DE19525237A1 - Pegelschieberschaltung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Pegelschieber­ schaltung der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art.

Pegelschieberschaltungen zum Verschieben des Potentials eines kleinen Steuersignals auf einen höheren oder niedrigeren Span­ nungspegel sind gut bekannt, und sie werden häufig in ein inte­ griertes Leistungs-Halbleiterschaltungsplättchen integriert. Ein typisches Bauteil dieser Art wird unter der Typenbezeich­ nung IR2112 von der Firma International Rectifier Corporation vertrieben, der Anmelderin der vorliegenden Erfindung. Das Bauteil vom Typ IR2112 ist ein Hochspannungs-Hochgeschwindig­ keits-Leistungsbauteil mit MOS-Gatesteuerung zum Ansteuern des Gates eines Leistungs-MOSFET′s oder eines eine isolierte Gateelektrode aufweisenden bipolaren Transistors (der im folgenden als "IGBT" bezeichnet wird) und dieses Bauteil weist unabhängige spannungs- und erdseitige Ausgangskanäle auf. Das Bauteil weist Logikeingänge auf, die von dem Anwender dieser Treiber-Halbleiterschaltung geliefert werden. Der schwimmende spannungsseitige Kanal kann zur Ansteuerung eines N-Kanal-Leistungs-MOSFET oder IGBT verwendet werden, der an einer Hoch­ spannungsleitung von bis zu 600 Volt betrieben wird. Der im folgenden verwendete Ausdruck "Leistungs-MOSFET" soll irgendein Bauteil mit MOS-Gatesteuerung einschließen, unter Einschluß von üblichen Leistungs-MOSFET′s, IGBT′s, Thyristoren und so weiter, und zwar unabhängig davon, ob diese Bauteile diskret eingesetzt oder mit den Steuerschaltungen zusammen integriert werden.

Die in einer derartigen integrierten Hochspannungs-Leistungs­ halbleiterschaltung verwendete Pegelschieberschaltung wird in vielen Fällen mit zwei identischen Pegelschieberschaltungs­ zweigen ausgebildet, nämlich einem Zweig zum Setzen und einem weiteren Zweig zum Rücksetzen, um den Leistungsverbrauch in dem Halbleiterplättchen zu verringern. Bei einer derartigen gerätemäßigen Ausführung wird das logische Eingangssignal an seinen Anstiegs- und Abfallflanken in zwei schmale Impulse umgewandelt. Durch eine Pegelverschiebung dieser beiden Impulse anstelle des Logiksignals werden die Pegelschieberschaltungen lediglich kurz eingeschaltet, so daß sie wesentlich weniger Leistung verbrauchen.

Ein mögliches Problem bei einer derartigen Pegelschieberschal­ tung ist ein fehlerhafter Betrieb, das heißt die Erzeugung eines Ausgangssignals, das nicht auf dem logischen Eingangs­ signal beruht, und zwar unter dem Einfluß eines Störimpulses oder fehlerhaften Impulses. Weil die Setz- und Rücksetz-Zweige identisch sind, führt bei einem Betrieb der Schaltung unter einem Vorspannungszustand, bei dem die Schaltung ihre Funktions­ fähigkeit zu verlieren beginnt, eine Prozeßänderung dazu, daß einer der beiden Zweige als erstes seine Funktionsfähigkeit verliert. Wenn dieser Vorspannungszustand für einen nicht vorhersagbaren Effekt mit einem Störimpuls am Eingang der integrierten Schaltung zusammentrifft, so kann der Ausgang sowohl der Pegelschieberschaltung als auch der integrierten Halbleiterschaltung unerwünschte Signale erzeugen.

