesehen, der eine Verstärkung größer als die Einheit für alle über einem Leckstrom liegenden Stromwerte aufweist. Darüber hinaus ist ein Verstärkungselement vorgesehen, dessen Steueranschluß mit dem Ausgang des regenerativen Verstärkers und dessen Ausgang mit dem Bezugspotential sowie dessen Eingang mit dem Eingang der Schaltung verbunden ist, so daß ein Spannungsanstieg am Schaltungseingang, der über den Wert der Spannung ansteigt, die zwischen den beiden Widerständen wirksam ist, einen negativen Widerstand zwischen dem Schaltungseingang und dem Bezugspotential auftreten läßt.

Da es bekanntlich auch mit der gegenwärtigen modernen Technik noch nicht möglich ist. Dioden herzustellen, welche genau die gleichen Eigenschaften besitzen, führt dies dazu, daß die gemäß der bekannten Schaltung aufgebauten Negativ-Widerstandsnetzwerke untereinander nicht gleichbleibende Eigenschaften besitzen.

Um diesem Problem zu begegnen, wurden bereits verschiedene Schaltungsanordnungen unter Verwendung von Feldeffekttransistoren vorgeschlagen, beispielsweise eine Schaltung, wie sie aus der Zeitschrift »Electronics«, 18. April 1974, Seiten 5E-6E bekannt ist. Bei diesem bekannten Negativ-Widerstandsnetzwerk wird die Beziehung zwischen der Versorgungsgleichspannung und dem Strom, der durch einen bestimmten Feldeffekttransistor fließt, in Abhängigkeit von der Änderung der Gate-Spannung geändert.

Weiter ist aus der Zeitschrift »Electro-Technology« April 1964, Seiten 124-126 ein Negativ-Widerstandsnetzwerk bekannt, welches zwei Feldeffekttransistoren

jo des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps besitzt, die in Reihe an eine Stromversorgungsquelle angeschaltet sind.

Aus »Electronics Letters«, November 1966, Seite 420 ist eine Schaltungsanordnung für ein Negativ-Wider-Standsnetzwerk bekannt, bei dem ebenfalls wieder zwei in Reihe geschaltete Feldeffekttransistoren verwendet werden. Diese Feldeffekttransistoren sind jedoch vom gleichen Leitfähigkeitstyp, so daß deren Wirkungsweise anders ist als bei der zuvor genannten Schaltung.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, ein Negativ-Widerstandsnetzwerk der eingangs definierten Art zu schaffen, welches bei geringem Stromverbrauch eine negative Widerstandskennlinie über einen vergleichsweise sehr weiten Pegelbereich der Eingangsspannung hinweg besitzt, wobei die negative Widerstandskennlinie durch einfache Maßnahmen einstellbar sein soll.

Ausgehend von dem Negativ-Widerstandsnetzwerk der eingangs definierten Art wird diese Aufgabe

so erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein dritter Oberflächen-Feldeffekttransistor bzw. IGFET vom anderen Leitfähigkeitstyp vorgesehen ist, dessen Drain-Source-Strecke den Eingangsspannungsklemmen parallel geschaltet ist, daß an den Gate-Anschluß des ersten Feldeffekttransistors der positive und an den Source-Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors der negative Anschluß der Eingangsspannung angeschlossen ist, und daß der Gate-Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors mit dem Drain-Anschluß des ersten Feldeffekttransistors sowie mit dem Gate-Anschluß des dritten Feldeffekttransistors verbunden ist.

Bei dem Negativ-Widerstandsnetzwerk nach der Erfindung wird die Beziehung zwischen der Eingangsspannung und dem Strom, der durch den dritten Oberflächen-Feldeffekttransistor fließt, dadurch geändert, indem man beispielsweise die Spannung der Gleichstromversorgung ändert. Die Beziehung zwischen der Eingangsspannung und dem genannten Strom

läßt sich auch dadurch ändern, daß man den Widerstandswert eines Gleichstrom-Impedanzelementes zwischen dem Source-Anschluß des ersten Feldeffekttransistors und dem einen Pol der Gleichstromversorgung eingeschaltet ist, ändert Dan-it führt das erfindungsgemäß aufgebaute Negativ-Widerstandsnetzwerk gegenüber den bekannten Schaltungsanordnungen zu einem stark verbreiterten Betriebsbereich. Auch läßt sich das Negativ-Widerstandsnetzwerk nach der Erfindung sehr viel vielseitiger einsetzen, da sich die Neigung der Spannungs/Stromkennlinie ändern läßt, und zwar durch Änderung des Widerstandswertes des genannten Widerstandes.

