DE3020657A1 - Elektrophotographischer photoleiter - Google Patents
Elektrophotographischer photoleiterInfo
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- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 85
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 82
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 claims description 31
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 20
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 16
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 12
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 28
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 28
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 28
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 25
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 15
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 13
- 238000004125 X-ray microanalysis Methods 0.000 description 10
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- OCKGFTQIICXDQW-ZEQRLZLVSA-N 5-[(1r)-1-hydroxy-2-[4-[(2r)-2-hydroxy-2-(4-methyl-1-oxo-3h-2-benzofuran-5-yl)ethyl]piperazin-1-yl]ethyl]-4-methyl-3h-2-benzofuran-1-one Chemical compound C1=C2C(=O)OCC2=C(C)C([C@@H](O)CN2CCN(CC2)C[C@H](O)C2=CC=C3C(=O)OCC3=C2C)=C1 OCKGFTQIICXDQW-ZEQRLZLVSA-N 0.000 description 2
- RTZRJSLZUINFDV-UHFFFAOYSA-N [Cl].[Se] Chemical compound [Cl].[Se] RTZRJSLZUINFDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 241000859095 Bero Species 0.000 description 1
- OAAKZKGKPMPJIF-UHFFFAOYSA-N [Cl].[I] Chemical compound [Cl].[I] OAAKZKGKPMPJIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 150000003342 selenium Chemical class 0.000 description 1
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
DIPL.-ING. SCHWABE DR DR. SANDMAIR
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Ricoh Company, Ltd. Tokyo / Japan
Elektrophotographi scher Photoleiter
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ORIGINAL INSPECTED
Beschreibung
Die Erfindung betrifft einen elektrophotographischen Photoleiter, und betrifft insbesondere einen elektrophotographischen
Selen-Tellur-Photoleiter.
Als ein Verfahren zum Erhöhen der Photoempfindlichkeit eines
elektrophotographischen Selen-Photoleiters ist ein Verfahren bekannt, bei dem dem Selen-Photoleiter Tellur hinzugefügt
wird. Jedoch können die Selen-Eigenschaften in Abhängigkeit
von der beigemengten Tellurmenge oder in Abhängigkeit von der Art der Beimengung erheblich beeinträchtigt werden, so daß
der Selen-Photoleiter nicht in ausreichender Weise sensibilisiert und dementsprechend in der Praxis nicht verwendet werden
kann.
Um dies zu verbessern, ist eine elektrophotographische Photoleiterplatte
mit einer photoempfindlichen Schicht aus einer Selen-Tellur-Legierung und einem Halogen in der japanischen
Offenlegungsschrift S.N. 50-142036 storgeschlagen, wobei-die
Tellurkonzentration in der photoempfindlichen Schicht in der Richtung parallel zur Oberfläche des Photoleiters gleichförmig
ist, während die Tellurkonzentration in' Richtung senkrecht zur Oberfläche des Photoleiters allmählich zunimmt. Insbesondere
die Tellurkonzentration nähe der Oberfläche des Photo-
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leiters liegt im Bereich von 5 bis 20 Gewichts-%, während die Tellurkonzentration nahe der Unterlagenplatte nicht höher als
5 Gewichts-% ist.
Ferner ist ein elektrophotographischer Selen-Photoleiter vorgeschlagen
worden, bei welchem die Tellurkonzentration in der photoempfindlichen Schicht in der Richtung senkrecht zur Oberfläche
des Photoleiters zunimmt und die Tellurkonzentration
nahe der Oberfläche des Photoleiters höher ist. Wenn jedoch dieser Selen-Photoleiter in der Praxis in einem elektrophotographischen
Kopiergerät verwendet wird, erscheinen infolge einer ungleichmäßigen Abnutzung der photoempfindlichen Schicht
schwarze Linien auf der Kopie.
Im allgemeinen ist die Photoempfindlichkeit eines Photoleiters
proportional dem Produkt aus (I) der Anzahl Ladungsträger, die in dem Photoleiter durch darauf projiziertes Licht erzeugt worden
sind, und (II) der Driftbeweglichkeit der Ladungsträger.
In dem Photoleiter mit einer Selen-Tellur-Legierung hängt die Anzahl der durch das darauf projezierte Licht erzeugten Ladungsträger
von der Tellurkonzentration in der 1 bis etwa 3(1 dicken
Oberflächeschicht des Photoleiters~äb, während die Drir"tBeweglichkeit
von Ladungsträgern auch von der Tellurkonzentration in der—inneren Schicht unter der Oberflächenschicht
abhängt . Wenn die Tellurkonzentration in der 1 bis 3μ dicken Oberflächenschicht des Photoleiters konstant ist, hängt die
Photoempfindlichkeit des Selen-Tellur-Legierungs-Photoleiters
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von der Driftbeweglichkeit von Ladungsträgern ab. Die Driftbeweglichkeit
der Ladungsträger ist in der inneren Selen-Tellur-Schicht minimal, wenn die Tellurkonzentration dort etwa 4
Gewichts-% ist und parabolisch (wenn sie aufgetragen wird) außerhalb des vorerwähnten minimalen Bereichs von etwa 4 Gewichts-%
zunimmt. Folglich muß ein solcher Tellurkonzentrationsbereich, wo die Beweglichkeit von Ladungsträger im der
Selen-Tellur- Legierungsschicht auf ein Minimum herabgesetzt ist, vermieden werden. Bei dem elektrophotographischen Photoleiter
aus einer elektrisch leitenden Unterlage und einer darauf ausgebildeten photoempfindlichen Schicht, die eine Selen-Tellur-Legierung
aufweist, beträgt in der Praxis die Tellurkonzentration in der photoempfindlichen Schicht vorzugsweise
5 Gewichts-% oder mehr, vorzugsweise 8 Gewichts-% oder mehr und die Konzentration ist vom Gesichtspunkt der Photoempfindlichkeit
des Photoleiters her in der Richtung senkrecht zur Oberfläche des Photoleiters im wesentlichen gleichförmig.