Bei einer Anwendung der integrierten Leistungs-Halbleiter­ schaltung würde deren Ausgangssignal auf einem hohen Pegel verbleiben, wenn lediglich der Setz-Zweig auf den Eingangs­ störimpuls ansprechen würde. Wenn die integrierte Halbleiter­ schaltung als Treiber für Leistungs-MOSFET′s in einer Halb­ brücken- oder Totem-Pole-Anordnung verwendet würde, so würde dies einen unerwünschten "Durchschlag"-Zustand in der ange­ steuerten Halbbrückenschaltung hervorrufen. Ein gutes Bei­ spiel dieses Zustandes tritt während der Sperrverzögerung einer Halbbrückenschaltung auf, bei der das Ausgangssignal der Halbbrücke zum gleichen Zeitpunkt unter Erdpotential absinkt, zu dem ein Störimpuls am Eingang der integrierten Treiberschaltung erzeugt wird.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Pegelschieber­ schaltung der eingangs genannten Art zu schaffen, bei der das Problem eines Fehlbetriebs aufgrund von zufällig auftre­ tenden Störimpulsen in der Schaltung beseitigt ist.

Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebenen Merk­ male gelöst.

Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Pegelschieberschaltung mit einem überwiegenden Rücksetzverhalten ausgebildet. Dies kann auf verschiedene Weise erreicht werden. Bei einer ersten Ausführungsform der Erfindung ist der einen Spannungsabfall hervorrufende Widerstand in der Rücksetzschaltung mit einem höheren Wert ausgebildet, als der entsprechende Widerstand in der Setz-Schaltung.

Alternativ ist bei einer zweiten Ausführungsform der Erfindung die Eingangs-Schwellenwertspannung der schwimmenden Logik­ schaltung für das Setzsignal niedriger eingestellt, als das der Logikschaltung für das Rücksetzsignal.

Allgemein wird eine Schaltungsmodifikation derart durchgeführt, daß der Rücksetzzweig der Pegelschieberschaltung einen größeren Vorspannungsbereich für den Logikbetrieb aufweist. Auf diese Weise würde die Pegelschieberschaltung bei einer Vorspannung an der Grenze ihres Betriebsbereiches ein pegelverschobenes Signal erzeugen, das entweder identisch zum Eingangssignal ist oder sich im Ausschaltzustand befindet, jedoch niemals im Ein­ schaltzustand. Daher ist das Betriebsverhalten der neuartigen, ein überwiegendes Rücksetzverhalten aufweisenden Pegelschieber­ schaltung wesentlich besser vorhersagbar, als vergleichbare Schaltungen beim Stand der Technik.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand der Zeichnungen noch näher erläutert.

In der Zeichnung zeigen:

Fig. 1 ein Schaltbild einer bekannten integrierten Leistungsschaltung vom Typ IR2112, die zwei Leistungs-MOSFET′s ansteuert,

Fig. 2 ein funktionelles Blockschaltbild der inte­ grierten Leistungsschaltung nach Fig. 1, aus dem insbesondere die vorliegende Erfindung zu erkennen ist, wobei der Wider­ standswert des Rücksetzwiderstandes in der Hochspannungs-Pegel­ schieberschaltung größer als der Widerstandswert des Rücksetzwiderstandes ist, so daß die Schaltung ein über­ wiegendes Rücksetzverhalten aufweist,

Fig. 3a bis 3f Darstellungen von Spannungen an unter­ schiedlichen Punkten in dem Schaltbild nach Fig. 2 auf einer gemeinsamen Zeitbasis.

In Fig. 1 ist in schematischer Form eine bekannte integrierte Leistungsschaltung 20 gezeigt, die als ein Hochspannungs-MOS-Gate-Treiber für Leistungs-MOSFET′s 21 und 22 dient. Die integrierte Schaltung 20 weist mit 1 bis 3, 5 bis 7 und 9 bis 13 bezeichnete Anschlußstifte auf.

Die Anschlußstifte in Fig. 1 und anderen nachfolgenden Figuren weisen die folgenden Zuordnungen auf:

Anschlußstift-Nr.
Zuordnung
1 (LO)
erdseitige Ausgangsspannung (an das Gate des erdseitigen MOSFET′s 22), die einen Bereich von beispielsweise von 0 bis 20 Volt überstreicht
2 (COM)	Gemeinsame Erdverbindung
3 (VCC)	erdseitige feste Versorgungsspannung, beispielsweise 20 Volt
5 (VS)	spannungsseitige schwimmende Versorgungs-Offsetspannung (beispielsweise 600 Volt)
6 (VB)	spannungsseitige schwimmende Versorgungs-Absolutspannung (beispielsweise 620 Volt)
7 (HO)	spannungsseitige Ausgangsspannung (an das Gate des spannungsseitigen MOSFET′s 21), die einen Spannungsbereich von beispielsweise zwischen 600 und 620 Volt überstreicht
9 (VDD)	Logik-Versorgungsspannung (20 Volt)
10 (HIN), 11 (SD), 12 (LIN)	Niederspannungs-Logikeingänge für die gewünschte Steuerung der Ausgangsspannung an den Anschlußstiften 1 und 7
13 (VSS)	Logik-Versorgungserde

