DE2738185C2 - - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Description
Die Erfindung betrifft einen Widerstand für MOS-integrierte
Schaltkreise gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Es ist bekannt, in MOS-integrierten Schaltkreisen MOS-Transis
toren sowohl vom Depletion-Typ als auch vom Enhancement-Typ
(Anreicherungstyp) als Widerstände zu verwenden. Bei Enhance
ment-Typen werden dabei gewöhnlich die Gates an V DD bzw. V GG
geschaltet, während bei Depletion-Typen gewöhnlich Gate und
Source miteinander verbunden werden.
Eine der Anforderungen an derartige Widerstände ist ihre Linea
rität in einem weiten Spannungsbereich. Bei der vorgenannten Ver
bindung von Gate und Source von Depletion-Typen wird die Wider
standskennlinie von einer gewissen Drain-Source-Spannung an nicht
linear und verläuft oberhalb dieser Spannung in die Sättigung.
Aus der DE-OS 24 35 606 ist die Reihenschaltung aus mehreren,
jeweils über Source und Drain miteinander verbundenen MOS-Tran
sistoren vom Verarmungstyp bekannt, bei denen das Gate jedes
MOS-Transistors mit seiner Source oder Drain kurzgeschlossen
ist. Bei einer symmetrisch zu betreibenden Schaltung sind die
Gate zweier Transistoren mit dem Verbindungspunkt zwischen den
beiden Transistoren kurzgeschlossen; diese Schaltung besitzt
einen vergleichsweise hohen Widerstand, der nur für kleine
Spannungen linear arbeitet.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen niederohmigen
Widerstand mit geringer benötigter Integrationsfläche zu schaf
fen, der ohne Kompensationsmaßnahmen in einem großen Bereich
symmetrisch und linear arbeitet.
Diese Aufgabe wird bei einem Widerstand der eingangs genannten
Art erfindungsgemäß durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils
des Patentanspruchs 1 gelöst.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines in der Figur der
Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert,
das einen hinsichtlich der Polarität symmetrischen linearen
Widerstand mit zwei MOS-Transistoren T 1 und T 2 vom Depletion- Typ
zeigt, deren entsprechende Elektrodenbezugszeichen für Gate G,
Source S und Drain D mit einem Index 1 bzw. 2 versehen sind. Die
beiden Transistoren T 1 und T 2 sind erfindungsgemäß antiparallel
geschaltet und Gate und Drain jedes Transistors sind jeweils
direkt miteinander verbunden.
Die erfindungsgemäße Schaltung verläuft hinsichtlich der Polari
tät symmetrisch und linear, d. h., daß sich der Widerstand bei
einer Eingangsspannung mit symmetrischer Polarität über einen
weiten Bereich linear verhält. Ein linearer Kurvenverlauf ergibt
sich auch, wenn Strommessungen an entsprechenden als Widerstand
betriebenen MOS-Transistoren durchgeführt werden.
Die Erfindung besitzt neben der Symmetrie und der Kennlinien-
Linearität den Vorteil, daß wegen der nicht notwendigen Kenn
linien-Korrektur bei der Herstellung keine Kompensationsmaß
nahmen zur Eliminierung von Schmutzeffekten erforderlich sind.
Ein wesentlicher Vorteil von erfindungsgemäßen Widerständen be
steht auch darin, daß sie vergleichsweise niederohmig sind und
in integrierten Schaltkreisen wesentlich weniger Fläche benötigen
als entsprechende aus Diffusions- bzw. Polysiliziumstrecken auf
gebaute Widerstandstypen.
Claims (1)
- Widerstand für MOS-integrierte Schaltkreise in Form zweier MOS-Transistoren vom Depletion-Typ (Verarmungstyp) mit einer direkten Verbindung ihrer Gate mit einer der Elektroden der jeweiligen gesteuerten Strecke, gekennzeichnet durch die Antiparallelschaltung der beiden MOS-Transis toren (T 1 , T 2) vom Depletion-Typ, deren Gate (G 1, G 2) und Drain (D 1, D 2) jeweils direkt miteinander verbunden sind.
Priority Applications (1)
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Applications Claiming Priority (1)
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DE19772738185 DE2738185A1 (de) | 1977-08-24 | 1977-08-24 | Widerstand fuer mos-integrierte schaltkreise |
Publications (2)
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DE2738185A1 DE2738185A1 (de) | 1979-03-01 |
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Family
ID=6017192
Family Applications (1)
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DE19772738185 Granted DE2738185A1 (de) | 1977-08-24 | 1977-08-24 | Widerstand fuer mos-integrierte schaltkreise |
Country Status (1)
Country | Link |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (3)
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-
1977
- 1977-08-24 DE DE19772738185 patent/DE2738185A1/de active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN102569299A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-11 | 无锡华润矽科微电子有限公司 | 耗尽型mos管电阻器及其形成方法 |
Also Published As
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DE2738185A1 (de) | 1979-03-01 |
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