JPS5942495B2 - 負性抵抗回路 - Google Patents
負性抵抗回路Info
- Publication number
- JPS5942495B2 JPS5942495B2 JP49144874A JP14487474A JPS5942495B2 JP S5942495 B2 JPS5942495 B2 JP S5942495B2 JP 49144874 A JP49144874 A JP 49144874A JP 14487474 A JP14487474 A JP 14487474A JP S5942495 B2 JPS5942495 B2 JP S5942495B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- gate
- negative resistance
- source
- resistance circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H5/00—One-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H5/12—One-port networks comprising only passive electrical elements as network components with at least one voltage- or current-dependent element
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/46—One-port networks
- H03H11/52—One-port networks simulating negative resistances
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複数のFET(電界効果トランジスタ)を有し
てなる負性抵抗回路に関するものである。
てなる負性抵抗回路に関するものである。
従来の負性抵抗回路には4極の真空管を利用したものや
トンネルダイオードを利用したものが用いられて来た。
トンネルダイオードを利用したものが用いられて来た。
しかしこれらはいずれも電圧電流の動作範囲がせまく消
費電流が大きい等の欠点があった。
費電流が大きい等の欠点があった。
第1図はこのような電圧電流特性例を示したものである
。
。
本発明は上記従来の欠点に鑑みてなされたもので、極め
て低消費電力で、電圧電流の動作範囲が広い負性抵抗回
路を提供することを目的とするものである。
て低消費電力で、電圧電流の動作範囲が広い負性抵抗回
路を提供することを目的とするものである。
以下図を用いてその詳細を説明する。第2図は1実施例
を示したものでQlはエンハンスメント形PチャネルM
O8−FETでQ2とQ3はエンハンスメント形Nチャ
ネルMO8・FETであり、Q3のイレインとQlのゲ
゛−トは入力端子Viの■側に接続され、Qlのドレイ
ンとQ2のドレインとは互に接続され、Qlのソースと
Q2のソースは補助電源VDDに接続される。
を示したものでQlはエンハンスメント形PチャネルM
O8−FETでQ2とQ3はエンハンスメント形Nチャ
ネルMO8・FETであり、Q3のイレインとQlのゲ
゛−トは入力端子Viの■側に接続され、Qlのドレイ
ンとQ2のドレインとは互に接続され、Qlのソースと
Q2のソースは補助電源VDDに接続される。
またQ3のゲートはQ2のゲートとドレインに接続され
Q3のソースはQ2のソースに接続されると共に入力端
子のe側に接続されている。
Q3のソースはQ2のソースに接続されると共に入力端
子のe側に接続されている。
次にこの回路の動作を第3図を用いて説明する。
IiはViの増加に従いQ3をそのゲート電圧毎に定ま
ったVD−より特性曲線に応じて流れる。
ったVD−より特性曲線に応じて流れる。
このQ3のゲート電圧はQ3とほぼ同特性のQ2の電圧
降下であり■、に従って変化する。
降下であり■、に従って変化する。
Qlのゲート電圧はvi=0で最大の−VDDであり、
そのとき■ は最大である。
そのとき■ は最大である。
そしてこの■ は■の増加に従って減少する。
以上の総合によりQ3のI D(””I i )はその
ゲート電圧(Q2のドレイン−ソース間電圧で1 に応
動する)が最大時にゼロから始まって3極管領域を急上
昇する。
ゲート電圧(Q2のドレイン−ソース間電圧で1 に応
動する)が最大時にゼロから始まって3極管領域を急上
昇する。
一方、前記したようにQ2の電圧降下であるQ3のゲー
ト電圧が1 の減少により減少するので、■Dの上昇も
弱まりImaxでゼロになる。
ト電圧が1 の減少により減少するので、■Dの上昇も
弱まりImaxでゼロになる。
このときの■1はほぼ3極管領域と5極管領域との境界
付近である。
付近である。
その後はViの増加即ち■ の減少によりIiは減少し
、■1=VDDで稲がゼロになりIiがゼ用こなる。
、■1=VDDで稲がゼロになりIiがゼ用こなる。
以上のような動作によりImaxに対応するViから補
助電源VDDまでの広い範囲の負性抵抗領域が得られる
。
助電源VDDまでの広い範囲の負性抵抗領域が得られる
。
第3図に示した■ はQlのピンチオフ電圧であり、ま
たImaxはQl、Q2゜Q3の特性で定まる値である
。
たImaxはQl、Q2゜Q3の特性で定まる値である
。
第4図は他の実施例であって第2図の回路と異るところ
はQlのソースと補助電源VDDとの間に抵抗R8が挿
