DE3630679A1 - Stromversorgungsschalter-schaltkreis fuer groesstintegration auf einem wafer - Google Patents
Stromversorgungsschalter-schaltkreis fuer groesstintegration auf einem waferInfo
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Description
Die Erfindung betrifft den Schutz von Halbleiterchips
und insbesondere einen Stromversorgungsschalter-Schalt
kreis zur Erfassung eines Masseschlußes in einem Schalt
kreis und zum Abschalten der Stromversorgung für den
fehlerhaften Schaltkreis.
Ein Kurzschluß oder Kriechstrom zwischen der Stromver
sorgung und Masse führt gewöhnlich dazu, daß ein Halb
leiterschaltkreis nicht mehr zu gebrauchen ist. Normaler
weise würden Chips mit einem derartigen Fehler weggeworfen.
Bei Größtintegration auf einem Wafer, einem WSI-Chip,
der auf einem einzelnen Wafer mehrere Schaltkreise enthält,
will man nicht den gesamten Wafer wegwerfen, nur weil
ein Schaltkreis auf dem Wafer fehlerhaft ist. Auch ist
infolge der Größe der Schaltkreise die Wahrscheinlichkeit,
daß einer der Schaltkreise einen Kurzschluß zwischen
Stromversorgung und Masse aufweist, stark vergrößert.
Es ist erforderlich, auf irgendeine Weise die Stromversor
gung zu Teilen des Schaltkreises abzuschalten, in denen
Kurzschlüsse vorliegen, ohne andere Teile des Schaltkreises
zu beeinflussen. Auf diese Weise könnte man die anderen
Teile des Schaltkreises benutzen, selbst wenn ein Kurz
schluß in Abschnitten des Schaltkreises vorliegt.
Für andere Anwendung sind zahlreiche Schutzschaltungen
entworfen worden. Beispielsweise ist in der US-PS 40 78
200 eine Schaltung beschrieben, die ein Gerät gegen durch
einen Kurzschluß hervorgerufenen zu hohen Strom schützt.
Dies wird durch Begrenzung des Stroms zu dem Gerät bewirkt.
Jedoch wird bei der bekannten Schaltung kein Versuch
gemacht, den Strom abzuschalten.
Bei der in der US-PS 44 63 270 beschriebenen Schaltung
wird eine Differenz in den relativen Amplituden zweier
Spannungen festgestellt, aber wiederum nicht der Strom
bei Auftreten eines Kurzschlußes abgeschaltet.
Aus der US-PS 43 29 600 ist eine Schutzschaltung mit
einer Vorrichtung zur Begrenzung übermäßiger Verlust
leistung in ihrer Ausgangsstufe bekannt. Wenn die Aus
gangstrennstufe eingeschaltet wird, falls die Ausgangs
spannung nicht einen gewünschten Pegel in einer bestimmten
Zeit erreicht, erzeugt die Schaltung einen Kurzschluß
von der Stromversorgung zur Masse, um die Ausgangstrenn
stufe abzuschalten. Daher eliminiert diese Schutzschaltung
natürlich keine Kurzschlüsse von der Stromversorgungmasse.
Eine in der US-PS 43 53 105 beschriebene Schaltung entdeckt
latch-up-Effekte, die zu einem übermäßigen Stromverbrauch
führen. Die Schaltung schaltet den Chip ab, führt die
übermäßige Ladung ab, und schaltet dann den Chip wieder
ein. Hierdurch wird jedoch nicht das bei Auftreten eines
Kurzschlußes in einem Abschnitt eines Schaltkreises auftre
tende Problem gelöst.
Es bleibt daher weiterhin erforderlich, eine Vorrichtung
bereitzustellen, die einen Kurzschluß in einem Abschnitt
eines Schaltkreises eines Chips feststellt und diesen
Abschnitt dauernd abschaltet.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen
Schaltkreis zum Nachweis des Vorliegens eines Kurzschlusses
der Stromversorgung in einem Schaltkreis eines Halbleiter
chips oder in einem Abschnitt des Chips bereitzustellen.
In vorteilhafter Weise wird gemäß der vorliegenden Er
findung ein derartiger Nachweis-Schaltkreis bereitgestellt,
der auch die Stromversorgung zum Schaltkreis beim Vorliegen
eines Kriechstroms von der Stromversorgung zu Masse abschal
tet.
Diese und weitere Vorteile der Erfindung werden nachstehend
noch genauer anhand der folgenden Bemerkungen im Zusammen
hang mit den Zeichnungen erläutert.
Kurzgefaßt wird ein Stromversorgungsschalter-Schaltkreis
gemäß der vorliegenden Erfindung bereitgestellt, der
Kriechströme von der Stromversorgung zu Masse in einem
Abschnitt eines Schaltkreises entdeckt und die Stromver
sorgung zu diesem Abschnitt abschaltet. Der Stromversor
gungsschalter-Schaltkreis umfaßt:
- a) eine auf einen Eingangsrücksetzimpuls reagierende Vorrichtung zum Einschalten eines Schalters;
- b) eine Vorrichtung zum Abtasten einer über dem Schalter anliegenden Spannung und zur Feststellung, ob diese Spannung oberhalb oder unterhalb eines festlegbaren Grenzwerts liegt, wobei die erste Bedingung einen Kriechstrom und die zweite Bedingung die ordnungsgemäße Funktion des Schaltkreisabschnitts anzeigt; und
- c) eine selbsthaltende Schalteranordnung zum Abschalten der Stromversorgung zu dem Schaltkreisabschnitt nach Beendigung des Rücksetzimpulses für den Fall, daß in dem Schaltkreisabschnitt ein Kriechstrom auftritt, und zur Aufrechterhaltung der Stromversorgung zu dem Schaltkreisabschnitt nach Beendigung des Rücksetz impulses in dem Fall, daß der Schaltkreisabschnitt ordnungsgemäß arbeitet.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform umfaßt der Strom
versorgungs-Schaltkreis:
- a) eine Stromversorgungseingangsvorrichtung mit einer Spannungsquelle und Masse;
- b) eine Vorrichtung zum Empfang eines Rücksetzimpulses;
- c) eine erste Schaltvorrichtung mit einem ersten Schalter, der in Reihe zu einer Leitung der Eingangsvorrichtung für die Stromversorgung zu dem Schaltkreisabschnitt geschaltet ist und invers auf sowohl den Rücksetzimpuls und den Zustand der Stromversorgungs-Eingangsleitung für den Schaltkreisabschnitt nach einem Rücksetzen reagiert; und
- d) eine zweite Schaltvorrichtung, die zwischen die Strom versorgungs-Eingangsleitung und die Stromversorgungs- Eingangsleitung für den Schaltkreisabschnitt geschaltet ist und direkt auf die Rücksetzvorrichtung reagiert.