Gemäß der Erfindung soll daher ein elektrophotographischer Photoleiter mit einer elektrisch leitenden Unterlage und
einer darauf ausgebildeten photoempfindlichen Schicht.geschaffen werden, welcher eine SelenTellur-Legierung mi-t-einer
Tellurkonzentration im Bereich von 5 bis 20 Gewichts-% und ein Halogen im J3ereich von 5 bis 500 ppm in der photoempfindlichen Schicht aufweist, und in welcher die Tellurkonzentration in Richtung senkrecht zur Oberfläche der photoempfindlichen Schicht im wesentlichen gleichförmig i'st.
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-X-ΐ
Da gemäß der Erfindung die Tellurkonzentration in Richtung senkrecht zur Oberfläche der photoempfindlichen bzw. photoleitfähigen
Schicht im wesentlichen gleichförmig ist, ist dadurch verhindert, daß die Tellurverteilung in der Oberflächenschicht
des Photoleiters während der Benutzung ungleichförmig wird. Ferner sind die Photoempfindlichkeit und andere Eigenschaften
einschließlich des Restpotentials des Photoleiters durch das Beimengen eines Halogens verbessert.
Gemäß der Erfindung ist somit ein elektrophotographischer
Leiter mit einer elektrisch leitenden Unterlage und einer darauf ausgebildeten photoempfindlichen Schicht geschaffen, wobei die
photoempfindliche Schicht eine Selen-Tellur-Legierung mit einer Tellurkonzentration im Bereich von 5 bis 20 Gewichts-% und ein
aus der Gruppe Fluor, Chlor, Brom oder Jod ausgewähltes Halogen mit einer Konzentration im Bereich von 5 bis 500 ppm in der
photoempfindlichen Schicht aufweist, wobei die Tellurkonzentration in Richtung zu der Oberfläche der photoempfindlichen
Schicht hin im wesentlichen gleich ist oder zunimmt und das
Verhältnis der Tellurkonzentration nahe der elektrisch leiten.r
den Unterlage zu der Tellurkonzentration nahe der Oberfläche der photoempfindlichen Schicht 65 oäSr mehr : 100 ist.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen im
einzelnen erläutert. Hierbei zeigen:
Fig. 1 die Abnahme des Restpotentials eines elektrophoto-
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graphischen Photoleiters mit einer Selen-Tellur-Legierung gemäß der Erfindung bei einer Tellurkonzentration
in der photoempfindlichen Schicht von 9 Gewichts-%, wenn Jod bzw. Chlor beigemengt werden; und
Fig. 2 die Zunahme der relativen Photoempfindlichkeit eines
elektrophotographischen Photoleiters mit einer Selen-Tellur-Legierung gemäß der Erfindung bei einer Tellurkonzentration
in der photoempfindlichen Schicht von 8 Gewichts-%, wenn Jod bzw. Chlor beigemengt werden.
In jeder Ausführungsform des elektrophotographischen Photoleiters gemäß der Erfindung ist die Tellurkonzentration in der
photoempfindlichen Schicht in Richtung senkrecht zur Oberfläche der photoempfindlichen Schicht im wesentlichen gleichförmig.
Hierbei ist mit dem Ausdruck "im wesentlichen gleichförmig" zum Ausdruck gebracht, daß bei der Tellur-Konzentration nahe
der elektrisch leitenden Unterlage von 5 Gewichts-% oder mehr die Konzentration in der Richtung zur Oberfläche der photoempfindlichen
Schicht hin (senkrecht zu der Oberfläche) gleichförmig
ist oder zunimmt; wenn jedoch das Verhältnis von(I) de£ Konzentration nahe der elektrisch" leitenden Unterlage" zu
(II) der Konzentration nahe der Oberfläche der photoempfindlichen Schicht 65 oder mehr : 100 ist, wird die Konzentration
im wesentlichen gleichförmig bezeichnet. Ferner ist mit dem Ausdruck "nahe der elektrisch leitenden Unterlage" der
Bereich in der photoempfindlichen Schicht von*1 bis 3μ von der
Grenzfläche zwischen der photoempfindlichen Schicht und der
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elektrisch leitenden Unterlage bezeichnet, und mit "nahe der Oberfläche der photoempfindlichen Schicht" ist der Bereich
von 1 bis 3μ. in der photoempfindlichen Schicht ausgehend von
deren obersten Fläche bezeichnet.
In einem elektrophotographischen Selen-Tellur-Photoleiter gemäß der Erfindung liegt der obere Grenzwert der Tellurkonzentration
in der photoempfindlichen Schicht bei 20 Gewichts-%,
da das Beimengen von Tellur auch einen Einfluß auf ein Ändern der Selenstruktur von einem amorphen in einen kristallinen Zustand
hat, und über dem Grenzwert von 20 Gewichts-% ist die Änderung so groß, daß der Photoleiter nicht mehr verwendet
werden kann. Es hat sich ergeben, daß der vorteilhafteste Bereich der Tellurkonzentration bei 8 bis 12 Gewichts-% liegt.
Die Tellurkonzentration in der photoempfindlichen Schicht des Photoleiters kann beispielsweise mit Hilfe von zwei verschiedenen
Verdampfungsquellen eingestellt werden, wobei Selen in der einen Verdampfungsquelle und Tellur in der anderen Verdampf
ungsquelle angeordnet ist oder sie kann mit Hilfe einer
einzigen Verdampfungsquelle eingestellt werden, um eine Selen-Tqilur-Legierung
zu erhalten, wobef~eine Verschlußklappe~vörgesehen
ist, um die Verdampfungsquelle zu verschließen, bis deren Temperatur' auf eine vorbestimmte Temperatur angestiegen
ist, um sie dann zum Verdampfen für eine vorbestimmte Zeitdauer
zu öffnen und um sie dann zu einem vorbestimmten Zeitpunkt wieder zu schließen.
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Außerdem wird bei dem elektrophotographxschen Selen- Tellur-Photoleiter
gemäß der Erfindung ein Halogen beigemengt, um dessen Restpotential zu verringern und um seine anderen elektrischen
Eigenschaften zu verbessern. Als Halogen kann Jod-Chlor, Fluor oder Brom in einem Bereich von 5 bis 500 ppm verwendet
werden. Wenn weniger als 5 ppm eines Halogens beigemengt wird, kann keine Wirkung festgestellt werden, und wenn
mehr als 500 ppm beigemengt wird, kann der Photoleiter nicht auf das erforderliche Potential geladen werden. Ferner ändert
sich innerhalb des Bereichs von 5 bis 500 ppm die wirksamste Halogenmenge in Abhängigkeit davon, welche Substanz (Jod, Chlor,
Fluor oder Brom) beigement wird, da deren Atomgewichte unterschiedlich
sind.
In Fig. 1 ist die Abnahme des Restpotentials eines elektrophotographischen
Photoleiters gemäß der Erfindung bei einer Tellurkonzentration in der photoempfindlichen Schicht von
9 Gewichts-% dargestellt, wenn Jod bzw. Chlor beigemengt wird, wie oben beschrieben ist. Im Falle von Jod nimmt das Restpotential
ständig ab, wenn größere Mengen davon durch Hinzu- ■
fügen von 500 ppm beigemengt werden. Im Falle von Chlor nimmt
7 bei Hinzufügen von Mengen bis ~zu 30 ppm das Restpotelitial
des Photoleiters sehr schnell ab; von 30 ppm bis lOOppm ist die Abnahme des Restpotentials weiterhin Schwach. Aus
Fig. 1 kann auch ersehen werden, daß das Restpotential durch das Hinzufügen von 100 ppm Chlor weniger abnimmt als durch
das Hinzufügen von 500 ppm Jod.
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Die "relative Photoempfindlichkeit" wurde folgendermaßen festgelegt:
Die Oberfläche jedes Photoleiters gemäß der Erfindung
wurde durch eine Koronaladung auf bis zu Ί000 V geladen und
danach wurde sie mit 60 Lux eine entsprechende Zeitdauer beleuchtet, die notwendig ist, um das Oberflächenpotential mit
Hilfe einer normalen Lichtquelle (von 28540K)mit einem DM-Filter,
welches Licht mit kürzeren Wellenlängen als 460 ΐημ und
Licht mig längeren Wellenlängen als 700 πιμ ausfiltern kann,
auf 100V zu verringern. Dieser Vorgang wurde 100 Mal wiederholt.
Bei der 100-sten Beleuchtung wurde die Zeit gemessen, die notwendig ist, um das Oberflächenpotential auf 100V zu verringern.
Diese Zeit für die 100-ste Beleuchtung, die in Sekunden als Ordinate in Fig. 2 aufgetragen ist} ist die relative
Photoempfindlichkeit des Photoleiters, wobei die bei
diesem Versuch hinzugefügten Halogenmengen geändert wurden.
Wie in Fig. 2 dargestellt, gilt, je kürzer die Zeit, umso höher die Photoempfindlichkeit.
Wie Fig. 2 zeigt, steigt im Falle von Chlor die relative
Phc oempfindlichkeit. ständig (d.h. die Belichtungszeit, um
das Oberflächenpotentials auf 100V zu verringern, nimmt ab),
wenn Chlor bis zu IGQppm beigemengiTwird. Im Fall von Jod"
steigt die relative Photoeiapf indlichkeit mit dem Beimengen
von bis zu e^a. "50ppm schnell und mit dem Beimengen von bis
zu 500 ppm dann allmählich an. Aus Fig. 2 kann auch ersehen
werden, daß die relative Empfindlichkeit durch das Hinzufügen von 100 ppm Chlor stärker verbessert wird als durch Hinzu-
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fügen von 500 ppm Jod.
