DE2625007A1 - Adressenpufferschaltung in einem halbleiterspeicher - Google Patents
Adressenpufferschaltung in einem halbleiterspeicherInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Adressenpufferschaltung und insbesondere
eine Adressenpufferschaltung in einem Halbleiterspeicher.
Adressenpufferschaltungen in einem Halbleiterspeicher sind bekannt
und beispielsweise in der japanischen Offenlegungsschrift
96640/1974 (die der US-Anmeldung 313 420, eingereicht am
3. November 1972 entspricht) beschrieben und ermöglichen eine
schnelle Funktionsweise durch Verwendung eines dynamischen Flip-Flops, wie dies in Fig.5 dargestellt ist. Bei dieser Schaltung
dient ein Isolierschicht-Feldeffekttransistor (der beispielsweise ein Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor sein kann
und nachfolgend als MISFET bezeichnet werden soll) Q1 als
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TELEX O5-23 3B0
2625G
Übertragungsglied, um einen Pegel, der im Zusammenhang mit der Transistor-Transistor-Logik (TTL) auftritt, in einem digitalen
Pegel, der bei MISFETs auftritt, zu übertragen und ein Adresseneingangssignal A^ der Steuerelektrode eines Schalt-MISFETs
Qc- eines dynamisch.en Flip-Flops und der Steuerelektrode eines
MISIETs Q8 der Ausgangsstufe zuzuleiten. Die Last-HISFETs Q2
und Q5- des Flip-Flops dienen dazu, einen Strom bereitzustellen,
wenn sowohl das Bauteil-Einschalt- oder Betätigungssignal CE als auch ein Steuersignal des Speichers und der Taktimpuls 0
den Binärwert "1" aufweisen (d. h. wenn diese Signale einen
hohen Pegel aufweisen, wenn IT-Kanal-IiISFETs verwendet werden,
was bei den nachfolgend beschriebenen Schaltungen der Fall ist). Die Ausgangssignale A und A des Flip-Flops v/erden entsprechend
dein Eingangssignal A^, festgelegt. Die MISFETs Q^ und Q8, die
Teil einer Ausgangsstufe sind, werden von den jeweiligen Ausgangssignale S und A in den leitenden Zustand versetzt und
wählen einen vorgegebenen Decoder aus. Die MISFETs Qr7 und Qn,
die ebenfalls in der Ausgangsstufe enthalten sind, werden während des Zeitraumes, während dem das Bauteil nicht ausgewählt
ist (CE weist einen hohen Binärwert auf) in den leitenden Zustand gebracht und beide Ausgangssignale a· und ä· werden auf
dem Binärwert "0" gehalten.
Bei dem zuvor beschriebenen Schaltungsaufbau der Adressenpufferschaltung
dient das Bauteil-Einschaltsignal CE für den Flip-Flop als Stromquelle und stellt dem Flip-Flop über einen Inverter
Qp-Q/, oder Q^-Qc einen Gleichstrom bereit. Daher müsste
der Impulsgenerator, der das Bauteil-Einsehaltsignal CE erzeugt,
eine grosse Stromaufnahme aufweisen, d. h. es ist eine Treiberstufe,
die eine grosse Stromaufnahme aufweist bzw. einen grossen Strom bereitstellt, und die aus bipolaren Transistoren
aufgebaut ist, erforderlich. Dies führt jedoch zu Schwierigkeiten beim Herstellen von integrierten Schaltungen.
Wenn das Bauteil-Einschaltsignal CE einen niederen Binärwert "0" (Massepegel), das Eingangssignal A- einen hohen Binärwert
"1" (also einen hohen Pegel) und der Taktimpuls 0 einen hohen
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Pegel "1" aufweist, kann ein Eingangsstrom durch die MISFETs
Q^ und Qp fliessen. Da die Zahl der Adressenpufferschaltungen in einem Halbleiterspeicher üblicherweise gross ist (es treten zehn und mehr Adressenpufferschaltungen auf), so wird auch die Stromaufnahme gross. Ein ganzes Speichersystem enthält viele
solche Halbleiterspeicher und daher ist die gesamte Stromaufnahme noch wesentlich grosser.
