DE976651C

DE976651C - Kristalldiode fuer sehr hohe Frequenzen

Info

Publication number: DE976651C
Application number: DE1951S0026178
Authority: DE
Inventors: Arthur Dr Phil Gaudlitz; Friedrich Dipl-Ing Kleine
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1951-12-05
Filing date: 1951-12-05
Publication date: 1964-02-20

Description

Bei Kristalldioden muß die Kontaktspitze aus Kontaktgründen und zur Kompensation der Wärmeausdehnung federnd auf dem Kristall aufsitzen. Dies erreichte man bisher dadurch, daß der Zuführungsdraht als Feder ausgebildet wurde. Durch die Induktivität dieses Drahtes zusammen mit den Kapazitäten wird zunehmend mit wachsender Frequenz die Hochfrequenzspannung zwischen den Anschlußkappen und dem Kristallberührungspunkt transformiert, so daß sich die Richtspannung bei Frequenzänderung trotz konstanter, an die Kappen angelegter Hochfrequenzspannung ändert.

Es sind schon Vorschläge bekanntgeworden, um die Länge des federnden Zuführungsdrahtes möglichst kurz zu halten. Beispielsweise wurde eine Kontaktspitze an eine U-förmig ausgebildete federnde Stromzuführung aufgeschweißt. Bei einer anderen bekannten Ausführungsform ist die Kontaktspitze auf federnd ausgebildeten, stufenförmig angebrachten Bechern aufgeschweißt. Bei diesen ao Ausführungsfonnen erreicht man bereits eine verhältnismäßig kurze Länge des Zuführungsdrahtes, jedoch ist die Induktivität der Zuleitung noch derart, daß die Kristalldiode für sehr hohe Frequenzen nicht mehr brauchbar ist.

Die Erfindung bezieht sich auf eine Kristalldiode für sehr hohe Frequenzen mit kurzer, breitflächiger, aus einer im wesentlichen senkrecht zur Kontakt-

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spitze verlaufenden, die Kontaktspitze tragenden federnden Membran bestehenden Stromzuführung. Ausgangspunkt der Erfindung ist eine Anordnung wie sie im folgenden an Hand der Zeichnung näher beschrieben wird.

Mit ι ist der Kristall bezeichnet, der beispielsweise aus Germanium besteht. Die Kontaktspitze 2 ist auf der gewellten Membran 3 aufgelötet. Die Metallkappe 6 mit dem Anschlußring 7 kann einen Stift 9 zur besseren Handhabung beim Einsetzen der Kristalldiode tragen. Der Kristall 1 ist in einem Kristallträger 4 in bekannter Weise befestigt. Der Kristallträger ist dabei von einem ringförmigen Körper 10 der zur Hochfrequenzzuführung benutzt wird, umgeben. Zwischen dem Anschlußring 7 und dem Anschlußring 10 ist ein Isolierring 5, z. B. aus Quarz oder sogenannter Hochfrequenzkeramik, angeordnet.

Erfindungsgemäß beträgt bei einer derartigen ao Kristalldiode die Länge der Kontaktspitze nur einige Zehntelmillimeter, und es ist ein nichtleitendes, zusätzlich federndes Glied senkrecht zur Membran angeordnet.

Eine so ausgebildete Kristalldiode weist eine =5 sehr kleine Induktivität auf. Dafür ist die parallelliegende Kapazität allerdings relativ groß. Diese relativ große, parallelliegende, reine Kapazität wirkt jedoch bei Kristalldioden für sehr hohe Frequenzen wenig störend, da sie in einer Koaxial- oder Hohlleitung, die bei sehr hohen Frequenzen für Knstalldioden benutzt wird, leicht kompensiert werden kann. Mit einer Anordnung gemäß der Erfindung kann also die Grenzfrequenz bis zu sehr hohen Frequenzen verlegt werden. Die gemäß der Erfindung vorgeschlagene Maßnahme, ein nichtleitendes, zusätzlich federndes Glied senkrecht zur Membran anzuordnen, hat den weiteren Vorteil, daß der Kontaktdruck, der bekanntlich die elektrischen Eigenschaften einer solchen Kristalldiode wesentlich beeinflußt, mit dieser Feder eingestellt werden kann. Da das federnde Glied nichtleitend ist, werden durch die Feder selbst die elektrischen Eigenschaften der Anordnung nicht beeinflußt.

Die bei der Anordnung gemäß der Erfindung verwendete Kontaktspitze kann z. B. elektrolytisch angespitzt sein.

Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung wird die Membran, die als Stromzuführung dient, auf einer Metallkappe od. dgl. aufgelötet. Der in der Ebene liegende Rand der Metallkappe kann dann zugleich als Anschlußelement dienen.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind in der Membran Ausgleichsöffnungen für den Druckausgleich zwischen den beiden durch die Membran abgetrennten Hohlräumen vorgesehen.

Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist die Lage der Kontaktspitze justierbar, und die jeweils eingestellte Lage ist gesichert. Beispielsweise können die Dioden mit einer Normaldiode, z. B. in einer Brückenanordnung, verglichen und die optimale Lage der Kontaktspitze eingestellt werden. Die jeweils eingestellte günstigste Lage wird dann z. B. durch Lack oder in ähnlicher Weise gesichert. Zur Einstellung der Lage der Kontaktspitze kann entweder der Kristall oder die Kontaktspitze etwas exzentrisch angeordnet sein, so daß durch gegenseitiges Verdrehen verschiedene Stellen aufgesucht werden können.

Claims

PATENTANSPRÜCHE:

1. Kristalldiode für sehr hohe Frequenzen mit kurzer, breitflächiger, aus einer im wesentlichen senkrecht zur Kontaktspitze verlaufenden, die Kontaktspitze tragenden federnden Membran bestehenden Stromzuführung, dadurch gekennzeichnet, daß die Länge der Kontaktspitze nur einige Zehntelmillimeter beträgt und ein nichtleitendes, zusätzlich federndes Glied senkrecht zur Membran angeordnet ist.

2. Kristall diode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Membran auf einer Metallkappe od. dgl. aufgelötet ist.

3. Kristalldiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß in der Membran Ausgleichsöffnungen für den Druckausgleich vorgesehen sind.

4. Kristalldiode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Lage der Kontaktspitze justierbar ist und die jeweils eingestellte Lage gesichert ist.

In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 307 647, 308 429, 411 966, 417 515, 818654;

britische Patentschrift Nr. 635 690.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

G 409 SOS/12 2.64