Das folgende sind Beispiele von Ausbildungen von elektrophotographischen
Photoleitern, wobei die Beispiele 1A bis 5A die Ausführungsformen von Selen-Tellur-Photoleitern gemäß der Erfindung
sind, während die Beispiele 1B bis 5B als Vergleich zu den Beispielen A1 bis 5A dienen.
In einer Vakuumkammer wurde eine elektrisch leitende Aluminium-Grundplatte
über Selen in einer Verdampfungsquelle, wobei lOOppm
Chlor als Halogen beigemengt wurden, und Tellur in einer Menge von 10 Gewichts-% bezüglich des Selens in einer anderen Verdampfungsquelle
angeordnet. Die Temperatur der Aluminiumgrundplatte wurde auf 750C gehalten, während das Selen mit dem beigemengten
Chlor auf 3000C und das Tellur auf 5000C erhitzt wurde.
Die Verdampfung durfte andauern, bis eine mit Chlor dotierte Schicht einer Selen-Tellur-Legierung in einer Dicke von 50μ auf
der Aluminiumgrundplatte ausgebildet war, um dadurch den elektrophotographisehen
Photoleiter zu schaffen. Danach wurde der wie vorstehend beschrieben ausgebildete, elektrophotographische
Phötoleiter mittels eines Röntgen-MIKro-Analysators einer
Röntgen-Mikro-Analyse unterzogen, wobei die Verteilung des Tellurs in der Richtung zu der Oberfläche des elektrophotographischen
Photoleiters hin gemeseen wurde. Hierbei wurde festgestellt, daß nahe der Grundplatte in dem Zwischenbereich
und nahe der Oberfläche des Photoleiters die Tellurkonzentration gleichförmig 10 Gewichts-% war.
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Dieser Photoleiter wurde auch hinsichtlich seiner relativen Photoempfindlichkeit geprüft, wie vorstehend anhand von Fig.2
beschrieben ist. Die auf diese Weise gemessene, relative Photoempf indlichkeit betrug 4,5s (was im Vergleich zu dem unten
angeführten Beispiel 1B gut ist.) Danach wurden mit diesem
Photoleiter in einem Kopiergerät 30 000 Normalkopien hergestellt. Am Ende dieser Prüfperiode waren keine der vorerwähnten
schwarzen Linien auf den Kopien zu sehen, und die Widerstandsfähigkeit des Photoleiters gegenüber Abnutzung wurde
als gut festgestellt.
In derselben Vakuumeinricr :ung wie im Beispiel 1A wurde ein
Gemisch, und zwar (I) Selen und (II) eine Legierung aus Selen und 12 Gewichts-% Tellur mit beigemengten lOOppm Chlor
gleichmäßig mechanisch gemischt, so daß das Tellur 8 Gewichts-% des ganzen Gemisches darstellte, in einer einzigen
Verdampfungsquelle unter einer elektrisch leitenden Grundplatte (Aluminium) angeordnet. Die Temperatur der elektrisch lei-~
tenden Grundplatte wurde auf 750C gehalten, während das Gemisch
in der Verdampfungsquelle für 10min auf 2800C und dann
für 7min auf 3100C erhitzt wurde, wodurch sich eine Schiebt
aus einer mit Chlor dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 50μ auf der elektrisch leitenden Grundplatte
gebildet hatte, wodurch dann der elektrophotographische Photoleiter geschaffen war. Danach wurde der wie vorstehend be-
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schrieben, ausgebildete, elektrophotographische Leiter einer Röntgen-Mikroanalyse unterzogen, wobei die Tellurverteilung
in der Richtung zu der Oberfläche des Photoleiters hin gemessen wurde. Hierbei wurde festgestellt, daß nahe der Grundplatte
die Tellurkonzentration 4 Gewichts-%, in dem Zwischenbereich 8 Gewichts-% und nahe der Oberfläche des Photoleiters
10 Gewichts-% betrug.
Der Photoleiter wurde auch bezüglich seiner relativen Photoempfindlichkeit
geprüft, wie vorstehend anhand von Fig.2 beschrieben ist. Die auf diese Weise gemessene, relative Photoempfindlichkeit
betrug 6s (was im Vergleich zu dem vorstehend wiedergegebenen Beispiel 1A schlecht ist). Danach wurden mit
diesem Photoleiter in einem Kopiergerät 30 000 Normalkopien hergestellt. Am Ende dieser Prüfperiode erschienen die vorerwähnten
schv-arzen 1 linien auf den Kopien, und das Verhalten
dieses Photoleiters konnte somit al. unzulänglich festgelegt
werden.