Q^ und Qp fliessen. Da die Zahl der Adressenpufferschaltungen in einem Halbleiterspeicher üblicherweise gross ist (es treten zehn und mehr Adressenpufferschaltungen auf), so wird auch die Stromaufnahme gross. Ein ganzes Speichersystem enthält viele
solche Halbleiterspeicher und daher ist die gesamte Stromaufnahme noch wesentlich grosser.
Wenn eine Wortauswahlleitung angesteuert bzw. in Funktion gesetzt
wird, werden jeweils zwei MISPETs Q^-Qr7 oder Qq-Qq der
Ausgangsstufe beide in den nicht leitenden Zustand gebracht.
Daher verändert sich der Ausgangspegel des Inverters, der aus den nicht leitenden MISFETs besteht. Dann ändert auch der Decoder, der mit einem solchen Inverter in Verbindung steht,
seinen Spannungswert bzw. auch der Spannungswert des Decoders kann auswandern. Daher kann der Spannungspegel eines solchen
Decoders leicht von äusseren Störimpulsen oder -Signalen, von Rauschsignalen oder Streukapazitäten in der auf einem Halbleiterbaustein ausgebildeten Schaltung beeinflusst werden, so dass. Fehlfunktionen und eine fehlerhafte Arbeitsweise des Decoders auftritt.
Ausgangsstufe beide in den nicht leitenden Zustand gebracht.
Daher verändert sich der Ausgangspegel des Inverters, der aus den nicht leitenden MISFETs besteht. Dann ändert auch der Decoder, der mit einem solchen Inverter in Verbindung steht,
seinen Spannungswert bzw. auch der Spannungswert des Decoders kann auswandern. Daher kann der Spannungspegel eines solchen
Decoders leicht von äusseren Störimpulsen oder -Signalen, von Rauschsignalen oder Streukapazitäten in der auf einem Halbleiterbaustein ausgebildeten Schaltung beeinflusst werden, so dass. Fehlfunktionen und eine fehlerhafte Arbeitsweise des Decoders auftritt.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugx^unde, die genannten
Schwierigkeiten zu vermeiden und eine Adressenpufferschaltung
zu schaffen, bei der der durch die Eingangsstufe fliessende
Strom verringert und das Sichverändern oder Auswandern des
Ausgangspegels verhindert werden kann.
Strom verringert und das Sichverändern oder Auswandern des
Ausgangspegels verhindert werden kann.
Diese Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen 1, 7 und 8
angegebenen Schaltungen gelöst.
angegebenen Schaltungen gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen.der erfindungsgemässen Schaltungen
sind in den UnteranSprüchen angegeben.
Gemäss einer Ausführungsform der Erfindung ist eine Adressenpuff
erschaltung in einem Halbleiterspeicher, der in einem
Halbleiter-Eaustein ausgebildet ist, und der für ein Eingangs-
Halbleiter-Eaustein ausgebildet ist, und der für ein Eingangs-
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signal A- zwei entgegengesetzte Ausgangssignale a- und a7 benötigt,
vorgesehen, der folgende Schaltungsteile aufweist: Einön dynamischen riip-Flop, dem das Eingangssignal A^ zugeleitet
v:ird, und der Ausgangssignale A und A bereitstellt,
sowie Ausgangsstufen, denen die Auεgangεsignale A und Ä zugeleitet
werden, und die Äurgangsslgnale a· und ä~ erzeugt.