Vorteilhafterweise ist der Stromversorgungs-Schaltkreis
gemäß der vorliegenden Erfindung automatisch. Ein Chip-
Schaltkreis muß nicht per Hand überprüft werden, und
kein Laser oder eine andere Vorrichtung ist zum Abtrennen
von Stromversorgungsleitungen auf dem Chip-Schaltkreis
erforderlich. Falls Kurzschlüsse festgestellt werden,
während die Chip-Schaltung rückgesetzt wird, wird vielmehr
keine Masse an den defekten Abschnitt angelegt. Wenn
ein Kurzschluß während des Betriebs auftritt, wird auto
matisch der defekte Schaltungsteil abgetrennt. Daher
wird die Überprüfung von WSI-Chips (auf einem Wafer größt
integrierten Chips) erleichtert. Darüber hinaus können
Anwender des Chips leicht Kurzschlüsse von der Stromver
sorgung zur Masse ohne Schwierigkeiten beseitigen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand zeichnerisch darge
stellter Ausführungsbeispiele näher erläutert, aus welchen
weitere Vorteile und Merkmale hervorgehen.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung mehrerer Schalt
kreisabschnitte oder geschalteter Module auf
einem Wafer mit einem Stromversorgungsschalter-
Schaltkreis gemäß der Erfindung, der jedem Modul
zugeordnet ist;
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer Ausführungs
form des erfindungsgemäßen Stromversorgungs
schalter-Schaltkreises, der in Reihe zur Masse
seite eines geschalteten Moduls geschaltet ist;
Fig. 3 eine schematische Darstellung einer zweiten
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Stromver
sorgungsschalter-Schaltkreises, der in Reihe
zur Spannungsversorgungsseite eines geschalteten
Moduls geschaltet ist; und
Fig. 4 eine schematische Darstellung einer bevorzugten
Ausführungsform des erfindungsgemäßen Stromversor
gungsschalter-Schaltkreises.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde,
den Waferschaltkreis in kleinere Abschnitte oder geschal
tete Module zu unterteilen, und zwar auf eine derartige
Weise, daß bei Verlust irgendeines der geschalteten Module
keine nachteilige Beeinflußung der Gesamteigenschaften
der Schaltung erfolgt. Ein Stromversorgungsschalter-
Schaltkreis, wie er gemäß der Erfindung vorgeschlagen
wird, kann entweder in der positiven oder negativen Strom
versorgungsleitung für jeden der geschalteten Module
vorgesehen werden.
Der erfindungsgemäße Stromversorgungsschalter-Schaltkreis
arbeitet so, daß ein Stromverbrauch in dem geschalteten
Modul überwacht wird, wenn dieser nicht aktiv ist, und
daß die Stromversorgung zu dem geschalteten Modul abge
schaltet wird, wenn die Stromentnahme einen vernünftigen
Grenzwert im inaktiven Zustand überschreitet.
Der erfindungsgemäße Stromschalter ist in Reihe zur negati
ven Stromversorgung geschaltet, wenn das Substrat vom
N-Typ ist, und in Reihe zur positiven Stromversorgung,
wenn das Substrat vom P-Typ ist. Diese Einschränkung
rührt von daher, daß das Substrat auf dem Pegel einer
der Vorsorgungspannungen liegt und nicht geschaltet werden
kann.
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugsziffern jeweils
gleiche Teile. Auf einem Wafer 10 sind mehrere geschaltete
Module 12 angeordnet, die zusammen einen Schaltkreis
bilden. Jeder Modul weist einen Anschluß für eine Span
nungsquelle (VOD) 14 und einen Masseanschluß (GND) 16
auf. Die Spannungsquelle kann positiv oder negativ sein,
abhängig vom Leitfähigkeitstyp des Wafers 10 wie voran
stehend beschrieben.
Gemäß der Erfindung ist ein Stromversorgungsschalter-
Schaltkreis 18 zwischen der Stromquelle 14 und Masse
16 und jedem geschalteten Modul 12 angeordnet. Der Strom
versorgungsschalter-Schaltkreis 18 umfaßt eine Schaltkreis
vorrichtung zum Nachweis von Kriechströmen in einem Ab
schnitt eines Schaltkreises, der hier als geschalteter
Modul 12 bezeichnet wird. Jeder geschaltete Modul kann
überprüft und abgeschaltet (von der Stromversorgung ausge
schlossen) werden, wenn ein Kriechstrom von der Stromver
sorgung zur Masse entdeckt wird.
Ein außerhalb des Stromversorgungsschalter-Schaltkreises
18 erzeugter Rücksetzimpuls wird über eine Leitung 20
zugeführt. Im Schalterschaltkreis 18 ist eine auf den
Rücksetzimpuls reagierende Vorrichtung vorgesehen, die
einen Schalter 22 einschaltet, eine Vorrichtung zum Abtas
ten einer Spannung über dem Schalter 22 und zur Festle
gung, ob diese Spannung oberhalb oder unterhalb eines
festlegbaren Wertes liegt, und weiterhin eine selbsthalten
de Anordnung zum Abtrennen der Stromversorgung zum geschal
teten Modul 12 nach Beendigung des Rücksetzimpulses,
wenn der geschaltete Modul 12 einen Kriechstrom aufweist,
und um die Stromversorgung zum geschalteten Modul 12
aufrechtzuerhalten, nachdem der Rücksetzimpuls beendet
ist, falls der geschaltete Modul 12 ordnungsgemäß arbei
tet. Durch Abschalten eines geschalteten Moduls, bei
dem ein Kriechstrom auftritt, arbeitet der Rest des Schalt
kreises mit den übrigen geschalteten Modulen weiter.
