DE10103920A1 - Schaltungsanordnung mit einem Lasttransistor und einer Strommessanordnung - Google Patents
Schaltungsanordnung mit einem Lasttransistor und einer StrommessanordnungInfo
- Publication number
- DE10103920A1 DE10103920A1 DE10103920A DE10103920A DE10103920A1 DE 10103920 A1 DE10103920 A1 DE 10103920A1 DE 10103920 A DE10103920 A DE 10103920A DE 10103920 A DE10103920 A DE 10103920A DE 10103920 A1 DE10103920 A1 DE 10103920A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- load
- transistor
- connection
- control
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung, die folgende Merkmale aufweist: DOLLAR A - einen Lasttransistor (T1) mit einem Steueranschluss (G), einem ersten Laststreckenanschluss (D), der an eine Klemme für ein erstes Versorgungspotential (V) angeschlossen ist, und einem zweiten Laststreckenanschluss (S) zum Anschließen an eine Last (L), DOLLAR A - eine an den Lasttransistor (T1) angeschlossene Strommessanordnung (2) mit einem Ausgang (27), wobei an dem Ausgang (27) gegen ein zweites Versorgungspotential (GND) ein Messstrom (I2) zur Verfügung steht, der ein gegenüber einem Laststrom (I1) zwischen dem ersten und zweiten Laststreckenanschluss (D, S) des ersten Transistors (T1) umgekehrtes Vorzeichen aufweist und dessen Betrag wenigstens annäherungsweise proportional zu dem Laststrom (I1) ist.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung
mit einem Lasttransistor zum Schalten einer Last und mit ei
ner Strommessanordnung zur Erfassung eines Laststroms durch
den Lasttransistor.
Fig. 1 zeigt eine solche Schaltungsanordnung mit einem als
MOS-Transistor ausgebildeten Lasttransistor T10 und einer an
den Lasttransistor T10 angeschlossenen Strommessanordnung
100, die nach dem sogenannten "Strom-Sense-Prinzip" arbeitet.
Der Drain-Anschluss des Lasttransistors T10 ist dabei an ein
erstes Versorgungspotential V10 angeschlossen und dessen
Source-Anschluss S ist über eine Last an ein zweites Versor
gungspotential GND angeschlossen. Der Lasttransistor T10
funktioniert als Schalter zum Ansteuern der Last, wobei der
Transistor T10 in dem Beispiel leitet, wenn an dessen Gate-
Anschluss G ein Potential angelegt wird, das um den Wert ei
ner Schwellenspannung höher ist als das Potential an dessen
Source-Anschluss S. Der Transistor T10 und die Last werden
dann von einem Laststrom I10 durchflossen. Bei der nach dem
Strom-Sense-Prinzip arbeitenden Strommessanordnung ist ein
Messtransistor T20 vorhanden, der im selben Arbeitspunkt wie
der Lasttransistor T10 betrieben wird. Der Drain-Anschluss D
des Messtransistors T20 ist dazu an den Drain-Anschluss D des
Lasttransistors T10 und der Gate-Anschluss G des Messtransis
tors T20 ist an den Gate-Anschluss des Lasttransistors T10
angeschlossen. Zur Einstellung des Arbeitspunktes des Mess
transistors T20 ist ein Regelverstärker bzw. Operationsver
stärker OPV vorhanden, dessen einer Eingang an den Source-
Anschluss S des ersten Transistors T10 und dessen anderer An
schluss an den Source-Anschluss S des zweiten Transistors T20
angeschlossen ist. Ein Ausgang des Regelverstärkers OPV steu
ert einen Transistor T30, der dem Messtransistor T20 nachgeschaltet
ist, derart an, dass die Potentiale an den Source-
Anschlüssen S des Lasttransistors T10 und des Messtransistors
T20 übereinstimmen. Der Lasttransistor T10 und der Messtran
sistor T10 sind üblicherweise durch denselben Herstellungs
prozess in einem gemeinsamen Halbleiterkörper bzw. Chip rea
lisiert, wobei die Transistorfläche des Lasttransistors T10
erheblich größer als die des Messtransistors T20 ist. Der
Strom I20 durch den Messtransistor T20, der im selben Ar
beitspunkt wie der Lasttransistor T10 betrieben ist, ist pro
portional zu dem Laststrom I10, wobei der Proportionalitäts
faktor dem Verhältnis der Transistorflächen entspricht. An
einem dem Transistor T30 nachgeschalteten Widerstand R30,
dessen eine Klemme an den Transistor T30 und dessen andere
Klemme an das zweite Versorgungspotential angeschlossen ist,
ist dann eine Spannung U30 gegen das zweite Versorgungspoten
tial GND abgreifbar, die proportional zu dem Laststrom I10
ist.
Nachteilig bei der in Fig. 1 dargestellten Schaltungsanord
nung mit einem Lasttransistor T10 und einer Strommessanord
nung 100 ist, dass die Strommessanordnung 100 nur dann einen
zu dem Laststrom I10 proportionalen Messstrom I20 liefert,
wenn sich der Lasttransistor T10 im Normalbetrieb befindet.
Ein n-Kanal-Transistor befindet sich im Normalbetrieb, wenn
dessen Drain-Potential größer als dessen Source-Potential
ist, und ein p-Kanal-Transistor befindet sich im Normalbe
trieb, wenn dessen Drain-Potential kleiner als dessen Source-
Potential ist. Bei sogenanntem "Inversbetrieb" des
Lasttransistors T10, wenn das Source-Potential bei n-Kanal-
Transistoren größer als das Drain-Potential ist und der Strom
I10 entgegen der in Fig. 1 eingezeichneten Richtung fließt,
funktioniert die Messanordnung nicht. Um durch den Messtran
sistor T20 einen entsprechenden Messstrom entgegen der in
Fig. 1 eingezeichneten Richtung hervorzurufen, müsste an des
sen Source-Anschluss S bei einer ausreichenden Stromergiebig
keit ein Potential zur Verfügung stehen, das entsprechend dem
Potential an dem Source-Anschluss des Lasttransistors T10
größer als das erste Versorgungspotential V10 ist. Die Be
reitstellung eines solchen Potentials bei ausreichender
Stromergiebigkeit zur Bereitstellung eines Messstroms in
Source-Drain-Richtung des Messtransistors T20 ist On-Chip,
also in demselben Halbleiterkörper, in dem der Lasttransistor
T10 und die Strommessanordnung 100 realisiert sind, nicht o
der nur mit erheblichem Mehraufwand möglich.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine
Schaltungsanordnung mit einem Lasttransistor und einer Strom
messanordnung zur Verfügung zu stellen, die eine Strommessung
bei Inversbetrieb des Lasttransistors ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch eine Schaltungsanordnung gemäß den
Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand
der Unteransprüche.
Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung weist einen Last
transistor mit einem Steueranschluss, einem ersten Laststre
ckenanschluss, der an eine Klemme für ein erstes Versorgungs
potential angeschlossen ist, und einem zweiten Laststrecken
anschluss zum Anschließen an eine Last auf. An den ersten
Transistor ist eine Strommessanordnung angeschlossen, die ei
nen Ausgang aufweist, an dem gegen ein zweites Versorgungspo
tential ein Messstrom zur Verfügung steht, der ein gegenüber
einem Laststrom zwischen dem ersten und zweiten Laststrecken
anschluss des Lasttransistors umgekehrtes Vorzeichen aufweist
und dessen Betrag wenigstens annäherungsweise proportional zu
dem Betrag des Laststroms ist.
Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung weist die Strom
messanordnung einen Messtransistor mit einem Steueranschluss,
einem ersten Laststreckenanschluss und einem zweiten Last
streckenanschluss auf. Die Strommessanordnung weist des wei
teren eine Regelschaltung mit einem an den zweiten Laststreckenanschluss
des Messtransistors angeschlossenen steuerbaren
Widerstand und einer Ansteuerschaltung zur Ansteuerung des
Widerstands auf, wobei die Ansteuerschaltung gemäß einer Aus
führungsform den steuerbaren Widerstand abhängig von einer
ersten Laststreckenspannung zwischen dem ersten und zweiten
Laststreckenanschluss des Lasttransistors und einer zweiten
Laststreckenspannung zwischen dem ersten und zweiten Last
streckenanschluss des Messtransistors derart ansteuert ist,
dass der Betrag der zweiten Laststreckenspannung dem Betrag
der ersten Laststreckenspannung entspricht und die zweite
Laststreckenspannung ein gegenüber der ersten Laststrecken
spannung umgekehrtes Vorzeichen aufweist.
Bei einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die
Ansteuerschaltung den Betrag der zweiten Laststreckenspannung
kleiner als den Betrag der ersten Laststreckenspannung ein
stellt.
Vorzugsweise stellt die Ansteuerschaltung eine Spannung zwi
schen dem Steueranschluss und dem zweiten Laststreckenan
schluss des Messtransistors so ein, dass sie der Spannung
zwischen dem Steueranschluss und dem ersten Laststreckenan
schluss des Lasttransistors entspricht. Der Messtransistor,
der vom selben Leitungstyp wie der Lasttransistor ist, wird
dann in einem zu dem Arbeitspunkt des Lasttransistors "inver
sen Arbeitspunkt" betrieben.
Der Lasttransistor und der Messtransistor sind vorzugsweise
MOS-Transistoren, bei denen der Drain-Anschluss dem ersten
Laststreckenanschluss, der Source-Anschluss dem zweiten Last
streckenanschluss und der Gate-Anschluss dem Steueranschluss
entspricht.
Befindet sich der Lasttransistor im Inversbetrieb, die sich
bei n-Kanal-MOS-Transistoren durch eine negative Drain-
Source-Spannung und bei p-Kanal-Transistoren durch eine posi
tive Drain-Source-Spannung auszeichnet, so befindet sich der
Messtransistor, der vom selben Leitungstyp wie der Lasttran
sistor ist, im Normalbetrieb, die sich bei n-Kanal-MOS-
Transistoren durch eine positive Drain-Source-Spannung und
bei p-Kanal-Transistoren durch eine negative Drain-Source-
Spannung auszeichnet.
Zur Einstellung der Spannung zwischen dem Steueranschluss und
dem zweiten Laststreckenanschluss des Messtransistors ist ge
mäß einer Ausführungsform der Erfindung eine Regelschaltung
zwischen den Steueranschluss des Lasttransistors und den
Steueranschluss des Messtransistors geschaltet, die zudem an
den ersten Laststreckenanschluss des Lasttransistors und den
zweiten Laststreckenanschluss des Messtransistors angeschlos
sen ist. Das Leitungsverhalten des Lasttransistors wird im
Inversbetrieb durch die Spannung zwischen dessen Steueran
schluss und dessen ersten Laststreckenanschluss, also der Ga
te-Drain-Spannung bei MOS-Transistoren, bestimmt, während das
Leitungsverhalten des Messtransistors durch die Spannung zwi
schen dessen Steueranschluss und dessen zweitem Laststrecken
anschluss, also der Gate-Source-Spannung bei MOS-Transistoren
bestimmt ist. Die Regelschaltung ist derart ausgebildet, dass
die Spannung zwischen dem Steueranschluss und dem ersten
Laststreckenanschluss des ersten Transistors der Spannung
zwischen dem Steueranschluss und dem zweiten Laststreckenan
schluss des Messtransistors entspricht. Der Lasttransistor
und der Messtransistor werden dadurch in zueinander "inver
sen" Arbeitspunkten betrieben, die sich durch einen entgegen
gesetzten Stromfluss in den Transistoren auszeichnen. Ist der
Lasttransistor bei Verwendung eines n-Kanal-MOS-Transistors
im Inversbetrieb von einem negativen Drain-Source-Strom
durchflossen, so ist der Drain-Source-Strom des Messtransis
tors positiv.
Bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung steht bei In
versbetrieb des Lasttransistors, wenn bei einem n-Kanal-
Transistor an dessen Source-Anschluss durch eine angeschlos
sene Last ein Potential anliegt, das größer als dessen Drain-
Potential ist, ein gegen das zweite Versorgungspotential po
sitiver Messstrom zur Verfügung, dessen Betrag proportional
zu dem Laststrom ist.
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbei
spielen anhand von Figuren näher erläutert. In den Figuren
zeigt
Fig. 2 eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung mit einem
Lasttransistor und einer Strommessanordnung,
Fig. 3 eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung mit einer
Strommessanordnung, die einen Messtransistor und
eine erste Regelschaltung aufweist,
Fig. 4 eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung mit einer
Regelschaltung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 5 eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung mit einer
Regelschaltung gemäß einer zweiten Ausführungsform
der Erfindung.