An den Anschlüssen des dynamisehen Flip-Flops für die Spannungsversorgung
liegt eine Bezugsspannung an. Die Steuerelektrode
eines Last-MISFETs des Flip-Flops wird mit einem Signal' beaufschlagt,
um den Last-Flip-Flop während eines vorgegebenen Zeitraumes,
der gleichzeitig mit einem Bauteil-Einschaltsignal vorliegt, in den leitenden Zustand zu bringen. Die Ausgangssignale
A und Ä des Flip-Flops werden den Steuerelektroden von jeweils einem MISFET der Inverter zugeleitet, die eine Ausgangsstufe
bilden. Die Steuerelektrode des anderen MISFETs jedes
Inverters erhält ein Signal mit einer Phase zugeleitet, die der Phase des Signales entgegengesetzt ist, die der Steuerelektrode
des zuvor genannten MISFETs zugeführt wird. Den mit dem Kasseanschluss verbundenen MISFETs des Flip-Flops und
der Ausgangsstufe liegen jeweils HISFE1Is parallel, die so gesteuert
werden, dass sie während der Zeit, während der das Bauteil nicht ausgewählt i°t, leiten. .
Die Erfindung schafft alro eine Adressenpufferschaltung in einem.
Halbleiterspeicher mit einem aus MlSFETs bestehenden Flip-Flop und einer aus zwei, ebenfalls aus HlSFETs gebildeten Invertern
bestehenden Ausgangsstufe. Am Flip-Flop liegt eine konstante .
Spannung an. Der Flip-Flop wird von einem Impulssignal mit kurzer Impulsdauer getriggert. An den Steuerelektroden der
MISFETs jedes Inverters liegen solche Signale an,-um-wenigstens
ein MISFET in jedem Inverter während des Zeitraumes, in
dem Signale bereitgestellt v/erden, in den leitenden Zustand zubringen,
um ein Auswandern oder ein Sichverändern des Ausgangs—
pegelε zu verhindern.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnungen beispielsweise
näher erläutert. Es zeigen:
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" 5" 262iiüO7
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemässen Adressenpuff
er schaltung,
Fig. 2 die Schaltung eines Impulsgenerators,
Fig. 3 mögliche, in der in Fig. 2 dargestellten Schaltung auftretende
Schwingungsformen,
Fig. 4 eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemässen
Adressenpufferschaltung und
Fig. 5 eine herkömmliche Adressenpufferschaltung.
Fig. 1 zeigt eine Adressenpufferschaltung, die in Prinzip
analog der in Fig. 5 dargestellten herkömmlichen Schaltung aufgebaut ist. In sämtlichen Figuren sind entsprechende Schaltungsteile
und -elemente mit gleichen Bezugszahlen versehen. Ein dynamischer Flip-Flop enthält die MISFETs Q2 bis Q5.Die
MISFETs Q2 und Q, dienen als Last. Ein Signal CE1 wird gleichzeitig
mit einem im weiteren noch zu erläuternden, das Bauteil in Funktion setaenden (also steuernden) Signal CE den Steuerelektroden
der last-MISFETs Qp und Q7 zugeleitet, um die
Gleichstrom-Aufnahme dieses Flip-Flops zu verringern. Die Versorgungsquelle stellt eine Bezugs spannung V^ bereit.
Das Adresseneingangssignal A- gelangt über einen Übertragungs-MISFET
Q1 an die Steuerelektrode eines Eingangs-MISFETs Q5
dieses Flip-Flops. Die Ausganssignale A und 5 des Flip-Flops
werden einer Ausgangsstufe zugeleitet, die im weiteren noch beschrieben
wird und verhindern, dass die Ausgangswerte sich verändern bzw. wandern. Die Ausgansstufe enthält einen Invertes>teil,
der aus den MISFETs Qg und Qr7 gebildet ist sowie einen
weiteren Inverterteil, der aus den MISFETs Qo und Qq besteht. Die-Ausganssignale X und A des Flip-Flops gelangen an die
Steuerelektroden der MISFETs Qg bzw. Qg. An den Steuerelektroden
der MISFETs Q1-, und Qq liegen die Aus gang ε sign ale a^ bzw. ä~
des anderen Inverterteiles. Weiterhin liegen den MISFETs Q^,
Q5, Q7 und Qq die MISFETs Q10 bis Q15 parallel. Die Steuerelektroden
dieser MISFETs Q10 bis Q1^ erhalten ein Signal "SE
zugeführt, das während des Zeitraums, in dem das Schaltungsteil nicht ausgewählt bzw. angesteuert wird, einen hohen Binärwert
aufweist, so dass dadurch der Zustand des Flip-Flops.und die
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Ausgangssignale a- und "ä~~ festgelegt sind. Wenn das Signal CE
den Binärwert "1" aufweist, so zeigen die Ausgangssignale A und Ä den Flip-Flops und die Ausgangssignale a· und a- der Ausgangsstufe
den Einärwert "0".