Beispiel 2A " "
In derselben Vakuumeinrichtung wie beim Beispiel 1A wurde eine
mit 50ppm CHlor dotierte Legierung aus Selen und 9 Gewichts-%
Tellur in einer" einzigen Verdampfungsquelle unter einer Aluminiumgrundplatte angeordnet. Die Temperatur der Aluminiumgrundplatte wurde auf 800C gehalten, währ ιά die Selen-Tellur-Legierung in der Verdampfungsquelle zum Verdampfen der Legie-
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rung auf 3500C erhitzt wurde, wodurch eine Schicht aus der mit
Chlor dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 60μ auf der Aluminium-Grundplatte ausgebildet wurde, so daß
auf diese Weise der elektrophotographische Photoleiter geschaffen war.
Danach wurde der auf die vorbeschriebene Weise ausgebildete, elektrophotographische Photoleiter einer Röntgen-Mikroanalyse
unterzogen, wobei dieTellurverteilung in Richtung zu der Oberfläche des Photoleiters hin gemessen wurde. Es wurde festgestellt,
daß nahe der Grundplatte die Tellurkonzentration 6,5 Gewichts-%, in dem Zwischenbereich 8 Gewichts-%, und nahe der
Oberfläche des Photoleiters 9,5 Gewichts-% betrug.
Dieser Photoleiter wurde auch bezüglich der relativen Photoempfindlichkeit
untersucht, bevor und nachdem er in einem Kopiergerät zur Herstellung von 110 000 Normalkopien verwendet
wurde. Es stellte sich heraus, daß die relative Photoempfindlichkeit vor und nach dem Kopiertest bei 3,7s lag.
In derselben Vakuumeinrichtung wie im Beispiel IA wurde
wie ±m Beispiel-2A mit 50ppm Chlor dotierte Legierung aus Selen
und 9 Gewichts-% Tellur in einer einzigen Verdampfungsquelle
unter einer Aluminiumgrundplatte angeordnet. Die Temperatur der Aluminiumgrundplatte wurde auf 75°C gehalten, wäh-
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rend die Selen-Tellur-Legierung in der Verdampfungsquelle zum Verdampfen der Legierung auf 3100C erhitzt wurde, wodurch eine
Schicht aus der mit Chlor dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 60μ auf der Aluminiumgrundplatte ausgebildet
wurde, um auf diese Weise den elektrophotographischen Photoleiter zu schaffen.
Danach wurde der wie vorstehend beschrieben ausgebildete^ elektrophotographische
Photoleiter einer Röntgen-Mikroanalyse unterzogen, wobei die Tellurverteilung in Richtung zu der Oberfläche
des Photoleiters hin gemessen wurde. Es wurde festgestellt, daß nahe der Grundplatte die Tellurkonzentration 4,5
Gewichts-%, in dem Zwischenbereich 6,5 Gewichts-% und nahe der Oberfläche des Photoleiters 9,5 Gewichts-% betrug.
Auch dieser Photoleiter wurde bezüglich seiner relativen Photoempfindlichkeit
überprüft, bevor und nachdem er in einem Kopiergerät zur Herstellung von 110 000 Normalkopien verwendet
wurde. Die relative Photoempfindlichkeit betrug vor dem Kopiertest 4,5s und nach dem Kopiertest 5,5s. Somit wurde die
Photoempfindlichkeit während des Kopiertests geringer..
Beispiel 3A ..__ .
In derselben Vakuumeinrichtung wie in dem Beispiel 1A wurde
eine mit 30ppm Chlor dotierte Legierung aus Selen und 8 Gewichts-%
Tellur in einer einzigen Verdampfungsquelle unter
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einer Aluminiumgrundplatte angeordnet. Die Temperatur der Aluminiumgrundplatte
wurde bei 700C gehalten, während die Selen-Tellur-Legierung
in der Verdampfungsquelle zum Verdampfen der Legierung auf 3300C erhitzt wurde, wodurch eine Schicht aus
der mit Chlor dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 65μ auf der Aluminiumgrundplatte ausgebildet wurde, wodurch
der elektrophotographische Leiter geschaffen war.
Der wie vorbeschrieben ausgebildete, elektrophotographische Photoleiter wurde einer Röntgen-Mikroanalyse unterzogen, wobei
die Verteilung des Tellurs in Richtung zu der Oberfläche des Photoleiters hin gemessen wurde. Es wurde festgestellt, daß
nahe der Unterlage die Tellurkonzentration 6,0 Gewichts-%., in dem Zwischenbereich 7,0 Gewichts-% und nahe der Oberfläche des
Photoleiters 8,5 Gewichts-% betrug. Danach wurden mit diesem Photoleiter in einem Kopiergerät 80 000 Normalkopien hergestellt.
Am Ende dieser Testperiode erschien keine der vorerwähnten schwarzen Linien auf den Kopien und es wurde keine
nachteilige Beeinflussung der Bildqualität festgestellt.
In derselben Vakuumeinrichtung wie in dem Beispiel 1A wurde
dieselbe wie in-Beispiel 3A mit 30ppm Chlor dotierte Legierung aus Selen und 8 Gewichts-% Tellur in einer einzigen Verdampfungsquelle
unter einer Aluminiumgrundplatte angeordnet. Die Temperatur der Aluminiumgrundplatte wurde auf 700C gehalten,
030050/0863
.- ORiGf NALfRjsP
während die Selen-Tellur-Legierung in der Verdampfungsquelle zum Verdampfen der Legierung auf 3000C erhitzt wurde, wodurch
eine Schicht aus der mit Chlor dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 65μ auf der Aluminiumgrundplatte ausgebildet
wurde, wodurch dann der elektrophotographische Photoleiter geschaffen war.