Besonders zweckmäßige Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Ansprüchen 2 bis 4.

Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 ein Schaltbild eines Negativwideiätandsnetzes gemäß einer Ausführungsform,

Fig.2 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Eingangsspannung Vi und dem Eingangsstrom //bei der Schaltung gemäß F i g. 1,

Fig.3 ein Schaltbild einer abgewandelten Ausführungsform,

Fig.4 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Eingangsspannung V7und dem Eingangsstrom //bei der Schaltung gemäß F i g. 3,

Fig.5 und 6 Schaltbilder weiter abgewandelter Ausführungsformen,

F i g. 7 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Eingangsspannung V/ und dem Eingangsstrom //bei der Schaltung gemäß F i g. 6,

F i g. 8 ein Schaltbild einer Abwandlung der Schaltung gemäß F ig. 6,

F i g. 9 ein Schaltbild einer Kombination der Schaltungen gemäß F i g. 5 und 6,

Fig. 10 ein Schaltbild einer Kombination der Schaltungen gemäß F i g. 5 und 8 und

F i g. 11 ein Schaltbild einer Kombination der Schaltungen gemäß F i g. 3 und 9.

In Fig. 1, die ein Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zeigt, ist mit Vi eine Eingangsgleichspannungsversorgung bezeichnet (zulässig ist auch eine Eingangswechselspannungsversorgung, der eine Gleichstrom-Vorspannung eines zweckmäßigen Werts überlagert ist).

Eine mit dem positiven Pol der Eingangsspannung Vi verbundene Eingangsklemme IIP ist mit der Drain-Elektrode z. B. eines N-Kanal-IGFETs Q1 (bzw. mit der Source-Elektrode eines P-Kanal-IGFETs) verbunden. Der IGFET Q1 weist eine Substratelektrode und eine mit der anderen Einangsklemme 11N, die an den an Masse liegenden Minuspol der Eingangsspannung Vi angeschlossen ist, verbundene Source-Elektrode auf. Die Eingangsklemme UP ist außerdem an die Gate-Elektrode eines IGFETs des dem IGFET Qi entgegengesetzten Kanaltyps, nämlich bei der dargestellten Ausführungsform eines P-Kanal-IGFETs Q2, angeschlossen. Der IGFET Q 2 weist eine Substratelektrode und eine Source-Elektrode auf, die an den Pluspol einer Gleichstromversorgung Voo mit einem zweckmäßigen Spannungswert (10 V oder 15 V bei der dargestellten Ausführungsform) angeschlossen sind.

Die Drain-Elektrode des P-Kanal-IGFETs Q2 ist an Drain- und Gate-Elektrode eines IGFETs des entgegengesetzten Kanal- oder Leittyps wie der IGFET Q 2, d. h.

eines dem IGFET Q1 entsprechenden N-Kanal-IGFETs <?3, angeschlossen. Der IGFET Q 3 besitzt eine Substraitelektrode und eine Source-Elektrode, die mit dem an Masse liegenden Minuspol der Gleichstromversorgung Vdo verbunden sind.

Im folgenden ist die Arbeitsweise der Schaltung 10 gemäß F i g. 1 in Verbindung mit F i g. 2 erläutert.

Weil ein IGFET üblicherweise eine Gate-Isolierschicht und infolgedessen eine praktisch unendliche Eingangsimpedanz besitzt, ist zu beachten, daß ein über die Drain-Source-Strecke des IGFETs Q\ fließender Drain-Strom nur aus dem von der Eingangsspannung Vi gelieferten Strom //" besteht und daß der über die in Reihe geschalteten Drain-Source-Strecken der IGFETs Q 2 und Q 3 fließende Strom nur durch den von der Gleichstromversorgung Vod gelieferten Strom I_p gebildet wird.

Die Größe des Stroms Ip, der von der Gleichstromversorgung Vdd über die in Reihe geschalteten Drain-Source-Strecken der IGFETs Q 2 und Q 3 fließt, d. h. deren Innen- oder Eigenimpedanz, variiert daher allmählich bzw. fortlaufend, während die von der Eingangsspannung Vi zur positiven Eingangskiemine IIP gelieferte Spannung, d.h. das Drain-Potential des IGFETs Q11 und mithin das Gate-Potential des IGFETs Q2, von null Volt aus ansteigt. Infolgedessen wird das Gate-Potential des IGFETs Q1 so gesteuert, daß die Größe des von der Eingangsspannung Vi in die Schaltung 10 gemäß Fig. 1 fließenden Eingangsstroms Ii, d. h. bei der dargestellten Ausführungsform die Große des über die Drain-Source-Strecke des IGFETs Q1 fließenden Drain-Stroms, nach den Kurven 21 (V_DD= 10 V) und 22 ( Vdd= 15 V) gemäß F i g. 2 mit dem Inkrement der von der Eingangsspannung Vi der Plus-Eingangsklemme UP aufgeprägten Spannung variiert. Aus diesem Grund wirkt ein Schaltungsteil 12 gemäß Fig. 1, welcher die Gleichstromversorgung Vdd und die IGFETs Q 2 und Q 3 einschließt, als Steuer- oder Regelkreis zur Regelung einer Gate-Vorspannung, die