In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben
gleiche Bezugszeichen gleiche Teile mit gleicher Bedeutung.
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend für eine Schal
tungsanordnung mit einem n-Kanal-MOS-Transistor als Lasttran
sistor beschrieben, wobei dessen Gate-Anschluss einen Steuer
anschluss, dessen Drain-Anschluss einen ersten Laststrecken
anschluss und dessen Source-Anschluss einen zweiten Laststre
ckenanschluss bildet. Die erfindungsgemäße Schaltungsanord
nung funktioniert selbstverständlich auch mit einem p-Kanal-
MOS-Transistor als Lasttransistor, wobei dann die Vorzeichen
der im folgenden zur Erläuterung genannten Potentiale und
Spannungen zu vertauschen sind.
Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen
Schaltungsanordnung, die einen in dem Beispiel als n-Kanal-
MOS-Transistor ausgebildeten Lasttransistor T1 und eine an
den Lasttransistor T1 angeschlossene Strommessanordnung 2
aufweist. Der Gate-Anschluss G des Lasttransistors T1 ist an
eine Eingangsklemme IN der Schaltungsanordnung und der Drain-
Anschluss D ist an eine Klemme für ein erstes Versorgungspo
tential UV angeschlossen. Der Source-Anschluss S des Last
transistors bildet eine Ausgangsklemme OUT der Schaltungsan
ordnung die zum Anschließen an eine Klemme einer Last L, die
mit einer anderen Klemme an ein zweites Versorgungspotential,
bzw. ein Bezugspotential GND, angeschlossen ist, dient. Als
Last ist in dem Ausführungsbeispiel beispielhaft zur Erläute
rung der Funktionsweise der Schaltungsanordnung eine Indukti
vität L dargestellt. Das Bezugspotential GND ist vorzugsweise
Masse.
Der Lasttransistor leitet sicher, wenn dessen Gate-Potential,
bzw. die an der Eingangsklemme IN gegenüber dem Bezugspoten
tial GND anliegende Eingangsspannung Uin, größer als das ers
te Versorgungspotential UV bzw. die daraus resultierende Ver
sorgungsspannung UV gegen Bezugspotential GND ist. Übliche
Werte für die Eingangsspannung Uin zum Ansteuern des Last
transistors liegen etwa 8-9 V über der Versorgungsspannung UV.
Ist das Drain-Potential des Lasttransistors T1, das dem ers
ten Versorgungspotential UV entspricht, größer als dessen
Source-Potential US1, ist dessen Drain-Source-Spannung UDS1
also positiv, so befindet sich der Transistor T1 im Normalbe
trieb. Der in Fig. 2 eingezeichnete Laststrom I1, der in dem
Lasttransistor T1 der Schaltungsanordnung fließt, wenn eine
Last L zwischen die Ausgangsklemme OUT und eine Klemme für
Bezugspotential GND geschaltet ist, und der dem Drain-Strom
des Lasttransistors T10 entspricht, ist dann positiv.
Ist das Source-Potential US1 größer als das Drain-Potential
UV, so befindet sich der Lasttransistor T1 im Inversbetrieb,
der Laststrom I1 ist dann negativ. Ein gegenüber dem Drain-
Potential, bzw. dem ersten Versorgungspotential UV, größeres
Source-Potential US1 kann insbesondere bei der Ansteuerung
induktiver Lasten, beispielsweise bei der Ansteuerung von Mo
torbrücken auftreten.
Die Strommessanordnung 2 weist eine erste Anschlussklemme 21,
die an den Drain-Anschluss des Lasttransistors T1 angeschlos
sen, eine zweite Anschlussklemme 22, die an den Source-
Anschluss S des Lasttransistors T1 angeschlossen ist, und ei
ne dritte Anschlussklemme 23, die an den Gate-Anschlussklemme
G des Lasttransistors angeschlossen ist, auf. An einer Aus
gangsklemme 27 der Strommessanordnung steht ein Messstrom I2
gegen das Bezugspotential GND zur Verfügung, wobei die Aus
gangsklemme 27 in dem Ausführungsbeispiel über einen Strom
messwiderstand R1 an das Bezugspotential angeschlossen ist.
Dieser Messstrom I2 weist erfindungsgemäß gegenüber dem Last
strom I1 ein umgekehrtes Vorzeichen auf und der Betrag des
Messstroms I2 ist wenigstens annäherungsweise proportional zu
dem Laststrom, es gilt also:
I2 ∝ - I1 (Gleichung 1).
Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung bietet den Vorteil,
dass bei Inversbetrieb des Lasttransistors T1, wenn dessen
Laststrom I1 negativ ist, ein bezogen auf das Bezugspotential
GND positiver Messstrom I2 zur Verfügung steht, der mittels
des Strommesswiderstands R1 in eine an einer Ausgangsklemme
A1 gegen das Bezugspotential GND positive Messspannung U1 um
gesetzt ist. Zur Bereitstellung des Messstroms I20 sind das
an der Anschlussklemme 21 anliegende Versorgungspotential UV,
die an der Anschlussklemme 23 anliegende Ansteuerspannung Uin
und das Bezugspotential GND in der Schaltungsanordnung erfor
derlich.
Fig. 3 zeigt eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung mit
einer Strommessanordnung 2, die einen Messtransistor T2 auf
weist, der vom selben Leitungstyp wie der Lasttransistor T1
und in dem Ausführungsbeispiel als n-Kanal-MOS-Transistor
ausgebildet ist. Der Drain-Source-Strecke D-S des Messtran
sistor T2 ist ein Regeltransistor T3 nachgeschaltet, der die
Funktion eines steuerbaren Widerstandes erfüllt und der in
dem Ausführungsbeispiel als p-Kanal-MOS-Transistor ausgebil
det ist. Der Source-Anschluss S des Regeltransistors T3 ist
an den Source-Anschluss S des Messtransistors T2 und der
Drain-Anschluss D des Regeltransistors T3 ist an die Aus
gangsklemme 27 der Strommessanordnung 2 und über den Messwi
derstand R1 an die Klemme für Bezugspotential GND angeschlos
sen. Zur Ansteuerung des Regeltransistors T3 ist eine Ansteu
erschaltung 20 vorhanden, die zum einen über die Anschluss
klemmen 21 an den Drain-Anschluss D und über die Anschluss
klemme 22 an den Source-Anschluss S des Lasttransistors T1
angeschlossen ist und die zum anderen über eine Anschluss
klemme 24 an den Drain-Anschluss D des Messtransistors T2 und
über eine Anschlussklemme 25 an den Source-Anschluss S des
Messtransistors T2 angeschlossen ist.