Der Stromversorgungsschalter-Schaltkreis 18 kann massesei
tig (zur Verwendung mit einem Substrat 10 vom N-Typ),
wie in Fig. 2 dargestellt, oder auf der Spannungsversor
gungsseite (zur Verwendung mit einem Substrat 10 vom
P-Typ), wie in Fig. 3 dargestellt, eingesetzt werden.
In Fig. 2 ist eine einfache Ausführungsform des Stromver
sorgungsschalter-Schaltkreises 18 dargestellt, bei welcher
der Schalter 22 (ein Transistor vom N-Typ) an der Masse
seite 16 vorgesehen ist. Ein NAND-Gatter 24, beispiels
weise mit zwei P-Transistoren 26, 28 und zwei N-Transisto
ren 30, 32, reagiert auf den Rücksetzimpuls 34 auf der
Leitung 20. Das NAND-Gatter 24 schaltet den Schalter
22 ein und überprüft die Spannung über dem Schalter 22
zwischen der Masseleitung 16 a (vom geschalteten Modul
12) und Masseleitung 16 ((von der Stromversorgung) (nicht
dargestellt)).
Wenn die überwachte Spannung einen vorher festgelegten
Wert überschreitet, beispielweise 1,5 Volt, wird das
Vorliegen eines Kriechsstroms von der Stromversorgung
zur Masse in diesem geschalteten Modul angenommen. Liegt
die abgetastete Spannung unterhalb des festgelegten Wertes,
so wird angenommen, daß der geschaltete Modul ordnungsgemäß
arbeitet.
Nach Beendigung des Rücksetzimpulses 34 hält das NAND-
Gatter 24 den Schalter 22 in der offenen oder ausgeschal
teten Stellung und unterbricht hierdurch die Stromzuführung
zum geschalteten Modul 12, wenn ein Kriechstrom festge
stellt wird. Sonst hält das NAND-Gatter 24 den Schalter
22 in der geschlossenen oder eingeschalteten Lage, wenn
angenommen wird, daß der geschaltete Modul 12 ordnungsge
mäß arbeitet.
In Fig. 3 ist eine andere einfache Ausführungsform des
Stromversorgungsschalter-Schaltkreises 18 dargestellt,
bei welchem der Schalter 22 (ein Transistor vom P-Typ)
auf der Spannungsseite 14 zwischen der Spannungszufüh
rungsleitung 14 a (zum geschalteten Modul 12) und der
Stromversorgung angeordnet ist. Bei dieser Ausführungsform
reagiert ein NOR-Gatter 35, beispielsweise mit zwei P-Tran
sistoren 36, 38 und zwei N-Transistoren 40, 42, auf einen
Rücksetzimpuls 34′ auf der Leitung 20. Die Betriebsweise
dieses Schaltkreises ist analog der Betriebsweise des
voranstehend beschriebenen Schaltkreises.
Zwar reichen die voranstehend beschriebenen Stromversor
gungsschalter-Schaltkreise für die genannten Zwecke aus,
sie sind jedoch nur für größere Kriechströme von der
Stromversorgung gegen Masse empfindlich. ln Fig. 4 ist
eine detailliertere bevorzugte Ausführungsform der Erfin
dung dargestellt, die auf kleinere Kriechströme von
der Stromversorgung zur Masse reagiert.
Die in Fig. 4 dargestellte Stromversorgungsschalter-
Schaltung 18 arbeitet bei entsprechenden Verhältnissen
wie die einfacheren voranstehend beschriebenen Schalt
kreise, weist jedoch weitere Merkmale auf. Weiterhin
wird darauf hingewiesen, daß der Stromversorgungsschalter-
Schaltkreis 18 im Zusammenhang mit der Unterbrechung
einer Masseleitung 16 auf einen N-Substrat 10 gezeigt
ist, jedoch im Sinne der voranstehenden Beschreibung
auch auf geeignete Weise zur Unterbrechung einer Spannungs
leitung 14 auf P-Substrat verwendet werden kann, indem
P-Transistoren durch N-Transistoren ausgetauscht und
die Spannungs- und Masseverbindungen vertauscht werden.
Fig. 4 erläutert eine bevorzugte Ausführungsform des
erfindungsgemäßen Stromversorgungsschalter-Schaltkreises
18. Der Schalter-Schaltkreis 18 soll dazu dienen, über
einen Schalter 22 die Verbindung zwischen einer Masse
quelle 16 und einem Ausgang 16 a zum geschalteten Modul
12 beim Nachweis eines "Kriechstroms" zu unterbrechen.
Ein Kriechstrom ist definiert als ein elektrischer Strom,
oberhalb eines festlegbaren Grenzwerts, von Masse zu
irgendeiner Quelle höheren Potentials. Das Auftreten
eines derartigen Kriechstroms würde dazu führen, daß
die Leitung 16 a auf höheren elektrischen Potential als
Masse liegt.
Der Schalter-Schaltkreis 18 gemäß der vorliegenden Erfin
dung weist einen Stromversorgungseingang mit einer Span
nungsquelle 14 und Masse 16 auf. Die Spannungsquelle
ist ebenfalls über eine Leitung 14 a mit dem geschalteten
Modul 12 verbunden. Die Masse 16 ist mit der Masse 16 a
des geschalteten Moduls 12 über einen ersten Schalter
22 verbunden. Da die Masse 16 a während des Betriebs des
geschalteten Moduls 12 auf unterschiedlichem Potential
liegen kann, wird sie in diesem Zusammenhang als Pseudo-
Masse bezeichnet. Weiterhin soll ins Gedächtnis zurückge
rufen werden, daß der geschaltete Modul 12, der gesteuert
wird, einen Abschnitt einer Chip-Schaltung umfassen kann.