入されていることである。
はQlのソースと補助電源VDDとの間に抵抗R8が挿
入されていることである。
この回路に於てはR8を変えることにより第5図に示す
ようにImax即ち負性抵抗特性を制御することができ
る。
ようにImax即ち負性抵抗特性を制御することができ
る。
これはR8により前記■ の減少が加速される結果R8
の大きい程■maXは小さくなることによるものである
。
の大きい程■maXは小さくなることによるものである
。
上記実施例ではViが正極性の場合について述べたがV
iが負極性の場合ではQ3をPチャネル形としてQlと
ソースを共通接続し、Ql、Q2の共通のドレインはQ
lのゲートとQ3のゲートに接続され、Q3のドレイン
とQ2のゲートにViの負端子が接続されるようにすれ
ばよい。
iが負極性の場合ではQ3をPチャネル形としてQlと
ソースを共通接続し、Ql、Q2の共通のドレインはQ
lのゲートとQ3のゲートに接続され、Q3のドレイン
とQ2のゲートにViの負端子が接続されるようにすれ
ばよい。
父上記各実施例においてはMOS−FETが使用されて
いるがこれに限定されることなく他の形式のFETを用
いても同様の効果が得られることはいうまでもない。
いるがこれに限定されることなく他の形式のFETを用
いても同様の効果が得られることはいうまでもない。
又本発明の考え方はバイポーラトランジスタを用いた場
合にも拡張できる。
合にも拡張できる。
本発明は以上のようになるのであって極めて低消費電力
で電圧、電流の動作範囲が広く、又IC化が容易である
等多くの利点が得られるものである。
で電圧、電流の動作範囲が広く、又IC化が容易である
等多くの利点が得られるものである。
第1図は従来の負性特性曲線図、第2図は本発明1実施
例の回路図、第3図は第2図回路の特性曲線図、第4図
は他の実施例の回路図、第5図は第4図回路の特性曲線
図。 Ql、Q2・・・・・・腹側FET回路、VDD・・・
・・・補助電源、Ql・・・・・・第1のFET、Q2
・曲・第2のFET1Q3・・・・・・第3のFET1
R8,RA、RB・・・・・・抵抗。
例の回路図、第3図は第2図回路の特性曲線図、第4図
は他の実施例の回路図、第5図は第4図回路の特性曲線
図。 Ql、Q2・・・・・・腹側FET回路、VDD・・・
・・・補助電源、Ql・・・・・・第1のFET、Q2
・曲・第2のFET1Q3・・・・・・第3のFET1
R8,RA、RB・・・・・・抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 互に異なる導電形でなりドレインを共通にして直列
接続され両端に補助電源が印加されたFET回路とこの
FET回路の一方の第1のFETのゲート、他方の第2
のFETゲートとドレイン、及びソースのそれぞれにそ
のドレイン、ゲート及びソースをそれぞれ接続し且つ第
2のFETと同一導電形である第3のFETとを有しこ
の第3のFETのソースとドレインとを入力端子とする
ことを特徴とする負性抵抗回路。 2、特許請求の範囲1に記載の負性抵抗回路に於て第1
のFETのソースと補助電源端子間に抵抗又は等価抵抗
素子が設けられこれにより入力特性が制御できることを
特徴とする負性抵抗回路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP49144874A JPS5942495B2 (ja) | 1974-12-16 | 1974-12-16 | 負性抵抗回路 |
US05/641,385 US4015146A (en) | 1974-12-16 | 1975-12-16 | Negative resistance network |
DE2556683A DE2556683C3 (de) | 1974-12-16 | 1975-12-16 | Negativ-Widerstandsnetzwerk |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP49144874A JPS5942495B2 (ja) | 1974-12-16 | 1974-12-16 | 負性抵抗回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5171045A JPS5171045A (ja) | 1976-06-19 |
JPS5942495B2 true JPS5942495B2 (ja) | 1984-10-15 |
Family
ID=15372381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP49144874A Expired JPS5942495B2 (ja) | 1974-12-16 | 1974-12-16 | 負性抵抗回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4015146A (ja) |
JP (1) | JPS5942495B2 (ja) |
DE (1) | DE2556683C3 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE2740763A1 (de) * | 1977-09-09 | 1979-03-29 | Siemens Ag | Integrierte stromversorgungsschaltung |
GB2012481B (en) * | 1978-01-09 | 1982-04-07 | Rca Corp | Egfet mirrors |