Der Gate-Anschluss G des Lasttransistors T1 ist außerdem über
den Anschluss 23 an die Ansteuerschaltung 20 angeschlossen
und der Gate-Anschluss G des Messtransistors T2 ist an einen
Anschluss 28 der Ansteuerschaltung 20 angeschlossen.
Die Ansteuerung des Regeltransistors T3, dessen Gate-
Anschluss an einen Ausgang 26 der Ansteuerschaltung ange
schlossen ist, erfolgt gemäß einer Ausführungsform derart,
dass der Betrag der zwischen den Anschlussklemmen 24, 25 an
liegenden Drain-Source-Spannung UDS2 des Messtransistors T2
dem Betrag der zwischen den Anschlussklemmen 21, 22 anliegen
den Drain-Source-Spannung UDS1 des Lasttransistors ent
spricht, wobei sich die Spannungen im Vorzeichen unterschei
den, es gilt also:
UDS2 = -UDS1 (Gleichung 2).
Vorzugsweise sorgt die Ansteuerschaltung dafür, dass die Ga
te-Drain-Spannung UGD1 des Lasttransistors T1, also die zwi
schen den Anschlüssen 23 und 21 der Ansteuerschaltung 20 an
liegende Spannung, der Gate-Source-Spannung UGS2 des Mess
transistors T2, also der zwischen den Anschlüssen 28 und 25
der Ansteuerschaltung 20 anliegenden Spannung entspricht. Der
Messtransistor T2 wird dann in einem zu dem Arbeitspunkt des
Lasttransistors T1 inversen Arbeitspunkt betrieben. Das Leit
verhalten des im Inversbetrieb betriebenen Lasttransistors T1
wird bestimmt durch dessen Gate-Drain-Spannung UGD1 und des
sen Drain-Source-Spannung UDS1. Das Leitverhalten des Mess
transistors T2 ist bestimmt durch dessen Gate-Source-Spannung
UGS2 und dessen Drain-Source-Spannung UDS2. Der Betrag der
Gate-Drain-Spannung UGD1 des Lasttransistors T1 stimmt mit
dem Betrag des Gate-Source-Spannung UGS2 des Messtransistors
T2 überein und die Beträge der Drain-Source-Spannungen UDS1,
UDS2 des Lasttransistors T1 und des Messtransistors T2 stim
men ebenfalls überein. Der Betrag des Messstroms I2 ist da
durch proportional zu dem Betrag des Laststroms I1, wobei der
Proportionalitätsfaktor durch das Verhältnis der aktiven
Transistorflächen der beiden Transistoren T1, T2 bestimmt
ist. Der Laststrom I1 und der Messstrom unterscheiden sich im
Vorzeichen. Ist der Laststrom I1 negativ gegen das Bezugspo
tential GND bei Inversbetrieb des Lasttransistors T1 so ist
der Messstrom positiv gegen das Bezugspotential GND.
Dies setzt voraus, dass die beiden Transistoren T1, T2 sym
metrisch aufgebaut sind, dass also Drain D und Source S be
liebig vertauschbar sind. Bei nicht symmetrischem Aufbau be
sitzt der im Inversbetrieb abhängig von seiner Gate-Drain-
Spannung UGD1 angesteuerte Lasttransistor T1 eine geringere
Verstärkung als der Messtransistor T2, der abhängig von sei
ner Gate-Source-Spannung UGS2 angesteuert ist. Der Betrag des
Messstroms I2 ist dann nicht exakt proportional zu dem Last
strom I1. Ein daraus resultierender Messfehler ist für übli
che Anwendungen der Messanordnung allerdings tolerierbar.
Fig. 4 zeigt eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung mit
einer im Detail dargestellten Ansteuerschaltung 20, die eine
Reihenschaltung eines ersten und zweiten Widerstandes R2, R3,
die gemäß einer Ausführungsform denselben Widerstandswert R
besitzen, zwischen dem Anschluss 22 und dem Anschluss 25,
bzw. dem Source-Anschluss S des Lasttransistors T1 und dem
Source-Anschluss S des Messtransistors T2, aufweist. Der
Drain-Anschluss D des Lasttransistors T1 ist über die Ansteu
erschaltung 20 direkt an den Drain-Anschluss D des Messtran
sistors T2 angeschlossen. Die Ansteuerschaltung weist weiter
hin einen Regelverstärker auf, der als Operationsverstärker
OP1 ausgebildet ist, wobei ein Minus-Eingang des Operations
verstärkers OP1 an einen dem ersten und zweiten Widerstand
R2, R3 gemeinsamen Knoten angeschlossen ist und wobei ein
Plus-Eingang des Operationsverstärkers OP1 an die Drain-
Anschlüsse D des Lasttransistors T1 und des Messtransistors
T2 angeschlossen ist.
Für die beiden Drain-Source-Spannungen UDS1, UDS2 des Last
transistors T1 und des Messtransistors T2 gilt UDS2 = -UDS1,
wenn der Lasttransistor T1 im Inversbetrieb betrieben ist,
wie im folgenden erläutert ist.
Der Operationsverstärker stellt den Widerstand des Regeltran
sistors T3 so ein dass die Spannungsdifferenz ΔU zwischen
seinen Eingängen Null ist. Ein Potential an dem Knoten N,
bzw. eine Spannung UN an diesem Knoten N gegen Bezugspotenti
al. entspricht dann der Versorgungsspannung, es gilt:
UV = UN (Gleichung 3).
Das Source-Potential US1 des Lasttransistors T1, das bei In
versbetrieb größer als das Versorgungspotential UV ist, setzt
sich zusammen aus der Spannung US1S2 zwischen den Source-
Anschlüssen S des Lasttransistors T1 und des Messtransistors
T2 und dem Source-Potential US2 des Messtransistors,
US1 = US1S2 + US2 (Gleichung 4),
US1 = US1S2 + US2 (Gleichung 4),
wobei über dem zweiten und dritten Widerstand R2, R3 jeweils
die Spannung US1S2/2 anliegt. Außerdem gilt:
US1 = US1S2/2 + UN = US1S2/2 + UV (Gleichung 5).
Aus den Gleichungen (4) und (5) folgt:
US2 = -US1 + 2UV (Gleichung 6)
Für die Drain-Source-Spannung UDS1 des Lasttransistors T1
gilt:
UDS1 = UV - US1 (Gleichung 7)
und für die Drain-Source-Spannung UDS2 des Messtransistors T2
gilt:
UDS2 = UV - US2 (Gleichung 8).
Einsetzen von Gleichung (6) in Gleichung (8) liefert:
UDS2 = UV + US1 - 2UV = -UV + US1 = -UDS1 (Gleichung 9).
Der Betrag der Drain-Source-Spannung UDS2 des Messtransistors
T2 entspricht also dem Betrag der Drain-Source-Spannung UDS1
des Lasttransistors T1, wobei sich die beiden Spannungen
UDS1, UDS2 im Vorzeichen unterscheiden.
Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 ist der Gate-
Anschluss G des Lasttransistors T1 direkt an den Gate-
Anschluss G des Messtransistors T2 angeschlossen. Für die Ga
te-Source-Spannung UGS2 des Messtransistors T2 gilt dabei in
Abhängigkeit von der Gate-Drain-Spannung UGD1 des Lasttran
sistors T1:
UGS2 = UGD1 + UDS2 (Gleichung 10).
UGS2 = UGD1 + UDS2 (Gleichung 10).
Die Beträge der Gate-Drain-Spannung UGD1 und der Gate-Source-
Spannung UGS2 unterscheiden sich damit um den Wert der Drain-
Source-Spannung UDS2 des Messtransistors, die betragsmäßig
der Drain-Source-Spannung UDS1 des Lasttransistors T1 ent
spricht. Berücksichtigt man, dass bei üblichen Anwendungen,
wenn die Eingangsspannung Uin um etwa 8 V über der Versor
gungsspannung UV liegt, die Gate-Drain-Spannung UGD1 8 V und
die Drain-Source-Spannung 50 mV beträgt, so weicht die Gate-
Source-Spannung UGS2 des Messtransistors T2 nur um etwa 0,6%
von der Gate-Drain-Spannung UGD1 des Lasttransistors ab. Eine
hieraus resultierende Abweichung des Arbeitspunktes des Mess
transistors T2 von dem Arbeitspunkt des Lasttransistors T1
führt zu einem Fehler bei der Bereitstellung des Messstroms
I2, der für viele Anwendungen allerdings tolerierbar ist.
Die Widerstände R2, R3 zwischen den Source-Anschlüssen S, des
Lasttransistors T1 und des Messtransistors T2 sind vorzugs
weise sehr groß um zu verhindern, dass ein zwischen dem Sour
ce-Anschluss des Lasttransistors T1 und dem Source-Anschluss
S des Messtransistors T2 fließender Strom den Messstrom I2
signifikant verfälscht
Fig. 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen
Ansteuerschaltung, bei der keine Abweichung zwischen der Ga
te-Drain-Spannung UGD1 des Lasttransistors T1 und der Gate-
Source-Spannung UGS2 des Messtransistors T2 auftritt. Neben
der Regelschaltung mit dem Regeltransistor T3, den Widerstän
den R2, R3 und dem Operationsverstärker weist diese Ansteuer
schaltung eine zweite Regelschaltung mit einem dritten und
vierten Widerstand R4, R5 einem weiteren Regeltransistor T4
und einem weiteren Regelverstärker OP2 auf. Der Gate-
Anschluss G des Messtransistors T2 ist bei diesem Ausfüh
rungsbeispiel über den dritten Widerstand R4 und den An
schluss 23 an den Gate-Anschluss G des Lasttransistors T1 an
geschlossen. Eine Reihenschaltung mit dem zweiten Regeltransistor
T4 und dem vierten Widerstand R5 ist zwischen den Ga
te-Anschluss G des Messtransistors T2 und dessen Source-
Anschluss S geschaltet. Der zweite Regeltransistor T4 ist an
gesteuert durch den als Operationsverstärker ausgebildeten
Regelverstärker OP2, wobei ein Plus-Anschluss des Operations
verstärkers über den Anschluss 21 an den Drain-Anschluss D
des Lasttransistors T angeschlossen ist und wobei ein Minus-
Eingang des Operationsverstärkers OP2 an einen dem vierten
Widerstand R5 und dem Regeltransistor T4 gemeinsamen Knoten M
angeschlossen ist.
Die Widerstände R4 und R5 besitzen denselben Widerstandswert,
so dass die über diesen Widerständen durch einen Strom I3
hervorgerufenen Spannungen U4, US gleich groß, das heißt:
U4 = U5 (Gleichung 11).
Die Spannung U4 lässt sich darstellen als
U4 = Uin - UG2 (Gleichung 12),
wobei UG2 das Potential an dem Gate-Anschluss G des Messtran
sistors T2 gegen Bezugspotential GND ist. Für die Spannung U5
gilt:
U5 = UM - US2 = UV - US2 (Gleichung 13)
Aus Gleichung (12) und (13) folgt:
Uin - UV = UG2 - US2, (Gleichung 14)
wobei
Uin - UV = UGD1 (Gleichung 15)
und
UG2 - US2 = UGS2 (Gleichung 15)
UG2 - US2 = UGS2 (Gleichung 15)
gilt.
Die Gate-Drain-Spannung UGD1 des Lasttransistors T1 ent
spricht somit der Gate-Source-Spannung UGS2 des Messtransis
tors T2.
Die Widerstände R4, R5 sind vorzugsweise sehr groß, um zu
verhindern, dass der durch die Widerstände R4, R5 fließende
Strom den Messstrom I2 signifikant verfälscht.
Der Messtransistor T2 entspricht im Aufbau und in bezug auf
seine Eigenschaften dem Lasttransistor T1, wobei die aktive
Transistorfläche des Messtransistors T2 geringer als die des
Lasttransistors T1 ist. Werden die beiden Transistoren T1, T2
im selben Arbeitspunkt, das heißt bei denselben Gate-Source-
Spannungen, bzw. denselben Gate-Drain-Spannungen, und densel
ben Drain-Source-Spannungen betrieben, so sind die durch die
beiden Transistoren T1, T2 fließenden Ströme proportional zu
einander, wobei der Proportionalitätsfaktor dem Verhältnis
der Transistorflächen entspricht. Bei nicht symmetrischem
Aufbau der beiden Transistoren T1, T2 ist deren Verstärkung
geringer wenn sie im Inversbetrieb, das heißt mit einer nega
tiven Drain-Source-Spannung betrieben werden. Dies führt da
zu, dass die Verstärkung des Lasttransistors T1, der sich er
findungsgemäß im Inversbetrieb befindet, geringer ist als die
Verstärkung des Messtransistors T2, der sich im Normalbetrieb
befindet. Die Verstärkung des Lasttransistors T1 ist im In
versbetrieb von dessen Gate-Drain-Spannung UGD1 und dessen
Gate-Source-Spannung UGS2 abhängig, und die Verstärkung des
Messtransistors T2 ist im Normalbetrieb von dessen Gate-
Source-Spannung UGS2 und von dessen Drain-Source-Spannung
UDS2 abhängig. Die unterschiedliche Verstärkung des im In
versbetrieb befindlichen Lasttransistors T1 und des im
Normalbetrieb befindlichen Messtransistors T2 führt dazu,
dass bei betragsmäßig gleichen Drain-Source-Spannungen UDS1,
UDS2 und einer Gate-Source-Spannung UGS2 des Messtransistors
T2, die betragsmäßig der Gate-Drain-Spannung UGD1 des
Lasttransistors T1 entspricht, der Messstrom I2 etwas zu groß
ist.
Um die unterschiedliche Verstärkung des Lasttransistors T1
und des Messtransistors T2 auszugleichen ist gemäß einer wei
teren Ausführungsform der Erfindung daher vorgesehen, dass
die Ansteuerschaltung 20 die Gate-Source-Spannung UGS2 des
Messtransistors T2 kleiner als die Gate-Drain-Spannung UGD1
des Lasttransistors T1 einstellt. Dies kann bei der Regel
schaltung mit den Widerständen R4, R5 dem Transistor T4 und
dem Regelverstärker OP2 dadurch erreicht werden, dass der Wi
derstand R5 kleiner als der Widerstand R4 gewählt wird.
Bei einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass die
Ansteuerschaltung 20 und der Regeltransistor T3 den Betrag
der Drain-Source-Spannung UDS2 des Messtransistors T2 gerin
ger als den Betrag der Drain-Source-Spannung UDS1 des Last
transistors T1 einstellen. Dies kann bei der Regelschaltung
mit dem ersten und zweiten Widerstand R2, R3 dadurch erreicht
werden, dass der erste Widerstand R2 größer als der zweite
Widerstand R3 gewählt wird.
Die Last ist in den Ausführungsbeispielen beispielhaft als
Induktivität dargestellt. Mit der erfindungsgemäßen Schal
tungsanordnung lassen sich selbstverständlich beliebige Las
ten, beispielsweise Motoren, Magnetventile, ohmsche Lasten
und dergleichen, ansteuern.
Vorzugsweise ist die Schaltungsanordnung mit dem Lasttransis
tor T1, der Strommessanordnung und gegebenenfalls dem Messwi
derstand R1 in einem Halbleiterkörper integriert.
2
Strommessanordnung
20
Ansteuerschaltung
21
,
22
,
23
Anschlussklemmen der Strommessanordnung
24
,
25
,
28
Anschlussklemmen der Ansteuerschaltung
26
Ausgangsklemme der Ansteuerschaltung
27
Ausgangsklemme der Strommessanordnung
A1 Ausgangsklemme
D Drain-Anschluss
G Gate-Anschluss
GND Bezugspotential
I1 Laststrom
I2 Messstrom
IN Eingangsklemme
L Last
OP1, OP2 Operationsverstärker
OUT Ausgangsklemme
R1 Messwiderstand
R2, R3 Widerstände
R4, R5 Widerstände
S Source-Anschluss
T1 Lasttransistor
T2 Messtransistor
T3, T4 Regeltransistoren
UV Versorgungspotential, Versorgungsspannung
A1 Ausgangsklemme
D Drain-Anschluss
G Gate-Anschluss
GND Bezugspotential
I1 Laststrom
I2 Messstrom
IN Eingangsklemme
L Last
OP1, OP2 Operationsverstärker
OUT Ausgangsklemme
R1 Messwiderstand
R2, R3 Widerstände
R4, R5 Widerstände
S Source-Anschluss
T1 Lasttransistor
T2 Messtransistor
T3, T4 Regeltransistoren
UV Versorgungspotential, Versorgungsspannung
Claims (19)
1. Schaltungsanordnung, die folgende Merkmale aufweist:
- - einen Lasttransistor (T1) mit einem Steueranschluss (G), einem ersten Laststreckenanschluss (D), der an eine Klemme für ein erstes Versorgungspotential (V) angeschlossen ist, und einem zweiten Laststreckenanschluss (S) zum Anschließen an eine Last (L),
- - eine an den Lasttransistor (T1) angeschlossene Strommessan ordnung (2) mit einem Ausgang (27), wobei an dem Ausgang (27) gegen ein zweites Versorgungspotential (GND) ein Messstrom (I2) zur Verfügung steht, der ein gegenüber einem Laststrom (I1) zwischen dem ersten und zweiten Laststreckenanschluss (D, S) des Lasttransistors (T1) umgekehrtes Vorzeichen auf weist und dessen Betrag wenigstens annäherungsweise proporti onal zu dem Laststrom (I1) ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, bei der die Strom
messanordnung eine erste Anschlussklemme (21), die an den
ersten Laststreckenanschluss (D) des Lasttransistors (T1) an
geschlossen ist, eine zweite Anschlussklemme, die an den
zweiten Laststreckenanschluss (S) des Lasttransistors (T1)
angeschlossen ist, und eine dritte Anschlussklemme (23), die
an den Steueranschluss (G) des Lasttransistors (T1) ange
schlossen ist, aufweist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, bei der die Strom
messanordnung (2) folgende Merkmale aufweist:
- - einen Messtransistor (T2) mit einem Steueranschluss (G), einem ersten Laststreckenanschluss (D) und einem zweiten Laststreckenanschluss (S),
- - einen steuerbaren Widerstand (T3) mit einem Steueranschluss (G) und einer Laststrecke (D-S), wobei die Laststrecke (D-S) an den zweiten Laststreckenanschluss (S) des Messtransistors (T2) angeschlossen ist,
- - eine Ansteuerschaltung (20) mit einer Ausgangsklemme (26), die an den Steueranschluss (G) des steuerbaren Widerstands (T3) angeschlossen ist, wobei die Ansteuerschaltung (20) an den Steueranschluss (G), den ersten Laststreckenanschluss (D) und den zweiten Laststreckenanschluss (S) des Lasttransistors (T1) und den Steueranschluss (G), den ersten Laststreckenan schluss (D) und den zweiten Laststreckenanschluss (S) des Messtransistors (T2) angeschlossen ist.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, bei der die Ansteuer
schaltung (20) den steuerbaren Widerstand abhängig von einer
ersten Laststreckenspannung (UDS1) zwischen dem ersten und
zweiten Laststreckenanschluss (D, S) des ersten Transistors
(T1) und einer zweiten Laststreckenspannung (UDS2) zwischen
dem ersten und zweiten Laststreckenanschluss (D, S) des zwei
ten Transistors (T2) ansteuert.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, bei der die Ansteuer
schaltung (20) den steuerbaren Widerstand (T3) derart ansteu
ert, dass der Betrag der zweiten Laststreckenspannung (UDS2)
dem Betrag ersten Laststreckenspannung (UDS1) entspricht und
dass sich die Vorzeichen der ersten und zweiten Laststrecken
spannungen (UDS1, UDS2) unterscheiden.
6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, bei der die Ansteuer
schaltung (20) den steuerbaren Widerstand (T3) derart ansteu
ert, dass der Betrag der zweiten Laststreckenspannung (UDS2)
kleiner als der Betrag ersten Laststreckenspannung (UDS1) ist
und dass sich die Vorzeichen der ersten und zweiten Laststre
ckenspannungen (UDS1, UDS2) unterscheiden.
7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, bei
der die Ansteuerschaltung (20) folgende Merkmale aufweist:
- eine Reihenschaltung eines ersten und zweiten Widerstandes
(R2, R3) mit einem Abgriffsknoten (N),
- - einen Regelverstärker (OP1) mit einem ersten und zweiten Eingang und einem Ausgang, wobei der Abgriffsknoten (N) an den ersten Eingang, die ersten Laststreckenanschlüsse (D) des Lasttransistors (T1) und des Messtransistors (T2) an den zweiten Eingang und der Steueranschluss (G) des steuerbaren Widerstandes (T3) an den Ausgang des Regelverstärkers (OP1) angeschlossen ist.
8. Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprü
che, bei der der steuerbare Widerstand (T3) ein Transistor
ist.
9. Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprü
che, bei der der erste und zweite Widerstand (R2, R3) densel
ben Widerstandswert aufweisen.
10. Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprü
che, bei der der erste Widerstand (R2) größer als der zweite
Widerstand (R3) ist.
11. Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden An
schlüsse, bei der der Steueranschluss (G) des Lasttransistors
an den Steueranschluss (G) des Messtransistors (T2) ange
schlossen ist.
12. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei
der eine Regelanordnung (R4, R5, OP2, T4) zwischen den Steu
eranschluss (G) des Lasttransistors (T1) und den Steueran
schluss (G) des Messtransistors (T2) geschaltet ist.
13. Schaltungsanordnung nach Anspruch 12, bei der die
Regelanordnung (R4, R5, OP2, T4) eine Spannung (UGS2) zwi
schen dem Steueranschluss (G) und dem zweiten Laststreckenan
schluss (S) des Messtransistors so einstellt, dass der Betrag
dieser Spannung dem Betrag einer Spannung (UGD1) zwischen dem
Steueranschluss (G) und dem ersten Laststreckenanschluss (D)
des Lasttransistors (T1) entspricht.
14. Schaltungsanordnung nach Anspruch 12, bei der die
Regelanordnung (R4, R5, OP2, T4) eine Spannung (UGS2) zwi
schen dem Steueranschluss (G) und dem zweiten Laststreckenan
schluss (S) des Messtransistors so einstellt, dass der Betrag
dieser Spannung kleiner ist als der Betrag einer Spannung
(UGD1) zwischen dem Steueranschluss (G) und dem ersten Last
streckenanschluss (D) des Lasttransistors (T1).
15. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 14
oder 10, bei der die Regelanordnung (R4, R5, OP2, T4) folgen
de Merkmale aufweist:
- - einen zwischen den Steueranschluss (G) des Lasttransistors (T1) und den Steueranschluss (G) des Messtransistors (T2) ge schalteten dritten Widerstand (R4),
- - eine Reihenschaltung mit einem vierten Widerstand (R5) und einem steuerbaren Widerstand (T4), die zwischen den Steueran schluss (G) und den zweiten Laststreckenanschluss (S) des Messtransistors (T2) geschaltet ist,
- - einen Regelverstärker (OP2) mit einem ersten Eingang, der an die ersten Laststreckenanschlüsse (D) des Lasttransistors (T1) und des Messtransistors (T2) angeschlossen ist, einem zweiten Eingang, der an einem dem steuerbaren Widerstand (T4) und dem vierten Widerstand (R5) gemeinsamen Knoten (M) ange schlossen ist, und einem Ausgang, der an den Steueranschluss (G) des steuerbaren Widerstandes (T4) angeschlossen ist.
16. Schaltungsanordnung nach Anspruch 15, bei der der dritte
und vierte Widerstand (R4, R5) denselben Widerstandswert auf
weisen.
17. Schaltungsanordnung nach Anspruch 15, bei der der vierte
Widerstand (R5) kleiner als der dritte Widerstand (R4) ist.
18. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 15 bis 17,
bei der der steuerbare Widerstand (T4) ein Transistor ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10103920A DE10103920A1 (de) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | Schaltungsanordnung mit einem Lasttransistor und einer Strommessanordnung |
US10/060,985 US6661249B2 (en) | 2001-01-30 | 2002-01-30 | Circuit configuration with a load transistor and a current measuring configuration |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10103920A DE10103920A1 (de) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | Schaltungsanordnung mit einem Lasttransistor und einer Strommessanordnung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10103920A1 true DE10103920A1 (de) | 2002-08-22 |
Family
ID=7672087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10103920A Withdrawn DE10103920A1 (de) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | Schaltungsanordnung mit einem Lasttransistor und einer Strommessanordnung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6661249B2 (de) |
DE (1) | DE10103920A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10240914A1 (de) * | 2002-09-04 | 2004-03-25 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung mit einem Lasttransistor und einer Strommessanordnung und Verfahren zur Ermittlung des Laststroms eines Lasttransistors |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005019955A1 (de) * | 2005-04-29 | 2006-11-02 | Infineon Technologies Ag | Variables Ansteuermodul zur Ansteuerung einer Last |
US8018213B2 (en) * | 2008-09-29 | 2011-09-13 | Infineon Technologies Ag | Measuring the current through a load transistor |
DE102008059853B4 (de) * | 2008-12-01 | 2013-09-19 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung mit einem Lasttransistor und einem Messtransistor |
US8362794B2 (en) * | 2009-07-23 | 2013-01-29 | International Business Machines Corporation | Method and system for assessing reliability of integrated circuit |
US9360879B2 (en) * | 2014-04-28 | 2016-06-07 | Microsemi Corp.-Analog Mixed Signal Group, Ltd. | Sense current generation apparatus and method |
US9970979B2 (en) * | 2015-07-06 | 2018-05-15 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | MOS transistor saturation region detector |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2642176A1 (fr) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif et procede de detection du passage d'un courant dans un transistor mos |
US4967309A (en) * | 1989-12-26 | 1990-10-30 | Caterpillar Inc. | Dual current sensing driver circuit |
DE4005813A1 (de) * | 1990-02-23 | 1991-08-29 | Siemens Ag | Vorrichtung zur ueberwachung des laststromes eines elektronisch geschalteten verbrauchers |
DE19520735A1 (de) * | 1995-06-07 | 1996-12-12 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum Erfassen des Laststroms eines Leistungs-Halbleiterbauelementes mit sourceseitiger Last |
DE19838657A1 (de) * | 1998-08-25 | 2000-03-23 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum Erfassen des Laststromes eines durch Feldeffekt steuerbaren Leistungs-Halbleiterbauelementes |
DE19812920C2 (de) * | 1998-03-24 | 2000-09-07 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur Steuerung und Erfassung des Laststromes durch eine Last |
-
2001
- 2001-01-30 DE DE10103920A patent/DE10103920A1/de not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-01-30 US US10/060,985 patent/US6661249B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2642176A1 (fr) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif et procede de detection du passage d'un courant dans un transistor mos |
US4967309A (en) * | 1989-12-26 | 1990-10-30 | Caterpillar Inc. | Dual current sensing driver circuit |
DE4005813A1 (de) * | 1990-02-23 | 1991-08-29 | Siemens Ag | Vorrichtung zur ueberwachung des laststromes eines elektronisch geschalteten verbrauchers |
DE19520735A1 (de) * | 1995-06-07 | 1996-12-12 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum Erfassen des Laststroms eines Leistungs-Halbleiterbauelementes mit sourceseitiger Last |
DE19812920C2 (de) * | 1998-03-24 | 2000-09-07 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur Steuerung und Erfassung des Laststromes durch eine Last |
DE19838657A1 (de) * | 1998-08-25 | 2000-03-23 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum Erfassen des Laststromes eines durch Feldeffekt steuerbaren Leistungs-Halbleiterbauelementes |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10240914A1 (de) * | 2002-09-04 | 2004-03-25 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung mit einem Lasttransistor und einer Strommessanordnung und Verfahren zur Ermittlung des Laststroms eines Lasttransistors |
US7126354B2 (en) | 2002-09-04 | 2006-10-24 | Infineon Technologies Ag | Circuit configuration having a load transistor and a current measuring configuration, method for ascertaining the load current in a load transistor, semiconductor component, and measuring configuration |
DE10240914B4 (de) * | 2002-09-04 | 2007-01-25 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung mit einem Lasttransistor und einer Strommessanordnung und Verfahren zur Ermittlung des Laststroms eines Lasttransistors sowie Verwendung eines Halbleiterbauelements |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020101225A1 (en) | 2002-08-01 |
US6661249B2 (en) | 2003-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69934629T2 (de) | Differenzverstärker | |
DE10258766B4 (de) | Schaltungsanordnung zur Steuerung und Erfassung des Laststroms durch eine Last | |
DE3327260A1 (de) | Schmitt-trigger | |
DE2802189C3 (de) | Gegentakt-Verstärkerschaltung | |
DE10120524A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Ermittlung des Stromes durch ein Leistungs-Halbleiterbauelement | |
DE102005005290A1 (de) | Konstantstromquellen-Vorrichtung mit zwei seriellen Verarmungs-MOS-Transistoren | |
DE102004024112A1 (de) | Schaltung zur Messung des Stromes durch einen Leistungs-MOSFET | |
DE2855303A1 (de) | Linearer verstaerker | |
DE2556683C3 (de) | Negativ-Widerstandsnetzwerk | |
EP1126350A1 (de) | Spannungs-Strom-Wandler | |
DE4444623A1 (de) | Schaltungsanordnung zur Laststromregelung eines Leistungs-MOSFET | |
DE2643677B2 (de) | Stromspiegelverstärker mit Feldeffekttransistoren | |
DE10103920A1 (de) | Schaltungsanordnung mit einem Lasttransistor und einer Strommessanordnung | |
DE3106524C2 (de) | ||
DE102004027298A1 (de) | Auf dem Chip ausgeführter Hochpassfilter mit großer Zeitkonstanten | |
DE102017126060B4 (de) | Ansteuerschaltung für ein transistorbauelement | |
DE19838657B4 (de) | Schaltungsanordnung zum Erfassen des Laststromes eines Leistungs-Feldeffekt-Halbleiterbauelementes | |
DE19533768C1 (de) | Stromtreiberschaltung mit Querstromregelung | |
DE2435606A1 (de) | Reihenschaltung | |
DE2527172B2 (de) | Signalverstaerkerschaltung mit einer komplementaeren gegentakt-endstufe | |
DE4403201C2 (de) | Ansteuerschaltung für ein MOS-Halbleiterbauelement mit sourceseitiger Last | |
EP0389654A1 (de) | Integrierbare Verstärkerschaltung | |
DE3700296A1 (de) | Halbleiter-differenzverstaerker | |
DE4434792C1 (de) | Integrierte, in einem ersten und einem zweiten Betriebsmodus betreibbare Schaltungsanordnung | |
DE4117505C2 (de) | Verfahren zum Messen des Ausgangsstromes einer getakteten Halbbrückenschaltung sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |