DE2553826B2 - Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen AufzeichnungsmaterialsInfo
- Publication number
- DE2553826B2 DE2553826B2 DE19752553826 DE2553826A DE2553826B2 DE 2553826 B2 DE2553826 B2 DE 2553826B2 DE 19752553826 DE19752553826 DE 19752553826 DE 2553826 A DE2553826 A DE 2553826A DE 2553826 B2 DE2553826 B2 DE 2553826B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- arsenic
- selenium
- layer
- evaporated
- evaporation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials,
bei dem ein Überschuß an Selen, einer Selenlegierung oder einer Selenverbindung — gegebenenfalls mit
einem Zusatz — im Vakuum auf einen Schichtträger aufgedampft und von der erhaltenen photoleitfähigen
Schicht durch eine mechanische Behandlung der Überschuß wieder abgetragen wird.
Elektrophotographische Verfahren und Vorrichtungen hierzu haben in der Vervielfältigungstechnik weite
Verbreitung gefunden. Sie beruhen auf der Eigenschaft des photoleitenden Materials, bei Belichtung mit einer
aktivierenden Strahlung den elektrischen Widersland zu ändern.
Nach elektrischer Aufladung und Belichtung mit einer aktivierenden Strahlung läßt sich auf einer photoleitenden
Schicht ein latentes elektrisches Ladungsbild erzeugen, das dem optischen Bild entspricht. An den
belichteten Stellen findet nämlich eine solche Erhöhung der Leitfähigkeit der photoleitenden Schicht statt, daß
die elektrische Ladung über den leitenden Träger — zumindest teilweise, jedenfalls aber stärker als an den
unbelichteten Stellen — abfließen kann, während an den unbelichteten Stellen die elektrische Ladung im
wesentlichen erhalten bleibt; sie kann mit einem Bildpulver, einem sogenannten Toner, sichtbar gemacht
und das entstandene Tonerbild, falls es erforderlich sein sollte, schließlich auf Papier oder eine andere Unterlage
übertragen werden.
Als elektrophotographisch wirksame Stoffe werden sowohl organische als auch anorganische Substanzen
verwendet. Unter ihnen haben Selen, Selenlegierungen und Selenverbindungen besondere Bedeutung erlangt.
An die mechanischen, optischen, elektrischen und thermischen Eigenschaften eines elektrophotographisch
wirksamen Stoffes werden für einen erfolgreichen und vorteilhaften praktischen Einsatz verschiedenartige
Anforderungen gestellt, die von gebräuchlichen Schichten oft nur teilweise gleichzeitig erfüllt werden
können. Es ist jedoch bekannt, daß sich durch Zusätze, wie Arsen, Schwefel, Tellur, Halogene, gewisse Eigenschäften
der elektrophotographisch wirksamen Stoffe verbessern lassen, wobei dem Arsen und Tellur
besondere Bedeutung zukommt.
So wird zum Beispiel die geringe thermische Stabilität von Schichten aus amorphem Selen, das die Neigung
hat, in den — im allgemeinen nicht gewünschten — kristallisierten Zustand überzugehen, durch einen
Arsenzusatz verbessert. Ebenfalls läßt sich die geringe Härte von amorphen Selenschichten durch einen
Arsenzusatz verbessern. Schichten mit höherem Arsengehalt zeichnen sich auch durch eine höhere Lichtempfindlichkeit
aus.
Es sind auch Schichten bekannt geworden, bei denen an der Oberfläche ein höherer Arsengehalt vorhanden
ist, der in Richtung auf den Schichtträger abnimmt und zu geringen Arsenkonzentrationen in den Schichtbereichen
führt, die sich in der Nähe des Schichtträgers befinden. Dadurch lassen sich die Vorteile eines höheren
Arsengehaltes an der Oberfläche mit einem geringeren Gesamtanteil an Arsen verbinden. Solche Schichten
kommen dem Höchstwert der Lichtempfindlichkeit recht nahe, ohne beim Aufdampfen hohe und schwierig
zu beherrschende Verdampfer- und Substratlemperaturen erforderlich zu machen.
