DE3232215A1 - Monolithisch integrierte digitale halbleiterschaltung - Google Patents

Monolithisch integrierte digitale halbleiterschaltung

Info

Publication number
DE3232215A1
DE3232215A1 DE19823232215 DE3232215A DE3232215A1 DE 3232215 A1 DE3232215 A1 DE 3232215A1 DE 19823232215 DE19823232215 DE 19823232215 DE 3232215 A DE3232215 A DE 3232215A DE 3232215 A1 DE3232215 A1 DE 3232215A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
decoder
test
address
semiconductor circuit
tde
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19823232215
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Ewald Dipl.-Phys. 8013 Haar Michael
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens AG
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG, Siemens Corp filed Critical Siemens AG
Priority to DE19823232215 priority Critical patent/DE3232215A1/de
Priority to US06/524,881 priority patent/US4603405A/en
Priority to AT83108342T priority patent/ATE49823T1/de
Priority to DE8383108342T priority patent/DE3381155D1/de
Priority to EP83108342A priority patent/EP0104442B1/de
Priority to JP58155692A priority patent/JPS5960800A/ja
Publication of DE3232215A1 publication Critical patent/DE3232215A1/de
Priority to HK956/91A priority patent/HK95691A/xx
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/14—Implementation of control logic, e.g. test mode decoders
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317—Testing of digital circuits
    • G01R31/31701—Arrangements for setting the Unit Under Test [UUT] in a test mode
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/408—Address circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
DE19823232215 1982-08-30 1982-08-30 Monolithisch integrierte digitale halbleiterschaltung Withdrawn DE3232215A1 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823232215 DE3232215A1 (de) 1982-08-30 1982-08-30 Monolithisch integrierte digitale halbleiterschaltung
US06/524,881 US4603405A (en) 1982-08-30 1983-08-19 Monolithically integrated semiconductor circuit
AT83108342T ATE49823T1 (de) 1982-08-30 1983-08-24 Monolithisch integrierte digitale halbleiterschaltung.
DE8383108342T DE3381155D1 (de) 1982-08-30 1983-08-24 Monolithisch integrierte digitale halbleiterschaltung.
EP83108342A EP0104442B1 (de) 1982-08-30 1983-08-24 Monolithisch integrierte digitale Halbleiterschaltung
JP58155692A JPS5960800A (ja) 1982-08-30 1983-08-25 デイジタル半導体回路
HK956/91A HK95691A (en) 1982-08-30 1991-11-28 Monolithic integrated semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823232215 DE3232215A1 (de) 1982-08-30 1982-08-30 Monolithisch integrierte digitale halbleiterschaltung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3232215A1 true DE3232215A1 (de) 1984-03-01

Family

ID=6172049

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19823232215 Withdrawn DE3232215A1 (de) 1982-08-30 1982-08-30 Monolithisch integrierte digitale halbleiterschaltung
DE8383108342T Expired - Lifetime DE3381155D1 (de) 1982-08-30 1983-08-24 Monolithisch integrierte digitale halbleiterschaltung.

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8383108342T Expired - Lifetime DE3381155D1 (de) 1982-08-30 1983-08-24 Monolithisch integrierte digitale halbleiterschaltung.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4603405A (enExample)
EP (1) EP0104442B1 (enExample)
JP (1) JPS5960800A (enExample)
AT (1) ATE49823T1 (enExample)
DE (2) DE3232215A1 (enExample)
HK (1) HK95691A (enExample)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3530591A1 (de) * 1984-08-30 1986-03-13 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Halbleiterspeicher
EP0197363A1 (de) * 1985-03-26 1986-10-15 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Betreiben eines Halbleiterspeichers mit integrierter Paralleltestmöglichkeit und Auswerteschaltung zur Durchführung des Verfahrens
FR2581231A1 (fr) * 1985-04-26 1986-10-31 Eurotechnique Sa Memoire morte programmable electriquement
EP0206844A1 (fr) * 1985-04-26 1986-12-30 STMicroelectronics S.A. Mémoire morte programmable électriquement une seule fois
DE3700663A1 (de) * 1986-01-14 1987-07-16 Casio Computer Co Ltd System fuer integrierte schaltungen tragende karten
FR2634299A1 (fr) * 1988-07-18 1990-01-19 Samsung Electronics Co Ltd Circuit de reconnaissance de codes sequentiels programmables
EP0272848A3 (en) * 1986-12-20 1990-04-18 Fujitsu Limited Semiconductor device having programmable read only memory cells for specific mode
EP0410413A3 (en) * 1989-07-26 1992-01-02 Nec Corporation Semiconductor memory apparatus with a spare memory cell array
EP0434904A3 (en) * 1989-12-28 1992-05-13 International Business Machines Corporation Signal margin testing system
DE19540621A1 (de) * 1994-10-31 1996-05-02 Nec Corp Funktionsprüfgerät für integrierte Schaltungen
US6460091B1 (en) 1998-04-15 2002-10-01 Nec Corporation Address decoding circuit and method for identifying individual addresses and selecting a desired one of a plurality of peripheral macros

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59107493A (ja) * 1982-12-09 1984-06-21 Ricoh Co Ltd テスト回路付きｅｐｒｏｍメモリ装置
JPS61265829A (ja) * 1985-05-20 1986-11-25 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
JPS62250593A (ja) * 1986-04-23 1987-10-31 Hitachi Ltd ダイナミツク型ｒａｍ
EP0263312A3 (en) * 1986-09-08 1989-04-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device with a self-testing function
JPS63244400A (ja) * 1987-03-16 1988-10-11 シーメンス・アクチエンゲゼルシヤフト メモリセルの検査回路装置および方法
JP2602225B2 (ja) * 1987-04-24 1997-04-23 株式会社日立製作所 ダイナミツクｒａｍ
JP2684365B2 (ja) * 1987-04-24 1997-12-03 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
FR2622019B1 (fr) * 1987-10-19 1990-02-09 Thomson Semiconducteurs Dispositif de test structurel d'un circuit integre
FR2623652A1 (fr) * 1987-11-20 1989-05-26 Philips Nv Unite de memoire statique a plusieurs modes de test et ordinateur muni de telles unites
DE69130210T2 (de) * 1990-11-16 1999-01-21 Fujitsu Ltd., Kawasaki, Kanagawa Halbleiterspeicher mit hochgeschwindigkeitsadressendekodierer
DE4132072A1 (de) * 1991-09-26 1993-04-08 Grundig Emv Pruefeinrichtung fuer integrierte schaltkreise
JPH06162798A (ja) * 1993-04-16 1994-06-10 Hitachi Ltd ダイナミック型ｒａｍ
JP2697574B2 (ja) * 1993-09-27 1998-01-14 日本電気株式会社 半導体メモリ装置
JP2591468B2 (ja) * 1994-04-20 1997-03-19 株式会社日立製作所 ダイナミックｒａｍのテスト方法
DE10102349C1 (de) * 2001-01-19 2002-08-08 Infineon Technologies Ag Verfahren und Schaltungsanordnung zur Kennzeichnung einer Betriebseigenschaft einer integrierten Schaltung

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3420991A (en) * 1965-04-29 1969-01-07 Rca Corp Error detection system
FR2330014A1 (fr) * 1973-05-11 1977-05-27 Ibm France Procede de test de bloc de circuits logiques integres et blocs en faisant application
US4128873A (en) * 1977-09-20 1978-12-05 Burroughs Corporation Structure for an easily testable single chip calculator/controller
JPS5853440B2 (ja) * 1978-11-25 1983-11-29 富士通株式会社 テストビット選択用論理回路
JPS563499A (en) * 1979-06-25 1981-01-14 Fujitsu Ltd Semiconductor memory device
JPS5622278A (en) * 1979-07-27 1981-03-02 Fujitsu Ltd Decoder selection system
JPS57117200A (en) * 1980-11-25 1982-07-21 Raytheon Co Programmable read only memory circuit and method of testing the same

