DE915233C

DE915233C - Spitzentransistoranordnung mit an der Aufsetzstelle fuer die Elektrodenspitzen keilfoermiger Oberflaeche des Halbleiterkristalls

Info

Publication number: DE915233C
Application number: DE1949P0038247
Authority: DE
Inventors: Dr Phil Werner Jacobi
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1949-03-30
Filing date: 1949-03-30
Publication date: 1954-07-19

Description

Es sind Halbleiterverstärker bekannt, bei denen ein Kristall, wie'z.B. ein. Germamiumkristall, verwendet wird. Dabei befinden sich zwei Elektroden auf der Oberfläche des Kristalls, während der Kristall selbst mit einer gemeinsamen, Elektrode in. Verbindung steht. Eine solche bekannte Anordnung· ist schematisch in Fig. ι dargestellt. Dabei ist mit ι ein Germaniumblock bezeichnet, der mit der Zuleitung 3 in leitender Verbindung steht. Eine Elektrode4 ist als feine Spitze auf der Oberfläche des Kristalls aufgesetzt und steht mit dem Steuerkreis in Verbindung.

Die zu verstärkenden Wechseisp annungen werden an den Eingangsklemmen 5 und 6 angelegt. ¹S Über eine Spannungsquelle 7 gelangt eine kleine positive Vorspannung an die Steuerelektrode 4. In einem außerordentlich geringen Abstand, von' der Steuerelektrode 4 befindet sich, eine gleichfalls aus einer dünnen: Spitze bestehende Ausgangselektröde 8 auf dec Oberfläche des Kristalls, so daß an den Ausgangsklemmen 9 und 10 die verstärkte Wechselspannung abgenommen werden kann. Eine Spannungsquelle 1 r dient dabei dazu, eine genügende negative Spannung am die Ausgangselektrode8 anzulegen¹.

Bei solchen Halbleiterverstärkern kommt es darauf an, daß die Kontaktspitzen von Steuerelektrode und Ausgangselektrode in außerordentlich geringem Abstand voneinianider auf die Kristalloberfläche aufdrücken. Es kommen dabei Elektrodenabstände in der Größenordnung von etwa 0,05 mm in Betracht. Der Erfindung liegt die Aufga.be zugrunde, einen Kristallverstärker zu schaffen, bei dem die Einhaltung und, die Kontrolle solcher außerordentlieh geringer Kontaktspitzenabstände gewährleistet ist.

Als Kristallelemenit wird dabei eine an sich bekannte Ausbildung in Form eines Keiles gewählt, auf dessen Keilflächen die Steuer- und Ausgangselektroden aufliegen.

Bei einer Spitzenitransistoranordnung mit an der Aufsetzstelle für die Elektrodenspitzen keilförmiger Oberfläche des Halbleiterkristalls bilden erfmdungsgemäß die zangeniartig gebogenen Elektroden ♦5 mit ihrer Abstandshalterung eine für sich justierbare Baueinheit, welche als Ganzes in Richtung der Symmetrieachse der Elektrodenzange zum Kristall einstellbar und nach Justierung festlegbar ist.

Ein solches Verstärkungselement kann in der Weise hergestellt werden, daß während des Zusammenbaius mittels einer feinen Verstellmöglichkeit der keilförmig gestaltete Kristall mehr oder weniger tief zwischen die gegeneiniandear federnden Elektroden unter gleichzeitiger Messung ihrer elektrischen Funktion geschoben wird und daß bei Erreichen einer günstigen Stellung· die bewegbaren Teile mechanisch fixiert werden,.

An Hand der Zeichnung soll die Erfindung näher erläutert werden. Fig. 2 zeigt schematisch ein Äusführungsbeispiel für einen Halbleiterverstärker nach der Erfindung, bei dem der Kristall keilförmig angeschliffen ist. Die Elektroden, 4 und 8 sind zangenartig durch zwei sich berührende Federn ausgebildet, die gegen die Keilkante geschoben und auf diese Weise mit Hilfe des Keiles voneinander getrennt werden. Je nach der Eintauchtiefe des Keiles zwischen den Elektroden wird ein verschieden großer Abstand der gegenseitigen Auflagepunkte und damit ein bestimmtes elektrisches Verhalten¹ der Einrichtung bedingt. Bei einfachen Verstärkerelementen, die hinsichtlich eines bestimmten Wertes gleich sein sollen bzw. die einmal auf den optimalen Wert eingestellt werden sollen, erfolgt während der relativen Lageänderung eine elektrische Funktionsmessung und nach Erreichen des gewünschten Wertes eine Fixierung der relativ ziteinander verschiebbaren Teile. Durch Einbeziehung einer Verstellmöglichkeit in den Aufbau des Verstärkerelementes ist jedoch auch ein solches herstellbar, das> späterhin im beliebiger Weise eine wiederholte Einstellung¹ zuläßt.

Claims

PATENTANSPRUCH:

Spitzentransistoranordnung mit an der Aufsetzstelle für die Elektrodenspitzen keilförmiger Oberfläche des Halbleiterkristalls, dadurch gekennzeichnet, daß die zangenartig gebogenen Elektroden mit? ihrer Abstandshalterung eine für sich justierbare Baueinheit bilden, welche als Ganzes in Richtung der Symmetrieachse der Elektrodenzange zum Kristall einstellbar umd nach Justierung festlegbar ist.

Angezogene Druckschriften,: Deutsche Patentschrift Nr. 307647; »The Physiial Review« VoI 75 vom 15.2. 1949, S. 689 und 690.