Ebenfalls ist es bekannt geworden, daß geringe Zusätze von einem oder mehreren Halogenen zu den
Selenschichten von Vorteil sind, weil sie zu einer Verringerung des Restpotentials führen.
Die beschriebene vielfältige Anwendung des Arsens und die ähnliche Anwendung des Tellurs in elektrophotographischen
Schichten auf der Grundlage von Selen stellt die Aufgabe einer zweckmäßigen Aufdampfmethode.
Während sich nämlich das reine Selen verhältnismäßig leicht im offenen Verdampferschiffchen verdampfen
läßt und die vorgesehene Schichtdicke und Aufdampfrate durch entsprechende Anpassung der
Aufdampfbedingungen erreicht werden kann, erfordert die Verdampfung der außer Selen auch noch Arsen
und/oder Tellur enthaltenden Systeme besondere und zusätzliche Maßnahmen. Es ist zwar im allgemein
bekannt, duli sich homogene Mehrkomponentensysteme durch gesonderte Verdampfung der Einzelkomponenlen
herstellen lassen. Für die Herstellung von Selen-Arsen·, Selen-Tellur oder Selen-Arsen-Telliir-Sy-
stemen ergeben sich dabei aber Schwierigkeiten, weil
die Verdampfungstemperaturen des Arsens und des Tellurs im Verhältnis zur Verdampfungstemperatur des
Selens recht hochliegen und das Arsen vor dem Verdampfen bereits sehr leicht oxydiert und damit seine
Eigenschaften ändert. Noch stärker wi-kt sich aus, daß das Arsen sublimiert und sich somit auch aus diesem
Grunde reproduzierbare Ergebnisse nur schwierig erzielen lassen.
Benutzt man an Stelle der Einzelkomponenten eine Selen-Arsen-, Selen-Tellur- oder Selen-Arsen-Tellur-Legierung
als Verdampfungsgut, so ändern sich während der Bedampfung die Konzentrationen der
Legierungspartner in der aufgedampften Schicht; und zwar wird zu Beginn der Bedampfung vorwiegend Selen
— als der Legierungspartner mit dem höheren Dampfdruck — abgeschieden, während zum Ende der
Bedampfung hin die Konzentration des Arsens und des Tel'urs ansteigen. Diese Konzentrationsänderung im
Laufe der Bedampfung wirkt sich besonders bei kleinen Arsen- und/oder TeDurkonzentrationen des Verdampfungsgutes
aus, weil in diesem Fall die Konzentrationen in der aufgedampften Schicht nicht gleichmäßig
ansteigen, sondern nach zunächst nahezu gleichbleibenden oder nur allmählich ansteigenden Konzentrationen
im unteren und mittleren Schichtdickenbereich einen stellen Anstieg im oberen Schichtdickenbereich, insbesondere
in der Nähe der Oberfläche, zeigen.
Derartige steile Gradienten der Legierungspartner des Selens sind in vielen Fällen unerwünscht. Aber auch
in solchen Fällen, wo sie keine unmittelbar nachteiligen Wirkungen auf die elektrophotographischen Eigenschaften
der Schicht zur Folge haben, ist es praktisch unmöglich, die Aufdampfschichten gut reproduzierbar
und in gleichbleibender Qualität herzustellen, sofern J5
man nicht komplizierte Vorrichtungen und aufwendige Apparaturen einsetzen will, beispielsweise mehrere
getrennte Verdampferschiffchen für die verschiedenen Legierungspartner oder Mehrkammerschiffchen mit
verschiedenen, den Verdampfungsgeschwindigkeiten w entsprechend angepaßten Kammergrößen. Nur durch
Änderung der Temperatur der Verdampfungsquelle läßt sich innerhalb gewisser Grenzen der Konzentrationsverlauf beeinflussen. Da aber bereits schon kleine
Temperaturschwankungen, die bei einer Fertigung technologisch ohnehin nicht leicht zu beherrschen sind,
im oberen Schichtdickenbereich, wie oben gezeigt wurde, zu erheblichen Konzentrationsschwankungen
führen, konnte das verhältnismäßig einfache und für reines Selen auch brauchbare Verfahren der Vollver-
>u dampfung mit einem offen Verdampierschiffchen — das
heißt der vollständigen Verdampfung des Verdampfungsgutes ohne einen im Verdampfungsgefäß zurückbleibenden
Rest — bei einem Verdampfungsgut aus Selen, das Anteile von Arsen und/oder Tellur enthält, v>
nicht zur Anwendung kommen, und man war auf aufwendigere oder kompliziertere Methoden angewiesen,
bei denen etwa durch Anpassung der Sehiffchentemperatur an die jeweilige Verdampfungsgesehwindigkeil
des Selens und des Arsens und gegebenenfalls durch »·> einen zusätzlichen Strahlungsheizer das Verhältnis der
verdampfenden Anteile von Selen und Arsen gesteuert wird.
Arsen und Selen weisen bei etwa 410"C den gleichen Dampfdruck auf. Bei dieser Temperatur müßte daher
<>> ein Gemisch oder eine Legierung von Arsen und Selen verdampft werden, um eine gleichbleibende Verteilung
der l.egierungspartner in der aufgedampften Schicht zu erhalten. Da aber immer eine gewisse Zeit erforderlich
ist, um in der Aufdampfvorrichtung bis zu dieser Temperatur zu gelangen, verdampft bereits während
der Aufheizperiode ein erheblicher Teil oder sogar der gesamte Inhalt des Verdampferschiffchens, bevor die
Temperatur der Dampfdruckgleichheit erreicht ist. Dabei geht dann zum Ende der Bedampfung der Resi
des Inhalts des Verdampferschiffchens mit dem hohen Anteil an Arsen über. Daher bildet sich in der
aufgedampften Schicht, auch wenn eine höhere Verdampfungstemperatur angestrebt wird, bereits während
der Aufheizperiode das oben beschriebene Konzentrationsprofil, und die Wahl der höhet en
Verdampfungstemperatur zur Beeinflussung dieses Konzentrationsprofils kann sich nicht mehr in der
gewünschten Weise auswirken. Somit sind also auch der Temperaturwahl zur Beeinflussung des Konzentrationsprofils Grenzen gesetzt.
Durch die DE-OS 15 22 622 ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmateria/s
bekannt geworden, bei dem nach dem Aufdampfen die Oberfläche der photoleitenden Schicht
poliert wird. Diese Maßnahme dient der Einebenung von Ungleichmäßigkeiten der Schichtdicke, ohne diese
selbst merklich zu verringern. Es werden auf diese Weise Schichtdickenunterschiede beseitigt und ausgeglichen,
die durchschnittliche Schichtdicke wird jedoch praktisch nicht verändert.
Aufgabe der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials,
das außer Selen, Arsen und/oder Tellur enthält und das sich durch gute und reproduzierbare
spektrale Empfindlichkeit, hohe Abriebsfestigkeit, geringe Kristallisationsneigung, geringe Dunkelentladung
und geringe Ermüdung der Dunkelentladung auszeichnet. Das Verfahren soll mit möglichst einfachen
Methoden und geringem apparativen Aufwand durchzuführen sein, dennoch aber ein mit Sicherheit
reproduzierbares Aufzeichnungsmaterial gleichbleibenderund hoher Qualität liefern.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials,
bei dem ein Überschuß an Selen, einer Selenlegierung oder einer Selenverbindung — gegebenenfalls
mit einem Zusatz — im Vakuum auf einen Schichtträger aufgedampft und von der erhaltenen
photoleitfähigen Schicht durch eine mechanische Behandlung der Überschuß wieder abgetragen wird,
erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß gleichzeitig mit Selen, Arsen und/oder Tellur aufgedampft wird, daß aus
einem offenen Verdampfungsschiffchen aufgedampft wird und daß von der erhaltenen photoleitfähigen
Schicht durch die mechanische Behandlung 2 bis 50 Gewichtsprozent abgetragen wird, bis die vorgesehene
Schichtdicke erreicht ist.
Hierbei wird von 102 bis 150 Gewichtsprozent der Menge des Verdampfungsgules ausgegangen, die zum
Erreichen der vorgesehenen Schichtdicke bei einer Vollverdampfung erforderlich ist. Die mechanische
Abtragung wird zweckmaßigerweise durch Schleifen oder Polieren, beispielsweise etwa mit einem üblichen
Metallputzmiltel, wie dem unter dem Namen Kaol bekannten, im Handel befindlichen Mittel vorgenommen.
Hierbei hat sich bewährt, einen mit dem Poliermittel getränkten Wattebausch unter einem
gelinden und konstanten Druck auf der Oberfläche der photoleitenden Schicht hin- und herzubewegen. Dieser
Verfahrensschritt läßt sich leicht und gut reproduzierbar
mit den bekannten Schleif- und Poliervorrichtungen durchführen. Der Abtrag des Photoleiters macht sich
durch eine Rotfärbung des Poliermittels bemerkbar. Die genaue Schichtdicke, die nach dem Polieren verbleibt,
läßt sich mit einem üblichen Schichtdickenmeßgerät, etwa einem Wirbelstrommeßgerät, bestimmen. Nach
Beendigung des Polierens werden die Reste des Poliermittels mit einem sauberen Wattebausch entfernt.
Durch die Erfindung wird einerseits erreicht, daß die einfache und unproblematische Methode der Vollverdampfung
aus einem offenen Verdampferschiffchen auch bei solchen Selenlegierungen angewendet werden
kann, die als Legierungspartner Arsen und/oder Tellur enthalten, was bisher nur schwer oder gar nicht möglich
war. Andererseits ermöglicht die einfache mechanische Nachbehandlung der Photoleiterschicht, die überraschenderweise
und wider Erwarten auch nach längerer Zeit keine nachteilige Wirkung auf die elektrophotographischen
Eigenschaften des Photoleiters ausübt, dann aber auch, eine ganz bestimmte Konzentration der
Legierungspartner des Selens im oberen und oberflächennahen Schichtdickenbereich einer vorgesehenen
Schichtdicke, und zwar mit Sicherheit auch reproduzierbar einzustellen, weil durch die Abtragung nur die Teile
der Photoleiterschicht entfernt werden, in denen wechselnde Konzentrationen und starke Konzentrationsunterschiede
innerhalb kleiner Schichtdickenunterschiede auftreten und in denen daher eine reproduzierbare
Einstellung bestimmter Konzentrationen in der Fertigungspraxis sehr schwierig ist, dagegen solche
Schichtdickenbereiche von der Abtragung ausgenommen und erhalten bleiben, bei denen eine — im
wesentlichen und praktisch — lineare und nur geringe Abhängigkeit der Konzentration der Legierungspartner
des Selens von der Schichtdicke der Photoleiterschicht gegeben ist.
Da diese Abhängigkeit der Konzentration von der Schichtdicke sich leicht für jede beliebige Konzentration
der Legierungspartner im Ausgangsmaterial bestimmen und in einem Diagramm auftragen läßt, kann
einem solchen Diagramm ohne Schwierigkeiten entnommen werden, welcher Anteil und bis zu welcher
Tiefe der Oberflächenschicht durch die mechanische Behandlung abgetragen werden muß, um die vorgesehene
Konzentration im oberen Schichtdickenbereich und das vorgesehene Konzentrationsprofil in der gesamten
Schichtdicke zu erreichen. Die genaue Bestimmung der Oberflächenkonzentration des Arsens ist nach verschiedenen
Methoden möglich. So lassen sich z. B. mit einer Elektronenmikrosonde die Arsenkonzentrationen in
einer Oberflächenschicht vom Mikrometerbereich bis hinab in den Ängströmbereich bestimmen. Hierbei wird
im allgemeinen eine Oberflächenschicht mit einer Schichtdicke bis zu etwa 2 oder 3 μπι in Betracht
gezogen, da bei den üblicherweise verwendeten Wellenlängen des eingestrahlten Lichtes die Absorption
in diesem Bereich stattfindet.
Bei Anwendung des Verfahrens gemäß der Erfindung zeichnen sich die erhaltenen Photoleiterschichten daher
dadurch aus, daß sie die geforderten mechanischen, thermischen, optischen und elektrophotographischen
Eigenschaften besitzen, wie sie von den Selenlegierungen mit genau vorgegebenem Konzentrationsprofil
ihrer Legierungspartner Arsen und/oder Tellur bekannt sind, daß sie insbesondere z. B. keinen hohen Dunkelabfall
und keine starke Ermüdung des Dunkelabfalls aufweisen, daß sie andererseits aber und im Unterschied
zu den bekannten Schichten sich auf einem viel einfacheren und mit Sicherheit stets reproduzierbaren
Weg herstellen lassen.
An einigen Beispielen aufgedampfter Photoleiterschichten mit verschiedenen Konzentrationen an Arsen
im Ausgangsmaterial, die einmal nach herkömmlichen Verfahren, ein andermal nach dem Verfahren gemäß
der Erfindung hergestellt wurden, sei die Erfindung noch einmal näher beschrieben. Zur weiteren Erläuterung
diene das Diagramm, bei dem die Arsenkonzentration in Abhängigkeit von der Schichtdicke für die
einzelnen Proben dargestellt sind.
45 g einer Legierung aus Selen mit 0,5 Gewichts-% Arsen werden in ein Verdampferschiffchen gefüllt und
in einer Vakuumverdampfungsanlage bei einem Druck von weniger als 10~3Torr,z. B. etwa 10 —5Torr,auf ein
Substrat, etwa eine Aluminiumtrommel, aufgedampft, die zuvor auf eine Temperatur von 60 bis 90° C,
bevorzugt 65° C, erwärmt wurde. Wird die zu verdampfende Legierung dabei auf einer Temperatur von 250 bis
255° C gehalten, ist nach etwa 60 min die gesamte Menge verdampft; und die Trommel mit der aufgedampften
Schicht kann der Anlage sodann nach einer Belüftung der Vakuumkammer entnommen werden.
Die Arsenverteilung in der aufgedampften Schicht entspricht der Kurve 1, d. h. daß bis zu etwa 87% der Schichtdicke ein im wesentlichen linearer und nur sehr geringer Anstieg der Arsenkonzentration vorhanden ist, nach einem Übergangsgebiet dann aber etwa von 91% der Schichtdicke bis zur freien Oberfläche ein sehr steiler Konzentrationsgradient zu verzeichnen ist.
Die Arsenverteilung in der aufgedampften Schicht entspricht der Kurve 1, d. h. daß bis zu etwa 87% der Schichtdicke ein im wesentlichen linearer und nur sehr geringer Anstieg der Arsenkonzentration vorhanden ist, nach einem Übergangsgebiet dann aber etwa von 91% der Schichtdicke bis zur freien Oberfläche ein sehr steiler Konzentrationsgradient zu verzeichnen ist.
Wird die Verdampfungstemperatur nach einer Verdampfungszeit von etwa 40 min von 225° C auf
315° C gesteigert und die Verdampfungsgeschwindigkeit
dadurch insgesamt und die des Arsens im besonderen entsprechend vergrößert, so ist bereits nach
50 min die gesamte Menge verdampft. Die Arsenverteilung in der aufgedampften Schicht entspricht der Kurve
2, wo nach zuerst vorhandener Übereinstimmung mit der Kurve 1 bis zu etwa 79% der Schichtdicke nunmehr
als Folge der höheren Verdampfungstemperatur auch die Arsenkonzentration stärker — wenn auch gleichbleibend
stärker — als bei der Kurve 1 ansteigt, um erst von 96% der Schichtdicke an steil nach oben zu
verlaufen.
Enthält das Ausgangsmaterial 2% Arsen und wird bei einer Verdampfungstemperatur von 265 bis 270° C
gearbeitet, erhält man eine Arsenverteilung gemäß Kurve 3, bei 3% Arsen und bei einer Verdampfungstemperatur
von 280 bis 285°C eine Arsen verteilung gemäß Kurve 4. Die beiden letztgenannten Kurven zeigen eine
etwas ausgeglichenere Arsenverteilung mit einem geringeren Gebiet des linearen Anstiegs und einem
größeren Übergangsgebiet; doch ist auch ihnen eigen, daß in den oberflächennahen Bereichen ein steiler und
schlecht reproduzierbarer Anstieg der Arsenkonzentration zu verzeichnen ist.
Ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial, das entsprechend dem beschriebenen Verfahren hergestellt
ist und eine Arsenverteilung nach Kurve 1 bis 4 aufweist, zeigt einen hohen Dunkelabfall, eine starke
Ermüdung, eine im Vergleich zu reinem Selen unreproduzierbare Empfindlichkeit und teilweise auch
ein hohes Restpotential. Wird jedoch erfindungsgemäD bei einem solchen Aufzeichnungsmaterial die oberste
Schicht so weit abgetragen, daß die Arsenkonzentration in der dabei entstandenen neuen Oberflächenschicht der
verbleibenden Restschicht einen Bereich erfaßt, wo die Konzentrationskurven noch nicht in den Teil des steilen
Anstiegs übergegangen sind, so sind die obengenannten nachteiligen Eigenschaften der Photoleiterschicht, wie
hoher Dunkelabfall, starke Ermüdung des Dunkelabfalls, hohes Restpotential und unreproduzierbare
spektrale Empfindlichkeit, völlig beseitigt, während die angestrebten Vorteile der verbesserten elektrophotographischen
Eigenschaften in Verbindung mit höheren mechanischer Festigkeit und höherer Temperaturbeständigkeit
gewonnen sind.
Dies ist beispielsweise der Fall, wenn bei einem Ausgangsmaterial mit 0,5 Gewichts-% Arsen die
Schicht so weit abgetragen wird, bis die Oberflächenkonzentration an Arsen etwa 0,8% beträgt, wobei man
Schichten mit besonders guter Reproduzierbarkeit der elektrischen Werte erhält. Wird ein höherer Arsengehalt
in der Oberfläche gefordert, ist es zweckmäßig, ein Ausgangsmaterial mit etwa 3 Gewichts-% Arsen
aufzudampfen und von der aufgedampften Schicht
soviel abzutragen, bis die Oberflächenkonzentration an Arsen etwa 2 Gewichts-% beträgt
Entsprechendes gilt, wenn die zu verdampfende Legierung an Stelle von Arsen Anteile von Tellur
beispielsweise bis zu 30 Gewichts-% Tellur enthält, wo die Aufdampfschicht dann die bekannte !lohe spektrale
Empfindlichkeit aufweist, oder wenn neben bis zu etwa 8 Gewichts-% Arsen noch zusätzlich bis zu 30 Gewichts-%
Tellur vorhanden sind und die Aufdampfschicht zusätzlich zu der hohen spektralen Empfindlichkeit
auch noch die Eigenschaft aufweist, den amorpher Zustand zu erhalten und nicht in den kristallisierter
Zustand überzugehen.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung enthält die zu verdampfende Legierung bis zi
10 000 ppm eines oder mehrerer Halogene, z. B. 20 pprr
Chlor. Durch einen solchen Halogenzusatz wird das Restpotential der Photoleiterschicht weiter gesenkt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials, bei dem ein
Überschuß an Selen, einer Selenlegierung oder einer Selenverbindung — gegebenenfalls mit einem
Zusatz — im Vakuum auf einen Schichtträger aufgedampft und von der erhaltenen photoleitfähigen
Schicht durch eine mechanische Behandlung der Überschuß wieder abgetragen wird, dadurch
gekennzeichnet, daß gleichzeitig mit Selen Arsen und/oder Tellur aufgedampft wird, daß mit
Hilfe einer Vollverdampfung aus einem offenen Verdampfungsschiffchen aufgedampft wird und daß
von der erhaltenen photoleitfähigen Schicht durch die mechanische Behandlung 2 bis 50 Gewichts-%
abgetragen wird, bis die vorgesehene Schichtdicke erreicht ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Substanz durch Schleifen oder
Polieren abgetragen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Selenlegierung mit höchstens 8,
vorzugsweise 0,5 Gewichts-% Arsen aufgedampft wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Selenlegierung mit 0,5 Gewichts-%
Arsen aufgedampft wird und daß von der erhaltenen photoleitfähigen Schicht durch Schleifen
oder Polieren so viel abgetragen wird, bis 0,8% der Oberfläche der Schicht von Arsen bedeckt ist.
5. Verfahren nach Anspruch 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Selenlegierung mit höchstens
8 Gewichts-% Arsen und höchstens 30 Gewichts-% Tellur aufgedampft wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Zusatz 1 bis 10 000 ppm eines oder
mehreren Halogene verwendet wird.