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3530591A1 (de) * 1984-08-30 1986-03-13 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Halbleiterspeicher
EP0197363A1 (de) * 1985-03-26 1986-10-15 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Betreiben eines Halbleiterspeichers mit integrierter Paralleltestmöglichkeit und Auswerteschaltung zur Durchführung des Verfahrens
FR2581231A1 (fr) * 1985-04-26 1986-10-31 Eurotechnique Sa Memoire morte programmable electriquement
EP0206844A1 (fr) * 1985-04-26 1986-12-30 STMicroelectronics S.A. Mémoire morte programmable électriquement une seule fois
FR2587531A1 (fr) * 1985-04-26 1987-03-20 Eurotechnique Sa Memoire morte programmable electriquement une seule fois
DE3700663A1 (de) * 1986-01-14 1987-07-16 Casio Computer Co Ltd System fuer integrierte schaltungen tragende karten
EP0272848A3 (en) * 1986-12-20 1990-04-18 Fujitsu Limited Semiconductor device having programmable read only memory cells for specific mode
DE3917945A1 (de) * 1988-07-18 1990-01-25 Samsung Electronics Co Ltd Programmierbare folgecodeerkennungsschaltung
NL8901533A (nl) * 1988-07-18 1990-02-16 Samsung Electronics Co Ltd Programmeerbare keten voor de herkenning van sequentiele code.
FR2634299A1 (fr) * 1988-07-18 1990-01-19 Samsung Electronics Co Ltd Circuit de reconnaissance de codes sequentiels programmables
EP0410413A3 (en) * 1989-07-26 1992-01-02 Nec Corporation Semiconductor memory apparatus with a spare memory cell array
EP0434904A3 (en) * 1989-12-28 1992-05-13 International Business Machines Corporation Signal margin testing system
DE19540621A1 (de) * 1994-10-31 1996-05-02 Nec Corp Funktionsprüfgerät für integrierte Schaltungen
US6460091B1 (en) 1998-04-15 2002-10-01 Nec Corporation Address decoding circuit and method for identifying individual addresses and selecting a desired one of a plurality of peripheral macros

Also Published As

Publication number Publication date
EP0104442B1 (de) 1990-01-24
US4603405A (en) 1986-07-29
JPS5960800A (ja) 1984-04-06
JPH0524599B2 (enExample) 1993-04-08
EP0104442A2 (de) 1984-04-04
EP0104442A3 (en) 1986-11-26
ATE49823T1 (de) 1990-02-15
DE3381155D1 (de) 1990-03-01
HK95691A (en) 1991-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0104442B1 (de) Monolithisch integrierte digitale Halbleiterschaltung
DE69320416T2 (de) Halbleiter-Speichergerät mit Spannungstressprüfmodus
DE69129138T2 (de) DRAM mit einem Wortleitungsbetriebsschaltungssystem
DE69424014T2 (de) Burstmode-Auffrischung für DRAMs
DE69419575T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung
DE69421429T2 (de) Halbleiterspeicher mit eingebautem parallelen Bitprüfmodus
DE102012104648B4 (de) Techniken zur Verifikation einer Verlässlichkeit eines Speichers
DE4243592C2 (de) Paralleltestschaltung für einen Halbleiter-Speicherchip
DE3203825A1 (de) Signalverarbeitungsschaltung
DE69420771T2 (de) Adressenpuffer
EP1365413A2 (de) Differentielle Strombewerterschaltung und Leseverstärkerschaltung zum Bewerten eines Speicherzustands einer SRAM-Halbleiterspeicherzelle
DE4003673A1 (de) Erweiterte schnellschreibschaltung fuer den dram-test
EP0120458B1 (de) Integrierter dynamischer Schreib-Lesespeicher
WO1992004717A1 (de) Schaltungsanordnung zum testen eines halbleiterspeichers mittels paralleltests mit verschiedenen testbitmustern
DE69127126T2 (de) Direktzugriffsspeicher mit Hilfsredundanzschaltung
DE69013301T2 (de) Ausgangsschaltung mit grossem Stromsteuerungsvermögen ohne Erzeugung unerwünschter Spannungsschwankungen.
EP0087818B1 (de) Integrierter dynamischer Schreib-Lese-Speicher
DE3887817T2 (de) Steuerschaltung für Leseverstärker.
EP1163678B1 (de) Integrierter speicher mit speicherzellen, die je einen ferroelektrischen speichertransistor aufweisen
WO2008059001A2 (de) Schaltungsanordnung, umfassend ein speicherzellenfeld, und verfahren zu deren betrieb
EP0549611B1 (de) Dynamischer halbleiterspeicher mit leseverstärker-ansteuerschaltung zur erzielung kurzer zugriffszeiten bei niedrigem gesamtspitzenstrom
DE68915625T2 (de) Halbleiterspeicher mit verbesserten Abfühlverstärkern.
DE69712818T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
EP0967616B1 (de) Integrierter Speicher
DE2300187A1 (de) Integrierte mos-schreibschaltungsanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
8130 Withdrawal