Daher können ebenso viele Stromversorgungsschalter-Schalt
kreise 18 auf einem Wafer 10 vorgesehen sein wie zu steu
ernde geschaltete Module 12, wie in Fig. 1 dargestellt
ist.
Der Schalter-Schaltkreis 18 umfaßt weiterhin eine Vorrich
tung 20 zum Empfang eines Rücksetzimpulses. Die Höhe
des Rücksetzimpulses liegt bei etwa 5 Volt, einer üblicher
weise bei Chip-Schaltkreisen verwendeten Spannung. Die
Impulsbreite liegt vorteilhafterweise bei etwa 1 ms.
Es können jedoch kürzere Zeiten verwendet werden. Der
Impuls kann durch eine mechanische Betätigung, beispiels
weise Betätigung eines Druckknopfes, oder durch eine
dem Fachmann bekannte Steuervorrichtung erzeugt werden.
Der erste Schalter 22 ist zwischen der Masse 16 des Schal
ter-Schaltkreises 18 und der Pseudomasse 16 a angeordnet.
Der Schalter ist verhältnismäßig stark und kann bis zu
etwa 0,5 A schalten. Der Schalter 22 reagiert entgegenge
setzt auf sowohl den Rücksetzimpuls als auch den Zustand
der Pseudomasse 16 a nach Beendigung des Rücksetzimpulses.
Insbesondere wird der Schalter 22 abgeschaltet, wenn
der Rücksetzimpuls eingeschaltet wird. Wird der Rücksetz
impuls abgeschaltet, wird dann der Zustand des Schalters
22 durch den Zustand der Pseudomasse 16 a bestimmt. Ist
die Pseudomasse 16 a "LOW" (in der Nähe von Null), wodurch
das Nichtvorliegen eines Kurzschlußes im geschalteten
Modul 12 angezeigt wird, wird dann der Schalter 22 einge
schaltet. lst die Pseudomasse 16 a "HIGH" (auf einem positi
ven Wert, wie nachstehend noch genauer beschrieben wird),
bleibt der Schalter 22 dann ausgeschaltet.
Damit der Schalter 22 abgeschaltet wird, wenn der Rücksetz
impuls eingeschaltet wird, wird ein Inverter 50 als logi
sches Bauteil benötigt. Der Inverter 50 umfaßt einen
P-Transistor 52 und einen N-Transistor 54, die auf wohlbe
kannte Art zur Erzielung dieser Wirkung miteinander ver
schaltet sind.
Ein zweiter Schalter 56 ist zwischen der Masse 16 des
Schalter-Schaltkreises 18 und der Pseudomasse 16 a des
geschalteten Moduls 12 geschaltet. Dieser zweite Schalter
56 reagiert nur auf den Rücksetzimpuls und schaltet ein,
wenn der Rücksetzimpuls "HIGH" oder eingeschaltet ist
und schaltet ab, wenn der Rücksetzimpuls "LOW" oder ausge
schaltet ist.
Dem ersten Schalter 22 ist eine Einschaltvorrichtung
58 zugeordnet, die den Zustand des Rücksetzimpulses und
der Pseudomasse 16 a überwacht. Vorzugweise weist die
Einschaltvorrichtung 58 ein NAND-Gatter 60 mit zwei P-Tran
sistoren 62, 64 und zwei N-Transistoren 66, 68 auf, die
auf übliche Weise geschaltet sind, um Eingangssignale
von der Spannungsquelle 14, der Masse 16, der Pseudomasse
16 a (Eingang A) und der Rücksetzimpulsleitung 20 (Eingang
B) zu empfangen.
Nur wenn ein "HIGH-Signal" an beiden Eingängen A und
B anliegt, wird das NAND-Gatter 60 aktiviert und gibt
ein Signal ab, das intern zu einem "LOW"-Zustand inver
tiert wird. Dieses "LOW"-Signal wird dann durch einen
Inverter 70 mit einem P-Transistor 72 und einem N-Transis
tor 74 geschickt, und der Inverter gibt ein "HIGH"-Signal
an den ersten Schalter 22 ab und schaltet ihn ein. In
dem eingeschalteten Zustand ist die Masse 16 mit der
Pseudomasse des geschalteten Moduls 12 verbunden und
legt so die Pseudomasse auf Massepotential.
Vorzugsweise wird eine Verzögerungsvorrichtung 76 verwen
det, um das Signal von der Pseudomasse 16 a zu verzögern,
damit sichergestellt ist, daß ein beständiges Signal
dem NAND-Gatter 60 aufgeprägt wird, nachdem der Rücksetzim
puls ausgeschaltet ist. Die Verzögerungsvorrichtung 76
umfaßt einen ersten Inverter 78 mit einem P-Transistor
80 und einem N-Transistor 82. Der erste Inverter 78 ist
auf ein solches Verhältnis eingestellt, daß er bei etwa
1,5 Volt einen Übergang hat. Dies wird durch Bereitstellung
eines NMOS-Transistors 82 mit einem hohen Verhältnis
(einem hohen Verhältnis von Kanalbreite zur Kanallänge),
verglichen mit dem PMOS-Transistor 80, auf wohlbekannte
Weise bewerkstelligt.
Der Ausgang des ersten Inverters 78 wird einem zweiten
Inverter 84 zugeführt, der von der Logik her zur Benutzung
eines dritten Inverters 86 erforderlich ist, der dazu
verwendet wird, das Signal von der Pseudomasse 16 a zum
Eingang A des NAND-Gatters 60 zu verzögern. Der zweite
Inverter 84 weist einen P-Transistor 88 und einen N-
Transistor 90 auf, die auf wohlbekannte Weise zusammenge
schaltet sind. Der Ausgang des zweiten Inverters 84 wird
dem dritten Inverter 86 zugeführt.
Der dritte Inverter 86 weist P-Transistor 92 und einen
N-Transistor 84 auf, die auf ein bestimmtes Verhältnis
zur Zeitverzögerung eingestellt sind. Dies wird durch
Bereitstellung eines NMOS-Transistors 94 mit niedrigem
Verhältnis, verglichen mit dem PMOS-Transistor 92, er
reicht. Die Anordnung der beiden Transistoren zur Bereit
stellung einer derartigen Zeitverzögerung ist wohlbekannt
und gehört nicht zur vorliegenden Erfindung.
Vorzugweise beträgt die Zeitverzögerung zumindest etwa
6 ns für eine geeignete Fehlerbreite. Eine derartige
Zeitverzögerung ist erforderlich, um sicherzustellen,
daß der Eingang zum NAND-Gatter 60 über einige ns nach
Beendigung des Rücksetzimpulses stabil ist. Durch die
Zeitverzögerung wird dem NAND-Gatter 60 genügend Zeit
gegeben, um ein kapazitives Element 96 abzutasten, welches
vorteilhafterweise einen als Kapazität geschalteten MOS-
Transistor aufweist. Die Kapazität beträgt etwa 1 pF.
Der Inverter 78 soll schnell seine Ausgangsspannung
herunterziehen, wenn seine Eingangsspannung oberhalb
des festlegbaren Grenzwertes, hier 1,5 V, liegt. Der
Inverter 78 gibt eine Spannung von 5 V ab, wenn am Eingang
weniger als etwa 1,5 V liegen, und gibt eine Spannung
von 0 V ab, wenn am Eingang mehr als etwa 1,5 V liegen.
Der Inverter 86 ist relativ unempfindlich gegenüber Span
nungsänderungen. Daher kann das kapazitive Element 96
relativ schnell über den PMOS-Transistor 92 geladen werden,
wird aber nur langsam durch den NMOS-Transistor 94 entladen.
Da eine Verwendung des erfindungsgemäßen Stromversorgungs
schalter-Schaltkreises die Überprüfung der geschalteten
Module 12 nach ihrer Herstellung und vor ihrer tatsäch
lichen Verwendung ist, wird diese Betriebsweise zuerst
beschrieben.
Vor dem Rücksetzen wird der zweite Schalter 56 ausgeschal
tet. Der Zustand des ersten Schalters 22 spielt keine
Rolle. Ein Rücksetzimpuls mit den voranstehenden beschrie
benen Eigenschaften wird auf der Leitung 20 erzeugt.
Während der Dauer von etwa 1 ms wird der geschaltete
Modul 12 außer Betrieb gesetzt, der erste Schalter 22
abgeschaltet und der zweite Schalter 56 eingeschaltet.
Jegliche auf der Pseudomasse 16 a gespeicherte Ladung
wird über die Leitung 98 zur Masse 16 entladen. Falls
kein Kriechstrom von der Stromversorgung zur Masse im
geschalteten Modul 12 vorliegt, geht die Pseudomasse
16 a auf Massepotential (typischerweise um 0 V). Jeglicher
Zustand, den die Pseudomasse 16 a erreicht, wird in dem
kapazitiven Element 96 gespeichert. Liegt eine hohe Span
nung an der Pseudomasse 16 a (mehr als etwa 1,5 V), dann
werden 0 V an dem kapazitiven Element 96 gespeichert.
Liegt eine niedrige Spannung an der Pseudomasse 16 a (weni
ger als etwa 1,5 V), dann beträgt die am kapazitiven
Element 96 gespeicherte Spannung 5 V.
Nach 1 ms geht der Rücksetzimpuls auf "LOW" und schaltet
den zweiten Schalter 56 ab, der den Ladungsfluß entlang
der Entladungsleitung 98 unterbricht. Der erste Schalter
22 kann eingeschaltet werden, da der Eingang B nun "HIGH"
ist. Ist die Ladung auf dem kapazitiven Element 96 eben
falls "HIGH" (infolge einer niedrigen Spannung auf der
Pseudomasse 16 a), so bewirkt das NAND-Gatter 60 die Aussen
dung eines Signals an den ersten Schalter 22, schaltet
diesen ein und stellt eine Verbindung zwischen Masse
16 und Pseudomasse 16 a her. Demzufolge ist der geschaltete
Modul 12 eingeschaltet.
Ist andererseits die Ladung auf dem kapazitiven Element
96 "LOW" (infolge hoher Spannung auf der Pseudomasse),
so schaltet das NAND-Gatter 60 den ersten Schalter 22
nicht ein und der geschaltete Modul 12 ist demzufolge
abgeschaltet.
Es wird darauf hingewiesen, daß während des nachfolgenden
Betriebs des geschalteten Moduls i 2 der Schalter-Schalt
kreis 18 verhältnismäßig unempfindlich gegenüber irgend
welchen Kriechströmen von der Stromversorgung zur Masse
ist, die in dem Schaltmodul 12 auftreten können. Falls
jedoch ein Benutzer des Wafers 10 mit den mehreren geschal
tenen Modulen 12, von denen jedem ein Stromversorgungs
schalter-Schaltkreis 18 gemäß der Erfindung zugeordnet
ist, einen derartigen sich später entwickelnden Kriechstrom
von der Stromversorgung zu Masse vermutet, kann er den
Rücksetzimpuls aktivieren. Hierdurch wird der geschaltete
Modul 12 in seinen Eingangszustand versetzt und daher
werden alle dort gespeicherten Daten zerstört. Der Schalt
kreis arbeitet jedoch aufs Neue, und irgendwelche geschal
teten Module 12, die derartige Kriechströme entwickelt
haben, werden aus der gesamten Chip-Schaltung entfernt.
Zwar ist der Schalter-Schaltkreis 18 gemäß der Erfindung
verhältnismäßig unempfindlich gegenüber irgendwelchen
Kriechströmen von der Stromversorgung zur Masse, falls
sich jedoch ein genügend ernstzunehmender Kurzschluß
in einem geschalteten Modul 12 entwickelt, schaltet der
erste Schalter 22 ab, wie aus den voranstehenden Überle
gungen deutlich wird.
Ein besonderer Vorteil der vorliegenden Erfindung liegt
darin, daß sie Kriechströme nach Masse zu einer Zeit
feststellt, zu der die Chip-Schaltung nicht arbeitet,
nämlich dann, wenn der Rücksetzimpuls an den Stromversor
gungsschalter-Schaltkreis 18 angelegt wird. Es wird vermu
tet, daß der Chip-Schaltkreis mit einer Vorrichtung verse
hen ist, die auf dasselbe Rücksetzsignal reagiert, um
den Betrieb zu unterbrechen.
Infolge der Verwendung des erfindungsgemäßen Schalter-
Schaltkreises 18 ist die Leistungsaufnahme mehrer geschal
teter Moduln 12, die eine Chip-Schaltung bilden, welche
bei Größtintegration im Wafermaßstab verwendet wird,
minimalisiert. Dies wird durch Isolieren unwiderruflich
fehlerhafter Abschnitte des Wafers 10 von der Stromversor
gung erreicht. Zwar ist die Erfindung im Zusammenhang
mit dem Schutz von Chip-Schaltkreisen bei Integration
im Wafermaßstab beschrieben worden, es wird jedoch darauf
hingewiesen, daß der Schalter-Schaltkreis gemäß der vorlie
genden Erfindung von allgemeinen Nutzen bei üblichen
großintegrierten Schaltkreisen ist.
Es können auch andere Anordnungen unter Verwendung der
erfindungsgemäßen Lehre entwickelt werden. Beispielsweise
können die Inverter 50, 70 und 84 wegfallen. Der Inverter
86 kann ein anderes Verhältnis aufweisen, so daß der
PMOS-Transistor 92 ein niedriges Verhältnis aufweist,
während der NMOS-Transistor 94 ein übliches Verhältnis
hat. Das NANO-Gatter 60 kann durch ein NOR-Gatter ersetzt
werden. Daher bewirkt die Kombination eines "LOW"-Signals
von der Rücksetzimpulsleitung 20 (als Anzeige, daß kein
Rücksetzimpuls vorliegt) und eines "LOW"-Signals von
der Pseudomasse 16 a (als Anzeige, daß keine Kriechströme
von der Stromversorgung zur Masse in dem geschalteten
Modul 12 vorliegen) das Einschalten des ersten Schalters
22 und daher die Bereitstellung der Stromversorgung für
den geschalteten Modul 12.
Es ist daher voranstehend eine Stromversorgungsschutz
schalter-Schaltung zum Nachweis von Kriechströmen der
Stromversorgung zur Masse in Abschnitten oder geschalteten
Moduln eines Chip-Schaltkreises und zum Abtrennen derarti
ger Abschnitte von der Chip-Schaltung im Falle des Auftre
tens eines derartigen Kriechstroms beschrieben worden.
Zahlreiche offensichtliche Anderungen und Modifikationen
der Erfindung können durch einen Fachmann auf diesem
Gebiet gemacht werden, und sämtliche derartigen Anderungen
und Modifikationen innerhalb des Schutzumfangs der Erfin
dung sollen in den beantragten Schutz miteingeschlossen
sein.
Claims (27)
1. Stromversorgungsschalter-Schaltkreis (18) zum Nachweis
von Kriechströmen der Stromversorgung in einem Ab
schnitt (12) einer auf einem Substrat (10) ausgebilde
ten Halbleiterschaltung und zum Abschalten der Strom
versorgung zu diesem Abschnitt (12) mit:
- a) einer auf einen Rücksetzimpuls (34, 34′) reagie renden Vorrichtung (24, 35) zum Einschalten eines Schalters (22);
- b) einer Vorrichtung (24, 35) zum Abtasten einer Spannung über dem Schalter (22) und zur Festlegung, ob die Spannung oberhalb oder unterhalb einer festlegbaren Grenze liegt, wobei die erste Bedin gung einen Kriechstrom und die zweite Bedingung einen ordungsgemäß arbeitenden Schaltkreisab schnitt (12) anzeigt; und
- c) einer selbsthaltende Vorrichtung (24, 35) zum Abschalten der Stromversorgung zu dem Schalt kreisabschnitt (12) nach Beendigung des Rücksetz impulses (34, 34′), falls der Schältkreisabschnitt (12) einen Kriechstrom aufweist, und zum Aufrecht erhalten der Stromversorgung zu dem Schaltkreisab schnitt (12) nach Beendigung des Rücksetzimpulses (34, 34′), falls der Schaltkreisabschnitt (12) ordnungsgemäß arbeitet.
2. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Substrat (10) vom P-Typ ist und
der Schalter-Schaltkreis (18) in Reihe mit einem
Spannungseingang (14 a) zu dem Schaltkreisabschnitt
(12) geschaltet ist.
3. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein NOR-Gatter (35) die reagierende
Vorrichtung, die Abtast-und Bestimmungsvorrichtung
und die selbsthaltende Vorrichtung umfaßt.
4. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Substrat (10) vom N-Typ ist und
der Schalter-Schaltkreis (18) in Reihe mit einer
Masseverbindung zum Schaltkreisabschnitt (12) geschal
tet ist.
5. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß ein NAND-Gatter (60) die reagierende
Vorrichtung, die Abtast-und Bestimmungsvorrichtung,
und die selbsthaltende Vorrichtung umfaßt.
6. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die festlegbare Grenze bei etwa 1,5 V
liegt.
7. Stromversorgungsschalter-Schaltkreis (18) zum Nachweis
von Kriechströmen einer Stromversorgung zur Masse
in einem Abschnitt (12) einer integrierten Halbleiter
schaltung auf einem Substrat (10) mit:
- a) einer Stromversorgungseingangsvorrichtung mit einer Spannungsquelle (14, 14 a) und Masse (16, 16 a);
- b) einer Vorrichtung (20) zum Empfang eines Rücksetz impulses;
- c) einer ersten Schaltvorrichtung mit einem ersten Schalter (22), der in Reihe mit einer Leitung (14 a) der Stromversorgungseingangsvorrichtung zu dem Schaltkreisabschnitt (12) geschaltet ist und auf sowohl dem Rücksetzimpuls und den Zustand der Stromversorgungeingangsleitung (14 a) des Schaltkreisabschnitts (12) nach Beendigung des Rücksetzimpulses reagiert; und
- d) mit einem zweiten Schalter (56), der zwischen die Stromversorgungseingangsleitung (14) und die Stromversorgungseingangsleitung (14 a) des Schaltkreisabschnitts (12) geschaltet ist und direkt auf den Rücksetzimpuls reagiert, um Strom von der Stromversorgungseingangsleitung (14 a) des Schaltkreisabschnitts (12) zur Stromversor gungseingangsleitung (14) abzuleiten.
8. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Substrat (10) vom N-Typ ist und
der erste Schalter (22) in Reihe zwischen Masse (16 a)
des Schaltkreisabschnitts (12) und die Masse (16)
geschaltet ist.
9. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Substrat (10) vom P-Typ ist und
der erste Schalter (22) in Reihe zwischen die Span
nungsquelle (14) und den Spannungseingang (14 a) zum
Schaltkreisabschnitt (12) geschaltet ist.
10. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß die erste Schaltvorrichtung eine ihr
zugeordnete Vorrichtung (58) zum Einschalten des
ersten Schalters (22) für den Fall aufweist, wenn
der Rücksetzimpuls beendet ist und die Spannung auf
der Stromversorgungseingangsleitung (14 a) des Schalt
kreisabschnitts (12) unterhalb eines vorher festleg
baren Wertes liegt.
11. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 10, dadurch gekenn
zeichnet, daß der vorher festlegbare Wert der Spannung
etwa 1,5 V beträgt.
12. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 10, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Einschaltvorrichtung (58) ein NAND-
Gatter (60) aufweist, welches mit zwei Eingängen
(A, B) versehen ist, wobei ein Eingang (B) für ein
invertiertes Signal von der Empfangsvorrichtung (20)
des Rücksetzimpulses und der zweite Eingang (A) für
ein invertiertes Signal von der Stromversorgungsein
gangleitung (14 a) des Schaltkreisabschnitts (12)
vorgesehen und das NAND-Gatter (60) zur Bereitstellung
eines Ausgangssignals zum Einschalten des ersten
Schalters (22) ausgebildet ist, wenn beide Eingänge
(A, B) "HIGH" sind.
13. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 10, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Einschaltvorrichtung ein NOR-Gatter
mit zwei Eingängen umfaßt, von denen ein Eingang
für ein Signal von der Empfangsvorrichtung für den
Rücksetzimpuls und der zweite Eingang für ein Signal
von der Stromversorgungseingangsleitung des Schalt
kreisabschnitts vorgesehen und das NOR-Gatter zur
Bereitstellung eines Ausgangssignals zum Einschalten
des ersten Schalters ausgebildet ist, wenn beide
Eingänge "LOW" sind.
14. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Rücksetzimpuls (34, 34′) eine Span
nung aufweist, die etwa gleich der Spannung der Span
nungsquelle (14) ist, und eine ausreichende Länge
aufweist, um jede Ladung unterhalb einer festleg
baren Spannung auf der Stromversorgungseingangsleitung
(14 a) des Schaltkreisabschnitts (12) zur Stromversor
gungseingangsleitung (14) zu entladen.
15. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 14, dadurch gekenn
zeichnet, daß die vorher festlegbare Spannung etwa
1,5 V beträgt.
16. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 14, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Dauer unterhalb 1 ms liegt.
17. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß weiterhin eine Verzögerungsvorrichtung
(76) vorgesehen ist, welche zwischen die Stromver
sorgungseingangsleitung (14 a) des Schaltkreisabschnit
tes (12) und den ersten Schalter (22) geschaltet
ist.
18. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 17, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Verzögerungsvorrichtung (76) einen
ersten lnverter (78), dessen Verhältnis so eingestellt
ist, daß er bei einer festlegbaren Spannung umkippt,
einen zweiten Inverter (84), dessen Verhältnis so
eingestellt ist, daß er jedes Signal von der Stromver
sorgungseingangsleitung (14 a) des Schaltkreisabschnitts
(12) zum ersten Schalter (22) für eine vorher festleg
bare Zeit verzögert, und eine Speichervorrichtung
(96) zum Abtasten des Zustands der Stromversorgungs
eingangsleitung (14 a) des Schaltkreisabschnittes
(12) umfaßt.
19. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 18, dadurch gekenn
zeichnet, daß die vorher festlegbare Spannung etwa
1,5 V beträgt.
20. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 18, dadurch gekenn
zeichnet, daß die vorher festlegbare Zeit länger
als etwa 6 ns ist.
21. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 18, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Speichervorrichung ein kapazitives
Element (96) mit einer Kapazität von etwa 1 pF umfaßt.
22. Stromversorgungsschalter-Schaltkreis (18) zum Nachweis
von Kriechströmen einer Stromversorgung zu Masse
in einem Abschnitt (12) einer Chip-Schaltung, die
zum Eliminieren des Schaltkreisabschnitts (12) nach
einem Nachweis derartiger Kriechströme ausgebildet
ist, mit:
- a) einer Stromversorgungseingangsvorrichtung mit einer Spannungsquelle (14) und einer Masse (16);
- b) einer Vorrichtung (20) zum Empfang eines Rücksetz impulses;
- c) einer ersten Schaltvorrichtung mit einem ersten Schalter (22), der zwischen die Masse (16) und die Masse (16 a) des Chip-Abschnitt (12) geschaltet ist und invers sowohl auf den Rücksetzimpuls und den Zustand der Masse (16 a) des Schaltkreis abschnittes (12) nach Aktivierung des Rücksetzim pulses reagiert, wobei die erste Schaltvorrichtung (22) eine Einschaltvorrichtung (58) für den Schalter zum Empfang eines Eingangs von der Masse (16 a) des Schaltkreisabschnitts (12) und eines Eingangs von der Empfangsvorrichtung (20) für den Rücksetzimpuls aufweist und ein Einschalt signal für den ersten Schalter (22) abgibt, wenn beide Eingänge (A, B) "HIGH" sind;
- d) einer zweiten Schaltvorrichtung (56), die zwischen die Masse (16) und die Masse (16 a) des Schalt kreisabschnitts (12) geschaltet ist und direkt auf den Rücksetzimpuls reagiert, wobei die zweite Schaltvorrichtung (56) zur Ableitung eines Stroms von der Masse (16 a) des Schaltkreisabschnitts (12) zur Masse (16) ausgebildet ist, wenn die zweite Schaltvorrichtung (56) durch den Rücksetz impuls eingeschaltet ist; und
- e) einer Verzögerungsvorrichtung (76) zur Verzögerung eines Signals von der Masse (16 a) des Schaltkreis abschnitts (12) zur ersten Schaltvorrichtung (22), wobei die Verzögerungsvorrichtung (76) einen ersten lnverter (78), dessen Verhältnis so eingestellt ist, daß er bei einer vorher festlegbaren Spannung übergeht, einen zweiten Inverter (84) zum Zurückversetzen des Signals in den vorigen Zustand, einen dritten Inverter (86), dessen Verhältnis so eingestellt ist, daß er das Signal um einen vorher festlegbaren Betrag verzögert, und ein kapazitives Element (96) aufweist, das zum Speichern des Zustands der Masse (16 a) des Schaltkreisabschnitts (12) nach Aktivierung des Rücksetzimpulses ausgebildet ist.
23. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 22, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Rücksetzimpuls eine Spannung von
etwa gleicher Höhe wie der der Spannungsquelle (14)
für eine Dauer von weniger als etwa 1 ms aufweist.
24. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 22, dadurch gekenn
zeichnet, daß der erste Inverter (78) ein solches
Verhältnis aufweist, daß er bei etwa 1,5 V übergeht.
25. Schalter-Schaltkreis nach Anspruch 22, dadurch gekenn
zeichnet, daß der dritte Inverter (86) ein solches
Verhältnis aufweist, daß das Signal zumindest etwa
6 ns verzögert wird.
26. Verfahren zur Überprüfung eines Abschnitts (12) einer
Halbleiterschaltung auf einem Substrat (10) zur Bestim
mung, ob der Schaltkreisabschnitt (12) einen Kriech
strom von der Stromversorgung zur Masse aufweist,
und zum Abtrennen des Schaltkreisabschnitts (12)
beim Nachweis eines Kriechstroms, das folgende Schritte
umfaßt:
- a) Erzeugung eines Rücksetzimpulses (34, 34′) zum Einschalten eines Schalters (22);
- b) Abfühlen einer Spannung über dem Schalter (22) und Bestimmung, ob die Spannung oberhalb oder unterhalb eines festlegbaren Grenzwertes liegt, wobei die erste Bedingung einen Kriechstrom und die zweite Bedingung ein ordnungsgemäßes Arbeiten des Schaltkreisabschnitts (12) anzeigt, und
- c) Abschneiden der Stromversorgung zu dem Schaltkreis abschnitt (12) nach Beendigung des Rücksetzim pulses (34, 34′) für den Fall, daß in dem Schalt abschnitt (12) ein Kriechstrom auftritt, und zum Aufrechterhalten der Stromversorgung zu dem Schaltkreisabschnitt (12) nach Beendigung des Rücksetzimpulses (34, 34′) für den Fall, daß der Schaltkreisabschnitt (12) ordnungsgemäß ar beitet.
27. Verfahren zur Überprüfung eines Abschnitts (12) einer
Halbleiterschaltung auf einem Substrat (10) zur Bestim
mung, ob in dem Schaltkreisabschnitt (12) ein Kriech
strom von der Stromversorgung zur Masse auftritt,
und zum Abtrennen des Schaltkreisabschnitts (12)
in einem solchen Falle, das folgende Schritte umfaßt:
- a) Erzeugen eines Rücksetzimpulses (34, 34′) festleg barer Spannung und Dauer zum Abschalten eines ersten Schalters (22), der in Reihe mit einer Stromversorgungsleitung (14 a) zu dem Schaltkreis abschnitt (12) geschaltet ist, wodurch der Schalt kreisabschnitt (12) von der Stromversorgung abge schaltet wird, und um einen zweiten Schalter (56) einzuschalten, wodurch eine auf der Strom versorgungsleitung (14 a) zu dem Schaltkreisab schnitt (12) zur Entladung der Stromversorgungs leitung (14 a) durch den zweiten Schalter (56) abgeleitet werden kann;
- b) Speichern des invertierten Zustands der Stromver sorgungsleitung (14 a) zu dem Schaltkreisabschnitt (12) nach dem Rücksetzimpuls;
- c) Zuführen der gespeicherten Information zu einer ersten Eingangsleitung (A);
- d) Zuführen des invertierten Zustands des Impulses zu einer zweiten Eingangsleitung (B); und
- e) falls beide Leitungen (A, B) "HIGH" sind, Anzeigen, daß eine Spannung auf der Stromversorgungsleitung (14 a) zu dem Schaltkreisabschnitt (12) unterhalb eines vorher festlegbaren Wertes und der Rücksetz impuls ausgeschaltet ist, Zuführen eines Signals zum Einschalten des ersten Schalters (22), um hierdurch die Stromversorgungsleitung (14 a) zu dem Schaltkreisabschnitt (12) zu verbinden und hierdurch den Schaltkreisabschnitt (12) bestriebs bereit zu machen, und falls die erste Eingangslei tung (A) "LOW" ist, Anzeigen, daß eine Spannung auf der Stromversorgungsleitung (14 a) oberhalb des vorher festlegbaren Wertes ist und daher ein Kriechstromzustand vorliegt, und daraufhin Aufrechterhaltung eines Ausschaltzustands des ersten Schalters (22), wodurch der Unterbrechungs zustand aufrechterhalten und der Schaltkreisab schnitt (12) in nicht betriebsbereiten Zustand versetzt wird.
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