JPS5942495B2 - 負性抵抗回路 - Google Patents

負性抵抗回路

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Publication number
JPS5942495B2
JPS5942495B2 JP49144874A JP14487474A JPS5942495B2 JP S5942495 B2 JPS5942495 B2 JP S5942495B2 JP 49144874 A JP49144874 A JP 49144874A JP 14487474 A JP14487474 A JP 14487474A JP S5942495 B2 JPS5942495 B2 JP S5942495B2
Authority
JP
Japan
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fet
gate
negative resistance
source
resistance circuit
Prior art date
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Expired
Application number
JP49144874A
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English (en)
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JPS5171045A (ja
Inventor
崇夫 藍原
茂穂 高田
久治 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to US05/641,385 priority patent/US4015146A/en
Priority to DE2556683A priority patent/DE2556683C3/de
Publication of JPS5171045A publication Critical patent/JPS5171045A/ja
Publication of JPS5942495B2 publication Critical patent/JPS5942495B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H5/00One-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H5/12One-port networks comprising only passive electrical elements as network components with at least one voltage- or current-dependent element
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/46One-port networks
    • H03H11/52One-port networks simulating negative resistances

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  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は複数のFET(電界効果トランジスタ)を有し
てなる負性抵抗回路に関するものである。
従来の負性抵抗回路には4極の真空管を利用したものや
トンネルダイオードを利用したものが用いられて来た。
しかしこれらはいずれも電圧電流の動作範囲がせまく消
費電流が大きい等の欠点があった。
第1図はこのような電圧電流特性例を示したものである
本発明は上記従来の欠点に鑑みてなされたもので、極め
て低消費電力で、電圧電流の動作範囲が広い負性抵抗回
路を提供することを目的とするものである。
以下図を用いてその詳細を説明する。第2図は1実施例
を示したものでQlはエンハンスメント形PチャネルM
O8−FETでQ2とQ3はエンハンスメント形Nチャ
ネルMO8・FETであり、Q3のイレインとQlのゲ
゛−トは入力端子Viの■側に接続され、Qlのドレイ
ンとQ2のドレインとは互に接続され、Qlのソースと
Q2のソースは補助電源VDDに接続される。
またQ3のゲートはQ2のゲートとドレインに接続され
Q3のソースはQ2のソースに接続されると共に入力端
子のe側に接続されている。
次にこの回路の動作を第3図を用いて説明する。
IiはViの増加に従いQ3をそのゲート電圧毎に定ま
ったVD−より特性曲線に応じて流れる。
このQ3のゲート電圧はQ3とほぼ同特性のQ2の電圧
降下であり■、に従って変化する。
Qlのゲート電圧はvi=0で最大の−VDDであり、
そのとき■ は最大である。
そしてこの■ は■の増加に従って減少する。
以上の総合によりQ3のI D(””I i )はその
ゲート電圧(Q2のドレイン−ソース間電圧で1 に応
動する)が最大時にゼロから始まって3極管領域を急上
昇する。
一方、前記したようにQ2の電圧降下であるQ3のゲー
ト電圧が1 の減少により減少するので、■Dの上昇も
弱まりImaxでゼロになる。
このときの■1はほぼ3極管領域と5極管領域との境界
付近である。
その後はViの増加即ち■ の減少によりIiは減少し
、■1=VDDで稲がゼロになりIiがゼ用こなる。
以上のような動作によりImaxに対応するViから補
助電源VDDまでの広い範囲の負性抵抗領域が得られる
第3図に示した■ はQlのピンチオフ電圧であり、ま
たImaxはQl、Q2゜Q3の特性で定まる値である
第4図は他の実施例であって第2図の回路と異るところ
はQlのソースと補助電源VDDとの間に抵抗R8が挿
入されていることである。
この回路に於てはR8を変えることにより第5図に示す
ようにImax即ち負性抵抗特性を制御することができ
る。
これはR8により前記■ の減少が加速される結果R8
の大きい程■maXは小さくなることによるものである
上記実施例ではViが正極性の場合について述べたがV
iが負極性の場合ではQ3をPチャネル形としてQlと
ソースを共通接続し、Ql、Q2の共通のドレインはQ
lのゲートとQ3のゲートに接続され、Q3のドレイン
とQ2のゲートにViの負端子が接続されるようにすれ
ばよい。
父上記各実施例においてはMOS−FETが使用されて
いるがこれに限定されることなく他の形式のFETを用
いても同様の効果が得られることはいうまでもない。
又本発明の考え方はバイポーラトランジスタを用いた場
合にも拡張できる。
本発明は以上のようになるのであって極めて低消費電力
で電圧、電流の動作範囲が広く、又IC化が容易である
等多くの利点が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の負性特性曲線図、第2図は本発明1実施
例の回路図、第3図は第2図回路の特性曲線図、第4図
は他の実施例の回路図、第5図は第4図回路の特性曲線
図。 Ql、Q2・・・・・・腹側FET回路、VDD・・・
・・・補助電源、Ql・・・・・・第1のFET、Q2
・曲・第2のFET1Q3・・・・・・第3のFET1
R8,RA、RB・・・・・・抵抗。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 互に異なる導電形でなりドレインを共通にして直列
    接続され両端に補助電源が印加されたFET回路とこの
    FET回路の一方の第1のFETのゲート、他方の第2
    のFETゲートとドレイン、及びソースのそれぞれにそ
    のドレイン、ゲート及びソースをそれぞれ接続し且つ第
    2のFETと同一導電形である第3のFETとを有しこ
    の第3のFETのソースとドレインとを入力端子とする
    ことを特徴とする負性抵抗回路。 2、特許請求の範囲1に記載の負性抵抗回路に於て第1
    のFETのソースと補助電源端子間に抵抗又は等価抵抗
    素子が設けられこれにより入力特性が制御できることを
    特徴とする負性抵抗回路。
JP49144874A 1974-12-16 1974-12-16 負性抵抗回路 Expired JPS5942495B2 (ja)

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JP49144874A JPS5942495B2 (ja) 1974-12-16 1974-12-16 負性抵抗回路
US05/641,385 US4015146A (en) 1974-12-16 1975-12-16 Negative resistance network
DE2556683A DE2556683C3 (de) 1974-12-16 1975-12-16 Negativ-Widerstandsnetzwerk

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JP49144874A JPS5942495B2 (ja) 1974-12-16 1974-12-16 負性抵抗回路

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JPS5171045A JPS5171045A (ja) 1976-06-19
JPS5942495B2 true JPS5942495B2 (ja) 1984-10-15

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ID=15372381

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US (1) US4015146A (ja)
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DE (1) DE2556683C3 (ja)

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Also Published As

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DE2556683B2 (de) 1978-06-22
DE2556683A1 (de) 1976-06-24
DE2556683C3 (de) 1982-07-08
JPS5171045A (ja) 1976-06-19
US4015146A (en) 1977-03-29

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