Die 'Versorgungsspannung für die Ausgangsstufe kann im vorliegenden
Fall die Eesugsspannung V^n oder das Bauteil-Einschaltsignal
CE (das während, des Zeitraumes, in dem das Bauteil ausgewählt
ist, den Binärwert "1" aufweist) sein, wenn eine andere Bezugsspannung vorgesehen ist.
Der Flip-Flop in einem Halbleiterspeicher ist dazu erforderlich,
die Ausgangssignale nur für 30 bis 40 iianoSekunden bei Auswahl
des Bauteiles auftreten zu lassen. Daher kann das Signal CE1,
das die Last-MISFETs Q~ und Q^ steuert, von der in Fig. 2 dargestellten
Schaltung bereitgestellt werden. Bei der in Fig. 2 dargestellten Schaltung ist die folgende logische Gleichung
(1) erfüllt:
CE< = CE (a±
Die parallelen Schalt-MISFETs Q^1- und Q^g sind mit einem Last-MISFET
Q^ in der vorangegangenen Stufe verbunden und die Ausgangssignale
a- und "äT der Ausgangsstufe werden den Steuerelektroden
der MISFETs Q^n und Q^6 zugeleitet. Das Ausgangssignal
dieser Schaltung (der vorangegangenen Stufe) steuert den Last-MISFET Q^ der nachfolgenden Stufe. Daher ist der
Last-MISFET CLn mit den zueinander parallel geschalteten
MISFETs Qx1Q und CLq verbunden, denen die Ausgangssignale a· und
a7 der Ausgangstufe, die der vorangegangenen Stufe entspricht,
zugeleitet werden. Das Bauteil-Einschaltsignal CE wird dieser letztgenannten Stufe als Versorgungsspannung zugeführt.
Wx3 aus den Schwingungsformen in Fig. 3 zu ersehen ist, weisen
die Ausgangssignale a· und ~ bei dem zuvor beschriebenen Schaltungsaufbau im Vergleich zu dem Bauteil-Einschaltssignal
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CE auf Grund der Zeitverzögerungen im Flip-Flop und in der Ausgangsstufe
eine Zeitverzögerung auf. Das Ausgangssignal CE'
dieses Impulsgenerators weist von dem Zeitpunkt an einen hohen Pegel auf, wenn das Signal CE zu dem Zeitpunkt in den hohen
Pegel übergeht, wenn das Signal a- oder a· in einen hohen I'egel übergeht.
Der dynamische, von einem solchen Signal CE1 angesteuerte Flip-Flop
ermöglicht auch, dass nur der Minimumstrom fIiesst, um
eine Verringerung der Leistungsaufnahme zu erreichen. Bei diesem Ausführungnbeispiel hat das Bauteil-Einschaltsignal CE normalerweise
eine Impulsbreite von 100 bis 150 HanoSekunden. Daher
ist die Gleichstromaufηahme bei der zuvor beschriebenen Schaltung
mindestens Um die Hälfte kleiner.
Um einen dynamischen Flip-Flop zu erhalten, werden die Last-MISFJy]1S
Q2 und Q, mit einer konstanten Spannung V^ beauf-.
schlagt und vom Signal CE1, das an den Steuerelektroden anliegt,
gesteuert. Daher kann kein Strom zwischen der Eingangsklemme A. und der Klemme, an der das Signal CE1 auftrifft, fliessen,
und es kann auch praktisch kein Gegen- oder Rückstrom von der Eingangsklemme A. zur Klemme, an der die Versorgungsspannung V-,,,,
auftrifft fliessen. Daher nimmt der Rückstrom im Vergleich zu
der in Fig. 5 dargestellten, herkömmlichen Adresseni^ufferschctltung
von 0,7 triA- auf 1 bis 5 uA ab. Da das dynamische
Steuersignal CE', das eine kurze Impulsdauer aufweist, an den Steuerelektroden der Last-l'USFETs Q- und Q7 anliegt, kann die
Stromaufnahme sehr klein gehalten werden.
Die Ausgangsschaltung erzeugt die Ausgangssignal a^.und iT"
über die komplementären Schalt-HISFETε Qg-Qn un^ Qq-Qq ^1^
daher können sich die Ausgangssignale IC" und a· in ihrem Spannungswert nicht verändern und auswandern.. Da die Schalt-MISFETs
Q^ und Qr7 (Qg und Qq) komplementär arbeiten, entstehen auch·
dann keine Schwierigkeiten, wenn das Signal CE als Versorgungsspannung dient.
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Während des Zeitraumes, in dem das Eauteil nicht ausgewählt ist,
tritt an den HISFETs Q.Q bis Q^ das Signal CE auf, das während
des* Zeitraumes, in dein das Bauteil nicht ausgewählt ist, einen
hohen Binärwert aufweist, so dass die KISi1ETs Q^q bis Q^ in
den leitenden Zustand versetzt werden. Daher liegen die Ausgangsleitungen des Flip-Flops an Masse und legen den Anfangswert des Flip-Flops vor dessen Ansteuerung fest- Danach arbeitet
dieser Flip-Flop in Abhängigkeit vom Eingangssignal A-.
Bei dem zuvor beschriebenen Ausführungsbei spiel sind sämtliche
MISFETs H-Kanal-MISFETs. Natürlich kann eine entsprechende
Schaltung auch mit P-Kanal-MISFETs aufgebaut werden. In diesem
Falle sollte die Versorgungsspannung entgegengesetzte Polarität
aufweisen.
Die Last-MISFETs Q2 und Q, des Flip-Flops können auch durch das
Bauteil-Einschaltsignal CE gesteuert werden. In diesem Falle muss jedoch mit einer grösseren Gleichstromaufnahme als dies
bei dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel der Fall war, gerechnet werden.
Wie in Fig. 4- dargestellt ist, können die Ausgangssignale A"
und A (A und Ä) des Flip-Flops den Steuerelektroden der MISFETs Qg und Q7 (Qg und Qq) der Inverterschaltung zugeleitet werden.
Es kann auch ein weiterer, vom Bauteil-Einsehaltsignal CE gesteuerter
MISFET Q^1 in der Eingangsstufe vorgesehen sein,
um zu verhindern, dass der Eingangsstrom während der Zeit, während der das Bauteil nicht ausgewählt ist, durch die MISFETs
Q^ und Q^0 fliesst.
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Claims (8)
- Patentansprüche[ 1·") Adressenpuff er schaltung in einem Halbleiterspeicher, gekennz ei chnet durch einen dynamischen Flip-Flop (Q2-Qc) mit einera ersten (Q2, Q^) und einem zweiten (Q^, Qc) Inverter, die unterschiedliche Ausganssignale (A, 1) bereitstellen und eine Ausgangsstufe (Qg-Q0) mit einem dritten (Q6, Qr7) und einem vierten (Qg, Qq) Inverter, der die Ausgangssignale (A, A) des Flip-Flops (Q2-Qc) zugeführt erhält und unterschiedliche Ausgangssignale (a,,, iL) bereitstellt, wobei der erste (Q2, Q^.) und der zweite (Q7,, Qc) Inverter mit einem Impulssignal (CE1) gesteuert werden, dessen Impulsbreite kleiner als die Impulsbreite des Steuersignales (GE) im Speicher ist.
- 2. Adressenpufferschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste (Q2, Q^), der zweite (Q,, Qc), der dritte (Qg, Q7) und der vierte (Qg, Qq) Inverter jeweils in Reihe geschaltete Metall-Isolator-HalblexterFeldeffekttransistor en (MISFETs) aufweist, wobei der erste (Q2, Q^) und der zweite (Qv, Qc) Inverter jeweils mit einer Versorgungsquelle verbunden ist, die wenigstens während des Zeitraumes, in dem das Treiber-Impulssignal (CE') auftritt, eine Bezugsspannung ("V-mO bereitstellt.
- 3· Adressenpufferschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die in Reihe geschalteten MISFETs des dritten (Q55-Qr7) und des vierten (QQ, Q9) Inverters wenigstens während des Auftretens des Steuersignales CCE) zwischen der Bezugsspannungsquelle (V-^) und einem Anschluss (Masse) für ein Bezugspotential liegen und die Ausgangssignale (a^, S1) des dritten (Q6, Q7) und des vierten (Q8, Q9) Inverters jeweils einen MISFET (Q9 bzw. Qr7) des vierten (Q8, Q9) und des dritten (Q6, Q7) Inverters zugeleitet werden, so dass wenigstens ein MISFET in jedem der dritten (Q6, Q7) und des vierten (QQ, Q9) Inverter in den leitenden Zustand gebracht werden, wenn eines derG09886/0735-Λ0 ~ -2&25-00 7Ausgangssignale (a^, a^) erzeugt wird.
- 4·. Adressenpufferschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass Jeweils einem MISFET (Q^, Q,-, Qnι Qq) des ersten (Qp, Qz1.), des zweiten (Q,, Qc), des dritten (Q^, Qo) und des vierten (Qq5 Qq) Inverters ein MISFET (Qx,Q-Q^7) parallel liegt, an dessen Steuerelektroden ein weiteres Steuersignal (CjS) anliegt, das zum Steuersignal (CE) komplementär ist, so dass die Schaltungszustände der jeweiligen Inverter (Qo-Qq) vor Beginn des Steuersignales (CE) festgelegt sind.
- 5· Adressenpuff erschaltung nach einem der Ansprüche Λ "bis 4-, dadurch gekennzeichnet, dass das Eingangssignal (A^) dem Flip-Flop (Q2-Q5) über zwei in Reihe geschalteten MISFETs (Q 'ι CL·) zugeführt wird, wobei die Steuerelektrode des einen MISFETs (Q^') mit dem Steuersignal (CE), die Steuerelektrode des anderen MISPETs (Q^) mit einem Adressensignal (ADL) und die Steuerelektroden der MISFETs (Q6-Qg) des jeweiligen dritten (Q-, Q7) und des vierten (Qg, Qn) Inverters mit unterschiedlichen Ausgangssignalen (A, Ä) des Flip-Flops (Q2-Qc) beaufschlagt wird (Fig. 4-).
- 6. Schaltung zur Erzeugung eines Trigger-Impulssignales für die Adressenpufferschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch einen Eingang für das Steuersignal (CE), einen Masseanschluss, einen Ausgang für ein Ausgangssignal (CE1), dessen Spannungspegel im wesentlichen gleich dem Spannungspegel des Steuersignales (CE) ist und das gleichzeitig mit dem Steuersignal (CE) auftritt und Schaltungsteile, die den Ausgang mit dem Masseanschluss kurzschliessen, wenn ein Ausgangssignal (a^, Iu) von der Ausgangsstufe (Qg-Qq) der Pufferschaltung anliegt (Fig. 2).
- 7· Eingangs- Pufferschaltung in einem MIS-Speieher, gekennzeichnet durch einen ersten (Q^), einen zweiten (Qc), einen -dritten (Q2) und einen vierten (Q^) MIS-Schaltungsteil,609886/0735die jeweils eine erste und eine zweite sowie 'eine isolierte Steuerelektrode aufweisen, wobei die erste Elektrode des ersten (Q^) und des zweiten (Qc) MIS-Schaltungsteiles mit einer Versorgungsquelle (Masse) und di-e zweiten Elektroden mit jeweils der ersten Elektrode des dritten (Qp) un<^ vierten (Q^) MIS-Schaltungsteiles, sowie mit den Steuerelektroden des zweiten (Qc) und des ersten (Q^) Schaltungsteiles verbunden sind und die zweiten Elektroden des dritten (Qp) und des vierten (Q17) MIS-Schaltungsteiles mit einer ersten Bezugsspannung (Vym) und deren Steuerelektroden mit einer zweiten Bezugεspannung (CE') beaufschlagt werden, wobei die vier MIS-Schaltungsteile (Q0-Qc) einen Flip-Flop bilden, der in Punktion tritt, wenn die Bezugssignale (V-jyp., CE1) anliegen, die Eingangs-Pufferschaltung Schaltungsteile, die auf ein Eingangssignal ansprechen und den Schaltungszustand des Flip-Flops (Q0-Q5) festlegen, und Schaltungsteile aufweisen, die den Schaltungszustand des Flip-Flops an wenigstens einen Pufferausgang, übertragen, die erste Bezugsspannung (V-^) ein Spannungssignal ist, das wenigstens für einen ersten Zeitraum eine Bezugsspannung beibehält und die zweite Bezugsspannung (CE') ein Spannungssignal darstellt, welches während eines zweiten Zeitraumes einen Bezugswert beibehält und der zweite Zeitraum gleichzeitig mit dem ersten Zeitraum beginnt, jedoch kürzer als der erste Zeitraum ist.
- 8. Adressenpufferschaltung in einem Halbleiterspeicher, bei dem in Abhängigkeit eines Eingangssignales zwei unterschiedliche Ausgangssignale erforderlich sind, gekennzeichnet durch einen dynamischen Flip-Flop (Qp-Qt-), dem ein Eingangssignal (A,,) zugeleitet wird und der über eine Ausgangsstufe wechselseitige, unterschiedliche Ausgangssignale (A, Ä) bereitstellt, wobei der dynamische Flip-Flop (Q2-Qc) eine feste Versorgungsspannung (V^) zugeführt erhält und Last-MISFETs (Qp, Qv) aufweist, deren Steuerelektroden jeweils ein Signal (CE1) zugeleitet wird, das die Last-MISFETs (Qp, Q^) einen vorgegebenen Zeitraum lang,G 0 9 8 B 6 / 0 7 3 5der gleichzeitig nit einem Bauteil-Einschaltsignal (CE) im Halbleiterspeicher vorliegt, in den leitenden Zustand bringt, wobei die Ausgangssignale (A, Ä) des Flip-Flops (Qp-Qc-) den Steuerelektroden von jeweils einem (Qg, Qg) MISFET der Inverter (Qg-Qq), die die Ausgangsstufe bilden, zugeleitet werden, die Steuerelektroden der jeweils anderen MISFETs (Qr7, Qq), die die Invert er schaltungen (Qg-Qq) bilden, die Signale (A,Ä) in entgegengesetzter Phase zu den Signalen zugeleitet bekommen, die an den Steuerelektroden der jeweiligen einen MISFET (Qg, Qg) liegen, und MISFETs (Q^]Q-Qx|v), die während des Zeitraumes, in dem das Bauteil nicht ausgewählt worden ist, leitend sind, parallel zu den am Massepotential liegenden MISFETs (Q^, Qc, Qo, Qq) des Flip-Flops (Qp-Qc) und der Ausgangsstufe (Qg-Qq) liegen._6098 8 6/0735Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50066565A JPS51142925A (en) | 1975-06-04 | 1975-06-04 | Address buffer circuit |
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Family
ID=13319589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE2625007A Expired DE2625007C3 (de) | 1975-06-04 | 1976-06-03 | Adressenpufferschaltung für Halbleiterspeicher |
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Date | Code | Title | Description |
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OI | Miscellaneous see part 1 | ||
OI | Miscellaneous see part 1 | ||
8228 | New agent |
Free format text: VON FUENER, A., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT. EBBINGHAUS, D., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |
|
8228 | New agent |
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|
8281 | Inventor (new situation) |
Free format text: SATO, TAKASHI, KODAIRA, JP |
|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
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|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |