DE3020657C2 - Elektrophotographisches-Aufzeichnungsmaterial q - Google Patents
Elektrophotographisches-Aufzeichnungsmaterial qInfo
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 84
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 76
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 72
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 claims description 29
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 14
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 14
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 62
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 31
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 29
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 29
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 27
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 13
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 12
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 12
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004125 X-ray microanalysis Methods 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- OCKGFTQIICXDQW-ZEQRLZLVSA-N 5-[(1r)-1-hydroxy-2-[4-[(2r)-2-hydroxy-2-(4-methyl-1-oxo-3h-2-benzofuran-5-yl)ethyl]piperazin-1-yl]ethyl]-4-methyl-3h-2-benzofuran-1-one Chemical compound C1=C2C(=O)OCC2=C(C)C([C@@H](O)CN2CCN(CC2)C[C@H](O)C2=CC=C3C(=O)OCC3=C2C)=C1 OCKGFTQIICXDQW-ZEQRLZLVSA-N 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- RTZRJSLZUINFDV-UHFFFAOYSA-N [Cl].[Se] Chemical compound [Cl].[Se] RTZRJSLZUINFDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 244000145845 chattering Species 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 150000003342 selenium Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einem elektrisch leitenden
Schichtträger und einer darauf ausgebildeten lichtempfindlichen Schicht mit einer Selen-Tellur-Legierung.
Als ein Verfahren zum Erhöhen der Lichtempfindlichkeit eines elektrophotographischen Selen-Aufzeichnungsmaterials
ist ein Verfahren bekannt, bei dem dem Selen-Aufzeichnungsmaterial Tellur hinzugefügt wird.
Jedoch können die Selen-Eigenschaften in Abhängigkeit von der beigemengten Tellurrnenge oder in Abhängigkeit
von der Art der Beimenung erheblich beeinträchtigt werden, so daß das Aufzeichnungsmaterial nicht in
ausreichender Weise sensibilisiert und dementsprechend in der Praxis nicht verwendet werden kann.
Um dies zu verbessern, wird in der japanischen Offenlegungsschrift S.N. 50-142 036 ein elektrophotographisches
Aufzeichnungsmaterial mit einer lichtempfindlichen Schicht aus einer Selen-Tellur-Legierung und
einem Halogen vorgeschlagen, wobei die Tellurkonzentration in der lichtempfindlichen Schicht in der Richtung
parallel zur Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials gleichförmig ist, während die Tellurkonzentration in
Richtung senkrecht zur Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials allmählich zunimmt. Insbesondere die Tellurkonzentration
nahe der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials liegt im Bereich von 5 bis 20 Gewichts-%,
während die Tellurkonzentration nahe der Oberfläche des Schichtträgers nicht höher als 5 Gewichts-% ist.
Ferner wird gemäß der DE-AS 20 56 013 ein elektrophotographisches Selen-Aufzeichnungsmaterial
vorgeschlagen, bei welchem die Tellurkonzentration in der lichtempfindlichen Schicht in der Richtung senkrecht
zur Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials zunimmt und die Tellurkonzentration nahe der Oberfläche
des Aufzeichnungsmaterials höher ist. Die Konzentration an Tellur steigt von der an den Schichtträger
grenzenden Schicht zur Oberfläche hin derart an, daß das entsprechende Verhältnis der Tellurkonzentration
etwa 16: 100 beträgt. Das Aufzeichnungsmaterial enthält keine Halogendotierung. Wenn jedoch dieses
Selen-Aufzeichnungsmaterial in der Praxis in einem elektrophotographischen Kopiergerät verwendet wird,
erscheinen infolge einer ungleichmäßigen Abnutzung der lichtempfindlichen Schicht schwarze Linien auf der
Kopie.
Aus der DE-OS 27 18 157 ist ferner ein zweischichtiges
Aufzeichnungsmaterial bekannt, bei dem eine ladungserzeugende Schicht mit einem Gehalt an Tellur
über einer ladungstransportierenden Schicht aus reinem Selen angeordnet ist. Bei diesem Aufzeichnungsmaterial
kann zur Erhöhung der Tellurkonzentration in der Dampfphase ein Bedampfen in Gegenwart von Halogen
erfolgen, wodurch es zu einer Dotierung der erhaltenen photoleitfähigen Schicht mit Halogen bis zu einem
Gehalt von 50 ppm kommen kann. Für die Verbesserung eines einschichtigen Aufzeichnungsmaterials können
dieser Druckschrift aufgrund der ganz anderen Verhältnisse bei der Ladungserzeugung und beim
Ladungstransport keine Anregungen entnommen werden.
Im allgemeinen ist die Lichtempfindlichkeit einer photoleitfähigen Schicht proportional dem Produkt aus
(I) der Anzahl Ladungsträger, die in der photoleitfähigen Schicht durch darauf projiziertes Licht erzeugt
worden sind, und (II) der Driftbeweglichkeit der Ladungsträger. In einer photoleitfähigen Schicht mit
einer Selen-Tellur-Legierung hängt die Anzahl der durch das darauf projizierte Licht erzeugten Ladungsträger
von der Tellurkonzentration in einer 1 bis etwa 3 μηι dicken Oberflächenschicht ab, während die
Driftbeweglichkeit der Ladungsträger auch von der Tellurkonzentration in der inneren Schicht unterhalb
der Oberflächenschicht abhängt. Wenn die Tellurkonzentration in der 1 bis etwa 3 μηι dicken Oberflächenschicht
der photoleitfähigen Schicht konstant ist, hängt die Lichtempfindlichkeit einer einschichtigen photoleitfähigen
Schicht aus einer Selen-Tellur-Legierung von der Driftbeweglichkeit von Ladungsträger ab. Die
Driftbeweglichkeit der Ladungsträger ist in der inneren Selen-Tellur-Schicht minimal, wenn die Tellurkonzentration
dort etwa 4 Gewichts-% ist und parabolisch (wenn sie aufgetragen wird) außerhalb des vorerwähnten
minimalen Bereichs von etwa 4 Gewichts-% zunimmt. Folglich muß ein solcher Bereich für die
Tellurkonzentration, in dem die Beweglichkeit der Ladungsträger in der Selen-Tellur-Legierungsschicht
auf ein Minimum herabgesetzt ist, vermieden werden.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit
einem elektrisch leitenden Schichtträger und einer darauf ausgebildeten lichtempfindlicr.en Schicht aus
einer Selen-Tellur-Legierung derart zu verbessern, daß das Aufzeichnungsmaterial bei einer hohen Lichtempfindlichkeit
und einem geringen Restpotentid eine t,iite
Dauerhaftigkeit aufweist, so daß nach langer andauerndem Gebrauch in einem Kopiergerät auf den Kopien
keine schwarzen Streifen entstehen und keine Abnahme der Lichtempfindlichkeit zu beobachten ist.
Diese Aufgabe wird bei einem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial mit einen elektrisch
leitenden Schichtträger und einer darauf ausgebildeten lichtempfindlichen Schicht mit einer Selen-Tellur-Legierung
erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Tellur-Konzentration in der lichtempfindlichen Schicht im
Bereich von 5 bis 20 Gewichts-% liegt und in der lichtempfindlichen Schicht ferner Fluor, Chlor, Brom
oder Jod mit einer Konzentration irr? Bereich von 5 bis 500 ppm vorhanden ist, wobei die Tellurkonzentration
nahe dem elektrisch leitenden Schichtträger bei 5 Gewichts-% oder mehr liegt und in Richtung zur
Oberfläche der lichtempfindlichen Schicht gleichförmig ist oder zunimmt, wobei das Verhältnis der Tellurkonzentration
nahe dem elektrisch leitenden Schichtträger zu der Tellurkonzentration nahe der Oberfläche der
lichtempfindlichen Schicht 65 bis 100 :100 ist.
Dadurch, das gemäß der Erfindung die Tellurkonsentration
in Richtung senkrecht zur Oberfläche der lichtempfindlichen bzw. photoleitfähigen Schicht im
wesentlichen gleichförmig ist, wird verhindert, daß die Tellurverteilung in der Oberflächenschicht des Aufzeichnungsmaterials
während der Benutzung ungleichförmig wird. Ferner sind die Lichtempfindlichkeit und
andere Eigenschaften einschließlich des Restpotentials des Aufzeichnungsmaterials durch das Beimengen eines
Halgeons verbessert.
Bevorzugte Bereiche für die Tellur- und Halogenkonzentrationen ergeben sich aus der nachfolgenden
genaueren Beschreibung der Erfindung.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen im einzelnen erläutert. Hierbei zeigt
Fig. 1 die Abnahme des Restpotcntials eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials mit
einer Selen-Tellur-Legierung gemäß der E; findung bei einer Tellurkonzentration in der lichtempfindlichen
Schicht von 9 Gewichts-%, wenn Jod bzw. Chlor beigemengt werden; und
Fig. 2 die Zunahme der relativen Lichtempfindlichkeit
eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials mit einer Selen-Tellur-Legierung gomäß der
Erfindung bei einer Tellurkonzentration in der lichtempfindlichen Schicht von 8 Gewichts-%, wenn Jod bzw.
Chlor beigemengt werden.
In jeder Ausführungsform des erfind'jngsgemäßen
elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials ist die Tellurkonzentration in der lichtempfindlichen
Schicht in Richtung senkrecht zur Oberfläche der lichtempfindlichen Schicht im wesentlichen gleichförmig.
Hierbei ist mit dem Ausdruck »im wesentlichen gleichförmig« zum Ausdruck gebracht, daß bei einer
Tellur-Konzentration nahe dem elektrisch leitenden Schichtträger von 5 Gewichts-% oder mehr die
Konzentration in der Richtung zur Oberfläche der lichtempfindlichen Schicht hin (senkrecht zu der
Oberfläche) gleichförmig ist oder zunimmt; wenn dabei das Verhältnis von (1) der Konzentration nahe dem
elektrisch leitenden Schichtträger zu (11) der Konzentration
nahe der Oberfläche der lichtempfindlichen Schicht 65 bis 100:100 ist, wird die Konzentration als im
wesentlichen gleichförmig bezeichnet. Ferner ist mit dem Ausdruck »nahe dem elektrisch leitenden Schichtträger«
der Bereich in der lichtempfindlichen Schicht von 1 bis 3 μπι von der Grenzfläche zwischen der
lichtempfindlichen Schicht und den elektrisch leitenden Schichtträger bezeichnet, und mit »nahe der Oberfläche
der lichtempfindlichen Schicht« ist der Bereich von 1 bis 3 μΐη in der lichtempfindlichen Schicht ausgehend von
deren obersten Fläche bezeichnet.
In einem erfindungsgemäßen elektrophotographischen Selen-Tellur-Aufzeichnungsmaterial liegt der
obere Grenzwert der Tellurkonzentration in der lichtempfindlichen Schicht bei 20 Gewichts-%, da das
Beimengen von Tellur auch einen Einfluß auf eine Änderung der Selenstruktur vom amorphen in einen
kristallinen Zustand hat; über dem Grenzwert von 20
Gewichts-% ist diese Änderung so groß, daß das Aufzeichnungsmaterial nicht mehr verwendet werden
kann. Es hat sich ergeben, daß der vorteilhafteste Bereich der Tellurkonzentration bei 8 bis 12 Gewichts-%
liegt.
Die Tellurkonzentration in der lichtempfindlichen Schicht des Aufzeichnungsmaterials kann beispielsweise
mit Hilfe von zwei verschiedenen Verdampfungsquellen eingestellt werden, wobei Selen in der einen Verdampfungsquelle
und Tellur in der anderen Verdampfungsquelle enthalten sind, oder sie kann mit Hilfe einer
einzigen Verdampfungsquelle eingestellt werden, um eine Selen-Tellur-Legierung zu erhalten, wobei eine
Vcrschlußklappe vorgesehen ist. um die Verdampfungsquelle zu verschließen, bis deren Temperatur auf eine
vorbesiimmte Temperatur angestiegen ist. wonach sie zum Verdampfen für eine vorbestimmte Zeitdauer
geöffnet und dann zu einem vorbestimmten Zeitpunkt wieder geschlossen wird.
Außerdem wird bei dem erfindungsgemäßen elektrophotographischen Selen-Tellur-Aufzeichnungsmaterial
gemäß der Erfindung ein Halogen beigemengt, um sein Restpotenliäl zu verringern und um seine sonstigen
elektrischen Eigenschaften zu verbessern. Als Halogen kann Jod, Chlor, Fluor oder Brom in einem Konzentrationsbereich
von 5 bis 500 ppm verwendet werden. Wenn weniger als 5 ppm eines Halogens beigemengt
wird, kann keine Wirkung festgestellt werden, und wenn mehr als 500 ppm beigemengt wird, kann das Aufzeichnungsmaterial
nicht auf das erforderliche Potential geladen werden. Ferner hängt innerhalb des Bereichs
von 5 bis 500 ppm die wirksamste Halogenmenge davon ab, welches Halgoen (Jod, Chlor, Fluor oder Brom)
beigemengt wird, da deren Atomgewichte unterschiedlich sind.
In Fig. 1 ist die Abnahme des Restpotentials eines elektrophotographischen Aufzeichnungsrr.aterials gemaß
der Erfindung bei einer Tellurkonzentration in der lichtempfindlichen Schicht von 9 Gewichts-% dargestellt,
wenn Jod bzw. Chlor beigemengt wird, wie oben beschrieben ist. Im Falle von Jod nimmt das
Restpotential bei Hinzufügen von Mengen bis zum 500 ppm ständig ab. Im Falle von Chlor nimmt bei
Hinzufügen von Mengen bis zu 30 ppm das Restpotential des Aufzeichnungsmaterials sehr schnell ab; von
30 ppm bis 100 ppm ist die weitere Abnahme des
Restpoientials nur schwach. Aus F i g. 1 kann auch ersehen werden, daß das Restpotential durch Hinzufügen
von 100 ppm Chlor starker vermindert wird als durch Hinzufügen von 500 ppm jod.
Die »relative Lichtempfindlichkeit« wurde folgendermaßen festgelegt: Die Oberfläche jedes erfindungsgemäßen
Aufzeichnungsmaterials wurde durch eine Koronaladung auf 1000 V geladen und danach wurde sie
mit 60 Lux für eine solche Zeildauer beleuchtet, wie sie notwendig ist, um das Oberflächenpotential mit Hilfe
einer normalen Lichtquelle (von 2854° K) mit einem DM-Filter, welches Licht mit kürzeren Wellenlängen als
460 ηιμ und Licht mit längeren Wellenlangen als 700 ηιμ
ausfiltern kann, auf 100 V zu verringern. Dieser Vorgang
wurde lOOmal wiederholt. Bei der 100-sten Beleuchtung
wurde die Zeit gemessen, die notwendig ist. um das Oberflächenpotential auf 100 V zu verringern. Diese
Zeit für die 100-ste Beleuchtung, die in Sekunden als Ordinate in Fig. 2 aufgetragen ist, ist die relative
Lichtempfindlichkeit des Aufzeichnungsmaterials. Gemäß den in Fig. 2 wiedergegebenen Daten wurden bei
diesem Versuch die hinzugefügten Halogenmengen geändert. In F i g. 2 gilt, je kürzer die Zeit, um so höher
ist die Lichtempfindlichkeit.
Wie F i g. 2 zeigt, steigt im Falle von Chlor die relative Lichtempfindlichkeit ständig (d. h. die zur Verminderung
des Oberflächenpotentials auf 100 V erforderliche Belichtungszeit nimmt ab), wenn Chlor bis zu 100 ppm
beigemengt wird. Im Fall von Jod steigt die relative Lichtempfindlichkeit beim Beimengen von bis zu etwa
50 ppm schnell und beim weiteren Beimengen von bis zu 500 ppm dann allmählich an. Aus Fig. 2 kann auch
ersehen werden, daß die relative Empfindlichkeit durch das Hinzufügen von 100 ppm Chlor stärker verbessert
wird als durch Hinzufügen von 500 ppm Jod.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert, wobei die Beispiele IA
bis 5A Ausführungsformen von Selen-Tellur-Aufzeichnungsmaterialien gemäß der Erfindung betreffen,
während die Beispiele IB bis 5B als Vergleich zu den
Beispielen 1A bis 5A dienen.