in Abhängigkeit von der Änderung des Werts oder Pegels der Spannung, die von der Eingangsspannung Vi zur Plus-Eingangsklemme IIP geliefert wird, an die Gate-Elektrode des IGFETs Q1 angelegt wird.

Eine Drain- und Gate-Elektrode des IGFETs Q 3 verbindende Leitung 13 wirkt als positive Rückkopplungs- bzw. Mitkopplungsleitung nur während der Periode, während welcher der IGFET Q2 durchgeschaltet ist, d. h., wenn die von der Eingangsspannung V/ zur Gate-Elektorde des IGFETs C? 2 gelieferte Spannung höher ist als praktisch die Schwellenwertspannung Vth derselben. Die Leitung 13 wirkt als Gegenkopplungsleitung während der Periode, während welcher das Gate-Potential des IGFETs Q 2 praktisch kleiner ist als seine Schwellenwertspannung Vth und der IGFET Q2 daher praktisch sperrt. Der Negativwiderstandsbetrieb der Schaltung 10 gemäß F i g. 1 ist nunmehr anhand der unten angegebenen Gleichung (3) beschrieben.

Wenn der Leitwert bzw. die Konduktanz des IGFETs Q2 mit Gmp und die zwischen seine Gate- und Source-Elektroden angelegte Spannung mit Vas bezeichnet werden, läßt sich der über die Reihenschaltung der Drain-Source-Strecken der IGFETs Q 2 und Q3 fließende Strom I_p durch folgende Gleichung ausdrükken:

/p = Gmp ■ V_GS (1)

In obiger Gleichung (1) ist Vas gleich (Vdd— Vi), wie dies anhand der Schaltung 10 gemäß Fig. 1 offensteht-

lieh ist, und infolgedessen kann obige Gleichung (1) wie folgt umgeschrieben werden:

I_P = Gmp (V_DD - Vi)

(2)

Wenn der IGFET Q1 die gleiche Betriebscharakteristik bzw. -kennlinie besitzt wie der IGFET Q3, ist der von der Eingangsspannung V/ zur Drain-Source-Strekke des IGFETs Qi fließende Strom praktisch gleich dem obengenannten Strom Ip. Daher gilt:

Ii = Gmp · V_DD - Gmp · Vi.

(3)

Der zweite Ausdruck an der rechten Seite von Gleichung (3) zeigt eine negative Widerstandscharakteristik.

Vp in F i g. 2 bedeutet die Pinch-off-Spannung des IGFETs Q 2. Die auf die Kurven 21 und 22 aufgetragenen Punkte zeigen jeweils die Änderungen, die mittels eines Amperemeters 15 in der Größe des von der Eingangsspannung Vi zur Schaltung 10 gemäß F i g. 1 fließenden Stroms ermittelt wurden, während die Inkremente oder Teilstücke, von null Volt aus, in der Spannung der Eingangsspannung Vi auf einem Voltmeter 14 abgelesen wurden, das zwischen die Plus- und die Minus-Eingangsklemmen IIP bzw. WN eingeschaltet war, während das Amperemeter 15 zwischen die nicht an Masse liegende Plus-Eingangsklemme IIP und die Drain-Elektrode des IGFETs Q1 eingeschaltet war.

Die durch die Kennlinien 21 und 22 in Fig.2 _J0 angegebene Betriebskennlinie der Schaltung 10 gemäß F i g. 1 wird durch die Betriebscharakteristika der IGFETs Qi- Q3, einschließlich ihrer jeweiligen Gate-Schwellenwertspannungen VfA, bestimmt.

Genauer gesagt: Durchgeführte Versuche haben gezeigt, daß die Schaltung 10 gemäß F i g. 1 eine positive Widerstandscharakteristik nur während der Periode besitzt, während welcher das Gate-Potential des IGFETs Q1 höher ist als praktisch seine Gate-Schwellenwertspannung Vth, während sie eine negative Widerstandscharakteristik bei niedrigerem Stromverbrauch über einen weiteren Bereich von Werten einer Eingangsspannung Vi als bei den bisher verwendeten Negativwiderstandsnetzwerken dann besitzt, wenn das Gate-Potential des IGFETs Qi niedriger ist als seine Gate-Schwellenwertspannung Vth.

Für den Fachmann ist somit ersichtlich, daß die Schaltung 10 gemäß Fig. 1 bei entsprechender Wahl ihres Arbeitspunkts einen monostabilen Betrieb (vgl. die Lastkurve 23 in Fig. 2), einen aslabilen Betrieb (vgl. Lastkurve 24 in F i g. 2) oder den monostabilen-astabilen Betrieb (vgl. Lastkurve 25 in Fig. 2) wie beim bisher verwendeten Negativwiderstandsnetz durchzuführen vermag.

F i g. 3 zeigt ein Schaltbild eines Negativwiderstandsnetzes gemäß einer abgewandelten Ausführungsform. Die Schaltung 101 gemäß Fig. 3 besitzt praktisch denselben Aufbau wie die Schaltung von Fig. 1, nur mit dem Unterschied, daß ein Gleichstrom-Impedanzelement z. B. ein Widerstand Rs, zwischen die Source-Elek- eo trode des P-Kanal-IGFETs Q2 und den an der nicht an Masse liegenden Seile befindlichen Pluspol der Gleichstromversorgung Vpi) eingeschaltet ist. Die den Teilen von Fig. I entsprechenden Teile sind daher mit den gleichen Bezugszeichen versehen, und auf ihre Beschrei- μ bung kann verzichtet werden.

Die Schaltung 101 gemäß F i g. 3 mi! dem beschriebenen Aufbau kann, wie aus den Kennlinien 31 und 32 gemäß F i g. 4 hervorgeht, so gesteuert werden, daß bei zunehmendem Wert des Widerstands Rs der Höchststrom Ii_nax um so kleiner ist, welcher an der Grenze zwischen dem positiven Widerstandsbetriebsbereich I der Schaltung 101 gemäß F i g. 3 und ihrem negativer Widerstandsbetriebsbereich Il vorhanden ist, und ebenfalls die Gefälle der Kennlinien 31 und 32 in der positiven und negativen Widerstandsbereichen 1 und Il um so kleiner sind.

F i g. 5 zeigt ein Schaltbild eines Negativwiderstandsnetzes gemäß einer weiter abgewandelten Ausführungsform.

Ow. Schaltung 102 von F i g. 5 besitzt den gleichen Aufbau wie die Schaltung gemäß Fig. 1, nur mit dem Unterschied, daß ein Gleichstrom-Impedanzelement, z. B. ein Widerstand Ra, zwischen die Drain-Elektrode des N-Kanal-IGFETs Qi und die nicht an Masse liegende Plus-Eingangsklemme 11P eingeschaltet ist. Die den Teilen von F i g. I entsprechenden Teile gemäß Fig.5 sind daher mit den gleichen Bezugszeichen versehen und nicht näher erläutert.

Bei der auf beschriebene Weise aufgebauten Schaltung 102 gemäß F i g. 5 ist ersichtlich, daß die Größe des über die Drain-Source-Strecke des IGFETs Qi in Abhängigkeit vom Spannungspegel der Eingangsspannung Vifließenden Stroms //um so kleiner ist, je größer der Wert des Widerstands Ra ist.

F i g. 6 ist ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform des Negativwiderstandsnetzwerkes. Die Schaltung

103 von Fig.6 besitzt denselben Aufbau wie die Schaltung von F i g. 1, nur mit dem Unterschied, daß ein Gleichstrom-Impedanzelement, z. B. ein Widerstand Rb, so zwischen Plus- und Minus-Eingangsklemme JlPbzw. 11/V eingeschaltet ist, daß es parallel zur Drain-Source-Strecke des IGFETs Q1 und zur Eingangsspannung Vi liegt. Die den Teilen von F i g. 1 entsprechenden Teile gemäß Fig.6 sind wiederum mit den gleichen Bezugsziffern bzw. -zeichen versehen und daher nicht näher erläutert.

Bei der Schaltung 103 gemäß F i g. 6 wird der von der Eingangsspannung Vizugeführte Strom //in einen über den Widerstand Rn fließenden Strom Hi und einen über die Drain-Source-Strecke des IGFETs Qi fließenden Strom Ii 2 aufgeteilt. Neben einem positiven und einem negativen Widerstandsbetriebsbereich I, bzw. II wie im Fall der Schaltungen gemäß den Fig. 1,3 und 5 besitzt die Schaltung 103 von Fig.6 daher einen weiteren positiven Widerstandsbetriebsbereich III, der von der Zusammensetzung der genannten Ströme Hi und //2 herrührt. Ersichtlicherweise vermag die Schaltung 103 gemäß Fig.6 bei entsprechender Wahl ihres Arbeitspunkts einen doppelstabilen Betrieb (vgl. Lastkurve 45 in Fig. 7) neben dem monostabilen Betrieb (vgl. Lastkurve 42 in Fi g. 7), einen astabilen Betrieb (vgl. Lastkurve 43 in F i g. 7) oder einen monostabilen-astabilen Betrieb (vgl. Lastkurve 44 in F i g. 7) wie bei den Schaltungen gemäß den F i g. 1,3 und 5 durchzuführen.

F i g. 8 zeigt ein Schaltbild einer Abwandlung der Schaltung gemäß F i g. 6. Das Negativwiderstandsnetz

104 gemäß Fig.8 besitzt den gleichen Aufbau wie das Netz gemäß Fig.6, nur mit dem Unterschied, daß der Widerstand Rg gemäß F i g. 6 durch eine Diode DI ersetzt ist. Die den Teilen von Fig.6 entsprechenden Teile gemäß Fig.8 sind wiederum mit den gleichen Symbolen bezeichnet und daher nicht näher erläutert.

Es ist darauf hinzuweisen, daß die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen lediglich Beispiele darstellen und daß zahlreiche Änderungen, Abwandlun-

gen und Variationen der Anordnungen, Arbeitsweisen und Konstruktionseinzelheiten der offenbarten Elemente möglich sind, ohne daß vom Rahmen und Grundgedanken der Erfindung abgewichen wird. Beispielsweise kann ein für verschiedene Verwendungszwecke geeignetes Negativwiderstandsnetz durch zweckmäßige Kombination der Schaltungen gemäß den Fig. 1, 3, 5 und 6 (oder 8) gebildet werden. Die Fig.9 bzw. 10 veranschaulichen beispielsweise die Kombination 106 bzw. 107 der Schaltung 102 von F i g. 5 mit der Schaltung 103 oder 104 gemäß F i g. 6 bzw. 8. F i g. 11 veranschaulicht die Kombination 108 der Schaltung 101

von F i g. 3 mit der Schaltung 105 von F i g. 9.

Weiterhin beziehen sich die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen auf den Fall, in welchem die IGFETs Ql und Q3 vom N-Kanaltyp und der IGFET

*■> Q2 vom P-Kanaltyp sind. Die IGFETs Qi und <?3 können jedoch auch vom P-Kanaltyp sein, während der IGFET Q2 auch ein solcher vom N-Kanaltyp sein kann. In diesem Fall brauchen lediglich die Polaritäten der Eingangsspannung Vi und der Gleichstromversorgung

κι Vdo gegenüber den dargestellten Polaritäten umgekehrt zu sein, um ihre richtige Schaltungsverbindung zu gewährleisten.

Hierzu 5 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Negativ-Widerstandsnetzwerk, gebildet aus der Reihenschaltung eines ersten Feldeffekttransistors vom einen Leitfähigkeitstyp und eines zweiten Feldeffekttransistors vom anderen Leitfähigkeitstyp, an die eine Versorgungsgleichspannung angelegt ist, mit einer positiven und einer negativen Eingangsklemme zum Anlegen einer vorbestimmten Eingangsspannung, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter Oberflächen-Feldeffekttransistor bzw. IGFET (Qi) vom anderen Leitfähigkeitstyp vorgesehen ist, dessen Drain-Source-Strecke den Eingangsspannungsklemmen (IIP, 1 ΙΛ/jparallel geschaltet ist, daß an den Gate-Anschluß (G) des ersten Feldeffekttransistors (Q 2) der positive und an den Source-Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors der negative Anschluß der Eingangsspannung (Vi) angeschlossen ist, und daß der Gate-Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors (Q3) mit dem Drain-Anschluß des ersten Feldeffekttransistors (Q 2) sowie mit dem Gate-Anschluß des dritten Feldeffekttransistors (Q 1) verbunden ist.

2. Negativ-Widerstandsnetzwerk nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gleichstrom-Impedanzelement (Rf) zwischen die Source-Elektrode des ersten IGFET (Q 2) und den einen Pol der Gleichstromversorgung (Vdd) eingeschaltet ist.

3. Negativ-Widerstandsnetzwerk nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gleichstrom-Impedanzelement (RA) zwischen die eine Eingangsklemme und die Drain-Elektrode des dritten IGFET (Qi) geschaltet ist.

4. Negativ-Widerstandsnetzwerk nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gleichstrom-Impedanzelement (RB) parallel zur Drain-Source-Strecke des dritten IGFET (Q 1) geschaltet ist.