Danach wurde der wie vorbeschrieben ausgebildete, elektrophotographische
Photoleiter einer Röntgen-Mikroanalyse unterzogen, wobei die Verteilung des Tellurs in Richtung zur Oberfläche
des Photoleiters hin gemessen wurde. Es wurde festgestellt,
daß nahe der Unterlage die Tellurkonzentration 4,0 Gewichts-%,'
in dem Zwischenbereich 6,0 Gewichts-% und nahe der Oberfläche des Photoleiters 8,5 Gewichts-% betrug. Dieser Photoleiter
wurde dann in einem Kopiergerät zur Herstellung von 80 000 Normalkopien verwendet. Im Unterschied zu dem Beispiel 3A erschienen
die vorerwähnten schwarzen Linien auf den Kopien, und die Leistungsfähigkeit dieses Photoleiters mußte somit als unzulänglich
festgestellt werden.
In derselben Vakuumeinrichtung wie in dem Beispiel 1A wurde eine mit 250ppm-Jod dotierte Legierung aus Selen und 10 Gewichts-%
Tellur in einer einzigen Verdampfungsquelle unter einer Aluminiumgrundplatte angeordnet. Die Temperatur der Aluminiumgrundplatte
wurde auf 750C gehalten, während die Selen-
030050/0863
INSPECTED
3.Q20657
Tellur-Legierung in der Verdampfungsquelle zum Verdampfen der Legierung auf 3500C erhitzt wurde, wodurch eine Schicht aus der
mit Jod dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 55μ auf der Aluminiumgrundplatte ausgebildet wurde, so daß dadurch
dann der elektrophotographische Photoleiter geschaffen war.
Danach wurde der wie vorbeschrieben ausgebildete, elektrophotographische
Photoleiter einer Röntgen-Mikroanalyse unterzogen, wobei die Verteilung des Tellurs in Richtung zu der Oberfläche
des Photoleiters hin gemessen wurde. Es wurde festgestellt, daß
nahe der Grundplatte die Tellurkonzentration 7,0 Gewichts-%, in dem Zwischenbereich 8,5 Gewichts-% und nahe der Oberfläche
des Photoleiters 9,5 Gewichts-% betrug.
Dieser Photoleiter wurde dann auch bezüglich der relativen Photoempfindlichkeit
untersucht, bevor und nachdem er in einem Kopiergerät zur Herstellung von 20 000 Normalkopien verwendet
wurde. Es wurde fesgestellt, daß die relative Photoempfindlichkeit
vor und nach dem Kopiertest bei 3,4s gehalten wurde:
Am. Ende dieser Versuchsperiode wurden .einige Kratzer .auf dem
Photoleiter wahrgenommen; es wurde jedoch festgestellt, daß sie keinen besonders negativen Einfluß auf die Bildqualität ..
der Kopien hatten.
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ORiGINAL FNSPECTED
2p"-
In derselben Vakuumeinrichtung wie im Beispiel 1A wurde dieselbe
wie im Beispiel 4A mit 250ppm Jod dotierte Legierung aus Selen und 10 Gewichts-% Tellur in einer einzigen Verdampfungsquelle unter einer Aluminiumgrundplatte angeordnet. Die Temperatur
der Aluminiumgrundplatte wurde auf 75°C gehalten, während die Selen-Tellur-Legierung in der Verdampungsquelle zum
Verdampfen der Legierung auf 3100C erhitzt wurde, wodurch eine
Schicht aus der mit Jod dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 62μ auf der Alumxniumgrundplatte ausgebildet
wurde, so daß dann der elektrophotographische Photoleiter geschaffen war.
Danach wurde der wie vorstehend beschrieben ausgebildete, elektrophotographische
Photoleiter einer Röntgen-Mikroanalyse unterzogen, wobei die Tellurverteilung in Richtung zu der Oberfläche
des Photoleiters hin gemessen wurde. Es wurde festgestellt, daß nahe der unterlage die Tellurkonzentration 4,0 Gewichts-%, in
dem Zwischenbereich 7,2 Gewichts-% und nahe der Oberfläche des Photoleiters 9,5 Gewichts-% betrug. Dieser Photoleiter wurde
auch bezüglich seiner relativen Photoempfindlichkeit untersucht,
bevor und nachdem er in einem Kopiergerät zur Herstellung von 20 000 Normalkopien verwendet wurde. Die relative
Photoempfindlichkeit betrug vor dem Kopiertest 4,0s und nach dem Kopiertest 4-r5s. Somit hat die Photoempfindlichkeit während
des Kopierversuchs abgenommen. Am Ende der Versuchsperiode wurden einige Kratzer wie im Beispiel 4A bemerkt, und im Unterschied
zu dem Beispiel 4A wurde festgestellt, daß die Kratzer
030050/0863 - 21 -
ORIGINAL INSPECTED
einen nachteiligen Einfluß auf die Bildqualität der Kopien hatten und die vorerwähnten schwarzen Linien auf den Kopien
erschienen.
In derselben Vakuumeinrichtung wie in Fig.1A wurde eine mit
500ppm Jod dotierte Legierung aus Selen und 14 Gewichts-% Tellur in einer einzigen Verdampfungsquelle unter einer Aluminiumgrundplatte
angeordnet. Die Temperatur der Aluminiumgrundplatte wurde auf 75 0C gehalten, während die Selen-Tellur-Legierung
in der Verdampfungsquelle zum Verdampfen der Legierung auf 3600C erhitzt wurde, wodurch eine Schicht aus der mit Jod
dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 55μ auf der Aluminiumgrundplatte ausgebildet wurde, so daß auf diese
Weise der elektrophotographisehe Photoleiter geschaffen war.
Danach wurde der wie vorstehend beschrieben ausgebildete, elektrophotographische
Photoleiter einer Röntgen-Mikroanalyse unterzogen, wobei die Tellurverteilung in Richtung zu der Oberfläche
des Photoleiters hin gemessen wurde. Es wurde "festgestellt, daß nahe der Grundplatte die Tellurkonzentration 10
Gewichts-%, in dem Zwischenbereich 11 Gewichts-% und nahe"der
Oberfläche des Photoleiters 12,5 Gewichts-%.betrug.
Dieser Photoleiter wurde auch bezüglich seiner relativen Photoempfindlichkeit
untersucht, bevor und nachdem er in einem
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ORiGiNAL /NSPECTED
Kopiergerät zur Herstellung von 30 000 Normalkopien verwendet wurde. Hierbei wurde festgestellt, daß die relative Photoempfindlichkeit
vor und nach dem Kopiertest bei 2,5s gehalten wurde.
Im derselben Vakuumeinrichtung wie in dem Beispiel 1A wurde
eine mit 500ppm Jod dotierte Legierung aus Selen und 14 Gewichts-% Tellur in einer einzigen Verdampfungsquelle unter
einer Aluminiumgrundplatte angeordnet. Die Temperatur der Alu miniumgrundplatte wurde auf 75°C gehalten, während die Selen-Tellur-Legierung
in der Verdampfungsquelle zum Verdampfen der Legierung auf 3100C erhitzt wurde, wodurch eine Schicht aus
der mit Jod dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 62μ auf der Aluminiumgrundplatte ausgebildet wurde, so
daß dadurch dann der elektrophotographische Photoleiter geschaffen war.
Danach wurde der wie vorstehend beschrieben ausgebildete, trpphotographische Photoleiter einer Röntgen-Mikroanalyse unterzogen,
wobei die Tellurverteilung in Richtung zu der Oberfläche des Photoleiters hin gemessen wurde. Es wurde fesfege-
stellt, daß nahender Grundplatte die Tellurkonzentration 5,5
Gewichts-%, in dem Zwischenbereich 8,5 Gewichts-% und nahe der Oberfläche des Photoleiters 12,5Gewichts-% betrug.
030050/0863 "23~
ORIGINAL INSPECTED
Dieser Photoleiter wurde auch bezüglich seiner relativen Photoempfindlichkeit
geprüft, bevor und nachdem er in einem Kopiergerät zur Herstellung von 30 000 Normalkopien verwendet
wurde. Die relative Photoempfindlichkeit betrug vor dem Kopiertest
3,0s und nach dem Kopiertest 3,4s. Somit hat die Photoempfindlichkeit
abgenommen. Ferner erschienen im Unterschied zu dem Beispiel 5A die vorerwähnten schwarzen Linien in beträchtlichem
Maße auf den Kopien, und die Leistungsfähigkeit dieses Photoleiters mußte somit als unzulänglich festgestellt
werden.
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Leerseite
Claims (5)
- DR. BERG DIPL--NG. STAFF 'ί Π ? Π R RDIPL.-ING. SCHWABE DR. DR. SANDMAIR O U Z U D D /PATENTANWÄLTE
Postfach 860245 ■ 8000 München 86Anwaltsakte: 30 953Patentansprüche1 Λ Elektrophötographischer Photoleiter mit einer elektrisch leitenden Unterlage und einer darauf ausgebildeten photoempfindlichen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die photoempfindliche Schicht eine Selen-Tellur-Legierung mit einer Tellurkonzentration im Bereich von 5 bis 20 Gewichts-% und ein aus der Gruppe Fluor, Chlor, Brom und Jod ausgewähltes Halogen mit einer Konzentration im Bereich von 5 bis 500 ppm in der photoempfindlichen Schicht aufweist, wobei die Tellurkonzentration nahe der elektrisch leitenden Unterlage bei 5 Gewichts-%· oder mehr liegt und in Richtung zur Oberfläche der photoeirpfindlichen Schicht hin gleichförmig ist oder zunimmt und das Verhältnis der Tellurkonzentration nahe der elektrisch leitenden Unterlage zu der Tellurkonzentration nahe der Oberfläche der photoempfindlichen Schicht 65 oder mehr : 100 ist. - 2. Elektrophötographischer PhotoleifeT mit einer elektrisch leitenden Unterlage und einer darauf ausgebildeten photoempfindlichen Schicht, insbesondere nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die. photoempfindliche Schicht eine Selen-Tellur-Legierung mit einer Tellurkonzentration im Bereich von 5 bis 20 Gewichts-% und ein aus der Gruppe Fluor,030050/0863r (089) 98 82 72 Telegramme: Bmkkonten: Hypo-B»nk München 4410122150988273 BERGSTAPFPATENT München (BLZ 70020011) Swift Code: HYPO DE MM988274 TELEX: B«ycc Verainbtnk München 453100 (BLZ 70020270) 983310 0524560 BEROd Pcwucbeck Manchen 6534XOt (BLZ 70010080)ORIGINAL INSPECTED302065?Chlor, Brom und Jod ausgewähltes Halogen mit einer Konzentration im Bereich von 5 bis 500 ppm in der photoleitenden Schicht aufweist, wobei die Tellurkonzentration nahe der elektrisch leitenden Unterlage bei 5 Gewichts-% oder mehr liegt und in Richtung zur Oberfläche der photoleitfähigen Schicht hin gleichförmig ist oder zunimmt und das Verhältnis der Tellurkonzentration nahe der elektrisch leitenden Unterlage zu der Tellurkonzentration nahe der Oberfläche der photoempfindlichen Schicht 80 oder mehr : 100 ist.
- 3. Elektrophotographischer Photoleiter mit einer elektrisch leitenden Unterlage und einer darauf ausgebildeten photoempfindlichen Schicht, insbesondere nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoempfindliche Schicht eine Selen-Tellur-Legierung mit einer Tellurkonzentration im Bereich von 8 bis 10 Gewichts-% und Chlor mit einer Konzentration im Bereich von 30 bis 100 ppm in der photoempfindlichen Schicht aufweist, wobei die Tellurkonzentration nahe der elektrisch leitenden Unterlage bei 6 Gewichts-% oder mehrliegt und in Richtung zur Oberfläche der photoempfindlichen ·Schicht hin gleichförmig ist oder zunimmt und das Verhältnis d^r Tellurkonzentration nahe der elektrisch leitenden Unterlage zu der Tellurkonzentration nahe der Oberfläche der photoempfindlichen Schicht 65 oder mehr : 100 ist.
- 4. Elektrophotographischer Photoleiter mit einer elektrisch leitenden Unterlage und einer darauf ausgebildeten photo-030050/0863empfindlichen Schicht, insbesondere nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoempfindliche Schicht eine Selen-Tellur-Legierung mit einer Tellurkonzentration im Bereich von 10 bis 14 Gewichts-% und Jod mit einer Konzentration im Bereich von 250 bis 500 ppm in der photoempfindlichen Schicht aufweist, wobei die Tellurkonzentration nahe der elektrisch leitenden Unterlage bei 7 Gewichts-% oder mehr liegt und in Richtung zu der Oberfläche der photoempfindlichen Schicht gleichförmig ist oder zunimmt, und das Verhältnis der Tellurkonzentration nahe der elektrisch leitenden Unterlage zu der Tellurkonzentration nahe der Oberfläche der photoempfindlichen Schicht 65 oder mehr : 100 ist.
- 5. Elektrophotographischer Photoleiter nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekenn ze ichnet, daß die elektrisch leitende Unterlage Aluminium ist, und daß die photoempfindliche Schicht eine Dicke im Bereich von 50 bis 65μ hat.- 4 030050/0863ORIGINAL INSPECTED
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6678079A JPS55159445A (en) | 1979-05-31 | 1979-05-31 | Electrophotographic receptor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| DE3020657A1 true DE3020657A1 (de) | 1980-12-11 |
| DE3020657C2 DE3020657C2 (de) | 1983-03-31 |
Family
ID=13325717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| DE3020657A Expired DE3020657C2 (de) | 1979-05-31 | 1980-05-30 | Elektrophotographisches-Aufzeichnungsmaterial q |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4286035A (de) |
| JP (1) | JPS55159445A (de) |
| DE (1) | DE3020657C2 (de) |
| FR (1) | FR2458100B1 (de) |
| GB (1) | GB2051392B (de) |
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| JP6440696B2 (ja) | 2013-06-13 | 2018-12-19 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | 少なくとも１つの物体の方位を光学的に検出する検出器 |
| EP3008485A1 (de) | 2013-06-13 | 2016-04-20 | Basf Se | Detektor zur optischen erfassung mindestens eines objekts |
| JP6403776B2 (ja) | 2013-08-19 | 2018-10-10 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | 光学検出器 |
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| JP6637980B2 (ja) | 2014-12-09 | 2020-01-29 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | 光学検出器 |
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| GB2051392B (en) | 1983-04-13 |
| GB2051392A (en) | 1981-01-14 |
| FR2458100A1 (fr) | 1980-12-26 |
| JPS55159445A (en) | 1980-12-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OAP | Request for examination filed | ||
| OD | Request for examination | ||
| 8125 | Change of the main classification |
Ipc: G03G 5/082 |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8363 | Opposition against the patent | ||
| 8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: SCHWABE, H., DIPL.-ING. SANDMAIR, K., DIPL.-CHEM. DR.JUR. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |
|
| 8331 | Complete revocation |