In einer Vakuumkammer wurde ein elektrisch leitender Aluminium-Schichtträger über einer Verdampfungsquelle
mit Selen, dem 100 ppm Chlor als Halogen beigemengt wurden, und einer anderen Verdampfungsquelle mit Tellur in einer Menge von 10
Gewichts-% bezüglich des Selens, angeordnet. Die Temperatur des Aluminium-Schichtträgers wurde auf
75°C gehalten, während das Selen mit dem beigemengten Chlor auf 3000C und das Tellur auf 5QQ°C erhitzt
wurde. Man führte die Verdampfung so lange durch, bis auf dem Aluminium-Schichtträger eine mit Chlor
dotierte Schicht einer Selen-Tellur-Legierung in einer Dicke von 50 μίη ausgebildet war. Danach wurde das
wie eben beschrieben erhaltene elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial mittels eines Röntgen-Mikro-Analysators
einer Röntgen-Mikro-Analyse unterzogen wobei die Vtil d Tll i d Rih
vorstehend anhand von F i g. 2 beschrieben ist. Die auf diese Weise gemessene, relative Lichtempfindlichkeit
betrug 4,5 s (was im Vergleich mit dem unten angeführten Beispiel IB zu sehen ist und einen guten
Wert darstellt). Danach wurden mit diesem Aufzeichnungsmaterial in einem Kopiergerät 30 000 Nonnalkopien
hergestellt. Am Ende dieser Prüfperiode waren auf den Kopien keine der vorerwähnten schwarzen Linien
zu sehen, und die Widerstandsfähigkeit des Aufzeichnungsmaterials gegenüber Abnutzung erwies sich als
gut.
Die Komponenten (I) Selen und (II) eine Legierung
aus Selen und 12 Gewichts-% Tellur mit beigemengten
100 ppm Chlor wurden gleichmäßig mechanisch gemischt, so daß ein Gemisch mit einem Gehalt an Tellur
von 8 Gewichts-% des Gesamtgemischs erhalten wurde, das in derselben Vakuumeinrichtung wie im Beispiel IA
in einer einzigen Verdampfungsquelle unter einem elektrisch leitenden Schichtträger aus Aluminium
angeordnet wurde. Die Temperatur des elektrisch leitenden Schichtträgers wurde auf 750C gehalten,
während das Gemisch in der Verdampfungsquelle für 10 min auf 280°C und dann für 7 min auf 3100C erhitzt
wurde, wodurch sich eine Schicht aus einer mit Chlor dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von
50 μίτι auf dem elektrisch leitenden Schichtträger
gebildet hatte. Danach wurde das wie vorstehend beschrieben, erhaltene elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial
einer Röntgen-Mikroanalyse unterzogen, wobei die Tellurverteilung in der Richtung zu der
Oberfläche der photoleitfähigen Schicht hin gemessen wurde. Hierbei wurde festgestellt, daß nahe dem
Schichtträger die Tellurkonzentration 4 Gewichts-%, in dem Zwischenbereich 8 Gewichts-% und nahe der
Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials 10 Gewichts-% betrug.
Dieses Aufzeichnungsmaterial wurde auch bezüglich seiner relativen Lichtempfindlichkeit geprüft, wie
vorstehend anhand von F i g. 2 beschrieben ist. Die auf so gemessene, relative Lichtempfindlichkeit betrug 6 s
(was im Vergleich zu dem vorstehend wiedergegebenen Beispiel IA schlecht ist). Danach wurden mit diesem
Aufzeichnungsmaterial in einem Kopiergerät 30 000 Normalkopien hergestellt. Am Ende der Prüfperiode
erschienen die vorerwähnten schwarzen Linien auf den Kopien, und das Verhalten dieses Aufzeichnungsmaterials
mußte somit als unzugänglich eingestuft werden.
In derselben Vakuumeinrichtung wie beim Beispiel IA wurde in einer einzigen Verdampfungsqeuelle eine
mit 50 ppm Chlor dotierte Legierung aus Selen und 9 Gewichts-% Tellur unter einem Aluminium-Schichtträger
angeordnet. Die Temperatur des Aluminium-Schichtträgers wurde auf 800C gehalten, während die
zogen, wobei die Verteilung des Tellurs in der Richtung 60 Selen-Tellur-Legierung in der Verdampfungsquelle zum
zu der Oberfläche des elektrophotographischen Auf- Verdampfen der Legierung auf 3500C erhitzt wurde,
zeichnungsmaterials hin gemessen wurde. Hierbei wodurch eine Schicht aus einer mit Chlor dotierten
wurde festgestellt, daß nahe des Schichtträgers, in dem Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 60 μπι auf
Zwischenbereich und nahe der Oberfläche der photo- dem Aluminium-Schichtträger ausgebildet wurde,
leitfähigen Schicht die Tellurkonzentration gleichförmig 65 Danach wurde das auf die vorbeschriebene Weise 10 Gewichts-% betrug.
leitfähigen Schicht die Tellurkonzentration gleichförmig 65 Danach wurde das auf die vorbeschriebene Weise 10 Gewichts-% betrug.
Dieses Aufzeichnungsmaterial wurde auch hinsichtlich seiner relativen Lichtempfindlichkeit geprüft, wie
erhaltene eiektrophotographische Aufzeichnungsmaterial einer Röntgen-Mikroanalyse unterzogen, wobei die
Tellurverteilung in Richtung zu der Oberfläche des
Aufzeichnungsmaierials hin gemessen wurde. Es wurde festgestellt, daß nahe des Schichtträgers die Tellurkonzentration
6,5 Gewichts-%, in dem Zwischenbereich 8 Gewichts-%, und nahe der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials
9,5 Gewichts-% betrug.
Dieses Aufzeichnungsmaterial wurde bezüglich der relativen Lichtempfindlichkeit untersucht, bevor und
nachdem es in einem Kopiergerät zur Herstellung von 110 000 Normalkopien verwendet wurde. Es stellte sich
heraus, daß die relative Lichtempfindlichkeit vor und nach dem Kopiertest bei 3,7 s lag.
In derselben Vakuumeinrichtung wie im Beispiel IA
wurde in einer einzigen Verdampfungsquelle die wie im Beispie! 2A mit 50 ppm Chlor dotierte Legierung aus
Selen und 9 Gewichts-% Tellur unter einem Aluminium-Schichtträger angeordnet. Die Temperatur des Aluminium-Schichtträgers
wurde auf 75°C gehalten, während die Selen-Tellur-Legierung in der Verdampfungsquelle
zum Verdampfen der Legierung auf 310°C erhitzt wurde, wodurch eine Schicht aus einer mit Chlor
dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 60 μίτι auf dem Aluminium-Schichtträger ausgebildet
wurde.
Danach wurde das wie vorstehend beschrieben erhaltene, elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial
einer Röntgen-Mikroanalyse unterzogen, wobei die
Tellurverteilung in Richtung zu der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials hin gemessen wurde. Es wurde
festgestellt, daß nahe des Schichtträgers die Tellurkonzentration 4,5 Gewichts-%, in dem Zwischenbereich 6,5
Gewichts-% und nahe der Oberfläche des Aufzeichnungsmateraials 9,5 Gewichts-% betrug.
Auch dieses Aufzeichnungsmaterial wurde bezüglich seiner relativen Lichtempfindlichkeit überprüft, bevor
und nachdem es in einem Kopiergerät zur Herstellung von 110 000 Normalkopien verwendet wurde. Die
relative Lichtempfindlichkeit betrug vor dem Kopiertest 4.S s und nach dem Kopiertest 5,5 s. Somit wurde die
Lichtempfindlichkeit während des Kopiertest geringer.
In derselben Vakuumeinrichtung wie in dem Beispiel IA wurde in einer einzigen Verdampfungsquelle eine
mit 30 ppm Chlor dotierte Legierung aus Selen und 8 Gewichts-% Tellur unter einem Aluminium-Schichtträger
angeordnet. Die Temperatur des Aluminium-Schichtträgers wurde bei 700C gehalten, während die
Selen-Tellur-Legierung in der Verdampfungsquelle zum Verdampfen der Legierung auf 33O°C erhitzt wurde,
wodurch eine Schicht aus einer mit Chlor dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 65 μπι auf
dem Aluminium-Schichtträger ausgebildet wurde.
Das wie vorbeschrieben erhaltene elekirophotographische Aufzeichnungsmaterial wurde einer Röntgen-Mikroanalyse
unterzogen, wobei die Verteilung des Tellurs in Richtung zu der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials
hin gemessen wurde. Es wurde festgestellt, daß nahe des Schichtträgers die Teilurkonzentration
6,0 Gewichts-%, in dem Zwischenbereich 7,0 Gewichts-% und nahe der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials
8,5 Gewichts-% betrug. Danach wurden mit diesem Aufzeichnungsmaterial in einem Kopiergerät
80 000 Normalkopien hergestellt. Am Ende dieser Testperiode erschien keine der vorerwähnten schwarzen
Linien auf den Kopien, und es wurde keine nachteilige Beeinflussung der Bildqualität festgestellt
In derselben Vakuumeinrichtung wie in dem Beispiel IA wurde in einer einzigen Verdampfungsquelle
dieselbe mit 30 ppm Chlor dotierte Legierung aus Selen und 8 Gewichts-% Tellur, wie in Beispiel 3A, unter
einem Aluminium-Schichtträger angeordnet. Die Temperatur des Aluminium-Schichlträgers wurde auf 70° C
gehalten, während die Selen-Tellur-Legierung in der
to Verdampfungsquelle zum Verdampfen der Legierung auf 300° C erhitzt wurde, wodurch eine Schicht aus einer
mit Chlor dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 65 μηι auf dem Aluminium-Schichtträger
ausgebildet wurde.
Danach wurde das wie vorbeschrieben erhaltene elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial einer
Röntgen-Mikroanalyse unterzogen, wobei die Verteilung des Tellurs in Richtung zur Oberfläche des
Aufzeichnungsmaterials hin gemessen wurde. Es wurde festgestellt, daß nahe des Schichtträgers die Tellurkonzentration
4,0 Gewichts-%, in dem Zwischenbereich 6,0 Gewichts-% und nahe der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials
8,5 Gewichts-% betrug. Dieses Aufzeichnungsmaterial wurde dann in einem Kopiergerät
zur Herstellung von 80 000 Normalkopien verwendet. Im Unterschied zu dem Beispiel 3A erschienen die
vorerwähnten schwarzen Linien auf den Kopien, und die Leistungsfähigkeit dieses Aufzeichnungsmaterials
mußte somit als unzulänglich eingestuft werden.
In derselben Vakuumeinrichtung wie in dem Beispiel IA wurde eine mit 250 ppm Jod dotierte Legierung aus
Selen und 10 Gewichts-% Tellur in einer einzigen Verdampfungsquelle unter einem Aluminium-Schichtträger
angeordnet. Die Temperatur des Aluminium-Schichtträgers wurde auf 750C gehalten, während die
Selen-Tellur-Legierung in der Verdampfungsquelle zum Verdampfen der Legierung auf 350°C erhitzt wurde,
wodurch eine Schicht aus einer mit Jod dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 55 μπι auf
dem Äiuminium-Schichtträger ausgebildet wurde.
Danach wurde das wie vorbeschrieben erhaltene elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial einer
Röntgen-Mikroanalyse unterzogen, wobei die Verteilung des Tellurs in Richtung zu der Oberfläche des
Aufzeichnungsmaterials hin gemessen wurde. Es wurde festgestellt, daß nahe des Schichtträgers die Tellurkonzentration
7,0 Gewichts-%, in dem Zwischenbereich 8,5 Gewichts-% und nahe der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials
9,5 Gewichts-% betrug.
Dieses .Aufzeichnungsmaterial wurde dann auch bezüglich der relativen Lichtempfindlichkeit untersucht,
bevor und nachdem es in einem Kopiergerät zur Herstellung von 20 000 Normalkopien verwendet
wurde. Es wurde festgestellt, daß die relative Lichtempfindlichkeit vor und nach dem Kopiertest bei 3,4 s
gehalten wurde. Am Ende dieser Versuchsperiode wurden einige Kratzer auf dem Aufzeichnungsmaterial
wahrgenommen; es wurde jedoch festgestellt, daß sie keinen besonderen negativen Einfluß auf die Bildqualität
der Kopien hatten.
In derselben Vakuumeinrichtung wie im Beispiel IA wurde dieselbe wie im Beispiel 4A mit 250 ppm Jod
dotierte Legierung aus Selen und 10 Gewichts-% Teilur
in einer einzigen Verdampfungsquelle unter einem
Aluminium-Schichtträger angeordnet. Die Temperatur des Aluminium-Schichtträgers wurde auf 75°C gehalten,
während die Selen-Tellur-Legierung in der Verdampfungsquelle zum Verdampfen der Legierung auf 310°C
erhitzt wurde, wodurch eine Schicht aus einer mit Jod dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von
62 um auf dem Aluminium-Schichtträger ausgebildet
wurde.
Danach wurde das wie vorstehend beschrieben erhaltene, elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial
einer Röntgen-Mikroanalyse unterzogen, wobei die Tellurverteilung in Richtung zu der Oberfläche des
Aufzeichnungsmaterials hin gemessen wurde. Es wurde festgestellt, daß nahe des Schichtträgers die Tellurkonzentration
4,0 Gewichts-%, in dem Zwischenbereich 7,2 Gewichts-% und nahe der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterial
9,5 Gewichts-% betrug. Dieses Aufzeichnungsmaterial wurde auch bezüglich seiner relativen
Lichtempfindlichkeit untersucht, bevor und nachdem es in einem Kopiergerät zur Herstellung von 20 000
Normalkopien verwendet wurde. Die relative Lichtempfindlichkeit betrug vor dem Kopiertest 4,0 s und nach
dem Kopiertest 4,5 s. Somit hat die Lichtempfindlichkeit während des Kopierversuchs abgenommen. Am Ende
der Versuchsperiode wurden einige Kratzer wie im Beispiel 4A bemerkt, und im Unterschied zu dem
Beispiel 4A wurde festgestellt, daß die Kratzer einen nachteiligen Einfluß auf die Bildqualität der Kopien
hatten und die vorerwähnten schwarzen Linien auf den Kopien erschienen.
In derselben Vakuumeinrichtung wie in Fig. IA wurde eine mit 500 ppm Jod dotierte Legierung aus
Selen und 14 Gewichts-% Tellur in einer einzigen Verdampfungsquelle unter einem Aluminium-Schichtträger
angeordnet. Die Temperatur des Aluminium-Schichtträgers wurde auf 75°C gehalten, während die
Selen-Tellur-Legierung in der Verdampfungsquelle zum Verdampfen der Legierung auf 36O0C erhitzt wurde,
wodurch eine Schicht aus einer mit Jod dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 55 μπ\ auf
dem Aluminiuni-Schichuräger ausgebildet wurde.
Danach wurde das wie vorstehend beschrieben erhaltene, elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial
einer Röntgen-Mikroanailyse unterzogen, wobei die Tellurverteilung in Richtung zu der Oberfläche des
Aufzeichnungsmaterials hin gemessen wurde. Es wurde festgestellt, daß nahe des Schichtträgers die Tellurkonzentration
10 Gewichts-%, in dem Zwischcnbercich 11
Gewichts-% und nahe der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials 12,5 Gewichts-% betrug.
Dieses Aufzeichnungsmaterial wurde auch bezüglich seiner relativen Lichtempfindlichkeit untersucht, bevor
und nachdem es in einem Kopiergerät zur Herstellung
ίο von 30 000 Normalkopien verwendet wurde. Hierbei
wurde festgestellt, daß die relative Lichtempfindlichkeit vor und nach dem Kopiertest bei 2,5 s gehalten wurde.