ZA817617B (en) * | 1980-11-27 | 1982-10-27 | Int Computers Ltd | Negative resistance element |
JPS58111423A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Pioneer Electronic Corp | 負性インピ−ダンス回路 |
US4491807A (en) * | 1982-05-20 | 1985-01-01 | Rca Corporation | FET Negative resistance circuits |
US4488068A (en) * | 1982-09-28 | 1984-12-11 | Eaton Corporation | Bidirectional drain to drain stacked FET gating circuit |
DE3739923A1 (de) * | 1987-11-25 | 1989-06-08 | Philips Patentverwaltung | Schaltungsanordnung fuer ein bildgeraet |
DE4011415A1 (de) * | 1990-04-09 | 1991-10-17 | Licentia Gmbh | Eingabeschaltung zum umsetzen einer eingangsspannung in ein binaeres informationssignal |
US5075601A (en) * | 1990-04-25 | 1991-12-24 | Hildebrand Cleve R | Power supply dynamic load for traffic and pedestrian signal |
US5444414A (en) * | 1993-05-28 | 1995-08-22 | National Semiconductor Corporation | Low voltage filter transconductance cell |
US5654677A (en) * | 1996-06-24 | 1997-08-05 | Ericsson Inc. | Relaxation oscillator of reduced complexity using CMOS equivalent of a four-layer diode |
US7227350B2 (en) * | 2004-03-18 | 2007-06-05 | Elster Electricity, Llc | Bias technique for electric utility meter |
SG154366A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-28 | Swee Yong Khim | Circuits with negative differential resistance characteristics |
JP6539911B2 (ja) * | 2015-05-14 | 2019-07-10 | 学校法人日本大学 | 負性抵抗回路及び発振回路 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3255364A (en) * | 1963-07-10 | 1966-06-07 | Motorola Inc | Three field effect transistor gyrator |
US3621300A (en) * | 1969-09-10 | 1971-11-16 | Motorola Inc | Transistor circuit having the properties of a unijunction transistor in improved degree |
US3670184A (en) * | 1970-02-13 | 1972-06-13 | Tokyo Shibaura Electric Co | Light sensitive amplifier circuit having improved feedback arrangement |
US3840829A (en) * | 1973-02-02 | 1974-10-08 | E Hochmair | Integrated p-channel mos gyrator |
-
1974
- 1974-12-16 JP JP49144874A patent/JPS5942495B2/ja not_active Expired
-
1975
- 1975-12-16 DE DE2556683A patent/DE2556683C3/de not_active Expired
- 1975-12-16 US US05/641,385 patent/US4015146A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2556683B2 (de) | 1978-06-22 |
DE2556683A1 (de) | 1976-06-24 |
DE2556683C3 (de) | 1982-07-08 |
JPS5171045A (ja) | 1976-06-19 |
US4015146A (en) | 1977-03-29 |
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