Fig. 2 ist ein funktionelles Blockschaltbild der Schaltung, die in der integrierten Schaltung in Fig. 1 enthalten ist. Die Anschlußstifte in Fig. 2 entsprechen den mit der gleichen Nummer bezeichneten Anschlußstiften in Fig. 1. Die Betriebs­ weise der Pegelschieberschaltung nach Fig. 2 wird am besten unter Bezugnahme auf die Schwingungsformen nach den Fig. 3a bis 3f verständlich, die die Impulsform an verschiedenen Punkten in der Schaltung zeigen.

Im allgemeinen ist die Struktur nach Fig. 1 in Form eines monolithischen Hochspannungs-Halbleiterplättchens ausgeführt und wirkt als Hochgeschwindigkeits-Zweikanal-Leistungs-MOSFET- oder -IGBT-Treiber. Die Logikeingang-Anschlußstifte 10, 11 und 12 sind über Schmitt-Triggerschaltungen 50, 51 und 52 mit den RS-Signalspeicherschaltungen 55 und 56 verbunden. Die Signal­ speicherschaltungen 55 und 56 sind über Verknüpfungsschaltungen 57 bzw. 58 mit Pegelschieberschaltungen 59 und 60 verbunden. Wie dies zu erkennen ist, steuern die Ausgänge der Pegel­ schieberschaltungen 59 und 60 den spannungsseitigen Steueraus­ gang bzw. den niederspannungs- oder erdseitigen Steuerausgang an den Anschlußstiften 7 bzw. 1.

Das Ausgangssignal an der Pegelschieberschaltung 60 in dem niederspannungsseitigen Kanal wird über eine Verzögerungs­ schaltung 51 einem Eingang der Verknüpfungsschaltung 62 zuge­ führt. Der Ausgang der Verknüpfungsschaltung 62 ist mit den Gate-Elektroden von MOSFET-Ausgangstransisstoren 63 und 64 verbunden. Wie dies weiter unten beschrieben wird, erzeugen diese Transistoren eine Gate-Spannung am Anschlußstift 1, wenn dies durch den Logikeingang an den Anschlußstiften 11 und 12 angefordert wird.

Fig. 3 enthält weiterhin eine Unterspannungs-Detektorschaltung 70, die das Ausgangssignal von der Verknüpfungsschaltung 62 abschaltet, wenn eine Unterspannung am Anschluß 3 festgestellt wird, um ein Einschalten des an dem Anschlußstift 1 betriebenen Leistungs-MOSFET oder -IGBT zu verhindern.

Die Pegelschieberschaltung 49 für den spannungsseitigen Kanal der Schaltung ist mit einem Eingang des Impulsgenerators 80 verbunden. Die Unterspannungs-Detektorschaltung 70 ist ebenfalls mit dem Impulsgenerator 80 verbunden und schaltet den spannungsseitigen Ausgangskanal bei Feststellung eines Unterspannungszustandes am Anschlußstift 3 ab.

Der Treiber nach Fig. 3 setzt im wesentlichen das Logik-Ein­ gangssignal an den Anschlußstiften 10, 11 und 12 auf eine niedrige Impedanz aufweisende und eine entsprechende Phase aufweisende Ausgangssignale um. Der Ausgangs-Anschlußstift 1 des erd- oder niederspannungsseitigen Kanals ist auf die feste Versorgungsspannung am Anschlußstift 3 bezogen, während der Ausgang des hochspannungsseitigen Kanals am Anschlußstift 7 auf die schwimmende Versorgungsspannung am Anschlußstift 6 mit einer Offsetspannungs-Fähigkeit von bis zu 600 Volt bezogen ist.

Für den hochspannungsseitigen Kanal werden schmale Einschalt- und Ausschalt-Impulse jeweils durch die Anstiegs- bzw. Abfall­ flanke des Einganges HIN in Fig. 3a von dem Impulsgenerator 80 erzeugt. Die jeweiligen Impulse, die in den Fig. 3b und 3c gezeigt sind, werden zur Ansteuerung getrennter Hochspannungs­ pegeltransistoren 81 und 82 verwendet, die den RS-Signalspeicher 94 setzen oder rücksetzen, der an der schwimmenden Versorgungs­ spannung arbeitet. Der Ausgang des RS-Signalspeichers 94, der in Fig. 3f gezeigt ist, wird dann zum Ein- und Ausschalten der MOSFET′s 100 und 101 verwendet. Wenn somit ein hohes Signal an den Rücksetzeingang R des RS-Signalspeichers angelegt wird, so wird das Ausgangssignal am Anschlußstift 7 abgeschaltet. Wenn ein hohes Signal an den Setzeingang S des Signalspeichers 94 angelegt wird, so schaltet das Ausgangssignal am Anschluß­ stift 7 ein.

Die Sourceelektroden der MOSFET′s 81 und 82 sind mit einer gemeinsamen Erdverbindung verbunden, und ihre Drainelektroden sind mit Widerständen 90 bzw. 91 verbunden. Die Verwendung von MOSFET′s ist wahlweise, und die Schaltung könnte auch mit einem bipolaren Pegelschiebertransistor aufgebaut werden.

Im Normalbetrieb erzeugt die Zuführung von Impulsen von dem Impulsgenerator 80 an die MOSFET′s 81 und 82 Ausgangspannungs­ impulse Vset und Vrst an den Verbindungspunkten zwischen den MOSFET′s 81 und 82 und ihren jeweiligen Widerständen 90 und 91. Die Impulse Vset und Vrst haben die in den Fig. 3d bzw. 3e gezeigten Schwingungsformen. Eine Pegelverschiebung des auf Erde bezogenen HIN-Signals am Anschlußstift 10 wird damit durch Umsetzen des Signals auf einen Bezug auf die schwimmende Ver­ sorgungsspannung erreicht. Weil jeder Hochspannungs-Pegel­ schiebertransistor 81 und 82 lediglich für die Dauer der kurzen Ein- oder Ausschaltimpulse bei jedem Fall des Setzens oder Rücksetzens eingeschaltet wird, wird der Leistungsver­ brauch zu einem Minimum gemacht.

Die Hochspannungs-Pegelschieberschaltung ist so aufgebaut, daß sie selbst dann normal arbeitet, wenn das Potential am An­ schlußstift 5 sich über einen Bereich von mehr als 5 Volt unterhalb und bis zu 600 Volt oberhalb der Spannung am An­ schlußstift 2 ändert. Die negative Spannung am Anschlußstift 5 kann während der Rezirkulationsperiode der am Ausgang ange­ ordneten Freilaufdiode in einer Schaltung der in Fig. 1 ge­ zeigten Art auftreten.

Bei der soweit beschriebenen Pegelschieberschaltung tritt ein Problem auf, weil das Signal am Anschlußstift 7 nicht mehr vor­ hersagbar ist, wenn ein Signal an den Anschlußstift 10 geliefert wird, während VB und VS auf derartigen Pegeln gehalten werden, daß die Pegelschieberschaltung nahezu ihre Funktionsfähigkeit verliert. Wenn zwei identische Zweige in der Pegelschieber­ schaltung verwendet werden, so haben die Widerstände RPUR und RPUS in Fig. 2 den gleichen Wert, so daß auch die Setzimpulse Vds, SET und die Rücksetzimpulse Vds, RESET in Fig. 3 die gleiche Höhe aufweisen. Wenn VS und VB absinken, so verliert die Pegelschieberschaltung schließlich ihre Funktionsfähigkeit, weil auch die Höhe der Impulse Vset und Vrst, die in den Fig. 3d und 3e gezeigt sind, abnehmen würde, und das Impulsfilter 93 nach Fig. 2 diese Impulse nicht mehr länger erfassen kann. Mit einer Prozeßänderung sind entweder RPUS oder RPUR von Halbleiterplättchen zu Halbleiterplättchen auf einer zufälligen Grundlage größer als der jeweils andere. Dies führt andererseits dazu, daß einer der beiden Pegelschieberschaltungszweige mit einem größeren Vorspannungsbereich arbeitet, wenn VB weiter auf COM absinkt. Bei einem Halbleiterplättchen, bei dem der Betriebsbereich der Setz-Schaltung größer ist, würde der An­ schlußstift 7 dauernd im Einschaltzustand gehalten werden, wenn dem Anschlußstift 10 ein Impulssignal zugeführt wird, während VS und VB auf derartigen Werten gehalten werden, daß lediglich die Setzschaltung betriebsfähig ist. In gleicher Weise würde bei einer Schaltung, bei der Betriebsbereich der Rücksetz­ schaltung größer ist, der Anschlußstift 7 dauernd im Abschalt­ zustand gehalten werden, wenn dem Anschlußstift 10 ein Impuls­ signal zugeführt wird, während VS und VB auf derartigen Werten gehalten werden, daß lediglich die Rücksetzschaltung betriebs­ fähig ist.

Diese Unsicherheit führt im Fall der integrierten Leistungs­ schaltung nach den Fig. 1 und 2 zu erheblichen Problemen. In dem Fall, in dem der Setz-Zweig einen größeren Betriebsbereich aufweist, könnte es möglich sein, daß der Anschlußstift 10 unerwartet einen hohen Pegel annimmt. Wenn beispielsweise in Fig. 1 ein Störimpuls am Anschlußstift 10 während der Rezirku­ lationsperiode erzeugt wird, bei der VS-Anschlußstift eine Spannung unterhalb von Erdpotential annimmt, so könnte der Anschlußstift 7 eingeschaltet werden und eingeschaltet bleiben. Dies führt sicherlich zu einem "Durchschlag"-Zustand, bei dem beide Leistungs-MOSFET′s in Fig. 1 gleichzeitig einschalten, was einen unerwünschten Fall darstellt.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird der Widerstand 91 (RPUR) größer gemacht als der Widerstand 90 (RPUS), um der Pegelschie­ berschaltung ein überwiegendes Rücksetzverhalten zu erteilen. Dies stellt sicher, daß Vds, RESET nach Fig. 3 eine höhere Amplitude als Vds, SET aufweist und daß der Betriebsbereich des Rücksetzzweiges der Pegelschieberschaltung größer als der des Setz-Zweiges ist. Beispielsweise kann der Widerstand 90 einen Widerstandswert von 1300 Ohm aufweisen, und er kann im Bereich von 1150 bis 1450 Ohm liegen. Der Widerstand 91 kann einen Widerstandswert von 1800 Ohm aufweisen, und er kann im Bereich von 1600 bis 2000 Ohm liegen. Vorzugsweise ist der Widerstandswert des Widerstandes 91 ungefähr 30% höher als der des Widerstandes 90.

Mit dieser Änderung verhält sich die Pegelschieberschaltung in der folgenden vorhersagbaren Weise, wenn das Potential VS unterhalb Erdpotential absinkt und das Potential VB diesem folgt. Wenn beide Impulse Vds, SET und Vds, RESET von der Schaltung 93 in Fig. 2 erfaßt werden können, so arbeitet die Eingangs-Ausgangs-Logik einwandfrei. Wenn VS und VB weiter absinken und die Schaltung 93 lediglich Vds, RESET erfassen kann, so bleibt der Anschlußstift 7 auf einem niedrigen Pegel. Wenn VS und VB noch weiter absinken und weder Vds, SET noch Vds, RESET von der Schaltung 93 erfaßt werden können, so bleibt der Anschlußstift 7 auf einem niedrigen Pegel. Bei diesem vor­ hersagbaren Verhalten der Pegelschieberschaltung tritt ein "Durchschlag"-Zustand bei der Schaltung nach Fig. 1 nicht auf. Das überwiegende Rücksetzverhalten kann auch in anderer Weise erreicht werden, beispielsweise dadurch, daß der Setz- und Rücksetz-Eingangsschwellenwertpegel für das Impulsfilter 93 in Fig. 2 entsprechend eingestellt wird.

Die Erfindung kann ebenfalls angewandt werden, wenn eine Pegelverschiebung von einer hohen zu einer niedrigen Spannung erfolgt. In diesem Fall würde der Pegelschiebertransistor ein P-Kanal-MOSFET- oder PNP-Transistor sein und der Pull-Up-Widerstand 90, das heißt der mit bei dem hohen Pegel entspre­ chenden Spannung verbundene Widerstand, würde zu einem Pull-Down-Widerstand, das heißt mit einem mit dem niedrigen Pegel verbundenen Widerstand, oder es könnte an dieser Stelle irgend­ eine andere Art von Stromsenke eingesetzt werden. Das über­ wiegende Rücksetzverhalten kann genauso ausgeführt werden, wie dies für die Pegelschieberschaltung zu einem hohen Pegel ge­ zeigt ist.

Claims (5)

1. Pegelschieberschaltung zur Umsetzung eines logischen Spannungszustandes von einem Spannungspegel zu einem anderen Spannungspegel, wobei die Pegelschieberschaltung eine Setz-Pegel­ schaltung (81, 90) zur Erzeugung eines Ausgangssignals zum Einschalten eines Leistungs-MOSFET′s (21) und eine Rück­ setz-Pegelschaltung (82, 91) zum Abschalten des Leistungs-MOSFET′s (21) umfaßt und ein Impulsgenerator (80) zur Erzeugung eines der Rücksetz-Pegelschaltung zugeführten Rücksetzsignals und eines der Setz-Pegelschaltung zugeführten Setz-Pegelsignals vorgesehen ist, wobei diese Signale in Abhängigkeit von Ein­ gangssignalen an den Impulsgenerator erzeugt werden, dadurch gekennzeichnet, daß mit der Pegelschieberschaltung ein überwiegendes Rücksetzverhalten aufweisende Schaltungs­ einrichtungen verbunden sind, die die Rücksetz-Pegelschaltung (82, 91) derart betätigen, daß der Leistungs-MOSFET (21) bei einem niedrigeren Eingangssignal abgeschaltet wird, als dies zum Betrieb der Pegelschieberschaltung erforderlich ist.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung Signalspeicher-Logik­ schaltungseinrichtungen (94) einschließt, die mit den Ausgängen der Setz- und Rücksetz-Pegelschaltungen (81, 90, 82, 91) verbunden sind, und daß die Signalspeicher-Logikschaltungs­ einrichtungen (94) mit dem Leistungs-MOSFET verbunden sind und Gate-Signale erzeugen, um den Leistungs-MOSFET in Abhängigkeit vom Empfang der Setz- bzw. Rücksetzsignale von den Setz- bzw. Rücksetz-Pegelschaltungen ein- bzw. auszuschalten.

3. Pegelschieberschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Setz- und Rücksetz-Pegelschal­ tungen jeweilige Schwellenwertpegel für ihren Betrieb aufweisen, und daß der Schwellenwertpegel der Setz-Pegelschaltung niedriger als der der Rücksetz-Pegelschaltung ist.

4. Pegelschieberschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Setz- und Rücksetz-Pegel­ schaltungen jeweilige einen Spannungsabfall hervorrufende Widerstände (90, 91) aufweisen, um die Setz- und Rücksetz-Aus­ gangspegel zu erzeugen, und daß der Widerstand (91) in der Rücksetz-Pegelschaltung einen höheren Widerstandswert als der Widerstand (90) in der Setz-Pegelschaltung aufweist.

5. Pegelschieberschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Leistungs-MOSFET (21) der spannungsseitige Leistungs-MOSFET von zwei Leistungs-MOSFET′s (21, 22) ist, die in einer Halbbrückenschaltung geschaltet sind, und daß die ein überwiegendes Rücksetzverhalten auf­ weisende Pegelschieberschaltung das gleichzeitige Einschalten des Paares von Leistungstransistoren (21, 22) durch Störsignale verhindert, die der Rücksetz-Pegelschaltung zugeführt werden.