In derselben Vakuumeinrichtung wie in dem Beispiel IA wurde eine mit 500 ppm Jod dotierte Legierung aus
Selen und !4 Gewichts-% Tellur in eir.er einziger! Verdampfungsquelle unter einem Aluminium-Schichtträger
angeordnet. Die Temperatur des Aluminium-Schichtträgers wurde auf 75°C gehalten, während die
Selen-Tellur-Legierung in der Verdampfungsquelle zum Verdampfen der Legierung auf 3100C erhitzt wurde.
wodurch eine Schicht aus einer mit Jod dotierten Selen-Tellur-Legierung mit einer Dicke von 62 μπι auf
dem Aluminium-Schichtträger ausgebildet wurde.
Danach wurde das wie vorstehend beschrieben erhaltene, elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial
einer Röntgen-Mikroanalyse unterzogen, wobei die Tellurverteilung in Richtung zu der Oberfläche des
in Aufzeichnungsmaterials hin gemessen wurde. Es wurde
festgestellt, daß nahe des Schichtträgers die Tellurkonzentration 5.5 Gewichts-%, in dem Zwischenbereich 8.5
Gewichts-% und nahe der Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials 12.5 Gewichts-% betrug.
3fj Dieses Aufzeichnungsmaterial wurde auch bezüglich
seiner relativen Lichtempfindlichkeit geprüft, bevor und nachdem es in einem Kopiergerät zur Herstellung von
30 000 Normalkopien verwendet wurde. Die relative Lichtempfindlichkeit betrug vor dem Kopiertest 3.0 s
und nach dem Kopiertest 3,4 s. Somit hat die Lichtempfindlichkeit abgenommen. Ferner erschienen
im Unterschied zu Beispiel 5A die vorerwähnten schwatzen Linien in beträchtlichem Maße auf den
Kopien, und die Leistungsfähigkeit dieses Aufzeichnungsmaterials mußte somit als unzulänglich eingestuft
werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einen elektrisch leitenden Schichtträger und
einer darauf ausgebildeten lichtempfindlichen Schicht mit einer Selen-Tellur-Legierung, dadurch
gekennzeichnet, daß die Tellurkonzentration in der lichtempfindlichen Schicht im
Bereich von 5 bis 20 Gewichts-% liegt und in der lichtempfindlichen Schicht ferner Fluor, Chlor, Brom
oder Jod mit einer Konzentration im Bereich von 5 bis 500 ppm vorhanden ist, wobei die Tellurkonzentration
nahe dem elektrisch leitenden Schichtträger bei 5 Gewichts-% oder mehr liegt und in Richtung
zur Oberfläche der lichtempfindlichen Schicht gleichförmig ist oder zunimmt, wobei das Verhältnis
der Teliurkonzentration nnhe dem elektrisch leitenden
Schichtträger zu der Tellurkonzentration nahe der Oberfläche der lichtempfindlichen Schicht 65 bis
100: 100 ist.
2. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das genannte Verhältnis der Tellurkonzentration 80 bis 100: 100 ist.
3. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Tellurkonzentration in der lichtempfindlichen Schicht im Bereich von 8 bis 10 Gewichts-% liegt
und die Chlorkonzentration in der lichtempfindlichen Schicht im Bereich von 30 bis 100 ppm liegt,
und daß die Tellurkonzentration nahe dem elektrisch leitenden Schichtträger bei 6 Gewichts-%
oder mehr liegt.
4. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Tellurkonzentration in der lichtempfindlichen Schicht im Bereich von 10' bis 14 Gewichts-% liegt
und die Jodkonzentration in der lichtempfindlichen Schicht im Bereich von 250 bis 500 ppm liegt, und
daß die Tellurkonzentration nahe dem elektrisch leitenden Schichtträger bei 7 Gewichts-% oder
mehr liegt.
5. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch
gekennzeichnet, daß der elektrisch leitende Schichtträger Aluminium ist, und daß die lichtempfindliche
Schicht eine Dicke im Bereich von 50 bis 65 μηι hat.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6678079A JPS55159445A (en) | 1979-05-31 | 1979-05-31 | Electrophotographic receptor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3020657A1 DE3020657A1 (de) | 1980-12-11 |
| DE3020657C2 true DE3020657C2 (de) | 1983-03-31 |
Family
ID=13325717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3020657A Expired DE3020657C2 (de) | 1979-05-31 | 1980-05-30 | Elektrophotographisches-Aufzeichnungsmaterial q |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4286035A (de) |
| JP (1) | JPS55159445A (de) |
| DE (1) | DE3020657C2 (de) |
| FR (1) | FR2458100B1 (de) |
| GB (1) | GB2051392B (de) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56149046A (en) * | 1980-04-22 | 1981-11-18 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| US4414179A (en) * | 1981-12-03 | 1983-11-08 | Xerox Corporation | Process for making photoreceptors |
| US4374917A (en) * | 1981-12-11 | 1983-02-22 | Gte Products Corporation | Infrared photoconductor for electrophotography of a copper activated mercury containing cadmium selenide telluride |
| US4626486A (en) * | 1983-04-08 | 1986-12-02 | Ricoh Co., Ltd. | Electrophotographic element comprising alloy of selenium and tellurium doped with chlorine and oxygen |
| CN104969029B (zh) | 2012-12-19 | 2018-11-02 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于光学检测至少一种物体的检测器 |
| WO2014198623A1 (en) | 2013-06-13 | 2014-12-18 | Basf Se | Detector for optically detecting at least one object |
| WO2014198626A1 (en) | 2013-06-13 | 2014-12-18 | Basf Se | Detector for optically detecting an orientation of at least one object |
| EP3036558B1 (de) | 2013-08-19 | 2020-12-16 | Basf Se | Detektor zur bestimmung der position mindestens eines objekts |
| KR102191139B1 (ko) | 2013-08-19 | 2020-12-15 | 바스프 에스이 | 광학 검출기 |
| US11041718B2 (en) | 2014-07-08 | 2021-06-22 | Basf Se | Detector for determining a position of at least one object |
| JP6578006B2 (ja) | 2014-09-29 | 2019-09-18 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | 少なくとも１個の物体の位置を光学的に求めるための検出器 |
| US11125880B2 (en) | 2014-12-09 | 2021-09-21 | Basf Se | Optical detector |
| WO2016120392A1 (en) | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Trinamix Gmbh | Detector for an optical detection of at least one object |
| WO2017012986A1 (en) | 2015-07-17 | 2017-01-26 | Trinamix Gmbh | Detector for optically detecting at least one object |
| WO2017046121A1 (en) | 2015-09-14 | 2017-03-23 | Trinamix Gmbh | 3d camera |
| CN109564927B (zh) | 2016-07-29 | 2023-06-20 | 特里纳米克斯股份有限公司 | 光学传感器和用于光学检测的检测器 |
| KR102431355B1 (ko) | 2016-10-25 | 2022-08-10 | 트리나미엑스 게엠베하 | 적어도 하나의 대상체의 광학적 검출을 위한 검출기 |
| EP3532796A1 (de) | 2016-10-25 | 2019-09-04 | trinamiX GmbH | Optischer infrarotdetektor mit integriertem filter |
| JP7215996B2 (ja) | 2016-11-17 | 2023-01-31 | トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 少なくとも１つの物体を光学的に検出するための検出器 |
| US11860292B2 (en) | 2016-11-17 | 2024-01-02 | Trinamix Gmbh | Detector and methods for authenticating at least one object |
| US11060922B2 (en) | 2017-04-20 | 2021-07-13 | Trinamix Gmbh | Optical detector |
| EP3645965B1 (de) | 2017-06-26 | 2022-04-27 | trinamiX GmbH | Detektor zur bestimmung der position von mindestens einem objekt |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2745327A (en) * | 1952-05-12 | 1956-05-15 | Haloid Co | Electrophotographic process |
| US3350595A (en) * | 1965-11-15 | 1967-10-31 | Rca Corp | Low dark current photoconductive device |
| DE1522712C3 (de) * | 1965-12-27 | 1975-08-14 | Rank Xerox Ltd., London | Verfahren zur Herstellung eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials |
| GB1226994A (de) * | 1967-03-27 | 1971-03-31 | ||
| JPS5522783B1 (de) * | 1967-08-29 | 1980-06-19 | ||
| US3990894A (en) * | 1969-10-29 | 1976-11-09 | Katsuragawa Denki Kabushiki Kaisha | Method of preparing photosensitive element for use in electrophotography |
| US3904408A (en) * | 1969-11-14 | 1975-09-09 | Canon Kk | Electrophotographic member with graded tellurium content |
| DE2056013B2 (de) * | 1969-11-14 | 1974-03-21 | Canon K.K., Tokio | Verfahren zur Herstellung einer fotoleitfähigen Schicht |
| JPS4930329B1 (de) * | 1970-09-19 | 1974-08-12 | ||
| DE2248054B2 (de) * | 1972-09-30 | 1974-12-12 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
| JPS50142036A (de) * | 1974-05-01 | 1975-11-15 | ||
| JPS51120611A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Hitachi Ltd | Photoconducting film |
| DE2553825C2 (de) * | 1975-11-29 | 1982-08-26 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials |
| DE2553826C3 (de) * | 1975-11-29 | 1979-04-05 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Herstellen eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials |
| JPS533339A (en) * | 1976-06-30 | 1978-01-13 | Fuji Xerox Co Ltd | Electrophotographic photosensitive element |
| DE2718157A1 (de) * | 1977-04-23 | 1978-11-02 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen eines elektrophotographischen aufzeichnungsmaterials |
-
1979
- 1979-05-31 JP JP6678079A patent/JPS55159445A/ja active Pending
-
1980
- 1980-05-28 US US06/153,963 patent/US4286035A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-05-29 FR FR8011985A patent/FR2458100B1/fr not_active Expired
- 1980-05-30 DE DE3020657A patent/DE3020657C2/de not_active Expired
- 1980-06-02 GB GB8018016A patent/GB2051392B/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3020657A1 (de) | 1980-12-11 |
| FR2458100B1 (fr) | 1986-03-28 |
| US4286035A (en) | 1981-08-25 |
| GB2051392A (en) | 1981-01-14 |
| FR2458100A1 (fr) | 1980-12-26 |
| JPS55159445A (en) | 1980-12-11 |
| GB2051392B (en) | 1983-04-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OAP | Request for examination filed | ||
| OD | Request for examination | ||
| 8125 | Change of the main classification |
Ipc: G03G 5/082 |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8363 | Opposition against the patent | ||
| 8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: SCHWABE, H., DIPL.-ING. SANDMAIR, K., DIPL.-CHEM. DR.JUR. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |
|
| 8331 | Complete revocation |