DE307647C - - Google Patents

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DE307647C
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    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/10Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • HELECTRICITY
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    • H01L29/41Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
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Description

Die Berührungsdetektoren der drahtlosen Telegraphie sind gegen Erschütterungen sehr empfindlich und man hat daher diese Detektoren regulierbar eingerichtet, um bei Verlust der wirksamen Kontaktstelle eine andere, wirksame Stelle des welleneinpfindlichen Kontaktmaterials aufzufinden und einzustellen. Bisweilen ist jedoch mit dieser Regulierung ein zu erheblicher Zeitverlust verbunden und jedenfalls wird ein g'eübtes Personal erfordert, um den Detektor in dieser Weise richtig zu behandeln.
Die bisherigen Mittel, um die Kontaktstelle gegen Verlust oder Verschlechterung durch Erschütterungen zu schützen, haben ihren Zweck nicht erreicht. Es war nicht möglich, zu verhindern, daß die beiden sich berührenden Körper ihre gegenseitige Lage um Hundertteile eines Millimeters änderten, und dies genügte, um den Kontakt unempfindlich zu machen oder gänzlich zu verlieren.
Gemäß der Erfindung wird eine völlige Festlegung des einmal hergestellten empfindlichen Kontaktes dadurch erzielt, daß das aus einem kleinen Bruchstück von etwa ι mm Durchmesser bestehende wellenempfindliche Kontaktmaterial zwischen zwei Lamellen, von denen wenigstens die eine federnd ist, gelagert ist und von einem nur die Kontaktstelle, d. h. das Kontaktmaterialstück, und die beiden Enden der Lamellen einhüllenden Tropfen aus einer, isolierenden Kittmasse, z. B. Schellack, Bleiglätte u. dgl., eingeschlossen wird, während die übrigen Teile der Lamellen hiervon freibleiben. . .
Es ist, um einen möglichst stabilen Kontakt zu erhalten, schon vorgeschlagen worden, das Kontaktmaterial nebst seinen Haltern in einer mit isolierender Masse ausgegossenen Büchse anzuordnen; indessen konnte hierbei eine vollkommene Stabilität gegen Erschütterungen nicht erzielt werden, vielmehr, verlor die Kontaktstelle leicht ihre Empfindlichkeit. Zur Wiederherstellung derselben wurde eineRegulierschraube vorgesehen, doch besteht hierbei keine Sicherheit, daß der ursprüngliche Zustand vollkommen wiederhergestellt wird. Bei der vorliegenden Erfindung wird demgegenüber die vollkommene Stabilität dadurch gewährleistet, daß man nicht nur i. als Vergußmasse möglichst starres und temperaturbeständiges. Material wählt, sondern auch ■ 2. dafür sorgt, daß die Massen der Kontaktstellen zusammen mit der Vergußmasse einen sehr kleinen und daher nach außen einheitlichen Körper bilden, innerhalb dessen keine Kräfte auf Trennung der Teile · hinwirken.. Diese Verringerung der Masse wird hauptsächlich durch die Kleinheit des Kontaktstückchens und seine Lagerung zwisehen den Lamellen ermöglicht. Hierbei; ist es von Bedeutung, daß die.Lamellen nicht beide starr sind, da sonst jede Lamelle bei Erschütterungen ihre Massenbewegung für sich hat, und eine Zerrung auf die Kontaktstelle ausgeübt würde. Sind dagegen beide Lamellen oder wenigstens die eine derselben federnd, so stimmen die Bewegungen beider überein und kann eine Zerrung nicht eintreten.
Auf der Zeichnung ist eine Ausführungsform der Erfindung veranschaulicht. Inner-
halb einer patronenförmigcn Hülse a, die im Schnitt gezeichnet ist, ist zwischen zwei als Elektroden dienenden Federn c, d das wellenempfindliche Material b in Form eines· kleinen Kristalls eingeklemmt. Die punktierte Linie deutet einen Tropfen aus isolierender Vergußmasse an, der den Kristall b und die beiden Enden der Federn c, d umschließt. Die Federn c, d sind, voneinander isoliert, im
ίο Sockel / befestigt, der die Patrone nach unten wasserdicht abschließt. Die Hülse a der Patrone besteht ebenfalls aus Isoliermaterial, z. B. zweckmäßig aus Glas,
Der Kristall b wird zunächst zwischen den Federn so lange g'edreht, bis eine hoch-. empfindliche Kontaktstelle gefunden ist, was durch die bekannten Prüfungsmethoden ermittelt wird. Alsdann wird unter Vermeidung einer mechanischen Berührung des Apparates lediglich der Tropfen g aufgebracht, ■ der schnell erhärtet. Zuletzt wird die Hülse α aufgesetzt. Der Detektor kann nunmehr in eine geeignete Fassung eingesetzt werden, wobei die nach außen tretenden Teile c , d' der Federn c, d Kontakt mit den : Leitungsanschlüssen machen.

Claims (1)

  1. Patent-Anspruch:
    Detektor für drähtlose Telegraph ie, in ; dem die Elektroden durch Umgießen mit Isoliermasse festgelegt sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwecks Herstellung eines unveränderlichen wellenempfindlichen Kontaktes ein kleines, etwa ι mm ί Durchmesser besitzendes Stück (b) des wellenempfindlichen Materials · (Silizium u. dgl.) zwischen zwei Lamellen (c, d), ' von denen wenigstens die eine (c) federnd ist, gelagert und durch einen nur die Enden der Lamellen und das Kontaktstück umschließenden Kitttropfen (g) aus Isoliermasse (Schellack u. dgl.) umhüllt ist. .
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE915233C (de) * 1949-03-30 1954-07-19 Siemens Ag Spitzentransistoranordnung mit an der Aufsetzstelle fuer die Elektrodenspitzen keilfoermiger Oberflaeche des Halbleiterkristalls
DE924997C (de) * 1948-10-01 1955-03-10 Siemens Ag Richtleiter
DE1018559B (de) * 1955-04-29 1957-10-31 Siemens Ag Oxydisches Feuchteschutzmittel fuer Halbleiteranordnungen mit p-n-UEbergaengen
DE1033783B (de) * 1953-12-12 1958-07-10 Philips Nv Elektrodensystem mit mindestens einem halbleitenden Koerper, insbesondere Kristalldiode oder Transistor
DE976651C (de) * 1951-12-05 1964-02-20 Siemens Ag Kristalldiode fuer sehr hohe Frequenzen

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DE976651C (de) * 1951-12-05 1964-02-20 Siemens Ag Kristalldiode fuer sehr hohe Frequenzen
DE1033783B (de) * 1953-12-12 1958-07-10 Philips Nv Elektrodensystem mit mindestens einem halbleitenden Koerper, insbesondere Kristalldiode oder Transistor
DE1018559B (de) * 1955-04-29 1957-10-31 Siemens Ag Oxydisches Feuchteschutzmittel fuer Halbleiteranordnungen mit p-n-UEbergaengen

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