7. Verfahren nach Anspruch -5, dadurch gekennzeichnet,
daß als Zusatz 20 ppm Chlor verwendet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Druck von weniger als
IO~3 Torr aufgedampft wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem auf 60 bis 9O0C erwärmten
Schichtträger aufgedampft wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752553826 DE2553826C3 (de) | 1975-11-29 | 1975-11-29 | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752553826 DE2553826C3 (de) | 1975-11-29 | 1975-11-29 | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2553826A1 DE2553826A1 (de) | 1977-06-08 |
DE2553826B2 true DE2553826B2 (de) | 1978-08-10 |
DE2553826C3 DE2553826C3 (de) | 1979-04-05 |
Family
ID=5963080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752553826 Expired DE2553826C3 (de) | 1975-11-29 | 1975-11-29 | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2553826C3 (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3020657A1 (de) * | 1979-05-31 | 1980-12-11 | Ricoh Kk | Elektrophotographischer photoleiter |
DE3200961A1 (de) * | 1981-01-14 | 1982-08-19 | Ricoh Co., Ltd., Tokyo | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial und verfahren |
DE3201987A1 (de) * | 1981-01-23 | 1982-10-07 | Ricoh Co., Ltd., Tokyo | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial und verfahren |
DE3123608A1 (de) * | 1981-06-13 | 1982-12-30 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Aufzeichnungstraeger fuer die elektrophotographie |
DE3816001A1 (de) * | 1987-05-12 | 1988-12-01 | Fuji Electric Co Ltd | Verfahren zum aufrauhen einer oberflaeche eines lichtempfindlichen koerpers |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5470041A (en) * | 1977-11-15 | 1979-06-05 | Stanley Electric Co Ltd | Flexible multilayer xerographic photosensitive member |
-
1975
- 1975-11-29 DE DE19752553826 patent/DE2553826C3/de not_active Expired
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3020657A1 (de) * | 1979-05-31 | 1980-12-11 | Ricoh Kk | Elektrophotographischer photoleiter |
DE3200961A1 (de) * | 1981-01-14 | 1982-08-19 | Ricoh Co., Ltd., Tokyo | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial und verfahren |
DE3201987A1 (de) * | 1981-01-23 | 1982-10-07 | Ricoh Co., Ltd., Tokyo | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial und verfahren |
DE3123608A1 (de) * | 1981-06-13 | 1982-12-30 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Aufzeichnungstraeger fuer die elektrophotographie |
DE3816001A1 (de) * | 1987-05-12 | 1988-12-01 | Fuji Electric Co Ltd | Verfahren zum aufrauhen einer oberflaeche eines lichtempfindlichen koerpers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2553826A1 (de) | 1977-06-08 |
DE2553826C3 (de) | 1979-04-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1522711C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE3046695C2 (de) | ||
DE3020657C2 (de) | Elektrophotographisches-Aufzeichnungsmaterial q | |
DE1564544B2 (de) | Photoelektrische einrichtung und verfahren zur herstellung einer photoschicht hierfuer | |
DE3321648A1 (de) | Photorezeptor | |
DE2615624C2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2553826C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials | |
DE2553825C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials | |
DE2016354C3 (de) | Verfahren zur Verbesserung von photoleitf ähigem Zinkoxid | |
DE2339115C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials | |
DE3413122C2 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2305342C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE1772288B2 (de) | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial | |
DE2425286B2 (de) | Verfahren zum herstellen eines elektrophotographischen aufzeichnungsmaterials | |
DE2437268C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2648890C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von photoleitfähigem Cadmiumsulfid | |
DE3123608C2 (de) | Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2430653B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Vakuumaufdampfen eines photoleitfähigen Materials aus mindestens zwei Elementen auf ein Substrat | |
DE2523193C3 (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2305342A1 (de) | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial | |
DE4011267C2 (de) | Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE3135229A1 (de) | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial | |
DE3134915C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von photoleitfähigem Cadmiumsulfid | |
DE1522632C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrophotografischen Aufzeichungsmaterials | |
DE2523193B2 (de) | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial und verfahren zu seiner herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |